1

1. GR:

Gnmz teknolojik ve bilimsel aratrmalarnda nemli bir yere sahip olan
saydam iletken ince filmler zerine yaplan almalar, 1950li yllardan gnmze
kadar eitli yntemlerle sregelmitir. Gnmzde ise zellikle gne pillerindeki
uygulamalarda, LED, s yanstclar, foto termal dnm sistem gaz sensrleri, optik
pozisyon sensrleri gibi uygulamalarda ince oksit filmlerinin kullanm nemli bir yer
tutmaktadr. Dolaysyla gnmzde bu tr uygulamalar iin saydam iletken ince
filmlerin retimi nem arz etmektedir.
Kalnl 1 mden az olan filmler ince film olarak adlandrlmaktadr. Saydam
iletken ince filmler (TCO) farkl optoelektronik uygulamalarda ucuz ve salam
olduklar iin giderek artan kullanma sahiptirler [1]. Tm bu malzemeler arasndan
inko oksit saydam iletken ince filmler sahip olduklar optik ve elektriksel zellikleriyle
beraber yksek kimyasal ve mekanik kararllklar ve doada ok miktarda ZnO
bulunmas ve dolaysyla maliyetlerinin dier oksit filmlere gre nispeten ucuz olmas
nedeniyle en ne kanlardan biridir.
ZnOnun molekl arl 81,S8 gi olup younluu S,6S gicm
3
olan beyaz bir
tozdur. II-VI tr bir bileiktir. S2 bai basn altnda 197Sde erir. Kafes
parametreleri a = S,249 , c = S,2uS olup hekzagonal wurtzite yapsna sahiptir. En
yakn komu anyon katyon aras mesafe 1,96 dur.
ZnO gne ndaki ultraviyole nlar sourabilir. Dk maliyetli, zehirli
olmamas, geni bant aralna sahip oluu ve kolaylkla katklanabilmesi, elektrolitle
kontaklar dahil edildiinde bozunma ve anma olumamas gibi sebepler dolaysyla
gnmzde ok fazla ilgilenilen bir malzemedir. Genellikle oksitlerinin ou kimyasal
olarak kararldr ve havadaki oksijenle tepkimeye girmez [2].
ZnO geni enerji bant aralna (S,1 -S,S c:) sahip bir n-tipi yar iletkendir.
Elektriksel iletkenlii temelde farkl konumlardaki Zn atomlarnn fazlalndan
dolaydr [3]. retilen ince filmin iletkenlii katklandrma ve uygun koullar altnda
tavlama ile kolaylkla kontrol edilebilir [3].
2

Katksz ZnO, dz panel gstergeleri ve gne pillerindeki gibi geirgen iletken

elektrot uygulamalarnn ou iin seilen malzemedir [4]. ZnO katmanlar, ok
katmanl bir gne pilinin en st katman olarak da kullanlabilir. nk bu birok
katmann en st katman genellikle, gne spektrumundaki yksek enerjili fotonlar
sourur. Her zaman daha yksek enerji aral olan malzemeler, daha yksek foto-
voltajlar elde etmek iin kullanldr [2]. Ayrca katksz ve katkl ZnO filmlerin her
ikisi de, optoelektronik gsterge aygtlarnda ve ultra-yksek frekans elektro-akustik
dntrclerde kullanlr [5].
Katklandrma ve tavlama ilemleri ZnOnun birok zelliinin gelimesini
salar. eitli iyonlarla ZnO filmleri katklandrmak mmkndr. En ok p-tipi katkl
ZnO ince filmler aratrmaclarn ilgisini ekmitir. Al, Ga, n ve B gibi grup III
elementleriyle veya Si, Ge, Ti, Zr ve Hf gibi grup IV elementleriyle katklandnda bu
elementler Zn atomlaryla yer deitirirler ve F gibi grup VII elementleriyle
katklandnda ise bu elementler O atomlaryla yer deitirirler. Ayrca Sc, Y gibi nadir
toprak elementleriyle katklandnda bu elementler Zn atomlaryla yer deitirirler.
Yapda yk fazlal oluturan atomlar sebebiyle ekstrinsik donrler, daha yksek
scaklklara baml olarak hatalar oluturan intrinsik donrlere gre daha kararldrlar
[6].
Uygun cins ve miktarda katklarn ilavesiyle bu filmlerin elektrik iletkenlii
artmaktadr. Filmlerin hidrojen plazmasna maruz kalmalar durumunda bozunmaya
uramalar nedeniyle, hidrojen plazmasna daha dayankl olan alminyum veya benzeri
kat malzemeleriyle katklanm inko oksit filmler son yllarda tercih edilmektedir.
Gne pillerinin temel katmalarndan biri olan saydam iletken katmana olan
gereksinim nedeniyle, saydam iletken ince filmler zerindeki almalarda younlama
balamtr. Saydam elektrot olarak da adlandrlan bu katmann, gne pillerinin verimi
zerine en etkili parametrelerden biri olan seri direncin nemli bir kesrini oluturmas
nedeniyle iletkenliin ok yksek olmas ve gne spektrumunun kullanl blgesinde
saydam olmas gerekmektedir.
nce filmler ounlukla biriktirme eklinde elde edilirler ve yksek teknoloji
uygulamalar saylamayacak kadar oktur. nce film biriktirme teknikleri genel olarak;
buharlatrma gibi sadece fiziksel veya gaz ve sv faz kimyasal ilemler gibi sadece
3

kimyasal olabildii gibi elektriksel dearj ve reaktif sktrme gibi hem fiziksel hem de
kimyasal ilemlerin birleiminden oluabilir. Katkl ve katksz ZnO saydam iletken
ince filmlerin biriktirilmesinde kimyasal buhar yntemi, D.C. ve R.F. reaktif magnetron
sratma, pskrtme, atmal lazer depolama, kimyasal n depolama, sol-gel spin-
kaplama, buharlatrma, hidrotermal metot gibi birok yntem kullanlmaktadr[5].
Bahsedilen bu yntemlerin her biri farkl parametrelere sahip olup, bu
yntemlerden herhangi biriyle elde edilemeyen zelliklerin dier yntemlerden biriyle
elde edilmesi mmkndr. Bu yzden istenilen zelliklere sahip olan saydam iletken
ince filmlerin retimi iin en nemli kademe bu zellikleri salayabilecek en uygun
yntemin seilmesidir.














4

2. NKO OKSTN ZELLKLER

Doada zinkit minerali olarak bulunan ZnO eitli bilimsel alanlarda kullanlan
ok amal bir malzemedir. Bu blmde, ZnOnun nemli baz zellikleri ksaca ele
alnacaktr.
2.1. Kristal Yaps
inko oksit normal evre artlarnda termodinamik olarak sabit fazda
wurzitedir. inko atomlar sk paket hekzagonal yapya yakn bir ekilde yapda yer
almaktadrlar. Her bir oksijen atomu drt adet tetrahedral dizilimdeki inko atomu
arasnda yer almaktadr [5]. ZnOnun wurzite kristal yaps ekil 2.1de grlmektedir.

ekil 2. 1. inko oksidin altgen wurzite kafes yaps; byk daireler oksijen atomunu,
kk dairelerde inko atomunu gstermektedir [7].
2.2. Elektronik Bant Yaps
ZnO, oksijen atmosferdeki denge reaksiyonu yznden sebebiyle yapkadi
oksijen iyonlarnn eksik olmas ve yapdaki katyon fazlal sebebiyle stokiyometrik
5

olmayan Zn
1+x
0 eklinde grlebilir. Denge durumunu u ekilde gsterilmesi bir
hatadr:
Zn0 = Zn

x
+ (
1
2
] )0
2
(g)
(2.1)
Zn
I
x
arayer inko atomunu gstermektedir ve iyonize olabilir. Elektronlarn ise
aadaki ekilde iletken banda balayabilir:
Zn

x
= Zn

.
+ c
i
(2.2)
Zn

.
= Zn

..
+ c
i
(2.3)
Zn

x
ve Zn

.
nin her ikisi de donr olarak rol oynayabilir ve bylece ZnO n-tipi
bir yar iletkendir.

ekil 2. 2. inko oksidin ematik elektronik seviye diyagram [8]

Bant yaps modelleri kullanlarak hesaplanan yasak enerji bant aral ~3,5 eV
olup deneysel verilerle mkemmel bir tutarllk ierisindedir. Bu yasak enerji bant
aral sebebiyle ZnO ince film konumunda tm grnr blgede saydam
yaplabilmektedir[5]
6

3. NKO OKST NCE FLMLERN RETM

ZnO ince filmler genellikle cam vb. alt tabanlar zerine ZnOnun eitli
yntemler kullanlarak biriktirilmesiyle retilirler. ZnO ince film retimi iin yaplan ilk
aratrmalar magnetron sratma ve kimyasal buhar depolama gibi bytme
teknikleridir. Sonraki almalar, RF (Radio Frequency) magnetron sratma ve
molekler n epitaksi (MBE, Molecular Beam Epitaxy)dir. Bunlarn dnda atmal-
lazer depolama (PLD, Pulsed Laser Deposition), metal organik kimyasal buhar
depolama (MOCVD, Metal Organic Chemical Vapour Deposition) gibi depolama
parametreleri zerinde iyi kontrol salayan bytme teknikleri ile yksek nitelikli ZnO
tek-kristal filmler elde edilmitir [5].
Bu ksmda gnmzde zerinde daha ok durulan ince film retim teknikleri
zerinde durulacaktr.
3.1.Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) Yntemi
Gaz faz kimyasal ilemler ierisinde Kimyasal Buhar Depolamadan sz etmek
gerekir. Kimyasal buhar depolamann CVD Epitaksi, Atmosfer Basnl CVD, Dk
Basnl CVD (LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition), Metalorganic
CVD (MOCVD), IkYardml CVD(PHCVD), Lazerle ndklenen CVD(PCVD),
Elektron Yardml CVD olmak zere pek ok tr vardr [5].
CVD reaksiyona girecek elementlerin buhar fazda kat film oluturmak zere
etkiletii malzeme retim yntemidir. Yksek saflktaki sv kaynaktan buhar elde
edilebilir. Gaz ve kat fazda, reaksiyona girecek elementlerin ksmi basnlar, toplam
enerjileri, scaklk deerleri iyi bilinmelidir. Dk scaklk deerlerinde bymeyi
yzey sourmas belirler. Yksek scaklk deerlerinde ise byme orann yzeye
doru olan difzyon ve/veya yzeyden dar doru olan difzyon belirler. CVD deki
ilem parametreleri arasnda ak hz, scaklk, scakln sistemdeki dalmlar, reaktr
geometrisi, gaz ve buhar zellikleri bulunmaktadr [6].
Aoki ve alma arkadalar safir tabanlar zerine tek kristal ZnO filmler
biriktirmilerdir. Kullanlan biriktirme reaksiyonlar [9]:
7

3ZnO +2NH
3
-3Zn
(g)
+ N
2
+ 3H
2
O (kaynakta)
Zn
(g)
+ 2H
2
O -ZnO + H
2
(tabanda)
Konvansiyonel CVD sistemlerinde hidrojen, normal artlarda ZnO kayna iin
indirgeyici gaz olarak kullanlmaktadr. Ancak Aoki ve alma arkadalar biriktirme
hzn drmek ve film kalitesini arttrmak iin NH
3
gaz kullanmlardr. Kullanlan
CVD sisteminin ematik bir grnts ekil 3.1 de verilmitir. Bu sistem iin optimum
kaplama parametreleri: Katot scakl 870880C, taban malzemesi scakl 730
740C, NH
3
debisi 0,61 dk
-1
, hedef-katot aras mesafe 2030 cm olarak belirlenmitir.
Plazma destekli metal-organik CVD sistemi ile ise 150350C gibi dk scaklklarda
da yksek ynlenmeli ZnO filmlerin retildii rapor edilmitir. Bu sistemde dietil
inkonun yanna O
2
gaz da ilave edilerek allmas uygun grlen parametreler
arasndadr. Bu teknikle safir taban zerine e eksenli, cam taban zerine de c ekseni
ynlenmeli filmler biriktirilmitir. Ancak cam zerine biriktirilen filmlerin yapma
zelliklerinin nazaran zayf olduu tespit edilmitir [9].

ekil 3.1. CVD cihaznn ematik gsterimi [9]
Yakn zamanda ilave yaplm ZnO saydam iletken ince filmlerin retiminde
CVD teknii kullanlmaya balamtr ve bu yntemle bu yntemle 3 1
-3
.cm
8

diren ve yaklak %85 geirgenlie sahip Al ile katklanm ZnO ince filmler
retilmitir [9].
3.2.Sprey Piroliz (Sprey Pyrolisis) Teknii
Sprey piroliz metodu ile ZnO saydam iletken ince filmlerin retiminde
genellikle sprey solsyonu olarak inko asetat sulu zeltisi kullanlr. Bu ncl dk
scaklktaki yksek buhar basnc sebebiyle seilir. Birka damla asetik asit ilavesi
inko oksit kelmesini nler ve bylece sprey solsyonu temiz kalr. Bu da daha
kaliteli optik geirgen filmlerin retimine yardm eder. Genel olarak elde edilen
sonulara gre taban malzeme scakl 350550C arasnda deise de en dk diren
deerleri 400Cde gzlenmitir [9].
ekil 3.2de tipik bir sprey piroliz sistemi grlmektedir.

ekil 3.2. Sprey piroliz sistemi [7]
Tomar ve Garcia tavlanm taban malzemeleri zerine 15 cm
3
dk debiyle su
alkol karmndan oluan inko asetat zeltisi ve tayc gaz olarak 101 dk
-1
debili
kuru hava kullanarak ve ilem sresince solsyon scakln 80Cde tutarak ZnO ince
film retmilerdir. rettikleri filmin ilk etapta yksek direnli olduunu
gzlemlemilerdir. Daha sonrasnda 350Cde N
2
atmosferde 45 dk sreyle tavlama
sonucu retilen ince filmin direncinde d gzlemlemilerdir ve en dk diren
deeri iin optimum taban malzemesi scakln 400C olarak tespit etmilerdir [9].
9

Aranovich 0,1 mol ZnCl

2
+H
2
O
2
ve 0,1 mol inko asetat sulu zeltisi
kullanlarak ZnO ince filmler retmitir. Bu ilem srasnda solsyonun ve havann
aksn srasyla 1,83,5 cm
3
dk ve 8,610,61cm
3
dk arasnda deitirmitir. Taban
malzemesi scaklnn ve hava aksnn kristal doasn ve filmlerin klor ieriini
nemli lde etkilediini gzlemlemitir [9].

ekil 3.3. ZnO filmler iindeki klor konsantrasyonu ile scaklk ve hava aknn ilikisi
(F
A
nn birimi dh
-1
dir.) [9]
ekil 3.3den ZnO filmlerin klor bileiminin deien hava aks iin scakln
bir fonksiyonu olduu grlmektedir. Bu ekilden taban malzemesi scaklndaki ve
hava debisindeki artla filmdeki klor ieriinin azalaca grlmektedir [9].
X-nlar difraksiyonu almalar 300Cnin altndaki scaklklarda (101) ve
(100) ynlenmelerinin etkin olduunu gstermitir. Bunun yan sra 300C de (002)
ynlenmesi dominant ynlenme olarak hzla artmaya balamakta, dier piklerin
iddetleri ise hzla dmektedir. Bu deiim ekil 3.4de aka grlmektedir [9].

10

ekil 3.4. Sprey piroliz yntemiyle biriktirilmi ZnO filmlerde (100), ; (101), ; (002),
+ ; piklerinin bal iddetleri ile scakln deiimi [10]
Film morfolojisi taban malzemesi scakl ve film kalnlyla yakn iliki
ierisindedir. Genellikle homojen, kristalin yapya sahip filmler 400450C aralndaki
scaklklarda elde edilebilmektedirler. Dk scaklklarda ise kristal boyutlar ve
ekilleri niform deildir. Stokiyometrik olmayan ZnO filmler iyi elektriksel ve optik
zelliklere sahip olmalarna ramen, kalnlklarndan bamsz olarak yksek
scaklklarda kararsz bir yapya sahiptirler. 400 nn altnda kalnla sahip filmler oda
scaklnda dahi kararszdrlar. Baz durumlarda film alanlarnn %25ni kaplayan bu
daha ince filmler saydam alanlarn gelitirilmesi iin uygundurlar. Saydmz bu
birtakm sebeplerden dolay katklama yaplmam bu ZnO filmler pratik uygulamalar
iin elverili deildirler [9].
ZnO ince filmlere katklama yaplmas sadece retilen filmlerin elektriksel ve
optik zelliklerini gelitirmekle kalmaz ayn zamanda son derece kararl hale
gelmelerini de salar. Al ilavesi yaplm ince filmler ilk etapta son derece yksek
dirence sahiptirler. Fakat bu filmlerin 400Cde hidrojen atmosferde tavlanmasyla
optik zelliklerinde bir deiim meydana getirmeden direnci nemli bir oranda
azaltlabilir. Optimum koullar altnda retilmi bu katklanm filmler (Al veya n)
yaklak 10
-3
.cm dirence ve %85 geirgenlie sahiptirler [9].


11

3.3. Sratma (Sputtering)

Sratma prosesi zetle, bir hedef malzemenin yzey atomlarnn iyonize olmu
gaz atomlar (genellikle asal gaz) tarafndan kaldrlarak, sratlmas ve sratlan
atomlarn istenilen taban malzemesi yzeyine tanmas ve yzeyde birikmesi esasna
dayanmaktadr [9].
Sratma tekniinde kullanlan mekanizmasnn gzlenmesi ok eskilere
dayanmaktadr. 1852 ylnda Grove ve birka yl sonra Plucker bir dearj tpnn
almas srasnda elektrotlar oluturan malzemenin, yavaa tpn duvarlarnda
birikmeye baladn tespit etmilerdir. Gnmzde artk bu elektrotlarn, tpn
almas esnasnda srekli olarak iyonlar tarafndan bombardman edilmekte olduu ve
birikme ileminin bu sebepten meydana geldii bilinmektedir [10].
Sratma tekniinde kullanlan hedefler uygulamaya gre, su soutmal katot-
tayclar zerine yaptrlm veya vidalanm olabilirler ve plazmann younluunu
arttrmak amacyla da yksek manyetik alana sahip olmalar salanabilmektedir.
Bunlara ek olarak harici bir elektron vericisi dk basnlarda plazma oluumuna
destek olmaktadr. Ayr bir iyon kayna, biriktirme ileminden nce taban
malzemesinin temizlenmesini salarken biriktirme ilemi srasnda da bombardman
gerekletirebilmektedir. Taban malzemeler de uygulamaya ynelik olarak, soutulmu,
stlm, polarize edilmi veya mobil olabilmektedirler [10].
Bu teknik pek ok kii tarafndan akustik dalga dntrcleri iin yksek
dirence sahip ZnO filmlerim retiminde kullanlmtr. Fakat sratma (sputtering)
teknii ayn zamanda saydam iletken uygulamalar iin gerekli dk direnli ZnO film
stokiyometrisinin ya da ZnOe Al, n ya da Sn ilavesiyle retimi iinde kullanlmaktadr
[9].
Stokiyometrik olmayan ZnO filmler oksijen-argon bulunan atmosferde yer alan
bir metalik inko hedef ya da hidrojen-argon atmosferindeki bir oksit hedef kullanlarak
hazrlanabilir. Genel olarak bu yntemle retilen filmlerin byme hznn ve yapsal
zelliklerinin gaz faz karm, plazma koullar, kaplama scaklklar ve kaplama
geometrisi gibi eitli ilem koullarnda gl bir ekilde etkilenir. Genelde taban
malzemesinin scaklnn artmasyla kristalleme artmaktadr. Ayrca hedef ve taban
12

malzemesi arasndaki mesafe inko atomlarnn serbest yolundan daha az ise daha iyi
zelliklere sahip filmler elde edilebilir. inko hedef kullanlarak sratma tekniiyle
ZnO filmler retmek iin tipik sratma teknii unlardr: Srama gc, 100W; toplam
basn, 10
-5
Torr; oksijen konsantrasyonu, hacimce %029,4; taban malzemesi scakl
300Kden 600Ke kadar [9].
ekil 3.5 ve ekil 3.6 iki farkl scaklktaki taban malzemesi iin farkl oksijen
konsantrasyonlarnda inko hedef kullanlarak ve sratma tekniiyle hazrlanm ZnO
filmlere ait XRD paternlerini gstermektedir. Bu ekillerden oda scaklnda retilen
filmlerin faznn ve kompozisyonunun oksijen ierine bal olduu grlmektedir.
Oksijen olmadnda filmler doadaki metal gibidirler. Oysa oksijen konsantrasyonu
%1 olduunda filmler Zn ve ZnO piklerinin her ikinse de sahiptir. Fakat tek fazl ZnO
filmler sadece oksijen konsantrasyonu %2 olduu zaman oda scaklnda
hazrlanabilirler. Tipik olarak 573 Kde %1 oksijen kristalin ZnO filmler retmek iin
yeterlidir. Daha fazla oksijen ilavesi kristallemede ve tane boyutunda nemli bir art
salar [9].

ekil 3.5. (a) %0, (b) %1 ve (c) %2 oksijen konsantrasyonlarnda, oda scaklnda
bytlm ZnO filmlere ait XRD paternleri [9]
13

ekil 3.6. (a) %1 ve (b) %2 oksijen konsantrasyonlarnda, 573 K scaklnda
bytlm ZnO filmlere ait XRD paternleri [9]

ekil 3.7. Sratma tekniiyle biriktirilen ZnO filmlerde byme hznn oksijen
konsantrasyonuna gre deiimi [9]
14

ekil 3.7den farkl kaplama scaklklarnda oksijen konsantrasyonu ile byme

hznn deiimi grlmektedir. Byme hz ilk bata oksijen konsantrasyonundaki
artla artar, daha sonrasnda ise oksijen konsantrasyonundan bamsz olarak bir
platoya ular. Daha yksek oksijen konsantrasyonlarnda ise byme hz sert bir
biimde der. Bu olgu reaktif sratma tekniinin nemli bir zelliidir. Byme hz
metalik hedefteki (bu durumda inko) sratma hz, taban malzemesine ulaan metal
atomlarnn oran tarafndan kontrol edilir. Byme hzndaki plato taban malzemesi
stndeki bir oksijen okluundan dolay taban malzemesine ulaan btn metal
atomlarnn oksitlenmesinden kaynaklanabilir. Byme hzndaki azalma metal
hedefteki oksidasyon hznn sratma hzndan ok daha byk olmasndan
kaynaklanr. Bu inko oksit hedef kullanlarak elde edilen deerlerle inko hedef
kullanlarak elde edilen deerlerin karlatrlmasyla daha ok desteklenir. ekil
3.8den dk oksijen konsantrasyon blgesinde taban malzemesinin scaklnn
artmasyla byme hznn dt de anlalr. Bu da olduka yksek olan ve artan
scaklkla hzlca artan inkonun buhar basnc sonucunda inko atomlarnn
oksitlenmeden taban malzemesinden buharlamasnn sonucudur [9].

ekil 3.8. Biriktirme hznn taban malzeme scaklna gre deiimi [10]
Taban malzeme scaklnn artmasyla byme hzndaki d benzer bir
ekilde eitli aratrmaclar tarafndan da gzlenmitir. Bu sonular ekil 3.8da
verilmektedir. Tipik olarak, biriktirme hznn, taban malzeme scaklnn 50C ile
15

300C arasndaki deiimleri iin, 38 dkdan 30 dkya deitiini sylemek

mmkndr [10].
Argon-oksijen atmosferde ZnO+Zn hedeften ya da hidrojen-oksijen karm
kullanarak ZnO hedefte geirgen iletken ZnO filmlerin retiminde sratma metodu
yaygn olarak kullanlmaktadr.[5] Barnes ve arkadalar scak preslenmi ZnO
tozlarndan elde ettikleri hedef malzeme ile ZnO filmler biriktirmilerdir.
Gerekletirilen almada scakl 500Cde tutulmutur. Filmlerin byme hzlar
oksijen konsantrasyonuna ve uygulanan RF gcne baldr. ekil 3.9 uygulanan RF
gcne gre film byme hzlarn gstermektedir [10].


ekil 3.9. Katklama yaplmam ZnO filmlerde biriktirme hznn uygulanan RF
gcne bal deiimi [9]
DC sratma ya da magnetron sratma tekniklerinden her ikisini de kullanarak
dk scaklklarda dk direnli ZnO filmlerin retimi mmkndr. Taban
malzemesine uygulanan bias voltajn byklnn deitirilmesinden dolay ZnO
filmlerin direnci drlebilir [10].
16

Caporaletti taban malzemesi potansiyeli yaklak olarak 200Vda ve %5

hidrojen-argon ieren plazmada ZnO hedef kullanlarak yaklak olarak 10
-2
.cm
dirente ve yaklak %80 geirgenlikte filmler retmitir [9].
Katklama yaplmam ZnO filmler yksek scaklklarda kararsz olduklar iin
pratik uygulamalar iin kullanll deildirler. ZnO filmlere katk yaplmas onlar
saydam iletken ince film uygulamalar iin uygun bir alternatif yapmaktadr. Katk
yapmak amacyla inko oksit tozu iine n, Al, Ga, Sn v.b. gibi farkl metallerin
oksitleri ilave edilir ve bu toz karmndan hedef hazrlanr. yi kalitede bir film elde
etmek iin ilave madde konsantrasyonu arlka %210 arasnda deiir. Yksek
oranda geirgen (>%80) ve dk direnli (~1u
-4
.cm) filmler bu teknik kullanarak
hazrlanabilir [9].
3.4.Atmal Lazer Depolama (PLD)
Atmal-lazer depolama (PLD) metodunda yksek gl lazer atmalar
malzemenin stokiyometrisinin etkileimde korunduu bir hedef yzeyden malzemeyi
buharlatrmak iin kullanlr. Sonu olarak, paracklarn spersonik jeti (plume) hedef
yzeye normal olarak ynlendirilir. Jet farkl paracklarn hz dalmna gl bir
ekilde ileri ynlenmesiyle hedeften atlr. karlan rnekler hedefe zt yerleen alt
tabana younlar. Tipik bir PLD sisteminin ematik diyagram ekil 3.10da
gsterilmitir [5].

ekil 3.10. Atmal lazer depolama sisteminin ematik gsterimi [5]

17

Atmal lazer depolama tekniinin avantajlar [5]:

Dk alt taban scaklnda yksek nitelikli film bymesine izin verir.
Yksek enerji kaynakl paracklar yaratr.
Deney dzenei basittir.
10
-5
-10
-1
Torr aralndaki basnlarda yksek ambient gaz basnlarnda
allr.

3.5.Molekler In Epitaksiyel Yntemi (Molecular-Beam Epitaxy-MBE)
Epitaksiyel bytme yntemlerinden MBE dier yntemlere gre daha
baskndr. nk istenilen aygt yaplar en iyi ekilde elde edilebilmektedir ve bir
atomik tabaka (monolayer) gei deiimi olduka keskindir. MBE ile elektronik
aygtlarnn retimi, kk olmalar nedeniyle ve ara yzey kontroln baarl bir
ekilde salayabilmelerinden dolay zellikle tercih edilmektedir. Bu yntem, sper
rgler iin istenilen dzgnlkte, kafes uyumunda, katk younluklarnda ve kalnlkta
retim salar ki bunlarn optik ve elektriksel zellikleri mkemmeldir. Dezavantajlar
ise snrl sayda uygulamas vardr, pahal deney sistemine sahiptir ve retim ilemi
olduka karmaktr [5].
MBE ileminde kristal, katman atomlarn veya molekllerin termal demetinden
elde edilir. Depolama olduka dk basn (1u
-8
Pa) altnda oluur. Alt taban scakl
ise 400- 900 C arasnda deiir. Depolama oran dktr. Ve plazma yardml CVD,
MBEnin birok zelliini tamaktadr ve retim hz da olduka yksektir [5].
3.6.Teknik Karlatrma
Tablo 3.1 bize farkl tekniklerle hazrlanm ZnO filmlerin zdiren, geirgenlik
ve byme parametreleri gibi deerleri verir. lave yaplmam ZnO filmler retim
ynteminden bamsz olarak her zaman kararszdr [4]. Bu tablodan sratma teknii ile
hazrlanan Al ile katklanm ZnO filmlerin en iyi zelliklere sahip olduu ve
katklannm SnO
2
ve ITO filmlere bir alternatif olabilecei grlmektedir.


18

Tablo 3. 1. Farkl teknikler kullanlarak retilmi ZnO filmlerin zellikleri [9]
Yntem
Taban scakl
()
Oluma hz
(/dk)
zdiren
(.cm)
Geirgenlik
(%)
Aklamalar
ZnO
Pskrme
yntemi
400 1u
-2
70 N
2
de tavlama
Reaksiyonla
Buharlatrma
150-200 1,S 1u
-3
89
Sratma 200-250 ~1u
-2
>80 0
2
=%1-2
Sratma 125 2 1u
-3
90 Hidrojende sratma
Bias sratma Oda scakl 7 1u
-3
80 Plazma %5E
2
Ar
ZnO: In
Pskrtme 375 ~1u
-3
85
Sratma Oda scakl 90-120 S,72 1u
-3
>80 Ar %S0
2
; E
2
de tavlama
Magnetron
sratma
72-120 4,4 1u
-2
>80
0
2
=%5; Ar=%95,
Hidrojende tavlama
ZnO: Al
CVD 367-444 S 1u
-4
85
Pskrtme 500 2 1u
-2
>80
Pskrtme 300-500 1u
-3
85 E
2
de tavlama
Sratma 1u
-4
85
Sratma 200 7-274
1,4 - S
1u
-4

90 Ar
Sratma Oda scakl 90-120 9,12 1u
-3
90 Ar %S0
2
E
2
de tavlama
Magnetron
sratma
>250 2,7 1u
-4
85
D manyetik alan
kullanarak plazma
kontroll
Magnetron
sratma
<100 72 S 1u
-4
~85 0
2
Ar
ZnO: Ga
Sratma 1u
-3
85 Ar; arlka %5 ua
2
0
3



19

Tablo 3. 2. Deiik yntemlerin karlatrlmas (ZnO iin) [7]
Yntem
Taban
scakl
Oluma
hz
Uniformluk Tekrarlanabilirlii Maliyeti
Elektrik
iletkenlii
Geirgenlik
CVD Yksek Yksek Yksek Yksek Orta
Orta-
mkemmel
Orta-
mkemmel
Pskrtme
Yntemi
Yksek Yksek Orta st Orta Dk
Orta-
mkemmel
Orta-
mkemmel
Sratma
teknii
Dk Dk Mkemmel Mkemmel Yksek Mkemmel Mkemmel














20

4. NKO OKST NCE FLMLER ZERNE YAPILAN

ALIMALAR

Bu blmde gemiten gnmze kadar yaplm olan baz almalar ve bu
almalar sonucu elde edilen verileri ele alacaz.
Ar-0
2
gaz karmnn kontroll kullanmyla, geleneksel diyot ve magnetron
olmak zere iki ayr sistemle ZnO ince filmler DC reaktif sratma yntemiyle elde
edilmitir. Alt tabann yerletirilme konumuna gre iki tr depolama ekli (paralel ve
dikey konum olmak zere) kullanlarak incelemeler yaplmtr. Geleneksel diyot
sisteminde alt taban paralel konumdayken; film yapsnn gaz karmndaki oksijen
miktarna bal olduu grlmtr. En baskn (002) yansmas ile (011) ve (010)
yansmalar gzlenmi, oksijen miktarnn artmasyla rastgele ynelimli filmler elde
edilmitir. Dikey konumdayken, alt taban iddetli boalma blgesinin dna
yerletirildiinde, oksijen miktarnn herhangi bir deeri iin krnm rneinde sadece
(002) yansmalar sergileyen yksek ynelimli filmler elde edilmitir. Magnetron
sktrme sisteminde; dk basnlarda (0,4 Pa), enerjik oksijen bombardmannn yol
at, yksek baskc gerilime sahip filmler elde edilirken, yksek basnlara
kldnda (4-7 Pa) bu yan etkiler ortadan kaldrlmtr. Ayrca depolama sonras
tavlamayla da gerilim ortadan kalkm ve daha yksek kaliteli filmler elde edilmitir
[11].
ZnO ince filmleri RF sratma yntemiyle cam, alminyum (Al), altn (Au) ve R
kesim (R-cut) safir alt tabanlar zerine depolanmtr. Zn0 ve alt taban ara yzeyi
arasndaki mikro yaplar geirimli elektron mikroskobu (TEM, Transmission Electron
Microscope) ile incelenmitir. Zn0cam ara yzeyinde amorf bir tabaka ve Zn0Al ara
yzeyinde ise daha kaln bir amorf tabaka gzlenmitir. Zn0Au ve Zn0safir ara
yzeyleri arasnda ise herhangi bir amorf tabaka gzlenmemi, her iki ara yzeyde de
direk Zn0 ince film yneliminin balad gzlenmitir. Bu sonular aka Zn0 ince
filmlerin alt tabann yzey morfolojisinden ve yzey kristalliinden olduka
etkilendiini kantlamaktadr [12].
21

RF sratma yntemiyle Zn0 ince filmler Al, Au, Ni, Cu ve cam alt tabanlar
zerine bytlmtr. Zn0 ince filmlerin kristallii x-n krnm (XRD, X-ray
diffraction) ve yansmal yksek enerjili elektron krnm yntemi (RHEED, Reflection
High Energy Electron Diffraction) sonularndan incelenmitir. Zn0 ve alt taban ara
yzeyleri aras geirimli elektron mikroskobu (TEM, Transmission Electron
Microscope) ile gzlenmitir. Alt taban trne bal olarak cam, Au ve Al zerine
depolanan filmler iyi c eksen ynelimi gsterirken, Ni ve Cu zerine depolanan
filmlerin ynelimlerinin dzensiz olduu gzlenmitir. Alt taban yzey morfolojisi ve
Zn0 kristallii arasndaki iliki gz nne alndnda, eer alt taban yzeyi sert ise
Zn0 ince filmlerin yneliminin dzensiz olduu grlmtr. Au alt taban zerine
bytlen Zn0nun en iyi kristal zellii gsterdii bulunmutur [13].
Zn0 filmler cam alt tabanlar zerine DC reaktif magnetron sratma tekniiyle
metalik inko hedeften bir argon ve oksijen atmosferinde hazrlanmtr. Deien
basnlarn yapsal, elektriksel ve optiksel zellikler zerine etkisi aratrlmtr. X-n
krnm (XRD, X-Ray Diffraction) almalar filmlerin alt taban yzeyine dik (002)
ynelimli polikristal yap sergilediini gstermitir. Tanecik boyutunun ise artan
basnla 2S nm den SS nm ye artt gzlenmitir. Elektriksel diren S x 1u
-2
mbai
ile 6 x 1u
-2
mbai arasnda artan basnla S2 x 1u
-2
W. cm den 6,9 x 1u
-2
W. cm ye
derken 1u x 1u
-2
mbai basnta 1 W. cm ye kmtr. Yine Sx1u
-2
mbai
ile 6 x 1u
-2
mbai aras basnlarda, optik geirgenlik % 8uden % 8Se km daha
sonra artan basnta 1u x 1u
-2
mbai da optik geirgenlik % 7S deerine dmtr.
Optik bant aral ise artan basnla S,24 ev dan S,S2 ev deerine art gstermitir.
Artan basnla bant aralnn genilemesinin tayc younluunun artyla alakal
olduu dnlmtr. Ayrca byle bir genileme stokiyometrik olmayan filmlerin
gstergesi olarak dnlmtr. Sonu olarak elde edilen en iyi filmlerin
6 x 1u
-2
mbai basnta 2,6 x 1u
-2
W. cm gibi dk bir diren, % 8S lk bir optik
geirgenlik ve S,28 ev luk bir bant aralna sahip olduklar bulunmutur [14].
ZnO filmler farkl bytme koullarnda GaAs tabanlar zerinde atmal lazer
depolama (PLD) teknii ile sentezlenmitir. Ortam gaz olarak yksek saflktaki,
%99,999 oksijen kullanlmtr. ZnO filmlerin bytlmesi iin ortamdaki oksijen gaz
basnc 20den 50 mTorra ve scaklkta 300den 450ye deitirilmitir. Elde edilen
22

ZnO filmler 3,37 ve 3,35 eV aralnda ok gl bal eksiton pikleri gstermitir.

Bal eksiton pikin yar maksimumdaki t
m
genilii 5 meVtan azdr. Bu sonular GaAs
tabanlar zerinde retilen ZnO filmlerin optik devreler iin LED olarak
kullanlabileceini gstermektedir. Ayrca GaAs tabanlar zerinde yaplandrlm ZnO
filmlerin dier belirgin zellikleri de aklanmtr [15].
(uuu1) ve (112u) ynelimli safir alt tabanlar zerine, Radyo Frekans
magnetron sratma yntemiyle depolanan Zn0 filmlerin yapsal zellikleri zerine, alt
taban scakl, Ar gaz basnc ve uygulanan RF gc gibi depolama artlarnn etkisi
aratrlmtr. X-n krnm (XRD, X-ray diffraction) ve yansmal yksek enerjili
elektron krnm yntemi (RHEED, Reflection High Energy Electron Diffraction)
lmlerinden (112u) ynelimli safir alt taban zerine depolanan filmlerin depolama
koullarndan bamsz olarak mozaik yapl (0001) ynelimli hetero epitaksiyel filmler
olduu, fakat mozaik yapnn c eksen tabakasnn alt taban scakl ve/veya film
kalnlyla gelitii gzlenmitir. Yine bu lmler sonucunda (uuu1) ynelimli safir
zerine depolanan filmlerin ounun (uuu1) ynelimi ieren fiber kristali yapsnda
olduu ve a eksen tabakasnn depolama koullarna bal olarak deitii gzlenmitir
[16].
Polikristal katksz ZnO ince filmlerin ozon duyarll, deien parametrelerle,
sprey piroliz, DC ve RF sratma teknikleri kullanlarak retilmitir. Ozon duyarll
lmleri; tersine evrilebilir bir srete, ncelikle elde edilen filmlerin foto azalm iin,
sabit bir iletkenlik deeri elde edilene dek vakumda UV (ultraviyole) na
tutulmasyla ve ardndan oksidasyon ilemine geilerek yaplmtr. Foto azalm ve
oksidasyonun filmlerin elektriksel iletkenliine etkisi allm ve ozon duyarll
hesaplanmtr. Filmlerin x-n krnm (XRD, X-ray diffraction) ve atomik kuvvet
mikroskobu (AFM, Atomic Force Microscope) analizleri tm filmlerin mikro kristal
yapya sahip olduunu gstermitir. Film yapsnn, bytme teknii ve kullanlan
parametrelerle olduka ilgili olduu gzlenmi, en iyi sonulara yksek toplam basnta
depolanan RF sratlan filmlerle ulalmtr. Elde edilen en iyi filmlerin ozon
duyarll 1,2 x 10
8
olarak bulunmutur [17].
Tabaka kalnl 50 ile 500 arasnda deien bir dizi ZnO film c ynelimli safir
tabanlar zerine RF sratma teknii kullanlarak biriktirilmitir. Arayzey morfolojisini
23

aratrmak iin Taramal Elektron Mikroskobu (SEM) kullanlmtr. ZnO filmlerin

kristallii ift kristalli x-n difraktometresi (DCXRD) kullanlarak incelenmitir.
Ayrca elde edilen ZnO filmlerin optik zellikleri de dk scaklk (LT)
fotolminesans (PL) kullanlarak aklanmtr. Biriktirilen bu tampon tabaka
kalnlnn retilen filmlerin yzey morfolojisi, yapsal ve optik zellikleri zerine
etkili olduu bulunmutur. ZnO filmler 100 kalnlnda biriktirildii takdirde bu
dzgn yzeyli tampon tabaka ok iyi yapsal ve optiksel zellikler gstermektedir [18].
Elektron demeti ile buharlatrma yntemi kullanlarak safir alt taban zerine
biriktirilmi olan c ynelimli ZnO ince filmler tavlanmtr. Tavlama ileminin
sonucunda filmlerin elektrik ve optik zelliklerinin nasl deitii incelenmitir.
Katklanmam ve hava ortamnda tavlanm ZnOnun grnr blgede renksiz ve
effaf olduu, ayrca yine bu blgede keskin ultraviyole (mor tesi) sourma iddetine
sahip olduu grlmtr. Tavlanan filmlerin yasak enerji bant aralnn tavlama
scaklna bal olarak 3,27 ile 3,30 eV aralnda deitii gzlenmitir. Elde edilen
sonularn geirgenlik spektroskopisinin verileriyle uyumlu olduu grlmtr [19].
ZnO ince filmler SiO
2
alt taban zerine RF magnetron sratma yntemiyle
depolanm ve tavlama scaklnn yap kalitesine etkisi aratrlmtr. X-n krnm
(XRD) sonularndan baskn (002) piki yan sra (100) ve (110) pikleri de gzlenmi ve
artan tavlama scaklyla (002) krnm pikinin ve c eksen yneliminin art gsterdii
gzlenmitir. Yar maksimumdaki geniliinin artan tavlama scaklyla azald, buna
bal olarak da tanecik boyutunun artt gzlenmitir. Ayrca yaplan taramal elektron
mikroskobu (SEM) analizleri de bu x-n krnm (XRD) sonularn dorulamtr
[20].
300 800 nm aras kalnlklarda depolanan ZnO filmlerin 373 - 673 K arasnda
deien tavlama scaklklarnda optik ve yapsal zellikleri allmtr. Alnan x-n
krnm (XRD, X-ray diffraction) sonularndan sadece 2q = 34,4 a deerinde (002)
piki gzlenmitir. Depolama sonras artan tavlama scaklklaryla da (002) pikinin
keskinletii grlmtr. Bu da kristal boyutunun artmasyla balantldr. Elde edilen
tm filmler 400 1100 nm dalga boyu aralnda ortalama %90 geirgenlikle, yaklak
380 nm de sourma snrna sahip olarak gzlenmitir. Filmlerin krlma indisi ve
sourma katsays artan tavlama scaklyla artarken, artan film kalnlyla azalmtr.
24

Optik bant aral E

g
ise artan tavlama scaklyla artarken, artan film kalnlyla
azalmtr [21].
Oda scaklnda FCVA ile depolanan ZnO ince filmlerin uygulanabilirliini
kantlamak amalanm ve oksijen basncnn, yapsal, optiksel ve elektriksel zellikler
zerine etkisi sistematik bir ekilde aratrlmtr. Sonular yksek geirgenlikli
(> % 9u), dk direnli ( 4,1 x 10
-3
. cm ), 5 x 10
-4
- 1 x 10
-3
Torr basn
aralnda yksek c eksen ynelimli filmler elde edildiini gstermitir. Yksek tayc
konsantrasyonu olarak Zn safszlklar gsterilmitir. Yksek iyon enerjisi ve dk alt
taban scaklklarnda Zn safszlklarnn oluma olasl artmtr. Yksek enerji
iyonlar, film yzeyi zerinde byme eitlerinin gelimesine ve ZnO filmlerin
depolanmasna nclk etmitir. Oksijen basncnn artmasyla eitlerin enerjileri
olduka dm, dolaysyla dk scaklkta yksek kaliteli filmler sadece yakn bir
oksijen basn aralnda ( 3,5 x 10
-4
- 1 x 10
-3
Torr) FCVA sisteminde
retilebilmitir. [22].
Polikristal ZnO ince filmler oda scaklnda cam alt tabanlar zerine filtreli
vakum ark depolama yntemi (FVAD) ile depolanmtr. Elektriksel, optiksel ve yapsal
zellikler, oksijen basncnn 0,26 0,73 Pa aralnda deien deerlerinin ve ark
akmnn 100 300 A aras deien deerlerinin bir fonksiyonu olarak
aratrlmtr. 100 400 nm aralnda film kalnlklarnn ark akmna izgisel baml
olduu grlmtr. OZn = 0,75 konsantrasyon oranyla, oksijen taban basncna
sadece zayf bir ekilde bal, stokiyometrik olmayan filmler elde edilmitir. Tanecik
boyutu oksijen taban basncyla klmtr. Film kalnl oksijen taban basncyla
yaklak izgisel bir ekilde derken, geirgenlik T, grnr blge ve yakn kzltesi
(NIR, Near-IR) blgede oksijen taban basncyla artmtr. X-n krnm (XRD, X-ray
diffraction) analizleri filmlerin polikristal yapda olduunu gstermitir. lm
parametrelerinin greli standart sapmas, ayn akm ve basn deerleriyle depolanan
yedi rnein incelenmesi sonucu %4den az olduu bulunmutur [23].
Yksek kalitede katklanmam ve ua
2
0
3
ile katklanm ZnO filmler reaktif
elektron demeti buharlatrma metoduyla hazrlanmtrlar. Yaplan katklarn yapdaki,
elektriksel ve optiksel zellikler zerine etkisi aratrlmtr. XRD sonular ua
2
0
3
ile
katklanm ZnO filmlerin c dorultusunda bydn ve bu sonulara istinaden (002)
25

pikinin iddetinin kakt konsantrasyonundaki deiimlere bal olduunu gstermitir.

%28 orannda ua
2
0
3
ile katklanm ZnO filmler en iyi kristal yapy gstermitir. AFM
sonular retilen film ieriindeki ua
2
0
3
konsantrasyonu arttka film yzeyinin daha
przsz bir hal aldn gstermitir. Optik yasak enerji aral katk ieriinin
artmasyla artar. ua
2
0
3
konsantrasyonunun arttrlmasyla ZnO film ierisindeki
oksijenin kemisorpsiyonu (kimyasal olarak absorbsiyon) dolaysyla tayc
konsantrasyonda azalma olur bu da artan ua
2
0
3
konsantrasyonlarnda elektriksel
zdirencin artmasna sebep olmaktadr [24].
Atmal DC magnetron sratma teknii kullanlarak cam tabanlar zerine Al
katkl ZnO (AZO) saydam iletken ince filmler biriktirilmitir ve atm frekansnn filmin
yapsal, elektriksel ve optiksel zellikleri zerine etkisi aratrlmtr. Taban
malzemesine doru 35 kHz bir atm frekans uygulandnda byk oranda c eksen
ynelimine sahip AZO filmler retilebilir. Optimum bytme koullar altnda, retilen
AZO filmler en dk diren olarak 7,4u 1u
-4
.cmlik bir zdiren ve R
m
= S,2S
nm gibi yumuak bir yzey przll gstermitir. Filmlerin optik geirgenlik
spektrumundan retilen filmlerin grnr blgede %85-90 gibi ok yksek bir
geirgenlie ve yaklak 350 nmlik bir sourum kenarna sahip olduklar grlmtr
[25].
ZnO ince film oda scaklnda atmal filtreli katodik vakum ark yntemiyle cam
alt taban zerine depolanmtr. X-n krnm yardmyla filmlerin kristalografik
yaplar ve kristal bykl allmtr. lmler btn kristallerin wurtzite
formunda olduunu ve ynelimlerinin (002) ynnde olduunu gstermitir. Tanecik
byklnn 18,9 -42 nm olduu tahmin edilmektedir. Tavlamann etkisiyle kristal
byklklerinin artt ve X-n desenlerinin de keskinlik kazand gzlenmitir.
ZnOnun optik zellikleri UV-grnr spektrometre kullanlarak allmtr.
Tavlamann etkisiyle filmlerin krlma indisi azalrken sourma katsays ve optiksel
bant aralnn artt grlmtr. Atmal filtreli katodik vakum ark yntemi ile cam alt
taban zerine depolanan ZnO ince filmler iin en iyi tavlama scaklnn 600 C olduu
grlmtr. Bu scaklk cam alt tabann zelliklerinden dolay, cam alt tabanlar iin
llebilen en yksek scaklktr [26].
26

inko oksit (ZnO) filmleri pskrtme yntemi kullanlarak farkl taban

scaklklarnda retilmitir. retilen bu filmlerin yapsal ve elektriksel zelliklerine
taban scaklnn etkisi incelenmitir. Filmlerin x-nlar krnm desenlerinden
polikristal ve hekzagonal yapda olduklar grlmtr. Buradan tanecik boyutu ve
yaplanma katsays (TC) hesaplanmtr. ZnO filmlerinin iletkenlikleri karanlkta ve
oda scaklnda alnan akm-voltaj lmlerinden belirlenmitir. Btn filmlerin ohmik
iletim mekanizmasna sahip olduu gzlenmitir [27].
Saf ve Al ile katklanm ZnO ince filmler saf Zn ve seramik ZnO hedef
kullanlarak DC magnetron sratma teknii ile retilmitir. Sratma atmosferi
ierisindeki farkl oksijen ksmi basnlar iin hedef bileimin filmin yzey topolojisi,
kristallii ve optik geirgenlii zerine etkileri aratrlmtr. Yaplan XRD
incelemeleri sonucunda metalik ya da seramik hedeften sratma teknii ile retilen Al
ile katklanm ZnO filmlerin katklanmam filmlerden farkl yzey morfolojisi
gsterdii ve tercihen (002) dorultusunda byd grlmtr. Daha da nemlisi,
Al ile katklanm filmler retilirken metalik hedef kullanlmas seramik hedef
kullanlmasna kyasla optik geirgenlikte ve yasak enerji bant aralnda daha yksek
bir arta sebep olur [28].










27

5. RETLEN NKO OKST NCE FLMLERN ELEKTRKSEL

ZELLKLER

inko oksit II-VI n-tipi bir yar iletken olup, yasak enerji bant aral 3,2-3,3
eVtur. Katklanmam ZnOde n-tipi yariletkenlik grlmesi stokiyometrideki
sapmalardan kaynaklanmaktadr. Arayer oksijen ve inko eksiklikleri olas akseptr
dzeyleri yaratabilmesine karn, serbest yk tayclar oksijen boluklar ve arayer
inko ile balantl olarak donr seviyelerinden kaynaklanr. Kaplama tekniinden
bamsz olarak, btn katklanmam ZnO filmler uzun sreli kullanmlarda
kararszdrlar. ZnO filmlerin elektrilsel zellikleri gl bir ekilde kaplama metoduna,
sl ileme ve oksijen kemisorpsiyonuna baldr [9].
5.1.Taban Malzemesinin Scaklnn Etkileri
ekil 5.1(a) ve ekil 5.1(b) ekilleri oda scaklndaki dietil inkonun (DEZ)
oksidasyonu ile kaplanm ZnO filmlerin scakln bir fonksiyonu olarak oda
scaklndaki iletkenliinin, tayc konsantrasyonunun ve Hall mobilitesinin tipik
varyasyonlarn gstermektedir. Taban malzemesinin scakl 280Cden 350Cye
kadar deitiinde iletkenliin 10
-2
den 50
-1
cm
-1
e deitii grlmektedir.
350Cden daha dk scaklklarda taban malzemesi kullanldnda elektriksel
zelliklerdeki iyileme tayc konsantarsyonundaki arttan kaynaklanmaktadr.
350Cden daha yksek scaklkta taban malzemesi kullanldnda elektriksel zellikte
meydana gelen azalma muhtemelen daha iyi stokiyometri sebebiyle altlk yzeyindeki
organik rnlerin oksidasyona daha fazla uramas yznden tayc
konsantrasyonunda meydana gelen azalmadan kaynaklanmaktadr [9].
ekil 5.1(b)den mobilitenin 350Cye kadar artan scaklkla artt
grlmektedir. Mobilitedeki bu art CVD teknii ile hazrlanan ZnO filmlerin daha iyi
kristallemesine ve tane snrlarnn eik potansiyelindeki azalmadan kaynaklanr [9].
28

ekil 5.1. Oksijenin farkl ksmi basnlarnda, taban scakl ile (a) iletkenliin, (b)
Hall mobilite ve tayc konsantrasyonu deiimi [7]
5.2.Sratma Parametrelerinin Etkileri
Sratma teknii ile hazrlanan ZnO saydam iletken filmlerin elektriksel
zelliklerine altlk scaklna ilaveten oksijen ksmi basncda etki eden nemli bir
parametredir. Taban malzemesi scaklna ve oksijen konsantrasyonuna bal olarak
ZnO iletken filmler grupta kategorize edilebilir. ekil 5.2 de altlk scaklna ve
oksijen ieriine bal olarak bu grup grlmektedir. Metalik inko ve inko oksit
karm olarak karakterize edilen ve birinci gruba ait olan filmler opak (saydam
olmayan) ve iletkendirler. Bu filmler %1,8den daha az oksijen konsantrasyonlaryla
473 Kden dk scaklktaki taban malzemeleri zerinde hazrlanrlar. nc grupta
yer alan ve ZnOnun stokiyometrisine yakn bir kompozisyona sahipt olan filmler,
geirgen ve iletken deildirler. Bu filmler altlk scakl 523 Kden daha yksek ya da
yksek oksijen konsantrasyonlarnda (>%1,8) ve dk scaklklarda da
hazrlanabilirler. Arayer inko atomlar ve/veya yetersiz oksijen blgeleri
(stokiyometrik olmayan durum) ZnO filmlerin elektriksel iletkenlikleri ve optik
geirgenlii zerinde ok nemli bir rol oynar. Bu tip filmler ikinci grupta yer alr ve
Zn
(1+x)
O olarak gsterilirler. Bu tip saydam iletken ince filmler %1,8den daha az
oksijen konsantrasyonlarnda 473523 K scaklk aralndaki altlk zerinde
hazrlanabilirler [9].
29

ekil 5.2. ZnO filmlerin iletkenliine ve saydamlna oksijen konsantrasyonunun ve
taban scaklnn etkisi; opak ve iletken, saydam ve iletken olmayan, saydam ve
iletken [7]
Sratma teknii ile hazrlanm ZnO filmlerinde 10
3

-1
cm
-1
lik yksek
iletkenlik filmlerin stokiyometrisi deitirilerek elde edilmitir. Fakat sratma ile
retilen filmler hidrojen ve argon eklenmi gazda sratmaya ya da inko ilave yaplm
ZnO hedef zerine sratmaya ihtiya duymaktadr [9].

ekil 5.3. Hidrojen eklenmesiyle ZnO filmlerde zdiren deiimi: T
s
=400 K,
kaplama gc=200 W; + T
s
=315 K, kaplama gc=100 W [7]
30

ekil 5.3de hidrojen ilavesiyle zdirencin deiimi grlmektedir. Bu ekilden

zdirencin artan hidrojen ilavesiyle balangta azald, belirli bir hidrojen ksmi
basncnda minimum bire deere ulat ve daha sonra hidrojen ksmi basncndaki
artla artt gzlemlenebilir. zdirente balangta meydana gelen d hidrojenin
oksijeni uzaklatrmasyla ilikilidir ve bylece kaplanan filmdeki inko/oksijen oran
arttrlr. Bu olay ya oksijen boluuna ya da arayer inkoya yol aarak donr
seviyelerinin ykselmesine yol aar. Bu aralkta tayc konsantrasyonunun artt
grlmektedir. Ayrca zdirenteki artn hidrojen eklenmesinin tesinde bu art
tayc konsantrasyonundaki azalmann da nemli bir rol vardr. Bu basnlarda elde
edilen filmler, filmlerin oluma karakteristiklerinde meydana gelen deiiklerden
kaynaklanan akseptr dzeylerinin younluundaki art nedeniyle artan dengeleme
gsterilebilir [7].
Capolaretti byk oranlarda ilave yaplarak byk bias voltajlar uygulanm
altlklar kullanarak bias-sratma tekniiyle retilen ZnO filmlerde zdirente bir
azalma ve tayc konsantrasyonda bir art rapor etmitir. rnein byk bias
voltajlaryla kaplanm filmler en dk zdiren deerlerine ve en byk tayc
konsantrasyonlarna sahip olmaktadr. Tipik olarak 200 V bias voltajnda zdiren
8 10
-3
.cm ve tayc konsantrasyonu da 8 1u
19
cm
-3
dr [9].
5.3.Yaynm Mekanizmalarnn Etkisi
ekil 5.4de dietil inkonun oksidasyonu ile hazrlanan ZnO filmlerin scaklkla
, N ve nin deiimini gstermektedir. Bu mobilite sonularnn yorumlanmas eitli
yaynm mekanizmalarnn e zamanl hareketi sebebiyle karmaktr.
31

ekil 5.4. CVD ile kaplanan ZnO filmlerin scaklkla , N ve deiimi; numune
(111)in kalnl 900 ve numune (118)in kalnl 500 [9]
Roth ve Williams tane snrlarndaki termiyonik ve termal alan emisyonlarn
dikkate alarak analiz yaptnda; polikristal yarileken filmler, yksek oranda
katklandnda ya da dk scaklkta olduunda egemen akm, tayclarn termal alan
emsiyonundan kaynaklanmakta olduunu, oysa dk oranda katklama yaplm
malzemede ya da yksek scaklkta termiyonik emisyondan kaynaklandn
gzlemlemilerdir [9].
Blom ve Ogama termiyonik emisyonun ayn zamanda daha yksek scaklk
blgesinde baskn iletkenlik mekanizmasnn tane snrlarnda gereklemesi olduunu
gzlemlemilerdir [9].
Minami eitli evre koullarnda RF magnetron sratma teknii ile hazrlanan
ZnO filmlerin elektriksel zellikleri zerine alm ve 10 ay sreyle oda scaklnda
32

havaya maruz braklan ZnO filmlerin elektriksel zelliklerinde belirgin bir deiiklik
olmadn rapor etmitir. Fakat 400Cye kadar yksek scaklklarda vakum, inert gaz
ve hava ortamlarnda tavlanan ZnO filmlerin zdirencinde deiik gzlemlemitir. Bu
etki en ok 400Cde vakumda ve soy gaz ortamda tavlanan filmlerde grlmtr ve
zdirente bir ile derecede art tespit edilmitir [9].


ekil 5.5. Sratma tekniiyle hazrlanan ve vakumda tavlanan ZnO filmlerin direncinin
tavlam scaklyla deiimi [9].
ekil 5.5de sratma tekniiyle hazrlanm ve yaklak 400Cye kadar vakum
altnda tavlanm ZnO filmlerin scaklkla deiimi grlmektedir. Grafikten rejim
blgesindeyken grece bir dk dirence sahip olan A numunesinin direncinde sl
ilemle en fazla art meydana gelir. Vakumda ve inert gazda sl ilemden sonra
zdirenteki art tayc konsantrasyonundaki azalmaya baldr. Tayc
konsantrasyonundaki bu azalma oksijenin tanecik snrlarnda kemisorpsiyonu
yzndedir. nk film yzeyindeki oksijenin kemisorpsiyonu vakumda ve inert
gazlarda nemsizdir [9].
33

Major sprey pirolizle hazrlanm ve 30 dk sreyle 625 Kde vakum altnda

tavlanm katklanmam ZnO filmin direncinin 0,15den 6 10
-2
.cme kadar kayda
deer bir d gsterdiini gzlemlemitir [9].
Roth ve Williams ayn zamanda oksijen desorpsiyonu sebebiyle uzun sreli UV
nna maruz kalan ZnO filmlerin iletkenliinde bir art rapor etmilerdir [9].
Minami hava ortamnda yaplan sl ilemin vakum altnda ve inert gaz
ortamnda yaplan sl ilemden daha fazla oranda zdirente arta sebep olduunu
gzlemlemitir. Filmlerin direncinde meydana gelen art 400Cde hava ortamnda
tavlamadan sonra ile on mertebe derecesinde arttn tespit etmitir [9].
Caillaud ayn zamanda oksijende olduu kadar iyi bir ekilde havada tavlamann
sonucu olarak benzer bir ekilde zdirente art gzlemlemitir. Hava ortamnda sl
ilem srasnda filmler srekli olarak havaya maruz kald iin yzeydeki oksijenin
kemisorpsiyona uramas zdirenteki bu arta sebep olur. Havada ve vakum altnda
tavlamann aksine, 400Cde hidrojen atmosferde tavlamayla zdirente yalnzca bir kat
art salanmtr. Hidrojen altnda sl ilemle zdirente gzlenen art dier
ortamlarda gzlenenden daha azdr. Bu fark hidrojen empritelerinin difzyonunun bir
sonucu olarak s donrlein oluumuna ve oksijen eksikleri sebebiyle arayer inko
atomlarndan ve oksijen boluklarndan kaynaklanan hatalarn sonucuna balanabilir.
Fakat pek ok aratrmac sratma tekniiyle retilmi ve sonrasnda sl ileme tabi
tutulmu ZnO filmlerin direncinde bir d gzlemlemitir [9].
5.4.Katklamann Elektriksel zelliklere Etkisi
ZnO filmlere ilaveler yaplmas sadece onlarn elektriksel zelliklerini
gelitirmekle kalmaz ayn zamanda onlarn kararllklarn da gelitirir. rnein; %3 n
ilavesi yaplm ZnO filmler vakum altnda 650 Ke kadar, oksijen ortamnda ise 450
Ke kadar termal kararllk gstermektedir. Al ilave edilmi filmler katklanmam
filmlere karlatrldnda yksek tayc konsantrasyonu ve dk mobiliteye
sahiptirler. Al ilave edilmi ZnO filmlerdeki yksek tayc konsantrasyonu Zn
+2
iyon
blgelerine yerleen Al
+3
iyonlarndan ve ZnO kafesinde yer alan Aldan
kaynaklanmaktadr [9].
34

35

ekil 5.6. ZnO filmlerdeki Al ierii ile (a) iletkenlik, (b) tayc konsantrasyonu, (c)
mobilite deiimi [9]
ekil 5.6 (a), (b) ve (c)de CVD ile retilmi Al ilaveli filmlerde iletkenlik,
tayc konsantrasyonu ve mobilitenin Al ierii ile deiimini gstermektedir. ekil
5.6 (a)dan iletkenliin %0,45 Al konsantrasyonunda hzlca artt daha sonrasnda ise
neredeyse hzlca artt daha sonrasnda ise neredeyse kararl olduu grlmektedir.
letkenlikteki bu art ok az saydaki alminyumun filmde ok sayda serbest elektron
salamasndan kaynaklanmaktadr. Bu ayn zamanda ekil 5.6 (b)de de grlmektedir.
Al ierii %0,45in zerine karld zaman fazladan Al atomlarna bal olarak
iletken olmayan alminyum oksit faz oluur. letimi gerekletiren elektronlar
salayan alminyum atomlar ile oluan alminyum oksit atomlar arsnda bir dengeye
ulalr. Daha yksek alminyum konsantrasyonlarnda filmde byk miktarda iletken
olmayan alminyum oksidin oluumu sonucunda iletkenliin azalmas beklenebilir.
ekil 5.6 (c)den Al ieriinin artmasyla mobilitenin azalaca grlebilir. Al atomlar
sadece iletkenlii salamaz ayn zamanda yaylm merkezlerini de iyonize eder, ayn
zamanda arayer pozisyonlarn igal edebilir ve kristal yapy da deforme edebilir.
36

yonize olmu empriteler tarafndan yaplan yaylm ve kristaldeki hatalar da

mobilitede dk bir deere sebep olurlar. Ayn sonular RF sratma teknii
kullanlarak ve galyum oksit (Ga
2
O
3
) ilavesi yaplm ZnO filmlerde de gzlenmitir.
Galyum oksit ieriiyle mobilite, iletkenlik ve tayc konsantrasyon arasnda iliki
ekil 5.7de grlmektedir [9].


ekil 5.7. Ca
2
D
3
ierii ile ZnO filmlerin zdiren, tayc konsantrasyonu ve Hall
mobilitesinin deiimi [9]
Galyum oksit ieriinin %5e kadar artmasyla nce zdiren ani bir ekilde
der ve daha sonrasnda galyum oksit ieriinin artmasyla art gsterir. Tayc
konsantrasyonu %5 galyum oksit ieriine kadar hzlca artar ve daha yksek galyum
oksit ieriklerinde kararldr. Galyum oksit ieriinin %5e kadar artmasyla sadece
donrler salanrken, %5 zeri galyum oksit ieriinde tane snrlarnda galyum
segregasyonu gerekleir. ekil 5.7den mobilitenin katklanmam ZnO filmlerde
~30 cm
2
V. s iken arlka %15 galyum oksit ile katklanm filmlerde ~1 cm
2
V. s
37

deerine dt grlmektedir. Mobilitedeki bu azalma esasen iyonize empritelerin

yaynmndan ve tane snrlarndaki galyumun sebep olduu ekstra yaynmlardan
kaynaklanmaktadr [9].
Katklama ZnO filmlerin yapsal zelliklerinde kayda deer deiimler neden
olmaktadr. Fakat en byk deiimler %12 ilave madde konsantrasyonlarna kadar
direncin dyle elektriksel zelliklerde salanr. En dk diren deeri %1 n
ilavesiyle salanmtr ve bu da sprey piroliz ile retilmi ZnO ince filmler iin en
uygun ilavenin n olduu anlamna gelir. Elde edilen sonulardan dk diren ve
absorbsiyon ibirlii ile bu ZnO ince filmlerin pek ok optoelektronik uygulamada
kullanlabilecei grlmektedir [29].
Bor (B) ilave edilmi ZnO flmlerin oda scaklndaki dire, tayc
konsantrasyonu ve Hall mobilitesi ilave madde miktarnn bir fonksiyonu gibidir ve
ekil 5.8 (a), (b) ve (c)de grlmektedir. Film ierisindeki B bileiminin artmas ile
elektron younluu kademeli olarak artar ve %2 B bileiminde en fazla 1,3 10
20
cm
-3

olur. Daha yksek B bileimi miktarlarnda azalr.B konsantrasyonundaki artlarla
tayc konsantrasyonundaki arttan ziyade doal sonular gzlenir. zellikle bu
durum Al ile katklanm filmlerde gzlenir. B ierii arttka mobilite artar ve %1 B
bileiminde maksimuma ular ve daha sonrasnda aniden d gsterir. Mobilitedeki
bu d iyonize emprite dalmnn varlyla aklanamamaktadr. Aslndan
mobilitenin dalm mekanizmas tayc konsantrasyonun gsterdii etkinin tersini
gstermektedir. Bu yzden bu durum daha yksek konsantrasyonlarda ayrlm atomlar
sebebiyle oluan kmelemeden kaynakland nitel olarak aklanabilir. B ile
katklanm ZnO filmlerde minimum diren deeri %0,8 B bileiminde 9,5 10
-3
.cm
olarak elde edilmitir [30].

38

39

ekil 5.8. B
2
H

aksnn bir fonksiyonu olarak B ile katklanm ZnO filmlerin

elektriksel zellikleri; (a) diren, (b) tayc konsantrasyonu, (c) mobilite [31]
Tablo 5. 1. eitli koullarda hazrlanm ZnO, AZO ve BZO ince filmlerin elektriksel
zellikleri [30]

Kaplama parametreleri Elektriksel zellikler
Doping Byme Tayc Tayc Tabaka
Konsantrasyonu Vakum Tavlama Diren Konsantrasyonu Mobilitesi Direnci
Eklenen
malzeme
(%) Scakl(C ) Scakl(C) ( 103_ cm) ( 10 19cm3) (cm2/Vs) (104 )
Yok, (saf ZnO) 0 450 Tavlanmam 2100 0.47 0.63 6.69
Yok,(saf ZnO) 0 450 450 149 0.80 5.18 0.74
Bor 0.8 450 Tavlanmam 2219 1.52 0.19 9.13
Bor 0.8 450 400 15.4 6.98 5.82 0.06
Bor 0.8 450 450 9.5 7.26 9.00 0.05
Bor 1.0 650 Tavlanmam 1632 0.41 0.93 7.25
Bor 1.0 650 450 14.6 2.82 15.18 0.07
Alminyum 0.8 450 Tavlanmam 1432 0.18 2.08 5.26
Alminyum 0.8 450 400 3.8 13.50 12.19 0.01
Alminyum 0.8 450 450 3.3 14.95 12.69 0.02

40

Makul scaklklarda tavlamayla elektron konsantrasyonu ve elektron

mobilitesinde de kayda deer artlar elde edilmitir. Bu da vakum altnda sol-gel
metodu ile ince filmlerin retiminin nemini iaret etmektedir. Tablo 5.1de eitli
koullarda hazrlanm ZnO, AZO (Al ile katklanm ZnO) ve BZO (B ile katklanm
ZnO) ince filmlerin elektriksel zellikleri grlmektedir [30].

ekil 5.9. Vakum altnda tavlanm B katkl ZnO filmler iin Hall mobilitesi, tayc
konsantrasyonu ve direncin B bileimi ile deiimi [30]
B yap ierisindeki Zn atomlar veya formlar ile yer deitirerek film
ierisindeki serbest elektron younluunu arttran n-tipi yeralan bir atomdur. MOCVD
(Metal Organik CVD) ile ZnO film retimi yapldnda; B
2
H
6
debisinin arttrlmas ile
diren 17 sccmde minimum deer olan 2,8 10
-3
.cme derken, B
2
H
6
debisinin
arttrlmasyla artmaktadr. Hall mobilitesi (
H
) ise B
2
H
6
debisi arttka kademeli olarak
artar ve 17scmmde maksimum deer olan 17,8 cm
2
V. s ye ular, sonrasnda ise
azalmaya baalar. Elektron konsantrasyonu (n
e
) 021 sccm arasnda artmakta ve daha
yksek B
2
H
6
debisinde azalmaktadr. B
2
H
6
debisinin 0dan 17 sccmye arttrlmas
daha byk tanelere sebep olabilmekte ve bu da SEM fotoraflarndan
anlalabilmektedir. Yaplan incelemelerin sonular B
+3
n ZnO filmlere dahil
edilebileceini ve bylece de ZnO filmlerin direnlerinin drlebileceini
gstermektedir [31].
41

5.4.1. Taban Scakl ve Film Kalnlnn Etkisi
ZnO saydam iletken ince filmlerde elektriksel zellikler taban scaklna ve
film kalnlna ballk gstermektedir. ekil 5.10da DC magnetron sratma
tekniiyle hazrlanm Al ilaveli ZnO filmlerin zdiren, tayc konsantrasyonu ve
Hall mobilitesinin taban malzemesi scaklyla ilikisi grlmektedir [9].

ekil 5.10. Al-ZnO filmlerin taban scakl ile mobilite (), tayc younluu ve
zdiren () deiimi [7]
En dk zdiren olan 3,5 10
-4
.cm deerinin 250300C arasnda taban
scaklndan bamsz olduu ekil 5.10dan grlmektedir. Taban scakl 250Cye
kadar arttrldnda zdiren deerinde meydana gelen kademeli azal esas olarak
mobilitedeki artla ilikilidir. Taban scaklnda 250Cye kadar artla beraber
mobilitede gzlenen bu art filmdeki kristalliin artmasna baldr [9].
42

Aktaruzzaman spreyle kaplanm Al ilaveli ZnO filmlerde 300500C arasndaki

taban scaklyla elektriksel zdiren arasnda zayf bir iliki olduunu gzlemlemitir
[9].
ekil 5.11 RF sratma tekniiyle hazrlanm Ga
2
O
3
ilaveli ZnO filmlerin
zdirencinin film kalnlyla deiimini gstermektedir. Film kalnl 2500dan daha
az olduu zaman film kalnl arttka zdirencin azald grlmektedir. Fakat film
kalnl 2500un zerine ktnda zdiren neredeyse film kalnlndan
bamszdr. Ayn olay srasyla Minami ve Major tarafndan alminyum ve indiyum ile
katklanm ZnO filmlerde de gzlenmitir [9].

ekil 5.11. RF sratma tekniiyle hazrlanm Ca
2
D
3
katkl ZnO filmin zdirencinin
kalnlkla deiimi; 0,42 W m
2
, 0,84 W m
2
[7]
5.4.2. Termal Kararllk
Daha nce de deindiimiz gibi katklanmam ZnO filmler termal
kararszlklar sebebiyle pratik uygulamalar iin uygun deildirler. Fakat katklanm
ZnO filmler elektriksel ve optiksel zellikleri bakmndan kararldrlar.
43

ekil 5.12 oksijende ve vakum altnda tavlanm katksz ve (%3 n) katkl ZnO
filmlerin zdirencinin deiimini gstermektedir. oksijen ve vakum altnda tavlama
ilemlerinin katklama yaplmam ZnO filmlerin zdirencinde dikkate deer bir
deiime neden olduu ekilden aka anlalmaktadr. Dier taraftan, %3 n ile
katklanm filmler her iki ortamda da (oksijen ve vakum ortam) 650 Ke kadar termal
kararllk gstermektedir [9].

ekil 5.12. Scaklkla zdirencin deiimi: Vakumda (), oksijen ortamnda ( )
tavlanan; katksz () ve%3 n katkl () ZnO filmler iin [7].
44

Genel olarak ZnO ince filmlerin elektriksel zellikleri film oluturma

tekniklerine ve parametrelerine baldr. Tablo 5.2de optimum koullar altnda
oluturulmu ZnO saydam iletken oksit filmlerin elektriksel zellikleri grlmektedir.
Tablo 5. 2. ZnOnun elektriksel zellikleri [7]
Malzeme Yntem
Yzey
zdirenci, R
s

(.cm)
Elektriksel
iletkenlik,
(
-1
cm
-1
)
Tayc
konsantrasyonu,
N (cm
-3
)
Hall mobilitesi,

H
(cm
2
v. s )
ZnO
Sratma
teknii
85 S 1u
2
S 1u
19
8
ZnO CVD 1u 1u
21
14
ZnO
Reaksiyonla
buharlatrma
1u
3
1u
20
1u
ZnO
Reaksiyonla
buharlatrma
2,9 1u
2
4 -12 1u
19
1u -4u
In-ZnO Pskrtme 1u
3
2,2 1u
20
24
In-ZnO
Sratma
teknii
S 1u
2
1u
20
12,6
In-ZnO
Sratma
teknii
50 7 1u
19
1,9
Al-ZnO
Sratma
teknii
4 1u
3
8 1u
20
2u
Al-ZnO
Sratma
teknii
4 10
3
10
21
Su -4u
Al-ZnO
Sratma
teknii
7 10
3
10
21
2S
Al-ZnO
Sratma
teknii
10
2
4,68 10
20
1,47
Al-ZnO CVD 4000 3 10
3
8 10
20
SS
Ga-ZnO
Sratma
teknii
10
3
10
21
1u


45

6. RETLEN NKO OKST NCE FLMLERN OPTK

ZELLKLER

inko oksit filmler grnr blgede saydam olular [7] ve keskin bir sourum
kenarna sahip omlar sebebiyle [10] saydam iletken malzeme olarak ok byk ilgi
grmektedir. ekil 6.1de farkl taban scaklklarnda elde edilmi ZnO filmlerin
absorpsiyon erileri grlmektedir [10].

ekil 6. 1. 500C, 550C ve 600Cde hazrlanan ZnO filmlerin optik absorpsiyonu [10]
retilen ZnO ince filmlerin optik zellikleri de yaplan katklardan
etkilenmektedir. Bu etki ekil 6.2de grlmektedir. Absorbsiyonda %12 katk
konsantrasyonuna kadar bir art ve katk konsantrasyonu daha fazla arttka ise belli
belirsiz bir d gzlenmektedir. Bu davran ise serbest tayc konsantrasyonundaki
artla ve tayc konsantrasyonda meydana gelen bu art ayn zamanda bant aralnda
meydana gelen artla ilikilendirilmektedir [29].
46

ekil 6. 2. Katklanm ZnO ince filmler iin (a) absorbsiyon katsaysn (=550 nm
iin) ve (b) bant aralnn katk konsantrasyonu ile deiimi [29]
47

B katks yaplm ve yaplmam ZnO filmler karlatrldnda dalga boyutu

1000 nmnin altnda iken optik geirgenlik bakmndan nemli bir fark yokken, B
2
H
6

debisi arttrld zaman 1000 nm zerindeki dalga boylarnda geirgenliin azald
gzlenmitir [10]. Vakumda tavlamadan sonra katksz ve %1,4 B ilaveli ZnO filmlerin
bant aralklarnn srasyla 3,26 eVtan 3,28 eVa ve 3,24 eVtan hafife artt da
gzlemlenmitir [30].
Katklanmam ve katklanm ZnO fillerin optik zellikleri incelenirken tayc
konsantrasyonun ZnO filmlerin optik bant aralndaki etkisi ele alnmtr. ndiyumla
katklanm ve ardndan muhtelif ortamlarda tavlamayla tayc konsantrasyonu
deitirilmitir. Tayc younluu arttka bant snrnn daha dk dalga boylarna
kayd gzlemlenmitir. Tayc konsantrasyonuna bal olarak bant aralndaki bu
deiim ekil 6.3de gsterilmitir [7].

ekil 6. 3. Tayc younluuna (N

2 3
) kar bant aralnn (E
upt
) deiimi [8]
48

Farkl teknikler (organo-metalik CVD (OCVD), reaktif RF magnetron sratma

(RRFMS), bias sama (BS) ve reaktif buharlatrma (RE))kullanlarak oluturulan ZnO
filmler iin 300 Kdeki teorik E
g
deerleri ekil 6.4de gsterilmitir [7].

ekil 6. 4. Tayc konsantrasyonunun fonksiyonu olarak yasak enerji aralndaki

daralma, deiik elde etme yntemleri [9]
6.1.Geirgenlik ve Yansma
Hem ksmi oksijen basnc hem de taban scakl bu filmlerin hem elektriksel
zelliklerini hem de optik zelliklerini kontrol etmede ok nemli bir rol oynamaktadr.
Oksijen konsantrasyonlarnn %2den byk deerleri iin filmler yksek derecede
saydam olmakla beraber iletken deildir. Dier taraftan %2den kk oksijen
konsantrasyonlar iin filmler iletken olmakla beraber ~ 473 Ke kadarki taban
scaklklarnda opaktr; bunun ardndan filmler 523 Ke kadarki taban scaklklarnda
saydam olmann yan sra iletkendir. 523 Kden daha yksek taban scaklklar iin
filmler, oksijen konsantrasyonundan bamsz olarak saydam ve yaltkandr. Optimum
koullar altnda oluturulan filmlerin k geirgenlii %90dr [7].
49

ekil 6.5de katklanmam ve n ile katklanm ZnO filmler iin k

geirgenlii ve yansmann spektral bamll gsterilmektedir. Tm filmler grnr
aralkta yksek k geirgenliine sahiptir ve deeri %80den byktr. Bununla
beraber k geirgenlii temel absorpsiyon snrna bal olarak kzltesi blgede ok
hzl dt ve absorpsiyon snrnda da hafife daha ksa dalga boylarna doru
kayd da gzlemlenmitir. Ayrca ekil 6.11den de grld gibi k yansmas
byk oranda indiyum konsantrasyonuna baldr; indiyum konsantrasyonu ne kadar
yksekse k yansmasnn deeri de o kadar byk olur. %1 ve %3 n katklanm ZnO
filmleri iin srsyla yansma deerleri yaklak olarak %30 ve %60dr [7].

ekil 6. 5. Geirgenliin ve yansmann spektral bamll, katksz (), ve %1 (---),

%3 () n katkl ZnO filmler iin [9]
ekil 6.6de katksz ve %3 Al katkl ZnO filmler iin dalga boyunda meydana
gelen deiimlere kar geirgenliin deitii grlmektedir. Katksz ve %3 Al katkl
ZnO filmleri iin geirgenlik (T), 800 nm dalga boylarndaki fotonlar iin balam ve ~
400 nm dalga boylarndan itibaren giderek azalmtr. Bu durum fotonlarn enerjilerinin
50

elde edilen yariletken filmlerin yasak enerji aralna eit veya byk olduu
durumlarda malzemenin absorplama yaptn, kk olduu durumlarda ise
absorplama yapmadn gsterir [32].

ekil 6. 6. Katksz ve %3 Al katkl ZnO filmler iin dalga boyu-geirgenlik grafii[32]

ekil 6. 7. Katksz ve %3 Al katkl ZnO filmler iin dalga boyu-yansma grafii [32]
51

ekil 6.7de katksz ve %3 Al katkl ZnO filmler iin fotonun dalga boyunda
meydana gelen deiimler karlk yansma katsaysnn (R) deiimi grlmektedir.
Yansma olay, yaklak olarak 180 nm dalga boylarndan balayarak daha ksa dalga
boylarna gidildike artmtr. Bunun sebebi fotonlarn enerjilerinin artndan dolay
fotonlarn elektronlar, atomlar veya kristal moleklleriyle daha fazla etkilemeleri ve
geri yansdklar dnlmektedir. Katksz numunenin yansms, %3 Al katkl ZnO
filmin yansmasndan daha byktr. Buna gre katk miktar arttka yansma azalr
denilebilir [32].

ekil 6. 8. Elde edilen katksz ve %1 Sn katkl ZnO filmler iin dalga boyu-
geirgenlik grafii [33]
ekil 6.8de elde edilen katksz ve %1 Sn katkl ZnO yariletken ince
filmlerinin oda scaklndaki geirgenlik spektrumu verilmitir. Katksz ve %1 Sn
katkl ZnO filmleri iin dalga boyu 800 nmden balayp 300 nmye kadar azalmtr.
Bu da fotonlarn enerjilerinin yariletken malzemenin enerji bant aralna denk veya
daha fazla olduu durumlarda malzemenin daha fazla absorplama yaptn
gstermektedir. Geirgenliin ksa dalga boylarnda ani bir d gstermesinin
sebebinin bu olduu dnlmektedir. ekil 6.14den de grld gibi Sn katks ile
ZnO yariletken ince filmin optik geirgenlii byk deerlerde balayp ok hzl bir
d gstermitir. Ksa dalga boylarna gidildike katksz ZnO filme gre katkl
52

filmin geirgenlii daha dk kmtr. Bu de Sn ilave ettike filmin

kalnlndaki artn sebep olduu dnlmektedir. Geirgenlik spektrumlarndan
filmlerin ortalama geirgenlikleri katksz ZnO fil iin %75, Sn katkl film iin ise %89
olarak bulunmutur [32].
ekil 6.9da elde edilen katksz ve %1 Sn katkl ZnO yariletken ince filmlerin
% yansmalarnn (R) fotonun dalga boyuna kar deiimi grlmektedir. Yansma ksa
dalga boylarna kaydka artmtr. Bunun sebebinin fotonlarn enerjisinin artmasndan
dolay fotonlarn elektronlar, atomlar veya kristal moleklleriyle daha fazla etkiletikleri
ve geri yansdklar dnlmektedir. %1 orannda Sn katkl ZnO filmde, katksz ZnO
filme gre daha fazla yansmann olduu gzlenitir [33].

ekil 6. 9. Elde edilen katksz ve %1 Sn katkl ZnO filmler iin dalga boyu-yansma
grafii [33]
Tablo 6.1de eitli tekniklerle hazrlanm, katklanm ve katklanmam
ZnOnun baz optik zellikleri grlmektedir.



53

Tablo 6. 1. inko oksidin optik zellikleri [7]

Malzeme Yntem
% Geirgenlik
(T) (grnr
blgede)
% Yansma
(R) (IR
blgesinde)
Bant aral
E
g
(eV)
Krlma indisi
(n)
ZnO
Pskrtme
Yntemi
70 --- 3,1 ---
ZnO CVD >90 --- 3,23 ---
ZnO
Reaksiyonla
buharlatrma
88 --- 3,3 ---
n- ZnO
Sratma
Teknii
>80 --- 3,29 1,85
Al- ZnO
Sratma
Teknii
90 --- 3,52 ---
Al- ZnO CVD 85 90 --- ---
Ga- ZnO
Sratma
Teknii
>85 --- 3,59 ---








54

7. RETLEN ZnO SAYDAM LETKEN NCE FLMLERN

KARAKTERZASYONU


ekil 7.1. Farkl B
2
H

aklarnda biriktirilmi ZnO:B filmlerin SEM fotoraflar; (a) 0

sccm, (b) 12 sccm, (c) 17 sccm, (d) 21 sccm, (e) 25 sccm [31]
ekil 7.1de B ile katklanm ZnO filmlerin farkl diboran aklarndaki SEM
fotoraflar grlmektedir. B ilave edilmemi ZnO filmler hcresel morfoloji
55

gsterirken, B ilave edildike yapnn dzensiz bir biim ald gzlemlenmitir. Ayrca
B
2
H
6
aks arttrldka tane boyutunun artt ve ZnO filmlerin morfolojisin de
olaanst bir ekilde deitii gzlemlenmitir. 17 sccm B
2
H
6
aksnda tane
bykl ve morfolojisi yaklak 300 nm olan piramit iken, 25 sccmde kresel gibidir
[31].


ekil 7.2. Farkl B
2
H

aklarnda ZnO:B filmlerin XRD spektrumlar [31]

ekil 7.2 farkl diboran aklarnda hazrlanan B ile katklanm ZnO filmlerin
XRD spektrumlar grlmektedir. Katklanmam ZnO filmler (101) dorultusunda
ynelim gsterirler. B ilavesi ZnO filmlerin kristal dorultularnda ve yapsnn
modifiye edilmesinden nemli bir rol oynamaktadr. Deneyimler biboran debisinin
56

arttrlmas ile ZnO filmlerin bymesinin yzeyde uzanmadan yzeye dik dorultuda
deitiini gstermitir. Mikroyapnn deitirilmesi ZnO kristal yapsnn (002)
dzlemin en dk seviyede enerjiye sahip olmas gibi arayzey enerjisinde de deiime
sebep olabilir. B ilavesi ZnO filmlerin mikroyapsn kararszdan kararl hale
gemektedir [31].
ekil 7.3 Kalnl 390 nm, basnc 6,9 10
-4
Torr ve cam alt taban zerine
depolanan ZnO yariletken ince farkl tavlam scaklklar iin X-n krnm desenlerini
gstermektedir. PFCVAD (Atmal Filtreli Katodik Vakum Ark Depolama) yntemiyle
retilen ZnO yariletken ince film 1 saat sreyle 200, 300, 400, 500 ve 600
lik scaklklarda havada tavlanmtr. Tavlanmam ve tavlanm ZnO yariletken ince
filmlerin c-ekseni (002) ynne sahip olduu XRD lmlerinden bulunmutur ve
filmin kristallii tavlamayla gelimitir. Alt taban amorf olmasna ramen, tavlama
scakl 600 C iken tanecik bykl 42 nm olarak bulunmutur [5].

ekil 7.3. Kalnl 390 nm, basnc , 9 1
-4
Torr ve cam alt taban zerine kaplanan
ZnO yariletken ince farkl tavlam scaklklar iin X-n krnm desenleri [5]
57

ekil 7. 4. Cam alt tabanlar zerine depolanan ayn kalnlk (350 nm) farkl basntaki
ZnO filmlerin X-n krnm desenleri [5]
ekil 7.4 kalnl 350 nm olan ve farkl basnlarda cam alt taban zerine
depolanan ZnO yariletken ince filminin X-n krnm desenlerini gstermektedir.
Cam alt tabanlar zerine depolanan ayn kalnlk (350 nm) farkl basnlardaki filmlerin
X-n krnm desenlerinin incelenmesiyle elde edilen deerler Tablo 7.2de
grlmektedir. Tablodan da grld gibi ayn kalnlkta retilen filmlerin hepsinin
sadece (002) krnm piki sergiledii dolaysyla alt taban yzeyine dik c eksen
yneliminde, hekzagonal kristal yapya sahip ZnO filmler elde edildii anlalmtr
(ekil 7.4). Ayrca basn arttka (002) krnm piki iddetlerinde art gzlenirken, pik
yerleri (2) daha byk deerlere kaym olsa da birbirine yakn deerler aldklar ve
yar maksimum pik geniliklerinin de (FWHM) azald grlmtr. Bu veriler
kullanlarak hesaplanan tanecik byklnn ise basn arttka artt bulunmutur.
58

Dzlemler aras uzaklk d ve rg parametresi c basn arttka azalmtr. Filmlerin

deformasyonlarnn basn arttka azald, gerilmelerinin ise artt hesaplanmtr [5].
Tablo 7. 1. Cam alt tabanlar zerine depolanan ayn kalnlk (350 nm) farkl basntaki
ZnO filmlerin X-n krnm desenlerinin deerlendirilmesi [5]
Oksijen Basnc (Torr) S,8 1u
-4
S 1u
-4
6,9 1u
-4

A (2) 34,40 34,44 34,52
iddet (I) 1310 1633 2863,33
Yar Maksimum Pik Genilii
(FWHM)
0,492 0,369 0,369
Ynelim (002) (002) (002)
Tanecik bykl, D (nm) 16,9 22,5 22,6
Dzlemler aras uzaklk, d (nm) 0,2604 0,2601 0,2595
Kafes parametresi c (nm) 0,5207 0,5201 0,5192
Deformasyon () 0,00038 -0,00045 -0,00288
Gerilme ( 1u
6
Pa) -88,54 177,08 671,05

59

8. TARTIMA VE SONU
Bu almada inko oksit saydam iletken ince filmlerin retim yntemleri
zerinde durulmu ve bu yntemlerle elde edilen filmlerin yapsal, elektriksel ve optik
zellikleri incelenmitir. inko oksit saydam iletken ince filmler kimyasal buhar
biriktirme (CVD), sprey piroliz, sratma metodu vb. metotlarla retilebilmektedir.
retilen filmlerin zelliklerinin retim metotlar ile yakndan ilikili olduu
gzlemlenmi ve her metodun kendine has parametreleri olduundan, metot deitike
filmlerin karakteristik zelliklerinin de deiiklik gsterdii grlmtr.
retim metotlarndan sprey piroliz metodu dk maliyetli ve byk alan
kaplamalar iin uygun olmasna karn retilen filmlerin niform olmay bu metodun
dezavantajdr. CVD ve sratma teknikleriyle retilen filmlerin tekrar retilebilirlikleri
yksektir. PLD ile film retilirken dk taban scakllarna ihtiya duyulurken, CVD
tekniiyle daha hzl bir ekilde film bytlebilir. Ayrca sratma metodu ile filmlerin
kalnlklar ve malzeme oranlar daha hassas bir ekilde kontrol edilebilir. Ancak
sratma teknii ile inko oksit film retimi dier tekniklere kyasla daha maliyetlidir.
Bu da bu teknik iin daha karmak bir dzenee ihtiya duyulmasndan kaynaklanr.
Tm saydam iletken oksit filmleri gibi inko oksitte n-tipi yariletken malzeme
zellii gsterir. Taban scakl inko oksit filmlerin zelliklerini nemli lde
etkilemektedir. Her yntem iin taban malzemesi scakl deimekle beraber, sprey
piroliz iin taban scakl 350-550 aralnda iken CVD tekniinde 730-740dir.
Genelde yksek scakla sahip altlklar zerinde retilen filmlerin iyi elektriksel
zellikler gsterdii tespit edilmitir. Taban malzemesi scaklnn yan sra film
kalnl da ZnO saydam iletken ince filmlerin elektriksel zelliklerini etkilemektedir.
Filmlerde meydana gelen kalnlk art ile kristalleme artmakta, dolaysyla tanecik
boyutu da artmaktadr. Tanecik boyutun artmas da salmalardan (tanecik snrnda
meydana gelebilecek etkileimler; elektron-elektron vb.) gelecek etkileri azaltmakta, bu
da iletkenlii arttrmaktadr.
Katklamann da ilave madde konsantrasyonuna bal olarak retilen ZnO filmlerin
elektriksel zelliklerini nemli lde gelitirdii grlmtr. Uygun ilave madde
konsantrasyonlarnda minimum diren ve optimum tayc konsantrasyonu elde
60

edilmitir. B ile katklanm ZnO filmlerde minimum diren deeri %0,8 B bileiminde
9,5 10
-3
.cm iken, Al ile katklanm filmlerde en dk diren 3,5 10
-4
.cm
olarak tespit edilmitir. Gene en yksek tayc konsantrasyonu ve Hall mobilitesi
deerleri Al ile katklanm filmlerde gzlemitir. Yaplan aratrmalar %1-2 ilave
madde konsantrasyonlarnda minimum diren ve maksimum tayc konsantrasyonu ve
mobilitenin elde edilmesini saladn gstermitir. Daha fazla ilave madde
konsantrasyonlarnda ise yapda oluan iletken olmayan bileiklerden (Al
2
O
3
gibi)
dolay iletkenlik azalmaktadr. inko oksit filmlerin katklanmasnda kullanlan temel
maddeler genelde Al, n ve Gadur. Bu katklar ile optimum koullarda katklanm olan
ZnO filmler kendisi gibi saydam iletken olan ITO filmlere alternatif oluturmaktadr.
Filmlerin optik zellikleri (geirgenlik ve yansma) retim parametrelerine ve
katklama konsantrasyonuna baldr. Bant aral byk oranda tayc
konsantrasyonuna ballk gstermektedir. Absorpsiyon snr tayc konsantrasyonun
artyla yksek enerji ynne artmaktadr. Bant aralnda meydana gelen bu daralma
filmlerin tayc younluunun 10
20
cm
-3
n zerinde olduunda elektron-elektron ve
elektron-safszlk salmas nemli bir rol oynamaktadr. CVD teknii ile hazrlanm
filmlerde grnr blgede geirgenlik >%90 olarak tespit edilmiken sprey piroliz ile
retilen filmlerde %70 olarak bulunmutur.
Katklamann optik zelliklere etkisi ele alnacak olursa Sn ile katklanm
filmlerde ortalama %89 geirgenlik grlrken, bu deer Al ile katklanm filmlerde
%85-90, Ga ile katklanm filmlerde ise >%85 ve n ile katklanm filmlerde >%80
olduu gzlenmitir.
Katklanmam ZnO filmler (101) dorultusunda ynelim gsterirler. Katklama
ile filmlerin kristal dorultular ve yaps modifiye edilebilir. rnein ilk bata baskn
ynelim (101) iken katklama ve tavlama ilemleri sonras (002) dorultusu baskn
ynelim halini almaktadr. Ayrca katklama ilemi ile daha kararl bir yapya sahip
filmler retilebilmektedir. Tavlanmam ve tavlanm ZnO yariletken ince filmlerin c-
ekseni (002) ynne sahip olduu XRD lmlerinden bulunmutur ve filmin kristallii
tavlamayla gelitii gzlenmitir. Sabit film kalnl iin sistem basnc arttka tane
byklnn artt, dzlemler aras mesafe (d) ve kafes parametresi (c)nin ise
61

azald bulunmutur. Ayrca filmlerin deformasyonlarnn basn arttka azald ve

gerilmelerin artt da tespit edilmitir.
Btn bu bilgiler sonucunda katklanmam ZnO saydam iletken ince filmlerin
pratik uygulamalar iin uygun olmad anlalmaktadr. retilen bu filmlerin uygun
ilave madde konsantrasyonlarnda katklanmas veya optimum koullarda tavlamasyla
ihtiya duyulan yapsal, elektriksel ve optik zelliklere sahip filmlerin retimi mmkn
olmaktadr. Ayrca ZnOnun doada bolca bulunan bir malzeme olmas, ucuz oluu ve
toksik bir malzeme olmamas sebebiyle gnmzde ihtiya duyulan saydam iletken ince
filmlerin retimine dier oksit filmlere kar tercih edilen ana malzeme olmaktadr.















62

KAYNAKLAR

[1] NUNES P, FERNANDES B, FORTUNATO E, VILARINHO P, MARTINS
R. , Performances presented by zinc oxide thin films deposited by spray pyrolysis, Thin
Solid Films, 337: 176-179, 1999
[2] SAMARASEKARA, P. , NISANTHA, A.G.K. , DISANAYAKE, A.S. ,
High Photo-Voltage Zinc Oxide Thin Films Deposited by DC Sputtering,Chinese Journl
of Physics, Vol. 40, No. 2 (2002)
[3] RISTOV, M. , SINADINOVSKI, G. , GROZDANOV, I. , MITRESKI, M. ,
Chemical deposition of ZnO films, Thin Solid Films, Volume 149, Issue 1 , Pages 65-
71, 1987
[4] BAIK, D.G. , CHO, S.M. , Application of sol-gel derived films for ZnO/n-Si
junction solar cells, Thin Solid Films, Volume 354, Issue 1-2, Pages 227-231, 1999
[5] ENADIM, E. , 2007, ZnO nce Filmlerin Eldesi ve Aygt retimi in
Parametrelerinin Optimizasyonu, Doktora Tezi, ukurova niversitesi
[6] MINAMI, T, YAMAMOTO, T. MIYATA, T. , Highly transparent and
conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering, Thin
Solid Films 366 (2000) 63-68
[7] AKKOYUNLU, O. , 2000, inko Oksit Yariletken Bileiin Elektriksel ve
Optik zellikleri, Yksek Lisans Tezi, Anadolu niversitesi
[8] LIMA S. A. M. , SIGOLI, F. A. , JAFELICCI JR, M. , DAVOLOS, R. ,
Luminescent properties and lattice defects correlation on zinc oxide, Internatonal
Journal of Inorganic Materials, 3 (2001), 749-754
[9] HARNAGEL, H.L. , 1995, Semiconducting Transparent Thin Films ,
Taylor&Francis, 0750303220
63

[10] ALPARSLAN, B. , 2002, ZnO nce Film Kaplamalarn DC Magnetron

Sratma Yntemiyle Cam Taban Malzemeler zerine Biriktirilmesi, Yksek Lisans
Tezi, stanbul Teknik niversitesi
[11] PETROV I. , ORLINOV V. , MISIUK A. , Highly oriented ZnO films
obtained by D. C. reactive sputtering of a zinc target, Thin Solid Films, Volume 120,
no1, pp. 55-67, 1984
[12] YOSHINO, Y. , INOUE, K. , TAKEUCHI, M. ,OHWADA, K. , Effects of
interface micro structure in crystallization of ZnO thin films prepared by radio
frequency sputtering, Vacuum, Volume 51, Issue 4, 1 December 1998, Pages 601-607
[13] YOSHINO, Y. , INOUE, K. , TAKEUCHI, M. , MAKINO, T. ,
KATAYAMA, Y. , HATA, T. , Effect of substrate surface morphology and interface
microstructure in ZnO thin films formed on various substrates, Vacuum, Volume 59,
Issues 2-3, November 2000, Pages 403-410
[14] SUBRAMANYAM, T. K. , SRINIVASULU NAIDU, B. , UTHANNA, S. ,
Physical Properties of Zinc Oxide Films Prepared by dc Reactive Magnetron Sputtering
at Different Sputtering Pressures, doi: 10.1002/1521-4079(200010)35:10<1193::AID-
CRAT1193>3.0.CO;2-6,2000
[15] RYU, Y. R. , ZHU, S. , BUDAI, J. D. , CAHNDRASEKHAR, H. R. ,
MICELI, P. F. , WHITE, H. W. , Optical and structural properties of ZnO films
deposited on GaAs by pulsed laser deposition, Journal of Applied Physics, Volume 88,
Number 1, 2000
[16] IGASAKI, Y. , NAITO, T. , MURAKAMI, K. , TOMODA, W. , The
effects of deposition conditions on the structural properties of ZnO sputtered films on
sapphire substrates, Applied Surface Science, Volumes 169-170, 15 January 2001,
Pages 512-516
[17] BENDER, M. , GAGOUDAKIS, E. , DOULOUFAKIS, E. ,
NATSAKOU, E. , KATSARAKIS, N. , CIMALLA, V. , KIRIAKIDIS, G. ,
FORTUNATO, E. , NUNES, P. , MARQUES, A. , MARTINS, R. , Production and
64

characterization of zinc oxide thin films for room temperature ozone sensing, Thin Solid
Films, 418 (2002) 4550
[18] BANG, K. H. , HWANG, D. K. , MYOUNG, J. M. , Effects of ZnO buffer
layer Thickness on properties of ZnO thin films deposited by radio-frequency
magnetron sputtering, Applied Surface Science 207 (2003) 359364
[19] AGHAMALYAN, N. R. , GAMBARYAN I. A. , GOULAINAN, E. K. ,
HOVSEPYAN, R. K. , KOSTANYAN, R. B. , PETROSYAN, S. I. , VARDANYAN,
E. S. , ZERROUK, A. F. , Influence of thermal annealing on optical and electrical
properties of ZnO films prepared by electron beam evaporation, Semiconductor
Science and Technology, 18 525-529, 2003
[20] KIM, K. S. , KIM, H. W. , KIM, N. H. , Structural characterization of ZnO
films grown on SiO2 by the RF magnetron sputtering, Physica B: Condensed Matter ,
Volume 334, Issues 3-4, July 2003, Pages 343-346
[21] MOUSTAGHFIR, A. , TOMASELLA, E. , BEN AMOR, S. , JACQUET,
M. , CELLIER, J. , SAUVAGE, T. , Structural and optical studies of ZnO thin films
deposited by r.f. magnetron sputtering: influence of annealing, Surface and Coatings
Technology, Volumes 174-175, September-October 2003, Pages 193-196
[22] WANG, Y. G. , LAU S. P. , LEE, H. W. , YU, S. F. , TAY, B. K. ,
ZHANG, X. H. , TSE, K. Y. , HNG, H. H. , Comprehensive study of ZnO films
prepared by filtered cathodic vacuum arc at room temperature, Journal of Applied
Physics, Volume 94, 1597 (2003)
[23] DAVID, T. , GOLDSMITH, S. , BOXMAN, R. L. , Electro-optical and
structural properties of thin ZnO films, prepared by filtered vacuum arc deposition,
Thin Solid Films, Volumes 447-448, 30 January 2004, Pages 61-67
[24] AL ASMAR, R. , JUILLAGUET S. , RAMONDA, M. , GIANI, A. ,
COMBETTE, P. , KHOURY A. , FOUCARAN, A. , Fabrication and characterization
of high quality undoped and 0o
2
0
3
-doped ZnO thin films by reactive electron beam co-
evaporation technique, Journal of Crystal Growth, 275 (2005) 512520
65

[25] KO, H. , TAI, W. T. , KIM, K. C. , KIM, S. H. , SUH, S. J. , KIM, Y. S. ,

Growth of Al-doped ZnO thin films by pulsed DC magnetron sputtering, Journal of
Crystal Growth, 277 (2005) 352358
[26] ENADIM, E. , KAVAK, H. , ESEN, R. , The effect of annealing on
structural and optical properties of ZnO thin films grown by pulsed filtered cathodic
vacuum arc deposition, Journl of Physics: Condensed Matter, 18 6391-6400,2006
[27] ALAR, M. , ILICAN, S. , ALAR, Y. , Influence of substrate
temperature on structural and electrical properties of ZnO films, Trakya Univ J Sci,
7(2): 153-159, 2006
[28] SUCHEA, M. , CHRISTOULAKIS, S. , KATSARAKIS, N. ,
KITSOPOULOS, T. , KIRIAKIDIS, G. , Comparative study of zinc oxide and
aluminum doped zinc oxide transparent thin films grown by direct current magnetron
sputtering, Thin Solid Films, 515 (2007) 65626566
[29] NUNES, P. , FORTUNATO, E. , VILARINHO, P. , MARTINS, R. ,
Effect of different dopants on the properties of ZnO thin films, International Journal of
Inorganic Materials, 3 (2001), 12111213
[30] BEL HADJ TAHAR, R. , BEL HADJ TAHAR, N. , 2005, Boron-doped
zinc oxide thin films by sol-gel technique , Journal of Materials Scince, 40 (2005),
5285-5289
[31] CHEN, X.L. , XU, B.H. , XUE, J.M. , ZHAO, Y. , WEI C.C. , SUN, J.
, WANG, Y. , ZHANG, X.D. , GENG, X.H. , 2007, Boron-doped zinc oxide thin
films for large-area solar cells grown by metal organic chemical vapor deposition, Thin
Solid Films, 515 (2007), 37533759
[32] EREN, O. , 2006, Alminyum Katkl ZnO nce Filmlerinin Baz Fiziksel
zellikleri, Yksek Lisans Tezi, Anadolu niversitesi
[33] AKSOY, S. , 2006, Kalay Katkl ZnO nce Filmlerin Baz Fiziksel
zellikleri, Yksek Lisans Tezi, Anadolu niversitesi