Affidabilità Dispositivi Elettronici:"Studio Della Data Retention Di Memorie PCM Con Test Accelerati in Temperatura"

Universit degli
Studi di Ferrara
Dipartimento di Ingegneria

Corso di Affidabilit di componenti, circuiti e sistemi elettronici

DATA:
26/06/2011
Studio della Data Retention con test accelerati in
temperatura

Nome file: Report.doc Pagina 1 di 29

Af f idabilit di component i, circuit i e sist emi elet t ronici

A. A. 2007- 2008

Universit degli studi di Ferrara

Studio della Data Retention con test accelerati in temperatura

Studenti:
Sferrazza Giovanni

Prof.
Andrea Chimenton

Universit degli
Studi di Ferrara


DATA:
26/06/2011
temperatura

Oggetto: Studio della Data Retention con test accelerati in temperatura. Lobiettivo quello di
misurare le distribuzioni di corrente di RESET.

Specifiche di misura: Si analizza tutto larray (usando lapposita ciclatura e le routine MATLAB di
post analisi) dopo vari bake in temperatura (50 C; 0-48h) (80 C, 0-24h) (100 C, 0-10h) (150 C;
0-5h). Per ogni temperatura si eseguono almeno quattro misure.

Specifiche di analisi: Si misurano le distribuzioni di corrente di RESET per ogni temperatura in un
probability paper. Per ogni temperatura si estraggano le celle da considerarsi fallite (o quelle che
appartengono a una coda) e di queste si determina il probability paper che meglio fitta i dati. Si
stimano i parametri MLE e di conseguenza si esegue un test di chi2. Si determina una relazione con
la temperatura (ad es. fattore di Arrhenius). Si stima MLE il set di parametri minimo tenendo conto
della relazione. Si esegua un test di ipotesi.

Materiale utilizzato:

- 1 test chip di memoria PCM (BJT37)
- Apparecchio per test automatici RIFLE (Research Instrument for Flash Evaluation)
- Pc collegato a RIFLE per lutilizzo dello stesso

Impostazioni di programmazione:

Il chip prima di essere sottoposto alle prove ha subito diversi cicli di PRE-HITTING, cicli di set e
di reset al fine di rendere operativa la memoria PCM. Il chip inoltre stato programmato con un
pattern a scacchiera, ovvero pagine di memoria alternate di SET e RESET, in modo da rendere
visibili alcuni effetti topologici della memoria stessa.
Nella configurazione di reset la cella si trova in uno stato amorfo in cui il passaggio di corrente
ostacolato da unalta resistenza tipica dello stato stesso. Per questo motivo le correnti in gioco sono
molto basse, nel range di 0-4 A.
Inoltre stato scelto di effettuare le misure con lausilio della nanoboard che permette una maggiore
risoluzione e precisione. Il range di utilizzo della nanoboard stato settato tra -4 A e +4 A .

Prove effettuate:

Le prove sono state svolte su una pagina di memoria dalle dimensioni di 512 Kbyte. La pagina di
RESET utilizzata logicamente e fisicamente adiacente ad una pagina di SET.

Sono state effettuate diverse misure a diverse temperature sempre sullo stesso chip che dopo ogni
stress in temperatura stato riprogrammato. Lo stress stato eseguito per diverse tempistiche
attraverso lutilizzo di uno specifico forno programmato alle seguenti temperature: 150C per 5h;
100C per 10h; 80C per 24h; 50C per 48h.

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Per ogni bake in temperatura sono state svolte le misure delle correnti di reset della mappa, nei
seguenti tempi:

ANALISI N 1 A 150C
Misura numero: min
i
min= (min
i
- min
i-1
)
1 0 0
2 10 10
3 20 10
4 100 80
5 200 100
6 300 100

ANALISI N 2 A 100C
Misura numero: min
i
min= (min
i
- min
i-1
)
1 0 0
2 10 10
3 20 10
4 100 80
5 200 100
6 600 400

ANALISI N 3 A 80C
Misura numero: min
i
min= (min
i
- min
i-1
)
1 0 0
2 10 10
3 20 10
4 100 80
5 200 100
6 1000 800
7 1440 440

ANALISI N 4 A 50C
Misura numero: min
i
min= (min
i
- min
i-1
)
1 0 0
2 10 10
3 20 10
4 100 80
5 200 100
6 1000 800
7 2000 1000
8 2880 880

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Analisi dei dati:

I dati sono di tipo read out.
Si stimata la PDF usando la formula:
N
i
i PDF = ) (
Dove i il numero di celle comprese nel intervallo i-esimo ed N il numero totale di celle.

Il numero iniziale di unit sotto test n=(2048*256).

Per ogni misura effettuata si ricavato listogramma relativo alle correnti di ogni singola cella,
avente intervalli di ampiezza pari a 0.1 A. Se ne mostra uno a titolo di esempio:

Figura 1. Istogramma del numero di celle per ogni intervallo di corrente di reset, a 150C dopo 300

Dai vari istogrammi analizzati si osservato che per un numero elevato di celle le correnti sono
molto basse e per lo pi distribuite al di sotto di 0.5 A. Al di sopra di tale valore si possono notare
poche celle con correnti pi elevate che rappresentano una coda statistica .

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Sono state ricavate le CDF ad ogni misura per avere maggiori informazioni a carattere statistico e
per individuare coda e soglia.
La stima della cumulativa data da:

test sotto unit di numero
guasti di numero
) ( =
i
t F

A titolo di esempio , di seguito viene riportato un grafico CDF delle distribuzioni delle correnti a
150:

Figura 2. CDF a 150C

Nello studio della memoria si notato che dopo pochi minuti di stress in temperatura si ha una
diminuzione drastica delle correnti medie. Infatti si pu notare dal grafico precedente una
distribuzione delle correnti con andamento che si discosta notevolmente dalle altre. Tale
distribuzione quella che rappresenta le correnti misurate a 0 minuti. A tal proposito le misure a 0
min sono state escluse da tutte le analisi.

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Per ogni temperatura viene riportato il grafico delle distribuzioni:

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Per individuare la coda statistica si fissata una soglia che discrimina le celle correttamente
programmate da quelle fallite che superano il livello di corrente ammissibile per il RESET.
Esperimenti svolti hanno portato a fissare la soglia a 2,5 A; per soglie superiori a 1 A le propriet
statistiche delle analisi non subiscono significative variazioni mentre per soglie inferiori si rischia la
corruzione degli studi successivi portando a considerare fallite celle che in realt non lo sono.

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Risulta interessante analizzare landamento del valor medio delle correnti in funzione del tempo alle
varie temperature:

Da tale analisi si evince che il valor medio delle correnti diminuisce sia con laumento della
temperatura sia con laumento del tempo di stress, fatta eccezione per i primi minuti di test in cui
oscilla.

Nel grafico delle CDF a 50 e a 100C si osserva come le distribuzioni rispettivamente a 1000min e
a 200min non raggiungano in percentuale i valori delle altre distribuzioni. Si propone di seguito
landamento del numero di fallimenti a 100C in funzione del tempo:

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Si pu notare come i fallimenti aumentano in modo notevole nellintervallo di 100 200 minuti.
Tale fenomeno fornisce le prime indicazioni sullanomalia delle distribuzioni CDF, portando a
supporre che laumento improvviso dei fallimenti sia dovuto a qualche possibile guasto.
Per approfondire meglio tale fenomeno stata svolta unaccurata analisi dellintera mappa delle
correnti, indicate con colori dal blu (0 A) verso il rosso (4 A).

Lanalisi porta ad osservare diversi fenomeni:
1. Alternanze di bande verticali a sfumature blu scuro e blu chiaro che sono dovute alle diverse
resistivit dellarchitettura di RIFLE (strumento di analisi): ininfluente per le analisi.
2. Intere colonne di celle con valori di corrente prossime al limite massimo del range (4 A)
distribuite in modo casuale nella mappa. Questo aumento di corrente dovuto al mal
funzionamento dei decoder di colonna che non sono stati pi in grado di funzionare in modo
corretto dopo lo stress in temperatura e giustificano il brusco aumento dei fallimenti.
3. Si presentano linee parzialmente fallite in modo sistematico ad intervalli di 32 righe. Questo
degrado dovuto alla struttura interna della memoria, infatti vengono inseriti pi contatti di
alimentazione sulle bitline per evitare la caduta di tensione a causa della resistivit
intrinseca, non trascurabile vista la lunghezza della bitline stessa. Le celle pi vicine al
contatto vedono una tensione pi alta e quindi sono sottoposte ad uno stress maggiore
giustificando la periodicit dei fallimenti.

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Per evidenziare al meglio le anomalie si scelto di realizzare la seguente mappa, proponendola a
sfondo nero, contenente solo le celle considerate fallite ovvero celle aventi correnti superiori alla
soglia:

A titolo di confronto, viene riportato il grafico relativo alle misure a 80C dove il numero dei
fallimenti nel tempo rimane molto basso non essendosi presentate anomalie:

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Per analogia viene riportata anche la mappa delle correnti della memoria dopo 1000 minuti di stress
a 80C:

La misura a 80C stata eseguita sullo stesso chip in cui era stata precedentemente svolta quella a
100C. Come si pu notare non sono pi presenti i problemi riguardanti le colonne. La probabile
spiegazione scientifica di tale fenomeno legata allintrappolamento di elettroni nellossido di gate
dei decoder che gestiscono le colonne della mappa. Durante la programmazione delle celle gli
elettroni vengono iniettati nellossido degli nMOS (decoder di colonna) rimanendo intrappolati e
provocando una variazione della soglia logica degli nMOS stessi. Con lo stress in temperatura gli
elettroni si sprigionano neutralizzando tale effetto, riconducendo la soglia al valore nominale.
Questo giustifica la presenza a 100C di problematiche legate allaumento improvviso del numero
dei fallimenti. In realt i decoder di colonna sono da considerarsi anomali e non guasti in quanto
riprendono il regolare funzionamento nei test successivi; gli errori quindi sono architetturali e non a
livello di celle.

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Per la scelta di quale distribuzione utilizzare per modellare i fallimenti alle varie temperature si
utilizzata la linearizzazione delle distribuzioni Normale, Weibull e Lognormale:

Weibull:
( ) ( ) ( )
( )
( )
( ) 1
ln(1 ( ))
ln ln(1 ( )) ln ln
ln ln(1 ( ))
ln
t
F t e
t
F t
F t t
y F t
x t

| |
|
\ .
=
| |
=
|
\ .
=
=
=

Lognormale
F(z)=(z)=1/2(1+erf(z))
y=
-1
[F(t)]=erfinv(2F-1)
x=ln(t)

Normale
F(z)=(z)=1/2(1+erf(z))
y=
-1
[F(t)]=erfinv(2F-1)
x=t

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Si sono calcolati i valori dei parametri delle distribuzioni tramite il metodo dei minimi quadrati e
sono stati fittati i dati misurati.

Limmagine presenta la distribuzione Weibull dei fallimenti a 100C dove le x indicano i
fallimenti misurati mentre la retta indica i fallimenti previsti. Apparentemente questa distribuzione
non in grado di fittare al meglio i dati, ma per accertarsi di tale ipotesi verr poi eseguito il test
CHI2.
Vengono successivamente presentate le distribuzioni Lognormale e Normale a 100C che mostrano
problematiche analoghe alla Weibull:

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Nessuna di queste due distribuzioni sembra essere in grado di fittare i dati delle misure a 100C,
mentre con i dati a 150C il fitting sembra migliorare per tutte le distribuzioni.

La diversa qualit del fitting , delle varie distribuzioni ottenuti alle temperature di 150 e 100C,
sono dovuti probabilmente alle anomalie di righe e colonne della memoria.

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A partire dai risultati ottenuti attraverso i minimi quadrati si svolta la stima MLE utilizzando il
criterio di massima verosimiglianza.
Per calcolare le stime MLE dei parametri, si scrive la funzione LIK per dati di tipo readout.
{ }
r n
L
L
i
r
i i
t F t F t F LIK
i
=

=
I
)) ( 1 ( ) ( ) (
1
1

dove L il numero di intervalli, t
i
sono gli estremi degli intervalli (t
0
=0) e r
i
il numero di guasti in
ciascun intervallo e
=
=
L
i
i
r r
1
.
E stata utilizzata dopo la fminsearch di MATLAB per calcolare il massimo di tale funzione nei due
parametri o e | per la distribuzione Weibull, T
50
e per la distribuzione Lognormale, e per la
distribuzione Normale.

Per determinare la bont del nostro modello nel rappresentare i dati stato utilizzato il test di bont
CHI2. Il test pu fallire o aver successo, nel caso fallisca il modello viene scartato. Nella scelta del
livello di confidenza si sono riscontrati i primi problemi, infatti facendo variare il livello dal 75% al
99% il test CHI2 continuava a fallire per tutte le distribuzioni considerate. I modelli realizzati sono
stati quindi scartati.

Le seguenti figure mostrano il confronto dei dati alle diverse temperature per le tre distribuzioni:

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Non possibile ricavare alcun modello in relazione alla temperatura perch come si vede le rette
non sono parallele; quindi si pu pensare che le distribuzioni ipotizzate non siano corrette o che il
fattore di accelerazione (AF) non sia lineare.
Per non interrompere le analisi e dare una spiegazione al fallimento del test CHI2, si sono analizzate
in dettaglio le mappe decidendo di scartare dalle analisi tutti i dati influenzati dai problemi
architetturali, riconducendoci al solo studio delle celle. Per dare quindi uniformit alle analisi sono
state rimosse le stesse righe e le stesse colonne da tutte le mappe alle varie temperature,
eliminandole dal campione.
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temperatura

Per determinare quali colonne sono da considerarsi anomale si analizzato la probabilit di avere
un certo numero di celle con correnti superiori alla soglia, attraverso la distribuzione di Poisson.
La distribuzione di Poisson si pu ricavare come caso particolare della distribuzione binomiale:
quando cio il numero di celle N diventa molto grande e contemporaneamente la probabilit di
fallimento in una singola cella molto piccola.
Una variabile aleatoria si distribuisce in modo poissoniano se la probabilit di ottenere k fallimenti
data da:
P
K
=(a
k
/k!)e
-a

dove la grandezza a detta parametro della legge di Poisson e rappresenta la frequenza media di
accadimento dell'evento osservato.
Utilizzando la distribuzione di Poisson, la probabilit di avere 7 fallimenti per colonna (k=7)
risultata molto bassa quindi tutte le colonne con numero di fallimenti superiore o uguale sono state
scartate.

Di seguito viene riportata la mappa a 100C in precedenza mostrata adesso priva di difetti di
colonna:

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Dallanalisi svolta sul nuovo campione si evince che ancora una volta non possibile identificare
un modello.

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Al fine di scindere i due meccanismi che concorrono al fallimento delle celle, quello architetturale e
quello intrinseco delle celle, si deciso di scartare dal campione le righe con un numero di
fallimenti elevato. Le anomalie si presentano nelle righe multiple di 32 anche se il fenomeno pi
significativo nelle righe multiple di 64 quindi saranno queste ultime ad essere eliminate. La
sistematicit di questa anomalia dovuta ai contatti di alimentazione, come precedentemente
descritto.
Di seguito viene riportata nuovamente la mappa a 100C dopo 600Min, adesso priva di quasi tutti i
difetti architetturali:

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Stessa mappa proposta anche con sfondo nero:

Nonostante siano state eliminate le righe multiple di 64 si ha comunque un gradino anche se di
ampiezza decisamente minore al caso precedente:

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In un ulteriore esperimento sono state eliminate tutte le righe multiple di 32. Tale esperimento non
ha dato esito positivo poich il numero di fallimenti non risultato sufficiente per permettere uno
studio statistico. Non si sono riusciti quindi ad eliminare completamente tutti gli effetti architetturali
dallanalisi.
Da questo momento in poi il campione non subir ulteriori modifiche e si proceder con la parte
finale dellanalisi statistica.

Per ogni distribuzione e temperatura, sono stati nuovamente calcolati i parametri ottimi, prima con
il metodo dei minimi quadrati e successivamente con la stima MLE.
Di seguito vengono riportati i grafici:

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temperatura

Test a 50 C:

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Test a 80 C:

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Test a 100 C:

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temperatura

Test a 150 C:

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Viene riportato di seguito una tabella riassuntiva dei parametri calcolati con il metodo dei minimi
quadrati e con la stima MLE alle varie temperature.

Weibull

Minimi Quadrati MLE

LIK alfa beta LIK alfa beta
50C 1.2521e+003 5.4577e+013 0.3723 1.2369e+003 8.1716e+009 0.5670
80C 331.8221 2.4853e+036 0.1279 325.1195 2.5657e+024 0.1984
100C 1.6221e+003 1.8725e+008 0.6450 1.6201e+003 1.7014e+009 0.5482
150C 663.1054 1.1929e+023 0.1949 657.7153 1.0540e+015 0.3156

Lognormale

Minimi Quadrati MLE

LIK T50 sigma LIK T50 sigma
50C 1.2535e+003 3.3767e+020 10.8700 1.2394e+003 4.6200e+014 7.3393
80C 331.4208 1.4466e+058 32.7823 329.8706 1.8881e+042 23.1813
100C 1.6193e+003 1.0387e+012 6.1727 1.6181e+003 1.4528e+013 6.9498
150C 662.5720 1.0360e+036 20.7148 657.8119 2.7482e+026 14.9076

Normale

Minimi Quadrati MLE

LIK mu sigma LIK mu sigma
50C 208.2022 2.1158e+004 5.2605e+003 77.6325 2.9753e+004 3.0248e+003
80C 46.0694

5.6977e+004 1.4360e+004 18.0218 8.0124e+004 8.2567e+003
100C 304.6890 3.8528e+003 969.3632 102.5858 5.4180e+003 557.3838
150C 93.8949 6.6249e+003 1.7096e+003 38.8162 9.3163e+003 983.0056

Dai grafici precedenti si evince che la distribuzione Normale quella meno adatta a fittare i dati,
quindi il test CHI2 stato eseguito solo per la distribuzione Weibull e Lognormale. Nel nuovo
campione non pi rispettata lipotesi di avere un numero minimo di fallimenti per ogni intervallo e
quindi si provveduto a raggruppare gli intervalli prima di eseguire il test.
In entrambe le distribuzioni, e per tutte le temperature, il test chi2 ha dato esito negativo per livelli
di confidenza accettabili.

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Per evidenziare la dipendenza delle distribuzioni dalla temperatura sono riportati i seguenti grafici:

Le distribuzioni Weibull e Lognormale dei fallimenti a 150 e 80C danno origine a rette tra loro
approssimativamente parallele, mentre le rette delle distribuzioni dei fallimenti a 100 e 50C, dove
si sono presentati i problemi architetturali, hanno inclinazioni diverse.
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Dalla distribuzione Normale non si ottiene nessuna indicazione significativa sul fattore di
accelerazione.

Oltre a non superare il test Chi2, le rette dei grafici appena presentati, non essendo parallele,
rendono impossibile proseguire lo studio della Data Retention.

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Conclusioni

Nonostante i vari tentativi di trovare un campione rappresentativo, le analisi si sono interrotte in
quanto nessuna delle distribuzioni ipotizzate stata in grado di superare il test chi2. Tale ostacolo
non ha permesso di identificare un modello opportuno.
I motivi ipotizzati per i quali non si sono ottenuti i risultati sperati sono molteplici:

- In primo luogo gli stress sono stati eseguiti tutti su un unico chip. Visto che ogni back in
temperatura porta il chip in un stato di degrado sempre maggiore, lutilizzo dello stesso chip
potrebbe falsare le prove in quanto i vari stress non partono dallo stesso livello di degrado.
Sarebbe stato opportuno rieffettuare i test e le misure utilizzando un diverso chip per ogni
back in temperatura.

- Le misure sono state effettuate ad intervalli di tempo molto ampi. Per questo motivo non si
potuto analizzare in dettaglio le condizioni iniziali e si sono scartate le misure a zero minuti.
Un numero maggiore di misure, specie nei primi 10 minuti, avrebbe portato a confermare o
a smentire la possibile teoria per la quale un primo fenomeno di rilievo avverrebbe in tempi
brevissimi. Solo attraverso questa analisi sarebbe possibile ottenere una spiegazione al
differente andamento della CDF a 0 minuti rispetto le altre, giustificando anche limprovvisa
riduzione delle correnti medie dopo i primi minuti di stress in temperatura.

- Lo stress in temperatura al fine di caratterizzare i fallimenti delle celle ha messo alla luce
anche problemi di tipo architetturali, infatti si sono riscontrati difetti sulle righe (dovuti alla
distribuzione dellalimentazione) e un temporaneo mal funzionamento dei decoder di
colonna alle temperature di 50C e di 100C. I problemi architetturali hanno influenzato in
modo irreversibile le analisi sommandosi ai meccanismi di guasto intrinseci delle celle.
Nonostante i vari tentativi di rendere il campione privo di difetti architetturali, non stato
possibile eliminare dal campione tutte le colonne e le righe influenzate in quanto non si
avrebbero avuti abbastanza fallimenti da permettere lo studio statistico. Al fine di avere un
numero adeguato di guasti, si potrebbe pensare di studiare un campione di memoria pi
grande o stressare ulteriormente le celle attraverso test pi aggressivi (aumento delle
temperature o delle tempistiche). Si ipotizza che per un chip non affetto da problemi
architetturali sia possibile trovare un modello statistico e completare lo studio del Data
Retention.

Sarebbe oltremodo interessante approfondire i fenomeni che interessano il mal funzionamento di
righe e colonne. Infatti in questa relazione si supposto che tali problemi fossero dovuti ai decoder
e alle linee di alimentazione senza realmente verificare lattendibilit di tali ipotesi.
Inoltre si osservato come le correnti medie diminuiscano allaumentare dei tempi di stress in
temperatura. Questo permette alla memoria PCM, una volta stressata, di avere soglie di RESET
inferiori modificando quindi le sue performance.
Molti risultati ottenuti hanno cos ribaltato le nostre aspettative iniziali lasciando in sospeso molte
problematiche relative a fenomeni da approfondire.

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 Unported License.

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