You are on page 1of 207

KOCAEL NVERSTES * FENBLMLER ENSTTS

GEN BANDLI MKROERT FLTRE TASARIMI

YKSEK LSANS TEZ Mh. Sibel GNDZ

Anabilim Dal: Elektronik ve Haberleme Mhendislii Danman: Prof. Dr. Doan DBEK

MAYIS 2005

GEN BANDLI MKROERT FLTRE TASARIMI Sibel GNDZ

Anahtar Kelime: Mikroerit Filtre Tasarm, FDTD. zet: Bu almada, yksek performans, uygun boyut ve dk maliyet gibi ltler gz nnde bulundurularak mikroerit filtre tasarmlar gerekletirilmitir. lk aamada toplu elemanl filtre tasarm zerine allm ardndan mikroerit dnmleri iin yntemler nerilmitir. Bu amala, hem toplu elemanl hem de mikroerit filtre tasarm yapabilen Matlab tabanl program paketi hazrlanmtr. Tasarlanan filtre yaplarnn istenen karakteristii verip vermediini test etmek iin lm ve gl bir saysal teknik olan FDTD yntemi ile gerekletirilen MS-STRIP yazlm paketinden faydalanlmtr. lm ve analiz sonular, hazrlanan paket programla gerekletirilen mikroerit filtrelerin istenilen performanslar baaryla gereklediini gstermitir.

ii

BROADBAND MICROSTRIP FILTER DESIGN

Sibel GNDZ

Keywords: Microstrip Filter Design, FDTD Abstract: In this thesis, high-performance, compact size and low cost microstrip filter design method is introduced. In the first part of this thesis, filter design with lumped element method is studied. After this study some special microstrip transformation methods are proposed. For this purpose a packet program based on Matlab is developed. This program has an ability of designing filters with lumped element method and microstrip form. For validating these microstrip filters characteristics they are analyzed by a software packet program called MS-STRIP. MS-STRIP is based on FDTD method which is a powerful numerical method. Measurements and analysis results proved that microstip filters with desired performances are successfully implemented.

iii

NSZ ve TEEKKR Kablosuz ve mobil haberlemedeki gelimelerle beraber mikroerit yaplar daha byk bir nem kazanmaya balad. Mikroerit filtrelerin pratik uygulamalarnda tercih edilmesinin balca sebepleri; kk boyutlu olmalar, yksek performansla alabilmeleri ve retimlerinin hem kolay hem de ucuz olmasdr.

Bu tez almada mikroerit filtre tasarm iki aamada gereklenmektedir. lk aamada bilinen filtre tasarm metotlar kullanlmtr. Bu aamada, istenen zellikleri salayabilecek filtre, ampirik/analitik formller yardmyla tasarlanmtr. kinci aamada ise bu filtre uygun mikroerit yapya dntrlmtr. Bu almann, mikroerit filtre tasarm ve gereklenmesi ile uraan aratrmaclara k tutmasn dilerim. Tez almamda katklarndan dolay sayn Prof. Dr. Levent SEVG ye (Dou .M.F.) ve sayn Dr. Gonca AKIR a(KO M.F.) , bu konuda alma olana veren tez danmanm sayn Prof. Dr. Doan DBEK ye (KO M.F.), ve tabi ki tez yazmmdaki yardmlarndan dolay Mutlu MENe ve aileme teekkrlerimi sunarm.

iv

NDEKLER ZET ..................................................................................................................... ii

ABSTRACT.............................................................................................................. iii NSZ ve TEEKKR........................................................................................... iv NDEKLER .......................................................................................................... v SMGELER DZN ve KISALTMALAR ............................................................. viii EKLLER DZN................................................................................................... ix TABLOLAR DZN .............................................................................................. xiv BLM 1. GR...................................................................................................... 1 BLM 2. LC FLTRE TASARIMI ........................................................................ 4 2.1 letim Parametreleri Metodu ile Filtre Tasarm ............................................ 4 2.1.1 ki Kapl devrelerin iletim empedanslar ve transfer fonksiyonlar ...................................................................................... 4 2.1.2 k-sabitli filtre paralar....................................................................... 7 2.1.3 m-sabitli tretilmi filtre paralar ................................................... 10 2.1.4 Karma filtreler.................................................................................. 15 2.2 Araya Girme Kayb Metodu ile Filtre Tasarm........................................... 18 2.2.1 Butterworth cevab ........................................................................... 18 2.2.2 Chebyshev cevab............................................................................. 25 2.2.3 Frekans ve empedans leklendirilmesi........................................... 28 2.2.4 Yksek geiren filtre tasarm .......................................................... 31 2.2.5 Band geiren filtre tasarm.............................................................. 34 2.2.6 Band sndren filtre tasarm ........................................................... 38 BLM 3. MKROERT LETM HATLARI ve SREKSZLKLER.............. 45 3.1 Mikroerit letim Hatt ................................................................................. 45 3.2 Sreksizlikler ............................................................................................... 46

3.2.1 Basamak yap ................................................................................... 47 3.2.2 Ak-sonlu yap ................................................................................ 52 3.2.3 Boluk yap ...................................................................................... 54 3.2.4 Ke yap.......................................................................................... 58 BLM 4. MKRODALGA FLTRELER ve MKROERT FLTRE TASARIMI ........................................................................................... 61 4.1 Mikrodalga Filtreleri .................................................................................... 61 4.2 Periyodik Yaplar ......................................................................................... 62 4.2.1 Sonsuz periyodik yaplarn analizi ................................................... 62 4.2.1 Sonlu periyodik yaplar .................................................................... 66 4.3 k- Diyagramlar ve Dalga Hzlar............................................................... 67 4.4 Mikroerit Filtre Tasarm ............................................................................ 71 4.4.1 Alak geiren mikroerit filtre tasarm ........................................... 71 4.4.1.1 Paralel dallar ile mikroerit alak geiren filtre tasarm ........... 75 4.4.1.2 Mikroerit basamak yaps ile alak geiren filtre tasarm ....... 80 4.4.2 Yksek geiren mikroerit filtre tasarm......................................... 85 4.4.3 Band sndren mikroerit filtre tasarm.......................................... 88 4.4.4 Band geiren mikroerit filtre tasarm ............................................ 91 BLM 5. FDTD YNTEM ile MKROERT HATLI DEVRELERN ANALZ ............................................................................................... 94 5.1 3D-FDTD Yntemi ...................................................................................... 94 5.2 teratif Denklemlerde Karallk Koulu ..................................................... 100 5.3 FDTD Ynteminde Saysal Dalma ......................................................... 101 5.4 FDTD Ynteminde Parametre Seimi ....................................................... 103 5.5 S-parametrelerinin Hesab.......................................................................... 107 SONULAR ve NERLER................................................................................. 111

vi

KSEL YAYINLAR ve ESERLER.................................................................... 112 KAYNAKLAR ...................................................................................................... 113 EK-A ...................................................................................................................... 115 EK-B ...................................................................................................................... 138 EK-C ...................................................................................................................... 162 ZGEM ........................................................................................................... 193

vii

SMGELER DZN ve KISALTMALAR 0 r e W h Z0 f c k Ex, Ey, Ez Hx, Hy, Hz t i, j, k ~ ~ ~ kx , ky , kz : Dalga boyu : Serbest uzaydaki dalga boyu : Serbest uzaydaki dielektrik sabiti : Bal dielektrik sabiti : Etkin dielektrik sabiti : Mikroerit band genilii : Dielektrik tabaka ykseklii : Karakteristik empedans : Yansma katsays : Zayflama sabiti : Faz sabiti : Yaylma sabiti : Manyetik geirgenlik : Frekans : Ik hz : Dalga says : Elektrik alannn Kartezyen koordinatlardaki bileenleri : Manyetik alannn Kartezyen koordinatlardaki bileenleri : Zaman adm : FDTDde x, y, z deki konum admlar : Srasyla saysal dalga vektrnn x-,y- ve z- bileenleri.

FDTD PML AWG [IM]

: Finite Difference Time Domain Method : Perfectly Matched Layer : American Wire Gauge : letim Matrisi

viii

EKLLER DZN ekil 2.1 ekil 2.2 ekil 2.3 ekil 2.4 ekil 2.5 ekil 2.6 ekil 2.7 ekil 2.8 ekil 2.9 Kendi iletim empedans ile sonlandrlm iki kapl devre..................... 5 Kaynakla beslenen iletim empedans ile sonlandrlm iki kapl devre ........................................................................................................ 6 k-sabitli alak geiren T ve -filtre paralar ......................................... 8 ekil 2.3deki k-sabitli alak geiren filtre paralarnn tipik gei ve sndrme band karakteristikleri............................................................. 9 Yksek geiren k-sabitli T ve -filtre paralar...................................... 9 k-sabitli filtreden m-sabitli tretilmi filtre elde edilmesi..................... 11 m-sabitli tretilmi filtre paralar......................................................... 11 k-sabitli, m-sabitli tretilmi, karma filtrelerin tipik zayflama karakteristikleri ..................................................................................... 12 m-sabitli -filtre paras ....................................................................... 13 deiimi ................................................................................................. 13 ekil 2.11 Zi ve ZiT empedanslarna uydurulmu ikiye blnen -filtre paras. 14 ekil 2.12 Drt-blml karma filtre yaps .......................................................... 15 ekil 2.13 rnek 2.2deki alak geiren karma filtre devresi ................................ 17 ekil 2.14 rnek 2.2deki alak geiren filtre frekans karakteristii..................... 18 ekil 2.15 Butterworth Cevab ............................................................................... 19 ekil 2.16 Butterworth filtresinin zayflama karakteristii .................................... 19 ekil 2.17 4-Elemanl Butterworth alak-geiren filtre prototipi........................... 21 ekil 2.18 rnek 2.2deki 4.dereceden alak geiren filtrenin iletim karakteristii, S21(dB] .................................................................................................. 22 ekil 2.19. Eit olmayan empedansla sonlandrlm devre..................................... 23 ekil 2.20. Normalize edilmi empedansl sonlandrlm devre ............................ 23 ekil 2.21 rnek 2.2 deki alak-geiren filtre devresi.......................................... 23 ekil 2.22 3-elemanl Chebyshev ve Butterworth cevaplarnn karlatrlmas... 26 ekil 2.23 0.5dB gei band dalgalanmas olan Chebyshev filtre cevab ............. 27 ekil 2.24 rnek 2.4deki alak geiren prototipi.................................................. 27 ekil 2.25 rnek 2.5deki alak geiren filtre devresi ........................................... 30 ekil 2.26 rnek 2.6daki alak geiren filtre prototipi......................................... 30 ekil 2.10 m-sabitli tretilmi alak geiren filtrenin gei bandnda m ile Zi nin

ix

ekil 2.27 rnek 2.6daki alak geiren filtre........................................................ 31 ekil 2.28 Alak geiren filtreden yksek geiren filtreye dnm..................... 32 ekil 2.29 ekil 2.28de yer alan yksek geiren filtrenin iletim karakteristii .... 32 ekil 2.30 rnek 2.7deki yksek geiren filtre tasarm....................................... 34 ekil 2.31 Alak geirenden band geirene dnm............................................ 35 ekil 2.32 Tipik band geiren filtre........................................................................ 36 ekil 2.33 Alak geiren filtreden yksek geiren filtreye dnm..................... 37 ekil 2.34 Tipik band sndren filtre karakteristii............................................... 38 ekil 2.35 Alak geiren filtreden band-sndren filtreye dnm ..................... 39 ekil 2.36 rnek 2.8 deki band geiren filtre tasarm ......................................... 41 ekil 2.37 rnek 2.8de yer alan band geiren filtrenin iletim karakteristii, S21(dB)................................................................................................... 42 ekil 2.38 rnek 2.9daki 3.dereceden band sndren filtre ................................. 43 ekil 2.39 rnek 2.9un iletim karakteristii, S21(dB)........................................... 44 ekil 3.1. Dz mikroerit hat................................................................................. 45 ekil 3.2. Basamak mikroerit hattn edeer devre modeli ................................. 47 ekil 3.3 ekil 3.4 ekil 3.5 W1>W2 durumlu basamak hattnn S21 karakteristii............................ 48 W1<W2 durumlu basamak hat ve edeer devre modeli ....................... 50 l kadar ksaltlan mikroerit basamak hatt ......................................... 50

ekil 3.6. W1<W2 durumlu basamak hattn S21 karakteristii............................... 52 ekil 3.7. Ak-sonlu mikroerit yapnn edeer devre modeli ........................... 53 ekil 3.8. Boluk mikroerit hattn edeer devre modeli..................................... 54 ekil 3.9. Boluk yapl mikroerit hattaki mod gsterimi.................................... 55 ekil 3.10. Eit genilikli fakl mesfedeki boluklu mikroerit yapdaki iletim karakteristii.......................................................................................... 56 ekil 3.11. W1 ve W2 kalnlklarndaki iki hat arasndaki boluun edeer devre modeli.................................................................................................... 56 ekil 3.12. W1 ve W2 kalnlkl mikroerit hat ........................................................ 57 ekil 3.13 (a) mikroerit ke hat yaps. (b) krplm mikroerit hat yaps.(c) her iki hat iin edeer devre modeli .......................................................... 59 ekil 4.1. Sonsuz periyodik ykl iletim hattnn edeer modeli. Yksz hat Z0 karakteristik empedans ve k yaylma sabitine sahiptir......................... 62 ekil 4.2. Normalize ZL yk ile sonlu periyodik yap ......................................... 66

ekil 4.3. Dalga klavuzu iin k- diyagram ........................................................ 68 ekil 4.4. Kapasitif ykl hat ................................................................................ 69 ekil 4.5. rnek 4.1in k- diyagram................................................................... 71 ekil 4.6. Richard Dnm (a) indktansn ksa-devre hata (b) kapasitenin akdevre hata dnm............................................................................. 73 ekil 4.7. Tablo4.1deki Kuroda Tanmlamalarnn (b) kknn edeer devresi .................................................................. 75 ekil 4.8. 3.dereceden alak geiren filtre prototipi.............................................. 76 ekil 4.9. Richard Dnmn kullanarak indktans ve kapasitelerin seri ve paralel dallara evrilmesi ...................................................................... 76 ekil 4.10 Filtrenin her iki ucuna birim elemanlarn yerletirilmesi...................... 77 ekil 4.11 Tablo 4.1deki Kuroda tanmlamas bnin devreye uygulanmas ......... 77 ekil 4.12 Empedans ve frekans leklendirilmesi................................................ 78 ekil 4.13 Mikroerit paralel dallarla oluturulan 3.dereceden alak geiren filtre ....................................................................................................... 78 ekil 4.14 Sonu ak devre paralel mikroerit dallarla yaplan filtrenin FDTD simlasyonu .......................................................................................... 78 ekil 4.15 Matlab tabanl hazrlanan program ile alak geiren filtre analizi....... 79 ekil 4.16 Alak geiren filtre tasarm aamalar .................................................... 80 ekil 4.17 3.dereceden Butterworth yaklam kullanlan alak geiren filtre prototipi. (g(1)= 1, g(2)=2 , g(3)=1, ,g(N) (N= filtre derecesi) prototip eleman deerleridir.)................................................................ 81 ekil 4.18 Frekans ve empedans leklendirmesi yaplan devre ........................... 81 ekil 4.19 Yksek empedansl hattn -edeer devre modeli.............................. 82 ekil 4.20 Dksek empedansl hattn T-edeer devre modeli .............................. 83 ekil 4.21 Yksek ve dk empedansl hatlarn T-ve -edeer devreleri ile filtre ...................................................................................................... 83 ekil 4.22 Basamak mikroerit yapsyla oluan 3.dereceden alak geiren filtre. 84 ekil 4.23 11.dereceden basamak mikroerit yapsyla tasarlanan alak geiren filtre .......................................................................................... 84 ekil 4.24 11.dereceden basamak mikroerit yapsyla gereklenen alak geiren filtrenin FDTD analizi ve lm sonucu............................................... 85 ekil 4.25 Alak geiren filtreden yksek geiren filtreye dnm..................... 86

xi

ekil 4.26 3.dereceden yksek geiren filtrenin ksa-devre sonlu paralel mikroerit dallar ile tasarm................................................................................... 86 ekil 4.27 Sonu ksa devre paralel mikroerit hatlarla yaplan yksek geiren filtrenin FDTD analizi........................................................................... 87 ekil 4.28 3.dereceden yksek geiren filtrenin mikroerit yap boyutlar, eleman deerleri ve frekans karakteristii........................................................ 87 ekil 4.29 Paralel iletim hatt rezonatrleri ile band sndren filtre...................... 88 ekil 4.30 Ak-devre sonlu paralel iletim hattnn seri rezonans edeer devre modeli.................................................................................................... 88 ekil 4.31 3.dereceden band sndren filtre prototipi............................................ 89 ekil 4.32 /4 rezonatrler ile tasarlanan 3.dereceden band sndren mikroerit filtre ....................................................................................................... 89 ekil 4.33 3.dereceden band sndren mikroerit filtre yapsnn FDTD analizi .. 90 ekil 4.34 3.dereceden band sndren filtre tasarm yapan program ekran.......... 90 ekil 4.35 Sonu ksa devre paralel iletim hatlarn kullanlarak tasarlanan band geiren filtre .......................................................................................... 91 ekil 4.36 Ksa-devre sonlu paralel iletim hattnn paralel rezonans edeer devre modeli.................................................................................................... 91 ekil 4.37 3.dereceden band geiren filtre prototipi ................................................ 92 ekil 4.38 3.dereceden band geiren mikroerit filtre yaps................................... 92 ekil 4.39 3.dereceden band geiren filtrenin FDTD analizi................................... 93 ekil 4.40 3.dereceden band geiren filtre tasarm yapan program ekran. .......... 93 ekil 5.1. 3D Yee Birim Hcresi........................................................................... 95 ekil 5.2 ekil 5.3 ekil 5.4 ekil 5.5 ekil 5.6 ekil 5.7 Birim Hcrede Alt Yzeye letken Plaka Yerletirmek in Kullanlan Elektrik Alan Bileenleri....................................................................... 98 Birim Hcrede Ortadaki Yzeye letken Plaka Yerletirmek in Kullanlan Elektrik Alan Bileenleri..................................................... 98 Ez bileeninin bulunduu noktada +z ynndeki akm deerini bulmak iin kullanlan manyetik alanlar .......................................................... 100 Gauss darbesinin normalize zaman ve frekans davran. Darbe zamanda daraldka frekans band geniler........................................................ 104 Snrl banda sahip bir iaretin rnekleme skl ile ilikisi ............... 105 Mikroerit hatta deiik zaman admlarnda ilerleyen dalgalarn

xii

gsterimi.............................................................................................. 107 ekil 5.8 ekil 5.9 Mikroerit hat ve deiik dzlemlerde darbe iletiminin FDTD ile modellenmesi ...................................................................................... 108 ki portlu bir devrede S parametreleri tanm ...................................... 109 ekil 5.10 Mikroerit hattn yandan grn ve FDTD ile modelleme ............. 109

xiii

TABLOLAR DZN Tablo 2.1. T ve devre paralar iin iletim parametreleri ..................................... 7 Tablo 2.2. Karma filtre tasarmnn zet denklemleri ............................................ 16 Tablo 2.3 rnek 2.2nin iletim karakteristiini veren Matlab program paras.... 21 Tablo 2.4. Kaynak ve yk empedanslar eit olan Butterworth alak-geiren prototip eleman deerleri .................................................................................... 22 Tablo 2.5 Butterworth alak-geiren prototip eleman deerleri............................ 24 Tablo 2.6. n. dereceden Chebyshev Polinomu ....................................................... 26 Tablo 2.7 0.1dB gei band dalgalanmas olan Chebyshev alak-geiren prototip eleman deerleri .................................................................................... 28 Tablo 2.8 ekil 2.27deki yksek geiren filtrenin Matlab program paras ........ 33 Tablo 2.9. ekil 2.36daki band geiren filtrenin Matlab program paras............ 42 Tablo 2.10 rnek 2.9daki band sndren filtrenin frekans cevabn veren program ................................................................................................. 44 Tablo 4.1 Kuroda Tanmlamalar .......................................................................... 74 Tablo 4.2 11. dereceden alak geiren filtrenin mikroerit yap boyutlar............ 84

xiv

1.GR Mikroerit filtrelerin, mikrodalga devreleri, radarlar, hcresel haberleme, test ve lm sistemleri gibi eitli uygulama alanlar vardr. Kk boyutlu, ucuz ve retimlerinin kolay olmalar, mikroeritlerin gnmzde filtre uygulamalarnda ska kullanlmasn salamtr. II. Dnya sava boyunca pratik mikrodalga sistemlerinde, dikdrtgen dalga klavuzlar ve/veya koaksiyel hatlar iletim hatt ortam olarak kullanlmtr. O dnemde Dalga klavuzlarnn yksek g isteyen radar sistemlerinde kullanlmas dolduka yaygnd. Fakat onlarn snrl band genilii ve pahal olmalar kullanlmalarn zorlatryordu. Geni bandl koaksiyel hatlar mikrodalga devreleri iin uygundu. Fakat bu hatlar karmak mikrodalga devrelerinde gerekletirmek olduka g oluyordu. Bu nedenlerden tr dzlemsel iletim hatlar gelitirildi. Bunlar erithat, mikroerit, yarklhat gibi iletim hatlarn kapsamaktadr. Bu tip hatlar dk maliyetli olup aktif devre elemanlar ile kuplajlar kolaydr. Dzlemsel iletim hatlarndan olan mikroerit hatlar ise ITT laboratuarlarnda (D.D. Grieg ve H.F. Engelmann, 1952) gelitirilmitir. lk mikroerit hat ok kaln bir dielektrik tabakas zerinde gerekletirildi. Dolaysyla bu yapda ok fazla frekans dalmas meydana geldi. Bu karakteristik onun yerine erithattn kullanlmasna neden oldu. 1960larda bu yapnn dielektrik malzemesi ok ince hale getirilmi ve istenilen frekans karakteristiine ulalmtr. Bylece mikroerit hat mikrodalga devrelerinde tercih edilen bir yap haline geldi. ncln Mason, Sykes, Darlington, Fano, Lawson ve Richardsn yapt mikrodalga filtre teorisinin temelleri II. Dnya sava yllarnda atlmtr. Mikrodalga filtre tasarlamak zere eitli metotlar gelitirilmitir. letim parametreleri metodu ile filtre tasarm 1930larn sonlarnda nerildi. Gnmzde

ise, birok filtre araya girme kayb metodu ile tasarlanmaktadr. Bu metot devre analizi tekniine dayanmaktadr. 1948 ylnda P.I. Richards mikrodalga filtre tasarmna yeni bir teori kazandrd. Richardsn teoremi; toplu elemanlar ile tasarlanan filtrenin ayrk iletim hatlarna dnmne dayanmaktadr (P.I. Richards, 1948). Richardsn dnmleri K. Kurodann drt tanmlamas ile birlemektedir (H. Ozaki ve J. Ishii, 1958). Bu tanmlamalar ile toplu elemanlar filtre prototipi, ak ve ksa devre iletim hatt dallar ile fiziksel olarak gereklenir. Bu almada mikrodalga filtre analizi iin FDTD teknii kullanlmtr (Yee, 1996). Bu yntem Kane S. Yee tarafndan 1966 ylnda gelitirilmitir. FDTD teknii gnmzde gl elektromanyetik modelleme tekniklerinden biri haline gelmitir. Bu yntem, Maxwell denklemlerinin zaman domeninde boyutlu olarak iteratif yoldan zlmesine dayanr. Ele alnan yap kolaylkla FDTD uzaynda tanmlanp analizi yaplr Bu tez almasnn ikinci blmnde filtre tasarm metotlar zerinde durulmutur. ncelenen bu tasarm metotlarndan, araya girme kayb metodu kullanlarak alak, yksek, band geiren ve band sndren filtreler tasarlanmtr. Yazlan Matlab program paracklar ile tasarlanan bu drt tip filtrenin frekans karakteristikleri karlmtr. Ayrca bu blmde, ele alnan filtre tasarm metotlarndan pratik filtre tasarm iin en uygun metodun seimi incelenmitir. Mikroerit devre tasarmnda sklkla kullanlan sreksizlik yaplarndan tezin nc blmnde bahsedilmitir. Bu sreksizliklerin edeer devre modellerinin karlmas ve ilgili deerlerinin hesaplanmas aratrlmtr. Edeer devre modellerinin de yardmyla yaplar iin Matlap programlar gelitirilmi ve yaplarn frekans karakteristikleri karlmtr. Mikroerit filtre tasarm metotlar drdnc blmde incelenmitir. Bu blmde ayn yap zerinde ufak deiiklikler yaplarak nasl farkl filtre karakteristiklerinin elde edilebilecei bulunmutur. Drt fakl filtre tipi iin bir Matlab tabanl program paketi

hazrlanmtr. Bu program paketi ile filtrenin toplu eleman davran karlp, mikroerit yap boyutlar hesaplanmtr. Mikrodalga filtre yaplarnn frekans karakteristiklerinin incelenmesinde FDTD metodu kullanlmtr. Tezin beinci ve son blmnde FDTD analizinden bahsedilmitir. Bu analiz sonucunda elde edilen S parametreleri ile filtrenin mikrodalga davranlar konusunda fikir sahibi olunmutur.

BLM 2. LC FLTRE TASARIMI 2.1.letim Parametreleri Metodu ile Filtre Tasarm letim parametreleri metodu ile filtre tasarlamak iki kapl kaskat devrelerin gei ve sndrme band tanmlamalarn kapsar. Bu sebeple metot, periyodik yaplara da benzer. Metot genel anlamda basittir, fakat rasgele frekans cevaplar tasarmda kullanlamaz. Bu nokta araya girme metodu tasarm ile arasndaki farktr. Basit filtre yaplar iin bu metot ok kullanldr (D.Pozar,1990).Ve bu metot sayesinde sonlu periyodik yaplar ile pratik filtreler arasnda kolay gei salanr. 2.1.1. ki kapl devrelerin iletim empedanslar ve transfer fonksiyonlar ekil 2.1deki devre ele alnr ve bu devrenin ABCD parametreleri tanmlanrsa devrenin iletim empedanslar Zi1 ve Zi2; Zi1= 2. portun Zi2 ile sonlandrlmas halinde 1.pottaki giri empedans. Zi2= 1.portun Zi1 ile sonlandrlmas halinde 2.pottaki giri empedans. eklinde tanmlanr. Her port kendi iletim empedans ile sonlandrldnda empedans uyumunu salar. Devre iin iletim empedanslar ABCD parametreleri cinsinden tanmlanabilir. Portlardaki gerilim ve akmlar; V1=A.V2+B.I2 I1=C.V2+D.I2 2. portun Zi2 ile sonlandrlmas durumunda 1. porttaki giri empedans;
Z g1 = V1 AV2 + BI 2 AZ g 2 + B = = , I1 CV2 + DI 2 CZ g 2 + D

(2.1.a) (2.1.b)

(2.2)

(V2=Zg2.I2) (2.2) denklemi V2 ve I2 iin ABCD matrisi ile zlr. Kart devreler iin AD-BC=1dir. V2=D.V1-B.I1 I2=-C.V1+A.I1 1. portun Zi1 ile sonlandrlmas durumunda 2. porttaki giri empedans;
Zg2 = DZ g1 + B V2 DV1 BI1 = = , I2 CV1 + AI1 CZ g1 + A

(2.3.a) (2.3.b)

(2.4)

(V1=-Z1I1)

ekil 2.1. Kendi iletim empedans ile sonlandrlm iki kapl devre. Zg1=Zi1 ve Zg2=Zi2 ye eit olmas istenir. Bylece (2.2) ve (2.4) denklemleri iletim empedanslar iin iki eitlik verir. Zi1(C.Zi2+D)=A.Zi2+B Zi1.D-B=Zi2(A-C.Zi1) Zi1 ve Zi2 iin zlrse (2.5.a) (2.5.b)

Z i1 =

AB CD

(2.6.a) (2.6.b)

Zi2 =
Zi2 =

BD AC

DZ i1 A Eer devre simetrik ise A=D ve Zi1=Zi2 olmaldr.

ki kapl devrenin kendi iletim empedans ile sonlandrlmasnda transfer fonksiyonu hesaplanabilir. ekil (2.2) ve denklem (2.3.a)dan 2.porttaki k gerilimi;

B V1 V2 = DV1 BI1 = D Z i1
(V1=I1.Zi1) ile gerilimlerin oran;
V2 B CD = D =DB = V1 Z i1 AB D A

(2.7)

AD BC

(2.8.a)

Benzer ekilde akmlarn oran;


I2 V = C 1 + A = CZ i1 + A = I1 I1 A D

AD BC

(2.8.b)

Devrenin yaylma sabiti; e = AD BC (2.9)

ekil 2.2. Kaynakla beslenen iletim empedans ile sonlandrlm iki kapl devre
= + j ise

e =

1 AD BC

(AD BC) AD BC

= AD + BC

cosh = (e + e ) 2 ise
cosh = AD olur.

(2.10)

ki portlu devrelerde iki nemli tip vardr. Bunlar simetrik olan T ve devreleridir. Tablo 2.1 bu devreler iin gerekli baz parametreleri listeler.

Tablo 2.1. T ve devre paralar iin iletim parametreleri.

T Devresi ABCD Parametreleri A=1+Z1/2Z2


2 B=Z1+ Z1 / 4Z 2

Devresi ABCD Parametreleri A=1+Z1/2Z2 B=Z1 C=1/Z2+Z1/4 Z 2 2 D=1+Z1/2Z2 Z Parametreleri Y11=Y22=1/Z1+1/2Z2 Y12=Y22=1/Z1 letim Parametreleri

C=1/Z2 D=1+Z1/2Z2 Z Parametreleri Z11=Z22=Z2+Z1/2 Z12=Z21=Z2 letim Parametreleri

Z iT = Z1 Z 2 1 + Z1 / 4Z 2 Yaylma Sabiti
e = 1 + Z1 / 2 Z 2 +

Z i = Z1 Z 2 / 1 + Z1 / 4Z 2 = Z1 Z 2 / Z iT Yaylma Sabiti
e = 1 + Z1 / 2 Z 2 +

(Z1 / Z 2 ) + (Z12 / Z 2 ) 2

(Z1 / Z 2 ) + (Z12 / Z 2 ) 2

2.1.2 k-sabitli filtre paralar ekil 2.3ada yer alan T-devresi incelenecek olursa bu devrenin alak-geiren bir filtre zellii gsterdii anlalr. nk bu devredeki seri indktanslar ve paralel kapasiteler dk frekanslar geirirken, yksek frekanslar bloke eder. Z1=jL ve Z2=1/ jC ile iletim empedans; Z iT = 2 LC L 1 4 C (2.11)

Eer c kesim frekans olarak gsterilirse; c = 2 LC 7 (2.12)

Olur.

(a)T-filtreparas

(b) -filtre paras

ekil 2.3. k-sabitli alak geiren T ve -filtre paralar. Nominal karakteristik empedans R0;

R0 =

L = k, C

(2.13)

k, sabit olduuna gre denklem (2.11)den; Z iT = R 0 1 =0 da ZiT=R0. Tablo 2.1den yaylma sabiti;
e = 1 2 2 c
2

2 2 0

(2.14)

2 2 c

2 c
2

(2.15)

1) < c iin; bu frekans aral filtrenin gei banddr. Denklem (2.14) ZiTnin reel, (2.15) ise nn imajiner olduunu gsterir. ( (2 / c 1) negatif ve | e |= 1 ise);
2

2 2 | e | = 1 2 c
2

4 2 2 + 2 1 2 c c

=1

2) > c iin;bu frekans aral ise filtrenin sndrme banddr. Denklem (2.14) ZiT nin imajiner ve denklem (2.15) ise nn reel olduunu gsterir.

Tipik faz ve zayflama sabitleri ekil 2.4de yer almaktadr. Kesim frekans dolaynda zayflama, ok kk veya sfrdr. ( , ) . Bu filtre tipine ksabitli alak geiren filtre denir (D.Pozar,1990).L ve C deerlerinin seilmesinde sadece iki parametre rol oynar. Bunlar kesim frekans (c) ve sfr frekansnda iletim empedans (R0) dr. ekil 2.3da yer alan -alak geiren devreleri iin Z1=jL ve Z2=1/jC elde edilir. Bu da T-alak geiren devresi ile ayn yaylma sabitinin olduunu gsterir. T-devreleri iin denklem (2.12) ve (2.13) de verilen nominal karakteristik empedans R0 ve kesim frekans c ayn denklemlerle ifade edilir. =0da alak geiren -devresinin Zi iletim empedans ise ZiT=Zi=R0 olur. Dier frekanslarda ise ZiT Zi ye eit olmaz. ekil 2.5de yksek geiren k-sabitli filtre yer almaktadr. Bu filtreyi tasarlamada kullanlan tasarm denklemleri;

R0 =
c =

L C
1 2 LC

(2.16) (2.17)

ekil 2.4. ekil 2.3deki k-sabitli alak geiren filtre paralarnn tipik gei ve sndrme band karakteristikleri.

(a)T-filtre paras ekil 2.5. Yksek geiren k-sabitli T ve -filtre paralar. 2.1.3. m-sabitli tretilmi filtre paralar

(b) -filtre paras.

k-sabitli filtrelerin, kesim frekansnda yava zayflama yapmas ve sabit olmayan iletim empedanslarnn olmas gibi olumsuzluklar vardr. m-sabitli tretilmi filtreler ise bu olumsuzluklar yok etmek zere modifiye edilmilerdir (D.Pozar,1990). ekil 2.6.a ve bde yer alan k-sabitli T-filtrelerinin Z1

ve Z2 empedanslar Z1 ve Z olarak deitirilir. 2 Z1 = mZ1 k-sabitli filtre ile ayn ZiT yi verecek Z 2 seilir. Tablo 2.1den;
2 Z1 m 2 Z1 Z 2 1 Z iT = Z1 Z 2 + = Z1 Z2 + = mZ1 Z2 + 4 4 4
(2.19) (2.18)

Z 2 iin zlrse,
Z 2 Z1 mZ1 Z 2 (1 m 2 ) Z2 = + = + Z1 4 m 4m m 4m Elde edilir. (2.6.c)de yer alan devrede m=1 olmas durumunda bu devre k-sabitli devreye dner. Alak geiren filtre iin, Z1=jL ve Z2= 1/jC olur. (2.18) ve (2.20) denklemlerinden; (2.20)

Z1 = jLm
Z2 = 1 (1 m 2 ) + jL, jCm 4m

(2.21.a) (2.21.b)

Bu sonular ekil 2.7 deki devreler iindir.

10

(a) k-sabitli filtre paras.

(b) Genel m-sabitli tretilmi filtre paras.

(c) Sonu m-sabitli tretilmi filtre paras. ekil 2.6. k-sabitli filtreden m-sabitli tretilmi filtre elde edilmesi.

(a)Alak geiren T-filtre paras. ekil 2.7 m-sabitli tretilmi filtre paralar.

(b) Yksek geiren T-filtre paras.

m-sabitli tretilmi filtreler iin yaylma sabiti Tablo 2.1 ile

e = 1+

Z1 Z1 Z 1 + 1 + 4 Z 2 Z2 Z2 2

(2.22)

Alak-geiren m-sabitli tretilmi filtreleri iin; 2m / c Z1 jLm = , = 2 Z2 (1 / jCm ) + jL(1 m ) / 4m 1 (1 m 2 )( / c ) 2

c = 2 / LC dir.
1 ( / c ) Z 1+ 1 = 4 Z2 1 1 m 2 ( / c )2
2

= olduunda; = c 1 m2 11 (2.23)

Fiziksel olarak zayflama karakteristiindeki kutbu T-devresinin paralel koldaki seri LC rezonans devresinden oluur. Bu, LC rezonatrnn rezonans frekansnn olmas ile gereklenir. (Bkz. ekil 2.8) Denklem (2.23)den grlecei gibi > c olduu durumda kesim frekansndan sonra sonsuz zayflama olur. (Bkz. ekil 2.8)

ekil 2.8. k-sabitli, m-sabitli tretilmi, karma filtrelerin tipik zayflama karakteristikleri. m-sabitli tretilme yntemiyle tasarlanan T-devresinin iletim empedans sabit deilken bu yntemle tasarlanan -devresinin iletim empedans sabittir ve me baldr. (Bkz. ekil 2.9) Bu devrenin iletim empedans Tablo 2.1 ve denklem (2.14) yardmyla hesaplanabilir. Z1 Z2 Z1 Z 2 + Z1 (1 m 2 ) / 4 = 2 Z iT R 0 1 ( / c )
2

Zi =

(2.24)

2 2 2 Z1Z2=L/C= R 0 ve Z1 = 2 L = 4R 0 ( / c ) 2 ise denklem (2.24) denklemi;

Zi =

1 (1 m 2 )( / c ) 2 1 ( / c )
2

R0

(2.22)

12

(a) Sonsuz kaskat m-sabitli tretilmi T-filtre paras. ekil 2.9. m-sabitli -filtre paras.

(b) Edeer -filtre paras.

Bu empedans, min fonksiyonu olduu srece filtrenin gei bandnda Zi nin deiimini en aza indirebilecek ekilde mi seebiliriz. ekil 2.10 min bir ok deiik deerleri iin frekansla deiimini gsterir. Genelde m=0.6 deeri en iyi sonucu verir.

ekil 2.10. m-sabitli tretilmi alak geiren filtrenin gei bandnda m ile Zi nin deiimi. Bu tip m-sabitli tretilmi filtre paralar filtrenin giri ve klarna empedans uyumunu salamas iin konulur. Fakat bu -devre paralarnn empedans T-devre paralarnn empedans ile uyum salamaz. Bu sorunu amak iin -filtre paras ekil 2.11de gsterildii gibi ikiye blnr. Bu devrenin iletim empedans Zi1=ZiT ve Zi2=Zi olur. ABCD parametreleri ile;

13

A = 1+ B=
C=

Z1 , 4Z2

(2.26.a) (2.26.b) (2.26.c) (2.26.d)

Z1 , 2
1 , 2 Z2

D=1, Denklem (2.6) ile Zi1 ve Zi2 ;

Z i1 = Z1 Z2 +
Zi2 =

Z1 = Z iT 4

(2.27) (2.27)

Z1 Z2 Z Z = 1 2 = Zi Z Z iT 1+ 1 4Z2

ekil 2.11. Zi ve ZiT empedanslarna uydurulmu ikiye blnen -filtre paras.

2.1.4. Karma filtreler stenilen zayflama ve zellikleri salayacak bir filtre; k-sabitli, m-sabitli tretilmi keskin kesim frekansl ve m-sabitli tretilmi empedans uydurmal devre paralarn kaskat balayarak oluturabilir. (D.Pozar,1990). Bu tip filtre tasarmna karma 14

filtreler denir. (Bk. ekil 2.12) m<0.6 deerli keskin kesim frekansl para, zayflamann keskinliini, k-sabitli para sndrme bandnda keskin zayflamay salar. kiye blnm -filtre paras ise filtrenin giri ve klarna yerletirilerek kaynak ve yk empedanslarna uyumu salar. Tablo 2.2 alak ve yksek geiren karma filtrelerde kullanlan temel denklemleri gsterir.

ekil 2.12. Drt-blml karma filtre yaps.

Tablo 2.2. Karma Filtre Tasarmnn zet Denklemleri Alak Geiren k-sabitli T-filtre paras Yksek Geiren k-sabitli T-filtre paras

15

R0 = L C c = 2 / LC

L = 2R 0 / c C = 2 / c R 0

R0 = L C c = 1 / 2 / LC

L = R 0 / 2c C = 1 / 2 c R 0

m-sabitli tretimi T-filtre paras

m-sabitli tretimi T-filtre paras

L ve C deerleri k-sabitli devre paralarnda hesapland gibi

1 ( )2 keskin kesim frekans iin c m= 0.6 empedans uydurma iin


kiye blnm -uydurma devresi kiye blnm -uydurma devresi

rnek 2.1 Kesim frekans 1 GHz, karakteristik empedans 50 olan alak geiren filtre tasarlayn. Bu filtrenin sonsuz zayflamas 1.05 GHz de olsun. zm 2.1

L=

2.R 0 = 15.91nH c

C=

2 = 6.36pF R 0 c

16

m-sabitli tretilmi keskin kesim frekansl para;

f m = 1 c f

= 0.305,

mL = 2.42 nH, 2

mC=1.94 pF, 1 m2 L = 11.82 nH, 4m m=0.6 empedans uydurma devresi;


mL = 4.773 nH, 2 mC = 1.908 pF, 2

(1 m ) L = 8.5 nH
2

2m

Oluan devre ekil 2.13da ve filtrenin frekans cevab ise ekil 2.14de yer almaktadr.

ekil 2.13. rnek 2.2 deki alak geiren karma filtre devresi.

17

ekil 2.14. rnek 2.2 deki alak geiren filtre frekans karakteristii. 2.2. Araya Girme Kayb Metodu ile Filtre Tasarm 2.2.1 Butterworth cevab Butterworth filtre; genlik cevabnn mmkn olduu kadar dz olmasn salayan orta-Q filtresidir. Gei band en dz olan ve dalgalanmann hi olmad frekans cevab Butterworth ile elde edilir (C.Bowick,1982). Tipik frekans cevab ekil 2.15de yer alr. Butterworth filtresinin zayflamas:

A dB

= 10 log 1 + c

2n

(2.28)

= stenilen zayflama deerinin meydana geldii frekans c = Filtrenin kesim frekans ( 3dB)

18

n = Filtrenin eleman says Eer denklem (2.28) deiik eleman sayl yani farkl dereceli filtreler iin belli bir frekans aralnda gelitirilirse ekil 2.16daki grafik oluur.

ekil 2.15. Butterworth Cevab

ekil 2.16. Butterworth filtresinin zayflama karakteristii. 5 elemanl (5. dereceden) Butterworth filtresi 30dBlik zayflamaya, filtrenin kesim frekansnn iki kat frekansnda ular (Bk. ekil 2.16). Bu ekilde, frekans ekseni / / c ile normalize edilmi olduu ve grafiin kesim frekansndan (-3dB) balam olduu grlecektir.

19

rnek 2.2 Kesim frekans 100 MHz de olan ve 400 MHz de 50 dB lik zayflama yapan bir filtrenin tasarmnda ne kadar elemana ihtiya olduunu hesaplayn. zm 2.2 lk olarak / c oran yani f / fc bulunmal.
f 400 MHz = =4 f c 100 MHz

50 dB lik zayflamaya kesim frekansnn 4 katnda ular. ekil 2.16dan yardm alarak 4 elemanl bir devrenin istenilen zayflamay salayaca grlr. f / fcnin 3 olmas halinde 4 elemanl bir tasarm 49 dB lik zayflama yapar. Bu da bizim iin yeterlidir. 1 Ohm luk kaynak ve yk direnleri arasnda alan Butterworth filtrenin normalize eleman deerleri;
A k = 2Sin

(2k 1)
2n

, k = 1,2,..,n

(2.29)

n = Eleman says Ak = k.nnc eleman. Kapasite veya indktans olabilir.


( 2k 1) / 2n terimi radyan cinsindendir. Denklem (2.29)u kullanarak alak geiren

prototip iin Tablo 2.4 elde edebiliriz. 4 elemanl alak geiren prototip ekil 2.17de yer ald gibi olur. Bu eleman deerleri RS=RL olduu normalize empedanslara gre hesaplanmtr. Bu devrede, her kapasite deeri farad, her indktans deeri Henry cinsindendir. Daha sonra bu deerler istenilen frekans ve empedans aralna leklendirilebilir. Bu leklendirme ile eleman deerleri daha gereki olur.

20

ekil 2.17. 4-Elemanl Butterworth alak-geiren filtre prototipi 4.dereceden bu alak geiren filtre Matlab program ile analizi yaplacak olursa Tablo 2.3de yer alan program paras kullanlr. Ve bu program parasyla yaplan analizle ekil 2.18de yer alan iletim karakteristii ortaya kar. ekilden de grld gibi Tablo 2.3 rnek 2.2nin iletim karakteristiini veren Matlab program paras.

21

5 0 -5 Iletim Karakteristigi S21[dB] -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40

50

100

150 200 Frekans [MHz]

250

300

350

ekil 2.18. rnek 2.2deki 4.dereceden alak geiren filtrenin iletim karakteristii, S21(dB]. Tablo 2.4. Kaynak ve yk empedanslar eit olan Butterworth alak-geiren prototip eleman deerleri.

(a) Paralel kapasite ile balayan N 2 3 4 5 6 7 n C1 1.414 1.000 0.765 0.618 0.518 0.445 L1 L2 1.414 2.000 1.848 1.618 1.414 1.247 C2 1.000 1.848 2.000 1.932 1.802 L3 0.765 1.618 1.932 2.000 C4 C3 L4

(b) Seri indktans ile balayan C5 L6 C7

Butterworth alak-geiren filtre prototipleri.

0.618 1.414 1.802 L5 0.518 1.247 C6 0.445 L7

22

Bazen filtreleri, kaynak ve yk direncinin eit olmad durumda kullanmak zorunda olabiliriz (Bk. ekil 2.19). Bu durumda, devre 1 Ohmluk yk direncine gre normalize edilir. ekil 2.19deki durum iin yk ve kaynak direnci 10a blnr ve ekil 2.20daki normalize ama sonlandrma direnlerinin eit olmad devreyi elde ederiz.

ekil 2.19. Eit olmayan empedansla

ekil 2.20. Normalize edilmi empedansl

sonlandrlm devre. Tablo 2.5, farkl oranlardaki kaynak, yk direnleri (RS/RL) iin Butterworth alakgeiren prototip deerlerini ierir. rnek 2.3 n = 3 iin Butterworth cevabn kullanarak eit olmayan sonlandrmalar ile (Rs = 50 , RL = 125 ) alak-geiren prototip deerlerini bulun. zm 2.3 Yk direncini 1 Ohm normalize ederek kaynak direncini RL = 0,4 yaparz. Tablo 2.4den n=3 durumundaki alak geiren prototip deerleri RS/RL= 0,4 iin bulunur.(Bk. ekil 2.21).

ekil 2.21. rnek 2.2 deki alak-geiren filtre devresi. Elbette RS/RL nin her oran iin tablodan bir deer okuyamayz. Bu sorunu ortadan kaldrmak iin tasarmlarda en uygun olas kaynak, yk direnci oran seilmelidir.

23

Tablo 2.5 Butterworth alak-geiren prototip eleman deerleri.

(a) Paralel kapasite ile balayan N 2 Rg/Ry 1.111 1.250 1.429 1.667 3 0.900 0.700 0.500 0.400 4 1.111 1.250 1.667 2.000 N Rg/Ry C1 1.035 0.849 0.697 0.566 1.414 0.808 0.915 1.181 1.425 1.500 0.466 0.388 0.269 0.218 1.531 C1 L2 1.835 2.121 2.439 2.828 0.707 1.633 1.165 0.779 0.604 1.333 1.592 1.695 2.103 2.452 1.577 L2

(b) Seri indktans ile balayan C3 L4

Butterworth alak-geiren filtre prototipleri.

1.599 2.277 3.261 4.064 0.500 1.744 1.511 1.082 0.883 1.082 C3 1.469 1.811 2.613 3.187 0.383 L4

24

2.2.2

Chebyshev cevab

Chebyshev filtreleri bir eit yksek-Q filtreleridir. Bu filtreler; (1) sndrme bandnda dik ini istenildiinde, (2) gei bandnn dz olmasnn gerekli olmad durumlarda kullanlr. Bu filtre cevabnda gei band dalgalanmasna izin verilir. Butterworth cevabna oranla sndrme bandndaki balang inileri daha keskindir. Bu karlatrma ekil 2.22 de yer almaktadr. ekilde eriler n=3 derecesindeki filtreler iindir. Chebyshev filtresi gei bandnda 3 dBlik dalgalanma yapar. Butterworth filtresinden 10 dB kadar sndrme bandnda daha fazla zayflama yapar (C.Bowick,1982). Chebyshev filtresi iin zayflama;

A dB = 10 log 1 + 2 C n ()
2

(2.30)

C n () : Chebyshev polinomudur. () n. derece iin gelitirilir.


2

1 1 = cosh cosh 1 ; n

= 10 R dB / 10 1

(2.31)

f = f c

= 10 R dB / 10 1
RdB = dB cinsinden gei band dalgalanmasdr. Chebyshev polinomu ilk yedi derece iin Tablo 2.6de verilmitir. n = filtrenin derecesi = Denklem 2.32de tanmlanan parametre.
cosh 1 = parentez iindeki terimin ters hiperbolik cosinsdr.

(2.32)

Cosh = hiperbolik cosins

f = gzlenmek istenilen frekansn, kesim frekansna oran. f c

25

ekil 2.22. 3-elemanl Chebyshev ve Butterworth cevaplarnn karlatrlmas. Tablo 2.6. n.dereceden Chebyshev Polinomu. n
1 2 3 4 5 6 7

Chebyshev Polinomu 2 2 1 4 3 3 8 4 8 2 + 1 16 5 20 3 + 5 32 6 48 4 + 18 2 1 64 7 112 5 + 56 3 7

cosh, ayn zamanda u ekilde hesaplanabilir; cosh x = 0,5(e x + e x ) ve cosh 1 x = ln x x 2 1

Farkl dereceli filtreler ve 0.5dBlik gei band dalgalanmas iin Chebyshev cevap

f erisi ekil 2.23deki grafikte verilmektedir. Bu eri = 1 durumunda balar. f c


Dolaysyla bu ekillerde gei band dalgalanmas yer almaz.

26

ekil 2.23. 0.5dB gei band dalgalanmas olan Chebyshev filtre cevab. 0.1dB gei band dalgalanmas olan Chebyshev cevab iin alak geiren prototip eleman deerleri Tablo 2.7de yer almaktadr. rnek 2.4 N=3 ve 0,1 dBlik dalgalanma iin kaynak direnci 50 Ohm ve yk direnci 250 Ohm olan devreye Chebyshev filtresi yerletirilirse alak geiren prototip deerlerini bulun. zm 2.4 Kaynak ve yk direnlerini normalize edersek; RS/RL= 0,2 olur. 0,1 dBlik dalgalanma ile n=3 iin Tablo 2.7den devre ekil 2.24deki gibi olur.

ekil 2.24. rnek 2.4deki alak geiren prototipi.

27

Tablo 2.7 0.1dB gei band dalgalanmas olan Chebyshev alak geiren prototip eleman deerleri.

(a) Paralel kapasite ile balayan (b) Seri indktans ile balayan 0.1 dB dalgalanmal Chebyshev alak-geiren filtre prototipleri n 2 Rs/RL 1.355 1.667 2.000 3 1.000 0.600 0.200 4 1.355 1.667 2.000 C1 1.209 0.733 0.560 1.433 1.648 3.942 0.992 0.576 0.440 L2 1.638 2.489 3.054 1.594 1.017 0.317 2.148 2.730 3.227 1.433 2.603 7.850 1.585 1.185 0.967 1.341 2.243 2.856 C3 L4

2.2.3 Frekans ve empedans leklendirilmesi Alak geiren prototip deerlerinin hesaplanmasndan sonra, sra prototip devrenin tasarlanabilir devreye dntrlmesine gelir. Prototip devrenin kesim frekans 0.159 Hz (w = 1 rad/dk) dr ve prototip devre 1 Ohm luk kaynak ve yk direnleri arasna yerletirilmitir. Elemanlarn dnmleri formller ile yaplr:

C=

Cn 2f c R

(2.33)

28

ve

L=

RL n 2f c

(2.34)

C = son kapasite deeri L = son indktans deeri Cn = alak geiren prototip eleman deeri Ln = alak geiren prototip eleman deeri R = yk direnci deeri Fc = kesim frekans Alak geiren filtre tasarm u aamalar izlenerek gereklenir: 1. stenilen frekans deerinde ne kadar zayflama yapacan tanmlayn. 2. stenilen frekans kesim frekansna blerek normalize edin.
f =1 fc

3. Gei bandnda en fazla ne kadar dalgalanmaya izin verileceinizi tanmlayn 4. Tablodan alak-geiren prototip deerlerini bulun. 5. Son olarak tm elemanlar istenilen frekans ve empedans aralnda leklendirin. rnek 2.5 ekil 2.24deki (rnek 2.4de) alak geiren prototip deerlerini kesim frekans 50 MHz ve yk direnci 250 a leklendirin. zm 2.5 Denklem 2.33 ve 2.34 eleman deerlerini leklendirme iin kullanalm.
3,92 = 50.2 pF 2(50 x10 6 )(250) 7,95 = 100 pF 2(50 x10 6 )(250) ( 250)(0,317 ) = 252.3 nH 2(50 x10 6 )

C1 = C3 =

L2 =

29

ekil 2.25. rnek 2.5 deki alak geiren filtre devresi. rnek 2.6 Aadaki zellikleri salayacak alak-geiren filtreyi tasarlayn. fc = 50 MHz 150 MHzde 60 dBlik zayflama yapsn. Dalgalanma olmasn, Maximally-flat gei band olsun. Rs = 50 RL = 500

zm 2.6 Maximally-flat gei band olacana gre Butterworth cevabn tasarmda kullanlr. lk olarak her ey normalize edilerek balanlr.

RS 50 = = 0,1 R L 500
Daha sonra istenilen frekans kesim frekansna blerek devam edilir.

f 60dB 150 MHz = =3 f dB 50 MHz


ekil 2.16ya bakarak f/fc = 3 deeri iin en az 60 dB zayflamaya ulaan filtrenin en az 7 dereceli olmas gerektiini bulunur. Tablo 2.5den yararlanarak Butterworth alak-geiren prototip deerleri bulunur. (Bk. ekil 2.26)

. ekil 2.26. rnek 2.6daki alak geiren filtre prototipi.

30

Denklem 2.33 ve 2.34 kullanarak bu deerler leklendirilir.


C1 = L2 = 2,257 = 21 pF 2(35x10 6 )(500) (500)(0,067) = 152 nH 2(35x10 6 )

Benzer ekilde dier elemanlar da hesaplanr. C3 = 97 pF L4=323 nH RS = 50 C5 = 153 pF L6=414 nH RL = 500 C7 = 143 pF

ekil 2.27. rnek 2.6daki alak geiren filtre. 2.2.4 Yksek geiren filtre tasarm

Alak geiren filtre tasarmndan sonra yksek-geiren filtre tasarlamak olduka basit olur. rnein, 4 elemanl ve 0,5 dB dalgalanma yapan bir Chebyshev alakgeiren filtre f/fc = 4 deerinde 60 dB lik zayflama yapar (Bkz. 2.23). Alakgeiren yerine ayn boyutta ve tipte yksek-geiren filtre ile allyorsa, ekil 2.23 kullanlabilir. f/fc =1/4 (veya fc/f = 4) deerinde 4 elemanl 0,5 dB dalgalanma yapan Chebyshev yksek geiren filtresi yine 60 dBlik bir zayflama yapar. stenilen zellikler belirlenip, filtrenin derecesi bulunduktan sonra tablolardan alakgeiren prototip deerleri kaydedilir. Bundan sonra alak-geiren prototip deerlerinden yksek-geiren deerleri elde edilir (Bkz. ekil 2.28). Her eleman kendi zttn daki elemana eittir. rnein L1 eleman ekil 2.28.a daki 1/C1e eittir. Ayn ekilde C2 = 1/L2 ve L3=1/C3 e eittir.

31

(a) Alak geiren prototip devresi.

(b)Edeer yksek geiren prototip devresi.

ekil 2.28. Alak geiren filtreden yksek geiren filtreye dnm. Bu dnm yksek-geiren filtre karakteristik alak geiren karakteristiinin tam zttdr. ekil 2.28de yer alan 3.dereceden kesim frekans 100 MHz olan yksek geiren filtrenin Matlab program Tablo 2.8de yer almaktadr. Ve bu filtrenin iletim karakteristii ise ekil 2.29da verildii gibi olur.
5 0 -5 Iletim Karakteristigi S21[dB] -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40

50

100

150 200 Frekans [MHz]

250

300

350

ekil 2.29. ekil 2.28de yer alan yksek geiren filtrenin iletim karakteristii.

32

Tablo 2.8 ekil 2.27deki Yksek geiren filtrenin Matlab program paras.

rnek 2.7 fc = 100 MHz olan ve 50 MHzde 40 dBlik zayflama yapacak olan Lc yksekgeiren filtreyi tasarlayn. Kaynak ve yk direnleri 300dur. Gei band dalgalanmas ise 0.5 dBdir. zm 2.7
50 MHz f = = 0,5 f c 100 MHz

Yani; fc / f = 2dir.

33

imdi ise, fc / f = 2 orannda 40 dBlik zayflama yapabilecek alak-geiren filtre seilir. ekil 2.23e bakarak n=5 dereceden Chebyshev filtresinin bu zellikleri salayaca bulunur. n = 5 iin denklem (2.31) ve (2.32)nin yardmyla eleman deerleri hesaplanr. Normalize alak-geiren filtre devresi ekil 2.30.a da gsterilmektedir. Daha sonra alak-geiren devreyi yksek-geirene dntrlr. Dnmde her indktans kapasiteyle her kapasite de indktans ile yer deitir (Bkz. ekil 2.30.b). Denklem 2.33 ve 2.34 kullanlarak frekans ve empedans leklendirilmesi yaplr. Ortaya ekil 2.30.c deki devre kar.

(a) Normalize alak geiren filtre.

(b) Yksek geiren dnm.

(c) Frekans ve empedans leklendirilmesi. ekil 2.30. rnek 2.7deki yksek geiren filtre tasarm. 2.2.5 Band geiren filtre tasarm Alak geiren prototip devreleri ve frekans cevap erileri band geiren filtre tasarmnda da kullanlabilir. Bu dnm yksek geiren durumda olduu gibi ayn yolla yaplr. ekil 2.31de alak geirenden band geirene dnm band genilikleri yer almaktadr. Grld zere alak-geiren tasarmdan band geiren tasarma yaplan dnmde zayflama band genilikleri ayn kalr. Yani, 3 dB lik

34

kesim frekans veya 2 KHz band genilii olan alak-geiren filtre, yine 3 dB lik, band genilii 2 KHzde olan bir band geiren filtreye dntrlr. Eer alakgeiren devre cevab 30 dB lik zayflamay 4 KHz lik band geniliinde (f/fc = 2) olursa, band geiren devre cevab da 4 KHz lik band genilii ile 30 dB zayflama yapar. Yani;
BW f = BWc f c

(2.35)

BW = istenilen zayflama deerindeki band genilii BWc = band geiren filtrenin 3 dBlik band genilii

(a) Alak geiren prototip karakteristii.

(b) Band geiren prototip karakteristii.

ekil 2.31. Alak geirenden band geirene dnm.

35

ekil 2.32. Tipik band geiren filtre. ekil 2.32de verildii gibi bazen frekans deerlerinde gerekli zayflama deerleri verilir. Bu durumda, denklem (2.35) ihtiyalar karlayan zelliklere dntrlr. rnek olarak ekil 2.32 ele alnrsa, burada verilen deerlerin band genilikleri oranna evirmeliyiz. ncelikle f3 bulunmal. Band geiren filtrenin merkez frekans; f0 = fafb (2.36)

fa ve fb, biri gei bandnn zerinde dieri de altnda olmak zere herhangi iki frekans deeridir. Bu iki deer ayn zayflamaya sahiptir. Bu durumda ekil 2.32 iin merkez frekans;

f o = (45)(75) MHz
f o = 58.1 MHz Denklem 2.36y f3l bulmak iin kullanabiliriz. 58,1 = f 3 (125) f 3 = 27 MHz Denklem 2.35den; 36

Bw 40dB 125 MHz 27 MHz = Bw 3dB 75 MHz 45 MHz Bw 40dB = 3,27 Bw 3dB
Bu oran bulunduktan sonra, f/fc=3,27 deerinde 40 dBlik zayflama yapan filtrenin bulunmasna sra gelir. stenilen zellikleri salayan filtrenin alak-geiren prototip deerlerinden band geiren filtreye dnm yaplr. Alak-geiren prototip deerlerindeki her paralel eleman, paralel rezonans devresine ve her seri eleman da seri-rezonans devresine evrilir (Bkz. ekil 2.33).

ekil 2.33. Alak geiren filtreden yksek geiren filtreye dnm. Tasarmn son aamasnda dntrlen filtreye frekans ve empedans

leklendirilmesi yaplr. Paralel rezonans kollar iin;

C= L=

Cn 2RB RB 2f 0 L n
2

(2.37) (2.38)

Seri-rezonans kollar iin;

C= L=

B 2f 0 C n R RL n 2B
2

(2.39) (2.40)

37

R = son yk direnci, B = 3 dBlik band genilii f0 = Geometrik merkez frekans Ln = Band geiren iin normalize indktans deeri Cn = Band geiren iin normalize kapasite deeri Ksaca band geiren filtre tasarm aamalar yazacak olursak; 1. Denklem 2.35i kullanarak band geiren ihtiyalarn alak-geiren ihtiyalarna evirin. 2. Alak-geiren zayflama erisini kullanarak filtrenin eidini ve derecesini bulun. 3. Alak-geiren prototip deerlerini bulun. 4. Alak-geiren devreyi band geirene dntrn. 5. 2.37den 2.40a kadar olan denklemleri kullanarak empedans ve frekans leklendirmesini yapn. 2.2.6 Band sndren filtre tasarm

Band sndren filtre tasarm band geiren tasarma ok benzer. Bu filtrede ekil 2.34de grld gibi belli bir frekans araln sndrmesi istenir. nce band sndren iin istenilen zellikleri alak geiren zayflama erisi cinsinden yazlr. Denklem 2.34n tersini alarak gereklenebilir. ekil 2.34deki eriyi kullanarak;

38

ekil 2.34. Tipik band sndren filtre karakteristii.

Bw c f 4 f1 = Bw f 3 f 2
Bylece BWC/BW veya fC/f oran ile alak-geiren prototip devrenin eleman says bulunur. Ardndan da alak geiren devre band sndrene evrilir. Bu dnm, alak sndren prototipteki her paralel eleman, paralel seri-rezonans devresine, her seri eleman da geri paralel rezonans devresine evirerek yaplr. (Bk. ekil 2.35). Dikkat edilirse evrilen her deer ayn normalize deere sahiptir.

ekil 2.35. Alak geiren filtreden band-sndren filtreye dnm. Alak geiren prototipten band sndrene evrilen devreye frekans ve empedans leklendirilmesi yaplr. Her seri-rezonans devresi iin;

C= L=

Cn 2RB RB 2f 0 L n
2

(2.41) (2.42)

Her paralel-rezonans devresi iin;

C= L=

B 2 2f 0 C n R RL n 2B

(2.43) (2.44)

39

Formlleri kullanlr. B = 3 dBlik band genilii R = Yk direnci fo = Geometrik merkez frekans Cn = Band sndren iin normalize kapasite deeri Ln = Band sndren iin normalize indktans deeri rnek 2.8 Aada zelikleri salayan band geiren filtreyi tasarlayn. fo = 75 MHz, BW3dB=10 MHz, BW45dB = 50 MHz, Gei band dalgalanmas = 0.5 dB, RS=50 Ohm, RL = 100 Ohm zm 2.8 Denklem 2.35i kullanarak;

Bw 45dB 50 = =5 Bw 3dB 10
ekil 2.25deki 0.5 dBlik dalgalanma yapan Chebyshev cevabn kullanarak f / fc = 5 deeri iin 3 elemanl bir devre kullanlaca bulunur. Denklem (2.31) ve (2.32)den n = 3 iin RS/RL= 0,5 deerindeki alak geiren prototip deerleri bulunur. Bylece ekil 2.36.a daki alak-geiren prototip devresi bulunur. Bu devre ekil 2.36.b deki band geiren prototip devresine dntrlr. 2.37dan 2.40a kadar olan denklemleri kullanarak ekil 2.36.c deki devre bulunur. Denklem 2.37 ve 2.38 kullanlarak;
C1 = 4,431 = 1007 pF 2(7 x10 6 )(100)

L1 =

(100)(7 x10 6 ) = 4,47 nH 2(75x10 6 )(4.431)

Denklem 2.39 ve 2.40 ile;

40

C2 =
L1 =

7 x10 6 = 2.4 pF 2(7 x10 6 ) 2 (0.817)100


(100)(0.817) = 1.8 H 2(7 x10 6 )

Benzer olarak; C3 = 504 pF L3 = 8.93 nH olarak bulunur.

(a) Alak geiren filtre prototipi.

(b) Band geiren filtre dnm.

(c) Frekans ve empedans leklendirilmesi yaplan sonu devresi. ekil 2.36. rnek 2.8 deki band geiren filtre tasarm. rnek 2.8de yer alan merkez frekans 75 MHz olan band geiren filtrenin iletim karakteristiini veren Matlab program paras Tablo 2.9da yer almaktadr. ekil 2.37de ise bu band geiren filtrenin iletim karakteristii yer almaktadr.

41

Tablo 2.9. ekil 2.36daki band geiren filtrenin Matlab program paras.

ekil 2.37. rnek 2.8de yer alan band geiren filtrenin iletim karakteristii,S21(dB).

42

rnek 2.9 Merkez frekans 1.5 GHz olan 3.dereceden bir band sndren filtrenin iletim karakteristiini bulun. zm 2.9 nce 3.derece alak geiren prototip devreden band sndrene devreye evrilir. Daha sonra da frekans ve empedans leklendirilmesi yaplr. Seri-rezonans devresi iin denklem (2.41) ve (2.42) kullanlr. Paralel-rezonans devresi iin (2.43) ve (2.44) denklemleri kullanlr. ekil 2.38deki 3.dereceden band sndren filtre devresi ortaya kar.

ekil 2.38. rnek 2.9 daki 3.dereceden band sndren filtre. ekil 2.38deki band sndren devrenin iletim karakteristiini bulmak zere Tablo 2.10da yer alan Matlab program paras kullanlr. . ekil 2.39da ise bu band sndren filtrenin iletim karakteristii yer almaktadr.

43

Tablo 2.10 rnek 2.9daki band sndren filtrenin frekans cevabn veren program.

-10 Iletim Karakteristigi S21[dB]

-20

-30

-40

-50

-60

500

1000

1500 Frekans [MHz]

2000

2500

3000

ekil 2.39. rnek 2.9un iletim karakteristii, S21(dB) 44

BLM 3. MKROERT LETM HATLARI ve SREKSZLKLER 3.1. Mikroerit letim Hatt ekil 3.1de dz bir mikroerit hattn yaps gsterilmektedir. W genilikli iletken erit (mikroerit hat) , bal dielektrik sabiti r ve ykseklii h olan bir dielektrik malzeme zerine yerletirilmitir. Dielektrik malzemenin taban yzeyi tamamen iletken tabaka ile kapldr. Bu ekilde oluturulan hatta dalga, klavuzlanarak ilerler. Karakteristik empedans hesab; Mikroeritlerin iletim hatt karakteristikleri iki parametre ile gsterilir. Bu parametreler; bal dielektrik sabiti r ve karakteristik empedans Z0 parametreleri ile tanmlanr.

ekil 3.1. Dz mikroerit hat 1.)Mikroerit hattn geometrik lleri belli iken karakteristik empedans (D.Pozar,1990);
60 8h W ln + W / h 1 e W 4h Z0 = 120 W / h 1 e [W / h + 1,393 + 0,667 ln( W / h + 1,444)]

(3.1)

e =

r + 1 r 1 1 + 2 2 1 + 12(h / W )

(3.2)

2.) Karakteristik empedans Z0 ve dielektrik katsays r si belli olan bir mikroerit hattn; W/h oran;
8e A W/h < 2 2A e 2 W/h = 2 B 1 ln(2B 1) + r 1 ln(B 1) + 0,39 0.61 W / h > 2 2 r r

(3.3)

A= B=

Z0 60

r + 1 r 1 0,11 0,23 + + r +1 r 2

377 2.Z c r

3.2 Sreksizlikler Mikrodalga devre tasarmnda, birok deiik tipte iletim hatt sreksizliklerine ihtiya duyulmaktadr. Bu sreksizlikler ulalmak istenen elektriksel fonksiyonu elde edebilmek iin devreye bilerek yerletirilir. rnein mikroerit filtre tasarlamak iin kullanlan mikroerit dallar gibi. Her iletim hatt sreksizlii bir edeer devre modeline sahiptir. Bu edeer devre modeli hattn sreksizlik ekline bal olarak, bazen paralel ve seri elemanlardan, bazen de T veya -edeer devre elemanlarndan oluur. Bu elemanlarn deerleri; sreksizliin ve hattn parametreleri ile alma frekansna dayanr. Edeer devre modeli bilinen bir sreksizliin analizi, klasik devre analiz yntemleri ile kolaylkla yaplabilir (J. Hang, M. Lancaster, 2001). Bu blmn amac, iletim hatt sreksizliklerinin edeer devre modelinin nasl karlabileceinin gsterilmesidir. Tipik mikroerit sreksizlikleri ve onlarn edeer devre modeli dnmleri u ekildedir:

46

Mikroerit sreksizlikler ile genelde pratik filtre tasarmnda karlalmaktadr. Basamak, ak-sonlu, ke, boluk ve birlemeler (junction) bunlardan bazlardr. Genellikle, sreksizlik etkileri tam-dalga elektromanyetik (EM) simlasyonlar ile modellenir ve bu modelleme filtre dizaynlarnda kullanlr. Bu sreksizliklerin edeer devre modellerinin kapal-form ifadeleri uygun olduu srece kullanldr. Bu ifadeler birok devre analiz programnda kullanlmaktadr. 3.2.1 Basamak yap 1. Durum W1>W2 iken Simetrik basamaklar iin edeer devre kapasite ve indktanslar ekil 3.2 de verilmitir.

ekil 3.2. Basamak mikroerit hattn edeer devre modeli Yaklak formlasyonu; C=0,00137.h. e1 W 2 1 Z 01 W1 e1 + 0,3 W1 h + 0,264 0,258 W h + 0,8 1 e1 (pF) (3.4)

Formlde yer alan e1; bal dielektrik katsays r nin W1 genilikli dielektrik iindeki deeridir. Z01 ve Z02 ise W1ve W2 genilikli mikroerit hattn karakteristik empedans deeridir (J. Hang, M. Lancaster, 2001). Daha nce anlatlm olan dz mikroerit hattn empedans deerinin karlmas (3.1) denklemiyle verilmiti.

L1 =

L W1 .L L W1 + L W 2

L2 =

L W2 .L L W1 + L W2
47

L Wi = Z Ci

ei c
e1 e2
2

Z L =0,000987.h. 1 c1 Z c2

(nH)

(3.5)

Edeer devre modeli karlan ve eleman deerleri hesaplanan bu model artk kolaylkla analiz edilebilir. Devrenin S21 karakteristik fonksiyonu ekil 3.3 de verilmitir.

ekil 3.3 W1>W2 durumlu basamak hattnn S21 karakteristii. 2. Durum W1 < W2 iken Ayn malzeme zerinde bulunan farkl karakteristik empedanslara sahip iki iletim hattnn birleme noktasnda, basamak sreksizliinden sz edilebilir. Bu tip sreksizlik genelde filtre tasarmlarnda ve empedans uydurma devrelerinde ortaya kar. ekil 3.4 de yer alan simetrik basama ele alalm. Burada, yksek

48

karakteristik empedansl Z01 hatt, dk empedansl Z02 hatt ile birleiyor. ekil 3.4.de de grld zere basamak yaps merkez erit hattna gre simetriktir. Basamak evresinde bir gei blgesi bulunur. Bu blgede bir hattan dierine akm ak gzlenir ve bu blgenin uzunluu dalga boyundan daha ksadr. Bu gei etkisi seri indktans LS ile modellenir. Elektrik alan basamak kelerine ulatnda sapma yapar ve gei blgesinde szma elektrik alanlarn oluturur. Bu blgede oluan fazla yk, paralel kapasite CS ile modellenir. Sonu olarak edeer devre modeli ortaya kar ve ekil 3.4 de yer ald gibi gsterilir. W1 < W2 durumlu basamak yapsnn analizi yaplacak olursa hattn iletim karakteristii (S21) frekansa gre izildiinde ekil 3.6daki gibi olur. Thomson ve Gopinath; mikroerit sreksizlik indktansnn hesab iin bir metot tanmlamt (Thomson, Gopinath, 1978). Buna gre; Basamak indktans; L S = 0,2xL W1 h ile tanmlanr. W1 geniliindeki ince eridin birim uzunluundaki indktans; (3.6)

L W1 =

Z 01 e1 c

(H/m) (3.7)

C S = 0,22xC W 2 h W2 geniliindeki geni hattn birim uzunluundaki kapasite deeri;

CW2 =

e2 Z 02 .c

Seri koldaki indktans deeri basamak indktans deerinin yars kadardr. L = LS/2

49

ekil 3.4. W1<W2 durumlu basamak hat ve edeer devre modeli.

ekil 3.5. l kadar ksaltlan mikroerit basamak hatt. Mikroerit basamak yapsndaki szma kapasitesi birok deiik yoldan

gereklenebilir. Bu gerekleme, hattn teorik dizaynndaki ile pratik dizaynndaki empedans deerinin R2 dzleminde ayn olmasn salamak zere yaplr. Edeer devre modelinde yer alan kapasite, erit hatta daha dk empedans deeri ile gereklenir. Bu da hattn bu noktasnn daha geni bir erit hatla modellenecei anlamna gelir. Yani ince hattan kaln hatta bir gei sz konusudur ki bu hatlarn birleme noktas uygulamada teorikteki noktasndan farkl olur. Szma etkilerinin olmad, ideal hatlarn kullanld durumda birleme noktas R2 dzlemi olarak hesaplanr. Ancak pratik dizaynnda bu birleme noktas R2 dzleminde deildir. R2 dzleminden l kadar uzaktaki R1 dzleminde olur. Bu da geni hattn uzunluunun l kadar ksalaca ve R2 noktasndaki empedansn deiecei anlamna gelir.

W l = 1 1 l ad W 2

W2>W1

(3.8)

50

Burada lad, W2 genilikli hattn ak-devre sonlandrlma durumundaki dzeltme faktrdr. Kolaylkla ak-sonlu mikroerit hat yapsnda kullanlan formller ile hesaplanabilir. Sreksizlik kapasitesi veya indktans duran dalga olayndan kaynaklanan maksimum voltaj veya minimum voltajn etkisiyle olur. Buradan yola karak maksimum voltajda kapasite deerini karlayan edeer uzunluk;
C S c.Z 02 = .C S C e2

l C =

(3.9)

Bu dzeltme terimi ile artk R2 dzleminde teorikte hesaplanan empedans deeri ile pratikteki empedans deeri ayn olur. Bunu salamak zere; Geni hat lC uzunluu kadar ksaltlmaldr. Minimum voltajda indktans deerini karlayan edeer uzunluk;
l L = LS c = .L S L Z 01 e1

(3.10)

Bu dar mikroerit hattn sreksizlik indktansn karlayan uzunluktur. Yani; Dar hat lL kadar ksaltlmaldr.

51

W1=1mm

ekil 3.6. W1<W2 durumlu basamak hattn S21 karakteristii. 3.2.2 Ak-sonlu yap Ak olarak sonlandrlan bir mikroerit iletim hatt genellikle empedans uydurma devrelerinde veya filtre yaplarnda kullanlr. Bu devreler ksa-devre yaplara gre gerekletirmeleri ok daha kolaydr. Pratikte uygun bir ak devre, iletim hattnn ak olarak sonlandrlmas ile gereklenir. deal alan ekli ak-devre olarak sonlandrlan hatta bozulma gsterir. nk W geniliindeki mikroerit hattn ak sonunda, dalga tamamen yaylmay durdurmaz. Bir miktar dalga szma yapar. Mikroerit hattn yapsndaki toprak tabakasna doru hattn ak-sonundan szma elektrik alanlar yaylr. Bu szma olay, edeer devre modelinde, paralel kapasite Cp ile modellenebilir. Bu kapasite fazladan depolanan ykn etkisiyle artan elektrostatik enerjiyi ifade eder. ekil 3.7 de hat sonunda modellenen bu szma kapasitesi Cp, iletim hattnda l kadarlk bir uzamaya edeer olur. Edeer uzunluk ile modelleme filtre tasarmlarnda daha elverili bir yntemdir. ki edeer parametre arasndaki iliki yle hesaplanabilir:

52

Kaypsz ak sonlu hattn giri empedans; Z in = jZ 0 cot ( l ) Esas uzunluk ll olduuna gre szma kapasitesi empedans;

Z in =

1 ise jC p

l =

1 arctan(Z 0 C p )

= e ( c ) (3.11)

l =

c.Z 0 .C p e

c: boluktaki k hz.

l 1 . 3 . 5 = h 4

(3.12)

1 = 0,434907.

e e

0 ,81 0 ,81

+ 0,26( W / h ) 0,8544 + 0,236 0,189( W / h ) 0,8544 + 0,87

(W h ) = 1+

0 , 371

2,3 r + 1

3 = 1 +

0,5274. tan 1 0,0084( W / h )1,9413 / 2 e


0 , 9236

4 = 1 + 0,037. tan 1 0,067( W / h )1, 456 {6 5 exp[0,036(1 r ]} 5 = 1 0,218 exp(7.5W / h )

ekil 3.7. Ak-sonlu mikroerit yapnn edeer devre modeli

53

0,01W/h100 ve r128 aralndaki deerler iin ak-sonlu hat formlleri 0,2% dorulua sahiptir. 3.2.3 Boluk yap Mikroerit hatlardaki boluk yaps, bant-geiren filtrelerdeki rezonatrler arasnda kuplaj eleman olarak kullanlabilir. Bu eit kuplajlama mekanizmas, ok fazla kuplajlamann gerekli olduu durumlarda az tercih edilen bir yntemdir. Bir mikroerit boluk ekil 3.8 de gsterildii gibi -edeer devresi ile modellenir. Edeer devre kapasitelerinin teorik deerleri, boluk yapsnn ift ve tek mod kapasiteleri ele alnarak bulunur.(Bkz. ekil 3.9) Eer boluk ayn genilikteki hatlar arasnda yer alyorsa; paralel kapasitelerin deerleri eit olur. Farkl genilikteki hatlar arasnda yer alrsa kapasite deerleri birbirlerinden farkl olur. Boluk mesafesi ok fazla olursa, Cp kapasitelerinin deerleri ak-sonlu mikroerit sreksizlikteki kapasite deerlerine eit olur. Cg kapasitesinin deeri ise sfr olur. Bu olayn tersini dnecek olursak, eer aradaki boluk ok dar olursa Cp kapasitesinin deeri sfr olur. Cg nin deeri ise boluk daraldka artar. a) Eit geniliklerdeki mikroerit hattaki boluk;

ekil 3.8. Boluk mikroerit hattn edeer devre modeli

54

(a) ift mod

(b) tek mod

ekil 3.9. Boluk yapl mikroerit hattaki mod gsterimi ekilde de grlen paralel ve seri kapasite deerleri u formllerin yardmyla hesaplanr. Cp=0,5.Ce Cg=0,5C0-0,25Ce (3.13) (3.14)

Edeer devre kapasitelerinin deerleri ift ve tek mod (even-odd mode) kapasite deerleri ile hesaplanr.
0 ,8 mo

C0 s (pF / m) = r W 9,6 W
0,9

exp(k o )
me

(3.15)

Ce s (pf / m) = 12. r W 9,6 W

exp(k e )

(3.16)

mo =

W [0,619 log(W / h ) 0,3853] h k 0 = 4,26 1,453 log(W / h )


0 ,12

m e = 0,8675 W k e = 2,043 h
0,1 s/W 0,3 aral iin

me =

1,565 1 ( W / h ) 0,16
0,03 W/h

0,3 s/W 1,0 aral iin

k e = 1,97

55

Yukardaki formller 0,5 W/h 2 ve 2,5 r 15 aralnda 7% dorulua sahiptirler. Bu yapnn iletim karakteristii karlmak istenirse ekil 3.10deki eri elde edilir.

ekil 3.10. Eit genilikli fakl mesfedeki boluklu mikroerit yapdaki iletim

karakteristii. b) Farkl geniliklerdeki mikroerit hatlarda boluk(S. Jahn , 2005) Eer mikroerit bir hatta yer alan boluk, farkl kalnlklara sahip eritlerde yer alyorsa edeer devre modeli ekil 3.11 ve 3.12de verildii gibidir.

ekil 3.11. W1 ve W2 kalnlklarndaki iki hat arasndaki boluun edeer devre

modeli 56

ekil 3.12. W1 ve W2 kalnlkl mikroerit hat

h W2 s C S [pF] = 500.h. exp(1,86 ).Q1 .1 + 4,191 exp 0,785 W1 W1 h C p1 = C1 . Q2 + Q3 Q2 +1 C p2 = C 2 . Q2 + Q4 Q2 + 1

(3.17)

(3.18)

Q5 0,03 + W1 (0,272 + 0,07. r ) Q1 = 0,04598 h

W s Q 2 = 0,107 1 + 9 h h

3, 23

s + 2,09 h

1, 05

1,5 + 0,3W1 / h 1 + 0,6W1 / h

1, 35 0,5978 W 2 0,55 Q 3 = exp W 1 1, 35 0,5978 W 1 0,55 Q 4 = exp W 2

Q5 =

1 + 0,12(W2 W1 1)

1,23

0,9

Yukardaki formllerde yer alan C1 ve C2 kapasite deerleri; ak-sonlu mikroerit hattn kapasite deerleridir. Formller; 0,1 W1/h 3

57

0,1 W2/h 3 1 W2/W1 3 6 r 13 0,2 s/h 0,2 GHz f 18 GHz aralnda kapasitif admintans deerlerinin saysal hatalar 0,1ms den azdr.
3.2.4 Ke yap

Ke mikroerit yaplar, ynl kuprler gibi belli bir elektriksel uzunluk iin iki hatt daha yakn hale getirebilmenin nemli olduu durumlarda sklkla kullanlrlar. ekil 3.13ada sa-dnl bir mikroerit keyi ele alalm. T ve T dzlemleri arasndaki ke aadaki gibi T-edeer devre modeliyle gsterilir. Burada L; akm ve depolanan manyetik enerjiyi tanmlarken, C ise yk ve depolanan elektrik enerjiyi tanmlar. Ke yaplar tek biimde balanan hatlardaki akm ve voltaj dalm etkilerler.

T-edeer devresi ayn zamanda karakteristik empedans

LC

olan ksa

uzunluktaki hattn edeer devresini de verir. Mikroerit kesinde, iki referans dzlemi arasnda kalan blge Lk indktansna ve Ck kapasitesine sahiptir. Tam kedeki ek kapasitenin etkisinden dolay, karakteristik empedans deeri tek biimde balanan hattnkinden dk olur. Bu mikroerit ke noktasnn ya az indktans deerine ya da fazla kapasite deerine sahip olduunu gsterir. Bu ke noktasndaki ve hat zerindeki empedans farkll hatta yansmalara neden olur.

Z0 =

L C

Z 0k =

Lk Ck

Mikroerit devrelerin hem retilmelerinin kolay olmas hem de pasif ve aktif elemanlarla kolay uyum salamasndan dolay birok deiik tipte mikrodalga devrelerin gereklenmesinde kullanlr. Mikroerit devrelerde yer alan sreksizlik

58

yaplarndan kaynaklanan devre performans azalmas gzlenir. Basamak veya ke gibi mikroerit yaplarndaki sreksizlik parazitik diren retir. Bu da genlik ve faz hatasna, giri ve k empedans uyumsuzluuna ve suni kuplaja neden olabilir. Bu tip etkileri elimine edebilmek iin ilk yaklam, sreksizliin edeer devre modelinin karlmasdr. Bu edeer devre modelinde sreksizlik etkilerini yok edebilecek devre parametreleri eklenir. (hat uzunluu, karakteristik empedans deiimi gibi.) Dier bir yaklam ise erit iletkenin sreksizlik etkisini minimize etmek zere sreksizlik yaps zerinde hat kalnlnn krplmasdr. Bu yansmalar azaltmak amacyla ke indktansnn deeri arttrlabilir veya ke kapasitesinin deeri azaltlabilir. Ke indktansnn deerini arttrmak iin mikroerit keye ince bir yark alabilir.(Bkz. ekil 3.13b.) Ama bu uygulamada ok tercih edilen bir yntem deildir. Bunun yerine tam ke noktasndaki keskin dn krplabilir, bylece kapasite deeri azaltlm olunur.

(a)

(b)

(c)

ekil 3.13. (a) mikroerit ke hat yaps. (b) krplm mikroerit hat yaps.(c) her

iki hat iin edeer devre modeli. Edeer devre modelinde yer alan Lk ve Ck eleman deerleri ekil 3.13.a daki mikroerit ke hat yaps iin ; (14 r + 12,5) W / h (1,83 r 2,25) 0,02 r W/h < 1 iin + W/h W h Ck (pF / m) = W W/h 1 iin (9,5 r + 1,25) W / h + 5,2 r + 7,0

(3.19)

59

W Lk (nH / m) = 1004 4,21 h h

(3.20)

Kapasite deeri doruluu 2,5 r 15 ve 0,1 W/h 5 aralklarnda 5% dir. ndktans deeri doruluu ise 0,5 W/h2,0 aralna 3% dir. Lk ve Ck eleman deerleri ekil 3.13.b deki mikroerit krplm ke hat yaps iin;
W C[ pF] = W. 3.93. r + 0.62 + (7.6 r + 3.80 ) h
0.947 1 + 1.062 exp 0.177 W L[nH] = 440.h. h

(3.21)

(3.22)

Formller 0,2<W/h<6,0 aral ile 2,36<r<10,4 ve f14 GHz aralklarnda doruluk salar.

60

BLM 4. MKRODALGA FLTRELER ve MKROERT FLTRE TASARIMI 4.1. Mikrodalga Filtreleri Mikrodalga filtre bir tip iki kl devredir. Bu devre frekans cevabn kontrol etmek iin kullanlr. Tipik frekans cevaplar; alak geiren, yksek geiren, bant geiren ve bant sndren karakteristiklere sahiptir (D. Pozar, 1990). Herhangi bir mikrodalga haberlemesinde, radarlarda, test veya lm sistemlerinde eitli uygulamalar vardr. Filtre teorisi ve dizaynna, periyodik yaplarn frekans karakteristikleri ile balanabilir. Bu yaplar iletim hattnn veya dalga klavuzunun reaktif elemanlar ile periyodik olarak yklenmesiyle oluurlar. Filtre dizaynnda iki tip metot vardr. Bunlardan ilki salma parametreleri metodudur. Bu metot; kaskat olarak yerletirilmi iki kl filtre paralarndan olumaktadr. Bu paralar istenilen zayflama karakteristiini ve kesim frekansn vermek zere dzenlenir. Bu filtre dizayn yntemi kolay olmasna ramen istenilen sonucu elde edebilmek iin ok sayda iterasyona ihtiya duyulur. Dolaysyla bu metot ok fazla tercih edilmez. (Bkz. Blm 2) Daha modern bir yntem olan ikinci metot araya girme (ekleme) kayb metodudur. Bu dizayn yntemi alak geiren filtre prototipini kullanarak balar. Bu prototip empedans ve frekans terimleri normalize edilir ve bylece tasarm daha da kolaylar. Daha sonra prototip dizayn istenilen frekans aralna ve empedans dzeyine dntrlr. (Bkz. Blm 2) Salma parametreleri ve araya girme kayb metotlarnn her ikisi de toplu eleman devrelerine dayanmaktadr. Mikrodalga uygulamalar iin bu tip dizaynlar, iletim

hatt paralarnda ayrk elemanlar yaklamna uygun olarak dnm yaplmaldr. Richard Dnm ve Kuroda tanmlamas bu aama iin kullanlacaktr. 4.2. Periyodik Yaplar Reaktif elemanlar ile periyodik olarak ykl sonsuz bir iletim hatt ekil 4.1 de yer almaktadr. Bu periyodik yaplar iletim hatt ortamna gre ok deiik ekilde olabilirler. Genellikle ykleme elemanlar hatta sreksizlik olarak ekillenirler. Her durumda bunlar iletim hatt boyunca (lumped) toplu direnler olarak modellenebilir. (Bkz. ekil 4.1). Periyodik yaplar yava-dalgalar (yksz hattn faz hzndan yava) destekler. Bu yaplar filtre yaplarndaki gibi gei ve sndrme band karakteristiklerine sahiptirler. Faz kaydrclar, anten gibi alanlarda uygulamalar vardr.

ekil 4.1. Sonsuz periyodik ykl iletim hattnn edeer modeli. Yksz hat Z0 karakteristik empedans ve k yaylma sabitine sahiptir. 4.2.1. Sonsuz Periyodik Yaplarn Analizi lk olarak ekil 4.2 deki ykl sonsuz hattn iletim karakteristiini ele alarak balayalm. Bu hattn her birim hcresi iletim hattnn d uzunluundaki parasdr. Bu da hattn orta noktasnda paralel suseptans olarak gsterilir. Suseptans b, Z0 karakteristik empedansna normalize edilir. Eer sonsuz hatt iki portlu kaskat devre olarak dnecek olursak voltaj ve akma bal n. ci hcre olarak ABCD matrisi;

Vin A I = C in

B Vn +1 , D I n +1

(4.1)

62

A,B,C ve D; d/2 uzunluklu kaskat iletim hatt paras, b paralel suseptans ve dier d/2 uzunluklu iletim hatt parasnn matris parametreleridir. cos j sin A B 2 2 1 C D = j sin cos jb 2 2 cos 0 2 1 j sin 2 j sin 2 cos 2

b b b j sin + cos cos 2 2 sin 2 2 2 2 2 , = b b b cos sin j sin + cos 2 2 2 2 2 2 2

(4.2)

k yksz hattn yaylma sabitidir ve =kd dir. Karlkl devreler (reciprocal) iin AD-BC=1 dir. +z dorultusunda yaylan herhangi bir dalga iin,

V(z) = V(0)e z , I(z) = I(0)e z ,

(4.3)

Yap sonsuz uzun olduu srece, n.ci ykteki voltaj ve akm n+1.ci ykteki voltaj ve akmdan e-d yaylma faktr kadar farkllk gsterir. Bylece,

Vn +1 = Vn e d , I n +1 = I n e d ,
Denklem (4.1) kullanarak;
Vn A I = C n B Vn +1 Vn +1e d = , veya D I n +1 I n +1e d

(4.4)

(4.5)

A e d B Vn +1 = 0. D e d I n +1 C

Yukardaki matrisin determinant sfr olmal, AD+e2d-(A+D)ed-BC=0. (4.6)

63

AD-BC=1 olduu srece, 1+e e2d-(A+D)e ed-BC=0, ed+ed=A+D,


cosh d = A+D b = cos sin , 2 2

(4.7)

Eer = + j ise,
b cosh d = cosh d cos d + j sinh d sin d = cos sin . 2

(4.8)

Denklem (4.8) n sa taraf reeldir. Yani veya =0 olmal. 1.Durum; =0 , 0. Bu durumunda dalga periyodik yapda zayflamadan yaylr ve yapnn gei bandn tanmlar. Bylece (4.8) denklemi,
b cos d = cos sin , 2

(4.9a)

Eer denklemin sa yannn genlii 1 veya 1den azsa iin yukardaki denklem zlebilir. Bu koulu salayan sonsuz sayda deeri vardr. 2.Durum; 0 , =0,. Bu durumda dalga ilerlemez, ama hat boyunca dalga zayflar. Bu yapnn sndrme bandn tanmlar. nk bu hat kaypszdr ve g kayb olmaz. Ama dalga birinci pota geri yansr.
b cosh d = cos sin 1, 2

(4.9.b)

Pozitif ynde ilerleyen dalga iin (>0) , negatif ynde ilerleyen dalga iin (<0) olmak zere tek zm vardr. Eer denklem (4.8)de = olarak alrsak cos-(b/2)sin-1 elde edilir. Bu durumda hat zerindeki /2 uzaklndaki toplu yklerin hepsi =0 durumda olduu gibi giri empedansnn ayn olmasn salar.

64

Bylece, frekans ve normalize suseptans deerlerine bal olarak, periyodik olarak yklenen hat, gei veya sndrme bandn gsterir. Yani bu yap bir tip filtre olarak dnlebilir. Denklem (4.3) ve (4.4)de verilen voltaj ve akm dalga deerlerinin yalnzca birim hcrelerin yklerinde lld zaman doru olduuna dikkat etmek nemlidir. Periyodik olarak yklenen hatlarn dalga yaylma sabitlerinin yannda bu dalgalarn karakteristik empedanslarnn da incelenmesi gereklidir. Birim hcre yklerinde karakteristik empedans V n+1 ve I n+1 normalize deerler olduu srece yle tanmlanr;

ZB = Z0

Vn +1 , I n +1

(4.10)

Denklem (4.5)den, (A-ed)Vn+1+BIn+1=0, (4.10) denklemi u ekli alr;

ZB =

BZ 0 . A e d

(4.6) denkleminden ed A ve D terimleri ile zlrse,

e d =

(A + D ) (A + D )2 4
2

Z = B

2BZ 0 AD

(A + D )2 4

(4.11)

Simetrik birim hcreler iin (Bkz. ekil 4.1) her zaman A=D dir. Bu durumda, BZ 0 A2 1

Z = B

(4.12)

65

zm pozitif ve negatif ynde ilerleyen dalgalarn karakteristik empedanslar iin uygundur. Simetrik devreler iin bu empedanslar iareti dnda ayndrlar. Negatif ynde ilerleyen dalga iin karakteristik empedans da negatif olur. nk ekil 4.1de de grld zere In her zaman pozitif ynde tanmlanr. (4.2) denkleminden Bnin imajiner olduunu gryoruz. Eer =0 , 0 (gei band) ise (4.7) denklemi coshd=A1 (simetrik devreler iin) olduunu gsterir.

4.2.2 Sonlu Periyodik Yaplar ZL yk empedans ile sonlandrlp ksaltlan periyodik yaplar ele alalm. (Bkz. ekil 4.2).

ekil 4.2. Normalize ZL yk ile sonlu periyodik yap. Ardk birim hcrelerin sonlarnda, gelen ve yansyan voltaj ve akmlar devrenin gei bandna altn farz ederek u eklide yazlabilir;
Vn = V0+ e jnd + V0 e jnd ,

(4.13)

In = I e

+ 0

jnd

+I e

jnd

V0+ jnd V0 jnd , = + e + e ZB ZB

Sadece sonlu yaplar ile alld bu durumda denklem (4.3)de yer alan z, jnd terimi ile yer deiir.

66

Bu durumda n.ci hcredeki gelen ve yansyan voltaj bantlar;

Vn+ = V0+ e jnd , Vn = V0 e jnd ,


Denklem (4.13) ise,

(4.14)

Vn = Vn+ + Vn , In = Vn+ Vn + , Z+ Z B B (4.15)

n=N olduu ykte,

V+ V + VN = VN + VN = Z L I L = Z L N + N Z+ Z B B
ykteki yansma katsays,
VN ZL / Z+ 1 B = + = . VN ZL / Z 1 B

(4.16)

(4.17)

Eer birim hcre devresi simetrik ise (A=D), Z + = Z = Z B olur. Bu da; B B

ZL ZB . ZL + ZB

(4.18)

denklemini karr. Sonlu periyodik yapda yansmadan kanmak iin, ZL=ZB alnmaldr. Bu tanmlama kaypsz yapda gei bandnda geerlidir. Eer gerekli ise periyodik ykl hat ile yk arasna eyrek-dalga dntrcs yerletirilebilir.
4.3. k- Diyagramlar ve Dalga Hzlar

Periyodik yapnn gei ve sndrme band karakteristikleri zerinde alld zaman, yaylama sabiti nn, yksz hattn yaylma sabiti k (veya w) gre izdirilmesi yaral olacaktr. Bu tip bir grafie k- veya Brillouin diyagram denir (L.

67

Brillouinnin periyodik kristal yaplardaki dalga yaylm zerine almalarndan sonra elde edilmitir). k- diyagram (4.9.a) denkleminden izdirilebilir. Bu denklem genel periyodik yaplarn dispersiyon (dalma) bantsdr. Aslnda, k- diyagram birok tipteki mikrodalga paralarnn ve iletim hatlarnn dispersiyon karakteristikleri iin kullanlabilir (D. Pozar, 1990). rnein, dalga klavuzu modu iin:

2 = k 2 k c , Veya 2 k = 2 + k c ,

(4.19)

elde edilir. kc modun kesim dalga numaras iken k da serbest uzaydaki dalga numarasdr. Ve da modun yaylma sabitidir. ekil 4.3 de denklem (4.19) bants k- diyagram olarak izilmitir. k<kc durumda nn gerel bir zm yoktur. Bu durumda mod yaylmaz. k>kc iin mod yaylr ve nn byk deerleri iin k ya yaklar. (TEM yaylmas)

ekil 4.3. Dalga klavuzu iin k- diyagram.

k- diyagram ayn zamanda dalm yaplarn deiik dalga hzlarn aklamada da kullanlrlar. Faz hz; vp = k =c , (4.20)

68

Grup hz ; vg = d dk =c , d d (4.21)

alma noktasnda k- erisinin eimidir. Yaylan dalga klavuzu modunun faz hz kesim blgesinde sonsuzdur ve kesim blgesinin zerinde k arttka c ye (k hzna) yaklar. Grup hz ise kesim blgesinde sfr olur ve bu blgenin altnda k arttka c ye yaklar. Periyodik yaplar ile ilgili almamz kapasitif ykl hatla yaplan bir rnek ile tamamlayalm.
rnek 4.1

Periyodik kapasitif ykl bir hatt ele alalm. (Bk. ekil 4.4). Eer Z0=50, d=1.0 cm ve C0=2.666 pF ise k- diyagramn izin ve yaylma sabitini, faz hzn ve f=3.0 GHz de Bloch empedans deerlerini hesaplayn. k=k0 olduunu varsayalm.

ekil 4.4. Kapasitif ykl hat. zm 4.1

(4.9a) daki dispersiyon bantsn yeniden yazalm; C Z c cos d = cos k 0 d 0 0 k 0 d sin k 0 d. 2d

C 0 Z 0 c (2.666 10 12 )(50)(3 10 8 ) = = 2.0, 2d 2(0.01)


yani u denkleme ularz; cos d = cos k 0 d 2k 0 d sin k 0 d. Bu noktada yukardaki denklemin sa-tarafnn saysallatrlmas en doru yoldur. Sa-tarafn bykl 1 veya 1den az olduunda gei bandna sahip oluruz ve

69

iin denklem zlebilir. Dier durumda ise sndrme bandna sahip oluruz. Hesaplamalar ilk gei bandnn 0k0d 0.96 aralnda olduunu gsterir. Sin(k0d) teriminin k0d= de deiesiye kadar ikinci gei band balamaz. Sonsuz sayda gei band mmkndr fakat k0d arttka gei bantlar daralr. ekil 4.5 ilk iki gei band iin k- diyagram gsterilmektedir. 3.0 GHz de k 0d = 2(3 10 9 ) (0.01) = 0.6283 = 36 0 , 8 3 10

d=1.5 dir ve yaylma sabiti =150rad/m olur. Faz hz ise,


vp = k 0 c 0.6283 = c = 0.42c, 1 .5

olur. Yani faz hz, k hzndan azdr bu da bu yapnn yava-dalga yaps olduunu gsterir. Bloch empedans deerini bulmak iin denklem (4.2) ve (4.12) kullanrsak;

b C 0 Z 0 = = 1.256, 2 2
= k 0 d = 36 0 ,

b A = cos sin = 0.0707, 2 b b B = j sin + cos = j0.3479. elde edilir. Buradan da; 2 2

ZB =

BZ 0 A2 1

( j0.3479)(50) j 1 (0.0707 )
2

= 17.4 .

70

ekil 4.5. rnek 4.1in k- diyagram. 4.4. Mikroerit Filtre Tasarm 4.4.1. Alak Geiren Mikroerit Filtre Tasarm

5. blmde klasik filtre tasarm yntemleri kullanlarak L, C devre elemanlar ile tasarm yapld. Bu yntemlerle tasarlanan filtreler ancak alak frekanslarda alabilirler. Mikrodalga frekanslarnda alamazlar. Onlarn alma frekanslarn mikrodalga seviyesine ekmek iin birtakm dnmler yaplarak iletim hatt ile gerekleme yaplmaldr. Bu amala L ve C devre elemanlar ile tasarlanan filtre yaplar, iletim hatt yapsna dntrlr. Bu elemanlar iletim hattna Richard Dnm kullanarak evirebilir. Ayn zamanda, dnm iin Kuroda Tanmlamalarna ihtiya duyulur. Kuroda tanmlamalar ile filtre paralar tasarmda kullanlan iletim hatt paralarndan ayrlrlar. Filtre paralarn ayrmak iin kullanlan bu hat paralar filtrenin karakteristii zerinde bir etkisi yoktur. Richard Dnm; Dnm ile dzlemi dzlemine dner. Ve filtre karakteristii periyodunda tekrar eder.

= 2 vp

71

= tan = tan v p

(4.22)

Bu dnm ile ak- ve ksa- devre iletim hatlar kullanarak L,C devreleri gereklenir. Eer y ile deitirirsek indktif reaktans yle yazlabilir. jXL = jL = jLtanl Kapasitif suseptans ise jBC = j C = jCtanl (4.23.b) (4.23.a)

Bu denklemler, indktansn l uzunluunda ve L karakteristik empedansndaki hatla ifade edilebileceini gsterir. Ayn ekilde kapasite de l uzunluunda ama 1/C karakteristik empedansnda hat parasyla ifade edilir. 5.Blmde verildii zere alak-geiren filtre prototipinin kesim frekans 1 idi. Richard Dnmnde bunu salamak zere; = 1 = tanl dir. L ve C yi ifade eden hat paralarnn uzunluklar = / 8 olmaldr. Buradaki , c kesim frekansndaki iletim hattnda yaylan dalgann boyudur. 0=2 c frekansnda hat /4 uzunluunda olur ve bir zayflama kutbu meydana getirir. c kesim frekansnn zerinde hat paralarnn empedanslar orijinal L,C eleman empedanslar olmazlar. Dolaysyla filtre cevab istenilen prototip cevabndan farkllk gsterir. Bu yaplarla oluan filtrenin frekans karakteristii 4 c lik periyotlarla devamllk gsterir.

72

ekil 9.34de yer ald gibi L,C prototip eleman deerleri ksa- ve ak- devre hat paralaryla gereklenir.

(a)

(b) ekil 4.6. Richard Dnm (P.I. Richards, 1948) (a) indktansn ksa-devre hata

(b) kapasitenin ak- devre hata dnm Kuroda Tanmlamalar; letim hat paralarn fiziksel olarak ayrmak Seri hat paralarn paralele, paralelleri seriye dntrmek Fiziksel olarak gereklenemeyen karakteristik empedanslar gereklenebilir duruma getirmek in kullanlr.

Z2 1 1 Z1 2 n 2 Z 1 2 Z2 n n Z2
letim hattna eklenen ek iletim hatlar birim elemanlar olarak tanmlanrlar. Bunlar c de /8 uzunluunda olup L ve C elemanlarn ifade ederler. Tablo 4.1 de Kuroda nn drt tanmlamas zetlenmektedir. Bu tabloda yer alan her kutu birim eleman veya iletim hattn temsil eder.

73

Tablo 4.1 4 Kuroda Tanmlamas. n 2 Z 2

(a)

(b)

(c)

(d)

n 2 = 1 + Z 2 Z1 Tablo 4.1.a da yer alan iki devre ABCD matrisi ile yle tanmlanr; cos jZ1 sin A B 1 C D = j sin cos = Z 1 + 2 1 ( = tan ) ekil 4.7 deki ilk devrede yer alan ak-devre hat paras jZ 2 cot = jZ 2 / empedansna sahiptir. Toplam devrenin ABCD matrisi; 1 j Z1 jZ1 1

(4.24)

74

A C

1 B = j D L Z2
1

0 1 jZ1 1 j 1 1 1 + 2 Z1
jZ1 2 Z1 1 Z2

1 = 1 1 1 + 2 j + Z 1 Z2

(4.25.a)

ekil 4.7 de ikinci devrenin empedans j(Z1 / n 2 ) tan = j(Z1 / n 2 ) ise ABCD matrisi;
A C 1 B = D R jn 2 Z 2 j Z 2 n2 jZ1 1 1 n2 2 1 0 1 1 + j ( Z1 + Z 2 ) 2 n 2 Z1 1 Z2

1 1 = 2 j n 2 1+ Z 2

(4.25.b)

Denklem (4.25). a ve b n 2 = 1 + Z 2 / Z1 durumu iin geerlidir.

ekil 4.7. Tablo4.1deki Kuroda Tanmlamalarnn (b) kknn edeer devresi. 4.4.1.1 Paralel Dallar ile Mikroerit Alak Geiren Filtre Tasarm

Kesim frekans 1 GHz olan 3.dereceden bir alak geiren filtre paralel dallar ile yle gereklenir.

75

Filtre 50 luk giri hattna yerletirilir ve Butterworth filtre prototipi kullanlrsa, ekil 4.8deki alak geiren prototip devre elde edilir.

ekil 4.8. 3.dereceden alak geiren filtre prototipi.

Daha nceden bahsedildii zere L eleman sonu ksa-devre dalla, C eleman ise sonu ak-devre dalla gereklenir. ekil 1deki devrede seri L eleman seri ksa-devre dalla, paralel C eleman paralel ak-devre dalla dntrlr. (Bkz. ekil 2.)

Kesim frekansnda l=/8

ekil 4.9. Richard Dnmn kullanarak indktans ve kapasitelerin seri ve paralel

dallara evrilmesi. Denklem 4.23e gre seri daln (indktans) karakteristik empedans L, paralel daln (kapasite) karakteristik empedans 1/C deerindedir. Dallarn uzunluu ise c kesim frekansnda hatta yaylan dalgann boyunun 1/8i dir. ( = / 8 ). ekil 4.9 da yer alan seri dallar mikroerit olarak gerekletirmek olduka zordur. Bunun yerine Kuroda Tanmlamalarn kullanarak seri dal- paralel dala dntrlr. Ve bylece oluan yapnn mikroerit formu gerekletirilir.

76

Kesim frekansnda l=/8


ekil 4.10 Filtrenin her iki ucuna birim elemanlarn yerletirilmesi.

ncelikle ekil 4.10.da yer ald gibi filtrenin her iki ucuna birim elemanlar eklenir. Eklenen bu elemanlarn empedanslar kaynak ve yk empedanslarna eit olduu srece (Z0=1) filtrenin performansn etkilemez. Bu noktada Tablo 4.1.b de yer alan Kuroda Tanmlamas filtreye uygulanr. (Bkz. ekil 4.11)

Kesim frekansnda l=/8


ekil 4.11 Tablo 4.1deki Kuroda tanmlamas bnin devreye uygulanmas.

n2 = 1+

Z2 1 = 1+ = 2 1 Z1

Oluan ekil 4.11deki devre empedans ve frekans leklendirmesi yaplarak mikroerit yapya geilir. 50 ile normalize edilen yap, sonu devresini elde etmek zere 50 ile arplr. Tm dal uzunluklar ve dallar arasndaki uzunluklar 1 GHz de /8 uzunluundadr. (Bkz. ekil 4.12) Mikroerit yap olarak grnm ekil 4.13 de yer almaktadr. Bu yap 3D-FDTD hcrelerinde tanmlanp zamanda domeninde filtrenin frekans karakteristiini [S21] elde etmek zere simlasyonu yapld. (Bkz. ekil 4.14)

77

ekil 4.12 Empedans ve frekans leklendirilmesi.

ekil 4.13 Mikroerit paralel dallarla oluturulan 3.dereceden alak geiren filtre.

ekil 4.14 Sonu ak devre paralel mikroerit dallarla yaplan filtrenin FDTD tabanl

MS-STRIP program ile analizi.

78

Hem toplu elemanl filtre hem de mikroerit filtre tasarm yapabilen Matlab tabanl bir program paketi hazrland. Bu program ile kullanc, girdi olarak filtre zelliklerini ve tasarlamak istedii filtre tipini seer. ekil 4.15 de yer alan program penceresinden de grld gibi menlerden rahatlkla tasarlanmak istenilen filtre tipi seilebilir. Bu filtrenin hangi zelliklere sahip olaca ve fitlenin ne eit bir mikroerit yapda gereklenecei yine kullanc tarafndan tanmlanr (Bkz. ekil 4.15). kt olarak ise LC devre eleman deerleri, mikroerit yap boyutlar ve filtre karakteristii elde eder. ekil 4.15de bu programn alak geiren filtre iin sonular verilmektedir.

ekil 4.15 Matlab tabanl hazrlanan program ile alak geiren filtre analizi.

79

4.4.1.2 Mikroerit basamak yaps ile alak geiren filtre tasarm

Alak geiren filtreleri mikroerit yapda gereklemek bu metotla olduka kolaydr. Mikroerit hat ok alak ve ok yksek empedanslar oluturacak ekilde gereklenir. Yksek ve dk empedans paralarn kullanarak alak geiren filtre u ekilde tasarlanr: Tasarmda ncelikle elde edilecek olan filtrenin hangi karakteristii vermesi istenildii belirlenmelidir. Bu zellikleri salayacak olan alak geiren prototip devre tasarlanr. Daha sonra da oluan bu devreye frekans ve empedans leklendirmesi yaplr. En son adm da ise oluan prototip devre mikroerit yapya dntrlr. (Bkz. ekil 4.16)

ekil 4.16 Alak geiren filtre tasarm aamalar.

Butterworth filtre yaklamn kullanarak kesim frekans 1 GHz olan 3. dereceden bir alak geiren filtreyi mikroerit basamak yaps ile u ekilde tasarlanr: Tasarmda bal dielektrik katsays 2.5 ve dielektrik ykseklii 3mm olan dielektrik tabaka kullanld gz nne alnacak. Butterworth yaklam ile 5. blmde anlatlan 3. derecen alak geiren filtre iin prototip eleman deerleri elde edilir. (Bkz. ekil 4.17)

80

ekil 4.17 3.dereceden Butterworth yaklam kullanlan alak geiren filtre

prototipi. (g(1)= 1, g(2)=2 , g(3)=1, ,g(N) (N= filtre derecesi) prototip eleman deerleridir.) Giri empedans 50 olan prototipi karlan bu devre artk frekans ve empedans leklendirmesi yaplmaldr. Bu amala; Z0 =50 olan karakteristik empedansla beslenen hat ile;

Lk =

g(k ).Z 0 ,H

Ck =

g (k ) ,F Z 0

k=1,..,N

N= filtrenin derecesi.

Devre eleman deerleri hesaplanr. Frekans ve leklendirmesi yaplan devre ekil 4.18da yer almaktadr.

ekil 4.18 Frekans ve empedans leklendirmesi yaplan devre.

ekil 4.18de oluan bu devre artk mikroerit yapya evrilebilir. Bu dnm iin yksek ve dk empedansl hat paralar kullanlr. ok dk empedansl hat paras kapasiteyi ok yksek empedansl hat paras ise indktans ifade eder. Bir yksek empedansl (L) hat paras -edeer devre modeli ile gsterilir. (Bkz. ekil 4.19) Bu hat parasnn uzunluu; 81

H =

L H sin 1 Z 2 H

(4.26)

le bulunur. H = yksek empedansl mikroerit hatta yaylan dalgann boyu; ZH= yksek empedansl hattn karakteristik empedans; ekil 4.19 daki paralel kapasiteler;

CL =

1 tan (F) Z H H

(4.27)

le tanmlanr.

ekil 4.19 Yksek empedansl hattn -edeer devre modeli.

Ayn yol ile dk empedansl mikroerit hattn uzunluu hesaplanabilir. Fakat burada dk empedansl hat T-edeer devresi ile modellenir. (Bkz. ekil 4.20) Hat uzunluu yle tanmlanr:

L =

L sin 1 (CZ L ) 2

(4.28)

L = dk empedansl mikroerit hatta yaylan dalgann boyu; ZL= dk empedansl hattn karakteristik empedans; T-edeer devresindeki iki seri indktans elemann deeri;

LC =

ZL tan (H) L

(4.29)

82

ekil 4.20 Dksek empedansl hattn T-edeer devre modeli.

Burada yer alan CL ve LC elemanlar dzeltme terimleri olup mikroerit hattn toplamnda daha yaklak sonu vermek zere kullanlrlar. Dzeltme terimleri ile beraber devre ekil 4.21 deki gibi olur.

ekil 4.21 Yksek ve dk empedansl hatlarn T-ve -edeer devreleri ile filtre.

ekil 4.21 de yer alan LC ve CL deerleri devrenin indktans (L) ve kapasite (C) deerlerinde bir azalma yaparlar. L1 = L1 - LC C2 = C2-CL-CL L3 = L3 LC Yeni elde edilen L ve C deerleri ile hat uzunluklar yeniden hesaplanarak iterasyon bitirilir. Yeniden hesaplanan son mikroerit hat uzunluklar;

1 = 8.25mm 2 = 35.12mm
3 = 8.25mm

W=9 mm W1=W3=1mm W2=25 mm 83

3.dereceden alak geiren mikroerit yap ekil 4.22 de yer almaktadr.

ekil 4.22 Basamak mikroerit yapsyla oluan 3.dereceden alak geiren filtre.

Daha yksek dereceli bir filtre rnek olarak verilecek olursa Butterworth yaklam ile 1.3 GHz kesim frekansna sahip, 2 GHz frekansnda 40 dBlik bastrma salayabilecek filtre tasarlanabilir. Bu alak geiren mikroerit filtre 11. dereceden olur. (S. Gndz, G. akr, D. Dibeki, L. Sevgi, URS 2004) Basamak mikroerit yaps ile; yaplan tasarmda oluan mikroerit yaps ekil 4.23de, yapnn boyutlar da Tablo 4.2de yer almaktadr.
Tablo 4.2 11.dereceden alak geiren filtrenin mikroerit yap boyutlar.

W 9.52

W1 3.17

W2 25.4

L 22.60

L1 3.30

L2 10.14

L3 17.80

L4 19.70

L5 25.47

L6 22.67

(mm)

ekil 4.23 11.dereceden basamak mikroerit yapsyla tasarlanan alak geiren filtre.

84

Mikroerit basamak yapsyla gereklenen bu filtre hem 3D-FDTDde tanmlanp analizi hem de pratik gereklemesi yaplp lm alnmtr. ekil 4.24de bu iki analiz sonucunun uyum iinde olduu grlmektedir.

ekil 4.24 11.dereceden basamak mikroerit yapsyla gereklenen alak geiren

filtrenin FDTD analizi ve lm sonucu.


4.4.2. Yksek geiren mikroerit filtre tasarm

Yksek geiren prototip filtre yaps 2.Blmde bahsedilmiti. Yksek geiren filtre tasarm iin alak geiren filtre prototipi kullanlr. Yksek geiren filtrenin hangi karakteristii verecei karar verildikten sonra filtre alak geiren prototip yardm ile tasarlanr. Daha sonra uygun dnm metotlar kullanlarak yksek geiren karakteristii verecek ekilde filtre yksek geirene evrilir. (Bkz. Blm 5) 3.dereceden 1GHz kesim frekans olan yksek geiren bir filtre u ekilde tasarlanabilir: Tasarmda Butterworth yaklam kullanlrsa alak geiren filtre prototipi ve bu devrenin yksek geiren prototipi elde edilir. (Bkz. ekil 4.25)

85

(a) alak geiren prototip

(b) yksek geiren prototip

ekil 4.25 Alak geiren filtreden yksek geiren filtreye dnm.

ekil 4.25den da grld zere alak geiren devre, yksek geiren zelliini salamas iin devre elemanlarnn karlkl yer deitirmesi gerekmektedir. Ayn mantk mikroerit yapnn oluumunda da kullanlacaktr. Alak geiren filtre /8 uzunluundaki paralel ak-sonlu dallar ile gereklenmiti. Bu yap yksek geiren zelliini salamak zere indktans zellii veren (L) hatlar kapasite zellii (C) veren hatlara, benzer ekilde kapasite zellii veren hatlar da indktans zellii veren hatlara evrilmelidir. Bu evrim paralel ak-sonlu hatlarn ksa-devre sonlu hatlara evrilmesi ile salanabilir. (Bkz. ekil 4.26) Bylece 3.dereceden yksek geiren filtre tasarlanr. Yksek geiren bu filtre yaps FDTD uzaynda tanmlanp analizi yapldnda filtrenin frekans karakteristii [S21] ekil 4.27deki gibi olur.

ekil 4.26. 3.dereceden yksek geiren filtrenin ksa-devre sonlu paralel mikroerit

dallar ile tasarm.

86

ekil 4.27. Sonu ksa devre paralel mikroerit hatlarla yaplan yksek geiren

filtrenin FDTD analizi. ekil 4.28de zellikleri belirlenen yksek geiren bir filtre iin Matlab tabanl hazrlanan programda tasarm ve analiz sonucu yer almaktadr.

ekil 4.28. 3.dereceden yksek geiren filtrenin mikroerit yap boyutlar, eleman

deerleri ve frekans karakteristii.

87

6.4.3. Band sndren mikroerit filtre tasarm

2. blmde L, C elemanlar kullanarak band sndren filtre tasarmndan bahsedilmiti. Mikroerit yapnn paralel ve seri rezonans devresi gibi davranmasn salayarak band sndren filtre mikroerit hatlarla tasarlanabilir. Bu tasarmda eyrek-dalga (quarter-wave) ak-sonlu iletim hatt dallar

kullanlacaktr. (Bkz. ekil 4.29) Ak devre sonlu paralel iletim hatt /4 uzunluunda seri rezonans devresi gibi davranr. (Bkz. ekil 4.30)

ekil 4.29 Paralel iletim hatt rezonatrleri ile band sndren filtre

Merkez frekansnda l=/4


ekil 4.30 Ak-devre sonlu paralel iletim hattnn seri rezonans edeer devre

modeli. Band sndren filtre yapsnda bulunan paralel rezonans devresi ise paralel akdevre sonlu dallar arasnda bulunan eyrek-dalga rezonatrleri ile elde edilir. Bu rezonatrler ile seri rezonans devresi- paralel rezonans devresine paralel rezonans

88

devresi de seri-rezonans devresine evrilir. Paralel dallar ve bunlar arasndaki iletim hatlar merkez frekansnda /4 boyundadr. 3.dereceden merkez frekans 2 GHz Butterworth yaklam ile tasarlanan filtre mikroerit yapya u ekilde evrilir: ekil 4.31de yer alan prototip eleman deerlerinden paralel dallarn empedanslar hesaplanr.

ekil 4.31 3.dereceden band sndren filtre prototipi.


Z 0n = = 4Z 0 g (n )

n=1,N

3db lik band genisligi f0

f0 = filtrenin merkez frekans. N= filtrenin derecesi. Bylelikle her daln karakteristik empedans hesaplanr. Bu karakteristik empedanslara sahip hatlar mikroerit olarak gereklenir ve filtre ekil 4.32deki olur.

ekil 4.32 /4 rezonatrler ile tasarlanan 3.dereceden band sndren mikroerit filtre.

89

eyrek dalga rezonatrler ile gereklenen bu band sndren filtre yaps 3D-FDTD uzaynda frekans karakteristiini [S21] elde etmek zere tanmlanp analizi yapldnda ekil 4.33deki eriler elde edilir.

ekil 4.33 3.dereceden band sndren mikroerit filtre yapsnn FDTD analizi.

Band sndren, hem LC hem de mikroerit filtre tasarm yapan program grnts ekil 4.34de yer almaktadr.

ekil 4.34. 3.dereceden band sndren filtre tasarm yapan program ekran.

90

6.4.4. Band geiren mikroerit filtre tasarm

Band sndren mikroerit filtre tasarmnda olduu gibi bu filtre yapsn da paralel ve seri rezonans devreleri gibi alan mikroerit hatlarla tasarlanabilir. Yine tasarmda eyrek-dalga (quarter-wave) rezonatrler kullanlr. Ama bu rezonatrler band geiren filtre iin ksa-devre sonlu olurlar. (Bkz. ekil 4.35) Ksadevre sonlu paralel iletim hatt /4 uzunluunda paralel rezonans devresi gibi davranr. (Bkz. ekil 4.36)

ekil 4.35 Sonu ksa devre paralel iletim hatlarn kullanlarak tasarlanan band

geiren filtre.

Merkez frekansnda l=/4


ekil 4.36 Ksa-devre sonlu paralel iletim hattnn paralel rezonans edeer devre

modeli. Band geiren filtrenin yapsndaki seri rezonans devreleri ise paralel ksa-devre sonlu dallar arasnda bulunan eyrek-dalga rezonatrleri ile elde edilir. Bylece paralel rezonans devresi- seri rezonans devresine seri rezonans devresi de paralel-rezonans

91

devresine evrilir. Paralel dallar ve bunlar arasndaki iletim hatlar merkez frekansnda /4 boyundadr. Merkez frekans 2 GHz Butterworth yaklam ile tasarlanan 3.dereceden band geiren filtre mikroerit yapya u aamalarla evrilir: ekil 4.37de yer alan prototip eleman deerlerinden paralel dallarn empedanslar hesaplanr.

ekil 4.37 3.dereceden band geiren filtre prototipi.


Z 0 4g (n )

Z 0n = =

n=1,N

3db lik band genisligi f0

f0 = filtrenin merkez frekans. N= filtrenin derecesi. Karakteristik empedanslar hesaplanan iletim hatlar mikroerit olarak gereklenir ve filtre ekil 4.38deki olur.

ekil 4.38 3.dereceden band geiren mikroerit filtre yaps.

92

Band geiren mikroerit filtre yaps 3D-FDTD uzaynda frekans karakteristiini [S21] elde etmek zere tanmlanp analizi yapldnda ekil 4.39daki eriler elde edilir.

ekil 4.39 3.dereceden band geiren filtrenin FDTD analizi.

Hem LC devre elemanlar ile hem de mikroerit yap ile band sndren filtre tasarm yapan program ekran ekil 4.40da yer almaktadr.

ekil 4.40. 3.dereceden band geiren filtre tasarm yapan program ekran.

93

BLM 5. ANALZ

FDTD YNTEM ile MKROERT HATLI DEVRELERN

5.1. 3D-FDTD Yntemi Saysal yntemler; karmak yaplarda elektromanyetik problemlerin zmnde analitik yntemlerin yetersiz kalmas ve bilgisayar teknolojisinin gelimesiyle, aratrmaclar tarafndan daha sk kullanlmaya balanmtr. zellikle mikroerit yaplarn analitik zmlerinin karmak ve baz yaplarda yetersiz kalmas sebebiyle, analiz ve tasarm aamalarnda saysal yntemlerin kullanlmas zorunluluk haline gelmitir. Mikroerit yaplarn modellemesinde kullanlan gl zaman ve frekans domeni teknikleri mevcuttur. Bunlardan FDTD (Finite Difference Time Domain) yntemi 4.blmde oluturulan mikroerit yaplarn analizinde kullanlmtr. Literatrde ksaca (FDTD) olarak bilinen Zamanda Sonlu Farklar Yntemi, ingilizce ( Finite Difference Time Domain ) kelimelerinin ksaltlmdr. lk kez 1966 ylnda ortaya atlmasndan bu yana FDTD, hemen her trl elektromanyetik problem zmlerinde kullanlan bir yntem olmutur (Yee, 1966). boyutlu (3D) problemlerde uzaydaki ayrklatrma, ekil 5.1 de gsterildii gibi Yee tarafndan nerilen birim hcre kullanlarak gerekletirilmektedir.

ekil 5.1. 3D Yee Birim Hcresi Yee birim hcresi 3D-FDTD iin kullanldnda, elektrik ve manyetik alanlarn bileenleri iteratif denklemlerle ele alnr. Kaypl bir ortamda; H 0 = E .E t E = H t

(5.1a)

(5.1b)

Buradaki ilk iki Maxwell denklemi (rotasyonel denklemleri) ayrklatrldnda, n; zaman adm ve (i, j, k) da, srasyla (x, y, z) deki konum admlar olmak zere alan bileenleri

n H n (i, j, k ) = H x 1 (i, j, k ) x

t E n (i, j, k ) E n (i, j, k 1) y y 0 z

] ]
(5.2a)

t + E n (i, j, k ) E n (i, j 1, k ) z z 0 y

95

H n (i, j, k ) = H n 1 (i, j, k ) y y

t E n (i, j, k ) E n (i, j 1, k ) z z 0 x

]
(5.2b)

t + E n (i, j, k ) E n (i, j, k 1) x x 0 z

]
]

n n H z (i, j, k ) = H z 1 (i, j, k )

t E n (i, j, k ) E n (i, j 1, k ) x x 0 y

t + E n (i, j, k ) E n (i 1, j, k ) y y 0 x

]
]

(5.2c)

E n (i, j, k ) = x

2 t n 1 2t E x (i, j, k ) H n (i, j, k ) H n (i, j, k 1) x y 2 + t (2 + t ).z + 2t H n (i, j, k ) H n (i, j 1, k ) z z (2 + t ).y

]
]

(5.2d )

E n (i, j, k ) = y

2 t n 1 2t E y (i, j, k ) H n (i, j, k ) H n (i 1, j, k ) z z 2 + t (2 + t ).x + 2 t H n (i, j, k ) H n (i, j, k 1) x x (2 + t ).z

(5.2e)

E n (i, j, k ) = z

2 t n 1 2t E z (i, j, k ) H n (i, j, k ) H n (i, j 1, k ) x x 2 + t (2 + t ).y + 2t H n (i, j, k ) H n (i 1, j, k ) y y (2 + t ).x

]
(5.2f )

~ Burada n ve n aralarnda yarm adm fark olan zaman admlarn gsterir, yani ~ n =n+1/2 dir. Uzayn bir noktasndaki manyetik alan bileeni ayn noktada bir

nceki kendi deerine ve dier eksenlerdeki komu elektrik alan deerlerine baldr. rnein Hx bileeni kendisinin zamanda bir nceki deeri ile kendisine komu olan Ey ve Ez deerlerine baldr. Bu durumda, hibir bileeni bulmak iin o bileenin verildii noktadaki dier bileenlere gerek duyulmamaktadr. ekil 5.1 deki hcre yaps incelendiinde u noktalarn alt izilebilir:

96

1. Her hcrede elektrik ve manyetik alan bileeni vardr; hcre numaras (i, j, k) olarak adlandrlmaktadr. 2. (i, j, k) hcresinde, rnein elektrik alann x- bileeni Ex(i, j, k) ve manyetik alann y- bileeni Hy(i, j, k) ayn indislerle belirtilmelerine karn hcre ierisindeki konumlar farkldr. Elektrik alan bileenleri hcrenin soldaki kenarn ortalarnda, manyetik alan bileenleri ise soldaki yzey ortalarnda tanmldr. 3. Elektrik ve manyetik alan bileenleri hcre ierisinde farkl konumda olmalarnn yan sra arasnda zamanda da t / 2 kadar fark vardr. Yani t=0, t, 2t, anlarnda elektrik alan bileenleri hesaplanrken, t=t/2, 3t/2, anlarnda manyetik alanlar hesaplanmaktadr. 4. FDTD uzaynda bir noktada alan bileenleri komu noktalardaki bileenlerin aritmetik ortalamas ile bulunur. rnein (i, j, k) hcresinin merkezindeki Ez yi bulmak iin
E z (i, j, k ) + E z (i + 1, j, k ) + E z (i, j + 1, k ) + E z (i + 1, j + 1, k ) 4

Ez =

(5.3)

kullanlmaktadr. 5. (5.2) iteratif denklemlerinden grlecei zere, manyetik alan bileeninin hesabnda sadece kullanlmaktadr. Elektrik alan bileenlerinin hesabnda n dnda (,) ortam parametreleri de yer almaktadr. Bu sebeple her hcrede (,) ortam parametreleri, ilgili elektrik alan bileeninin tanmland noktada verilmelidir. Hcrede ayr noktada elektrik alan bileeni hesaplandndan hcre ierisinde bu noktalarn (,) deerleri farkl verilerek deiik cisimler modellenebilmektedir. rnein (i, j, k) hcresinde (Bkz. ekil 5.1) yz dzleminde sonsuz ince mkemmel iletken bir tabaka modellemek iin, ekil 5.2 deki drt noktann deerini sonsuz almak yeterlidir. Saysal hesaplamalarda anlamsz olduundan mkemmel iletken olan yzeylerde elektrik alann teetsel bileenleri zaman simulasyonu boyunca sfr alnarak PEC (perfectly electrical conductor) etkisi salanr. Ayn ekilde (i, j, k) hcresinde ayn iletken tabaka hcre ortasna

97

yerletirilmek istenirse (Bkz. ekil 5.3) bu kez ilgili drt dm elektrik alann x- bileeni dmleri olacaktr. 6. Birim hcrede sonsuz ince izgisel elemanlarn simulasyonuna da FDTD olanak salamaktadr.

ekil 5.2 Birim Hcrede Alt Yzeye letken Plaka Yerletirmek in Kullanlan

Elektrik Alan Bileenleri

ekil 5.3

Birim Hcrede Ortadaki Yzeye letken Plaka Yerletirmek in Kullanlan Elektrik Alan Bileenleri

7. Zaman iterasyonu boyunca FDTD hacmi ierisinde yzbinlerce hcrede, (V/m) olarak elektrik ve (A/m) olarak manyetik alan deerleri hesaplanr. stenilen bir noktada alan bileenleri biriktirilerek E(t) ve H(t) zaman deiimi elde edilebilir. Bylece, yapnn hem geici hem de srekli zaman 98

davran gzlenebilmektedir. Zaman davranndan da Fourier dnm ile E(f) ve/veya H(f) frekans davran karlabilir. 8. FDTD hacmi iinde modellenen yapya ve gerekletirilmek istenen analize baml olarak kaynak farkl noktalara ve farkl ekillerde uygulanabilir. Kaynak tek bir noktada tek bir bileene uygulanabilecei gibi, birden fazla noktada ve/veya birka bileene de uygulanabilir. 9. FDTD hacmi iinde elektrik ve manyetik alan bileenleri tm hcrelerde hesapland iin yapnn herhangi bir noktasndaki gerilim veya akm deerini hesaplamak mmkndr. Genel olarak x1 ve x2 eklinde tanmlanan iki nokta arasnda n anndaki
x2

potansiyel fark ,

x1

n l

.dl olarak, iki noktay birletiren doru zerindeki

elektrik alanlarn integrali alnarak bulunabilir. Saysal olarak ise FDTD hacmi iinde (IL, JL, KL) ile (il, jl+n, kl) hcreleri arasndaki potansiyel fark
n bulmak iin, V= ( E y (il , j , kl )y ) toplamn bulmak yeterlidir. j = jl n

Bir noktadaki akm hesaplamak iin de, o noktann etrafndaki kapal evre zerinde manyetik alanlarn

H l .dl

eklinde

entegre

edilmesi

gerekmektedir. FDTD hacmi iinde ise rnein ekil 5.4 dikkate alnrsa;
I(i, j, k ) = H n (i, j 1, k ) H n (i, j, k ) x x x
n y

[ + [H

(i, j, k ) H n x

] (i 1, j, k )]y

(5.3)

eklinde bir bant kullanlr (Luebbers, Chen ,et all,1992).

99

ekil 5.4 Ez bileeninin bulunduu noktada +z ynndeki akm deerini bulmak iin

kullanlan manyetik alanlar.


5.2. teratif Denklemlerde Kararllk Koulu

(5.2)

denklemleri

ayrklatrlp

saysallatrlm

elektrik

(manyetik)

alan

bileenlerini kendilerinin bir nceki anda bulunan deerleri ve komu hcrelerdeki manyetik (elektrik) alan bileenleri cinsinden iteratif biimde hesaplanmasna olanak salar. Bu denklemler ak denklem sistemi oluturduundan her zaman sonlu Bu iteratif denklemler kararl (sonsuza gitmeyen) zm vermezler. Bu (5.2) denklemlerindeki konum (x, y, z) ve zaman t boyutlar rasgele seilemez. saysal zmler verebilmeleri iin hcre boyutlar arasnda nemli bir iliki salamaldr. Courant kararllk kriteri (Taflove,1995) denilen bu bant zaman ve konum admlar arasnda salanmas gereken ilikiyi belirlemektedir. c. t z ; c= 1 0 . 0 (5.4)

eklinde tanmlanmaktadr. Fiziksel olarak bu denklem, dalgann birim zaman iinde en fazla bir dm kadar ilerlemesi gerektiini syler. Homojen olmayan ortamlarda da en kt hal analizi iin k hzn (c=3.108 m/sn) kullanmak yeterlidir. Benzer ekilde 3D FDTD iin de Courant kriteri 1 1 1 + + c. t 2 2 (y ) (z ) 2 (x)

1 2

(5.5)

100

olarak belirlenmektedir.
5.3. FDTD Ynteminde Saysal Dalma

Belli bir ortamda iletilen geni bandl bir iaretin, farkl frekansl bileenlerini (faz hzlarnn farkl olmasndan tr) iermesi onun gzlenen bir noktaya farkl zamanlarda ulamasna ve dolaysyla bozulmasna neden olur. Bu bozulma olayna da dalma denir. Fakat buradaki dalma FDTD ynteminde ayrk deerlerde hesap yapmaktan dolay oluan saysal dalmadr. FDTD yntemi hem zamanda hem de konumda ayrklatrma yapar. Dolaysyla da zamanda t ve konumda da z gibi sonlu uzunluklu hcrelerde hesaplama yaplmas gerekir. Geni bandl iaret analizinde en yksek frekans zamanda kullanlan t hcresini belirler. Benzer ekilde, konum hcresi z ise minimum dalga boyuna sahip iaretin FDTD hesaplarnda sorunsuz izlenebilmesini belirler. Konum hcresi zin, en kk dalga boyunda en az iki rnek olacak ekilde saptanmas gerekir. Bu nedenle, deiik problemlerde ve farkl parametre takmlar iin ayr ayr dalma analizleri gerekir. ki boyutlu TM tipi problemde kaypsz ortamda Maxwell denklemleri;

H x 1 E = . z t y
H y

(5.6a)

1 E = . z t x

(5.6b)

E z 1 H y H x = . t x y

(5.6c)

eklindedir. TM modu iin zmler

101

Ez Hx Hy

n i, j n i, j n i, j

= E z0 e

~ ~ j( k x ix + k y jy wnt ) ~ ~ j( k x ix + k y jy wnt ) ~ ~ j( k x ix + k y jy wnt )

= H x0e = H y0 e

(5.7)

FDTD yntemine gre ayrklatrlan (5.6) denklemlerinde bu denklemler yerlerine konulup gerekli dzenlemeler yaplrsa; ~ 2 ~ 1 k y y 1 k x x 1 wt c.t sin 2 = x sin 2 + y sin 2
2 2

(5.8)

~ ~ ~ eitlii elde edilmektedir. (5.7) ve (5.8) denklemlerinde k x , k y , k z srasyla saysal dalga vektrnn x-, y- ve z- bileenlerini ifade etmektedir. Denklem (5.8), TM modu iin FDTD algoritmasna ait iki boyutlu saysal dispersiyon eitliidir (Taflove, 1995). Benzer yaklamla boyutlu FDTD iin saysal dispersiyon bants ~ 2 ~ ~ 1 k y y 1 k x x 1 wt + 1 sin k z z (5.9) + sin = sin sin c.t 2 y 2 x 2 z 2
2 2 2

eklinde tanmanr (Taflove, 1995). boyutlu kaypsz ortamdaki bir dzlem dalga iin analitik dalma bants ise w2 = k2 + k2 + k2 x y z c2

(5.10)

Olarak verilir. Denklem (5.6)da t,x,y,z sfra doru yaklatka (5.7) ve (5.8) bantlar birbirlerine eitlenir. Eer zamanda ve konumda FDTD rneklemesi uygun boyutlarda yaplrsa, saysal dalma etkisi istenilen dereceye indirilebilmektedir.

102

5.4. FDTD Ynteminde Parametre Seimi

FDTD ile elektromanyetik problem simlasyonu yaplmasnda uygun parametre seimi ok nemlidir. Zamanda darbesel iaretlerin FDTD ile simle edilmesindeki ana ama yapnn geni frekans bandnda davrann incelemektir. FDTD ile her yap her frekans blgesinde incelenemeyebilir. Bu nedenle, FDTD ile bir yap simle edilmek istendiinde k noktas parametrelerin belirlenmesi gerekir. FDTD de parametre seimi ayn zamanda bir eit optimizasyon anlamna da gelir. Parametre seimi iki nemli aama ile belirlenir. Bunlar; 1. stenen frekans analizi ve ayrk fourier tekniinin gerekleri, 2. FDTD parametrelerinin istenen frekans analizi dorultusunda belirlenmesi, Olarak verilir. Bu iki unsur birlikte ele alndnda parametre optimizasyonu doal olarak yaplm olur (Sevgi, 1999). FDTD hesap uzayna yerletirilen yap ne olursa olsun genelde, zamanda darbesel bir iaret uygulanr. Uygulanan bu darbesel iaret, bir gerilim ya da akm kayna olabilecei gibi, salma problemlerinde olduu gibi bir dzlem dalga da olabilir. Kaynak tipi ve konumda deiimi ne olursa olsun zaman deiimi Gauss fonksiyonu benzeri bir davran gsterir. ekil 5.5te darbe sresi farkl iki gauss darbesi ve bunlarn frekans bandlar alt alta verilmitir. Gauss darbesi ekil 5.5ten grlecei gibi alak frekanslarnda (DC bileeni) ieren frekans bandna sahiptir. ok alak frekanslardan istenen en yksek frekansa kadar analizlerde gauss darbesi kullanmak elverilidir. Trev mertebesi arttka Gauss fonksiyonunun alak frekanslar da atlmaktadr. Ancak, problem ne olursa olsun kaynak olarak Gauss darbesi uygulanabilir. Eer yapda DC bileeni yada alak frekanslar desteklenmiyorsa, zaten uyarma hcresinden birka hcre tede bu bileenler snecek ve Gauss darbesi yerine Gauss fonksiyonunun birinci trevi gibi bir iaret iletilecektir. Buna darbe kopmas ad verilir.

103

Frekans analizi FDTD ile fiziksel bir problemin simlasyonunda bir dier nemli noktadr. FDTD ile alan yada devre parametrelerinin zaman domeninde davranlar elde edilir. Frekans analizi simlasyon bitiminde ayrk fourier dnmleri ile gereklenir. Bu ilemde nemli bir sorun iaretin uygun rneklenmesidir. ekil 5.6da iaretin uygun rneklenmesi yada uygun rneklenmemesi durumunlar yer almaktadr. Snrl banda sahip zaman iareti rneklendiinde (yani ayrklatrldnda) iaretin band frekans domeninde periyodikleir. Bandlarn i ie gemesi bilgi kayb demektir. Bu bilgi kaybn nlemenin yolu uygun rneklemeden geer. Uygun rnekleme, iaret ileme tekniinde bilinen Nyquist rnekleme teoremindir. Yani iaretten zamanda alnan ayrk rneklerin skl ierdii en yksek frekansn iki kat hzda olmaldr . FDTD ynteminde parametrelerin saptanmas u aamalarda yaplr: nce uygulanacak kaynak, rnein Gauss darbesi, seilir. Kaynak darbe sresi analiz yaplacak en yksek frekansa gre ayarlanr. kinci adm zamanda ve konumda ayrklatrmadr. Gauss darbesinin frekans bandndaki en byk frekans bileeni, Nyquist rnekleme teoremi gerei zamanda ayrklatrmay belirler. Bu, ayrk fourier dnm iin gereklidir.
1 0.8 0.6 f(t)

1 0.8 0.6 f(t) 0.4 0.2 0


0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 Zaman (nsn) 1.4 1.6 1.8 2

0.4 0.2 0

0.2

0.4

0.6

0.8 1 1.2 Zaman (nsn)

1.4

1.6

1.8

1 0.8 G en lik

1 0.8 G enlik 0.6 0.4 0.2 0


0 0.5 1 1.5 2 2.5 Frekans (GHz) 3 3.5 4

0.6 0.4 0.2 0

10

15

20 25 Frekans(GHz)

30

35

40

ekil 5.5. Gauss darbesinin normalize zaman ve frekans davran. Darbe zamanda

daraldka frekans band geniler

104

ekil 5.6 Snrl banda sahip bir iaretin rnekleme skl ile ilikisi

stenen en yksek frekans bileeni fmax ise iarette bilgi kayb olmamas iin zaman adm, tFFT = 1/(2.fmax) olmaldr. Bu en st snrdr. FDTD hcre boyutlar, x, y, ve z ile zaman adm tFDTD yine ilgilenilen en yksek frekanstan (fmax) balayarak belirlenir. FDTD ynteminde iki nemli snrlama vardr. Biri saysal dalma, dieri ise kararllk kriteridir. Bu iki nokta hem FDTD simlasyonu hem de simlasyon sonras ayrk fourier analizi asndan nemlidir.

Ele alnan zaman iareti ierisinde en kk dalga boylu bileen yani en yksek frekansl (fmax) yani en az birka hcre ile rneklenebilmelidir. Bu FDTD hcre boyutlarnn iaretin en kk dalga boyuna sahip bileeninden bile birka misli kk olmas gerektii anlamna gelir. Uygulamada, min/100 ile min/4 arasnda hcre boyutlarna rastlanmaktadr. Genelde min/10-min/20 arasndaki deerler uygun seimlerdir.

105

Hcre boyutlar seildikten sonra, kararllk kriteri gerei zaman adm, tFDTD belirlenir. Genelde, simlasyon sonras frekans analizi iin gerekli tFFT deeri simlasyon adm tFDTD deerinden ok daha kktr ve FDTD zaman admn belirlemek dierini otomatik olarak salar.

Simlasyon sresinin belirlenmesi frekans analizi asndan nemlidir. Zaman domeninde FDTD simlasyonu ne kadar srecei iki nemli noktaya baldr. Birincisi simlasyon sonras frekans analizidir. Frekans analizinde istenen frekans znrl f iaretin zaman domeninde hangi srede (Tmax) gzlenecei belirler. Bu ikisi birbiri ile ters orantldr. Yani, f=1/ Tmax olduundan, ne kadar hassas frekans ayrm isteniyorsa o kadar uzun sre iaret gzlenmelidir ( simlasyon srdrlmelidir) .

Tmax ve tFDTD belirlendikten sonra simlasyon adm NFDTD=Tmax / tFDTD olarak seilir. stenen frekans znrlnden belirlenen minimum zaman adm simlasyon admdr.(NFDTD=NSTOP) Ele alnan yapda iaretin gzlenen zaman davran daha ksa srede bitiyorsa FDTD simlasyonunu kesip iaretin ncesine ve/veya sonrasna sfr eklemeyle gerekli Tmax salanr.

Tersine, Tmax sresi iaretin zaman davrannn sona ermesine yetmiyorsa, simlasyon, zaman davran sona erinceye dek srdrlr.

Parametrelerin bu ekilde seimi hem FDTD iin gerekli kararllk ve saysal dispersiyon koullarn hem de simlasyon sonras frekans analizinin istendii gibi yaplabilmesini salayacaktr (Sevgi, 1999).

106

5.5. S-parametrelerinin Hesab

ekil 5.7 ve ekil 5.8de tipik bir mikroerit hatt ve FDTD ile darbe iletiminin zaman domeninde modellenmesi gsterilmitir. Mikroerit hatta enerji alt iletken metal taban ile st mikroerit arasnda klavuzlanarak, iletilir. Yapnn yan yzeylerinde fiziksel snrlar olmad iin az da olsa enerji sznts olur. Bu haliyle mikroerit hatl devreler analitik olarak modellenmesi olduka zor yaplardan saylr. Genelde analitik analizler, ya alak frekanslarda quasi-statik durumda (TEM modu) yada yksek frekanslarda (TE ve TM modlar) iin ayr ayr ele alnr (Sevgi, 1999). Bu grafiklerde mikroerit hattn altnda Ey bileeninin zamanla ilerleyii ak bir ekilde gzkmektedir. Bu grafikler yardmyla oluturduumuz mikroerit yap zerinde dalgann ilerleyiini grebilir. Bylece kaynan doru uygulanp uygulanmad, yapy tantrken herhangi bir hatann olup olmad kolayca anlalabilir.

ekil 5.7 Mikroerit hatta deiik zaman admlarnda ilerleyen dalgalarn gsterimi.

107

ekil 5.8 Mikroerit hat ve deiik dzlemlerde darbe iletiminin FDTD ile

Modellenmesi (akr, G.,Ocak, 2004). [S] parametreleri dzlemsel mikroerit hatl devrelerin analizinde kullanlr. [S] parametreleri devrenin kaplarndaki giden ve yansyan akm ve gerilim dalgalarn birbirine balayan parametre takmdr. (Bkz ekil 5.9) Devre elemanlarnn dalm parametre (iletim hatt) modelleri ilgilenir.

108

ekil 5.9 ki portlu bir devrede S parametreleri tanm.

ekil 5.10 Mikroerit hattn yandan grn ve FDTD ile modelleme

FDTD ile dzlemsel mikroerit hatl devrelerin [S] parametreleri ile simlasyonu u ekilde yaplr: Giri ve kta yutucu snr koulu bloklar yer alr. Bu almada PML-8 snr koulu kullanld iin bata ve sonda 8 hcrelik PML bloklar yerletirilmitir. Giriteki yutucu bloktan yaklak 6-10 hcre tede, kaynak modellenir. Kaynak ya erit altna dominant modun yerletirilmesi ya da erit altnda komple dey elektrik alan uyarlmasyla gereklenebilir. Kaynak zamanda Gauss darbesidir. FDTD simlasyonu boyunca her zaman admnda kaynak blgesinde adm adm Gauss darbesi eklenmektedir. FDTD simlasyonu boyunca eklenen Gauss darbesi her iki ynde de ilerlemektedir. Sola doru ilerleyen darbe giriteki PML blounda yutulur. Bylece uyarlan Gauss darbesi sadece ikinci kapya doru ilerlemektedir. ekil 5.10da G1 ve G2 olarak iaretlenen gzlem noktalarnda zamanda

109

iaretler gzlenir ve FDTD simlasyonu sonucu DFT uygulanrsa frekans yantlar elde edilebilir. ekil 5.10da, G1 noktasnda gzlenen deer hem kaynaktan gelen hem de devrenin giriindeki sreksizlikten yansyan bileenleri ierecektir. Bunun yannda, G2 noktasnda sadece devreden kan (yani giden) gerilim dalgas olacaktr. FDTD simlasyonunda elektrik ve manyetik alan bileenleri hesaplanmaktadr. Oysa devre analizinde, rnein [S] parametrelerinin

hesabnda giden ve yansyan gerilim yada akm dalgalar kullanlmaktadr. ki nokta arasndaki gerilim, elektrik alan arp yol olarak elde edilir. rnein ekil 5.10da gerilimler, erit altnda elektrik alannn dey (y) bileenleri toplanp , y ynndeki hcre boyutu ile arplarak elde edilir. Benzer ekilde, z ynnde akan akm, erit etrafnda Amper yasas uygulanarak elde edilir. Yani, bir telden akan akm telin etrafnda sa el kuralna gre yn belirlenen manyetik alan oluturur. Buna gre eritten z ynnde akan akm, erit etrafnda xy-dzleminde manyetik alan bileenleri kullanlarak elde edilir. FDTD simlasyonunda, [S] parametrelerinin hesabnda girite giden gerilim dalgasna gerek duyulur. Yukarda belirtildii gibi, ekil 5.10daki halde G1 noktasnda toplam, G2 noktasnda kan (yansyan) gerilimler elde edilmektedir. Girite, FDTD simlasyonunda sadece giden dalgann elde edilmesi simlasyonun analizi yaplan devre olmakszn tekrarlanmas ile salanr. Arada devre olmadndan ve ikinci kap PML blou ile sonlandrldndan, G1 noktasnda gzlenen sadece giden dalga olacaktr. Girite ve kta elde edilen giden ve toplam ile yansyan dalgalarn DFT ile frekans dnmleri alnarak devrenin [S] parametreleri elde edilir.
t + Yani v 1 ( t ) girite giden , v 1 ( t ) girite toplam ve v 2 ( t ) kta yansyan

gerilimler olmak zere DFT sonucu S11 ve S21


+ t v 1 (f ) v 1 (f ) v 1 (f ) = + + v 1 (f ) v 1 (f ) v 2 (f ) + v 1 (f )

S11 (f ) =

S 21 (f ) =

(5.11)

Elde edilir.

110

SONULAR ve NERLER

Bu tez almasnda mikroerit filtre tasarm metotlar aratrlmtr. Bu aratrma u aamalardan olumaktadr. lk aamada istenilen filtre zelliklerini salayan LC devre elemanlarndan oluan filtreler tasarlanmtr. Bu tasarmda iki metot kullanlmtr. Birincisi iletim parametreleri metodu, ikincisi ise araya girme kayb metodudur. Araya girme kayb metodu gnmzde filtre tasarmclarnn en ok kulland metottur. Araya girme kayb metodunda iki yaklam kullanlmtr. Biri Butterworth, dieri ise Chebyshev yaklamdr. Tasarmc gei bandnda dalgalanmaya izin verip keskin kesim frekans isterse Chebyshev yaklamn, gei band dalgalanmas izin verilmiyor ise Butterworth yaklamn kullanmaldr. LC devre elemanlar ile tasarlanan bu filtreler mikrodalga frekanslarnda alamazlar. Bu nedenle almann ikinci aamasnda LC filtre yapsndan mikroerit filtre yapsna dnm metotlar incelenmitir. Bu incelemenin sonucunda ayn yap zerinde yaplan ufak deiiklikler ile farkl filtre karakteristiklerinin (alak geiren, yksek geiren, band geiren ve band sndren) salanabilecei bulunmutur. Tasarlanan yaplarn doru karakteristii verip vermedii lm ve FDTD tabanl MS-STRIP program kullanlarak test edilmitir. Test sonular, hazrlanan paket program ile tasarlanan mikroerit yaplarn istenilen performanslar baaryla saladn gstermitir.

111

KSEL YAYINLAR VE ESERLER

1.

GNDZ,S.,AKIR,G.,DBEK, D.,SEVG, L., Alak Geiren Mikroerit Filtre Tasarm, FDTD Analizi ve Gerekletirilmesi.,URS Eyll 2004.

2.

AKIR, G., GNDZ, S., SEVG, L., "Broadband Filter Design using the Analogy Between Wave and circuit theories", CCN 2005, International Symposium on Complex Computing Networks, Dou University, Istanbul, June 13-14, 2005 (also will be published in Springer Proceedings in Physics Series, 2005)

112

KAYNAKLAR 1. GREG, D., ENGELMAN H., Microstrip A New Transmission Technique for he Kilomgacycle Range. Proc. IRE,vol.40,pp.1644-1650,December 1952. RICHARDS, P., Resistor Transmission-Line Circuits, Proc. IRE, vol.36,pp. 217-220 February 1948. OZAK, H., ISH J. Synthesis of a Class of Stripline Filters, IRE Trans. Circuit Theory, vol. CT-5,pp. 104-109, June 1958.

2.

3.

4.

YEE,K.S, 1966. Numerical Solution of Initial Boundary Value Problems Involving Maxwells Equations in Isotropic Media, IEEE Trans. Antennas Propagat., vol. AP-14, pp.302-307. THOMSON, .A., GOPINATH A. Microstrip discontinuity inductances . IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, vol. MTT-26-No.10, October 1978, pp.827-31. LUEBBERS, R., CHEN, L., UNO, T. AND ADACHI, S., 1192. FDTD Calculations Patterns, Impedance and Gain for Monopole Antenna on a Conducting Box, IEEE Trans. Ant. And Propagat., vol.40, no.12,pp.1577-1583. HANG, J., LANCASTER, M., Microstrip Filters for RF/Microwave Aplications, 2001 John Wiley & Sons Inc. BOWCK, C. Circuit Design, NewNess, Boston, 1982 POZAR, M., D., Microwave Engineering ,Addison-Wesley, Menlo Park,1990.

5.

6.

7.

8. 9.

10. FOOKS,E.H., ZAKAREVICIUS, R.,A., Microwave Engineering Using Microstrip Circuits., Prentice Hall., Australia,1990

113

11. 12.

JAHN, S., http://qucs.sourceforge.net/tech/node46.html, 2005. GNDZ,S.,AKIR,G.,DBEK, D.,SEVG, L., Alak Geiren Mikroerit Filtre Tasarm, FDTD Analizi ve Gerekletirilmesi.,URS Eyll 2004. SEVG, L., 1999. Elektromanyetik Problemler ve Saysal Yntemler, Birsen Yaynevi, ISBN No: 975-518-089-3. AKIR, G., Gezgin letiim Sistemleri iin Huzme Ynlendirmeli Mikroerit Dizi Anten Tasarm: analitik hesaplama, bilgisayar benzetimleri ve lmeler., Doktora Tezi, K.O.. Ocak,2004.

13.

14.

114

Ek-A

PASF DEVRE ELEMENLARI Tel Teller RF devre tasarmnn birok aamasnda kullanlr. Bu uygulamalarda teller, deiik boyutta ve uzunlukta olmak zere ya balantlarda ya da ana yaplarda kullanrlar. RF spektrumunda telin elektriksel davran, telin apna ve uzunluuna baldr. Amerikan Tel l (American Wire Gauge) biriminin yer ald Tablo A.1, her ldeki teli ve tasarmclar iin gerekli dier karakteristikleri listeler. Bu sisteme gre, telin ap alt lde bir iki katna kar. Dolaysyla eer bir lnn ap bilinirse altar aralklarla istenilen lnn apna ulalr. AWG numaras kldke tel ap byr (C.Bowick,1982). rnek A.1 AWG 30 telinin yarap 10 mil ise AWG 12 telinin yarap nedir? zm A.1 AWG 30 =10 mil AWG 24=2 x 10 mil= 20 mil AWG 18=2 x 20 mil = 40 mil AWG 12=2 x 40 mil = 80 mil Dk frekanslarda bir iletken, kesit alannn tamamn yk tamak iin iletim ortam olarak kullanr. Frekans arttka, iletken merkezinde artan manyetik alan, yk taycsna bir diren gsterir. Bu da iletkenin merkezinde akm younluunun azalmasna neden olurken evresinde akm younluunun artmasna neden olur. letken evresindeki akm younluu art deri olay olarak tanmlanr. Bu olay diren, kondansatr ve endktr dahil tm iletken yaplarnda meydana gelir. Yk ak akm younluunun yzey boyunca var olan deerinin 1/e sine veya %37sine dt noktadaki iletkenin derinliine deri kalnl denir. Deri kalnl,

frekansa, ortamn manyetik geirgenliine ve iletkenliine bal bir parametredir. Yani deiik tipteki iletkenler (gm, alminyum ve bakr gibi) farkl deri kalnlklarna sahiptirler. Akm tayan bir iletkenin evresinde manyetik alan meydana gelir. Eer iletkendeki akm deiken ise manyetik alan da deiir. Manyetik alandaki bu deikenlik teldeki akm akna diren gstererek telde bir gerilim farkna yol aar. Bu deikenlie kar gsterilen dirence z-endktans ve bu direnci reten yapya da endktans denir. Dz bir telin endktans nemsiz gibi grlebilir ama frekans arttka bu endktans deeri daha nemli hale gelir. Dz bir telin endktans, telin hem uzunluuna hem de apna baldr:

A 1 = r12 A 2 = r
2 2
2

A1=r1yar apl kesitin alan A2=r2 yarapl kesitin alan

Deri kalnl= A2-A1= (r2 r1 )

ekil A.1. letken bir telin deri kalnl. 4 L = 0.0022.3 log 0.75 d L(H) : telin endktans l(cm) :telin uzunluu d(cm) :telin ap

(A.1)

116

Tablo A.1. AWG Tel izelgesi.

rnek A.2:

Tablo A.1den No.30 bakr telin 10cm uzunluu iin endktans nedir?
zm A.2

Tablo A.1 den No.30 telin ap 10 mildir. 1 mil 2.54x10-3 e eit ise ap 0.0254cm olur. Denklem A.1den telin endktans;

117

4(10) L = (0.002)(10) 2.3 log 0.75 = 147 nH. 0.0254


Direnler

Diren, bir malzemeye verilen elektrik akmnn etkisiyle malzemenin, elektrik enerjisini s enerjisine evirme etkisine denir. 1 Volt/1 Ohm = 1 Coulomb/dak. = 1 Amper P=E.I =1Volt x 1 Amper = 1 Watt

ekil A.2. Diren edeer devresi.

Direnler devrelerde her aamada kullanlr. Radyo frekansnda bir direncin edeer devre modeli ekil A.2de gsterilmektedir. ekildeki R, diren deerini, L balant telinin endktansn ve C ise direncin malzemesine gre deien parazitik kapasiteyi temsil etmektedir. Direnler ok deiik malzemelerden retilir. retildikleri malzemeye gre de performanslar deiir. Karbon-yapl direnlerin yksek frekansta dk performanslar vardr. Karbonyapl direnler, skca kaplanm ya dielektrik paralardan ya da karbon granllerden oluurlar. Karbon granllerinin arasnda ok kk deerde parazitik kapasiteler vardr. Bu parazitler, btn direncin yapsnda nemli bir deere sahip deillerdir. Fakat direncin edeer devre modelinde nemli bir paradr.

118

Tel-sarmal direnler, radyo frekanslarnda alldnda, baz sorunlar kabilir. Bu direnler deiik frekans aralklarnda farkl empedans deerleri gsterir. Bu olay 10 MHz ile 200 MHz arasndaki frekans aralnda dk diren deerleri iin ksmen dorudur. ekil A.2de gsterilen edeer devredeki L endktr, tel-sarmal direnlerde karbon-yapl direnlere gre daha byktr. Bu endktrn deeri tekkat hava-ekirdekli endktr yaklam forml ile hesaplanabilir. nk tel-sarmal direnler endktrlere benzer. Frekans arttka empedans deerleri nce artar. (Fr) rezonans frekans ( fr ) deerinde (L) endktans paralel kapasite (C ) ile rezonansa girerek ani bir empedans k oluturur. Bu noktadan sonraki frekans art direncin deerinde bir azalma yaratr. (Bkz. ekil A.3) Metal-film direnler frekans deiimi ile en iyi karakteristii verenlerdir. Bu direnlerin edeer devresi karbon-yapl ve tel-sarmal direnler ile ayndr. Ama edeer devredeki parazitik eleman deerleri daha kktr.

ekil A.3. Tel-sarmal direncin empedans karakteristii.

119

ekil A.4. Metal-film direnlere gre karbon-yapl direnlerin frekans

karakteristikleri. ekil A.4de grld zere metal-film direncinin empedans 10 MHz in zerine kldka azalr. ok yksek frekanslarda 50 Ohm un altndaki direnler ile, balant tel endktans ve deri olay dikkate alnabilir duruma gelir. ekil A.4de Ohm luk diren iin grld gibi balant tel endktans rezonans kn oluturur. Ve deri olay frekans ile beraber erinin eiminde azalma yaratr. Diren yapmndaki yeni teknolojiler ile beraber diren deerindeki sapmalar ok aza hatta yok edilebilir duruma gelinildi. Genelde alminyum veya beril malzemesinden yaplrlar ve DCden 2GHze kadar olan bir blgede ok dk parazitik direnleri vardr.
rnek 2.3

ekil 2.2 deki metal film direncin balant telinin uzunluu 10 cm dir. Bu diren rnek 2.2 deki No.30 telinden yaplmtr. Toplam paralel kapasite (C) 0.3 pF dr. Eer diren deeri 10.000 ohm ise 200 MHz deki edeer RF empedans nedir?
zm A.3

Tablo A.1den No.30 AWG telinin ap 10 mil dir. rnek A.2den; L=147 nH, 200 MHz de edeer direnci:

120

X L = L = 2(200 x10 6 ) 147 x10 9 = 184.72

Kapasitenin edeer direnci;


XC = 1 1 = = 2653 6 C 2 200 x10 0.3x10 12

)(

Bu diren iin 200 MHz deki edeer devresi ekil A.5de gsterilmektedir. Bu ekilden grld zere balant tel endktansnn deeri 10 K lk direncin yannda ihmal edilebilir.

ekil A. 5. rnek A.3n edeer devre deerleri.

Ama dier yandan parazitik kapasite ihmal edilemez.


RX C
2 R 2 + XC

Z= =

(10K )(2563) (10K ) 2 (2563) 2

= 1890.5

Bu sonu, 200 MHz de bizim 10 K lk direncimizin 1890 luk bir diren gibi davranacan gsterir.
Kondansatrler

Kondansatrler RF devrelerinde geni bir uygulama alanna sahiptirler. Rezonans devreleri, filtreler ve kuplaj devreleri gibi birok alanda kullanlrlar. (C.Bowick,1982) Kondansatr iki ayr iletken tabaka arasna iletken olmayan veya dielektrik bir malzemenin doldurulmasyla meydana gelir. Dielektrik genelde seramik, hava, kat, 121

mika, plastik, film, cam veya ya gibi malzemelerden olur. letkenler arasndaki gerilim fark kondansatrde ykn depolanmasn salar. Buna kondansatrn sas denir ve birimi faradr. 1 Faradlk bir kondansatr 1 Coulombluk yke ulatnda kondansatrn potansiyeli 1 volta ykselir.
Q V

C=

C: Farad cinsinden kapasite Q: Coumb cinsinden yk V: Volt cinsinden gerilim Genelde F kademesinde pratik almalar yaplmadndan daha dk birimleri kullanrz. 1 mikrofarad =1 F= 1x 10-6 Farad 1 pikofarad =1 pF= 1 x 10-12 Farad Daha nce bahsedildii gibi kondansatrn yapsndaki iki metal tabaka dielektrik malzeme ile ayrlr. Eer biz bu iki metal plakann alann (A), plakalar arasndaki mesafeyi (d) ve dielektrik malzemenin (F/m) cinsinden dielektrik katsays ()u bilirsek paralel-dzlem kondansatrn deerini bulabiliriz:
0.2249A pF d 0

C=

(A.2)

0= serbest-uzay permivitesi = 8.854x10-12 F/m. Denklem A.2 de (A) alan , (d) mesafesine gre daha byk olmal. nn 0 ye oran malzemenin dielektrik sabiti (k) olarak bilinir. Dielektrik sabiti dielektrik ile havay karlatran bir deerdir. (Bkz .Tablo A.2) Hava iin /0 oran 1dir. Yksek dielektrik sabitli malzemeler ile fiziksel olarak daha kk kondansatrler retilir. Dielektrik, kondansatrn deerini elde etmede

122

ok nemlidir. Ayrca kondansatrn yapsndaki dielektrik frekans ve scaklk ile deiim gsterir. Bu deiim kondansatrn deerinde nemli bir etkiye sahiptir. Dielektrik karakteristii kondansatrn hangi voltaj ve scaklk aralnda kullanlabileceini belirler.
Tablo A.2. Baz sk kullanlan malzemelerin dielektrik sabitleri Dielektrik

r
1 2.5 4 5 10 100-10.000

Hava Polistiren Kat Mika Seramik (Dk k) Seramik (Yksek k)

Kondansatrn edeer devre modeli ekil A.6da verilmitir. Burada C kapasite, RS ise s-kaybdr. RS ile g faktr (PF) veya s faktr (DF) ifade edilebilir. RP ise izolasyon direncidir. L de balant tellerinin ve tabakalarn endktansdr. Baz tanmlamalar yapmak gerekirse; G Faktr; ideal kondansatrde akm 900 eklenmi ekilde gerilimi oluturur. Bu faz as () gerek kondansatrde daha kktr ve edeer devrede gsterilen seri direnlerin toplamna etkiler. (RS+RP) PF= cos G faktr snn, frekansn ve dielektrik sabitinin bir fonksiyonudur. zolasyon Direnci; gerilim ile kondansatrn dielektriinden akan akmn lsdr. Hibir malzeme mkemmel bir yaltkan deildir. Bir miktar sznt akm vardr. Bu akm edeer devrede RP ile ifade edilir. Deeri 100 Mega ohmlar kademesindedir. Efektif Seri Diren; ksaca ESR olarak tanmlanan bu diren RS ve RPnin kombine edeeridir. Ve kondansatrn edeer direncidir. 123

ekil A.6. Kondansatr edeer devresi.


PF (1x10 6 ) C = 2f ESR =

Dissipation Faktr; AC direncin, kapasitif reaktansa orandr.


DF = ESR x100% XC

Q kondansatrn kalite faktr olarak tanmlanr. Devrenin Qsu DFin tersidir. Yani;

Q=

X 1 = C DF ESR

Byk Q deeri daha iyi kapasite anlamna gelir.

ekil A.7. Frekansa gre empedans karakteristii.

Kondansatrde

yer

alan

bu

mkemmelsizliklerin

etkisi

ekil

A.7de

gsterilmektedir. Burada bir ideal kondansatrn karakteristii, gerek kondansatr karakteristii ile karlatrlmaktadr. alma frekans arttka lead endktans daha 124

nemli olmaya balar. Fr frekansnda endktans kapasite ile seri rezonansa girer. Daha sonra fr frekansnn zerindeki frekanslarda ise kondansatr endktr gibi davranr. Byk deerli kondansatrler kklere oranla daha byk i endktansa sahiptirler. Kapasitif reaktans X C =
1 C

formlnden grld gibi; byk

kapasite deeri dk reaktans deerini oluturur. RF frekanslarnda, bu durumun tersi meydana gelir. Yksek frekanslarda 0.1 F lk kondansatr 330 pF lk kondansatrden daha yksek empedans deerine sahiptir. Bu durum, 100 MHz zerinde alan devreler tasarlanrken gz nnde bulundurulur. Kondansatr retiminde birok deiik dielektrik malzemesi kullanlabilinir. Kat, plastik, seramik, mika, polyester, polykarbonat, teflon, ya, cam ve hava gibi malzemeler dielektrik olarak kullanlabilir. Her malzemenin iyi ve kt yanlar vardr. Seramik kondansatrler, seramik dielektrik malzemeden yaplrlar. Bu

kondansatrlerin deerleri hem dielektrik sabitlerine gre (k=5 ile 10 aras) hem de farkl s karakteristiklerine gre deiir. Yksek K deeri, dk s karakteristiini getirir. Bu yaklam ekil A.8 de yer almaktadr.

125

ekil A.8. Seramik dielektrik kondansatrlerin s karakteristikleri

Dk k seramik kondansatrlerinin lineer s karakteristikleri ekil A.8 de veriliyor. Bu kondansatrler genelde magnezyum titanat kullanlarak retilirler. Ve bu tip kondansatrler pozitif s katsaysna (TC) sahiptirler. Kalsiyum titanat ise negatif TC ye sahiptir. Bu kondansatrlere NPO(negatif pozitif sfr) seramikleri veya s karlkl kondansatrler denir. NPO seramiklerinin mkemmel s kararll zellii, bu tip kondansatrlerin osilatr, rezonans devreleri veya filtre uygulamalarnda kullanlmasna neden olur. Mika Kondansatrler; mika kondansatrlerinin tipik olarak dielektrik sabitleri 6 civarndadr. Bu kondansatrlerin s karakteristikleri olduka iyidir. Mika kondansatrler genelde rezonans devreleri ve filtrelerde kullanlr. Gm kapl mika kondansatrler daha kararl bir yapya sahiptirler. Gm mikalarda, gm plakalar vakum buharlatrma yntemiyle tatbik edilir. Metal-film kondansatrler, seramik-kondansatrlerin edeer deerinden daha byktrler ve bu tip kondansatrler genelde alann nemli olmad durumlarda kullanlr.

126

Endktrler

Endktr bir eit tel-sargl sarmaldr. Sarmaldaki sarmlar, sarmlar aras manyetik aky arttrmak iin yaplr. Bu ak akndaki art telin kendi endktansn arttrr. RF tasarmlarda endktrler; rezonans devrelerinde, filtrelerde kullanlr. Ayrca RF enerjiyi tamponlamak veya durdurmak iin de kullanlabilir.

ekil 2.9. Bir endktrdeki salma kapasiteleri ve seri direnler.

Pratikte hibir elemann ideal bir yaps yoktur. Elbette endktr eleman da ideal bir yapya sahip deildir. ekil A.9de endktrn RF frekansnda nasl bir yapya sahip olduu gsterilmektedir. Daha nce de bahsedildii zere eer herhangi iki iletkeni arasnda dielektrik olacak ekilde yaklatrrsak ve gerilim fark uygularsak oluan yapya kondansatr denir. ekilde de grlen Cd kapasitesi salma kapasitesidir. ekil A.10de endktr elemannn edeer devresi grlmektedir.

ekil A.10. ndktans edeer devresi

127

ekil A.11. Pratik ve ideal endktrn frekans empedans-erisi.

ndktif reaktans zerinde Cd elemannn etkisi ekil A.11de gsterilir. Alak frekanslarda, balangta ideal endktr ile paralel ilerlerken, rezonans frekans (fr) ye yaklatka ideal endktr erisinden uzaklap fr frekansnda bir dik k oluturur. Fr frekansnn zerinde indktif reaktans azalmaya balar. Ve bu blgede kondansatr gibi davranr. Teorik olarak rezonans noktas sonsuz dirente meydana gelir. (Bkz. rnek A.4) Gelien teknoloji ile birlikte endktrler artk mikrominyatr tmleik-ip olarak retilmektedir. Bu endktrlerin deerleri 0.01H den 1mH arasnda deiebilir. Tipik QS deerleri 200MHz de 40 ile 60 arasndadr. Rezonans durumunda sarmaln seri direnci, sarmaln empedansnn sonlu olmasna neden olur. Ayn zamanda bu diren sarmaln empedans erisinin rezonans knn genilemesine de yardmc olur.
rnek A.14

Rezonas durumunda bir kaypsz endktrn empedansnn sonsuz olduunu gstermek iin;

Z=

XLXC XL + XC

(A.3)

Z=paralel devrenin empedans, XL=endktansn empedans (jL),

128

1 XC=kapasitenin reaktans jC Bu durumda, 1 jL jC Z= 1 jL + jC Z= j L ( jL)( jC) + 1


j L 1 2 LC

(A.4)

(A.5)

j2=-1 ise;
Z=

(A.6)

Eer denklem A.6daki 2LC 1e eit olursa payda sfr ve Z sonsuz olur. 2LC =1 olduu frekansta;
2 LC = 1 LC = 1 2 1 LC = 1 f

(A.7)

2 LC =

1 =f 2 LC ndktif reaktansn seri dirence olan oran endktrn kalitesini verir. Byk Q deeri daha iyi endktr anlamna gelir.
Q= X RS

Eer indktif reaktans sarmal mkemmel bir iletken ile yaplrsa, Q sonsuz ve endktr da kaypsz olur. Pratikte mkemmel bir iletken olmadna gre her zaman iin bir Q deeri elde edilir. Dk frekanslarda, endktrn Qsu ok iyidir. nk bu blgede var olan sadece telin DC direncidir ve o da ok kktr. Ama frekans arttka, deri etkisi ve sarmal kapasitesi endktansn Qsunu azaltr. Bu ekil A.12de verilmektedir. Alak

129

frekanslarda, Q frekans arttka doru orantl olarak artar. nk henz deri etkisi gereklenmemitir ve dolaysyla da indktif reaktans artar. Daha sonralar deri etkisi meydana gelmeye balar. Artk Q artmaya devam eder ama daha az bir eimle ykselir. Daha sonra da eri yava yava der. ekil A.12deki erinin dz paras seri direncin ve indktif reaktansn ayn oranda deitii anda olur. Bu noktann tesinde, paralel kondansatr ve sarmaln deri etkisi fr rezonans frekansnda endktrn Q deerini sfra eker. Endktrn Q deerini iyiletirmenin ve kullanlabilir frekans araln

geniletmenin baz yollar yledir:


1. Daha geni apl tel kullanmak. Bu, sarmallardaki AC ve DC direnci azaltr. 2. Sarmal paralarn ayrmak. Bylece sarmallar arasndaki kapasite azaltlr. 3. Ak ak yolundaki permabiliteyi arttrmak. Bu genelde endktr demir, ferit

gibi bir manyetik z zerine sararak gereklenebilir.

ekil 2.12. Frekansa gre endktrn Q deiimi.

Tek kat hava-ekirdekli endktr tasarm; ekirdek olarak zel bir malzemenin kullanlmad sarmallarda, ekirdek olarak bulunduu ortam yani havay ekirdek olarak kullanr. Bu tr endktrler TVlerin tuner katlar, FM alclar gibi yksek frekansl devrelerde kullanlr. (Bkz. A.13) Tasarmda kullanlan forml denklem A.8de verilitir. L= 0.394r 2 N 2 9r + 10l (A.8)

r = cm cinsinden sarmaln yar ap,


l= cm cinsinden sarmaln uzunluu

130

L=H cinsinden endktans Sarmal uzunluu 0.67r den daha uzun olmaldr. En yksek Q deerine sarmal uzunluu (l), sarmaln apna (2r) eit olduunda ulalr. Fakat pratikte bu kurala uygun tasarm gereklenemez. Fiziksel olarak, sarmaln boyu her zaman apndan daha byk olur.

ekil A.13. Tek kat hava ekirdekli endktr. rnek A.5

100nH lik (0.1 H) hava-ekirdekli bir endktr in ( 0.635cm) olacak ekilde tasarlayn.
zm A.5

En yksek Q deeri iin, sarm uzunluu apa eit olmalyd. Yani l=0.635 cm, r = 0.317 cm L=0.1 H olmal. Denklem A.18i kullanarak N;

N=
N=

29L 0.394r

Eer en iyi Q deeri iin l=2r alnrsa;

29(0.1) = 4.8 sarm (0.394)(0.317 )

0.635 cm uzunluundaki tel iin 4.8 sarm saysna ihtiyacmz vardr. Tablo A.1den No.18AWG teli istenilen zellii salayacaktr. rnek A.5deki tasarmn tek kt yan pratik olarak oluan endktrn sarmallarnn ok yakn olmasdr. Bu yaknlk salma kapasitesini arttrr ve daha dk bir frekans aralnda rezonansa girmesine neden olur. Bu sorunlar azaltmak iin unlar uygulanabilir:

131

1. Ayn uzunlukta olmasn salayarak endktr sarmak iin bir sonraki en

kk nolu AWG teli kullanlr. Bu seim, sarmallar arasnda daha az hava boluu olmasn salar ve kapasite deerini drr. Ayn zamanda iletkenin apn drerek sarmal direncini de arttrr.
2. Ayn No.lu AWG telini kullanarak iletkenin uzunluu arttrlabilir. Gerekli

olan en az hava boluu braklarak sarlr. 1.yol ile ayn sonu elde edilir. Q deeri azaltlr ama sarmallar arasndaki kapasiteyi de azaltr. Manyetik-ekirdekli malzemeleri; eer kk alanlar iin byk deerli endktansa ihtiya varsa hava-ekirdekli endktrler boyutlarndan dolay kullanlamazlar. Sarmaln boyutunu azaltmann bir yolu; endktans deerini sabit kalacak ekilde manyetik ak younluunun arttrlp sarmal says azaltlmasdr. ndktans sarmallar arasndaki manyetik direnci azaltarak manyetik ak younluu arttrlabilinir (C.Bowick,1982). Bunu demir veya ferit manyetik-ekirdek kullanarak yapabiliriz. Bu malzemenin manyetik geirgenlii () havadan daha byktr. ndktansa yksek permabiliteli z eklenerek daha az sayda sarmla gereklenebilir. Manyetik-zlerin birok avantaj vardr, bunlar;
1. Gerekli olan endktans deeri iin daha az sarma ihtiya duyulmas.

Dolaysyla da kk boyut elde edilmesi.


2. Az sayda sarm daha az tel direnci anlamna gelir. Yani Q deeri artmas. 3. Manyetik- ekirdek ie ve da hareket ettirilmesi ile endktans deerinde

deikenlik salanr. Manyetik ekirdekli endktanslarda ortaya kan baz problemler unlardr:
1. Hava-ekirdekli bir endktre z eklenerek Q deerini, malzemenin cinsine

ve alma frekansna bal olarak azaltr.


2. Manyetik ekirdeklerin manyetik geirgenlii frekans ile deiim gsterir. Ve

genelde alma aralnn en st ksmlarnda deerleri olduka dktr. Bu araln sonunda havann manyetik geirgenliine ular.

132

3. Yksek manyetik geirgenlikli malzemeler scaklk deiimine daha fazla

duyarldrlar. Geni scaklk deiim aralklarnda sarmaln endktans fark edilir derecede deiir.
4. Manyetik ekirdekli sarmn manyetik geirgenlii eklenen sinyal seviyesi ile

deiir.
Toroidler

Halka veya yuvarlak ekilli manyetik malzemelerin RF endktr ve transformatrlerde kullanlmak zere sarlmalar ile oluurlar. Genelde demir veya ferit malzemelerden yaplrlar. Deiik ekil ve boyutlarda olurlar. z endktr iin kullanacak olursak yksek QS deeri verirler. Toroid endktrlerin Q deerleri olduka yksektir. nk bir toroid olduka yksek manyetik geirgenlikli malzemeden yaplr. Daha nce de bahsedildii zere yksek manyetik geirgenlikli zler istenilen endktans deeri iin hava ekirdeklilere gre daha az sayda sarmda ulaabilirler.

ekil A.14. Ayn endktans deerindeki farkl sarmlarn karlatrlmas.

ekil A.14 toroid-ekirdekli ve hava ekirdekli endktrlerin ayn endktans deerine ulamalarndaki sarm saylar karlatrlmaktadr. Hava-ekirdekli endktrde 35H deerine ulamas iin 90 sarm yapmas gerekirken, toroidekirdekli endktrlerin sadece 8 sarm yapmas yeterli olur. Toroid-ekirdekli endktrlerde daha az sayda sarm yaplmas daha dk AC diren anlamna gelir. Bu da Q deerinin otomatik olarak arttn gsterir.

133

(a) Tipik ndktans

(b) Toroidsel ndktans

ekil A.15. Toroidsel endktrn kaplama (shielding) etkisi.

Tipik bir hava-ekirdekli endktrde, manyetik ak izgileri ekil A.15.ada yer almaktadr. ekilden de aka grld gibi endktr evreleyen hava manyetik ak yolunun bir parasdr. Dier yandan A.15.bde yer alan bir toroid endktrde manyetik ak yolu tamamyla malzemede yer alr. Dolaysyla hi ma meydana gelmez.

ekil A.16. Tipik ekirdein mayetizasyon erisi.

ekirdek Karakteristii; bir manyetik ekirdein manyetizasyon erisi ekil A.16da yer alr. ekil, manyetik alan iddeti (H) olan bir endktrde (B) manyetik ak younluunun olutuunu gsterir. Manyetik ak younluunun manyetik alan iddetine olan oranna malzemenin manyetik geirgenlii denir.

134

B (weber/amper-sarm) H

(A.9)

Manyetizasyon erisi ilk nce lineer olarak ykselir. Bu blgede iken malzemenin manyetik geirgenlii balang manyetik geirgenlik (i) denir. Manyetik ak younluunun artmamas ile erinin eimi azalmaya balar. Bundan sonraki baka bir art doyuma girmesine neden olur. Hsat doyum noktasdr, bu noktann zerinde manyetik ak younluunda (Bsat) bir art gzlenmez. Malzemenin boyutuna ve ekline gre Bsat zden ze deiim gsterir. Devre almasnda ak younluu (Bop); B op = Ex10 8 (4.44)fNA e (A.10)

Bop= gauss cinsinden manyetik ak younluu E = voltaj cindinden maksimum rm voltaj


f= hetz cinsinden frekans

N= sarm says Ae=cm2 cinsinden zn efektif ara kesiti Manyetik ekirdekteki dier nemli nokta ise i kayplardr. Hava-ekirdekli endktre dikkatsizce yerletirilen manyetik-ekirdek endktrn Q deerini azaltr. ekil A.13de yer alan hava-ekirdekli endktrn edeer devresi ekil A.17.ada yeniden izilmitir.

Q=

XL RS

(A.11)

XL= L, RS=sarmal direnci Eer endktre bir manyetik-ekirdek eklersek oluan edeer devre ekil A.17.bdeki gibi olur. ekirdein kendi kaypszln ifade etmek iin RP direnci eklenmitir. Bu kaypszla histerisiz denir.

135

(a) Hava-ekirdekli

(b) Manyetik-ekirdekli

ekil A.17. Hava-ekirdekli ve manterik-ekirdekli endktrlern edeer

devreleri.
Toroidsel Endktr Tasarm

Lineer blgede alan bit toroidsel endktr iin L deeri; 0.4N 2 i A c x10 12 le

L=

(A.12)

L= H cinsinden endktans N= sarm says i= balang permabilitesi Ac= cm2 cinsinden zn kesit alan le= cm cinsinden zn efektif uzunluu Yaplan hesaplamalar kolaylatrmak amacyla endktans indeksi diye adlandrlan bir nicelik tanmlanr. L = N 2 A L nH L= nH cinsinden endktans N= sarm says AL= nH/sarm2 biriminde endktans indeksi Verilen endktans deeri iin sarm says (A.13)

136

N=

L AL

(A.14)

Alak frekanslarda (100 Khz) , sarmaln Q deeri yaklak olarak 54 tr.


Q= N2 = R p Xp Xp N2 Rp

Frekans arttka Xp empedans artarken Rp direnci azalr. 3MHz civarnda Xp , Rp ye eit olur. Q nun deeri ise 1 olur. Yaklak 100 MHz e kadar Rp nin artmas ile birlikte Q deeri 1 in altna dmeye balar. Q deeri ok dk olduunda dar bantl devreler iin tip sarmlar kullanlmaz.

137

REZONANS DEVRELER Rezonans devreleri alc, verici veya test devrelerinin yapsnda kullanlr. deal rezonans devresinin ve gerek (ideal olmayan) bir filtrenin karakteristikleri ekil B.1 de verilmektedir. Bu ekilde grld zere, gei bandnn ideal bir dikdrtgen grnm vardr. stenilen frekans blgesinin dnda sonsuz zayflama yaparken, bu frekans blgesi iindeki sinyalleri bozmadan ykten kaynaa iletir. Elbette fiziksel olarak bu karakteristii elde edebilecek bir pratik filtre yoktur (C. Bowick, 1982) .

ekil B.1. deal ve ideal olmayan rezonans (filtre) devrelerinin karakteristikleri. Gerek filtre karakteristiinde kullanlan tanmlar yledir: 1. Band genilii: Herhangi bir rezonans devresinin band genilii; st frekans ile alt frekansn fark olarak tanmlanr. fL ve fU frekanslar gei band sinyalinin 3 dB lik zayflama yapt noktalardr (Bkz. ekil B.1). 2. Kalite Faktr, Q: Merkez frekansn band geniliine oran olarak tanmlanr.

Q=

fm fU fL

(B.1)

Buradaki Q deeri, rezonans devresinin seiciliinin lsdr. Yksek Q deeri dar band genilii anlamna gelir. Band daraldka devrenin frekans seicilii de ykselir.

3. ekil (Shape) Faktr: Rezonans devresinin ekil faktr 60 dBlik band geniliinin 3 dBlik band geniliine oran olarak tanmlanr. ekil faktr geirme sndrme band geiinin diklii ile ilgilidir. ekil B.1de yer ald gibi ideal filtrede ekil faktr 1e eittir. 4. Son zayflama: Adndan da anlald zere gei band dndaki sinyaller iin son minimum zayflamadr. deal bir rezonans devresi gei band dnda, sonsuz zayflama yapar. Tabi ki sonsuz zayflama pratikte olas deildir. 5. Araya girme kayb: Bir devre veya eleman yk ile kaynak arasna yerletirilirse, kaynaktan gelen sinyallerin bir ksm bu elemanlar zerinde yutulur. Yani ykn dorudan kaynaa balanarak elde edilebilecek olan sinyalden farkl seviyede sinyal elde edilir. Bu zayflamaya araya girme kayb denir ve rezonans devrelerinin karakteristikleri asndan ok nemlidir. Genelde dB cinsinden ifade edilir. ekil B.2de araya girme kaybnn tanm verilmektedir. Vy1 ve Vy2 srasyla, kaynak ile yk arasnda rezonans devresi yok ve var iken hesaplanan/llen k gerilimleri ise araya girme kayb (AGK) da bu ikisinin oran eklinde AGK = 20 log 10 (Vy1 / Vy 2 ) olarak tanmlanr.

6. Dalgallk: Rezonans devresinin gei band boyunca dzlnn ltdr. Ve desibel cinsinden ifade edilir. Fiziksel olarak, gei bandnda maksimum ve minimum zayflama arasndaki fark olarak tanmlanr.

ekil B.2. ki kapl develerde araya girme kayb tanm.

139

Rezonans (Kaypsz elemanlar) Kaynak ile yk arasna seri ve paralel rezonans devrelerinin balanmas ekil B.3te gsterildii gibi olmaktadr. ekil B.3.a daki devre seri rezonans devresidir ve giri ile k arasnda rezonans frekansnda iaretin yke aktarlmas istenildiinde, ekil B.3.b deki ise paralel rezonans devresidir ve iaretler szlmek istenildiinde kullanlr.

ekil B.3. LC elemanlaryla oluturulan bir rezonans devresi. ekil B.3.b de basit bir gerilim blme kural yer almaktadr. Paralel koldaki LC elemanlarnn empedans X LC olmak zere bu elemanlardan alnan k gerilimi;

VC X LC = Vg R g + X LC le ifade edilir.

(B.2)

Yani Vc her zaman Vg den kktr. Bu devrede Vc / Vg oran frekansla deiir. Vc / Vg oran frekansa gre dB cinsinden; Vc XC = 20 log10 Vg R g + XC (B.3)

Denkleminden yararlanlarak izilir. Vc : dB cinsinden kayp Vg Rg: kaynak direnci XC: kapasitenin empedans 140

XC =

1 jC

ekil B.4 b deki devre dB cinsinden Vc / Vg oran frekansa gre Matlab yardm ile izdirilebilir. Tablo B.1de bu izimi yapan Matlab program yer almaktadr. ekil B.4.ada ise program altrldnda devrenin frekans karakteristii yer almaktadr.

(a) bdeki devrenin Vc / Vg oran

(b) Kapasite ile sonlandrlan devre.

ekil B.4. Basit bir devre ve onun Vc/Vgnin frekansla deiim grafii. Bu frekans erisinden, frekans arttka devrenin araya girme bu kaybnn da artt gzlenir. Yani bu devre basit bir alak geiren filtre zellii gsterir.

141

Tablo B.1. ekil B.4deki devrenin Vc / Vg orann dB cinsinden frekansa gre izdiren Matlab program.

Eer devredeki bu kapasiteyi karp yerine 0.075 Hlik bir endktans yerletirilirse ekil B.5.b deki devre oluur. Bu devrenin frekans cevab ise ekil B.5 a de yer alr. Bu devrenin frekans cevabn izerken;

Vout XL = 20 log10 Vin Rs + XL


formlnden yararlanlr.

Vout : dB cinsinden kayp Vin


Rs: kaynak direnci XL: indktansn empedans

142

XL=jL

(a) bdeki devrenin Vc / Vg oran

(b) ndktansla sonlandrlan devre.

ekil B.5. Basit bir seri LR devresi ve onun Vc/Vgnin frekansla deiim grafii. Vc / Vg oran frekansa gre Matlab yardm ile izdirilebilir. Tablo 3.2de ise bu devre iin izimi yapan Matlab program yer almaktadr. Tablo B.2. ekil B.5deki devrenin Vc / Vg orann dB cinsinden frekansa gre izdiren Matlab program.

143

Bu devre ise yksek geiren bir filtre zellii gsterir. Denklem (B.2) nin yardmyla devreye iki frekansla deien eleman yerletirildiinde oluan frekans cevab kolayca hesaplanabilir. Herhangi bir frekans deeri iin bu devrede gerilim blme kuraln uygulanabilir. Burada dikkat edilmesi gereken tek nokta devrede iki reaktif elemann bulunduudur. Bu elemanlar devreye paralel olarak yerletirilmitir. (Bkz. ekil B.6.a) Eer grmek istediimiz frekans aralnda her frekans deeri iin hesaplama yaplrsa ekil B.6.b elde edilir.

(a) LC rezonans devesinin frekans karakteristii.

(b) LC rezonans devresi.

ekil B.6. LC reoznans devresi ve onun frekans karakteristii. Frekans erisi hesabnda aadaki denklemeler kullanlr.
V = X toplam R g + X toplam (Vin )

X toplam =

X C .X L XC + XL

XC =

1 , X L = jL jC

144

Sonuta; 1 L ( j L ) j C C = = 1 1 + ( jL) + ( j L ) j jC

X toplam

Pay ve payday j C ile arplarak ; (j2=-1) j L j L = 1 + ( jL)( jC) 1 + 2 LC

X toplam =

Bu da denklem B.5 te yerine konulur,

jL 2 = 1 LC jL Vg Rg + 1 2 LC V Pay ve payda bu sefer 1-2LC ile arplr,

V Vg

jL (R :g R g LC) + jL
2

Yukardaki denklemden herhangi bir frekanstaki kayp dB olarak; V Vg = 20 log10 jL R g R g LC + jL


2

le hesaplanr. ekil B.6de, devrenin rezonans frekans civarnda rezonans erisi 12 dB/oktav ile artar.
Ykl Durumda Q

Rezonans devresinin Q deeri daha nce de anlatld gibi merkez frekansn 3dBlik band geniliine orandr (Bkz. Denklem B.1). Q genelde ykl Q olarak
145

tanmlanr.

nk

ykl

durumundaki

rezonans

devresinin

gei

band

karakteristiini ifade eder. Rezonans devresinin Q yklenmesi 3 ana faktre baldr (Bkz. ekil B.7): 1. Kaynak direncine (Rg) 2.Yk direnci (RL) 3. Eleman Qlarna baldr. Q yklenme zerinde Rg ve Ry etkisi; ekil B.6.bde 50 luk kaynak direnci, 0.075 Hlik kaypsz indktans ve 50pFlk kaypsz kapasitesi olan devrenin rezonans erisini gstermektedir. Bu devrenin Q deeri denklem B.1 de tanmlanr. Bu devredeki 50 luk direnci 1000 ile deitirilirse denklem B.5 in de yardmyla ekil B.8 de yer alan eri elde edilir. Grlr ki bu yeni devrenin Q veya seicilii yaklak 20ye kadar artar. Kaynak empedans deeri arttrlarak rezonans devresinin Q deeri arttrlm olunur.(C. Bowick, 1982)

ekil B.7. Ykl durumdaki Q hesaplamalar iin devre.

146

Frekansla Vc/Vg orani degisimi 0 -5 -10 -15 Vc/Vg orani -20 -25 -30 -35 -40 Q=20 Rg=1000 Ohm Q=2 Rg=50 Ohm

50

100

150 Frekans [MHz]

200

250

300

ekil B.8. Ykl durumda Q deeri zerinde Rg ve Ry nin etkisi

Eer ekil B.9.ada grld gibi rezonans devresine, harici bir yk daha eklersek, cevap erisi yk direncinin deerine bal olarak deiir. Rezonans hesaplamalar iin edeer devre modeli ekil B.9.bde yer almaktadr. Rezonans devresinin, Rgin ve Ryye paralel olarak grd bu empedans deeri devrenin gerek yk empedansdr. Bu toplam yk empedans Rg veya Ryden daha kktr. Dolaysyla da Q deeri daha az olmaldr.

(a) Harici ykl rezonans devresi

(b)Q hesaplamas iin eedeer devre.

ekil B.9. Rezonans devresine yk olan paralel empedans gsterimi.

147

Q=

RP XP

RP =Rg ve Rynin edeer paralel direnci XP = ndktif veya kapasitif reaktans (Rezonans durumunda birbirlerine eittirler.) Denklem B.6, Rpdeki azalmann rezonans devresinin Q deerinin de azalmasna yol atn gsterir. Ayn ekilde RP deerindeki art Qyu arttrr. Ayn etki RP deeri sabit tutulup, XP deerinin deitirilmesiyle elde edilir. Yani, en iyi Q deerini elde edebilmek iin verilen kaynak ve yk empedansndaki indktans deerinin kk, kapasite deerinin ise byk seilmesi gerekir. Rezonans devresi tasarm yaparken; 1) En iyi kaynak ve yk empedans 2) L ve C eleman deerlerini en iyi Q deeri elde edebilmek zere seilir. Tasarmlarda genellikle kaynak ve yk empedans zerinde bir deiiklik yapma olanamz olmayabilir. Bu durumlarda, XP deeri istenilen Q deeri iin en uygun deeri seilir.

rnek B.1

Kaynak direncinin 25 Ohm, yk direncinin ise 750 Ohm olduu bir rezonans devresinde Qnun rezonans frekans 100 MHzde 40olduu deeri iin devreyi elemanlarn kaypsz olduu ve empedans uyumunun olmad varsaylarak tasarlayn.
zm B.1

Efektif paralel diren, 25 Ohmun 750 Ohma paralellii ile elde edilir;
25 750 = 24 25 + 750

Rp =

Denklem B.6 dan;

148

XP =

R P 24 = = 0 .6 Q 40 1 C

X P = L =

Buradan; L=0.95 nH ve C=2.65 nF bulunur. Rezonans devresinde kullanlan elemanlar kaypsz iken Q deerinde bir bozulma gzlenmez. Kaypsz rezonans devresinde, devrenin yknden grlen empedans rezonans durumunda sonsuzdur. Pratik devrelerde ise, sonlu edeer paralel direnler bulunur (Bkz. ekil B.10). RP direnci ve onun paralel XP reaktans u denklemden elde edilir;

R P = (Q e + 1)R s
RP = Edeer paralel direnci RS = Elemanlarn seri direnci Burada Q e eleman kalite faktrn gstermekte ve her iki (seri ve paralel) edeerlik durumunda da Q e ayn olduundan paralel durumda edeer reaktans deeri
X p = R p / Qe

(3.8)

eklinde hesaplanabilmektedir. Eleman kalite faktr Q e 10dan byk ise


2 R p = Q e R s ve X p X s kullanlabilir.

ekil B.10. Eleman edeer kayplarnda seri/paralel dnm.

149

rnek B.2; yksek seicili rezonans devre tasarmlarnda dk kaliteli (alak Q deerli) elemanlar kullanlmas durumundaki potansiyel etkisini aka gsterir. Herhangi dk deerli bir diren rezonans devresine paralel olarak balanrsa, Q deerini drr, band geniliini ise arttrr.
Araya Girme Kayb (Insertion Loss)

Eer endktr veya kondansatr idealse, LC rezonans devrelerinde veya filtrelerinde araya girme kayplar olumaz. ekil B.11, kaynak ve yk arasndaki rezonans devresinin araya girme kayb etkisini gsterir. ekil B.11.ada, kaynak dorudan yke baldr. Gerilim blme kuraln kullanarak,

V1 = 0.5Vin
ekil B.11.bde ise rezonans devresi kaynak ve ykn arasna yerletirilmitir. Rezonans durumundaki edeer devre modeli ekil B.16.cde yer almaktadr. Dikkat edilirse rezonans frekansnda Q deeri 10 olan endktans kullanldnda 4500 Ohmluk efektif paralel direncini retir. Bu diren RL ile eletirilir. ekil B.11.adaki devrenin edeer noktas ile karlatrldnda V1 geriliminde 0,9 dBlik kayp oluur. 0.9 dBlik bir araya girme kayb ok byk gibi gzkmemekle beraber birok rezonans devresinin ard arda balanmasyla istenmeyen yksek seviyelere kabilir.

150

(V1=0.5Vg)

(a) Kaynak direk olarak yke bal. (b) Rezonans devresi kaynak ile yk arasnda.

V1=0.45Vg

(c ) Rezonans frekansnda edeer devre. ekil B.11. Eleman Q deerinin araya girme kayb zerindeki etkisi. rnek B.2

ekil B.12.adaki 75 nHlik bobin deeri iin 50 MHz de Q deerini hesaplayn. Daha sonra seri olan bu devreyi ekil B.12.b deki gibi paralel endktans ve kapasite edeer rezonans devresine dntrn.

(a) Seri devre. ekil B.12. Seri-paralel dnm.

(b) Paralel edeeri.

151

zm B.2

50 MHzdeki Q deeri; X S 2(50x10 6 )(75x10 9 ) Q= = RS 10

Q=

XS = 2.34 RS

Qun 10dan az deeri iin denklem B.7 kullanlarak RP hesaplanr.


R P = (Q 2 + 1) R S = [(2.34) 2 + 1].10 R P = (Q 2 + 1) R S = 64.76

Denklem B.8 kullanlarak da XP hesaplanr;

XP = XP =

R P 64.76 = QP 2.34 RP = 27.67 QP

Bylece paralel endktans;

LP =

XP 27.67 = 2(50x10 6 )

LP =

XP = 88.08 nH

rnek B.3

3 dB band genilii 15 MHz ve merkez frekans 300 MHzde olacak ekilde basit bir rezonans devresi tasarlayn. Kaynak ve yk empedanslarnn her biri 50 Ohmdur. Kapasitenin kaypsz olduunu farz edelim. Endktansn Q deeri ise 50dir. Devrenin araya girme kayb ne olur?

152

zm B.3

Denklem B.1den, rezonans devresinin Q deeri;

Q=

fm = 20 fU fL

Endktans ve kapasite deerlerini bulabilmek iin tasarm tamamlamak gereklidir. Rezonans durumunda elamanlarn empedans deerleri ve paralel diren deeri biliniyor. Denklem B.8den;
XP = RP QP

XP = Rezonansta indktans ve kapasitenin empedans RP = ndktans edeer paralel direnci QP = ndktansnn Qsu

R P = (50)X P
Rezonans devresinin ykl Q deeri; Q= 20 = R toplam XP R toplam XP

Rtoplam = paralel direntir. Yani RP, RS ve RLnin paralel durumunun edeeridir. Yani;
R P (25) R + 25 20 = P XP

Buradan denklem (B.9) ve (B.10) kullanlarak Xp ve Rp hesaplanabilir. XP = 0.75 Ohm olur. Bu deer B.10da yerine yazlrsa; RP= 37.5 dur.

L=

XP 1 = 0.4 nH, C = = 707 pF X P

Hesaplanan eleman deerleri ile ekil B.13deki devre elde edilir.

153

ekil B.13. rnek B.3deki rezonans devresi.

Araya girme kayb gerilim blme kuralnn yardmyla;


21.43 (Vg ) 21.43 + 50

V =

V = 0.3 Vg

Araya girme kayb = 20 log10


Empedans Dnm

0.3VS = 4.4 dB 0.5VS

Daha nceki blmlerde anlatld gibi dk deerli kaynak ve yk empedans, rezonans devresindeki yk azaltarak ykl Qyu azaltr ve band geniliini arttrr. ok dk deerli kaynak ve yk direnleri arasnda basit LC yksek Q rezonans devresinin kullanlmasn gletirir. Bu problemi zmenin yollarndan biri ekil B.14de verildii gibi tasarmda empedans dntrc devrelerin kullanlmasdr. Empedans dntrcleri ile rezonans devresine, kaynak ve yk direnci gerekte olduundan daha byk gzkr. rnein, bir empedans dntrcs gerekte 50 Ohmluk bir (Rg) direncini rezonans devresine 500 Ohmluk (RgI) bir direnc olarak gsterir. Dntrcler iin Qun 10dan byk olmas halinde kullanlabilecek tasarm denklemleri unlardr:

R g = R g (1 +

C1 2 ) C2
154

Edeer kapasite CT;

CT =

C1 C 2 C1 + C 2
n 2 ) n1

ekil B.14 bdeki devre iin;


Rg = Rg(
I

(a) Kapasite tamponlu devre.

(b) Endktans tamponlu devre.

(c) Edeer devre. ekil B.14. Empedans dnm iin kullanlan iki farkl metot ve edeer

devreleri.
Rezonans Devrelerinin Kuplaj

Gei bandnda dik geileri gzlemleyebilmek iin rezonans devrelerinin saylar arttrlr. Birka rezonans devresi kullanlp bunlarn kuplajlanmas salanr. Bu durumda oluan, merkez frekansndaki zayflama tek bir rezonans devresinin rettiinden daha fazla olur. Kapasitif kuplajlama; en ok kullanlan kuplajlama yntemidir. ekil B.15 kapasitif olarak kuplajlanan bir filtre devresinin yerleimini gstermektedir.

155

Her rezonatr kuplajlamada kullanlan kapasite deeri rast gele seilmez (Bkz. ekil B.16). ekil B.15 deki C12 kapasitesi ok bykse meydana gelen kuplajlama da byk olur. Ve filtrenin gei bandnda gzlemlenen rezonans tepeleri ile beraber frekans cevab geniler. Eer C12 kapasitesi ok kkse, bir rezonans devresinden dierine yeterince sinyal geemez. Bunun sonucu olarak, araya girme kayb kabul edilemez seviyede artar. Bu iki olay iin kritik kuplajlama tanmlanr. Mmkn olan en dk kabul edilebilir araya girme kayb, makul bir band genilii ve dolaysyla da en yksek sinyal iletimini salamak iin kritik kuplajlama tanmlanr.

ekil B.15. Kapasitif kuplajlama.

Bahsedilen iki olas durum iin kritik kuplajlama yaplabilir. Bu durumda kuplajlanan devrenin ykl Q deeri rezonatrlerin her birinin ykl Q deerinden 0.707 defa byk olur. Ayrca kuplajl devrenin 3dB band genilii tek rezonatrl devrenin band geniliinden de byk olur Bu kuplajlama devresi ile sndrme bandnn keskinlii arttrlr, tek rezonatr ile ulalan zayflamaya daha hzl ulalr (Bkz. ekil B.17). Kuplajlama devresindeki her bir rezonatr dier rezonatr iin bir yk oluturur ve bunlarn her biri dierinin Q yklenmesini azaltr. Gei bandndan sndrme bandna doru ilerledike her rezonatr kombine haliyle frekans cevabn daha hzl drr.

156

ekil B.16 Deiik deerlerdeki kapasitif kuplajlamann gei bandndaki etkisi.

ekil B.17 Tek ve iki rezonatrl tasarmdaki zayflama.

Kuplajlama devresinde kullanlacak olan kapasite deeri; C12 = C Q

C12: Kapasite kuplaj, C: Rezonans devresinin kapasitesi, Q: Tek rezonatrn ykl Q deeri.

157

(a) Rezonans frekansnn altnda.

(b) Rezonans frekansnn zerinde.

ekil B.18. Kapasitif olararak kuplajlanan rezonans devresinin edeer devreleri.

ekil B.16da grld zere, kapasitif kuplajlanan rezonans devresinin bir dier nemli karakteristii de merkez frekans civarnda frekans cevap erisinin kritik kuplajlamada bile simetrik olmaddr. Frekans cevab, alak frekans blgesinde 18 dB/oktavlk oranla azalrken erinin st blgesi 6 dB/oktavla azalr. Bu durum, edeer devrenin rezonansn altnda ve zerinde olmak zere iki farkl ekliyle aklanr. Edeer devre rezonansn altnda ekil B.18.adaki ve ekil B.18.b deki gibidir.

ndiktf kuplajlama, ekil B.19de yer ald gibi iki deiik ekilde yaplr.

(a) Seri indktans ile indktif kuplajlama

158

(b) Transformatr ile endktif kuplajlama. ekil B.19. Endktif kuplajlama.

(a) ndktif Kuplajlama

(b) Transformatr ile Kuplajlama ekil B.20 Deiik deerlerde endktif ve transformatr ile kuplajlamann gei

band zerindeki etkileri. Birinci yolda (Bkz. ekil B.19.a) ilk rezonatrden ikinci rezonatre enerji iletimi seri endktans zerinden yaplr. Dier yolda ise (Bkz. ekil B.19.b) ayn ama uruna bir dntrc kullanlr. Her iki durumda da kuplaj miktarna bal olarak frekans cevap erisi ekil B.20ye benzer. ekil B.16 ile B.20.a karlatrlrsa ekillerin birbirinin ayns olduunu gzlenir. Endktif olarak kuplajlanan rezonatrn cevab frekans spektrumunun yksek kesimlerinde erilirken, kapasitif 159

olarak kuplajlanan rezonatrn cevab frekans spektrumunun dk kesimlerinde erilirler. Rezonansn altnda endktif kuplajlama devresinin edeer devresi ekil B.21.ada yer ald gibi olur. Rezonans frekansnn zerinde ise endktif kuplajlama devresinin edeer devresi ekil B.21.adaki modele sahip olur.

(a) Rezonans frekansnn altnda

(b) Rezonans frekansnn zerinde

ekil B.21. Endktif kuplajlanan devrenin edeer devreleri

Endktif ve kapasitif kuplajl rezonans devrelerinin zt-ekil karakteristikleri ok kullanl bir metottur. Bu, genelde simetrik frekans cevab erisinin gerekli olduu uygulamalarda kullanlr. rnein, bir kapasitif kuplajlama devresi ok fazla erilik yaparsa bu sorunu ortadan kaldrmak iin devreye bir st-L kuplajlama eleman yerletirilir. Bu kuplajlama paras devrenin frekans cevabna ters ynde erilik kazandrr. Sonu olarak ortaya simetrik bir frekans cevab kar. Bu rezonans devresinde kullanlan endktansn deeri;

L12 = Q.L
L12: kuplaj indktansnn deeri. Q: tek rezonatrn ykl Q deeri. L: rezonans devresinin indktans. Denklem B.14de hesaplanan C12 deeri denklem B.15de hesaplanan L12nin deeri ile rezonans frekansnda ve ayn Q deerinde eittir. Buna gre tasarmda rezonans frekans iin eit empedans deerlerine sahip herhangi bir st-C kuplaj rezonatr bir st-L eleman ile deitirilme olana kar. Bu tip bir deiiklik yapld zaman devrenin kuplaj derecesi, Q ve rezonans frekans deimez. Ama 160

sndrme band erisi bir yandan dier yana kayar. st-L kuplajlama eleman ile yaplan tasarm, gei bandnn zerindeki noktalarda en son zayflamann meydana gelmesini istediimizde kullanlr. Ayn ekilde st-C kuplajlama eleman ile yaplan devreler gei bandnn altndaki noktalarda en son zayflamann meydana gelmesini istediimizde kullanlr. Dntrcler ile yaplan kuplajlamada kuplaj derecesini etkileyen bir ok faktr vardr. Sarmalarn geometrisi, bunlar arasndaki mesafe, sarm malzemesi ve kaplama gibi faktrler kuplaj derecesini etkiler. Dntrcler ile yaplan kuplajlamada : 1. Birincil ve ikincil sarmlar arasndaki mesafeyi azaltmak kuplaj arttrr. 2. Manyetik parann permabilitesinin artmas kuplaj arttrr. 3. Kaplama, dntrcnn ykl Q deerini azaltarak kuplajn arttrr. Etkileri dikkate alnr. Aktif kuplajlama; bu tip kuplajlama ile rezonans devrelerinin ard arda balanmasyla ok dar 3dB band genilii elde edilir. ekil B.22da grld gibi bu kuplajlamada transistor gibi aktif elemanlar kullanlr. Ard arda balanan bu devrelerin toplam Q deeri;

Q toplam =

Q 2
1/ n

Qtoplam: arda arda bal devrelerin toplam Q deeri, Q: her bir rezonatrn toplam Q deeri, N: rezonans devrelerinin says.

ekil B.22. Aktif kuplajlama.

161

Ek-C

LETM HAT TEORS ekil C.1de yer ald gibi iki iletkenli iletim hat modeli ele alndnda, kaynak ve yk, bir g kayna ve anten iftini, ya da bir l aleti ve devreyi gsterebilir. Kaynak ve yk arasndaki balant iki iletkenli iletim hatt modeli ile gsterilebilir. Bu balant, koaksiyel, dalga klavuzu veya boluk olabilir. letim hatt modellemesi devre kuram cinsinden yaplrsa bamsz deikenler gerilim (V) ve akm (I) olur. Gerilimin volt, akmn ise amper boyutunda olduundan elektrik ve manyetik alanlara gemek kolaydr.

ekil C.1. letim hatt modeli. letim hatlar ilk olarak iki iletkenli basit hatlarla (telefon hatlarnda olduu gibi) balamtr. Teknolojinin gelimesiyle nce koaksiyel kablolara, sonra da dalga klavuzlarna geilmitir. ki iletkenli hatlar DC den en fazla birka yk KHz frekanslara kadar kullanlmaktadr. Oysa koaksiyel hatlar DC den birka yz MHz lere dek kullanlabilmektedir. Hatta bir iki GHz frekanslarda kullanlabilen zel koaksiyel hatlar da vardr. ki iletkenli ve koaksiyel hatlar DC den belli bir st frekansa kadar iareti geirir ve iletirler, bu frekansn stndeki iaretler hzla sndrldnden sz konusu frekanslarda iletim hatt olarak kullanlamazlar. Yani bu hatlar birer alak geiren filtre gibi davranrlar. Dalga klavuzlar ise daha farkldr. Bu hatlar, alak frekanslar geirmez ve sndrrler. Yani birer st geiren filtre gibi davranrlar. Bunlar deiik kesitlere sahip iletken yaplardr. En yaygn kullanlanlar dikdrtgen ve dairesel kesitli olanlardr. Kesit boyutlar daraldka kesim frekanslar ykselir. Yani, ilettikleri en

dk frekansn deeri ykselir. letim hatt modeli ile ele alnacak dier yaplar mikroerit ve ailesi (erit, askl erit, vb) ile optik fiber hatlardr. Mikroerit hatlar iki farkl genilikteki ince iletken tabaka arasna dielektrik tabaka yerletirilerek elde edilir. Optik fiberler ise farkl krlma indislerine sahip cam elyaf tipi iki maddenin e merkezli olarak (koaksiyel hat gibi) yerletirilmesi ile elde edilir. te bir iki mikrometre apl daha youn (krlma indisi daha byk) madde ile dta daha geni 4050 mikrometre apl daha az youn (krlma indisi dk) madde kullanlr. Bu durumda frekans 1014-1015 Hz olan k, i maddede klavuzlanarak iletilir. Birincil ve kincil Parametreler ekil C.2de yer alan z uzunluundaki iletim hat paras edeer devre modeli aadaki durumlarda geerlidir: i) Bu hat bir ayrk sistemdir. Hattn her en kk paras tm dier ayn uzunluktaki hat paralarn tanmlar. ii) Hat boyunca herhangi bir noktada, bir gerilim (V) ve akm (I) deeri elde edilir. Gerilim V = E.dl ile tanmlanr. iii) Birim uzunluk iin indktans, kapasite, diren ve iletkenlik (L, C, R ve G) hattn birincil parametreleri olarak tanmlanr. Yaylma katsays ve karakteristik empedans Z0 ise hattn ikincil parametreleridir. R: L: C: G: Birim boy Birim boy direnci indktans [/m] [H/m] [F/m] [S/m]

Birim boy kapasitesi Birim boy iletkenlii

iv) Her zaman deiimler ejt ile ifade edilir. Bu ifade d(.)/dt j(.) ile kullanlr.

163

ekil C.2. z uzunluundaki iletim hat parasnn edeer devre modeli Ksa hat uzunluundaki gerilim deiimi hattn seri elamanlar ile;
I V = RI + L z t

(C.1)

tanmlanr. Akm deiimi ise hattn paralel elemanlar ile;


V I = GV + c z t

(C.2)

tanmlanr.
V I ve uygulanarak elde edilirler. Dalga z z

Bu deerler (lim z 0) limitinde

denklemi, gerilim (V) ve akm (I)nn her ikisine bal bir denklemdir. V iin, birinci dereceden diferansiyel denklemden akm yok edilerek bu denklem elde edilir.
j t d , z dz

Kullanldnda

artk

zaman

bir

deiken

olmaz

ve

olur(Fooks,Zakarevicius,1990). d2V = (R + jL)(G + jc)V dz 2

(C.3)

Hat boyuncaki gerilim iin denklem (C.3)teki dalga denklemine bir zm yazlr;

V = (Vi e z + Vg e z )e jt
Vi = +z ynnde ilerleyen dalga. 164

(C.4)

Vg = -z ynnde geri dnen dalga. Burada;


= {( R + jL)(G + jc)}
1/ 2

(C.5)

ile ifade edilir. Ayn ekilde;

I = (I i e z + I g e z )e jt

(C.6)

Genelde yaylma sabiti = + j gibi bir komplekstir. ise neper. m-1 cinsinden zayflama sabiti ve da radyan.m-1 cinsinden faz sabitidir.

Bu sabitler zamana gre deimezler. Bunlar genelde frekansa, malzemeye ve geometriye baldr. V(z = 1metre) 1 = ln neper.m V(z = 0) Pratikte zayflama genellikle desibel (dB) cinsinden ifade edilir. P(z = 1metre) 1 = 10 log10 dB.m P(z = 0) Ayrca 1.0 neper = 8.686 dB dr. (C.4) denkleminin gerilim iin ikinci dereceden diferansiyel denklemden zm iki bamsz eleman ierir. Bunlar Vi ve Vg dr. Vi e jt e z terimi; +z ynnde ilerleyen dalgay ifade eder. letim hattnn +z dorultusunda ilerleyen dalgann genlii Vi e dz ile azalr. Artan z ile beraber herhangi bir anda dalgann faz e jz ile gecikir. kinci bamsz terim olan Vg e jt e z ise z ynnde geri dnen dalgay ifade eder ve z azaldka zayflar. (C.1) Denkleminden;

(C.7)

(C.8)

165

I=

1 dV x R + jL dz

(C.9)

I=

1 Vi e z + Vg e z e jt R + j L

(C.10)

Denklem (C.5) teki i de yerine yazarsak;


1/ 2

G + j c I= R + j L

x Vi e z Vg e z e jt

(C.11)

lerleyen veya geri dnen dalgay ele alarak dalgann gerilim akmna oranlanrsa karakteristik empedans elde edilir. Hattn karakteristik empedans;
1/ 2

R + j L Z0 = G + jwc

(C.12)

Burada; Z 0 =

Vg Vi (ilerleyen dalga) veya (geri dnen dalga) Ii Ig

(C.13)

Kaypsz letim Hatt Kaypsz bir iletim hatt mkemmel iletken (R=0) ve mkemmel dielektrik malzemeden oluur. Bu tip hatta iletkenler arasnda akm ak (G=0) olmaz. Yani;
= + j = {( jL )( jc )}
1/ 2

(C.14)

= 0 neper.m-1
ve = LC radyan.m-1

(C.15)

(C.16)

Denklem (C.12)den kaypsz iletim hattnn karakteristik empedans: 166

L Z0 = C

1/ 2

(C.17)

Az Kaypl letim Hatlar Genelde pratik almalarda iletim hatlar az kaypl hatlar olarak kabul edilir. Az kaypl hat iin matematiksel olarak, seri elamanlar R << L durumunu, paralel elemanlar da G << C durumunu salamal (Fooks,Zakarevicius,1990). Paralel elemanlarn oran G/ C dielektrik malzemeler iin kayp tanjant olarak tanmlanr. Az kaypl durumlar iin ikincil parametreler u ekilde ifade edilir: Yaylma sabiti;
1/ 2

R G = j LC 1 j 1 J C

(C.18)

Denklem (C.18) alm ile elde edilen ikinci dereceden deerleri ihmal ederek; G R j LC 1 j + 2L 2C az kaypl kaypsz = LC radyan.m-1 Zayflama;
G R LC + 2L 2C

(C.19)

(C.20)

(C.21)

(C.17) denklemindeki kaypsz hat iin karakteristik empedans kullanarak;

1R -1 + GZ 0 neper.m 2 Z0

(C.22)

Karakteristik empedans zerinde hat kayb etkisi (C.12) denkleminin yardmyla;

167

L Z0 = C

1/ 2

G R 1 j 2L 2C

(C.23)

Hzlar ve Dalga Boylar Faz hz; ileri ynde iletim hattnda ilerleyen dalga;
t z = sabit

(C.24)

Olarak verilir. Buradaki dalga faz hz olarak bilinir. ekil C.3te yer alan dalga t1 annda z1 noktasnda, t2 annda z2 noktasnda ise;

t 1 z1 = t 2 z 2
faz sabit tutularak bulunur.

(C.25)

ekil C.3. Faz hz tanmlamasndaki dalga yaylm gsterimi. Buradan da ilerleyen dalgann faz hz;

Vfaz =

z 2 z1 = t 2 t1

(C.26)

168

Az kaypl iletim hatt iin = LC ise; Vfaz = 1 LC m.s 1 (C.27)

Hava ile dolu bir iletim hattnda faz hz yaklak olarak boluktaki k hzna eit olur. (c=2.997925x108 m.s-1). letim hattnn dielektrik malzeme ile dolu olmas durumunda faz hz; Vfaz = c r m.s 1 (C.28)

Herhangi bir dielektrik malzemeyle dolu iletim hatt iin, dielektrik malzemeye bal olmayan L yi (C.27) ve (C.17) denklemlerine uygulayarak Z0 karakteristik empedans bulunur.
1 Vfaz C

Z0 =

(C.29)

C; bu denklemde birim hat uzunluundaki kapasite deeridir. Grup hz; Eer bilgi bir sinyalle iletilecek ise grup hz kavram belli bir frekans band iin ok nemlidir. Bu eit bir dalga; e j(( + d) t ( + d ) z ) + e j(( d) t (d ) z ) = 2 cos(dt d z)e j( t z ) Dalgann zarf cos(dt d z) ile verilir. Bu durumda grup veya zarf hz; Vgrup = d d (C.31)

(C.30)

ile tanmlanr. Dalga boyu; Kaypsz hattaki ileri ynde ilerleyen dalgann genlii (C.4) denklemi ile;

169

Vi e j( t z ) = Vg e j

(C.32)

Herhangi t zamannda, bir dalga boyu mesafesindeki iki nokta 2lik faz farkna sahiptir. z ve (z+) noktalarnda = 2 lik faz fark ile;
t z = t ( z + ) + 2

(C.33)

2 2 veya =

(C.34)

Bu denklemlerde yer alan alma frekansndaki dalga boyudur. Serbest uzaydaki dalga boyu ve bal dielektrik katsays r ise,

2 r 0
0 r

radyan.m 1

(C.35)

ve =

(C.36)

Bu iki denklem yalnzca (TEM) modunda kullanlabilir. Ama denklemlerde r yi etkin bal permivite (e) olarak kullanlarak bu denklemler mikroerit iletim hatlarnda kullanlr. rnek C.1 Dielektrik malzemeyle dolu koaksiyel iletim hattnn birincil parametreleri 1 GHz de; L=250 nH.m-1, C=95 pF.m-1, R=1,6 .m-1 ve G=600 s.m-1 ile veriliyor. i) Az kaypl hat olarak hatt tanmlayn. ii) 1 GHz de karakteristik empedans, zayflamay ve faz sabitini hesaplayn. iii) Faz sabitinden hattaki dalga boyunu ve bal permivitesini hesaplayn.

170

zm C.1 i) Eer R<< L ve G<< C ise hat 1 GHz de az kaypldr. R:L =1,6:2 x 109 x 250 x 10-9 = 1:982 G: C =6 x 10-4: 2 x 109 x 95 x 10-12=1:995 Grld gibi bu hat az kaypl hat zelliklerini salar. ii) Denklem (C.17) den
L Z0 = C
1/ 2 1/ 2

250 x10 9 = 12 95x10

= 51,3

Denklem (C.22) den = 1 1,6 + 6x10 4 x51,3 =0,031 neper.m-1=0,27 dB.m-1 2 51,3

Denklem (C.20)den;
= LC = 2x10 9 250 x10 9 x 95x10 12 = 30,62 radyan.m 1

1/ 2

iii) 1 GHz deki dalga boyu; = 2 2 = = 0,205 m 30,62

Bu dalga boyu serbest uzaydaki dalga boyundan (0,30 m) az oldu. Sonuta denklem (C.36) yardmyla bal dielektrik katsays;
2

0,30 r = = 2,14 0,205


Ykle Sonlandrlm letim Hatlar letim hattndaki toplam gerilim ve akm denklemleri;

V = Vi e z + Vg e z

(C.37)

171

ve I = I i e z + I g e z =

Vi e z Vge z Z0

(C.38)

lerleyen dalga, hattn kaynandan hat sonundaki kaynaa doru iletimi temsil eder. Ykn hatta bal olduu noktada yansyan dalga oluabilir ve bu dalga kaynaa doru geri ynde ilerlemeye balar. Karakteristik empedans Z0 olan hatta ZL yknn balandn varsayalm. ekil C.4deki gibi ykn bal olduu nokta z=0 dzleminde seilir. Yansyan ve ilerleyen dalgalar gerilim yansma katsays L ile ilikilendirilir. l uzunluundaki hat iin giri z = l dzleminden yaplr. Bu dzlemde toplam gerilimin akma oran giri empedansn verir. Ayn ekilde bu dzlemde ilerleyen ve yansyan dalgalarn oran da yansma katsaysn verir. Bu parametreler ekil C.4te yer alr.

ekil C.4. Ykle sonlandrlan iletim hatt. Yansma Katsaylar Z0 karakteristik empedansl bir iletim hattnn her hangi noktasna bir ZL empedansna sahip eleman balandnda bir sreksizlik oluur. Bu sreksizlik ise, hat zerinde karakteristik empedansndan farkl bir etkinin olumasna neden olur. Sreksizliklerin olduu bu noktalarda gerilim ve akm dalgalarnda yansmalar olur. Yani, byle sreksizlik noktalarnda toplam gerilim dalgas bir ynde (genelde yke doru) giden gerilim dalgas ile yansyan (genelde kaynaa doru) gerilim dalgasnn toplamndan oluur. Bu toplam deeri; giden ve yansyan gerilim dalgalar e fazl olup maksimum deerlere kabilir, zt fazl olup minimum deerlere inebilir. z=0da ykn bulunduu dzlemde yk gerilim ve akm; 172

VL = Vi + Vg
I L = I i + I g veya I L =

(C.39) Vi Vg Z0 (C.40)

le tanmlanr. Yk dzlemindeki yk empedans;


ZL = VL Vi + Vg x Z0 = IL Vi Vg

(C.41)

Bu denklem u ekilde yazlabilir;


ZL = Z L 1 + (Vg / Vi ) = Z 0 1 (Vg / Vi )

(C.42)

Bu denklemdeki ZL iletim hatt karakteristik empedansna normalize edilmi empedans deeridir. Bu denkleme ykteki gerilim yansma katsaysnn eklenmesiyle
(L = Vg / Vi )

ZL =

1 + L 1 L

(C.43)

Tekrar dzenleyerek ykteki yansma katsaysn;

L =

ZL Z0 ZL 1 = ZL + Z0 Z L + 1

(C.44)

eklinde bulabiliriz. Hat zerinde herhangi bir noktadaki yansma katsays, rnein z = lnoktasnda, yansyan gerilimin ilerleyen gerilime orandr. Genelde bu deer kompleks bir byklktr (C.37) denkleminden;

in =

Vg e z Vi e z

Vg e l Vi e l

(C.45)

173

in = L e 2 l Hattn giriindeki yansma katsaysdr.

(C.46)

Denklemden grlecei zere herhangi bir noktada sreksizlie neden olan ZL empedans, hattn karakteristik empedans Z0dan ne kadar farkl ise yansma o kadar fazla olacaktr. Yansma katsays iin u u deerler nemlidir: ZL= Z0 ise (yani hatta herhangi bir sreksizlik yok ise) yansma katsaysnn deeri sfr olur. O halde karakteristik empedans ile sonlandrlm bir hatta verilen gcn tamam yke aktarlm olur. ZL=0 (yani ksa devre, KD) ise yansma katsaysnn deeri 1 olacaktr. Yani, sonu kendi kendine eklenen bir hatta verilen iaret zt fazl olarak kaynaa doru geri dnecektir. ZL (yani ak devre, AD) ise yansma katsaysnn deeri 1 olacaktr. Yani, sonu ak braklan bir hatta verilen iaret e fazl olarak kaynaa doru geri dnecektir. ZL yk genelde kompleks olabileceine gre yansma katsays da kompleks olabilir. Genlii sfr ile bir arasnda deiir. Sfr, hi yansma yok, bir ise tam yansma var demektir. Gerilim Duran Dalga Oran Hat zerinde giden ve yansyan gerilim ve akm dalgalarnn olumas iletim hattnda sreksizlik olmas demektir. Bu iki yndeki dalga hareketi giriim anlamna gelir. Giden ve yansyan gerilimler hat zerinde belli yerlerde gerilim maksimumlar ve minimumlar oluturur. Bu ekildeki oluuma duran dalgalar ad verilir. Duran dalga oran gerilimi (D.D.O.) iletim hattnda duran dalgann maksimum gerilimin minimum gerilime orandr. Maksimum gerilim = Vi + Vg Minimum gerilim = Vi Vg 174

DDO; S= Vi + Vg Vi Vg (C.47)

veya;

S=

1 + L 1 L

(C.48)

DDO bants ile ilgili nemli noktalar unlardr: Hat zerinde sreksizlik yoksa (yansma katsays sfr ise) DDO=1 olur. Yani, S=1 demek kaynaktan ekilen btn gcn yke aktarlmas ve hat zerinde gerilim maksimum ve minimumlarnn olumamas demektir. Hat sonunun AD ya da KD (yani tam yansma) olmas durumunda DDO sonsuz olur (s ). Bu durumda gerilim minimumu sfrda demektir. Hat zerinde gerilim dalgalanmas en yksektir. Yani, belli yerlerde gerilim verilenin iki katna kabilir. DDO bir ile sonsuz arasnda pozitif tam saydr.

letim hattndaki maksimum gerilim, deerinde giri empedans; Zin=SZ0 rnek C.2 75 karakteristik empedans olan hat (68-j12) luk ykle sonlandrldnda; i) Ykteki gerilim yansma katsaysn, ii) Hat boyunca ki DDO, iii) lk minimum geriliminin yke mesafesini, iv) Minimum gerilim deerinin olduu yerdeki empedans deerini hesaplayn. zm C.2 i) (C.44) denkleminden, ykteki yansma katsays; (C.49)

175

L =

(68 j12) 75 13,89 < 120,3o = (68 j12) + 75 143,5 < 4,8 o

L = 0,097 < 115,5 o ii) (C.48)denkleminden DDO, 1 + 0,097 = 1,215 1 0,097

S=

iii) Kaypsz iletim hatt boyunca ilerleyen ve yansyan dalgalarn genlikleri sabit kalr. Minimum gerilimde yansma katsays gerel ve negatiftir. Eer l minimum geriliminin ykten uzakli ise (C.46) denkleminden in bu noktadaki yansma katsaysdr. ; = L e j2l Veya 0,097< m 180 = 0,097<-115,5 x e j2l iv) (C.43) denkleminden minimum gerilim deerindeki empedans;
Z = Z0 1+ 1
= 0,097

Z=61,7 letim Katsays ekil C.5deki sreksizlik noktasnn her iki yannda toplam gerilim ayn olur. z=0 dzleminde; Vi+Vg=Vt+0 (C.50)

Bu denklem ykten sreksizlie hi yansya gerilim olmad durumda geerlidir. letim katsays; T= Vt/Vi ise
T = 1+

(C.51)

176

, paralel elemann sol tarafndaki gerilim yansma katsaysdr.

ekil C.5. Sreksizlik noktasndaki yaylan gerilim dalgalar. Giri Empedans Kaypsz iletim hatlarnda giri empedans Zin parametreye baldr. Bunlar; hattn karakteristik empedans Z0, hattn elektriksel uzunluu l ve yk empedans ZLdir. Gerilim yansma katsaysndaki deiim bilgisiyle giri empedans admda kolayca hesaplanr: 1) Ykteki yansma katsays, (C.44) denklemini kullanarak yk empedans cinsinden yazlr. 2) Denklem (C.46) kullanlarak giriteki yansma katsays ykteki yansma katsays cinsinden yazlr. 3) Giri empedans giriteki yansma katsays cinsinden yazlr. letim hattnn herhangi bir dzlemindeki empedans, bu dzlemdeki yansma katsaysna baldr. Ayn ekilde (C.43) denkleminde yk dzleminde de bu bant kullanlr. Giri dzleminde 3. admla balayp ilemleri yk dzlemine doru 2. ve 1. admlar yaplarak aadaki ifadeler elde edilir.

1 + L e j2l 1 + in Z in = Z 0 = Z0 j 2l 1 in 1 L e

(C.52)

177

( Z + Z 0 )e jl + ( Z L Z 0 )e jl Z in = Z 0 L j l j l ( Z L + Z 0 ) e ( Z L Z 0 )e Z cos(l) + jZ 0 Sin (l) Z in = Z 0 L Z 0 cos(l) + jZ L Sin (l)


Giri admitans;

(C.53)

(C.54)

Y cos(l) + jY0 Sin (l) Yin = Y0 L Y0 cos(l) + jYL Sin (l)


Salma ve letim Parametreleri Salma Matrisi

(C.55)

Yksek frekanstaki almalarda iki-kapl devreler admitans ya da hibrid parametreler yerine salma parametreleri ile ok daha iyi karakterize edilirler. ekil C.6da yer ald gibi bir iki-kapl devrede yaylan dalga bu devreyi karakterize etmede kullanlan deikenlerdir (Fooks,Zakarevicius,1990). Lineer iki-kapl devrelerde giden ve yansyan dalgalar arasnda lineer bir balant vardr;

e y1 s11 s12 e g1 e = y 2 s 21 s 22 e g 2

(C.56)

ekil C.6. ki-kapl devrenin giri ve klarndaki gelen ve yansyan dalgalar. Bu matris salma matrisi ve matris elemanlar da salma parametreleri olarak bilinir. Farkl bir gsterimle matris;

178

e y1 s g e = y2 s i

s y e g1 s o e g 2

(C.57)

Salma parametrelerinin anlalmasnda aadaki maddeler byk nem tar. 1) ki-kapl devrenin her portuna doru yaylan dalgaya, gelen dalga denir. 2) Giden veya yansyan dalgann her ikisinin de gerilim ve akm bileenleri vardr. (Bkz. ekil C.7) Giden ve yansyan dalgalar iin;
e g1 i g1 e y1 i y1

= Z0

(C.58)

ekil C.7. Yaylan dalgann gerilim ve akm bileenleri. Bu denklemlerde Z0 hattn karakteristik empedansdr. Akm dalgann ilerleme ynne gre pozitif olacak ekilde seilir. tanmlanmasnda kullanlr; Akmlar salma parametrelerinin

a1 = a2 =

e g1 Z0 eg2 Z0

{= i {= i

g1

Z0 Z0

} }

b1 = b2 =

e y1 Z0 e y2 Z0

{= i {= i

y1

Z0 Z0

} }
(C.59)

g2

y2

179

Salma parametreleri cinsinden;

b1 s g b = s 2 i

s y a1 s 0 a 2

(C.60)

Giden dalga dorultusundaki g ak;


2 2

G ak = a b G ak = eg Z0
2

ey Z0

(C.61)

a ve b deikenleri g dalgalar olarak tanmlanr. 3) Yaylan dalga ile herhangi bir noktadaki dalga bulunabilir. Baka noktalardaki dalga deikenleri, bu noktadaki deikenleri faz faktr ile arpm ile bulunur. 4) ki-kapl devreler iin bahsedilen salmasa matrisi, daha fazla kapal devreler iinde gelitirilebilir. rnein kapl bir devre iin salma matrisi;

b1 s11 s12 b = s 2 21 s 22 b 3 s 31 s 32

s13 a 1 s 23 a 2 s 33 a 3

(C.62)

Eer ikinci kapda hi gelen dalga yoksa (C.57) denklemi ile;

sg =

e y1 e g1
ei 2 =0

ve

si =

e y2 e g1
e g 2 =0

(C.63)

180

ekil C.8. Uygun empedans ile sonlandrlan devrede yaylan dalgalar. sg = k empedans uyumlu durumda giri yansma katsays si = k empedans uyumlu ileri iletim katsays Benzer ekilde sy ve s0; s0 = Giri empedans uyumlu k yansma katsays sy = Giri empedans uyumlu ters iletim katsays Daha nce de bahsedildii gibi iletim hatt boyunca yaylan dalga, akm ve gerilim bileenlerinin her ikisini de ierir. ekil C.9da yer ald gibi giri dzleminde;
V1 = e g1 + e y1 I1 = i g1 i y1

(C.64)

Denklemleri elde edilir. (C.59) denklemini de kullanarak g dalga deikenleri;


a1 = a2 = V1 + Z 0 I1 2 Z0 V2 + Z 0 I 2 2 Z0 b1 = b2 = V1 Z 0 I1 2 Z0 V2 Z 0 I 2 2 Z0

(4.65)

181

(a)

(b)

ekil C.9. (a) iletim hattnn herhangi bir noktasndaki yaylan dalga bileenleri. (b) bu noktadaki toplam gerilim ve akm. Bu denklemler ile toplam gerilim (V) ve akm (I) dan a ve b deikenleri elde edilir ve bu deikenler ile (C.60) denkleminin de yardmyla salma parametreleri bulunur. Bu denklemlerde normalize Z0 empedans kullanlr. Fakat genelde empedans farkl deerlere sahiptir. Kompleks bir deere sahip g dalga deikenleri;
V1 + Z 0 I1 2 Re Z 0 V2 + Z 0 I 2 2 Re Z 0 V1 Z 0 I1 2 Re Z 0 V2 Z 0 I 2 2 Re Z 0

a1 = a2 =

b1 = b2 =

(C.66)

(C.66) denklemlerinde giri ve k normalize empedanslarnn eit olmasna gerek yoktur. ekil C.10da yer ald gibi kaynak noktasnda V, I gerilim ve akm deerleri, Zs de kaynak i direnci ise,
a= b= V + Zs I 2 Re Z s V Zs I 2 Re Z s

(C.67)

182

Re( VI * ) = a b

(C.68)

Re( VI * ) kaynak noktasndan elde edilen gtr. Bu g deerine hattn Zs* empedans deeri ile sonlandrlan durumda yani b=0da ular. Yani a
2 2

kaynaktan

elde edilen gtr. a gc kaynaktan yke doru ilerler. Eer yk kaynaa eit ise g tamamyla ykte emilir, hi geri yansma olmaz.

ekil C.10. Aktif kaynakla beslenen hat.

ekil C.11. Sfr uzunluktaki hatta yaylan dalgalar.


2

Baka deerdeki yk empedansnda b deerinde g geri yansr, net g ise


a b deerinde olur.
2 2

1) Z0, iletim hattnn karakteristik empedans olacak ekilde seilirse a ve b iki kapl bir devreye balanan iletim hattnn giden ve yansyan dalgalar olur. 2) Z0, kaynak empedans olarak seilirse a ve b g dalgalar olur. 3) Z0 farkl bie empedans olursa, a ve b blnemeyecek kadar kk uzunluktaki hat parasnn yaylan dalgalardr (Bkz. ekil C.11)

183

Zs i direnci olan Vs kayna Z0 karakteristik empedansl hatta balandnda V gerilimini ve I akmn retir. Hattn a ve b dalgalar kaynak ve hat sonundaki yk parametrelerinin fonksiyonudur. a ve b dalgalar arasndaki bant ekil C.12 dikkate alnarak, (Vs = V + Z s I) a = a s + s b Burada a s =
es Z0

(C.69) , e s = Vs

Z0 Z0 + Zs

(C.70)

ekil C.12. Aktif kaynan ularndaki yaylan dalgalar. s, Z0 karakteristik empedansl hattn Zs empedansnn yansma katsaysdr. Vs geriliminde, Zs empedansndaki kaynak tarafndan hatta iletilen dalga asdir. as, hattn dier sonunun ykle sonlandrlmas durumunda yaylan dalgadr. Eer sonlandrlan yk empedans uyumunu salamazsa b dalgas kaynaa doru geri yansr. Bu b dalgas, tekrar kaynaktan geri dner ve sb dalgasn oluturur. sb ve as dalgalarnn toplam a dalgasn verir. Zs empedansl ve s yansma katsayl aktif kaynak ZL (L) ykne bal olsun. ekil C.11de olduu gibi a ve b dalgalarn olutursun. Kaynak; Zs=ZL* (veya s= L*) durumunda maksimum g transferi yapar. a = a s + s b (C.71) (C.72) (C.73)

b = L a
a= as 1 s L

184

Ykteki g= a b = as
2

(C.74) (C.75)

1 L 2 2 1 s L

l=0 ve s = L ile Pav = as


2 2

1 s

(C.76)

letim (ABCD) ve y- Parametreleri ki kapl mikroerit hatlar tanmlamada salma parametreleri en kullanl yol olmasna ramen bazen yeterli olmaz. Bu gibi durumlarda iletim parametreleri metodu ile tanmlama yaplr. ki kapl devreler kaskat balandnda iletim parametreleri ok kullanl bir metottur. Her bir iki kapl devrenin matrisleri arplarak kaskat yapnn iletim matrisi oluturulur. ekil C.13deki (toplam) gerilim ve akmlar verilen iki kapl bir devrenin iletim matrisi [IM];

V1 V2 I = [IM] I 1 2
Ya da

(C.77)

V1 A B V2 I = C D I 2 1

(C.78)

185

ekil C.13. ki-portlu devrenin gerilim ve akmlar. A,B,C ve D parametreleri her bir devrenin kendi matris elemanlarn gstermek iin kullanlr. letim matrisi ayn zamanda ABCD matrisi ve parametreleri olarak bilinir. kinci porttaki akmn I2 olduuna dikkat etmek gerekir. Kaskat yapdaki komu devreye giren dierinin k akm olarak kullanlaca iin (-I2) olarak tanmlanr. Kaskat yapnn [IM] olan iletim matrisi, yapnn elemanlarnda; [IM1] ve [IM2] eklinde olur. [IM] = [IM1] [IM2] A,B,C,D parametreleri ise
A= V1 V2 I1 V2 B=
I2 =0

(C.79)

V1 I2 I1 I2

(C.80)
V2 = 0

C=

D=
I2 =0

V2 = 0

rnek C.3 l uzunluundaki kaypsz iletim hattnn ABCD parametrelerini elde edin. zm C.3 letim hattnn herhangi bir z noktasnda gerilim ve akmlar (C.37) ve (C.38) denklemlerinden = j iin yazlrsa;

V = Vi e jz + Vg e jz I = I i e jz + I g e jz
186

(C.81) (C.82)

Giri ve klardaki (z=-l ve z=0) gerilim ve akmlar ekil C.14de verilmektedir. kn ak-devre olmas halinde;
Ii = Ig , Vi = Vg

V2 = Vi + Vg =2Vi

ekil C.14 l uzunluundaki hattn iki sondaki ileri ve geri gerilim ve akmlar. Ve V1 = Vi e jl + Vg e jl = 2Vg cos l
A= V1 I1 A = cos l
I 2 =0

kn ksa devre olmas halinde; Vi + Vg = V2= 0 Vi=-Vg, Ii = -Ig -I2 = Ii Ig = 2Ii V1 = Vi e jl e jl = 2 jVi sin l
B= V1 I2 Vg Ig

V2 = 0

=j

sin l B = jZ 0 sin l

C ve D parametreleri ayn yolla bulunur. Bu rnekte devre simetrik olduundan A=D ve AD-BC=1 ise C = jY0 sin l olarak bulunur. ABCD matrisi;

jZ 0 sin l A B cos l C D = jY sin l cos l 0

(C.83)

187

rnek C.4 ki kapl devrenin salma parametrelerini ABCD parametreleri cinsinden elde edin. zm C.4 ekil C.13 dikkate alnarak, kta empedans uyumu varsa; V2 = Z0(-I2) veya (-I2)=Y0V2. V1 = AV2 BI 2 = (A + BY0 )V2 I1 = CV2 DI 2 = (C + DY0 )V2
V1 + Z 0 I1 2 Z0 V1 Z 0 I1 2 Z0 V1 Z 0 I1 2 Z0

a1 = b1 = b2 =

= = =

V2 2 Z0 V2 Z0 V2 Z0

(A + BY0 + CZ 0 + D)

(A + BY0 CZ 0 D)

(C.84)

a2=0
(A D) + (BY0 CZ 0 ) (A + D) + (BY0 + CZ 0 ) 2 (A + D) + (BY0 + CZ 0 )

sg =

b1 a1 b2 a1

=
a 2 =0

(C.85)

si =

=
a 2 =0

(C.86)

s0 ve sy terimleri sg ve si terimlerinden elde edilir. 2. portu giri portu olarak kabul edip ve denklem (C.78)de yazarsak;

V2 1 D B V1 I = C A I 1 2
= matrisin determinant. letim parametreleri cinsinden salma s0 ve sy yazlrsa;

(C.87)

188

s0 =
sy =

(D A) + (BY0 CZ 0 ) (A + D) + (BY0 + CZ 0 )
2 (A + D) + (BY0 + CZ 0 )

(C.88) (C.89)

rnek C.5 Kaypsz iletim hatt iin - ve T- edeer devrelerini elde edin. zm C.5 ekil C.15de simetrik bir -edeer devresi yer almaktadr.

ekil C.15 jXa empedans ve jYb admitans ile izilen simetrik -edeer devresi Seri kolda Xa empedans, paralel kolda ise Yb admitans yer almaktadr. Eer k ksa-devre ise
Xa = V1 I2

V2 = 0

X a = B = jZ 0 Sinl Eer k ak-devre yaplrsa, gerilim blme kuralndan;

(C.90)

1 Y b 1 Xa + Y b

V2 V1

=
I 2 =0

1 A

1+XaYb=A
Yb = A 1 cos l 1 = Xa jZ 0 Sin l

189

l l l 1 cos l = 2 sin 2 ve sin l = 2Sin cos 2 2 2 l Yb = jY0 tan 2

(C.91)

T-edeer devresi de ayn yolla bulunur. Kaypsz iletim hatt iin - ve T- edeer devreleri ekil C.16da verilmektedir.

(a)

(b)

ekil C.16 Kaypsz iletim hattnn (a) -edeer devre (b) T-edeer devre modeli.

Ksa hat yaklam kullanarak iletim hatt incelenecek olursa;


l <<1 sin l tan l l bu yaklamlar kullanarak (C.90) denkleminin sa

taraf; L jZ 0 l = j ( LC )l C = j(Ll) JY0 l = j(Cl) Bu denklemle ekil C.17deki devre ekil C.18e indirgenir.
1/ 2

(C.92) (C.93)

ekil C.17 l uzunluundaki kaypsz iletim hattnn (a) - ve (b) T- modelinde

edeer devreleri.

190

L ve C ler l uzunluktaki hattn toplam seri indktans ve toplam paralel kapasiteyi ifade eder. ekil C.17deki devre; yksek empedansl hat iin Z 0 >> Z S , Z L ye veya dk empedansl hat iin; Z 0 << Z S , Z L ye indirgenir. Yksek empedansl hat ksadevre sonlu gibi davranr. Ve devredeki C ihmal edilerek ekil C.18.a daki devreye dnr. Benzer ekilde dk empedansl hat ak-devre sonlu gibi davranr ve devredeki L ihmal edilerek ekil C.18.b deki edeer devreye dnr. Buradan ksa uzunluktaki ksa-devre sonlu hattn indktans gibi davrand, ak-devre sonlu hattn ise kapasite gibi davrand sonucu ortaya kar. Eer herhangi bir empedansa sahip hatta geni duran dalgalar varsa, ekil C.18.a ve bdeki yaklamlar sfr noktasnda da geerlidir. Eer bu ekil C.18.adaki devrenin sonu kk ZL yk, bdeki devrenin sonu ise YL admitans ile sonlandrlr ise;

Z L << Ll YL << Cl
(a) devresi iin Z in = jLl + Z L (b) devresi iin Yin = jCl + YL (C.95) (C.94)

(a)

(b)

ekil C.18 Ksa uzunluktaki hattn (a) yksek empedans (b) dk empedans iin

edeer devreleri. Admitans (y) parametreleri cinsinden iletim hatt incelenecek olursa; ekil C.13 ele alnarak y- parametreleri tanmlanabilir.

191

I1 y g I = y 2 i

y y V1 y 0 V2

(C.96)

yg =

I1 V1 I2 V1

yy =
V2 = 0

I1 V2 I2 V2

(C.97)
V1 = 0

yi =

y0 =
V2 = 0

V1 = 0

(C.96) denklemi ile ekil C.19daki edeer devre elde edilir.

ekil C.19 ki-kapl devrenin y-parametreleri edeer devresi.

192

ZGEM 1980 ylnda anakkalede dodu. lk, orta ve lise renimini zmirde tamamlad. 1998 ylnda girdii Kocaeli niversitesi Mhendislik Fakltesi Elektronik ve Haberleme Mhendislii Blmnden 2002 ylnda mezun oldu. Aralk 2004den itibaren Kocaeli niversitesi Elektronik ve Haberleme Mhendislii Blm Elektromanyetik Alanlar ve Mikrodalga Teknii Anabilim dalnda Ar. Gr. olarak almaktadr.

193

You might also like