SEMICONDUCTIVIDAD EXTRNSECA DE TIPO P Y TIPO N.

Los semiconductores ntrsecos (puros) requieren energas muy altas para conducir, ver Tablas 1 y 2. Por ello en tecnologa se emplean los semiconductores extrnseco (impuros o dopados). Entre estos ltimos se distinguen los tipo n y los tipo p. Las Figuras 13.21 a 13.23 se ilustra el caso de Si dopado con B (v=3), para obtener un semiconductor extrnseco tipo p. El Boro se sita en una posicin de sustitucin del cristal tipo diamante del Si. En la Figura 5.23 se muestran las aperturas de semiconductividad extrnseca (por dopantes). En el lugar donde se ubique el B, que slo aporta con 3 electrones, faltar un electrn de un par covalente. Esa vacancia electrnica es positiva (falta de un electrn). Con nulo voltaje aplicado, estar asociada al B. Pero, al ser impuesta una diferencia de potencial moderada se podr superar una apertura energtica moderada, 0,45 eV, algn electrn de valencia de algn enlace covalente Ge-Ge vecino podr saltar a esa vacancia junto al B. Y aparecer una vacancia electrnica en ese enlace Ge-Ge. Siempre manteniendo el voltaje aplicado, ese cuarto electrn seguir fijo al B, y la vacancia electrnica positiva viajar de enlace Ge-Ge a travs del cristal, conduciendo. La conductividad por vacancias (o huecos, holes) positivas en un semiconductor extrnseco, se llama conductividad de tipo p. En el caso de la conductividad tipo n, el dopante es de valencia 5. Consideremos el caso de P en Si, ver Figura 9.12. Tambin se forma una solucin slida de sustitucin en el Si diamante. Sin voltaje, el P se enlazar covalentemente con cuatro tomos vecinos de Si, y adems conservar su quinto electrn. Con un voltaje moderado, se podr superar una apertura de 0,044eV, y ese quinto electrn originalmente del P quedar como un electrn libre. Habr conductividad por electrones libres. En la Fig. 5.23 ntese que el gran valor de la apertura del Si se mantiene, no es modificada por los dopantes. Las aperturas extrnseca se basan en modificar el enlace del dopante y luego en hacer viajar una vacancia electrnica de enlace en enlace Ge-Ge (caso conductividad tipo p) o un electrn libre (caso conductividad tipo n). La cantidad de dopante que se agrega es siempre baja, de algunas partes por milln. El proceso de fabricacin de un semiconductor extrnseco parte de Ge (o Si) puro y se dopa por va gaseosa. El B por ejemplo, se gasifica calentndolo y, a alta temperatura, se deposita sobre la superficie y luego ingresa al Si tambin caliente. All el B difunde por el conocido mecanismo de difusin por vacancias, propio de una solucin slida de sustitucin.

Tabla 1. Energa cintica trmica, por tomo de un cristal Temperatura [K] kT[eV] 300 1/40= 0,040 6.000 0,5 Tabla 2. Ancho de la apertura de energa en semiconductores intrnseco Elemento C Si Ge Sn Ancho apertura [eV] 7 1,7 0,75 Traslape de bandas Comportamiento Aislador Semiconductor Semiconductor Conductor