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CONVERTIDORES DC/AC
7.1 Introducción
Los inversores estáticos son circuitos que generan una tensión o intensidad
alterna a partir de una fuente de continua.
ENTRADA SALIDA
Fig.7. 1
Símbolo del inversor autónomo.
Los inversores tienen múltiples aplicaciones, entre las cuales podemos desta-
car los Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (S.A.I.), que se emplean para la
alimentación de ordenadores u otros equipos electrónicos que a la vez que una gran
seguridad de funcionamiento deben tener una gran estabilidad de tensión y frecuencia.
El control de motores de C.A., instalaciones de energía solar fotovoltaica, etc.
Para conseguir una corriente alterna partiendo de una corriente continua nece-
sitamos un conjunto de interruptores que puedan ser conectados y desconectados a una
determinada carga de manera que la salida sea positiva y negativa alternativamente.
Cada uno de estos interruptores debe de estar constituido por un par de tiristo-
res o transistores para que la corriente pueda circular en los dos sentidos, aunque en la
práctica cada interruptor estará compuesto por un tiristor o transistor y un diodo.
Los circuitos más básicos que se pueden dar de inversores se muestran en las
figuras 7.2 y 7.3.
I1
Tensión en la carga
Vs
Vs
2
2 ZL
t
Fig.7. 2
Vs Circuito básico con batería con
Vs toma intermedia.
2
2
I2
Tensión en la carga
VS
I1 I
2
zL
t
VS
Fig.7. 3
I4
Circuito básico sin batería de toma
I3
intermedia. Configuración en puen-
- VS te.
En la figura 7.4 se describe este circuito y las formas de onda de las variables
más interesantes.
180º 360º
i 1 (t) I N1 i O(t)
A N N
VS
0V. X VO R i2 (t) t
I N2
i o (t) i1 (t) t
2VS
VS + +
VS
_
VS R v B (t) t
+
VS
_ 2VS
i 2 (t) I N2 _
i 1 (t) I N1
Instante t 1
v A (t) t
i O(t)
Fig.7. 4
VS Inversor con transforma-
VS
dor de toma media.
VS R VS
VS
v o (t) t
Instante t 2
La fuente de C.C. está representada por una batería de tensión VS. El polo
positivo está permanentemente conectado a la toma media de un transformador que se
considera ideal (intensidad magnetizante nula, resistencia de los devanados nula, in-
ductancia de dispersión nula). El polo negativo de la batería, que se toma como refe-
rencia de tensiones para el circuito asociado al primario, se conecta alternativamente a
los extremos A y B del primario mediante los interruptores IN1 e IN2 , cuya secuencia de
funcionamiento queda representada en la figura 7.4.
En los semiperíodos en que IN1 está abierto e IN2 cerrado, como sucede en el
instante t1 , se imprime a los terminales X-B del transformador una tensión VS con la
polaridad indicada en la segunda figura. Suponiendo que los devanados AX, XB y el
secundario tienen el mismo número de espiras N, se tendrá que la tensión de salida es:
v o (t ) = VS
vo (t ) VS
i o (t ) = = = IO
R R
Durante los semiperíodos en que IN1 está cerrado e I N2 abierto, como sucede en
el instante t2 (véase el tercer esquema), la tensión de la batería está aplicada a los ter-
minales AX del primario y la tensión de salida es:
v o (t ) = −V S
Ejemplo 7.1
i 1 (t)
i o (t) a) Número de espiras del secundario
Na
para obtener a la salida 220 V efica-
2 ces.
Q1
12V.
b) Corriente de pico en los transisto-
RL v o(t) res.
2 c) Número de espiras del devanado
Q2 auxiliar de base de los transistores
i 2 (t) de forma que la corrie nte en dichas
Nb bases sea die z veces menor que la de
pico de los cole ctores.
d) Dibujar las formas de onda de la
tensión e intensidad de salida así
como las corrientes de cole ctor.
Solución:
N1 N 2
I 1 N1 = I 2 N 2 =
V1 V2
N1 N 2 N1V2 30 × 220
= N2 = = = 550 espiras
V1 V2 V1 12
b) De la carga obtenemos:
Po ( RMS ) 100
Po ( RMS ) = Vo ( RMS ) × I o (RMS ) = = = 0.45 A
Vo ( RMS ) 220
De la relación de transformación:
I 2 × N 2 0.45 × 550
I 1 N1 = I 2 N 2 I1 = = = 8.3 A
N1 30
I PQ = I 1 + I m = 8.3 + 1 = 9.3 A
c) Como la intensidad de base IbQ de cada transistor debe ser diez veces me-
nor, tenemos que:
I CQ I 1 I 2 9.3
I bQ = = = = = 0.93 A
10 10 10 10
N1 × I1 30 × 8.3
N b × I bQ = N1 × I 1 Nb = = = 267 espiras = N a
I bQ 0.93
d) Las formas de onda de la tensión e intensidad de salida así como las co-
rrientes de colector son las mostradas en las dos figuras siguientes:
i c (t) = i1 (t)
9.3A
8.3A
Q1 Q1 Q1
Fig.7. 5
Intensidad de colector.
v o (t)
220 V.
0 V. t
i o (t) Fig.7. 6
Tensión e intensidad de salida.
450 mA.
0 mA. t
V Q2 t
Q1
VS VS
= Vo Fig.7. 7
D1
2 2
Q1
D2 D2 i (t)
Circuito inversor con batería de
Q1 0
2 i REACTIVA
D2
Instante t 2
Para realizar las ondas de intensidad de salida io (t) se ha supuesto por simpli-
cidad que la carga consiste en un circuito RLC que tiene una impedancia a los armóni-
cos de la tensión de salida de forma que absorbe una intensidad io (t) senoidal pura. El
ángulo de retardo ϕ de dicha intensidad respecto a la componente fundamental de vo (t)
se ha supuesto de 60º.
y la de cada diodo:
Ip
(1 − cos ϕ) = 1 π
I p sen (ωt )dt
2π ∫π -ϕ
I D ( AV ) = E 7. 2
2π
Ip
I S ( AV ) = [cos ϕ − cos (π − ϕ)] E 7. 3
2π
2 T2 VS2 VS
Vo ( RMS ) = ∫
T 0 4
dt =
2
E 7. 4
∞
v o (t ) = ∑ sen (nω t )
2 VS
para n = 1,3,5... E 7. 5
n =1 nπ
2VS
Vo1 (RMS ) = = 0.45 VS E 7. 6
n 2
Para una carga RLC la corriente instantánea de salida viene dada por:
∞
2VS
i o (t ) = ∑ sen (nωt − ϕn )
2
n =1
1
nπ R 2 + nωL −
nωC
1
nωL −
nωC
ϕn = arctg E 7. 7
R
donde n = 1,3,5...
Ejemplo 7.2
VS 48 Vo2( RMS ) 24 2
Vo ( RMS ) = = = 24 V Po ( RMS ) = = = 240 W
2 2 R 2.4
VS 24
I pQ = = = 10 A
R 2.4
I Q ( AV ) = 0.5 × 10 = 5 A
VQ ( BR ) = 2 × 24 = 48 V
1 ∞ 1
THD = ∑ Von2 = Vo2( RMS ) − Vo21( RMS ) =
Vo1 n = 3, 5 , 7 ... V o1 (RMS )
=
1
(24 2
)
− 21.6 2 = 0.4834 = 48.34%
21.6
24 –21.6 = 2.4 V
∞ V2
2 2 2
V V V
VH = ∑ on2 = o23 + o25 + o27 + ...
n =3 ,5 , 7 ... n 3 5 7
Como:
Vo1 0.45 × VS
Von = Vo1 = 0.45 × Vs ⇒ Von =
n n
VH = V S 3 + 3 + 3 + 3 + 3 ... ≈ 0.01712 VS
3 5 7 9 11
VH V
DF = = 0.01712 S = 3.804 %
Vo 1 Vo1
Vo1 21.6
Vo 3 = ⇒ Vo 3 (RMS ) = = 7.2 V
3 3
Vo 1
= = = 33.33%
Vo 3 3 1
HF3 =
Vo1 Vo 1 3
Vo 3 Vo1
2 3
DF3 =
3 3 1
= = = 3.704%
Vo1 Vo1 27
h) Para simular el circuito hay que excitar los transistores con fuentes de ten-
sión alternas y desfasadas entre sí 180º. Estas fuentes excitan a los transis-
tores a través de una resistencia de base Rg tal como se muestra en la figu-
ra.
R g1
Vs 6 2 Q1 Los valores tomados de la simulación son:
2 Vg1
0 CARGA 3 R = 2.4 Ω
Vg1 = Vg2 = 5 V
Vs R g2 Rg1 = Rg2 = 100 Ω
2 Q2
7 4 VS = 48 V
Vg2 f = 50 Hz
5
* Resistencias:
RG1 6 2 100 ; Resistencia de base del transistor Q1
RG2 4 7 100 ; Resistencia de base del transistor Q2
* Fuentes excitadoras de los transistores:
VG1 6 3 PULSE(5 0 0 0 0 10M 20M)
VG2 7 5 PULSE(5 0 10M 0 0 10M 20M)
* Fuente c.c. de toma media:
V1S/2 1 0 24
V2S/2 0 5 24
* Carga:
R 3 0 2.4
* Transistores y definicion del modelo QMOD mediante una linea .MODEL:
Q1 1 2 3 QMOD
Q2 3 4 5 QMOD
.MODEL QMOD NPN (IS=6.374F BF=416.4 CJC=3.6P CJE=4.4P)
* Parametros para el analisis con Pspice:
.OP
.PROBE
.four 50 V(3,0) ; *ipsp*
.tran 1.000u .3 0 0 ; *ipsp*
.END
(19.912m,23.835)
20V
Q2 Q1 Q2 Q1 Q2
0V
Fig.7. 8
Tensión en la carga.
-20V
(20.104m,-23.835)
-40V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms
V(3,0)
Time
(19.959m,9.931)
10A
5A
0A
-5A
Fig.7. 9
Intensidad en la carga.
-10A
(29.938m,-9.931)
-15A
0s 10ms 20ms 30ms 40ms
i(r)
Time
INTENSIDAD MEDIA
16A
(284.737m,4.8828)
INTENSIAD INSTANTANEA
(20.000m,9.928)
12A
8A
4A
Fig.7. 10
Intensidad instantánea y
media en los transistores.
0A
-4A
0s 50ms 100ms 150ms 200ms 250ms 300ms
IC(Q1) AVG(IC(Q1))
Time
FUNDAMENTAL
(50.000,30.355)
30V
ARMONICO 3
(150.000,10.118)
20V
ARMONICO 5
(250.000,6.0710)
ARMONICO 7
(350.000,4.3365) Fig.7. 11
ARMONICO 9
Análisis espectral de
10V
(449.982,3.3909) Fourier de la tensión de
salida.
0V
0H 0.2KH 0.4KH 0.6KH 0.8KH 1.0KH 1.2KH
V(3,0)
Frequency
DC COMPONENT = -8.733163E-10
La comparación entre los datos teóricos y los que nos ofrece Pspice se muestra
en la siguiente tabla:
TEÓRICO PSPICE
Apartado Dato Gráfica Dato
a) Vo1(RMS) = 21.6 V listado comp. Four. Vo1(RMS) = 21.46 V
b) Vo(RMS) = 24 V (7.8) Vo(RMS) = 23.835 V
c) IpQ = 10 A (7.10) IpQ = 9.928 A
c) IQ(AV) = 5 A (7.10) IQ(AV) = 4.8828 A
e) THD = 48.34% listado comp. Four. THD = 42.8%
f) HF3 = 33.33% listado comp. Four. HF3 = 33.33%
g) Vo3(RMS) = 7.2 V listado comp. Four. Vo3(RMS) = 7.156 V
Los datos obtenidos teóricamente y los que el programa proporciona son muy
similares, esto se puede comprobar observando el valor de la tensión en la figura 7.8 y
el que obtenemos teóricamente en el apartado “b”.
Ejemplo 7.3
Solución:
VS di (t )
− = vo (t ) = R × io (t ) + L o
2 dt
Estas dos ecuaciones son iguales salvo en el signo, por tanto, su solución es:
V
t t
− −
i o (t ) = S × 1 − e τ − I oe τ
2 R
donde:
−
T
VS 1 − e 2τ L 0.05
Io = × τ= = = 0.005 seg.
2R
T
− R 10
1 + e 2τ
+
−
2×0 .005
1 e
2 2
t1 = T × ln = 0. 005 × ln = 2.83 mseg.
T
0 .02
− −
1 + e 2τ 1 + e 2 ×0 .005
ωL 2π × 50 × 0.05 = 57.51º
ϕ = arctg = arctg
R 10
Io
I D ( AV ) = (1 − cos ϕ) = 22.85 (1 − cos 57.51º) = 1.68 A
2π 2π
Solución:
a) Io = 2.91 A; b) tDon =1.278 mseg.; c) tQon = 2.722 mseg.; d) ID(AV) = 214.36 mA
i 0(t) iREACTIVA
T1 D1 Vo T3 D3 T1 D1 Vo T3 D3
VS X CARGA LC Y VS X CARGA LC Y
T2 D2 T4 D4 T2 T4
D2 D4
Instante t 1 Instante t 2
i REACTIVA
i 0(t)
T1 Vo T1 D1 Vo T3 D3
D1 T3 D3
Fig.7. 12
VS X CARGA LC Y VS X CARGA LC Y Inversor monofá-
T2
sico.
D2 T4 D4 T2 D2 T4 D4
Instante t 3 Instante t 4
180º 360º
ON OFF ON OFF Q1 Q4
OFF ON OFF ON Q2 Q3
VY t
VX t
VS = V o
T1 D2 D2
T1 I0
T4 D3 D3
T4
t Fig.7. 13
T2 T2 Formas de onda en la carga.
D1 T3 D1 T3
D4 D4
- Vo
Las ecuaciones 7.1 y 7.2 del apartado anterior siguen siendo válidas para este
caso, pero la intensidad media suministrada por la batería es el doble de la expresada
en 7.3.
2 T2 2
T ∫0 S
Vo ( RMS ) = V dt = VS E 7. 9
∞
4VS
v o (t ) = ∑ sen (nω t ) para n = 1,3,5... E 7. 10
n =1, 3 ,5 ... nπ
4VS
Vo1( RMS ) = = 0.90 VS E 7. 11
π 2
∞
i o (t ) = ∑ sen (nωt − ϕn )
4 VS
2
n =1
1
nπ R 2 + nωL −
nωC E 7. 12
1
nωL −
ϕn = arctg nωC
R
Ejemplo 7.4
Solución:
a) La tensión eficaz del fundamental viene dada por la ecuación 7.11 y es:
Vo1( RMS ) = 0.90 × 48 = 43.2 V
48
I PQ = = 20 A
2.4
Cada rama del inversor conduce durante el 50% de cada ciclo, por tanto, la
intensidad media de cada rama es:
20
I Q ( AV ) = = 10 A
2
d) La tensión de pico de bloqueo, será igual a la que tiene la fuente C.C. y es:
VBR = 48 V
e) Para calcular la distorsión armónica total THD de forma exacta necesita-
mos conocer la tensión aportada por todos los armónicos.
48 - 43.2 = 4.8 V
∑V
1 1
THD = = Vo2( RMS ) − Vo21 ( RMS ) =
2
on
Vo 1 n =3 , 5 , 7... Vo 1( RMS )
1
= 48 2 − 43.2 2 = 48.43%
43.2
2 2 2
1 ∞
Von 1 Vo 3 Vo 5 0.3424 VS
DF = ∑ 2 = 2 + 2 + ... = = 3.804%
Vo1 n =3 , 5... n Vo 1 3 5 0.9 VS
Vo1
Vo 3 =
3
Vo 3 1
HF3 = = = 33.33%
Vo1 3
Vo 3
2
DF3 =
3 1
= = 3.704%
Vo1 27
Los diodos que se introducen en el circuito no son necesarios para este análi-
sis, puesto que la carga es puramente resistiva y no desfasa la tensión e intensidad de
salida. Sin embargo, se ha introducido para que el lector pueda experimentar con otras
cargas en este tipo de configuración.
1
Q1 Q3
Rg1 Rg3
3 2 D1 D3 9 10
Vg1 Vg3
VS 4 CARGA 8
Q4 Q2
Rg4 Rg2
5 6 D4 D2 11 12
Vg4 Vg2
INTENSIDAD INSTANTANEA
INTENSIDAD MEDIA
(275.521m,10.058)
(46.354m,19.792)
20A
10A
Fig.7. 14
Intensidades instantáneas y
media en Q1 .
-0A
0s 50ms 100ms 150ms 200ms 250ms 300ms
IC(Q1) AVG(IC(Q1))
Time
Las pequeñas diferencias entre los resultados teóricos y los analizados por
Pspice se deben a las causas mencionadas en el ejemplo 7.2.
TEÓRICO PSPICE
Apartado Dato Gráfica Dato
a) Vo1(RMS) = 43.2 V listado comp. Four. Vo1(RMS) = 42.76 V
c) IpQ = 20 A (7.14) IpQ = 19.792 A
c) IQ(AV) = 10 A (7.14) IQ(AV) = 10.058 A
e) THD = 48.43% listado comp. Four. THD = 42.87%
f) HF3 = 33.33% listado comp. Four. HF3 = 33.33%
Ejemplo 7.5
Q1 Q3 a) La corriente instantánea de
D1 D3 salida en series de Fourier.
b) El valor eficaz de la intens i-
VS CARGA dad total en la carga y la debi-
Q4 RLC Q2 da al primer armónico.
D4 D2 c) Distorsión total de la corriente
de carga.
d) Potencia activa en la carga y
del fundamental.
e) Intensidad media de entrada.
f) Intensidad media y de pico de cada transistor.
g) Simular con Pspice este circuito y obtener: La tensión e intensidad instantá-
neas en la carga. Intensidad instantánea de los diodos. Comparación de las in-
tensidades de base de los transistores. Intensidad eficaz en la carga. Intens i-
dades media e instantánea de colector de cada transistor. Análisis espectral de
Fourier de la intensidad en la carga y el listado de compone ntes armónicos de
dicha intensidad.
Solución:
2
1
Z o1 = 10 + 2π 60 × 31.5 ×10 −3 −
2
−6
= 15.4 Ω
2π 60 ×112 ×10
1
2π60 × 31.5 × 10 −
−3
ϕo 1 = arctg 2π60 × 112 × 10 − 6 = −49.7º
10
4 × 220
Vo1 = sen (2π60 × t ) = 280.1× sen(120 π t )
π
I o = 18 .12 + 3.17 2 + 1 2 = 18 .4 A
18 .4
I o ( RMS ) = = 13 .01 A
2
(I )
∞
1
∑I
1 1
THD = 2
on = 2
o − I o21 = 18 .4 2 − 18 .12 = 18 .28%
I o1 n = 3, 5 ... I o1 18 .1
Po 1692
I ( AV ) = = = 7.69 A
VS 220
f) Según el apartado “b” tendremos una intensidad de pico por los transisto-
res:
I pQ = 18.4 A
7.69
I Q ( AV ) = = 3 .845 A
2
1
Q1 Q3
Rg1 Rg3
3 2 D1 D3 9 10
Vg1 Vg3
VS 4
CARGA 8
Q4 RLC Q2
Rg4 Rg2
5 6 D4 D2 11 12
Vg4 Vg2
R L C
Conexión de la
carga RLC 4 20 30 8
(8.3330m,221.808) (18.314m,202.984)
(33.332m,77.254)
200
Fig.7. 15
-200 Tensión e inten-
sidad instantánea
INTENSIDAD
TENSION
en la carga.
(AUMENTADA 10 VECES)
TIEMPO DE CONDUCCION
(16.666m,7.6749)
DEL DIODO D3
0A
(30.938m,318.877m) (33.399m,-219.849p)
-34.51A
I(D3)
34.95A
INTENSIDAD EN LA CARGA INTENSIDAD EN D1
(24.930m,7.7285)
0A Fig.7. 16
Intensidad instan-
tánea en la carga y
en los diodos.
-34.51A
0 10m 20m 30m 40m 50m
I(D1) I(R)
Time
-100mA
IB(Q1)
100mA
-100mA
IB(Q2)
100mA
Fig.7. 17
(16.546m,2.3764m) Intensidades de base
-100mA
IB(Q3)
de los transistores.
100mA
(8.3330m,-122.031p)
-100mA
0 10m 20m 30m 40m 50m
IB(Q4)
Time
(295.317m,12.921)
10A
5A
Fig.7. 18
Intensidad eficaz en la
carga.
0A
0s 50ms 100ms 150ms 200ms 250ms 300ms
RMS(I(R))
Time
20A
10A
Fig.7. 19
0A
Intensidades media e
instantánea por los
(132.632m,445.029p) (139.566m,-118.428m) transistores.
-10A
0s 50ms 100ms 150ms 200ms 250ms 300ms
AVG(IC(Q1)) IC(Q1)
Time
(60.000,17.703)
15A
10A
(180.000,2.6502)
5A
(300.000,1.0230)
Fig.7. 20
(420.000,545.048m)
Análisis espectral de Fourier
para io (t).
0A
0H 100H 200H 300H 400H 500H 600H
I(R)
Frequency
TEÓRICO PSPICE
Apartado Dato Gráfica Dato
a) Vo = 220 V (7.15) Vo = 221.808 V
b) Io = 18.4 A (7.15) Io = 20.298 A
b) Io(RMS) = 13.01 A (7.18) Io(RMS) = 12.92 A
f) IQ(AV) = 3.845 A (7.19) IQ(AV) = 4.706 A
a) Io1 = 18.1 A listado comp. Four. Io1 = 18.02 A
a) Io3 = 3.17 A listado comp. Four. Io3 = 2.726 A
a) Io5 = 1 A listado comp. Four. Io5 = 1.040 A
c) THD = 18.28% listado comp. Four. THD = 16.58%
Nótese que a partir del quinto armónico (en el listado) la amplitud que se pre-
senta para cada uno de ellos es tan pequeña que no es significativo introducirla en los
cálculos teóricos.
Ejemplo 7.6
Solución:
L 0 .16
τ= = = 5.33 mseg
R 30
−
T
−
0 .0125
VS 1 − e 2τ 200 1 − e 2×0 .00533
Io = × = × = 3 .51 A
R 30
T
2× 0. 00533
0 .0125
− −
1+ e 1+ e
2τ
ωL 2π × 0 .16
ϕ = arctg = arctg = 69.54 º
R 0.0125 × 30
69.54 º×12 .5
t D on = = 2 .41 mseg.
360 º
d) Para las intensidades medias de los diodos y de los transistores los cálc u-
los se efectúan del siguiente modo:
Io
I D ( AV ) = (1 − cos ϕ) = 3.51 (1 − cos 69.54º) = 0.36 A
2π 2π
La intensidad media que suministra la batería será igual a la que soportan los
transistores menos la reactiva que devuelven los diodos, para cada semiperíodo:
( )
I S ( AV ) = 2 × I Q ( AV ) − I D ( AV ) = 2 × (0 .75 − 0.36 ) = 0 .78 A
Los primarios de los transformadores deben estar aislados unos de los otros,
sin embargo, los secundarios se pueden conectar en triángulo o en estrella, tal como se
muestra en la figura 7.21.
Q1 Q3 Q5
Q1 Q3 Q5
g1
VS a b c
Q4 Q6 Q2 Fig.7. 22
Q4 Q6 Q2 Inversor trifásico.
g1 t
g2 t
Señales a g3 t
aplicar en la
base de los g4 t
transistores
g5 t
g6 t
Fig.7. 23
Señales aplicadas a las
V
ab t bases de los transisto-
res y formas de onda
Tensiones de en la salida.
salida
V
bc t
Vca t
a a
R R R
R R n
R
b
b Fig.7. 24
c c Tipos de conexiones.
(a) Conexión en (b) Conexión en
triángulo estrella
a b a
R R R
i 1 (t) n n i 3 (t) n
c R c R b R
VS VS VS
Fig.7. 25
i 2(t) a c Circuitos equivalentes.
b
R R R
MODO 1 MODO 2 MODO 3
VS 2V
i1 (t ) =
R 3R
Req = R + = = S
2 2 Req 3R
i1 (t )R V S − 2VS
van (t ) = vcn (t ) = = vbn (t ) = −i1 (t )R =
2 3 3
VS 2V
i 2 (t ) =
R 3R
Req = R + = = S
2 2 Req 3R
− i2 (t )R − VS 2VS
vbn (t ) = vcn (t ) = = v an (t ) = i 2 (t )R =
2 3 3
VS 2V
i1 (t ) =
R 3R
Req = R + = = S
2 2 Req 3R
i3 (t )R VS − 2VS
van (t ) = vbn (t ) = = vcn (t ) = −i3 (t )R =
2 3 3
Vcn(t)
VS
3 t Fig.7. 26
Tensiones de fase.
2VS
3
Vab (t)
180º 360º
Vs
t
Vbc (t)
Vs
t
En las figuras 7.26 y 7.27, se muestran las tensiones de fase y de línea respec-
tivamente como vab(t) que puede ser expresada en series de Fourier como sigue, te-
niendo en cuenta que cambia para π/6 y que los armónicos pares son cero:
∞
nπ π
∑
4V S
vab (t ) = cos × sen nω t + E 7. 13
n =1, 3 ,5 ...
nπ 6 6
vbc(t) y vca(t) vienen dadas por las siguientes ecuaciones en las que se cambia
la fase de la tensión. 120º para vbc(t) y 240º para vca(t):
∞
nπ π
∑
4VS
vbc (t ) = cos × sen n ω t −
n =1 ,3 , 5...
nπ 6 2
E 7. 14
∞
nπ π
∑
4VS
vca (t ) = cos × sen n ω t − 7
n =1, 3 ,5 ...
nπ 6 6
2π
2 2
V L( RMS ) =
2π ∫ 0
3 VS2 dω t =
3
VS = 0 .8165 VS E 7. 15
nπ
cos
4VS
VLn (RMS ) = E 7. 16
2 nπ 6
4VS
V L1(RMS ) = cos 30 º = 0.7797 VS E 7. 17
2π
V L (RMS ) 2V S
V F (RMS ) = = = 0.4714 V S E 7. 18
3 3
Para cargas puramente resistivas, los diodos en antiparalelo con los transisto-
res no conducen, pero para una carga inductiva la intensidad en cada rama del inversor
puede estar retrasada con respecto a la tensión como se muestra en la figura 7.28:
Van(t)
180º 360º
2Vs
3
Vs
Tensión de fase 3
i a(t) t2
t1
Intensidad de
fase t
Fig.7. 28
Inversor trifásico con carga
RL.
Q1 Q4
D1 D4
Vab
Van = E 7. 19
3
con un retraso de 30º, de la ecuación 7.13 obtenemos la intensidad de línea ia(t) para
una carga RLC:
∞
nπ
cos sen (nω t − ϕn )
4 VS
i a (t ) = ∑ E 7. 20
2 6
n =1 ,3 , 5...
3 nπ R 2 + j nω L − 1
nω C
donde:
1
nω L −
n ω C
ϕ n = arctg E 7. 21
R
Ejemplo 7.7
2D
6
D D
6
2
nea eficaz VL(RMS) .
2
Solución:
vab (t ) = 242 .58 × sen(207 t + 30 º) − 48.52 × sen 5(207 t + 30 º) − 34 .66 × sen 7 (207 t + 30 º) +
+ 22.05 × sen11(207 t + 30 º) + 16.66 × sen13(207 t + 30 º) − 14 .27 × sen17 (207 t + 30 º)...
Z L = R 2 + (nω L )2 = 5 2 + (8 .67 n )2
arg = arctg
(nω L) = 8.67 n
R 5
∞ n π
∑ × sen(nω t − ϕ n )
4 VS
i a (t ) = cos
n =1 ,3 , 5... 3 nπ R + (n ω L ) 6
2 2
donde:
nω L
ϕ n = arctg
R
179 .63
V F ( RMS ) = = 103 .7 V
3
4 × 220 × cos 30 º
V L1( RMS ) = = 171 .53 V
2π
171 .53
V F 1( RMS ) = = 99.03 V
3
∞
V L1( RMS ) = 0 .8165 × VS ∑V Ln
n =5 , 7 ,11...
2
= VL2 − VL21 = 0 .2423 VS
0.2423 × VS
THD = = 29 .65 %
0 .8165 × VS
g)
2
∞
VLn 0 .00667 × VS
V LH = ∑ 2 = 0.00667 × VS
n =5 , 7 ,11... n
DF1 =
0.8165 × VS
= 0.81%
VL5 1
HF5 = = = 20 %
V L1 5
V L5 1
DF5 = = = 0.8%
V L1 × 5 2
125
IL
I L( RMS ) = = 9.91 A
2
Po (RMS ) 1473
I S ( AV ) = = = 6.7 A
VS 220
V1 1 0 110
V2 0 17 110
* Carga RL conectada en estrella:
RR 3 20 5
LR 20 18 23M
RS 6 21 5
LS 21 18 23M
RT 9 22 5
LT 22 18 23M
* Parametros para el analisis de Pspice:
.PROBE
.four 33.33 V(3,6) ; *ipsp*
.tran 1.000m .184 0 0 ; *ipsp*
.END
1
Q1 Q3 Q5
Rg1 Rg3 R g5
D1 D3 D5
Vs 11 2 13 5 15 8
2 Vg1 Vg3 Vg5
3 6 9
0
Q4 Q6 Q2
Rg4 Rg6 R g2
4 D4 7 D6 D2
Vs 12 14 16 10
17
RS
21
LS
LR 18 LT
RR 20 22 RT
Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes gráficas: Tensión de fase y
de línea en la carga. Tensión e intensidad de fase junto con la intensidad instantánea
del diodo D1 . Comparación de la intensidad de base de los transistores. Tensión eficaz
de línea, de fase e intensidad eficaz en la carga. Análisis espectral de la tensión de
línea y componentes de Fourier de ésta.
g1 t
g2 t
Señales g3 t
de puerta g4 t
g5 t
g6 t
V
ab t
Tensiones Fig.7. 29
de salida V
bc t Tensiones de puerta y de línea.
Vca t
Para este tipo de control cada transistor conduce durante 120º, haciéndolo dos
transistores al mismo tiempo. Siendo, por tanto, las señales de puente y la de salida las
mostradas en la figura 7.29.
a a a
R R R
Vs Vs
b b b
R n R n R n
Vs Fig.7. 30
c c c Circuito equivalente para la conexión de
R R R una carga resistiva en estrella.
∞
nπ π
∑
2 VS
van (t ) = cos sen n ω t + E 7. 22
n =1,3 , 5...
nπ 6 6
nπ π
∞
2 VS
vbn (t ) = ∑ cos sen n ω t − E 7. 23
n =1, 3 ,5 ... nπ 6 2
∞
2 VS nπ π
v bn (t ) = ∑ cos sen n ω t − 7 E 7. 24
n =1 ,3 , 5 ... nπ 6 6
con un adelanto de fase de 30º, por tanto, hay un retardo de π/6 entre el corte de Q1 y
la conducción de Q4 . De esta forma, se evita que la fuente de continua se cortocircuite
al pasar de un modo de operación a otro.
Durante cada modo de operación uno de los tres terminales está abierto y los
otros dos conectados a la fuente de continua. La tensión del terminal abierto dependerá
de las características de la carga y es impredecible.
Ejemplo 7.8
Q1 Q3 Q5
D1 D3 D5
a b c
Vs
Q4 Q6 Q2
D4 D6 D2
Solución:
VS
V F = Van = Vbn = V cn = 0
2
VS 200
I F = I a = Ib = = = 10 A
2 R 2 × 10
por tanto, la intensidad eficaz de fase será la media geométrica de las tres intensidades
máximas de cada fase, por lo que resulta:
I a2 + I b2 + I c2 10 2 + 10 2 + 0 2
I F (RMS ) = = = 8.16 A
3 3
VS 2V S
V F = V an = Vcn = V F = Vbn =
3 3
2 VS 2 × 200 VS
I F = Ib = = = 13 .33 A I F = I a = Ic = = 6.67 A
3R 3 × 10 3R
I F ( RMS ) 9.43
= = 6 .67 A
2 2
Solución:
Debido a los valores que presenta la carga, una resistencia muy baja y una
inductancia muy alta, se presenta una intensidad de salida bastante senoidal. Se deja
propuesto al lector que examine las tensiones en cada uno de los componentes de la
carga, así como los períodos de conducción de los diodos y los transistores.
Date/Time run: 02/13/96 17:27:22 Temperature: 27.0
1.0A
0.5A
0A
-0.5A
Fig.7. 31
Intensidad en la
carga.
-1.0A
0s 50ms 100ms 150ms 200ms 250ms 300ms
I(R)
Time
Las soluciones existentes para este último problema se pueden agrupar en tres
procedimientos:
En un control de este tipo sólo existe un pulso por cada semiciclo, y variando
la anchura de este pulso controlamos la tensión de salida del inversor. En la figura
7.32 se muestra la generación de las señales de puerta de los transistores y la tensión
de salida de un inversor en puente monofásico.
Ar
M= E 7. 25
Ac
π +δ
δ
VS2 d (ω t ) = VS
2
Vo ( RMS ) =
2π ∫ 2
π −δ
π
E 7. 26
2
Señal portadora Ac
Señal de referencia Ar
t
Fig.7. 32
VS Modulación en anchura de
Tensión de salida 2 un pulso por semiperíodo.
t
_ +
2 2
∞
4 × VS nδ
vo (t ) = ∑ nπ
sen
2
× sen(n ω t ) E 7. 27
n =1 ,3 , 5...
número de pulsos 9
1.0 8 Fig.7. 33
Evolución de los armóni-
DF 7 cos.
0.8 Vo1
Von 6
5 DF (%) En esta figura se observa
VS 0.6 que el armónico dominante
4 es el tercero y el factor de
0.4 distorsión aumenta signifi-
Vo3 3 cativamente para tensiones
2 bajas de salida Ar/Ac = 0.
0.2 Vo5 Vo7 1
0 0
1 0.8 0.6 0.4 0.2 0
Ar
Indice de modulación M =
Ac
1 ∞
V32 + V52 + V72 + ...
THD =
Vo 1
× ∑ Von2 = V1
E 7. 28
n = 3, 5 , 7 ...
1 V 01
1
4Vs /
0.9
0.8 1
0.7 V 03
2
4Vs /
0.6
0.5
V 05
0.4 3
THD 4Vs /
0.3
2 Fig.7. 34
Fundamental y armóni-
0.2 cos en función de δ.
3
4 V 07
0.1 4
4Vs /
Ejemplo 7.9
Solución:
a) Para el diseño del circuito inversor se opta por un puente monofásico tal y
como se muestra en la figura, en donde:
VY
1 2
Q1 Q3 VS = 100 V
8
Rg1
7 D1 D3 11
Rg3
12
Rg1 =…=Rg4 =100 Ω
Vg1 VX Vg3 VX = VY = 0 V
VS 3 4 CARGA 6 (Fuentes que permiten
Q4 medir la intensidad de
Q2
Rg4 Rg2 paso)
14 13 D4 D2 9 10
R = 2.5 Ω
Vg4 Vg2
f = 50 Hz
0
rencia con la portadora, las cuales son generadas a parte. Los valores tomados para el
diseño son:
RF
R1
Circuito comparador de
RF = 100 KΩ
1 RO las señales de referencia R1 = R2 = 1 KΩ
R2 5 3 y portadora generadas
2 por Vr1, Vr2 y Vc RIN = 2 MΩ
+ E respectivamente.
RIN
- 1 CO RO = 75 Ω
0 4 Rr1 = Rr2 = RC =
Subcircuito =2 MΩ
C0 = 10 pF
15 17
16
Generador de las señales E1 (Fuente de
de referencia y portadora. tensión dependiente
Vr1 R r1 Vr2 Rr2 Vc Rc
de los nudos 5-0 )
0
Ar
M= Ar = M × Ac = 0.6 × 50 = 30 V
Ac
2 π +2 δ 2 δ
π -δ VS d (ω t ) = VS ×
108º
Vo ( RMS ) = ∫
2π 2 π
= 100 ×
180º
= 77.45 V
Vo2(RMS ) 77.452
Po ( AV ) = = = 2402.5 W
R 2.5
80V
40V
(8.0423m,-21.996m)
-0V
(2.0007m,-22.018m)
-40V
Fig.7. 35
Tensión en la carga
-80V
-120V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms
V(4,6)
Time
60V
(10.000m,50.000)
(2.0220m,29.780)
SEÑAL
PORTADORA
40V
(8.0004m,30.003)
20V
Fig.7. 36
Señales portadora
y de referencia.
SEÑAL DE
REFERENCIA
0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms
V(17) -V(15)
Time
100V FUNDAMENTAL
80V ARMONICO 3
60V ARMONICO 5
40V
Fig.7. 37
ARMONICO 7 Análisis espectral
de la tensión de
20V salida.
0V
0H 200H 400H 600H 800H
V(3,6)
Frequency
Ejemplo 7.10
Solución:
v o (t)
250 V.
180 t 3 t 4 360
t1
t
t2
vo (t ) sen(ω t )dt =
2
∫
T
B1 =
T 0
2 t2
∫t VS sen(ω t )d t − ∫t VS sen (ω t )d t
t4
=
T 1 3
como:
T T T
t 3 = t1 + t4 = t 2 + ⇒ t2 = − t1
2 2 2
2π
α = ω t1 ω=
T
4VS 4V
B1 = × cos(ω t1 ) = S × cos α
π π
por tanto, para los datos del ejercicio obtendremos un valor de α de:
4 × 250 50 × π
50 = × cos α ⇒ α = ar cos = 80.86º
π 4 × 250
4VS
Bn = cos (nω t1 )
nπ
4 × 250
B3 = cos (3 × 80.86º) = −48.37 V
3π
VS
2
Tensión de salida t Fig.7. 38
m Modulación en
anchura de pulsos.
+
m
Este método consiste en hacer que en cada semiperíodo halla un número ente-
ro de impulsos a la salida, los cuales están modulados en anchura. La señal de salida
se obtiene por comparación de una señal de referencia con una portadora tal y como se
ve en la figura 7.38 conjuntamente con las señales de puerta que se utilizan para con-
mutar a los transistores.
fc m
p= = f E 7. 29
2× f 2
donde:
fc
mf =
f
La variación del índice de modulación de cero a uno nos variará el ancho del
pulso de 0 a π/p y la tensión de salida desde cero a VS.
π
+ δ
2× p p
p×δ
VS2 d (ω t ) = VS ×
2 ×π ∫
Vo ( RMS ) = 2 E 7. 30
π
−δ π
p
2
∞
v o (t ) = ∑B n × sen(nω t ) E 7. 31
n =1, 3, 5 ...
A medida que aumentamos el número de pulsos por ciclo cobran mayor im-
portancia en amplitud los armónicos superiores, por lo que resulta mucho más fácil el
filtrado posterior de la señal y obtener una onda senoidal lo más perfecta posible.
V 01
1 1
4 Vs /
0.9
0.8
V 03
2
0.7 4 Vs /
0.6 1
2
0.5 V 05
3
4 Vs /
0.4 3
2
0.3
0.2 V 07
4 4 Tres pulsos por semiperíodo
4 Vs /
0.1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 /3
V 01
1
1 4Vs /
0.9
V 03
0.8 2
1 4Vs /
0.7
0.6 V 05
3 2
0.5 4Vs /
0.4 V 11
4
0.3 4 4Vs /
2
0.2
3
V 13 Seis pulsos por semiperíodo
0.1 5 5
4Vs /
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 /6
V 01
1 1
4Vs /
0.9
2
V 03
0.8 4V s /
10
0.7 V 05
3
0.6 1 4Vs /
0.5 V 07 2
4
4V s /
0.4
5 V 11
2
0.3 5
4Vs /
0.2 3
4 V 13
0.1 6
Diez pulsos por semiperíodo
6 4Vs /
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
/ 10
Ejemplo 7.11
Se pide:
a) Diseñar el circuito de
VY
1 2
control para obtener
Q1 Q3 cinco pulsos por semici-
8
Rg1
7 D1 D3 11
Rg3 clo. Con un índice de
12
modulación M = 0.6,
Vg1 V Vg3
VS
X calcular el ancho de pul-
3 4 CARGA 6
Q4
so que se produce para
Q2
Rg4 Rg2 estas condiciones.
14 13 D4 D2 9 10
b) Calcular la tensión efi-
Vg4 Vg2
caz Vo(RMS).
0
c) Obtener mediante simu-
lación con Pspice las si-
guientes gráficas: Tensión de salida. Comparación de la señal de referencia
con la portadora. Análisis espectral de la tensión de salida.
d) Listado del programa.
Solución:
f c = 10 × f = 10 × 50 = 500 Hz
El ancho de pulso que se produce viene dado por la relación siguiente: si para
M = 1 el ancho de pulso es 180º/5 para un M = 0.6 tenemos:
π
+δ
2× p p
p×δ 5 × 21.6 º
VS2 d (ωt ) = VS ×
2 ×π ∫
Vo ( RMS ) = 2 = 100 × = 77.45 V
π
−δ π 180 º
p
2
Como puede verse, la tensión eficaz de salida coincide con la del ejercicio 7.9
y esto se debe a que ambos ejercicios poseen el mismo índice de modulación.
Como puede observarse en la figura 7.42, los armónicos de orden más bajo
están disminuidos en amplitud con respecto a los que produce la modulación de un
pulso por semiperíodo, sin embargo, los de mayor orden (a partir del séptimo) crecen
en amplitud. Por lo tanto, para este tipo de modulación es más fácil aplicar un filtro de
segundo orden para obtener una señal senoidal lo más perfecta posible, eliminando los
armónicos de orden más alto.
(9.544m,99.843)
80V
(15.608m,22.018m)
40V
(14.395m,22.110m)
-0V
21.6
Fig.7. 40
-40V
Tensión de salida.
-80V
REFERENCIA
PORTADORA
60V
(11.071m,30.000)
(0.000,50.000)
40V
Fig.7. 41
20V
Comparación de la
señal portadora con
la de referencia.
0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms
V(17) -V(16)
Time
FUNDAMENTAL
(50.000,75.671)
60V
ARMONICO 11
(450.000,45.560)
40V ARMONICO 13
(550.000,33.503)
Fig.7. 42
20V Análisis espectral de
la tensión de salida.
0V
0H 0.2KH 0.4KH 0.6KH 0.8KH 1.0KH 1.2KH 1.4KH 1.6KH
V(3,6)
Frequency
RR1 15 0 2MEG
VR2 16 0 PULSE(0 -30V 10MS 1N 1N 10MS 20MS)
RR2 16 0 2MEG
* Subcircuito amplificador y excitador de los transistores:
XPW1 17 15 8 3 PWM
XPW2 17 15 10 0 PWM
XPW3 17 16 12 6 PWM
XPW4 17 16 14 0 PWM
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1 1 5 1K
R2 2 5 1K
RIN 5 0 2MEG
RF 5 3 100K
RO 6 3 75
CO 3 4 10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
* Parametros para el analisis:
.TRAN 10US 20MS 0 10US
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.00N RELTOL=0.01 VNTOL=0.1 ITL5=20000
.FOUR 50HZ V(3,6)
.END
Modulación senoidal.
Señal portadora A c
Señal de referencia A r
1
fc
Señales obtenidas g1 2 t
de la comparación Fig.7. 43
de Ac y Ar g2 t Generación de pulsos
2
utilizando dos ondas
senoidales y tensión
Señal de excitación de de salida.
2
los transistores de t
ambas ramas. m
Las señales de puerta se obtienen por comparación entre la citada señal senoi-
dal (señal de referencia) y una señal triangular (señal portadora). La frecuencia de la
señal de referencia fr determina la frecuencia “f” de la tensión de salida y su amplitud
Ar controla el índice de modulación M y por consiguiente la tensión eficaz de salida
Vo(RMS) . El número de pulsos por semiciclo depende de la frecuencia de la señal porta-
dora como se puede observar en la figura 7.43.
Fig.7. 44
Comparación entre una onda senoi-
dal y una triangular unidireccional.
p
δm
Vo ( RMS ) = VS ∑π E 7. 32
p =1
V 01
1 1
Vs
0.9
V 05 Ac
0.8 2
Vs Ar
0.7
0.6 1 V 08
3
Vs
0.5
0.4 2
V 07
4
0.3 3 Vs
0.2 0 2
0.1
4
Ar
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
= M
Ac
V 01
1 1
Vs Ac
0.9 Ar
V03 y V05 son
0.8 despreciables
0.7
V 09
1 2
0.6
Vs
0.5
V 07
0.4 2 3
3 Vs
0.3
0.2 V 11
4 0 2
Vs
0.1
4
Ar
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
=M
Ac
V 01
1 1
Vs
0.9
V 09 Ac
y V15
1
0.8 2 Ar
Vs Vs
0.7
0.6 V 11
3 y V 13
0.5 Vs Vs
0.4
V 23
3
4 y V 25
0.3 Vs Vs
0.2 0 2
4
0.1 2
Ar
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
M=
Ac
1.3 V01
1
1.2 VS
1
1.1
V 03
1 2 Ac
0.9 VS Ar
0.8
V05
0.7 3
VS
0.6
0.5
V 07
0.4 4
VS
0.3 0
2
0.2
0.1 3 Ar
4
0 0.5 1 1.5 2
M= Ac
f n = ( jm f ± k )× f c E 7. 33
donde “k” es el flanco de bajada del armónico “n” en el instante “j” para la proporción
frecuencia -modulación mf.
n = jm f ± k = 2 jp ± k
E 7. 34
para j = 1, 2, 3... k = 1, 3, 5...
Vo1 = d × VS para 0 ≤ d ≤ 1 E 7. 35
∞
4 × VS
v o (t ) = ∑ sen (nω t ) E 7. 36
n =1, 3 ,5 ... nπ
4 ×VS
= 1.278 VS
π
que Vo1(máx) = 1.278 × VS , depende del número de pulsos por semiciclo y es aproxima-
damente tres para p = 7 como se muestra en la figura 7.46.
Zona lineal
VS
Fig.7. 46
Relación entre el índice de modulación y la
tensión pico del fundamental.
0 1 2 3
Ejemplo 7.12
Rg1
Q1 Q3
Rg3
Rg1 = ... = Rg4 = 100 Ω
8 7 D1 D3 11 12
Vg1 VX Vg3 VS = 100 V
VS 3 4 CARGA 6
Q4 Q2
VX = VY = 0 V
Rg4 Rg2
13 D4
14 D2 9 10 f = 60 Hz
Vg4 Vg2
0
Se pide:
Solución:
1
R1
RO
R1 = R2 = 1 KΩ
R2 5 3
2
RIN +
- E1
CO RIN = Rr1 = Rr2 = Rc = 2 MΩ
0 4
Subcircuito RF = 100 KΩ
15 17
Ro = 75 Ω
16
0
Co = 10 pF
E1 = 2· 105
Ar = M × Ac = 0.9 × 50 = 45 V
p
δm
Vo ( RMS ) = VS ∑π
p =1
150V
1.2536ms
1.1921ms
100V
50V
Fig.7. 47
0V Anchuras de los
0.5117ms 0.5138ms pulsos del primer
1.4558ms semiperíodo.
-50V
-100V
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms 6.0ms 7.0ms 8.0ms
V(3,6)
Time
En la siguiente tabla recogemos todos estos datos junto con los tiempos de
inicio y fin de cada uno de los pulsos. Las anchuras δ m se expresan tanto en tiempo
como en grados.
100
Vo ( RMS ) = × 11.06º+25.76 º+31.46º+27.09º+11.10º = 76.91V
180º
80V
40V
-0V
-40V
Fig.7. 48
Tensión de salida
-80V
-120V
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms
V(3,6)
Time
PORTADORA (16.667m,50.000)
(4.1667m,45.000) (12.500m,45.000)
40V
0V
Fig.7. 49
Comparación de las señales
de referencia con la porta-
-40V
SENALES DE dora.
REFERENCIA
FUNDAMENTAL
(59.988,88.413)
80V
60V
ARMONICO 9
40V ARMONICO 7 (539.892,26.161)
(419.916,16.985) Fig.7. 50
Análisis espectral de la
20V tensión de salida.
0V
0H 0.2KH 0.4KH 0.6KH 0.8KH 1.0KH 1.2KH
V(3,6)
Frequency
En la figura 7.50 observaremos que los armónicos de menor orden (3, 5 y 7),
son atenuados, pero en cambio, los de orden algo mayor (9,11...) son amplificados.
.END
80V
40V
-0V
-40V
Fig.7. 51
Tensión de salida para diez
pulsos.
-80V
FUNDAMENTAL
(60.024,88.383)
80V
60V
40V ARMONICO 17
(1.0204K,17.143) Fig.7. 52
Análisis espectral de la ten-
sión de salida para diez pul-
20V
sos.
0V
0H 0.5KH 1.0KH 1.5KH 2.0KH 2.5KH 3.0KH 3.5KH 4.0KH
v(3,6)
Frequency
Para que el mismo circuito module la tensión de salida con diez pulsos por
semiperíodo, basta con cambiar en el listado las frecuencias de las señales de referen-
cia y portadora. En general, basta con sustituir el apartado "* Generación de señales
de referencia y portadora" del listado ofrecido anteriormente por el que mostramos a
continuación:
Como conclusión al comparar las dos simulaciones podemos decir que al au-
mentar el número de pulsos por semiciclo se reduce el contenido de armónicos signifi-
cativamente, tal y como se aprecia en las gráficas de los análisis espectrales. Esto se
debe a que este tipo de modulación elimina los armónicos de orden menor o igual a
2p-1.
Nota: Si se desea, se puede utilizar para la simulación con diez pulsos por
semiperíodo el archivo (T7E12A.CIR) contenido en el disquete adjunto.
Esta técnica aplica la onda portadora durante los primeros y últimos 60º de
cada semiciclo.
Señal Portadora
Señal de referencia
Señal que se
aplica en la base
de Q1 Fig.7. 53
t Modulación senoidal
2
modificada en anchura de
m
pulsos.
m
Señal que se
aplica en la base t
de Q
4 2
Para los inversores trifásicos el número de pulsos durante los períodos de 60º
inicial y final, viene dado por la proporción:
fc
= 6× p + 3 E 7. 37
f
VY
1 2
Los datos son los siguientes:
Q1 Q3 R = 2.5 Ω
Rg1 = ... = Rg4 = 100 Ω
Rg1 Rg3
8 7 D1 D3 11 12
Vg1 VX Vg3 VS = 100 V.
VS 3 4 CARGA 6 VX = VY = 0 V.
Q4 Q2 M = 0.9
Rg4 Rg2
14 13 D4 D2 9 10
Vg4 Vg2
0
a) Obtener las siguientes
gráficas: Tensión en la
carga. Comparación de las señales de referencia con la portadora. Análisis
espectral de la tensión de salida (Fichero T7C2.CIR).
2
0 t
Fig.7. 54
Modulación con alternancias positivas y
negativas en cada semiciclo.
Con este tipo de modulación también se pueden reducir los primeros armóni-
cos. Para ello si observamos la figura 7.55 podremos desarrollar la tensión instantánea
de salida en series de Fourier como:
∞
v o (t ) = ∑ a sen(nω t )n E 7. 38
n =1, 3, 5 ...
siendo:
α 1 = 23.62º α 2 = 33.3º
- Vs
2 Fig.7. 55
1
Fig.7. 56
Control de la
corriente por
banda de toleran-
cia.
7.4 Filtrado
Casi todos los filtros empleados para este propósito tienen configuración en L
y en la figura 7.57 se presenta el esquema generalizado.
Zs
C
A
Von Zp VoFn R Z Ln
G
A
Fig.7. 57
Esquema de conexión de un filtro.
Filtro
La rama serie debe tener una baja impedancia a la frecuencia del fundamental
para que no halla pérdidas de tensión y una alta impedancia a la frecuencia de los ar-
mónicos que se quieren eliminar. La rama paralelo debe comportarse de forma opuesta
para no cargar al inversor con una intensidad de frecuencia igual a la del fundamental
y para cortocircuitarse a la frecuencia de los demás armónicos.
VoFn Z pn
atenuación = = E 7. 39
Von Z sn + Z pn
Z pn × Z Ln
Z ′pn =
Z pn + Z Ln
LS LS CS
CP CP
Lp CP Lp CP Fig.7. 58
Diversos tipos de filtros en
“L”.
1
ω1 × LS =
ω1 × C S
E 7. 40
1
ω1 × L p =
ω1 × C p
con lo que:
1
Z s1 = j ω1 LS − j =0
ω1CS
E 7. 41
( jω L ) − j
1
ω1 C p
1 p
=∞
Z p1 =
( jω1L p ) + − j ω1C
1 p
VoFn 1
= 2
E 7. 42
Von 1 Cp
1− n −
n Cs
L R • La ganancia G ≈ 1.
• La pulsación de esquina ωn toma el
C valor:
RL
1
ωn ≈
LC
• Para el factor de amortiguamiento ε tomamos:
R C
ε≈
2 L
b) R suele tener un valor pequeño, el suficiente para que 0.4 < ε < 0.7.
Ejemplo 7.13
RF
1
Rg1 Q1 R1
6 2 D1 1 RO
V1 Vg1 R R2 5 3
L 2
+ E1 CO
0 R IN
3 8 9 -
Q2 0 4
V2 Rg2
7 4 D2 C RL Subcircuito
Vg2
15 16 17
5
Vr1 Rr1 Vr2 R r2 Vc Rc
Los valores para el circuito de control son los mismos que para
ejemplos anteriores.
a) Obtener las siguientes gráficas: Tensión antes del filtro. Tensión de s-
pués del filtro y análisis espectral de esta tensión. Intensidad por D1 .
b) Listado de la simulación.
Solución:
(8.3333m,100.782) (15.083m,100.873)
100V
0V
(1.6525m,-1.1860)
Fig.7. 59
-100V Tensión de salida
sin filtro.
-200V
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms
v(3,0)
Time
(6.5756m,98.828)
80V
40V
(8.3500m,3.6264)
-0V
(1.6525m,16.993m)
-40V
Fig.7. 60
Tensión a la salida
después del filtro.
-80V
(59.988,90.249)
80V
60V
40V ARMONICO 3
(179.964,18.913)
Fig.7. 61
ARMONICO 5
20V
Análisis espectral
(299.940,17.871) de la tensión de
salida filtrada.
0V
0H 200H 400H 600H 800H
v(9,0)
Frequency
(15.083m,1.0205)
1.0A
0.8A
0.6A
0.4A
Fig.7. 62
(15.069m,-199.983p) (15.814m,-157.815p)
Intensidad en D1
0.2A
-0.0A
12ms 13ms 14ms 15ms 16ms 17ms 18ms
I(D1)
Time
b) El listado:
RC 17 0 2MEG
VR1 15 0 PULSE(0 -30 0 1N 1N 8333.3333U 16666.6666U)
RR1 15 0 2MEG
VR2 16 0 PULSE(0 -30 8333.3333UM 1N 1N 8333.3333U 16666.6666U)
RR2 16 0 2MEG
* Subcircuito comparador y amplificador:
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1 1 5 1K
R2 2 5 1K
RIN 5 0 2MEG
RF 5 3 100K
RO 6 3 75
CO 3 4 10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
* Parametros para el analisis:
.PROBE
.FOUR 60HZ V(9,0)
.TRAN 10U 16.67M 0 10U
.ac lin 101 10 1.000k ; *ipsp*
.END
Ejemplo 7.14
VY
1 2
Q1 RL Q3
Rg1 Rg3
8 7 D1 D3 11 12
Vg1 VX R L Vg3
VS 3 4 20 21 6
Q4 C Q2
Rg4 Rg2
14 19 D4 D2 9 10
Vg4 Vg2
Asimismo obtener las gráficas: Tensión antes del filtro. Tensión después
del filtro. Análisis espectral de la tensión de salida. Listado para la simulación.
Solución:
2
R C C 1.2 = C
ε= = 0.6 ⇒ 1.2 = R ⇒ ⇒ C = 9L
2 L L 0.4 L
1 1 1
ωn = ⇒ LC = ⇒ C=
LC ωn2 Lωn2
1 1 1
9L = ⇒ L2 = ⇒ L=
Lωn2 9ωn2 9ωn2
80V
40V
-0V
-40V
Fig.7. 63
Tensión de salida
-80V
sin filtro.
-120V
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms 6.0ms 7.0ms 8.0ms 9.0ms
v(6,4)
Time
50V
0V
-50V
Fig.7. 64
Tensión de salida
después del filtro.
-100V
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms 6.0ms 7.0ms 8.0ms 9.0ms
v(20,4)
Time
FUNDAMENTAL
(600.024,64.790)
60V
40V ARMONICO 9
(5.4002K,20.835)
ARMONICO 11
(6.6003K,22.784)
20V
Fig.7. 65
Análisis espectral
de la tensión de
salida filtrada.
0V
0H 2KH 4KH 6KH 8KH 10KH 12KH
v(20,4)
Frequency
Comparando las figuras 7.63 y 7.64 podemos ver el efecto que produce el fil-
tro en la reducción de picos de tensión. La supresión de los armónicos nº3 y nº5 que se
puede apreciar en la figura 7.65 es un efecto producido por la modulación senoidal. La
atenuación que produce el filtro sobre el resto de los armónicos será comprobable con
la simulación del ejemplo sin filtro y comprobando que dichos armónicos (superiores
al quinto) tienen una amplitud ligeramente mayor.
Para eliminar el filtro basta con introducir un asterisco “*” al principio de cada
línea que deseemos eliminar.
Ejemplo 7.15
Solución:
Para calcular la impedancia que presenta la carga, previamente hay que calc u-
lar las reactancias que producen la bobina y el condensador:
23.68
2
Z n = 10 + 11.87 n −
2
n
11.87 n − 23.68
ϕn = arctg n = arctg1.187 n − 2.368
10 n
4 1 − 2 cos(nα1 ) + 2 cos(nα2 )
π
VS ∫ 2 sen(nω t )d (ω t ) = VS
4
+
π α2 π n
por tanto, tal y como se vio en la teoría, para α 1 = 23.62º y α 2 = 33.3º se eliminan el
tercer y el quinto armónico. Sustituyendo éstos en la ecuación anterior, obtendremos
los coeficientes de Fourier que se necesitan para el cálculo de la tensión instantánea de
salida, que viene dada por:
∞
v o (t ) = ∑ B sen (nω t )
n
n =1 ,3 , 5...
resultando:
v o (t ) = 235.1 sen(377t ) + 69.4 sen(7 × 377t ) + 85.1 sen(9 × 377t ) + ...
23.68
2
10
Z n = 10 2 + 11.87n − =
n 377 n Ce
Ejemplo 7.16
Solución:
4 1
= 2
⇒ A = 0.7619
100 1 1
1− 3−
3 A 3
y como ωLS debe ser mucho menor que la carga (aproximadamente el 30% de ésta)
para que no se produzca cambios de tensión excesivos frente a variaciones en la carga,
obtendremos:
120 × 0.3
2π × 50 × LS = 0.3 × 120 ⇒ LS = = 0.115 H
2π50
y como:
CS L p
A= =
C p LS
el valor de la bobina en paralelo será:
CS 88.1
Cp = = = 115.64 µF
A 0.7619
Ejemplo 7.17
Solución:
Ls
Von V
= oFn
LS + C p // R C p // R
Cp VoFn R
Von VoFn LS + C p // R 1
= =
Von C p // R (
1 − ω2 CL +
jωL
R
)
La frecuencia de resonancia debe ser mayor a 50 Hz y no ser múltiplo de ésta
para no afectar al fundamental, tomamos, por ejemplo, fr = 140 Hz y tendremos:
1 1
fr = LS C p = = 1.29 ×10 − 6
2π LS × C p (2π ×140 ) 2
240
R= = 15 Ω
16
que debe ser atenuada por el filtro hasta el 4% de la tensión de salida, es decir, hasta:
240 × 4
VoFn = = 9.6 V
100
VoFn 9.6 1
= =
Von 144.24
[
] L
1 − (2π × 550)2 × 1.29 × 10 − 6 + j 2π × 550 S
15
1.29 ×10 −6
Cp = = 72 µF
0.018
En los inversores vistos hasta ahora los circuitos de potencia se comportaban fren-
te a la carga como una fuente de tensión que, al menos teóricamente, no cambia la
forma de onda de la tensión de salida ni su valor al variar la carga y sí lo hace la inten-
sidad de salida fluctuando de positivo a negativo y viceversa. Por el contrario, en el
circuito inversor como fuente de intensidad no existe este efecto ya que tiene como
entrada una fuente de este tipo y la intensidad de salida se mantiene constante inde-
pendientemente de la carga, siendo la tensión la forzada a cambiar.
En la figura 7.66, se
Fuente de alimentación muestra un inversor monofásico
continua variable
de este tipo en donde la bobina L
IL debe tener un valor muy alto
+ Le L para que la intensidad se man-
Q
Q1 Q3 tenga constante, siendo los dio-
+ VS dos D1 , D2 , D3 y D4 , dispuestos
D3
en serie con los transistores,
D1
utilizados para bloquear las ten-
Dm Ce i o(t)
VS X CARGA Y siones inversas en los transisto-
res.
Q2 Q4
D2 D4 Fig.7. 66
Inversor en fuente de corriente.
g1
t
g2
Señales que se
aplican a las
bases de los t
transistores de la g3
figura 1.1
t
g4
t Fig.7. 67
Formas de onda en el inversor.
Intensidad en la IL
carga
t
2
Intensidad del fundamental
∞
4× IL nδ
i o (t ) = ∑ sen sen (nω t ) E 7. 43
n =1, 3 ,5 ... nπ 2
L IL L I L
T1 C1 T3 C1 T3
+ T1 + Io
Vo Vo
D1 Io D3 D1 Io D3
VS CARGA VS CARGA
D4 D2 D4 D2
Io
+
T4 C T2 +
C2
2 T4 T2
(1) (2)
L I L
L IL
T1 C1 T3 T1 C1 T3
Io
Vo Vo
D1 Io D3 D1 Io D3
VS VS CARGA
CARGA
D4 D2 D4 D2
Io
C2 T2 T4 C2 T2
T4
(3) (4)
Fig.7. 68 Inversor monofásico con tiristores como fuente de intensidad. (1) Conducción de T 1 y T 2. (2) Bloqueo
de T 1 y T 2 . (3) Conducción de T 3 y T 4 . (4) Bloqueo de T 3 y T 4 .
L IL
Q1 Q3 Q5
D1 D3 D5
Vs
a b c
Q4 Q6 Q2
D4 D6 D2 Ic Fig.7. 69
Circuito inversor trifásico en fuente
de intensidad.
R
Ia Ib
R R
n
g
1
t
g
2 t
g t
3
Señales
de puerta g
4 t
g t
5
g t
6
I t
a
Fig.7. 70
Intensidades Formas de onda.
I
b t
de línea
I c t
∞
4 IL nπ π
i a (t ) = ∑ cos sen nω t + E 7. 44
n =1, 3 ,5 ... nπ 6 6
V
+
A1 a Q1
Generador
de onda
triangular
+ Fig.7. 71
Circuito de disparo.
A2 a Q2
VS
2
0 t
Ac Fig.7. 72
Ar Onda triangular, senoidal y
2 de salida.
0
1 t
tp 1
2f
Cuando la señal senoidal sea mayor que la triangular tendremos a la salida del
comparador A1 un “1” lógico, por el contrario, cuando la onda triangular sea mayor
que la senoidal se tendrá un “0” lógico, obtenié ndose durante el primer semiciclo de la
onda senoidal el tren de impulsos mostrado. Igualmente comparando con la señal se-
noidal invertida se obtendrán los impulsos necesarios para el semiciclo negativo.
Con los impulsos del primer semiciclo se dispara el tiristor o transistor 1 y con
los del segundo semiciclo el tiristor o transistor 2 si se trata, por ejemplo, del circuito
de potencia de un inversor con transformador de toma media.
En el caso de que la carga no sea capacitiva hay que efectuar una conmutación
forzada.
Ejemplo 7.18
Solución:
R1 8
1 2 + A LA PRIMERA RAMA
R3 741 9
6 - 11
VS1
5
R4 8
VT
7 - A LA SEGUNDA RAMA Fig.7. 73
Circuito para Pspice.
R2 741 10
3 4 +
11
L1 L2
L2 0 3 10H
K12 L1 L2 0.999
* Fuentes c.c. de alimentacion de los operacionales:
VC1 8 0 19
VC2 0 11 19
* Amplificadores operacionales:
XA1 2 6 8 11 9 UA741/TI
XA2 4 7 8 11 10 UA741/TI
.LIB C:MEUHP.LIB
* Parametros para el analisis:
.PROBE
.FOUR 50HZ V(9,0)
.tran 1.000u 40M 50U ; *ipsp*
.END
La figura 7.74 nos muestra los pulsos que se deben aplicar a una rama del
inversor, que corresponden a los primeros semiciclos de la señal de salida.
Los operacionales actúan a modo de comparadores, de forma que si la tensión
senoidal, aplicada en el terminal positivo, es mayor que la de referencia, aplicada al
terminal negativo, el operacional se satura a positivo y cuando es menor se satura a
negativo. De esta forma se obtienen los pulsos que se aplican a la base de los transisto-
res (o a las puertas de los tiristores) de cada rama del inversor. Recordando la modula-
ción PWM senoidal, la anchura de estos pulsos dependen de las amplitudes de las dos
ondas a comparar, como consecuencia, esta es variable en cada semiciclo.
La figura 7.75 muestra los pulsos que se deben aplicar a la otra rama del in-
versor, que corresponderá a los segundos semiciclos de la señal de salida.
IMPULSOS PARA LA
(8.2552m,17.006)
PRIMERA RAMA
0V
(8.4560m,-17.002)
-20V
v(9,0)
18V
VT (25.132m,7.9931)
Fig.7. 74
Generación de pulsos en
el primer semiciclo.
0V
(15.000m,-8.0000) VS1
-12V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
v(1,0) v(5,0)
Time
IMPULSOS PARA LA
(18.331m,16.986)
SEGUNDA RAMA
0V
(18.522m,-17.005)
-20V
V(10,0)
18V
(1.0000m,12.000) (15.000m,7.9945) VT
Fig.7. 75
Generación de impulsos
para el segundo semipe-
0V
ríodo.
VS1
(5.0000m,-7.9895)
-12V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
V(5,0) V(3,0)
Time
7.7 Aplicaciones
Sin embargo, las dos aplicaciones que se han considerado como más generali-
zadas en la actualidad son los sistemas de alimentación ininterrumpida de C.A. y los
sistemas de conversión de energía fotovoltaica.
Cada rama tiene una potencia igual a 1/m de la potencia de la carga (m ≤ n).
Se llama "grado de redundancia al cociente" a la relación:
cuyo valor es (n - m)/m. Por ejemplo, si se dispone de seis módulos de potencia igual
a la cuarta parte de la carga, el grado de redundancia es (n = 6, m = 4) igual al 50%.
Interruptor
Estático
Interruptor
Rectificador Inversor Estático
Interruptor
Rectificador Inversor
Estático
Red Carga
Fig.7. 77
c.a. Rectificador Inversor
Interruptor Diagrama general de blo-
Estático ques de un S.A.I. de C.A.
120 HZ. AC DC DC
RECTIFICADOR
DE ALTA INVERSOR
INVERSOR TRANSFORMADOR DE FRECUENCIA
DE ALTA ALTA FRECUENCIA
FRECUENCIA
PANEL
CONVERTIDOR AC - AC Fig.7. 78
FOTOVOLTAICO
Esquema de con-
versión de potencia
en conexión de alta
frecuencia.
Q1 Q2 Q5 Q6
CONTACTORES
T1 D1 D2
D5 TENSIÓN AC
Q3 Q4 Q7 Q8
D3 D4
CONTROL DE LAS
BASES DE LOS
TRANSISTORES
MICROPROCESADOR
Bibliografía
(1) AGUILAR PEÑA J.D., GOMEZ LOPEZ J., MARTOS PARTAL M. Conver-
tidores DC-AC. Colección de apuntes. Universidad de Jaén 96/97.
(8) FINNEY D. The power thiristor and its applications. Ed. McGraw-Hill Company.