Transistores

Histria do Transistor O transistor foi inventado nos Laboratrios da Beel Telephone em dezembro de 1947 ( e no em 1948 como freqentemente dito) por Bardeen e Brattain. Descoberto por assim dizer, ( visto que eles estavam procurando um dispositivo de estado slido equivalente vlvula eletrnica ), acidentalmente durante os estudos de superfcies em torno de um diodo de ponto de contato. Os transistores eram portanto do tipo "point-contact", e existe evidncia que Shockley, o teorista que chefiava as pesquisas estava chateado porque esse dispositivo no era o que estava procurando. Na poca, le estava procurando um amplificador semicondutor similar ao que hoje chamamos de "juno FET". O nome transistor foi derivado de suas propriedades intrnsecas "resistor de transferncia", em ingls: (TRANsfer reSISTOR). Os Laboratrios Bell mantiveram essa descoberta em segredo at junho de 1948 ( da a confuso com as datas de descobrimento ). Com uma estrondosa publicidade, eles anunciaram ao pblico suas descobertas, porem, poucas pessoas se deram conta do significado e importncia dessa publicao, apesar de ter sado nas primeiras pginas dos jornais. Embora fosse uma realizao cientfica formidvel, o transistor no alcanou, de imediato, a supremacia comercial. As dificuldades de fabricao somadas ao alto preo do germnio, um elemento raro, mantinham o preo muito alto. Os melhores transistores custavam 8 dlares numa poca em que o preo de uma vlvula era de apenas 75 cents. Shochley ignorou o transistor de ponto de contato e continuou suas pesquisas em outras direes. Ele reorientou suas idias e desenvolveu a teoria do "transistor de juno". Em julho de 1951, a Bell anuncia a criao desse dispositivo. Em setembro de 1951 eles promovem um simpsio e se dispem a licenciar a nova tecnologia de ambos os tipos de transistores a qualquer empresa que estivesse disposta a pagar $25.000,00. Este foi o incio da industrializao do transistor. Muitas firmas retiraram o edital de licena. Antigos fabricantes de vlvulas eletrnicas, tais como RCA, Raytheon, GE e industrias expoentes no mercado como Texas e Transitron. Muitas iniciaram a produo de transistor de ponto de contato, que nessa poca, funcionava melhor em alta freqncia do que os tipos de juno. No entanto, o transistor de juno torna-se rapidamente, muito superior em performance e mais simples e fcil de se fabricar. O transistor de ponto de contato ficou obsoleto por volta de 1953 na Amrica e logo depois, na Inglaterra.

Transistores

Somente alguns milhares foram fabricados entre 120 tipos, muitos americanos ( no incluindo nestes nmeros, verses experimentais ). O primeiro transistor de juno fabricado comercialmente era primitivo em comparao aos modernos dispositivos, com uma tenso mxima entre coletor-emissor de 6 volts, e uma corrente mxima de poucos miliamperes. Particularmente notvel, foi o transistor CK722 da Raytheon de 1953, o primeiro dispositivo eletrnico de estado slido produzido em massa disponvel ao construtor amador. Vrios tipos de transistor foram desenvolvidos, aumentando a resposta de freqncia diminuindo os nveis de rudo e aumentando sua capacidade de potncia. Na Inglaterra, duas empresas mantiveram laboratrios de pesquisa no to adiantadas quanto na Amrica: Standard Telephones and Cables (STC) e a General Electric Company of England "GEC", ( no tem relao com a GE americana). Foram feitas pesquisas na Frana e Alemanha sem efeitos comerciais. Em 1950, um tubaro entra nessa pequena lagoa: a PHILIPS holandesa atravs da Mullard, sua subsidiaria inglesa, com uma planta completa para industrializar o transistor. A meta da Philips era dominar 95% do mercado europeu, alcanando esse objetivo em poucos anos. A srie "OC" de transistor dominou a Europa por mais de 20 anos. Os antigos transistores eram feitos de germnio, um semicondutor metlico, porem logo se descobriu que o silcio oferecia uma srie de vantagens sobre o germnio. O silcio era mais difcil de refinar devido ao seu alto ponto de fuso, porem em 1955 o primeiro transistor de silcio j era comercializado. A Texas Instruments foi uma das empresas que mais tomou parte no desenvolvimento inicial dessa tecnologia, lanando uma srie de dispositivos conhecidos na poca pelas siglas "900" e "2S". A grande reviravolta veio em 1954, quando Gordon Teal aperfeioou um transistor de juno feito de silcio. O silcio, ao contrrio do germnio, um mineral abundante, s perdendo em disponibilidade para o oxignio. Tal fato, somado ao aperfeioamento das tcnicas de produo, baixou consideravelmente o preo do transstor. Isto permitiu que ele se popularizasse e viesse a causar uma verdadeira revoluo na indstria dos computadores. Revoluo tal que s se repetiria com a criao e aperfeioamento dos circuitos integrados. O transistor um componente eletrnico muito utilizado como comutador em Eletrnica Digital (funcionamento na regio de corte e na de saturao). Na Eletrnica Analgica, aparece sobretudo, como dispositivo linear (funcionamento na regio ativa). alimentado por uma tenso constante entre 5 e 15 V (valores tpicos para transistores como os utilizados no trabalho prtico). Os transistores baseados na tecnologia bipolar so constitudos por 2 junes de material semicondutor pn com uma seco comum (a base). Existem 2 tipos: npn ou pnp conforme a base for do tipo p ou do tipo n (fig. 1). A matria prima utilizada normalmente o Silcio (com menos freqncia o Germnio).

Transistores

Transistor de juno bipolar

Transistor npn

Transistor pnp

Operao do transistor npn na regio ativa

Transistores

 MONTAGENS BSICAS DO TRANSISTOR Os transistores podem ser ligados em 3 configuraes bsicas o o o Base Comum (BC), Emissor Comum (EC) Coletor Comum (CC)

Essas denominaes (Comuns) relacionam-se aos pontos onde o sinal injetado e onde retirado, ou ainda, qual dos terminais do transistor referncia para a entrada e sada de sinal. As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra.

Transistores

CONFIGURAES BSICAS:

BASE COMUM
Observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e retirado entre coletor e base. Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e sada do sinal. CARACTERSTICAS: Ganho de corrente (Gi): < 1 Ganho de tenso (GV): elevado Resistncia de entrada (RIN): baixa Resistncia de sada (ROUT): alta

Transistores

CONFIGURAES BSICAS:

EMISSOR COMUM

No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor e emissor. CARACTERSTICAS: Ganho de corrente (Gi): elevado Ganho de tenso (GV) elevado Resistncia de entrada (RIN) mdia Resistncia de sada (ROUT) alta

Transistores

CONFIGURAES BSICAS:

COLETOR COMUM

A configurao coletor comum tambm conhecida como Seguidor de Emissor

O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de emissor.

CARACTERSTICAS: Ganho de corrente (Gi): elevado Ganho de tenso (GV): 1 Resistncia de entrada (RIN): muito elevada Resistncia de sada (ROUT): muito baixa

Transistores

REGIES DE FUNCIONAMENTO DE UM TRANSISTOR

A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem e o joelho. A parte praticamente plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do VCE no influencia no valor da corrente de coletor (IC). IC mantm-se constante e igual a corrente de base vezes o ganho CC do transistor (CC) IC = IB * CC. A parte final a regio de ruptura ou Breakdown e deve ser evitada. Na regio de saturao o diodo base-coletor est polarizado diretamente. Por isso, perde-se o funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena resistncia hmica entre o coletor e emissor. Na saturao no possvel manter a relao IC = IB * CC. Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa, necessria uma polarizao reversa do diodo base-coletor. Como a tenso VBE na regio ativa de aproximadamente 0,7V, isto requer que a tenso coletor-emissor (VCE) seja superior a 1V aproximadamente. A regio de corte um caso especial na curva IC x VCE. quando IB =0 (equivale ao terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto designada pela corrente de coletor para emissor com base aberta (ICEO). Esta corrente muito pequena, quase zero. Em geral se considera: Se IB=0 IC =0. Habitualmente o grfico fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos IBs. Notar no grfico acima que para um dado valor de VCE existem diversas possibilidades de valores para IC. Isto ocorre, porque necessrio ter o valor fixo de IB. Ento para cada IB h uma curva relacionando IC e VCE.

Transistores

No grfico de exemplo acima, a tenso de ruptura est em torno de 80V e na regio ativa para um IB=40A tem-se que o CC =IC/IB = 8mA/40A=200. Mesmo para outros valores de IB, o CC se mantm constante na regio ativa. Na realidade o CC no constante na regio ativa, ele varia com a temperatura ambiente e mesmo com IC. A variao de CC pode ser da ordem de 3:1 ao longo da regio ativa do transistor. Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores. Sendo a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada), designam-se os circuitos com transistores na regio ativa de circuitos lineares. As regies de corte e saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente de base, so amplamente usados em circuitos digitais. RESUMINDO: No funcionamento de um transistor distinguem-se 4 regies (ou zonas): a regio de corte, a zona ativa, a regio de saturao e a regio de ruptura, dependendo do modo como est polarizado. FUNCIONAMENTO NA ZONA ATIVA Um transistor encontra-se a funcionar na zona ativa se tiver a juno baseemissor (BE) diretamente polarizada (VBE > tenso limiar), a juno base-coletor (BC) inversamente polarizada e 0 < VBC < Vcc e 0 < VCE < Vcc. Para os transistores de Slicio o valor tpico para a tenso limiar das junes PN de 0.6V.

Transistores

Na zona ativa o transistor comporta-se como um dispositivo linear estando a corrente na sada (IC) relacionada com a corrente na entrada (IB) atravs duma constante CC (CC = IC / IB).

CC o ganho esttico de corrente do transistor . Tambm se utiliza o transistor

na zona ativa para amplificar pequenos sinais de tenso (variveis no tempo), sendo neste caso o ganho da ordem das centenas.

FUNCIONAMENTO NAS REGIES DE CORTE E SATURAO Em Eletrnica Digital importante a definio de 2 nveis bem distintos, a que se associam muitas vezes os valores lgicos "0" e "1" (ou "verdadeiro" e "falso"). O comportamento do transistor na regio de corte e na de saturao pode, numa primeira aproximao, considerar-se em tudo idntico ao dum interruptor (fig.4) aberto e fechado, respectivamente.

O funcionamento na zona de corte (interruptor aberto) caracteriza-se, pois pela ausncia de corrente de coletor (Ic = 0) e conseqentemente Vce = Vcc. Para tal necessrio fazer Ib 0. No funcionamento na zona de saturao (interruptor fechado). Registra-se uma tenso VCE praticamente nula (tipicamente da ordem de 0.2V para transistores de Slicio), atingindo a corrente de coletor o seu valor mximo, limitado apenas pela resistncia de coletor RC (IC = VCC / RC). Para garantir a saturao necessrio que Ic << CC * IB e o valor da tenso baseemissor (VBE) tipicamente 0.7V (para os transistores de Slicio). A FUNCIONAMENTO NA REGIO DE RUPTURA (OU BREAKDOWN)

A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos de danos.

Transistores

10

POLARIZAO DE UM TRANSISTOR (Ponto Quiescente) Os transistores so utilizados, principalmente, como elementos de AMPLIFICAO de corrente e tenso, ou como CONTROLE ON-OFF (liga-desliga). Tanto para estas, como para outras aplicaes, o transistor deve estar polarizado. Polarizar um transistor quer dizer escolher o seu ponto de funcionamento em corrente contnua, ou seja, definir a regio em que vai funcionar. A escolha do ponto quiescente (quiescent, motionless) feita em funo da aplicao que se deseja para o transistor, ou seja, ele pode estar localizado nas regies de corte, saturao ou ativa da curva caracterstica de sada. O mtodo para determinao do Ponto de Operao o mesmo do utilizado nos diodos, o da Reta de Carga.

RETA DE CARGA
A reta de carga o lugar geomtrico de todos os pontos quiescentes possveis para uma determinada polarizao.

1. CIRCUITO DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM (EC)

Nesta Configurao, a juno base-emissor polarizada diretamente e a juno basecoletor reversamente. Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar as correntes e fixar o ponto quiescente do circuito.

Malha de entrada : RB * IB + VBE = VBB Portanto:

RB = (VBB VBE) / IB

Malha de sada : RC * IC + VCE = VCC Portanto:

RC = (VCC VCE) / IC

Transistores

11

Usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e VCE considerando a existncia de um RC. Atravs da anlise da malha a direita do circuito obtm-se a corrente IC como mostrado abaixo:

IC = (VCC - VCE) / RC
Nesta equao existem duas incgnitas, IC e VCE. A soluo deste impasse utilizar o grfico IC x VCE. Com o grfico em mos, basta Calcular os extremos da reta de carga:

VCE = 0 IC = 0

IC = VCC / RC VCE = VCC

ponto superior da reta ponto inferior da reta

A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE. Exemplo - No circuito da Figura acima, suponha RB= 500 k, RC= 1500 e VCC=VBB=15V. Construa a reta de carga no grfico da curva caracterstica do transistor e determine IC e VCE de operao ou (quiescentes). SOLUO: Os dois pontos da reta de carga so: VCE = 0 IC = 0 IC = VCC / RC = 15 /1k5 = 10mA VCE = VCC = 15V ponto superior ponto inferior

O corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB: IB = (15 0,7) / 500k = 29 A

Transistores

12

Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q - ponto quiescente). O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte. Ver Figura a seguir. O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 conhecido como corte. Nesse ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena (ICEO). A interseo da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) chamada saturao. Nesse ponto a corrente de coletor mxima.

Teremos em nosso exemplo um ICmax de aproximadamente 9,8 mA. Circuito de polarizao EC com corrente de base constante Na prtica, no interessante utilizar mais de uma fonte de alimentao para alimentar um circuito, a no ser em casos muito especiais. Para eliminar a fonte de alimentao da base VBB, pode-se fazer um divisor de tenso entre o resistor de base RS e a juno base-emissor, utilizando apenas a fonte VCC como mostra a figura a seguir:

Para garantir a polarizao direta da juno base-emissor, e reversa da juno basecoletor, RS deve ser maior que RC.

Transistores

13

Malha de entrada: RS * IB + VBE = VCC Portanto:

RS = (VCC VBE)/ IB

Malha de sada: RC * IC + VCE = VCC Portanto:

RC= (VCC VCE) / IC

Neste circuito, como VCC e RS so valores constantes e VBE praticamente no varia, a variao da tenso de base desprezvel. Por isso, este circuito chamado de polarizao EC com corrente de base constante.

2. Circuito de Polarizao Base Comum

O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja efetivamente aterrada para sinais alternados.

RE = (VBB VBE) / IE RC = (VCC VCB) / IC

Lembrando que VBE para transistor de silcio = 0,7V e para transistor de germnio = 0,3V.

Transistores

14

Circuito de Polarizao BC com uma fonte de alimentao Na prtica, no interessante utilizar mais de uma fonte de alimentao para alimentar um circuito, a no ser em casos muito especiais. Uma forma de solucionar este problema no circuito de polarizao de base BC, colocar um divisor de tenso na base e aliment-lo com uma nica fonte VCC, de modo que a tenso em R2 faa o papel de VBB = VEE do circuito de polarizao anterior.

Para a anlise da tenso em VR2, observar que R1 e R2 formam um divisor de tenso. Supondo I>> IB:

De posse do valor de VR2 simples o clculo de IE. Deve-se olhar a malha de entrada: como: VE = IE RE

Anlise da malha de sada:

considerando IE = IC

Transistores

15

EXEMPLO: Encontre o VB, VE, VCE e IE para o circuito da Figura abaixo:

SOLUO: Clculo de VR2

clculo de VCE

Transistores

16

3.

Circuito de Polarizao em Coletor Comum (CC)

Para a polarizao da configurao coletor comum, uma aplicao merece destaque. o circuito Seguidor de Emissor.

Observa-se que, como no existe resistor de coletor, este terminal fica ligado diretamente ao plo positivo da fonte de alimentao. Porm, para sinais alternados, uma fonte de tenso constante considerada um curto. Neste caso como se o coletor estivesse conectado ao terminal comum ou terra da fonte de alimentao, ou seja, para sinais alternados, o coletor comum s tenses de entrada VE e sada VS. VS = VE VBE Este circuito chamado de seguidor de emissor porque a tenso de sada (tenso do emissor) segue as variaes da tenso de entrada (tenso de base). Outra caracterstica deste circuito que ele tem uma alta impedncia de entrada e baixa impedncia de sada, sendo muito utilizado para fazer o casamento de impedncias entre circuitos. Malha de sada:

RE = (VCC VCE) / IE
Malha de entrada:

RB = (VCC VBE RE * IE) / IB

Transistores

17