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1 - A Revolução

Com o passar dos anos, a indústria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e desenvolvendo
componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo
de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por três camadas de material
semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junções. O dispositivo recebeu o nome
de TRANSÍSTOR.

O impacto do transístor, na electrónica, foi grande, já que a sua capacidade de amplificar sinais eléctricos
permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito menos energia, substituísse
as válvulas na maioria das aplicações electrónicas. O transístor contribuiu para todas as invenções
relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto-eletrônicos e microprocessadores.
Praticamente todos os equipamentos electrónicos projectados hoje em dia usam componentes
semicondutores.

As vantagens sobre as difundidas válvulas eram bastantes significativas, tais como:

Menor tamanho

Muito mais leve

Não precisava de filamento

Mais resistente

Mais eficiente, pois dissipa menos potência

Não necessita de tempo de aquecimento

Menores tensões de alimentação.

Hoje em dia as válvulas ainda sobrevivem em alguns nichos de aplicações e devido ao romantismo de alguns
usuários.

2. O Transístor Bipolar

O principio do transístor é poder controlar a corrente. Ele é montado numa estrutura de cristais
semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de
cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas
recebe um nome em relação à sua função na operação do transístor, As extremidades são chamadas de
emissor e colector, e a camada central é chamada de base. Os aspectos construtivos simplificados e os
símbolos eléctricos dos transístores são mostrados na figura abaixo. Observe que há duas possibilidade de
implementação.

O transístor da esquerda é chamado de NPN e o outro de

PNP.

O transístor é hermeticamente fechado em um encapsulamento plástico ou metálico de acordo com as suas

propriedades eléctricas.

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2.1 - Características Construtivas

O emissor é fortemente dopado, com grande número de portadores de carga. O nome emissor vem da
propriedade de emitir portadores de carga.

A base tem uma dopagem média e é muito fina, não conseguindo absorver todos os portadores emitidos pelo
emissor

O colector tem uma dopagem leve e é a maior das camadas, sendo o responsável pela colecta dos portadores
vindos do emissor.

Da mesma forma que nos diodos, são formadas barreiras de potencial nas junções das camadas P e N.

O comportamento básico dos transístores em circuitos electrónicos é fazer o controle da passagem de

corrente entre o emissor e o colector através da base. Para isto é necessário polarizar correctamente as
junções do transístor.

3. Funcionamento

Polarizando directamente a junção base-emissor e inversamente a junção base-coletor, a corrente de colector

IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de colector IC e vice-versa.

A corrente de base sendo bem menor que a corrente de colector, uma pequena variação de IB provoca
uma grande variação de IC, Isto significa que a variação de corrente de colector é um reflexo
amplificado da variação da corrente na base.

O fato do transístor possibilitar a amplificação de um sinal faz com que ele seja considerado um
dispositivo dativo.

Este efeito amplificação, denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente pela relação
entre a variação de corrente do colector e a variação da corrente de base , isto é:

3.1 - Tensões e Correntes nos Transístores NPN e PNP

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Aplicando as leis de Kirchoff obtemos:

IE = IC + IB

NPN: VCE = VBE + VCB

PNP: VEC = VEB + VBC

4 - Classificação dos Transístores

Os primeiros transístores eram dispositivos simples destinados a operarem apenas com correntes de baixa
intensidade, sendo, portanto, quase todos iguais nas principais características. Com o passar dos anos,
ocorreram muitos aperfeiçoamentos nos processos de fabricação que levaram os fabricantes a produzirem
transístores capazes de operar não só com pequenas correntes mas também com correntes elevadas, o
mesmo acontecendo com às tensões e até mesmo com a velocidade.

O estudo das características principais é efectuado por famílias (grupo de transístores com características
semelhantes), que são:

Pequenos Sinais

Baixas Frequências

Uso Geral Correntes I entre 20 e 500mA

C

Tensão máxima entre 10 e 80 V

Frequência de transição entre 1 Hz e 200 MHz

Correntes elevadas

Potência Baixas frequências

Correntes IC inferior a 15A

Frequência de transição entre 100 kHz e 40 MHz

Uso de radiadores de calor

Pequenos sinais

RF Frequência elevada

Correntes IC inferior a 200mA

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Tensão máxima entre 10 e 30V;

Frequência de transição em 1,5 GHz

5 - Configurações Básicas

Os transístores podem ser utilizados em três configurações básicas: Base Comum (BC), Emissor comum
(EC), e Coletor comum (CC). O termo comum significa que o terminal é comum a entrada e a saída do
circuito.

5.1 - Configuração BC

Ganho de tensão elevado

Ganho de corrente menor que 1

Ganho de potência intermediário

Impedância de entrada baixa

Impedância de saída alta

Não ocorre inversão de fase

5.2 - Configuração CC

Ganho de tensão menor que 1

Ganho de corrente elevado;

Ganho de potência intermediário

Impedância de entrada alta

Impedância de saída baixa

Não ocorre a inversão de fase.

5.3 Configuração EC

Ganho de tensão elevado

Ganho de corrente elevado

Ganho de potência elevado

Impedância de entrada baixa

Impedância de saída alta

Ocorre a inversão de fase.

Esta configuração é a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os diversos parâmetros dos

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transistores fornecidos pelos manuais técnicos têm como referência a configuração emissor comum.

Podemos trabalhar com a chamada curva característica de entrada. Nesta curva, para cada valor constante
de VCE, variando-se a tensão de entrada VBE, obtém-se uma corrente de entrada IB, resultando num gráfico
com o seguinte aspecto.

Observa-se que é possível controlar a corrente de base, variando-se a tensão entre a base e o emissor.

Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tensão de saída VCE, obtém-se uma corrente de
saída IC, cujo gráfico tem o seguinte aspecto.

Através desta curva, podemos definir três estados do transístor, o CORTE, a SATURAÇÃO e a DATIVA

CORTE: IC = 0

SATURAÇÃO: VCE = 0

ACTIVA: Região entre o corte e a saturação.

Para a configuração EC a relação entre a corrente de saída e a corrente de entrada determina o ganho de
corrente denominado de b ou hFE (forward current transfer ratio)

O ganho de corrente b não é constante, valores típicos são de 50 a 900.

Exemplo 1 - Dadas as curvas características de entrada e saída de um transístor NPN, determine:

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a) A corrente na base para VBE=0,8

b) O ganho de corrente b

c) Um novo ganho de corrente b , caso a corrente IB dobre de valor.

6 - Os Limites dos Transístores

Os transístores, como quaisquer outros dispositivos têm suas limitações (valores máximos de alguns
parâmetros) que devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos se danifiquem. Os manuais técnicos
fornecem pelo menos quatro parâmetros que possuem valores máximos:

Tensão máxima de coletor - VCEMAX

Corrente máxima de coletor - ICMAX

Potência máxima de coletor - PCMAX

Tensão de ruptura das junções

Na configuração EC, PCMAX = VCEMAX.ICMAX

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Exemplos de parâmetros de transístores comuns.

Tipo Polaridade VCEMAX ICMAX b

(V) (mA)
BC 548 NPN 45 100 125 a 900
2N2222 NPN 30 800 100 a 300
TIP31A NPN 60 3000 20 a 50
2N3055 NPN 80 15000 20 a 50
BC559 PNP -30 -200 125 a 900
BFX29 PNP -60 -600 50 a 125

7 - Transístor como chave

A utilização do transístor nos seus estados de SATURAÇÃO e CORTE, isto é, de modo que ele ligue
conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir corrente alguma é
conhecido como operação como chave.

A figura abaixo mostra um exemplo disso, em que ligar a chave S1 e fazer circular uma corrente pela base do
transístor, ele satura e acende a lâmpada. a resistência ligada a base é calculado, de forma que, a corrente
multiplicada pelo ganho dê um valor maior do que o necessário o circuito do coletor, no caso, a lâmpada.

Veja que temos aplicada uma tensão positiva num transístor NPN, para que ele sature e uma tensão negativa,
para o caso de transístores PNP, conforme mostra a figura abaixo.

8 - Exercício

1. Quais as vantagens dos transístores em relação as válvulas?

2. Quais as relações entre as dopagens e as dimensões no emissor, coletor e base de um transístor?
3. Para o funcionamento de um transístor, como devem estar polarizadas suas junções?
4. Quais as relações entre as correntes e tensões num transístor NPN e PNP?
5. Explique por que o ganho de corrente na configuração BC é menor que 1.
6. Explique por que o ganho de corrente na configuração EC é muito maior que 1.
7. Explique por que o ganho de tensão na configuração CC é menor que 1.
8. Quais os três estados do transístor e quais são as suas características.

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9 - Polarização de Transístores

9.1 - Ponto de Operação (Quiescente)

Os transístores são utilizados como elementos de amplificação de corrente e tensão, ou como elementos de
controle ON-OFF. Tanto para estas como para outras aplicações, o transístor deve estar polarizado
correctamente.

Polarizar um transístor é fixá-lo num ponto de operação em corrente contínua, dentro de suas curvas
características.

Também chamado de polarização DC, este ponto de operação (ou quiescente) pode estar localizado nas
regiões de corte, saturação ou altiva da curva característica de saída.

Os pontos QA, QB e QC da figura a seguir caracterizam as três regiões citadas.

QA: Região activa

QB: Região de saturação

QC: Região de corte

9.2 - Recta de carga

A recta de carga é o lugar geométrico de todos os pontos de operação possíveis para uma determinada
polarização.

Podemos defini-la a partir de dois pontos conhecidos.

9.3 - Circuitos de Polarização EC

Nesta configuração, a junção base-emissor é polarizada directamente e a junção base-coletor reversamente.

Para isso, utilizam-se duas baterias e duas resistências para limitar as correntes e fixar o ponto de operação.

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Análise da malha de entrada: RB.IB + VBE = VBB

então,

Malha de saída: RC.IC+VCE=VCC

9.3.1 - Circuito de polarização com corrente de base constante

Para eliminar a fonte de alimentação da base VBB, pode-se utilizar somente a fonte VCC.

Para garantir as tensões correctas para o funcionamento do transístor RB deve ser maior que RC.

Equações: e

Neste circuito, como VCC e RB são valores constantes e VBE praticamente não varia, a variação da corrente de
base é desprezível. Por isso este circuito é chamado de polarização EC com corrente de base constante.

Exemplo 2: Dado um transístor com b =200 e uma fonte de 12V, determinar as resistências de polarização
(valores comerciais) para o ponto de operação VCEQ=VCC/2, ICQ = 15mA e VBEQ=0,7V

OBS.: Este circuito de polarização apresentado é bastante sensível a variações de temperatura. Por seu ponto
de operação ser bastante instável, o seu uso é restrito ao funcionamento como chave electrónica.

9.3.2 - Influência da temperatura

Nos transístores a temperatura afecta basicamente os parâmetros b , VBE e a corrente de fuga.

A variação de VBE é desprezível, porém a corrente de fuga e o ganho b podem ter variações acentuadas,

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ocasionando variações na corrente de coletor, sem que haja variações na corrente de base, deixando o
circuito instável.

9.3.3 - Circuito de Polarização com corrente de Emissor constante.

Neste circuito de polarização é inserido uma resistência RE entre o emissor e a fonte de alimentação.

A ideia é compensar possíveis variações de ganho devido a mudanças de temperatura.

Se houver um aumento de ganho, haverá aumento de IC, com aumento de VRC e de VRE e diminuição de VCE.
Mas devido ao aumento de VRE a corrente de base diminui, induzindo IC a uma estabilização.

Perceba que no circuito anterior esta variação de ganho levaria a um aumento de IC e diminuição de VCE
tirando o transístor de seu ponto de operação original.

A resposta dada por RE para o aumento de IC, chama-se de realimentação negativa e garante a estabilidade
do ponto de operação.

Equações:

Como temos três incógnitas e apenas duas equações temos que arbitrar um dos valores. Neste caso
adoptamos VRE = VCC / 10, de modo que o resto da tensão seja utilizada pela saída do circuito.

Exemplo 3: Dado um transístor com b =250 e uma fonte de 20V, determinar as resistências de polarização
(valores comerciais) para o ponto de operação VCEQ=VCC/2, ICQ = 100mA e VBEQ=0,7V

9.3.4 - Circuito de Polarização com Divisor de Tensão

Uma outra forma de solucionar o problema da instabilidade com a temperatura é o circuito de polarização
mostrado na figura abaixo.

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Este circuito é projectado de forma a fixar o valor de VRB2. Como VBE é praticamente constante com a
temperatura, VRE também permanece constante. Isto garante a estabilização de IE e IC, independentemente
da variação do ganho.

Equações:

Novamente, para conseguir resolver as equações, temos que adoptar:

IB2 = 10xIB e VRE = VCC/10

Exemplo 4: Dado um transístor com b =250 e uma fonte de 9V, determinar as resistências de polarização
(valores comerciais) para o ponto de operação VCEQ=VCC/2, ICQ = 20mA e VBEQ=0,65V. Traçar a sua recta de
carga.

9.3.5 - Determinação do Ponto de Operação a Partir dos Valores das Resistências.

Até agora realizamos a síntese de circuitos, isto é, calculamos os valores das resistências para os valores
especificados de tensão e corrente.

Podemos, também, a partir das resistências determinarmos o ponto de operação analiticamente ou

graficamente. Isto é a análise do circuito.

Caso o circuito utiliza divisor de tensão podemos utilizar o teorema de Thévenin para reduzir para a forma
abaixo.

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Onde:

Graficamente temos que ter acesso a curva característica de saída do transístor. Traçando a reta de carga
sobre a curva encontramos o ponto de operação.

Exemplo 5: Um transístor, cuja curva característica de saída é conhecida, foi polarizado de forma que o ponto
de operação de entrada seja VBEQ=0,7V e IBQ=50m A, conforme o circuito a seguir. Determinar o ganho do
transístor e os demais valores do ponto de operação: ICQ, IEQ e VCEQ.

9.3.6 - Cálculo de Resistências para uso como Chave Electrónica.

O uso do transístor como chave implica em polarizá-lo na região de corte ou de saturação. Como o corte do
transístor depende apenas da tensão de entrada, o cálculo dos transístores é efectuado baseado nos
parâmetros de saturação.

Um transístor comum, quando saturado, apresenta um VCE de aproximadamente 0,3V e um ganho de valor
mínimo (entre 10 e 50) para garantir a saturação. A corrente de coletor de saturação depende da resistência
acoplada ao coletor ou da corrente imposta pelo projecto.

Exemplo 6: No circuito a seguir, deseja-se que o Led seja accionado quando a chave estiver na posição ON e
desligado quando a chave estiver na posição OFF.

Parâmetros do transístor BC 548:

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VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V

ICMAX=200mA VCEMAX=30V

b =20

Parâmetros do LED: VD=1,5V ID=25mA

Exemplo 7: Um circuito digital (TTL) foi projectado para accionar um motor de 220V/60Hz sob determinadas
condições. Para tanto, é necessário que um transístor como chave atue sobre um relé, já que nem o circuito
digital, nem o transístor podem accionar este motor. O circuito utilizado para este fim esta mostrado a seguir.

Neste circuito, em série com RC, coloca-se a bobina do relê. Esta bobina, normalmente, apresenta uma
resistência DC da ordem de algumas dezenas de ohms. Por ser tão baixa, a resistência RC, tem a função de
limitar a corrente no transístor, para não danificá-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para evitar que o
transístor se danifique devido à tensão reversa gerada por ela no chaveamento do relê.

Parâmetros do 2N2222:

VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V b =10

ICMAX=500mA VCEMAX=100V

Parâmetros do relé:

RR=80W IR=50mA

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