LASERLER

GİRİŞ
Yirminci yüzyılın ilk yarısında birçok bilim Adam spektroskobik incelemeler
yapmışlar Eve ışık tayflarının sistematik şekilde açıklanması gerektiğini belirterek bu
konuda değişik modeller ortaya atmışlardır Bunlardan en Önemlisi 1917 yılında
EINSTEIN tarafından ortaya atılan zorlanmış. yayınım fikridir. Bu fikir yardımı ile
uyarılmanın spektrumlarla gözlenmesi. atom fiziğinin biraz daha gelişmesini saglamış.
ve atomun yapısı daha iyi anlaşılabilmiştir.

Yirminci yüzyılın ikinci yarısında ise zorlanmış yayınım yoluyla ışıma şjddetinin
arttırılabileceği birbirinden bağımsız olarak TOWNES,C.H.. BASOV N.G. ve
PROKHOROV, A.M. tarafindan öne sürülmüştür. 1964 yılında TOWNES,C.H..
BASOV, N.G. ve PROKHOROV, A.M. kuvant elektronikasası sahasında yaptığı
çalışmalrdan dolayı Nobel Ödülüne layık görülmüşlerdir. Daha sonraki yıllarda
mikrodalga bölgesinde ışıma şiddetinin arttırılabileceği gösterildikten sonra bu
teknikle tek renkli ve az gürültülü yükseltme yapılabileceği ve bunun görünür (optik)
bölgedeki frekans aralığında da uygulanabileceği. Dört temel fiziksel olay ışığında
düşünülmüştür. Bu olaylar;

1- Işık kuantumlu bir yapıya sahiptir ve foton dediğimiz kuantalardan oluşur.

2- Atomlar kuantumlu yapıdadırlar ve belirli enerji seviyesinde bulunurlar.
3- Işık ve madde etkileşimi; atomlar enerji seviyelerini foton neşrederek veya
foton soğurarak değiştirirler.
4- Foton neşredilmesi ya kendiliğinden yada dışarıdan bir zorlama ile olur.

1953’de A.B.D.’li fizikçiler C.H. Towness ve A.L. Schawlow mikrodalga

frekansına uyarlamaya çalışarak MASER’ı gerçekleştirdiler. Adı geçen kişiler
mikrodalga şeklinde değil de ışık şeklinde LASER kavramını teorik olarak savundular.
1960 yılında yine bir A.B.D.’li fizikçi T.H. Maiman tarafından Ruby kristalinden oluşan
çubuk kullanılarak ilk katı hal Laseri yapıldı. 1963 yılında ilk gaz laser (Helyum-Neon)
yapıldı. Teknolojinin optik, elektronik, fizik ve kimya alanlarındaki gelişmelerine bağlı
olarak çok çeşitli laser türleri ortaya çıkmıştır. Temel olarak LASER Elektromanyetik
alandaki ışık frekanslarında; MASER ise Mikrodalga frekanslarında çalışır (Şekil 1).
Maserlerin düşük ısı ve düşük basınç altında çalışan çok düşük enerji seviyelerini
kullanan katı (iyon) ve gaz ( molekül) olmak üzere iki tipi vardır.

Şekil-1 Dalgaboyları ve Özellikleri

1
Kelime olarak açılımları ise;

MASER: Microwave (Molecular) Amplification by Stimulated Emission of Radiation

Radyasyon uyarılmış salınması yolu ile mikrodalgaların şiddetlendirilmesi
LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Radyason
uyarılması salınması yolu ile ışığın şiddetlendirilmesi şeklindedir.

Beyaz ışık birçok renkten (dalga boyundan) oluşan Polikromatik bir ışık demetidir.
Monokromatik ışık ise tek bir renkten (dalga boyundan) oluşmuştur. Laser eşfazlı
(coherent) yayılım yapar. Birden fazla dalga boyu ihtiva eden güneş ışığı veya bir
lambadan yayılan ışık ise eşfazlı olmayan (incoherent) yayılım yapar ve yayıldığı
mesafeye bağlı olarak şiddetini kaybeder.

Eğer bir rengi diğerlerinden ayırıp kullanmaya kalkarsak, bu da monokromatik bir

ışık olur ve polikromatik'le aynı özellikleri taşıdığından eş fazlı olmayan "incoherent"
ışık kaynakları olarak adlandırılırlar. Bunlar çeşitli veya tek dalga boyundan oluşan her
yöne yayılma/dağılma özelliği gösteren ve mesafeye bağlı olarak şiddetini çok çabuk
kaybeden ışıklardır. Monokromatik bir ışık kaynağını oluşturan ışınların dalgalarının
tümünü aynı frekansta ve aynı fazda titreşmesi özelliği gösteren ışıklara eşfazlı
"coherent" ışıklar denir. Laserler kızılötesinden (IR) başlayıp morötesine (UV) kadar
uzanan ışık şiddeti artırılmış eşfazlı ışınımlardan oluşan ışın demetleridir. Burada
eşfazlı ışınım, Laserin aşırı yoğunluğu ve uzun mesafede çok az sapması olan saf bir
renkte (frekansta) olması anlamındadır. Laser sistemleri, içerisinde depolanan ışın
demetlerini eşfazlı olarak daha güçlü bir saf ışınım olarak yayma özelliğine sahiptirler.

1. LASERLERİN ÇALIŞMA PRENSİPLERİ

Her elementin atom yapısında yalnız o elemente özgü olan elektron yerleşim düzeni
vardır; yani o elementteki atomların elektronları kararlı yörüngeleri olan belli bir enerji
düzeyinde bulunurlar. Yörüngelerinde kararlı olarak bulunan elektronların, dışarıdan
gelen bir enerji ile uyarılıp bir üst yörüngeye çıkarak tekrar eski kararlı konumuna
dönmesi sırasında aldığı enerjiyi dışarı salma işlemi laserin ana prensibini
oluşturmaktadır. Eğer atom dalga boyu (rengi) kendisine uygun düşmeyen bir ışık
2
demeti (dalga boyu) ile uyarılmış ise enerjisini spontane ışını şeklinde yayar; eğer
kendisine tam olarak uygun düşen bir ışık demeti ile uyarılmış ise çok kısa bir sürede
yerleştirildiği ışık demeti ile aynı doğrultuda ve daha parlak bir ışık demeti şeklinde
ışınır, bu "bindirilmiş (yükseltilmiş) ışınım" olayıdır (Şekil 2).

Şekil-2. Enerji seviyesi diyagramı

BÖLÜM II
LASER

2.1. LASER

"Lİght Amplification by Stimulated Emission of Radiation" ifadesinin kısaltılmışı olup

manyetik ışımanın yükseltilmesinden (kuvvetlendirilmesinden) etkilenmiş yayınım
prensibine dayanmaktadır. Bir başka deyişle lasing olayı ışımanın kontrol altında
yükseltilmesidir. Laserin prensipleri ve kuantum mekaniksel temelleri 1917 yıllarında A.
Einstein tarafından atılmıştır. Einstein radyasyon ve madde arasındaki etkileşmeyi açıklamak
için "etkilenmiş emisyon" ve "popülasyon ters çevirme" olaylarını ortaya atmış ve
açıklamıştır. Ancak Einstein'ın bu teorisinin gerekleştirilmesinde atomun ve maddenin
yapısı ile malzeme biliminde daha ileri düzey bilgilere, teknolojik imkanlara ihtiyaç
duyuluyordu. Bu nedenle bu ışık ancak 19601ı yıllarda üretilebilmiştir.

2.2. LASER'İN ELDE EDİLMESİ

Atomun bir alt seviyeden daha yüksek bir seviyeye çıkartılması için oldukça farklı
metotlar vardır. Fakat atom uyarılmış hale eriştiği zaman, fazla enerjisini ışınım halinde
yayabileceği sadece iki bağımsız yol vardır. Atom bir dış elektromagnetik alanın
bulunmaması halinde bile kendiliğinden enerji kaybeder. Bu arada bir elektromagnetik
dalga yayınlayarak daha düşük bir enerji seviyesine alçalır. Kendiliğinden emisyon olarak
adlandırılan bu durum daha önce verilmiştir. Atom bir elektromagnetik dalganın nedeniyle
uyartılarak, ışımaya zorlanır. Bu halde de atom daha alçak bir enerji seviyesine iner. İkinci
halde yayımlanan dalga, etkiyi yapan ile aynı faza sahiptir ve özdeş polarizasyondadır. Bu
ikinci tür emisyon, uyarılmış emisyondur.

3
 Uyarılmış emisyonun şiddeti, bu haldeki atomların yahut popülasyonların A/n sayısına
olduğu kadar karakteristik frekansı da (J/m3 Hz) enerji yoğunluğuna başlıdır. Olayın meydana
gelişinde yayınlanan toplam güç,

Pm =hNn Bnm V
bağıntısı ile verilir. Burada Bnm , iki seviye arasında bie etki ile meydana gelmiş aşağıya
doğru olan geçişin şiddetini gösteren bir orantı kat sayısıdır.

Kendiliğinden olan emisyonda da gücün değeri, uyartı İmiş haldeki

popülasyonun sayısı ile orantılı olacaktır. Kendiliğinden olan emisyonda yayınlanan gücün
değeri,

bağıntısı ile verilir. Burada Anm bir orantı kat say ısıdır ve iki seviye arasında kendiliğinden
geçişin değerini gösterir. Uyanılmış ve kendiliğinden olan emisyonlar için Einstein
katsayıları olarak adlandırılan Am, Bnm katsayıları birbirine bağlıdırlar.

Eğer bir atom düşük bie enerji seviyesinde ise enerji soğurarak bir üst seviyeye
çıkabilir. Soğurmanın değeri, elektromagnetik alanın enerji yoğunluğu ile orantılıdır. Bu
hatde düşük enerji seviyesindeki popülasyonun sayısı etkilidir. Elektromagnetik alanda
soğurulan gücün değeri,

bağıntısı İle verilir. Burada 8™ yukarıya doğru geçişin şiddetini gösteren bir orantı
katsayısıdır. Bnm = 3mn olduğu gösterilebilir. Bu nedenle soğurulan güç ile uyarılmış emisyon
boyunca yayınlanan güç arasındaki oran alt seviyesi ve üst enerji seviyesinin
popülasyonları arasındaki oran ile verilir.

Termik denge halinde, yukarıda sözü edilen iki enerji seviyesindeki

popülasyonlar, Boltzman dağılımı ile birbirine, aşağıda verilen bağıntı ile bağlıdırlar.

Burada k=1.3806x10-23 J/K Boltzman sabiti ve T mutlak sıcaklıktır. Oda sıcaklığında

kT≈1140 ev’tur.

Böylece görünür ve yakın kırmızı ötesi bölgede En - Em ≥ 1 aV olacağından, üst

seviye popülasyonu, alt seviye popülasyonun üste bir şekilde azalan değeri ile ifade edilir.
Normal halde alt seviyedeki popülasyon üst seviyedekinden fazla olduğunda
atomların üst seviyede toplanabilmeleri için güç, uyartılmış emisyon esasında ışıyan
güçten daha büyük olacaktır.

Eğer popülasyon inversiyonuna yol açacak olan Nn>Nm hali sağlanabilirse, yukarıda
işaret edilen durum tersine dönecek yani uyartılmış emisyonun net etkisi gelen ışıyan güç,
atomlar tarafından soğurulan güçten büyük olacaktır ve uyartılmış emisyonun net etkisi gelen
ışığın faz kohorent amplifikasyonu şeklinde oiur. Einstein A ve B katsayıları birbirine,
4
denklemi ile bağlıdır. Burada C ışık hızıdır. Görülebileceği gibi bu bağıntı
kendiliğinden emisyon ile uyartılmış emisyon arasındaki bir temel bağıntıdır.

Uyartılmış seviyede popülasyon artması olunca, kendiliğinden olan emisyon ve

uyartılmış emisyon bir arada meydana gelirler, uyartılmış emisyonun verilen bir değeri için
kendiliğinden olan emisyon frekansla hızlı bir şekifde artar. Bu durum, ultraviyole ve daha
yüksek frekanslarda uyartılmış emisyon yolu ite amplifikasyonu fevkalade güçleştirir.

Elektromagnetik dalganın Laser maddesi . ile etkileşmesinden dolayı

amplifikasyonu elde etmek için optik geçişlere katılan seviyeler arasında popülasyon değişimi
meydana getirmenin gerekliliği açıktır. Bundan başka uyartılmış soğurma ve emisyon
geçişleri bir arada meydana geleceğinden net güç kazancı popülasyon ile orantılı olacaktır.
Popülasyon inversiyonu hazırlayan işleme POMPALAMA denir ve Laser olayına katılan iki
seviyeden başka çok sayıda diğer enerji seviyelerini de ihtiva eder. Laser maddelerinin
yapılarındaki karışıklığa karşılık yaygın olan birçok Laseıier esas olarak üç veya dört enerji
seviyeli sisteme göre işlerler.

Atomda taban seviyenin ömrü çok uzun (sonsuz), uyarılmış seviyelerin ömrü ise
genelde çok kısa, örneğin 10-8 s kadardır. Uyarılmış seviyelerden bazıları da milisaniye,
saniye ve dakika mertebesinde ömre sahiptir. 10-8 s'den fazla ömrü olan bu tür seviyeler
özel larak metastabil seviye olarak adlandırılır. Laser olayını oluşturabilmek için taban
seviye, E1, üzerinde E2, onun üzerinde E3 gerekmektedir. Laser olayının oluşturulabilmesi
için bu özelliklerde ve bu strada üç seviyenin var olması gerekir. Bu tür Laserfere ÜÇ
SEVİYE LASER'i denir.

Popülasyon inversiyonuna erişmek için gerekli koşullan açıklamak üzere Şekil-5'de görülen
tipik bir üç seviyeli Laserin enerji seviyesi diyagramından faydalanılabilir.

5
Pompalama işleminde ilk adım bazı atomları temel halden yüksek bir enerji seviyesine
çıkartmaktır. Bu hali gösteren durum Şekil-5'te (2) ile belirtilmiştir. Optik geçiş için gerekli
olan elektromagnetik ışınımı vermek için bir flaş lambası kullanılır. Şekil-5'te (2) ile
gösterilmiş olan yüksek enerji seviyesine çıkmış bir atom Laser üst seviyesine (1) ile işaret
edilmiş olan veya temel hale inebilir. Fakat eğer bu geçiş mekanizması hızlı ise, üst Laser
seviyesine geçiş ışımasız olur, atomların çoğu yüksek seviyede çok az bir süre kalarak bu
seviyeye iner. Üst Laser seviyesi gevşeme süresi oldukça uzun olan bir seviyedir, sonuç
olarak birçok atomun bu seviyede toplanması mümkündür. Eğer temel halden yüksek
enerjili seviyeye pompalanan atomların sayısı yeter derecede fazla ise, üst Laser seviyesine
erişen ve metastabil olan bu seviyede toplanan atomların sayısı, halen temel halde
bulunanların sayısında fazla olduğu zaman, bir durum ortaya çıkar. Sonuç, popülasyon
inversiyonudur. Metastabiİ ve temel haller arasındaki uyanılmış geniş ile

frekansında amplifikasyon gerçekleşmiş olur Popülasyon inversiyonunu meydana

getirebilmek için uyartılmış yüksek 2 seviyedeki popülasyon artışı,

ile verilir. Burada No ve A/2 ait oldukları enerji seviyelerindeki popülasyonlar, m pompalama
yolu ile uyartılmış geçiş olasılığı ve τ21 ışımasız gevşeme süresidir. Denklemdeki sağdaki üç
terimden birincisi pompalama enerji soğrulmasından dolayı 2 seviyesinde popülasyon artışı
gösterir, ikinci terim uyartılmış emisyon nedeniyle temel hale doğru geçişte popülasyonun
azalmasını gösterir ve üçüncüsü 1 seviyesine doğru olan iki geçişteki popülasyon kaybı ile
ilgilidir. Kararlı halde (dN2/dt = 0) ve popülasyon,

Bu yaklaşım hızlı geçiş mekanizmasının r2j, 1/to koşulunu sağlamasına göre yapılır.
Benzer şekilde 1 seviyesinin popülasyon artışı,

bağıntısı ile verilir. Burada sağdaki İlk terim, yüksek enerji seviyesinden geçişten dolayı
popülasyon artışını ve ikincisi 1 seviyesinden temet hale geçiş nedeni ile popülasyon
azalmasını gösterir. Karar halde,

eşitliği dikkate alınacak, bulunur.

ω>1/ τ10 olduğu zaman popülasyon inversiyonu olur.

6
 Popülasyon inversiyonun olabilmesi için, atomların en az %50'sinin temel halden
pompalandığı üç seviyeli sistemin aksine genellikle dört seviyeli olarak adlandırılan
sistemde, belirli seviyeler arasında popülasyon inversiyonu için atomların pek azı temel
halden itibaren pompalanır. Şekil-6'da görülen sisteme yağ:Nd ve çeşitli gaz Laser
sistemleri ömek olarak verilebilir.

Üç seviyeli Laser sisteminde olduğu gibi atomlar ilk önce ya bir flaş
lambasından gele ışığı soğurarak (katıhat Laser'lerde olduğu gibi), yahut elektron çarpmaları
İle (gaz Laser'lerde olduğu gibi) yüksek 3 seviyesine yükseltilirler. Bu seviyeden itibaren
Laser üst seviyesi olarak iş gören 2 seviyesine çabuk ışımasız bir geçiş olur.

Bu seviye metastabil olduğundan burada bu durumdaki atomların sayısında artma

olur. Alt laser seviyesi olarak iş gören 1 seviyesinde gevşeme süresi kısadır ve genellikle
temel halin üstünde olacak şekildedir. Bu İki karakteristik
popülasyon İnvensiyonunu temin edecektir. Çünkü birinci koşul seviyesinde popülasyon
toplanmasını garanti etmekte ve termik denge halinde bu seviyenin boş ofması gerektiğini
ifade etmektedir. Çeşitli reaksiyon zamanları arasındaki ilişkiyi bulmak İçin 3 seviyesindeki
popülasyon için,

7
yazılabilir. Burada ω pompalanmış geçiş olasılığı, No ve N1 temel seviye ve 1 seviyelerindeki
popülasyonlar, τ32 B seviyesinden 2 seviyesine geçişte reaksiyon zamanı, kararlı halde
dN3/dt=0 , yukarıda sözü edilen iki seviyedeki popülasyonlar arasında,

bağıntısı vardır. Bu yaklaşım reaksiyon zamanını T^«1/<Û koşulunu sağlayacak şekilde

çok küçük olması haline göre yapılmıştır.
2 seviyesinden 1 seviyesine geçişin olmasına göre popülasyon değişimi;

bağıntısı ile verilir. Kararlı halde,

olur. Benzer şekilde 1 seviyesi için,

ve popülasyon, uyartı I m iş işlevli güç

kazancı popülasyonlar arasındaki farka göre ifade edilebilir.

Görüldüğü gibi bu fark temel haldeki popülasyona ve pompalama nispetine bağlıdır.

Popülasyon farkını aktif madde İçinde bulunan N atoma bağlayan son yaklaştırma ile dört
seviyeli Laser sistemlerinin çoğunda atomların çok az bir kısmının yüksek enerjili 3
seviyesine pompaladığı anlaşılır.

8
 2.3. LASER'DE DENEYSEL TEKNİK

Laser ışığı, diğer ışık kaynaklarında olduğu gibi atomların yüksek enerji
düzeylerinden aşağı enerji düzeylerine geçerken yayınlanan ışımadır. Ancak bu olayda
atomlar rezonatör denilen karşılıklı paralel duran ve en az İki aynadan oluşan optik düzenek
içindeki elektromagnetik dalgaların etkisi ile yön, faz ve polarizasyon bakımından uyumlu
emisyon yapacak şekilde tetiklenirler.

Laser geçişinin meydana gelebilmesi için ilk şart E2 enerji düzeyinin optik pompalama
mekanizması İİe E3 enerji düzeyinden daha yüksek bir popülasyon değerine ulaşmasıdır. Bu
olay popülasyon ters çevirme olarak adlandırılır.

Laser aygıtı 1. Aktif madde, 2. Pompalama sistemi, 3. Karşılıklı duran en az iki

aynadan (rezonatör) oluşmaktadır. Rezonatörde yayınlanan ışık dalgaları kendileri ile faz, yön
ve polarizasyon bakımından tamamen ayrı yapıda olan ışımaya neden olur. Bu ışınlar yerel ve
zamansal olarak koharenttir.

9
 2.5. LASER IŞIMANIN ÖZELLİKLERİ

2.5.a. Tek Renklilik (Monocromatik)

Laser demetinin tüm fotonlan aynı dalga boyuna sahiptir. Bu sayede de farklı dalga
boylarındaki fotonlardan oluşan ışıkların sahip olmadığı kadar katışıksız bir tek renge
sahiptir. Bir elektromagnetik ışınımın tek renkli olması için, bir başka deyişle tek frekanslı
olması için, elektromagnetik ışınım kaynağının bir takım özelliklere sahip olması gerekir. Bu
olaya tepki eden etkenler

- Kendiliğinden yayımlanma (spantaneous emission)

- Atom veya moleküllerin hareketinden ileri gelen frekans genişlemesi
(doppler brooldenig)
- Siyah cisim ışıması (black bady radiation)
- Basınç genişlemesi (pressure brogdening)

olayları frekans çizgi genişliğine etki eden faktörlerdir. Bu faktörlerin etkisi mümkün
olduğunca yok edilmeye çalışılmaktadır.

Bir kaynağın tek frekanslılığı veya frekans genişliğinin daiga boyu

genişlemesine bağlılığı,

ifadesi ile verilir. Bu ifade V=C/Â ifadesinden türetilmiştir.

Işık kaynağına ve uyuşma enerjisine vb. faktörlere bağlı olarak bir dalga boyu
genişliği 300nm ile O.O*nm arasında değişir. Bir gaz laserinde Δλ ≈ O.OOlnm kadardır.
AA = 0 olması ideal bir istektir. Ancak pratik olarak böyle bir sonuca ulaşmak mümkün
değildir.

10
 Frekans genişliği, ulaşılabilen normal yarı genişliktedir. Laser rezonatörlerinde ilave
optik elemanlar kullanılarak frekans genişliğinin kHz ve harta Hz düzeyine indirgenmesi
mümkün olabilmektedir.

Yarı doğru dikeyi tam ortadan kesmektedir. O 1 ve O2 noktalarından inilen dikmeler O1

ve O2 frekanslarını verir. V 1 ve V 2 frekans genişliğinin alt ve üst limitleridir. Laser ışığı ve
frekanslar arasında değişir. Laser ışığı frekans dağılımı aralığı 104 dolayındadır.

2.5.b. Eş Fazlılık (Coharent)

Sıradan bir ışık demeti aynı dalga boyundaki fotonlardan oluşmuş bile olsa bu fotonlar
kaynaktan dağınık bir biçimde çıkarlar. Birbirine uyumlu olmayan bir yol izlerler. Oysa bir
laserin yaydığı ışın yada ışık demetinde fotonlar eş fazlı bir hareket içinde sık aralıklarla ve
aynı hat üzerinde ilerler. Bir havai fişek gibi değil, ok gibi ilerler.

Bir kaynaktan çıkan ışığın zamansal (temporal) ve yerel (spetial) olarak uyumlu
olması, ışığın herhangi bir noktadaki elektrik alan değişmelerinin başka noktalardaki faz
bakımından tam bağıntı halinde olması demektir. Bir başka deyişle ışık dalgalarının, zaman
ve uzaysal olarak herhangi bir noktadaki genliği ve fazı iie bir başka noktadaki genliği ve
fazı arasındaki sabit bir bağıntı bulunmasıdır. Yani bir noktadaki alan ölçüfürse diğer
noktalardaki alan da belirlenmiş olmalıdır.

11
 Eş fazlı)tk ile tek renklilik arasında yakın ilişki vardır. Tek renklilik özelliği eş
fazlılığın sonucudur. Yani eş fazlılığın olduğu bir ışığın rengi tektir Başka deyişle bir tek
dalga boyuna sahiptir. Bir ışık kaynağının eş fazlılık özelliğinin ölçüsü eş fazlılık uzunluğu
ve zamanı ile belirlenir. Bir foton Δt gibi bir zaman içinde yayımlanan dalgaya GAUSS
DALGA TRENİ denir (Şekil-11).

At süresi ne kadar uzun ise eş fazlıhk o kadar büyüktür, t’ye yaşam süresi de denir.
Dalga treninin uzunluğu (yerel olarak) L, eş fazlılık süresinin ışık hızı ile çarpımından elde
edilir (L=C. Δt).

Diğer taraftan Δt=1/ΔV olup buradan V yerine ΔV=(C/λ 2) Δλ. ifadesindeki değeri
konularak Δt=-λ2/C. Δλ ve buradan da elektromagnetik dalganın dalga genişliği (L) ifadesi
çekilirse; L= -λ2/Δλ ifadesini elde ederiz. L=C/ ΔV bu iki bağıntı bize dalga genişliğini verir.

12
 Maksimum genliğin ortasından geçen paralel kesmenin O1 ve O2 noktaları arasında
kalan kısmı frekans genliğini verir. Laser ışık kaynağının ürettiği dalgaların eş fazlılık
uzunlukları birkaç yüz metreye kadar çıkabilmektedir.

2.5.C. Yönlülük

Tek renklilik ve eş fazlılık özelliklerini laser ışığına çok yüksek düzeyde bir
yönlendirebilme olanağı sağlar. Yani mesafenin ışını yolundan saptırma yüzdesi hele kısa
mesafelerde yok denecek kadar azdır.

Öyleki milimetrenin beş binde biri çapında ve laserin dalga boyuna bağlı olarak sadece
kırınım olayından kaynaklanır.

Yarıçapı D/2 olan bir aynadan veya delikten dalga boyu X olan bir
elektromagnetik ışımanın dağılma açısı.

ifadesi ile belirlenir. Buradan He-Ne laseri için λ=633nm, D=3mm θ ise 3mrad bulunur.

2.5.d. Parlaklık (Spektral Güç Yoğunluğu)

Laserin güç yoğunluğu güneş ve diğer ışık kaynaklarındakinden daha yüksektir.

Öyleki laser ışığının çarptığı madde cinsine göre ya yanar yada erir. Laser ışığı λ 2 /4
büyüklüğündeki (λ:Laser ışığının dalga boyu) bir düzeye odaklanabilmektedir. Bu
koşullarda birkaç milivvatt gücündeki bir laserin (örneğin He-Ne laseri) güç yoğunluğu 4x105
W/cm2 olup bu değer 1019K sıcaklığındaki siyah cismin ışımasına eşdeğerdir Güneşin güç
yoğunluğu ise sadece 500 W/cm 2 kadardır.

13
 RADYASYONUN SALINMASI VE
SOĞURULMASI
‘EINSTEIN BAĞINTILARI’

Atomdan bir elektron iki enerji seviyesi veya hali arasında geçiş
yaparsa ya bir foton salar yada soğurur.
Bu frekanslı bir foton dalgasını gösterir.
∆E
=γ
h

h Plank sabiti , γ frekans

Geçiş basitçe uyarıcı foton varlığıyla başlar. Bir kendiliğinden geçiş
yapmadan önce elektronun uyarılmış seviyede geçirdiği ortalama
A21

14
 zaman, uyarılmış halin τ21 ömrü olarak adlandırılır. kendiliğinden
geçiş oranını göstermek üzere;

dt
• A dt = τ ile verilir.
21

•τ 21- Uyarılmış halin ömrü, yani ‘21’ geçişi yapana kadar uyarılmış
21

elektronun uyarılmış seviyeye geçinceye kadar ortalama zaman.

•A21 – Kendiliğinden geçiş oranını gösterir.
N2 nüfusu
2 E2
E2 enerjisi

N1 nüfusu
1 E1
E1 enerjisi

a) İki enerji seviyeli sitem

•
Başlangıç Hali Bitiş Hali
E2 E2

Uyarılmış
soğurma

E1 E1

b)Uyarılmış soğurulma

2 E2 E2

Kendiliğinden
Salma

1 E1 E1
15

c) Kendiliğinden Salma
 Bitiş Hali
2 E2 E2

Uyarılmış
salma

1 E1 E1

d)Uyarılmış salma

γ frekansındaki enerji yoğunluğu

ργ = Nh γ

verilir. Burada Nh – γ frekansına sahip birim hacim başına

foton sayısını gösterir.
Toplam aşağı geçiş – indüklenen (oluşturulan) ve
kendiliğinden oluşanların katkılarıyla ifade edilir.
N 2γB21 + N 2 A21

A21 ,B21 ve B12 – Einstein sabitleridir.

Yukarı ve aşağı yönde geçiş oranları eşit olduğundan

N 2γB21 + N 2 A21
(1) ve
A21 / B21
ργ = (2)
B12 N 1
−1
B21 N 2
Boltzman statiksel dağılımına göre :
16
 g j N 0 exp(− E j / kT ) (3)
Nj =
Nj, Ej
∑ g exp(− E / kT )
i j
Enerji seviyelerinin enerji yoğunluğu,
N0 – Toplam nüfus yoğunluğu;
gj – ise “j”inci seviyenin dejenerasyonudur.
N1 g1  ( E − E1 )  g1
= exp 2  = exp(hγ / kT ) (4)
N2 g2 kT g2

(4) ve (2) eşitliklerini kullanarak ;

A21 / B21
ργ = (5)
g 2 B12
exp(hγ / kT ) − 1
g1 B21

 
8πhγ 3  1 
 (6) karşılaştırırsak
ργ =
c 3
 hγ 
 exp( ) −1 
 kT 

g1B12=g2B21 (7) ve

A21 8πhγ 3
= (8) alınır 17

B21 c3
(7) ve (8) eşitlikleri Einstein bağıntıları olarak anılırlar. Buradan (8)
ifadesi bize verilen bir enerji seviyesi çifti için kendiliğinden
salma/uyarılmış salma (oranını) miktarını hesaplama imkanı verir.

A21 (9) veya

R=
ρ γ B21
R = exp( hγ / kT ) − 1

R=Kendiliğinden ve uyarılmış salma miktarının oranı.

RADYASYON SOĞURULMASI
• E1 ve E2 seviyeleri arasında oluşan tek bir elektronun demetinin
şiddetindeki uzaklığın fonksiyonu olarak değişme

• ∆I(x)=I(x+∆x)-I(x) olur
Homojen bir ortam için ∆I(x) hem alınan ∆x mesafesine ve hem de
I(x)’ e bağlıdır. Bu ∆I(x)=-I(x)dx demektir.

• Burada α orantılılık sabiti soğurulma sabiti olarak tanınır. (-)

işareti ise α bir pozitif nicelik olduğunda soğurulma sebebiyle demet
şiddetinde ( ∆I(x) ) bir azalma olacağını gösterir. Bu eşitliği
diferansiyellersek;

dI ( x)
= −αI ( x)
dx Integrallersek;
18
 I = I 0 exp( −αx) 10

Burada I0- gelen şiddeti göstermektedir.

Demetin şiddeti(I): Birim zaman içinde birim yüzeyden geçen

enerjidir, ve enerji yoğunluğu ile ortamdaki ışığın hızının çarpımına
eşittir.
I = ρc / n
I γ = ργ c / n = Nh γ c / n veya
c/n olur.
ortamdaki ışığın hızı

ρ ve ργ - enerji yoğunlukları,
c - ışığın boşluktaki hızı ve
n - ortamın kırılma indisidir.

I ‘nin E1 ve E2 nin nüfus farkına bağlı olduğunu ve bir atom grubu için.

• E2>E1 olacağından (g2/g1)N1 daima N2’den büyük olacaktır ve

böylece α pozitif olacaktır.
• Bununla birlikte eğer N2’nin (g2/g1)N1 ’den büyük olduğu bir hal
oluşturulabilirse -dx’i pozitif yapacak şekilde α ’nin negatif
olacağını gösterir. Böylece demetin şiddeti ;
• I=I0exp(kx) (11)
• Uygun bir şekilde büyüyecektir. Burada k-küçük sinyal kazanç
sabiti olarak ;

 g  hγ n
K =  N 2 − 2 N1 B21 21
 g1  c (12)

ile ifade edilir.

NÜFUS TERSLENMESİ
19
 Bilindiği gibi fiziğin temel ilkelerinden biri de kararlı dengelerin
minumum enerjide oluşmaları ilkesidir. Bu ilkeye göre her cisim en küçük enerji
düzeyinde kalma eğilimini gösterir. Ayrı atomlardan oluşan bir gaz karışımı göz
önüne alınsın.
Gaz ortamı içindeki atonların istatistiksel olarak enerji dağılımına
bakıldığında en aşağı enerji düzeyindeki atomların sayısının üst düzeydeki
atomların sayılarından büyük olduğu görülür. İstatiksel dağılım sonuçlarına göre
N1>N2>N3 ….. vb. elde edilir.

Bu dağılım m,n olan kuantum seviyeleri için,

 E − En   − hV mn 
N m = N n exp − m  = N n exp 
 kT   kT 

şeklinde ifade edilen Boltzman kanununa uyduğu görülür.

Dışarıdan uygun bir frekansla bu ortam uyarılarak normal dağılım düzeni
bozulabilir. Üst düzeylerden herhangi birindeki atom sayısı alt seviyelerdekinden
daha büyük yapılabilir. Bu işleme NÜFUS TERSLENMESİ denir. Nüfus
terslenmesini grafiksel olarak Şekil 2.a) ve b),3.a) ve b) de verilmiştir.
Nüfus tersleşmesi işlemi yapıldığında, normal dağılım tam tersi bir dağılım
elde edilir. E3>E2>E1 seviyeleri için N3>N2>N1 durumu geçerlidir.

E  − Ei 
exp 
 kT 

E1

E2

N1 N2 N

a) Isıl denge

20
 E  − Ei 
exp 
 kT 

E1

E2

N1 N2 N

b) Nüfus terslenmesi
Şekil 2 İki enerji seviyeli sistemin a) Isıl denge ve b)Nüfus terslenmesi
sonrası nüfusları
Nüfus terslenmesi için atomu E2 enerji seviyeye, büyükçe pompalama
enerjisiyle uyararak çıkarılabilir.

E
E2

E1

E
E0
E2
NHızlı Geçişi
PompalamadanE1 önceki
Bolzman Dağılımı
Lazer Geçişi

E0
N
Pompalama
21
b) Pompalamadan sonraki
dağılım ve içeren geçişler
 Şekil-3 3 enerji seviyeli sistem

E2’ den salmadan elektronlar E1-e hızlı inecek ve E1 ile E2 arasında

nüfus terslenmesi elde edilebilir. E1 yarıkararlı hal gibi davranır.
Kendiliğinden salma nisbeten küçük olduğundan E1 seviyesinde
böylece atom sayısı artışı sağlar. Sonuçta N1 N0’dan büyük olacak ve
nüfus terslenmesi başarılmış olacaktır. Idealde E2 ile E1 arasında geçiş
oldukça hızlı olmalıdır. Böylece herzaman E2 de yeni uyarmalar için
boş yer bulunabilir. Bu arada E1’den E0’a geçiş yavaş olmalı ki,
böylece E1 bizim için bir yarı kararlı hal olarak davransın .
E2 enerji seviyesinin yakınlığında çok sayıda enerji
seviyelerinden oluşması arzu edilir. Bu zaman da pompalama
veriminin artırılmasıyla spektrum bölgesinde ki çok sayıdaki
pompalama radyasyonunu kullanabilir.
Dört seviyeli sistem (Şekil 4) üç enerjili seviyeli sistemden farklı
olarak daha düşükçe pompalama gerekliliklerine sahiptir. Eğer (E1-
E
E0)kT’den nispeten büyükse, bu durumda E1,E2 ve E3 seviyelerinin
nüfusu
E3 ısıl denge halinde oldukça küçüktürler. Böylece, eğer atomlar
taban seviyesinden E3 seviyesine pompalanılarsa E2 seviyesine çabuk
düşerler ve böylece E2 ile E1 arasında çok çabuk bie şekilde nüfuz
terslenmesi
E1 elde edilir. Yine daha büyük bir pompalama verimi için,
E3’ün üst seviyesinin çok sayıda enerji seviyesi içermesinin faydalı
E2
olacağını söylemek gereklidir.

E0
22
N3 N2 N1
N
a) Pompalamadan önce
 E3
Hızlı Geçiş

E2 N2
N2A21
Lazer geçişi

N2gɤB21
Pompalama

N1
N1gɤB12

E1 R2

R1 N1A10
E0

N
b) Pompalamadan sonra

Şekil 4. Bir dört seviyeli sistemde enerji seviyelerinin nüfusu

.a)Pompalamadan önce b) Pompalamadan sonra

LASERlerde pozitif geri besleme , optiksel bir rezonatör (Fabry-Perot

Rezonatörü) oluşturacak şekilde bir çift aynanın arasına kazanç
ortamının yerleştirilmesi ile elde edilir.

23
 EŞİK ŞARTLARI –LAZER KAYIPLARI
İki M1 ve M2 rezanatörü arasında harekette demet şiddeti I0’dan I’ya
artacaktır. Burada (11) eşitliğinden
I= I0 exp(K-μ)L olacaktır.
24
M2- d yansıdıktan sonra demet şiddeti R2I0exp(K- μ) L olarak ve tam
bir döngüden sonra sonuç şiddeti, döngü kaybı G olacak şekilde
gelecektir.
G= Sonuç şiddeti / Başlangıç şiddeti =R1R2exp{2(K- ɤ)L}
Eğer G’ 1 den büyükse lazer rezonatörü frekansdan bir bozulma, net
yükselme yapacak ve titreşimler büyüyecektir.eğer G, 1’den küçükse
titreşimler ölecektir. Böylece eşik hali için;
G= R1R2exp{2(Kth- ɤ)L} =1 (13)

Olur. Burada Kth eşik kazancıdır.

Sürekli lazerlerde eşik kazancı kararlı hal kazancına eşit olduğunu ;
yani
Kth=Kss olduğunu bilmek önemlidir.
th- threshod(eşik)
ss- Steady State (kararlı hal)
• Kararlı hal için gereken küçük sinyal kazancı K ve ɤ ile lazer
ortamına ve R1,R2 ve L ile de lazer düzeneğine bağlı olacaktır. (12)’den
1 1
K th = γ ln( )
2L R1 R2
(14) olur

Burada 1. ci terim hacimsel ve 2. ncisi faydalı çıkış şeklindeki

kayıpları gösterir. (12) eşitliği K’ nın sadece [N2-(g2/g1)N1]-e değil,
aynı zamanda aktif ortamın doğal özelliklerine de bağlı olarak çok
sayıda değişik özelliklere sahip olabileceğini gösterir.
Eğer K büyükse Laser olayını gerçekleştirmek kısmen kolaydır. Düşük
kazançlı ortam için aynalar oldukça yüksek derecede yansıtkan, son
derece temiz ve dikkatli ayarlanmış olmalıdırlar.

POMPALAMA EŞİK ŞARTLARI

Eşik halinde gerekli Pth
Birim hacim başına toplam pompalama gücü ;

E3 N th
Pth =
τ 21 yazılabilir.

25
  8π γ2 K τ ∆γn 2 
N th =  0 th 21 

 c 2 

olduğundan; (15)

E3 8π γ02 K thτ 21∆γn 2

Pth =
τ 21c 2 veya

E3 8π γ02 K th ∆γn 2
Pth =
c2 (16)

bulunur. Bu tam olarak nüfus terslenmesinin rezonatör kayıplarını

dengelediği noktadır.

Lazerin W çıkış gücü lazer rezonatörü optik güç yoğunluğu ile

orantılı olacağından 2 nolu seviyeye pompalama oranı (yani R2) lazere
verilen P pompalama gücüyle orantılı olacaktır.
 P 
W =W0 
 P −1

 th 
, burada Wo sabit (17)

d bölgesi

Aktif bölge t

26
YARIİLETKEN LAZERLER İÇİN EŞİK AKIM YOĞUNLUĞU
Nüfus terslenmesinin sağlandığı aktif hacmin t kadarlık kalınlığına
ve üretilen e.m modun sıkıştırıldığı mod hacminin d (d › t) kalınlığına
sahip olmasına izin verelim.Diğer lazerlerde mod hacmi genelde nüfus
terslenmesinin sağlandığı hacimden daha küçüktür.Burada etkin nüfus
terslenmesinin mod hacmi (d × l × w) içinde t/d faktörüyle gerçek
nüfus terslenmesini azaltacağını kabul ederek,(15) eşitliğinden ;

d  8π γ02 K thτ 21∆γn 

2
 g 
N th =  N 2 − 2 N1  = 
 g1 th t  c2 


olacaktır.Valans bandında hollerin sayısının çok fazla olması

durumunu göz önüne alarak N1 i ihmal edebiliriz. Böylece ;

d  8π γ2 K τ ∆γn 2 
( N 2 ) th =  0 th 21 
 2 
t  c  (18)

olur.

Böylece saniyede sokulan elektronların sayı yoğunluğu (J/et) ; elektron

/m³s olacaktır.İletkenlik bandındaki elektronların denge sayı yoğunluğu
(τe ise elektronların yaşama zamanı gösterirse, onda N2/ τe olur.

Böylece eşik akım yoğunluğu;

J th ( N 2 ) th
=
et τe ile verilir.

27
(18) eşitliğini burada yerine yazılırsa ve Kth in (14) teki ifadesini yerine
yazarsak ;

8π γ02 ed τ 21 ∆γn 2  1  1 
J th = γ + ln  
τ ec 2
 2l  R1 R2 

ifadesi elde edilir. Bu eşitlikteki τe/ τ21 oranı sıkça ŋi olarak yazılır ve
radyasyon yayıcı şekilde birleşen,enjekte edilen elektron(hole) kesrini
ifade eden iç quantum verimi olarak tanımlanır.

YARIİLETKEN LAZERİN ÇIKIŞ GÜCÜ

Yarıiletken lazerlerde çıkış gücü diğer lazerlerdeki gibidir.Böylece
uyarılmış salma ile yayılan gücü
ηi hγ
P = A[ J − J th ]
e olur.

Burada A eklem alanıdır.

Bu gücün bir kısmı lazerin içinde dağılacak ve kalanı kristalin kenar
yüzeylerinden dışarıya çıkacaktır..Bu iki bileşen sırasıyla γ ve
1   1 
  ln 
 

 2l   R1 R2  ile orantılıdır.Böylece çıkış gücü;

 1  1 
 ln 
A[ J − J th ]ηi hγ  2l  R1 R2 
P=
e  1  1 
γ + ln 
olur. (20)
 2l R R
 1 2 

Harici diferansiyel kuantum verimi , (ηex) enjeksiyon oranındaki bir

artıştan doğan foton çıkış oranındaki artışın miktarı olarak tanımlanır.
(Yani saniye başına taşıyıcı).Bu ;

d ( P0 / hγ )
η ex =
A 
d  [ J − J th ] 
e  28
 olur.

(20) Eşitliğinden ηex’i ;

 1 
 ln  
η ex = η ix   R1  
  1  olur. (21)
 γl + ln  
  R1  

R1=R2 olarak alınmıştır.

ηex ise l’ye bağımlıdır.(GaAs’ta yaklaşık olarak 0,7-1,0 arasındadır.)

Eğer lazere uygulanan pozitif yöndeki gerilim Vƒ ise bu durumda güç
girişi Vƒ AJ olacak ve elektrik girişi lazer çıkışına çevirmede lazerin
verimi;
1 
ln  
P  J − J th  hγ   R1 
η = 0 =η 
V f AJ  J  eV f   1 
γl + ln  
 R1 
(22)

olarak bulunur.
1  1 
  ln   >> γ
 e   R1 
olursa ŋ,ŋi -ye yaklaşır.

Laser kaynağı olarak kullanılan malzemenin (kristal, gaz, sıvı) yapısını

oluşturan atomların en son yörüngelerindeki elektronları dışarıdan
enerjilendirilerek (pumped) bir üst yörüngeye çıkması sağlanır. Verilen enerji
kesildiği zaman elektron tekrar kararlı konumuna geçer (bir alt yörüngeye düşer).
Bu sırada kazanmış olduğu enerjiyi foton şeklinde yayar. Yayılan bu enerji laser

29
kaynağının iki tarafında bulunan yansıtmalı aynalar vasıtası ile kendi ortamında
döndürülür. Bu işlem elektronların tekrar tekrar uyarılması ile devam eder.
Böylece eşfazda şiddeti çok artarak uyarılmış ve o atomun frekans (renk)
karakteristiklerini taşıyan güçlü bir ışınım (foton demeti) elde edilir. Tek dalga
boyunda yoğunlaştırılarak yönlendirilmiş Laser ışığı ~ %25 geçirgen olan
aynadan bir Q anahtarı yardımı ile açığa çıkar

Laser ışığı üretilen ortamdan birim anahtarlama zamanında açığa çıkan

enerjiye Q değeri ve bu işleme Q anahtarlaması denir. Q anahtarlama metotları
Döner aynalar (1000 dönme/sn.), Elektro-optik ve Akustik-optik şekillerinde
olabilir. Elektro-optik ve Akustik-optikde çalışma prensibi, polarizasyon
kuramlarının çeşitli uygulamalarına dayanır.

A) Nüfus ters çevrimi

Uyarılmış salınımdaki problem atom ve moleküller termodinamik dengede
olduğunda iyi çalışmamasıdır. Atom ve moleküllerin alt enerji seviyesine
düşmesi nüfus (her enerji seviyesindeki atom ve molekül sayısı) problemini
meydana getirmektedir. Termodinamik dengede molekül ve atomların birinci ve
ikinci seviyedeki sayılarının oranı aşağıdaki denklem'de gösterilen Boltzman
dağılımı ile verilmektedir.

N2
= e −( E2 −E1 ) / kT
N1

Oda sıcaklığında bu oran, optik dalga boyundaki geçiş enerjileri için küçüktür.
Bu demektir ki termodinamik dengede neredeyse tüm atom ve moleküller, en
düşük enerji seviyesindedir. Bundan dolayı uyarılmış salınımın genliği
küçüktür.Uyarılmış salınımı etkin hale getirmek mümkündür. Alt seviyeden
sayıca daha fazla atom uyarılmış halde olursa, fotonlar ışığı soğurmak yerine
uyarmaktadırlar. Bu duruma “nüfusu tersine çevirme” demekteyiz, çünkü normal
durumun aksine, atomların çoğu alt seviyeler yerine üst seviyelerdedirler. Nüfusu
tersine çevirme durumunda uyarılmış salınım, lazer olayını sağlayan, ışık
çağlayanı meydana getirmektedir.

B) Lazerlerin Enerji Düzeyleri

Nüfusu tersine çevirme durumu, lazer çalışmasında çok önemlidir.Nüfusu

tersine çevirme durumunu gerçekleştiren alışılmış yöntem, lazer ortamına enerji
koyarak atom ve molekülleri daha yüksek enerji seviyelerine çıkarmaktır. Lazer
ortamındaki bu etkileşmeye “pompalama”denir. Pompalama optik veya elektrik
olarak yapılır. Normal şartlarda, enerji seviyelerinin kısa ömürleri vardır ve fazla

30
enerjilerini kendiliğinden salınım ile birkaç nanosaniye içerisinde
bırakmaktadırlar. Halbuki, nüfusu tersine çevirmek için daha uzun ömürlü enerji
seviyeleri gerekmektedir.Bu seviyeler “ara ömürlü seviyeler” olarak
bilinmektedir. Çünkü atomik zaman ölçeğinde olağanüstü uzun ömürlüdürler ve
mikrosaniye ve hatta milisaniye seviyesinde sürebilmektedirler. Lazer fiziğinde
bunlar çok önemlidir ve en iyi üst lazer seviyesini oluşturmaktadırlar.

Nüfusu tersine çevirme durumunu iki seviyeli sistemde oluşturmak

imkansızdır, çünkü üst ve alt seviyeler birbirini sıfırlamaktadır. Pratik lazer
sistemlerinin üç, dört veya daha fazla enerji seviyesine gereksinimleri vardır.En
basit enerji seviye yapısı Maiman'ın sentetik yakut lazerindeki gibi “üç seviyeli
lazer”dir (Hecht, 1992). Bu lazerde yüksek etkileşimli üst seviye, meta dayanıklı
üst seviye ve alt seviye bulunmaktadır. Çalışan bir sistem olmasına rağmen, ideal
değildir. Problem, alt lazer seviyenin aynı zamanda en alt seviye olmasıdır.
Nüfusu tersine çevirmek için atomların çoğunu üst seviyeye büyük bir enerji ile
koymak lazımdır. Bu durumda, üç seviyeli lazer ancak darbeli olarak
çalışmaktadır. Pratik lazerlerin çoğu, dört seviyeden oluşmaktadır (şekil 3).

Şekil3. Dört seviyeli lazer sistemi

C) Rezanatörler

31
 2. LASER KAYNAKLARI
A) Katı Laserler

B) Gaz Laserler

C) Sıvı Laserler olmak üzere üç grupta toplanabilir.

32
A) KATI LAZERLER:

Zenginleştirilmiş (Doped) katı malzemeden yapılanlar: (Ruby; Nd:YAG;

Er-Glass)

Katı laserlerin en çok kullanılan malzemeleri Ruby (yapay yakut) kristali veya
Neodymium’la zenginleştirilmiş camsı (Silisyum oksit bazlı) kristallerdir. Bu tip
laserlerde çakma zamanı olarak 12*10E-15 sn. ye kadar ulaşılmıştır.

Nd:YAG
Active Medium: Neodymium impurity in
Yttrium Aluminium Garnet
(solid state)
Pumping: Optical
Output Wavelength: 1064nm
33
Typical power levels: up to 50Wcw
Cost: £10k - 50k
Laser Type: 4 level, inhomogeneous

34
 BÖLÜM III LASER
ÇEŞİTLERİ

3.1. KATIHAL LASERLERİ

Bir katıhal laserde aktif aktif ortam, az miktarda iyon ilave edilmiş kristal ve camdan
meydana gelmiştir. Esas olarak karıştırma için metalik veya nadir toprak iyonları kullanılır.
Bunların laser geçişleri görünür bölge yahut yakın kırmızı ötesinde bulunur.

3.1.a. Yakut (Ruby) Laser

Katına) laserleri içinde uygulamada en çok rastlanan laser çeşididir. Ruby kristali
alümınyumoksit (AI 2O3 ) ve buna katkılanan %0.05 oranındaki krom atomlarından ofuşur.
Krom atomları dolmamış elektron tabanlarında 4s1 ve 3d5 elektronları ihtiva eder. Krom
atomları AI 2 O3 içine katkılandığında bir adet 4s ve iki adet 3d elektronlarını terkederler ve de
üç kez iyonlaşrmş krom iyonu ortaya çıkar. Cr+++ iyonunun toplam spini s=3/2 olup. bu
iyonlar AI 2 O3 diamagnetik kristali içinde paramagnetik merkezler oluştururlar. Bunun sonucu
olarak kristal magnetik alandan etkilenir. Diğer taraftan AI 2 O3 içinde Cr+++ iyonunun optik
enerji şeması mavi ve yeşil dalga boylarında kuvvetli soğurma özelliği taşıyan enerji bandları
ortaya çıkarır.

35
 Eğer yakut uygun frekansla uyartılıyor ise geçişler taban 4A2 durumundan, uyartılmış
4
F2 ve 4F1 durumuna geçer Uyarttlmış durumlar ışımasız geçişle 2E durumuna bozunur. 2E
durumunun ömrü daha uzundur (yaklaşık oda sıcaklığında 3 ms). 2E enerji düzeyi yarı kararlı
düzeydir. Şekil-13'de görüldüğü gibi iyonlar kristal alanına girdiğinde uyarılmış enerji
düzeyleri de örneğin 2E düzeyi birden fazla ait enerji düzeylerine yarılmaktadır.

4 2
A2 E geçişi simetri sp nedeniyle yasaklanmıştır. Böylece sistemin sürekli
uyartılması veya optik pompalanmasıyla taban durumla kıyaslandığında 2 E durumunda
daha fazla nüfus olacak ve bir nüfuz tersleşmesi söz konusu olacaktır. Bu düzeyden 4A2
düzeyine geçişler ışık yoğunluğu bakımından yoğun olan laser geçişi olmaktadır.

Bu laserin pratikte gerçekleştirilmesi için mavi ve yeşil soğurma bandlarının optik

pompalama ile popüle edilmesi gerekir. Bunun için Şekil-14'te de görüldüğü gibi Xe, Hg veya
Krflaş lambaları kullanılır.

Flaş lambası ile pompalanan yakut laserin çalışma şeması Şekil-14'teki gibidir. Bu tip
laserier genellikle pulslu (darbeli) laser olarak kullanılır. Bu durumda güçleri birkaç kilo
vvatt mertebesindedir Ayrıca optik pompalama tekniğine bağlı olarak sürekli aynı dalga
boyunda üretilecek şekilde gerçekleştirilebilirler. Bu durumda güçleri birkaç vvatt
civarındadır.

36
 3.1.b. Neodyme {Nd+) Laser

Aktif elemanı cam veya YAG yani Yttrium Alüminyum Grenat (Y3 Al3 On) destek
içinde Nd* iyonu halinde Neodyum'dir. Konsantrasyon %0.5 - %0.2 kadardır. Nd+ iyonunun
enerji seviyeleri bandları dört seviyeli laserinki gibidir. Pompalama için absorbsiyon bandlart
destek maddeye göre değişir ve genellikle 0.4 - 0.8m arasında bulunur. Laser geçişi YAG:
Nd+ için 1.0648μm ve cam Nd+ için 1.06μm etrafındadır. Laser geçişinin üst seviyesinin
ömrü destek maddeye göre değişir. YAG İçin 0.3ms'dir. çeşitli camlarda bunun
etrafındadır. Optik bakımdan iyi homojenlikte YAG, Nd çubuklar hazırlamak mümkündür.
Cam çubukların hazırlanması daha güçtür.

Sürekli işleyişler için pompalama Tungsten lamba iie gerçekleştirilir.

Yayınlanan laser demeti, kalite bakımından gaz laserinkine yaklaşabilir. Eide edilen
maksimum güç 10W kadardır.

Pulsiu halde neodyme laser yakut laser gibi çalışır. Bununla beraber daha çok zayıf
pompalama eşik enerjisine sahiptir (5mm çapında, 5cm uzunluğunda bir çubuk kullanıldığında
YAG: Nd için 2 Ws ve cam için 5 Ws).

3.2. GAZ LASERLERİ

İlk laser araştırıcılarının güvenle gazlara yönelmesi doğaldır. Çünkü gazların çoğu
etkin bir laser olayı meydana getirebilmek için gerekli olan iki karakteristik özelliği
gösterirler: Şiddetli ve ince spektral çizgiler ve farklı enerji seviyelerinde eşit olmayan
emisyon süreleri.

Verimlerin yüksek oluşu, dalga boyu seçimlerindeki geniş çevre koşullarından

bağımsızlık, çıkışta ideal bir ışık kaynağı durumuna yaklaşımı ile gaz laserler en faydalı ve
kullanıltşlı bir laser tipidir. Gaz laserler, laser etkisinin görüldüğüenerji seviyelerine göre üç
farklı tiptedirler. Atomik gaz laserlerde nötr bir atomun iki seviyesi arasındaki elektronik
geçiş kullanılır. İyonik gaz laserlerde iyonize bir atomun iki seviyesi arasındaki elektronik
geçişten faydalanır.

37
 Laserin esası, faydalanılabilir bir popülasyon inversiyonunu meydana
getirebilmek için yeterli enerji verebilen bir pompalama sistemini
gerçekleştirebilmektir. İlk gaz laserde problem, bir gaz yerine iki gaz karışımı
kullanılmıştır. Bunlardan biri enerji verebilecek şekilde diğeri de amplifıkasyon sağlayacak
şekilde çalışırlar. Aktif bölgenin uyarımı gaz laserin çoğunda deşarj ile gerçekleştirilir.
Deşarj yüksek enerjili elektronlar ile çarpışma, atom ve moleküllerle hatta iyonize gaz
faserde iyonlaşmış atomlara elektronik uyarım verir, doğrudan doğruya uyarımda (birinci
tür) deşarj, aktif gaz üzerinde etkili olur. Dolaylı uyarımda (ikinci tür) ise deşarj, önce aktif
gaza ilave edilmiş olan gaz üzerinde etkili olur. Burada enerjisini çarpma ile aktif gaza
aktarır. İlave gaz ile aktif gazın uyartılmış enerji seviyeleri yakındır.

Çarpma ile enerji aktarımı etkili bir şekilde gerçekleşir. Bir gaz içindeki atomun,
yüksek bir enerji seviyesine uyartıiabildiği en çarpıcı mekanizma, birinci ve ikinci tür
çarpışmadır. Birinci tür çarpışma yüksek enerji elektronun temel haldeki bir atomla
etkileşmesini gerektirir. Elektronun çarpışması, onun enerjisinin bir kısmının atomla
aktarılmasına neden olur. Bu halde geçen olay aşağıdaki denklem ile ifade edilir:

A + e1 = A*+e1

Burada A atomun temel halini; A' ise uyartılmış halini belirtir. Elektronun
çarpışmasından önceki ve sonraki enerjileri e1 ve e2 ile gösterilmektedir. İkinci tür çarpışma,
uyartılma sonucu metastabil bir seviyede bulunan bir atomun, bir başka elementin temel
haldeki atom ile çarpışması d ir. Bu metastabil haldeki atomdan uyartılmamış durumda
bulunan atoma enerji geçişi olur. Böylece bu atom da uyartılmış olur. İkinci bir çarpma,

Al + A2* = A1*+ A2

ile ifade edilir.

A1 uyartılmamış atom, A2 enerjisini çarpma ile kaybeden atomun temel hali, yıldızlı
olanlar da her iki atomun uyartılmış halleridir.

Gaz İaserleri koharent bir ışık kaynağıdır. Genel olarak bir gaz laseri;

38
 a) Işık çoğaltılmasının yapıldığı deşarj tüpü.
b) Yüksek yansıtıcıiığı olan bir çift aynadan oluşur.

3.2.a. Helyum - Neon (He-Ne) Laseri

Helyum- Neon laserin sistemi üç kısımdan oluşur Gaz deşarjının elde edildiği plazma
tüpü ile (uçları Brevvster açısında kesilmiş) iki küresel aynanın karşılıklı konmasından oluşan
kavuk, uyarma işleminin yapıldığı gerilimi ayarlı (5kV - 40mA) doğru akım fdc) güç
kaynağı, vakum ve gaz sistemidir.

Gaz, plazma tüpü içerisinde tutulur ve doğru akım güç kaynağı ile uyarılır. Plazma
tüpünün çapı üzerinde maksimum bir limit vardır. Plazma tüpü, 9mm dış 3mm iç çapında,
420mm uzunluğunda pyrex camdan yapılmıştır. Plazma tüpünün uçları Brevvster açısında
kesilmiş ve Brevvster pencereleriyle kapatılmıştır. Çünkü ışığın geliş düzleminde lineer
polarize edilmiş ışık Brevvster penceresinde en az kayba sahip ışıktır. Ayna olarak da
eğrilik yarıçapı R=60cm olan küresel aynalar kullanılmıştır. Bu aynalar %99.9 yansıtıcılığa,
%0.1 geçirgenliğe, %97 yansıtıcılığa ve %3 geçirgenliğe sahip dielektrik tabaka ile kaplanmış
aynalardır.

39
 Pratikte, ışığın ileri geri bir takım yansımalarla bir duran datga oluşturması için ışıyan
gaz düz veya çukur paralel iki ayna arasına yerleştirilir. Aynalar arasındaki atomların foton
yayımını bu duran dalga uyartın Aynalardan birisi yan gümüşlenerek veya başka bir düzenle
enerjinin bir kısmı demet halinde dışarıya bırakılabilir. Uyarılmış haldeki atom sayısı
sürekli olarak ayakta tutulursa duran dalganın enerjisi, atomların saldığı fotonlarla sürekli
olarak beslenir.

Helyum-Neon laserinde ilk uyarma, gaza iyonlaştırıcı bir elektrik alanı

uygulanarak bir elektrik boşalması sağlamasıyla yapılır. Bir miktar atom iyonlaşır, boşalma
akımını iyonlaşma sonucu ortaya çıkan elektronlar yol boyunca gaz atomlarına çarpar ve
onları yüksek enerji düzeylerine çıkarabilirler. Bu çarpışma duran dalgayı uygun bir
genlikte tutmak için gereken uyarılmış atm sayısını vermekten uzaktır Elektronların yol
açtığı bu uyarmaları istenen belli düzeylere yöneltecek bir yol bulunması genellikle
zorunludur. Bu problem, He-Ne laserinde enerji düzeyleri ile çözülmüştür.

Tipik bir He-Ne laserinde 10mm basıncında He. 0.1 mm basıncında Ne

bulunmaktadır. Elektronlar Şekil-16'da görüldüğü gibi He atomlarının bir kısmını 2s
durumuna, bir kısmını da bir çağlayan gibi du duruma dönmek üzere daha yüksek enerji
durumlarına çıkartır. Böyfe bir düzeye çıkarılarak uyarılmış bir atom, normal olarak hemen
20.61 eV'luk bir foton salarak taban haline dönerdi. Fakat burada bir seçim kuralının temeli
açısal momentumun korunumudur. Yörüngesi açısal momentumun hem taban
durumundaki hem de uyarılmış düzeydeki değeri sıfırdır.

40
Buna göre en azından bir birimlik açısal momentumu alıp götürmesi gereken bir fotonun
salınma olanağı bulunmayacaktır. Foton salarak kararlı bir hale geçiş yapmanın
yasaklandığı enerjiye KARASIZ DURUM denir.

Bununla birlikte He atomları başka bir yolla enerji kaybeder. Helyum'un 2$ enerji
düzeyinin Neon'da da aynı ile bulunması, uyarılmış bir Helyum atomu İle Neon arasında bir
çarpışma olunca Helyum taban haline döneek, Neon ise uyartılmış bir düzeye yükseltilecektir.
Neon'un bu yeni hali yine kararsızdır, seçme kuralı nedeni ile Neon atomu taban durumuna
değil, fakat görülen 3p düzeyine geçebilir ki bu iaserin oluşması için gerekti bir geçiştir. En
sonunda Neon atomları 3p durumundan ışıma ile kararsız 3s durumuna ve buradan da içinde
bulundukları kabın çeperlerine çarparak 2p durumuna dönerler. 3p->3s geçişinin çabuk
olmasının İaserin oluşması bakımından önemi vardır. 3p durumunda bulunan atomların
sayısında önemli bir artış olursa, bunların laser ışınımı soğurma o derece büyük olacak,
böylece İaserin oluşması engellenecektir.

3.2.b. Ar+ İyon Laseri (Argon İyon Laseri)

Gaz iyonlu laserler görünür ve ultraviyole bölgede çeşitli laser geçişleri vermeleri
ve Önemli derecede sürekli olarak görünür bölge laser ışığı meydana getirmeleri bakımından
farklıdırlar.

He-Ne laserinden farklı olan Argon laseri bir kez iyonlaşmış atomun iki enerji
seviyesi arasındaki geçişe göre çalışır. Bu kez iyonize olmuş Argon atomları için, her bir
atomdan bir elektron kaldırılması gerektiğinden yüksek enerjili elektronlar kullanılır. Bu
nedenle He-Ne laserinkinden farklı yapıda güç kaynağına gerek vardır.

Şekil-17'de Argon iyonunun enerji seviyesi diyagramı görülüyor ve görünür bölgede

kullanılabilir iki dalga boyu belirtiliyor. Bu hallere bir gaz deşarjı içinde iki kademeli bir
işlem ile ulaşılır. Önce nötr atom doğrudan doğruya elektron çarpışmasıyla iyonlaşır.

Burada geçen olay, denklemiyie özetlenebilir.

41
 Sonradan meydana gelen elektronik çarpışmalarla iyon çeşitli enerji seviyelerine
uyarılır. Bu uyanlmtş seviyeler, nötral Argon'a göre 20eV'un üstünde olduğundan ve
atomun iyonlaşması için yaklaşık 15.8eV enerji verilmesi gerektiğinden, üst laser
seviyesinde yeterli popülasyonu sağlayabilmek ancak üst enerji elektronlar ile mümkün olur.

Laser üst seviyesinin boşalması, iyonun ışıyarak temel hale gelmesinden sonra bir

elektronla birleşerek temel haline dönmesi şeklinde olur. Laser geçişlerinin üst seviyelerinin

ömrü geçiş seviyelerininkinden çok daha büyüktür. Bu nedenle Argon laserde

amplifikasyon He-Ne lasere oranla daha büyüktür.

3.2.c. CO2 Laseri (Karbondioksit Laseri)

Endüstriyel ve bilimsel açıdan en güçlü ve en sürekli ışını veren laser

karbondioksit laserdir. 1964 yılında gerçekleştirilmiştir. Karbondioksit laser, iki ilave gaz
ihtiva eder: Azot ve Helyum. Azot'un görevi, Helyum-Neon laserde Hefyum'un görevinin
aynıdır.

42
 Bu önemli karakteristikler, diğer tip laserlerde: laser olayının geçtiği, atom ve
iyonlarının bulunduğu, ortamda farklı bir özellik taşıyan moleküller laserin sınıfından
olmasıdır.

Çok atomlu moleküller, elektronik enerjilerinden başka farklı titreşim

(vibrasyon) ve dönme (rotasyon) hallerine karşılık olan aynı zamanda kuantumlanmış enerji
seviyelerine de sahiptirler. Vibrasyonel enerji kuvvetlen arasındaki ayrılma elektronik enerji
seviyelerininkinden daha küçüktür ve farklı vibrasyonel seviye arasındaki geçişlerden ileri
gelen emisyonlar içinde ince bir yapı meydana getirirler. Atom ve iyonfar ile
karşılaştırıldığında moleküllerin enerji seviyeleri yapısı daha karışıktır ve üç kaynaktan ileri
gelir: Elektronik hareketler, vıbrasyonel hareketler ve rotasyonel hareketler.

Tek atomlarda olduğu gibi moleküller de yüksek enerji seviyelerine uyartılabilir ve bu

belirli seviyeler arasındaki geçişler spektrumun belirli bölgesindeki frekanslara karşılık olur.
Elektronik halden bağımsız olarak atomun çekirdeği, denge konumu etrafında belirli enerji
seviyelerine karşılık olan vibrasyonel hareketler yapar. Aynı elektronik enerji hali için
vibrasyonel seviyeler arasındaki ayrılma, genellikle yakın ve orta kırmızı ötesi frekansa
karşılıktır ve geniş aralıklı enerji seviyeleri, çok sayıda vibrasyonel enerji seviyelerine
yarılmıştır.

Lineer bir karbondioksit molekülü, karbon atomu ortada oksijen atomları dışarıda
olmak üzere bir doğru boyunca yerleşmiş olarak düşünülebilir. Her bir halde ağırlık merkezi
sabit kalır. Karbondioksit molekülü için muhtemel üç vibrasyonel hal mevcuttur.

BÜKÜLME MODU: Oksijen atomları, bunların üzerinde bulunduğu doğruya dikey

olarak titreşir.

SİMETRİK MOD: Oksijen atomunun her biri, doğru boyunca birbirine ters yönden
titreşirler.

ASİMETRİK MOD: İki oksijen atomu, merkezi karbon atomunun etrafında, her biri
daima aynı yönde hareket edecek şekilde titreşebilirler.

43
 Enerji seviyeleri diyagramında azot molekülünün temel ve uyartılmış halinde
gösterilmiştir. Azot molekülü iki atom ihtiva ettiğinden sadece bir tek vibrasyonel moda
sahiptir. Laser olayı şöyle gerçekleşir;

Deşarjda elektronik çarpmalarla azot molekülü V=1 haline uyartılır. Bu olay,

şeklinde ifade edilebilir.

Karbondioksitte 00°1 vibrasyonel seviyesi ancak 18cm uzaklıkta olduğu için V-1
seviyesindeki azot molekülü ile temel haldeki CO2 molekülünün çarpışması sonucu bu
molekülün üst laser seviyesine yükseltilmesi,

bağıntısı ile ifade edilir

44
 10°0 vibrasyonel hal çok daha alçak enerjidedir. Bu nedenle buraya enerji geçişi söz
konusu olamayacağından popülasyon artması da olmaz.

00°1 seviyelerinin popülasyonlan 10°0 seviyelerininkinden fazla olmuştur ve böylece

laser olayının meydana gelmesi için bu iki seviye arasında popülasyon inversiyonuna yol
açan koşul hazırlanmış demektir. Karbondioksit molekülü 10.6{im'de ışıma yaparak 10°0
seviyesine alçalır. Sonra ısınarak temel hale döner.

3.3. DYE LASERLERİ (Boya Laserleri}

Sıvı laserler içinde en önemli olan laser, DYE laseridir. 1965 yılında
keşfedilmiştir. Bu tip laserlerin en önemli özelliği dalga boyunun geniş bir spektral bölge
içinde sürekli olarak değiştirilebilir olmasıdır. Bunun başlıca nedeni, Şekii-19'daki enerji
diyagramında görüldüğü gibi boya molekülünün enerji bandlarının çok geniş olasından
kaynaklanmaktadır. Boya maddesi değiştirilmeden laser çıkışının dalga boyu, boya
maddesine bağlı olarak 30nm - 100nm kadar değiştirilebilmektedir.

Laser geçişi dye molekülünün single enerji durumu 1s1 den 1s2 temel enerji
durumuna geçişiyle ortaya çıkar. Optik pompalama İçin flaş lambası yada çoğunlukla başka
bir laser Ar Laseri, Kr Laseri, Azot Laseri vb. kullanılması durumunda moleküller s1 ve
so enerji bandları arasındaki enerji farkına uygun biçimde selektif olarak uyarırlar. Boya
laserler genellikle sürekli dalga boyunda çalışacak biçimde

45
imal edilmiştir. Bu tip laserler darbeli olarak çalışacak biçimde yapılabilirler. Laserin çıkış
gücü watt düzeyindedir. Araştırma amacıyla imal edilen dye laseri birkaç yüz nvvatt
gücündedir. Bu laserler ile görünür bölgenin tamamında (0.4μm - 0.7μm) ve kısmen kırmızı
ötesi bölgede laser ışını elde etmek mümkün olabilmektedir.

3.4. YARI İLETKEN LASERLERİ (P-N Kavşaklı Laserler)

Uygun band yapısına sahip olan yan İletkenlerden meydana getirilen p-n eklemi
(Junction) iletim yönünde beslendiğinde İletkenlik bandından valans bandına geçen
elektronlar pozitif yüklü boşluklarla (hole) birleşirler.

Elektronların (n-tipi yarı iletkenden) boşluklar ile (p-tipi yarı iletkenlerde)

birleşmeleri sırasında iki enerji düzeyinin enerji farkı foton olarak yayınlanır.

Yan iletken laserierde, rezonatör aynaları, düzgün biçimde kesilen kristal

yüzeyleridir. Burada hava ile yarı İletken kristalinin yan yüzeyleri arasındaki kırılma indisi
farkı gerekli yansımayı yaratmak için yeterlidir.

Bu laserler 860nm - 900nm dalga boyu bölgesinde ışıma yaparlar ve güçleri mvratt
düzeyindedir. Yarı iletken olarak GaAs, PbSn, SeTe, ZnSSe kristalleri kullanılabilmektedir.
Laser diyotları küçük boyutlu, çok ucuz ve pratik laserler olup, özellikle haberleşme
tekniğinde kullanılmaktadır.

46
B) GAZ LAZERLER:

Gaz laserleri aşağıdaki gibi sınıflandırabiliriz.

a. Atom laserler:
i) Asal gaz (He,Kr,Ne,Ar,Xe)
ii) Metal buharı (Pb,Sn,Zn,Cd)

b. İyon laserler:
. Asal elementli (He, Kr, Ne, Ar, Xe)
. Metal buharlı (Pb, Sn, Zn, Cd,Cu,Ti)
c. Molekül laserler: (CO, CO2, N2, CH3F, …)

Silindirik cam veya kuartz tüp içerisine yerleştirilen asal gazlar, gaz karışımları
ve metal buharları gaz laserlerini üretmek için kullanılırlar. Gaz laserler
ultraviyole ışık, elektron tabancası, elektrik akımı ve kimyasal reaksiyonlar
kullanılarak pompalanmaktadır. Helyum-Neon gaz laseri yüksek frekans sabitliği

47
(saf rengi ) ve en az dağılma olan ışın demetine sahiptir. Karbondioksit laseri
(dalga boyu 10,6µm.) tesirli ve sürekli güç alınabilen laserdir.

a-i) Asal Gaz Lazerler

Helium Neon Laser

Active Medium: 90% He, 10% Ne, 10 torr gas
Pumping: Electrical discharge
Output Wavelength: 632nm, 1.15µm & 3.39µm
(select by mirror choice)
Typical power levels: 1-10mW
Cost: £100's
Laser Type: 4 level, inhomogeneous
In the He-Ne laser, the population inversion is created
between two energy levels in the neon atoms.
Similar to many other systems pumped by electrical
discharge, the neon is excited indirectly.
Energy level diagram for He-Ne laser

48
Argon Ion Laser
Active Medium: Ionised argon atoms (gaseous)
Pumping: Electrical discharge
Output Wavelength: Mainly 514nm and 488nm
Typical power levels: 1-10W
Cost: £10k -100k
Laser Type: 4 level, inhomogeneous
In the Ar+ laser, the population inversion is created
between two energy levels in ionised argon
Because of the high currents, a solenoid is often used to
contain the plasma in the centre of the tube, away from
the walls. Discs within the tube acts as heat exchangers
and the whole tube is cooled with a water jacket (low
power lasers can be air cooled)

49
b-ii) Metal Buhar Lazerleri:

Copper Vapour Laser

Active Medium: Copper vapour at 1500°C
in a neon buffer gas
Pumping: Electric discharge
Output Wavelength: 578nm and 510nm
Typical power levels: up 50W average power
Cost: £10'sk
Laser Type: 4 level, but metastable lower
laser level, inhomogeneous
Solid copper is heated in an oven to 1500°C, the vapour
pressure is 0.1 torr.

Titanium Sapphire Laser

Active Medium: Ti (3+) ion in sapphire host
Pumping: Optical
Output Wavelength: 700nm - 900nm
Typical power levels: up to 1W CW
Cost: £10'sk + pump source
Laser Type: 4 level, homogeneous

C) SIVI BOYA LAZERLER: (Rhodamine 6G, 4-methylum belliferone, vb)

Sıvı Laserler organik boyaların solventler içerisinde seyreltilerek yapılan

solüsyonlardan oluşmuştur. Sıvı Laserler her hangi bir laser kaynağı ile
enerjilendirilerek meydana getirilebilir. Diğerlerine göre en önemli fark ise tek
bir dalga boyu yerine kullanılan maddeye bağlı olarak belirli bir spektrumda
istenen dalga boyuna ayarlanarak çalışmasıdır. Örnek olarak en önemli bilinen
solüsyon Rhodamine 6G dır. Az asidik bir solüsyon olan 4-methylum belliferone
0,391µm’den 0,567µm’ye kadar olan spektrumda dalga yaymaktadır. Bir
monokromatör üzerinden geçirilerek çeşitli maddelerin analizlerini yapmakta
kullanılır

Boya Lazer (Dye Laser)

Active Medium: Organic dyes in liquid solvent
(e.g. Rhodamine 6G)
50
Pumping: Optical
Output Wavelength: 350nm - 900nm
(with 10 different dyes)
Typical power levels: up to 1W CW
Cost: £10'sk + pump source
Laser Type: 4 level, homogeneous

4. LASER UYGULAMALARI
Laserler; endüstride, bilimsel araştırmalarda, haberleşmede, tıp ve askeri
alanlarda gün geçtikçe daha da önemli olmaktadır. Bu konulardaki uygulamalara
birkaç örnek vermek gerekirse;

Endüstride:

• Her türlü malzemeyi çok hassas bir şekilde kesme, delme, eritme,
lehimleme ve şekil verme işlemleri ,
• Mikroelektronikte dirençlerin aktif veya pasif olarak 0,01% hassasiyetinde
üretilmeleri,
• Chip üretiminde hat kalınlıklarının 0,25 µm’den az olarak
desenlendirilmesi ,
• Yeni maddelerin analiz işlemlerinin yapılması,
• Yüksek ve uzun yapıların düzgünlüğünün ölçümü,
• Yüzey sertleştirmelerinde

51
Bilimsel araştırmalarda:

• Çok hassas bilimsel ölçümlerde (ışık hızı ölçümü),

• Yerküre üzerindeki hareketlerin hassas ölçümü,
• Malzemelerin kimyasal analizlerinde

Haberleşmede:

• Yeryüzü ile uydular arası haberleşme sistemlerinde,

• Dünya üzerindeki haberleşme ağında fiber-optik sistemlerle birlikte
kullanılması,
• Yüksek yoğunlukta ses ve görüntü bilgileri depolanması (compact disc,
video disc),

Tıp alanında:

• Zarar görmüş dokuları keserek almak,

• Yaraları iyileştirmek,
• Kanamayı durdurmak,
• Göz retinasında oluşan zedelenmeleri gidermek,

Askeri alanlarda:

• Askeri uygulamalarda laserleri vazgeçilmez yapan özellikleri kısaca

tanımlarsak:
• Açısal hassasiyet (ışınımlarının doğrusal şekilde olması),
• Uzun mesafelere ulaşma (Laser gücünün yüksek olması)
• Mesafe ölçümünde hassasiyet (darbe genişliğinin çok dar olması)
• Selektif tespit (spektral band aralığının çok dar olması sebebi ile)
• Kullanım kolaylığı (küçük boyutta ve hafif olmaları)

BÖLÜM IV LASERİN
KULLANIM ALANLARI

52
 4.1. SANAYİDE LASER

Genellikle laser, metalden plastiğe kadar çeşitli maddeleri delmek, kesmek,

lehimlemek için kullanılacak güçtedir. Laserin sanayide sağladığı kolaylıklar sonsuzdur.
İşlenen madde iie mekanik bir kontak' olmadığından, klasik kullanma şeklinde olduğu gibi
aletlerin yıpranması, kırılması gibi sorun yoktur. İşleme tabi tutulan maddeye hiçbir
kuvvet uygulanmadığından, malzemenin bir yere tutturulmasının gerekmeyişi işi
kolaylaştırır ve keza kağıt, kauçuk, kumaş, plastik gibi yumuşak maddeler ile ilgili bazı
işlemlerde laserden yararlanılır.

Laser dalga boyu mertebesinde bir boyuttaki noktaya odaklanarak duyartı bir şekilde
çalışmak mümkündür.

Üzerine laser ışını düşen bir madde çabuk ısındığı için termik yönden biri zarar
görmeden işlenebilir. Özellikle laseri bir noktaya kuvvetle odaklayarak eriyebilir veya
patlayabilir maddelerin yakınında lehim yapmak mümkündür.

Laser uzak mesafelere yönlendirilebilir ve kolaylıkla (aynalar vasıtasıyla) çeşitli

işyerleri arasında paylaşılabilir.

Laserin kullanılması işlenen maddenin yabancı bir madde ile bulaşmasını önler.
Gerektiğinde, laser hava. su sızdırmaz, kapalı bir kap içindeki işlemlerde de kullanılabilir.
Tamamlanmış, kapatılmış ve kusursuz lehim gerektiren elektronik tüplerin içinde laser ile
tamirat yapılabilir.

Çok sert (elmas) yahut kırılabilir (seramik) gibi maddelerin diğer metotlarla
gerçekleştirilmeyen işlenmesi mümkün olur.

53
 4.1 .a. Laserle Kaynak İşlemleri

Kaynak işleminde laser çubuğundan çıkan ışık kümesinin mercekler yardımı ile
odaklanarak mikron düzeyinde çapa tekabül eden alanlarda çok yüksek enerjinin açığa
çıkarılması kaynak işleminin esasını oluşturur. Meydana gelen iaser sisteminde aynı ölçüdeki
bir malzemenin ark kaynağı ile kaynatılabilmesi için gerekli olan enerjinin 1/10'u kadarı
yeterlidir. Ayrıca üretilen yüksek enerji ile yüksek erime sıcaklıklarından dolayı diğer
kaynak usulleri ile kaynatılması oldukça zor olan titanyum, nikel, tungsten, molibden,
kobalt, platin, vanadyum gibi yüksek dirençli maddelerin de kaynağı kolayca
yapılabilmektedir.

Kaynak işleminde kullanılan laser sistemleri iki grupta toplanabilir. Bunlar;

1- Yüksek güçte katı durum laser sistemleri

a- Ruby Laser Sistemi
b. Cam Laser Sistemi
c. Yağ Laser Sistemi

2- Yüksek güçte gaz laser sistemleri

a. CO2 Laser Sistemi
b, Argon İyon Laser Sistemi

4.1.b. Laserlerle Kesme İşlemleri

Laserle kesme işleminde iki ayrı yöntem uygulanır. Bunlardan biri eriterek kesmedir.
Bu yöntemle kesilecek malzeme laser ışını ile erime sıcaklığına kadar ısıtılır Eriyen ve
buharlaşan malzeme ışıma ekseni boyunca gönderilen bir gaz jileti yardımı ile kesifen
malzemenin alt kısmından atılır. Kesme işleminde hemen hemen sadece CO 2 gaz laserleri
kullanılır. Bu sistem ile çelik, titanyum, zirkonyum, niobiyum, tantal, nikel gibi teknikte
çok kullanılan metal ve alaşımlarının kesilmesi mümkündür Ancak bakır, alüminyum, pirinç,
gümüş ve altın gibi yansıtma kabiliyeti yüksek malzemelerin CO2 faser sistemi ile
kesilmeleri mümkün değildir Laserle kesme işleminde kesilen bölgede ısı tesir atanının
minimal ve kesme genişliğinin küçük olmasından dolayı taşlama, hanlama ve ilave yüzey
işleme işlemlerine gerek kalmaz.

54
 4.2, HOLOGRAFİ

Yüksek kohorent dereceli laser ışığının kullanım alanlarından biri de

holografidedir. Bu yöntemle cisimlerin üç boyutlu görüntüleri efde edilir. Bunun için
cisimden yanbsıyan iaser ışığı ile yine aynı kaynaktan çıkan bir referans demetindeki ışığın
girişim deseni hem genlikleri hem de fazları ile beraber bir fotoğraf filmi üzerine kaydedilir.
Hologram adı verilen bu film daha sonra bir ışıkta aydınlatıldığında cismin üç boyutlu bir
görüntüsü oluşur. Günümüzde sanat eserlerinde, reklamlarda, dergilerde, kredi kartlarında
ve pek çok yerde hologramlar görülür olmuştur. Bilim ve teknolojide holografi cisimlerin
distorsiyonun ölçülmesi için kullanılmaktadır. Bir cisim üzerine yük bindirildiğinde cismin
şeklinde en ufak bir değişiklik bile olmuşsa, bu değişiklik cismin yük bindirilmesinden
önceki ve sonraki holografileri üst üste çekilerek oluşturulan hologram üzerinde girişim
desenleri şeklinde görülür.

4.3. TIPTA LASER UYGULAMASI

Laserin sağladığı enerji yoğunluğu, canlı dokular üzerinde etkili olur. önce dokuların
ısınmasına, büzülmesine ve sonra ışık akısının artması halinde proteinlerin pıhtılaşmasına,
kömürleşmesine ve nihayet buharlaşmasına neden olacak etkiler yapar. Bu farklı etkiler
kullanılan dalga boyunda az veya çok şiddetli ışık akısı için. ışınlama yapılan dokunun
termik özelliğine ve soğurmasına bağlı olarak meydana gelir.

Tıpta kullanılan laserler sürekli Argon Laser, CO2 Laser ve yeni olarak YAG Laser
(Nd)'dir.

Laserlerin tıptaki uygulamaları KBB hekimliğinde gırtlak uçlarının cerrahisinde

(özellikle ses tellerinin iyicil urları ve çocuk popilamatozu) CO 2 laser kullanılır. Kulak
cerrahisinde ise Argon Laser kullanılır. Kadın hastalıklarında çoğunlukla döl yatağı boynu,
displazilerinde ve fallop borusu cerrahisinde CO2 laser kullanılır. Sindirim sistemi
anjiyomları, mide ve kalın bağırsak küçük polipleri YAG laseri ile tedavi edilir. Deri
hastalıklarında yüzdeki düz anjiyomları gidermede ve dövmeleri silmede

55
özellikle Argon Laser kullanılır Ağız ve diş hastalıklarında CO 2 ve Helyum laserden, diş
çürümelerinin tedavisinde kullanılmak suretiyle yararlanılır. Laserin en önemli uygulama
alanı göz ve cerrahi hastalıklardadır.

Laserin cerrahi uygulamasında karşılaştıkları her şeyi kesme özelliklerinin yanında

oldukça seçicidirler. Bu özellikleri laserlere hiçbir neşterin yapamayacağı bir organ veya
hücrenin dış kısmına zarar vermeden ta içteki kısımlara kadar işleme özelliği kazandırır.

4.4. LASER IŞINLARI İLE UYGULAMALAR

4.4.a. Haberleşme

Laser ışınlarının eşsiz özellikten, uzak mesafelere elektrik sinyallerinin iletiminde

ışık dalgalarından en yeni faydalanma yolunu mümkün kılmıştır. Bugün uzak mesafelere
büyük hacimli mesajların iletilmesi için saptanmış dört elektriksel teknik vardır. Bunlardan
en eskisi kentlerarası haberleşme trafiğinin büyük bir kısmını taşıyan koaksıyel kablo
sistemidir. Standart bir koaksiyel kablo merkezinde tekrar bakır iletkenin bulunduğu 3/8 inç
çapında bakır bir borudur. Kablolar ekseriya 8-20 kablodan ibaret demetler halinde
toplanmışlardır. Taşınacak haberleşme trafiğinin büyüklüğüne bağlı olarak kablo boyunca
her iki veya dört milde bir amplifikasyon sağlayıcı teçhizat yerleştirilmek zorundadır.
Koaksiyel kablolar normal olarak 500.000-20.000.000 Hertz frekanslı radyo dalgalarını taşır.

4.4.b. Enerji İletimi

Laser ışını az bir kayıpla bir enerji iletim hattı olarak kullanılır. Uygun
aralıklarla yerleştirilmiş odaklayıcı mercekler yardımı ile boşlukta 30km'de sadece %0,05
kadarlık bir kayıp olacağı teorik olarak hesaplanmıştır. Hesaplamalar bir laserin 1000km
uzaklıkta kahve pişirebiiecek şekilde odaklanabileceğim göstermiştir.

56
 4.4.c. Uyduların Yönfendiriimesı

Laser hissedilir bir basınç yapar. Bir laser ışığı küçük bir yüzey üzerinde, santimetre
kare basıncı birçok kilogramlık basınç meydana getirir Bir uydu yavaşladığı zaman
bunun sonucunda yere doğru çekildiğinde, yerden gönderilen faser ışığı, uyduyu üst
seviyeye çıkarır.

4.5. RADAR

Laser ışığı, yansıyan sinyallerin alınmak suretiyle uzakta bulunan bir cismin
uzaklığını, hızını, hareket yönünü, büyüklüğünü, yüzey karakteristiğini belirlemekte kolaylık
sağlar. Güçlü laser impulslan, yüksek frekans radarlarında olduğundan çok daha uzak
mesafelerde ölçülebilir yansımalar meydana getirebilirler. Üstelik fark edilebilir, cisimlerin
boyutları dalga boyu ile değişir 1/20.000cm dalga boyundaki bu laserlerin dalga boyudur.
Yüksek frekansta tespit edilebilen daha küçük cisimler belirlenebilir.

Günümüzde 160km uzaklıktaki bir cismin uzaklığını 1/100.000 duyarlılıkla

ölçülebilen telemetreler vardır. Laserlerden hız ölçülmesinde de faydalanılır. Hareket
halindeki bir cismin üzerinde yansıyan radyo dalgaları Doppler olayı nedeniyle alıcıya değişik
bir frekansla gelir.

Cismin hızı frekansının değişiminden belirlenebilen optik frekanslarda, alçak

frekanslarda olduğundan çok daha incelikli bir şekilde ölçülebilir. Bu nedenle laser ışığı,
yıldızların hızlarını incelikli bir şekilde ölçmek için kullanılır.

4.6. DİJİTAL VE ANALOJİK HESAP MAKİNALARI

Laser enformasyon konusundaki ilk uygulamasını elektronik ve optik devreler teşvik

eder. Bahis konusu devrelerde yarı tletkenli laserlerden faydalanılır. Yüksek güce ihtiyaç
yoktur. Sadece modülasyon kolaylığı ve mümkün olduğu kadar az yer işgal etme konuları
ana problemleri teşkil ederler.

57
 Böyle bir sistemin en avantajlı tarafı, iki eleman arasında optik bağlantı
kurarak, elektronik sistemlerde önemsenmeyen kuplaj olaylarının ortadan
kalkmasıdır Bu optik elemanlar vasıtasıyla elde edilecek hesap cihazları daha küçük, daha
süratli ve daha çeşitli işler için kullanılmaya elverişli olacaklardır. Bunun sebebi de optik
sistemlerde, komitasyonun, elektronik sistemlere nazaran daha kofay ve kısa oluşudur.

4.1. MÜHENDİSLİKTEKİ UYGULAMALARI

Mühendislikte lazerler; hassas ölçümler ve kompütür sistem teknolojisinde

kullanılır. Keza lazerler; emniyet sistemleri, spor sistemleri, beyzbol ve temel
eğitim, grafikler, tesis izleme; kontrol, malzeme süreçleri uzaktan süreçleri
algılama gibi diğer birçok mühendislik safhalarında kullanılır,

4.1.a. Uzay Teleskobu

Karışım modelleri yapmak için lazeri kullanma kısa mesafeleri ve yüzey

sınırlarını ölçme için kullanılan en kesin metodudur. Lazerlerin oluşturduğu
karışıma (interference) modeller hubble uzay teleskopunun 2.4 metre çaplı ilk
aynasında kullanılıp nesneyi en mükemmel ve en geniş izlemek için kullanılmıştır.
Uzay teleskopu Galileo teleskopu icat ettiğinden beri astronomik olarak kullanılan
cihazlardaki en büyük teknik ilerlemeyi temsil eder. Atmosferik absorbsiyon,
atmosferik türbülans, şehir ışıkları ve hava kirlenmesinin kainatın geri kalan
kısmından alınan ışığının kalitesinin etkilendiği yer yüzü üzerinde, uzayda 550 km
uzakta yörünge yapmak için dizayn edilir.

Uzay teleskopu daha önceki sahip olunandan 10 defa net görmek için
nesneleri 50 defa daha solgun sezmek için 7 defa daha derine görmeye imkan
sağlar. Bu, geçmişte yapılabilenden 350 defa daha büyük kainatı inceleme
anlamına gelir. Bilim adamları yeni problemi çözmek, astronomi ve kozmolojideki
bazı önemli dikkati çeken problemleri çözmek için birçok yeni şeyi keşfetmeyi
umarlar.

Lazerler bu kıymetli cihazın yapılmasına önemli rol oynadı. Son şeklini

tayin eden aynanın cilalanması sırasında helyum neon lazeri ayna yüzeyinde bir
karışım oluşturacak şekilde diğer çeşitli optik parçalar kullanılmıştır. Karışım
modeli yaklaşık 25 nm'de yüzey şeklinin izini muhafaza için cilalamaya imkan
sağlar. Karışım modelinden elde edilen bilgi ayna yüzeyinin topografik haritasını
elde etmek için her bir cilalama adımı sırasında kompütüre beslenir. Bu haritalar
58
çalışan bozulmamış net şekilleri (berrak) oluşturmak ve ışığı odaklaştırmak için
sahip olmaları gereken hangi kısımların istenilen hiperbolik şeklin üstünde şekilde
veya altında olduğunu mühendislere gösterir. Aynanın yüzeyi; ayna çap olarak
5000 km genişlerse o kadar mükemmel olur ki yüzeyi mükemmel bir hiperbolden 6
cm'den fazla ile değişmez.

4.1.b. Lazer Yazıcıları

Döner poligon şekilli ayna gibi izleme cihazı ve bir elektroskobik modülatör
veya bir akustooptikli diyot lazeri veya helyum neon kombinasyonu lazer izleyicisi
olarak lazer yazıcıları oluşur. Lazer izleyicileri resim ve karakter verilerini
oluşturmak veya okumak için bir çok uygulamada kullanılır. Yüksekhızlı kompakt
olmayan yazıcılar sistemleri işaretlemede (belirlemede), mesafe bulucularda, lazer
radarlarında, fototeyp kurucularda, çubuk kodlu okuyucularda (süpermarketteki
lazerli kontrol okuyucu), optik teftiş sistemlerinde, fotolitograflarda, optik karakter
tanıma sistemlerinde, göze ait oftal (opthal) mik resim yazıcılarda ve robot
alıcılarda kullanılır. Lazer izleyicileri diğer tip sistemlerde, fiyatta yarışma halinde
olan kaliteli, yüksek hızda güvenirliliği sağlar.

4.2. LAZERLERİN ENDÜSTRİYEL UYGULAMALARI

Lazerler; imalat, malzeme işleme, teftiş, işlem kontrolü, kimyasal sentez ve

özel uygulamalar için endüstride yaygın olarak kullanılmaktadır. Malzeme işleme,
delme, kesme, kaynak yapma yüzey işlemine makinaya yardım gibi şeylerdir. Çoğu
uygulamalar, metal ve yarı iletkenlerin alanındadır. Fakat plastikler,seramikler,
cam, lastik kompozitler, kağıt ve tahta lazer ile işlenmektedir. Endüstride lazerlerin
kullanım sayısı her gün artmaktadır. Yüksek güçlü lazerlere onlara birlikte yapılan
işlem ve kontrol sistemleri pahalı ve komplekstir ve kullanım için özel uzman
gerektirir. Lazer niye kullanılır? İlk cevap lazerleri kullanarak daha iyi birçok işin
yapılabilmesidir. Gittikçe daha çok usul klasik metotlardan daha hızlı, daha verimli
fiyat olarak aşağı bir işi yapmak için geliştirilmektedir. Gerçekte lazerler şimdi
daha önce yapılamayan birçok parça ve bileşimin imalatı mümkün kılmaktadır.

4.2.a. MALZEMELERİ İŞLEME

Şimdi parçalar lazer sistemlerinin ileri işleme tekniğinin avantajı ile

işlenmekte olup bu geliştirilmektedir. Bir örnek, Amerikan otomobil üreticisi
tarafından geliştirilen havalandırma kompresörlü bir otomobil için debriyaj plakası
ve makaranın bileşimidir. Bu kısım performansı azaltmadan ağırlığı koruyarak

59
önceki parçalar kadar ağırlığı yarıya indirilir. Onun kısımları basit metotlarla
kaynatılmayan bağlantıları içerir. Kaynaklar 3 tane 5 kw'lık sürekli lazer ile yapılır.
Eriyen kaynak 1/4 inç derinliğe kadar, parçalar arasına gerekli kontağa girer. Bir
komple kaynak 10 sn'de yapılır. Bu kısımda üretimin her gün 30000 adet yapılacağı
düşünülür.

Diğer metodlar; lazer teknolojisi ile yarışır fakat lazerler en çok istenen
metoddur. Elektron ışın kaynağı lazer kaynağına benzer yöntemleri sunar fakat
elektron ışın sistemlerini zor sürdürürler ve kaynaklanan kısımlar bir vakumda
bulunmalıdır. Elektron ışın sistemleri; lazer kaynak yapıcıları için %20-30 daha
aşağı zaman ile kıyasla zaman %60'ında tipik olarak işlem dışında bulunup işlem
süresini azaltırlar.

CO2 ve Nd:YAG lazerleri; kesme, kaynak, işaretleme ve tavlama gibi

malzeme işleme işlerinde üstündür. CO2 lazerleri, en yaygın endüstriyel lazerdir.
Özellikle çok yüksek güçlü uygulamalar için böyledir. Kesme ve ağır çeliği kaynak
etme amacı için 20-30 kw bölgesinde CO2 lazerleri istenir. Bu güç seviyeleri 2.5
cm kadar olan çeliği işleyebilir (bu kalınlıktaki çelik). Kullanılan şimdi en güçlüsü,
Sunny Vale, Kaliforniya, Westing House lazer merkezindeki kullanılan Avco
Everett tarafından yapılan 25 kvv'lık CO2 lazeridir. Cihaz ve güç cihazlarıyla böyle
bir lazer küçük bir binaya konamayacak kadar büyüktür. Büyük ve önemli lazer
sistemleri Alberta Üniversitesi elektrik mühendisliği bölümünde 20 kw güçlü ticari
CO2 lazerini kontrol etmeye kolay, ucuz, daha kompakt oluşturacak ileri harekete
geçirme teknikleri uygular. Bir kw'dan daha az gerektiren uygulamalı için ya CO 2
ya da Nd:Yag lazerleri kullanılır. Seçim özel uygulamaya, lazere, kontrol
sistemlerine ve fiyata bağlıdır. Lazerler yalnız değildir. Prosesi kontrol ederek,
teslimi (iletim) kontrol ederek çalışması kısmına lazer ışığını vermenin bir yolu
olmalıdır. Mikro kompütür ve robot gibi iki önemli cihaz bu işlemleri yapar. Özel
programlanmış mikro kompitürler çoğu endüstriyel lazer sistemlerinin önemli bir
kısmıdır. Kontrol ve işlemi yapılan kısımların ve lazerin zamanlaması için
kullanılır. Parçalar yerine hareket etmeli, lazer aktif olmalı, parça veya lazer ışını,
işlemi yapmak için gerekli hassasiyet ile uygun modelde hareket etmelidir ve
lazerin aktivitesi bozulmalıdır ve kısım hareketk etmelidir, böylece bir sonra yerine
hareket edebilir. Robot kolları ve çeşitli pozisyon cihazları mikro kompütür ile
kontrol edilir ve lazer ışınını hareket ettirmek için kullanılır veya işi yaptırılacak
kısım hareket ettirilir. Robot kolu, elektrik cihazlar, alıcılar, motor ve mekanik
cihazların özenli bileşiminden ibarettir. Kollar; karışık ve özenli manevralar
yapacak güçtedir. Robot kolları çalışılan parçayla meşgulken ve tam doğru
durumda odaklanan lazer enerjisini sürdürürken lazer enerjisi robot kolu boyunca

60
yöneltilmiş olmalıdır. Ortalama güç 20-30 W'dan daha az olan uygulamalar için
fiberoptik kablolar kullanılabilir. Fiberoptikler CO2 lazerleri için kullanılamazlar.
Zira yapıldıkları cam 10.6 mikrometre radyasyonu yaymazlar. Çıkış gücü 30-40
W'dan daha az olan CO2 lazerleri için bükülgen iç yansımalı dalga klavuzu adı
verilen bir tip kullanılabilir. Yüksek güçlü uygulamalar için mafsallı optik kollar
içindeki yansıtma prizmaları lazer enerjisini vermek için kullanılmalıdır.

Çok büyük ve ağır nesneler işlendiğinde lazer ışını hareket ettirmek daha
kolaydır. Nesneler küçük ve iki tarafta veya daire çevresi etrafında işlem yapılması
gerektiğinde nesneyi hareket ettirmek daha kolaydır. Diğer zamanlarda verilen bir
modelde kesmek ve kaynatmak için ışının ileri geri hareket ettirildiği ve
malzemenin lazer sisteminden geçirildiği yerdeki sürekli işlem durumunda olduğu
gibi lazer ışını ve işlemi yapılan nesneyi hareket ettirmek ajantajlıdır. Giyim
üreticileri aynı zamanda kumaşın birçok tabakasında modelleri kesmek için bu
sistemi kullanırlar. Lazer temiz, net kesim yapar, böylece kesinlikle kontrol
edilebilir ve bozmaz ve kumaşı kaydırmaz.

Yeni imal edilen 800 W'hk CO2 lazeri 500-1000 W aralıkta çıkışı olan diğer
lazerlerin boyutlarının 1/10'udur. Optik iletim sistemlerinin kayıpları ve
karmaşıklığını azaltarak doğrudan robot kolda montesi uygun olabilir.
Malzemelerin lazer işlemlerini; klasik şekilde işlemin zor olduğu veya zayıf
sonuçların elde edildiği yerde veya özel isteklerin olduğu yerdeki durumlarda
genellikle kullanılır. Lazerlerin geniş kullanma alanlarından birisi de küçük
cihazların imalatındadır (mikro imalat). Lazer ışığı mikrometrenin birkaç onuna
kadar odaklanabilir ve pozisyonu birkaç mikrometreden daha az sınırda kontrol
edilebilir. Bu çok küçük nesnelerin bazıları mikroskopta bakılmayı gerektiren;
delinebilmesi, kesilebilmesi ve güvenilemez hassasiyete kaynaklanabilmesi
anlamındadır. Delikler ve kesilen yüzeyler düz ve temizdir ve düzelme
gerektirmez. Lazer çok sert malzemelerin işlenmesi için özellikle kıymetlidir, bu
malzemeler sertleştirilmiş çelik nikel bileşikleri ve titanyum bileşikleridir.

4.2.b. KAYNAK YAPMA

Lazerler mikro devrelerden ağır çeliğe kadar her şeyi kaynaklayabilir. En

büyük kaynak lazerleri sürekli olarak 20-30 KW çıkış gücündedir. Kaynağı tam
noktada ısıtıldığında ve parça ile hiçbir temas yapmadığından ve böylece hiçbir
basınç uygulamadığından lazer kaynağı hiçbir dolgu maddesi gerektirmez ve
bozunmayı azaltır. Lokalize edilmiş ısı ekseriye daha kuvvetli, daha güvenilir
kaynakları yapar ve kaynak işi çok hassas ve doğrudur. Mesela cerrah testere

61
bıçakları; göz cerrahisinde kullanılan cihazlar, lazer ile kendi saplarına kaynatılır.
Bu cihazların herbiri oldukça hassas kontrollü, güvenilir kaynaklar gerektirir. ABD
donanması gemi inşaatına yardım için bir büyük kaynak tesisi inşa etti. Bu tesis
ağır çelikten yapılan büyük gemi parçalarını kaynaklama gücündedir. Tesis gemi
inşaatında tasarruf sağlamaktadır. Zira el ile yapılandan daha hızlı ve daha iyi
kaynak yapılabilmektedir.

4.2.c. TIPTAKİ UYGULAMALARI

Lazer uygulamalarında beklenmeyen bir gelişme tıp dünyasmdadır. Dikkatle

kontrol edilen lazer ışını klasik cerrahideki gibi olmayıp zedelerin ve hassas
olmayan beyindeki tümörleri uzaklaştırır. Argon lazer ışınları kanı durduracak ince
damarları pıhtılaştırmak için ve yerinde yırtılan retina dokusuna kaynak yapmak
için göz retinasında odaklanabilir. CO 2 lazerleri kanamayı durdurarak ve
enfeksiyona karşı koyarak dokuyu kesme yerine neşter ile kullanılır. Argon,
Yd:YAG ve eksimer lazerleri kalp damarlarındaki birikmeyi uzaklaştırmak için
kullanılmaktadır. Zaten yüzbinlerce insan tıbbi yöntemlerdeki düzensizlik ve
gelişen daha az acıya katlandı ve tıpta lazerin kullanımında hayatları korundu.
Gelecekte tıbbi yöntemlerin büyük yüzdesi lazerleri içerecektir. Daha fazla yöntem
klasik tedavinin zor olduğu imkansız olduğu hatta yan etkilerin olduğu durumlarda
lazerlere uygulamak için bulunmaktadır. İyi bir örnek gözün tedavisi olan
oftamalojidir.

Lazerin en yaygın tıbbi uygulamalarından biri beyine sinirsel çarpmalar

şeklinde imajlar gönderen ve ışığı alan gözün gerisindeki hassas dokudan ibaret
olan retinanın tedavisidir. Retina oldukça hassas ve kolayca hasar görebilir. Yapısı
ince dokulu kağıt gibidir. Cihazlarla retinanın fiziksel olarak el ile tedavisi hasar
olması nedeniyle büyük riskli olduğundan dikkatle yapılmalıdır. Fakat retinaya
odaklanan düşük güçlü argon lazeri; yırtık, ayrılmış veya hasarlanmış dokular
yerine retinal doku olarak nokta kaynağı yapabilir. Lazer bir başka yol ile
etkilenecek şekilde çok zor olan bir proses olarak retinadaki kanamayı durduracak
küçük kan damarlarının pıhtılaşmasını sağlar. Lazer yöntemi hiçbir cerrahi şey
gerektirmez. Doktorun muayenehanesinde yapılabilir. Hızlı, verimli, emniyetlidir
ve hasta aynı gün taburcu olabilir. Hastanın rahatı sağlanır ve hastane masrafı
gerektirmez. Hasta için lazerlerin kullanımları tıbbi yöntemler için
basitleştirilmiştir ve verimlilikleri artmıştır ve rahatsızlıklar azalmıştır. Doktor için
lazer yöntemleri basitleştirilmiştir ve daha az zaman gerekir. Fakat yeni cihazların
kullanımı için eğitilmesi gerekir ve şüphesiz doktor veya hasta diğer hastane
cihazları gibi pahalı olduğunda uzun süreli işlem fiyatını azaltan lazer cihazları gibi

62
pahalı olduğunda uzun süreli işlem fiyatını azaltan lazer cihazını satın alacak güçte
olmalıdır.

Tıpta en yaygın kullanılan lazerler sürekli çalışan CO2 ve Nd:Yag ve argon

lazerleridir. Bunlar şimdi yedekleri salamakta ve belki çarpmalı Yd:YAG diot
lazerleri ile yer değiştirmektedir, en önemli eksimer lazerleridir. CO 2 lazerleri
tümör gibi beklenmeyen kütlelerin buharlaşması için ve neşterin kullanımı
durumunda yerine geçerek dokuyu kesme için esas olarak kullanılıyor. Klasik
anlamda lazer ile kesmenin önemli avantajı enfeksiyonun önlenmesi, kolay görme,
daha az komplikasyon ve hasta için iyileşme zamanı ile sonuçlanır. CO2 avantajı
çoğu dokularınlO.6 mikrometrede optik absorpsiyona sahip olması ve kolayca
buharlaşmasıdır. İki önemli dezavantajı vardır. CGVyi nakletmezler ve sadece bir
özel bükülür dalga klavuzu geliştirilmiştir. Hatta bu 30 bölümde bir ılımlı
bükülmenin %40'ını kaybeder. CCVnin ikinci dezavantajı dokuyu yakar ve hasar
ile sonuçlanır. Keza CO2 lazer radyasyonu kan ile iyice absorbe olur ve bundan
dolayı diğer lazerler gibi pıhtılaşmayı müsaade etmez.

Argon lazeri dokunun kesilmesi uzaklaştırılması için keza kullanılır fakat

kanamayı durduracak pıhtılaşma için daha faydalıdır. Işık ile pıhtılaşma foto
pıhtılaşma olarak isimlendirilir. Kandaki kırmızı pigment, hemoglobin, argon dalga
boyunu absorbe eder. Çoğu dokular CO2'ye olduğundan daha az organla
absorbentdirler. Böylece argon lazer ışığı daha derine dalar ve daha fazla saçılır.
Argon lazer ışığı CCVnin yapabildiğinden daha küçük noktaya odaklanabilir.
Böylece mikro cerrahide göz ve beyin gibi bölgelerde faydalıdır. Argon lazer
ışığının dezavantajları çoğu dokular için düşük absorbe edicidir ve lazerin düşük
etkilerindendir. Düşük etkinlik büyük giriş gücü ve soğumayı gerektiren iri ve
taşınamayan sistemi gerektirir. Bazı tıbbi uygulamalarda kullanılan argon lazerleri
28 kw kadar sürekli güce sahiptir. Büyük giriş güçlü ve soğutma ihtiyaçlı
lazerlerdir. Daha iyi lazer cihazları geliştirilmekte olduğundan argon lazeriargona
çok yakın olan bir çıkış dalga boyuna sahip çarpmalı modda çalışabilen daha küçük
ve daha kompt sistemlerde daha fazla gücü oluşturulabilen çift frekanslı Nd:YAG
ile yer değiştirmektedir. CO2 üzerinde argon ve Nd:YAG'nın özel bir avantajı
bükülebilir fiberoptik kablolar ile ışığın kendi dalga boyunu kolayca
verebilmelilerdir.

Nd:YAG'ın çoğu kesim ve doku uzaklaştırma uygulamalarında

kullanılabilir. Fakat CCVden daha az absorbsiyon yüzünden (dokudaki) azıcık
dezavantajlıdır. Fakat CCVden daha iyi pıhtılaşmaya sebep olabilir ve bundan
dolayı birçok kan damarlı tümörler ve damarsal tümörleri uzaklaştırmada daha

63
iyidir. Yeni uygulamalar lazer kilitli Q anahtar modunda bulunduğunda Nd:Yag
için geliştirilmektedir. Çeviren sahayı hasarlama ve çok yakmadan yüksek güçlü
kısa çarpmalar dokuyu daha temiz uzaklaştırır. Kilitli mod Q anahtar Nd:YAG
lazer, Almanya da geliştirilen birçok oftamalojik problemlerin başarılı tedavisinde
kullanılmaktadır. Lazer 30 sn süre ile 30 piko saniyelik 4 mili joule'lük çarpmaları
verir. Temiz ve kontrollü olarak gözün iris, lens ve korneasının çeşitli alanlarında
dokuları uzaklaştırır. Tıbbi alandaki en son gelişme eksimer lazeridir. Diğer
lazerler üzerinde de birkaç avantajından birisi de özellikle önemlidir. Eksimerlerin
şiddetli kısa dalga boylu çıkışı ışından bir kaç mikrometreden daha fazla kuşatan
sahayı kesinlikle hasarlamadan temizce uzaklaştırabilir. Kısa dalga boylu
radyasyon fotonları daha fazla enerjiye sahiptir. Bu fotonlar organik dokunun uzun
kompleks moleküllerine çarptıkları zaman iyonize gazların oluşumu ile
neticelenerek moleküllerin kimyasal bağını kıracak yeterli enerjiye sahiptirler. Bu
işlem foto ile bozunma veya foto dağılma olarak isimlendirilir ve bitişik sahaları
hasarlayarak ısınma olmadan moleküllerin parçalandığı esas olarak ayrılır.

Birkaç excimer lazeri şimdi ticari olarak mevcuttur. Birçok tıbbi alanda ve
labaratuvarda araştırılmaktadır. Eksimer lazerlerinin iki önemli dezavantajı vardır.
Kullandıkları gazların özellikle emniyetli bir sınırlaması yapılarak işlem odasında
zararlı olduğu söylenir. Bir başka problem tümör büyümeleri gibi uygulamalarda
sonuçlanarak sağlıklı hücrelerde ultraviole radyasyonun S kromozomları
bozabilmesidir. Diod lazerlerin deki gelişmeler tıptaki kullanım için potansiyellerini
artırmaktadır. Çok küçük kompakt ve etkin oldukları için onlara bağlı tıbbi
cihazlarda kullanmak ve çalıştırmak daha kolaydır. Daha stabildirler ve
teknisyenler tarafından sabit ayarlama istemezler. Daha etkili oldukları için daha az
güç isterler. Fiberoptik kablolarla lazer enerjisini verecek kadar daha kolay ve daha
verimlidirler. Diot lazerleri bir tuz tanesi kadar olabildiği için ihtiyaç olduğu yerde
hasta vücudundaki bir noktaya lazer gönderilebilir.

Bağlantı sıralamasında 2.5 W kadar ve tek bir bağlantıda 50 mw olması ile

fiberoptiği kullanan mikro foto pıhtılaşma mikro cerrahi ve endoskopilerde
kullanılır. Gelişmekte olan daha güçlü lazerlerle tıptaki kullanımlarında yakında
diğer lazerlerin yerini almaya başlayabilir. Diğer lazerler ile ideal verimlilik eş
zamanlı iki dalgayı kul.lanarak birini kesme diğeri pıhtılaştırmak için elde
edilecektir. Diot lazerleri çalışılmakta olan dokunun Özel tipine göre çıkış dalga
boyunda olan lazerleri üretimin imkanını sağlar, sonuç olarak kesme ve
pıhtılaştırmada verimli olacaktır. Görünür diot lazeri erindeki gelişmeler bunlar
yerine argon lazerlerinin yerini alması imkanı sağlar böylece daha basit ve daha
küçük cihazları kullanmanın faydalarını sağlar. Oda sıcaklığında çalıştırılan

64
çarpmalı görünür diot lazerleri çift hetero bağlantıları ile iridyum galyum
alüminyum fosfatta geliştirilmiştir. 660 nm'de çalıştırılır. Fakat görünür dört
lazerleri genellikle mevcut olmadan Önce büyük gelişmeler vardır.

Işık yayan diotlar ve lazer diotlarmın bir uygulaması tümörlerin

fotoradyasyon tedavisidir, daha büyük çıkış güçleri mevcut olduğunda fiberoptik
kablolar ve endoskopilerle tümöre doğrudan verme uygunluğu foto radyasyon
tedavisinin tümöre karşı kullanıldığı yerde özellikle üzerinde çalışılmaz tümörlere
daha çokşartlı kullanmayı sağlar. Bu uygulama cm2 güç yoğunluğunda 25-100 mv
güç gerektirir ve santimetre karede 50 mv güç bir birine yakın olan ışık yayar
diotlarla başarılabilir.

4.4. LAZERLERİN HABERLEŞMEDEKİ UYGULAMALARI

Lazerler haberleşmede iki önemli şekilde kullanılmaktadır. İlki optik

fiberlerin kullanımı ikincisi atmosfer ve uzaydan yayılmasıdır. Optik fiberlele
haberleşme hızlıca büyüyen bir alandır ve diot lazerlerinin büyük bir
uygulamasıdır. Teknik gelişmeler öyle hızlı olmaktadır ki fiber optik sistemleri
şimdi klasik tel hattından daha küçük ve daha ucuz olan bir kablodan daha fazla
bilgiyi gönderir. Daha fazla bilgi yanında fiber optikler klasik hatlarda olduğu gibi
elektriksel girişime konu değildir. Savunma (ordu) için önemli bilgiyi dinleyecek
kadar iyi değildirler fakat elektrik sistemlerdeki gibi sinyalin harici yayılması
yoktur. Çap olarak birkaç mm olabilen bir fiberoptik mkablo 1.000.000 telefon
konuşması yapılabileceği zaman gün daha yakın olur. Lazere dayalı sistemler
atmosferden doğrudan doğruya transmisyon ile haberleşme için kullanılır. Hava ve
atmosferik şartlara bağlı değildir ve bundan dolayı fiberoptik sistemler kadar
güvenilir değildir. Savunma (ordu) deniz suyunun en iyi transmisyona sahip olduğu
yerdeki spektrumun mavi yeşil bölgesinde yayılan lazerleri kullanan denizaltıları
için haberleşme sistemlerini geliştirmektedir. İlerine bir gün yerde ve uzaydaki
ayna ve uyduları kullanan lazerler denizaltı gemileri ses ve haberleşmeleri taşıyan
lazer ışınlarını nakledeceklerdir.

4.5. FİBEROPTİKLER

Fiberoptiklerin gelişimi 1960'ın sonlarında başladı. Üstesinden gelinecek ilk

problem azalmadır. Bu fiberden geçtiği zaman bu sinyalin absorbsiyonudur. Bu
problem çözülse de fiber optik sistemler diğer faktörlerle sınırlıdır. Laboratuvar

65
gösterileri şimdi sinyali göstermeden şimdi sinyali yükseltmeden 160 km optik
sinyallerin gönderilmesinin mümkün olduğunu gösterir. Fiberoptik ses ve veri
haberleşme sistemleri dünya çapında güvenilir olan telefon ve haberleşme
şirketlerince bunlar ABD İngiltere Almanya'da ve Japonya'da gelişmekte ve hızla
döşenmektedir. Bölgesel istasyonlar ve yakın şehirler arasındaki telefon
haberleşmesini aynı bölgesel alan ağı için çoğu kullanmaktadır. AT ve T 1000
kadar tüm ABD yi saracak kadar fiberoptik ağı planlanmıştır.

Uzun mesafelerde optik sinyaller taşıma için bir fiberin çalışması toplum iç
yansımaya dahildir. Fiberoptikler optik malzemenin farklı tipinin ince bir tabakası
ile sarılan optik malzemenin uzun dar merkezi çekirdeğinden ibarettir. Dış tabaka
kaplanmış olarak belirtilir. Bir fiberoptiğin parçalarım gösterir diyagram Şekil 14'te
veriliyor. Çekirdek malzeme kaplıdan daha yüksek yansıma indeksine sahip olan
daha az yoğun malzeme olup daha youndur. İşık yayan diot (led) veya diot lazerden
gelen bir optik sinyal fiberin ucundan girdiği zaman toplam içi yansıma yüzünden
çekirdekte kalmaya yönelir ve bundan dolayı sezilebildiği ve kullanılabildiği
yerdeki diğer uca nakledilecektir.

66
 Fiberoptik haberleşme sisteminin basit bir diyagramı Şekil 14'te
gösterilmiştir. Telefon haberleşmesinden ibaret olabilen sinyaller bilgisayar veri
kanalları veya TV yayınlan birlikte multipeks olur (elektronik olarak tek sinyale
bağlanan) ve bir led veya bir diod lazerini güçlendiren ve modüle eden bir
çalıştırıcı modülatöre gönderilir. Lazer ışığı bir fiberoptik kabloya çiftlenir. Yol
alınacak mesafe çok uygundur ve sinyal ilk vardığı yerde sezilecek kadar zayıftır.
Bir tekrarlayıcı gerektir. Tekrarlayıcı bir yükseltici ve fiberoptik kablonun sonraki
bağlantısına optik sinyali yerleştiren bir başka lazer ile takip edilen sinyali hisseden
bir dedektör optik sinyali hisseder ve onu orijinal sinyalleri ayırmak için kodlanan
bir elektronik sinyale çevirir ve onu orijinal sinyalleri ayırmak için kodlanan bir
elektronik sinyale çevirir ve onları kullanmaya imkan sağlar. Dört önemli faktör
fiberoptik haberleşme sisteminin gücünü tayin eder. Bunlar led veya diot lazerin
gücü fiberdeki sinyalin kayıpları veya azalması fiberin bant genişliği ve dedektörün
gücüdür. Bant genişliği yayılacak ışık çarpmasına sebep olan fiberdeki dispersiyon
(açı saçılma) ile tayin edilir. Led ve diot lazerleri için fiberoptik sistemleri
çalıştırmak için kullanılır. Led diot lazerlere benzer fakat optik çınlatıcı olmadan
benzerdir. Elektronların eş zamanlı bileşmesi ve deliklerden ışığı yayar. Led
yayınımı hizalı değildir ve 40-60 nm arasında geniş bant genişliğine sahiptir.
Modülasyona led'in tepkisi diot lazerinkinden çok daha az hassastırlar. Led ve diot
lazerleri spekturumun kızılötesi bölgesinde 800-900 nm arasında radyasyon
yayacak şekilde dizayn edildiklerinde dahi etkili çalışırlar.

Dar ışıkları ve dalga boyları ile diot lazerleri daha hızlı modülasyon
zamanlarına sahiptir ve ledlerin olduğundan bir optik fibere daha etkili olarak
bağlıdır. Bağlanan kaybı ışık lazerden fibere beslendiğinde meydana gelir.

Diot lazerleri uzun mesafeli yüksek oranlı sistemler için daha uygundur.
Fiberler lazerler gibi ya tek mod veya çok moddurlar tek mod fiberler daha iyi
modlu düzenli modların oluşmasını azaltmak için çap olarak (yaklaşık 10 mm)
daha küçüktürler ve çok modlu diot lazerleri ve ledleri için kullanılırlar.
Başlangıçta fiberoptik sistemlerdeki büyük sınırlama kaplamadaki kayıplar ve optik
malzemedeki absorbsiyon ile sinyalin azalması idi. Fiberoptikleri yapmak için
yüksek kaliteli teknikler ve malzemedeki fazla gelişme sonucu olarak azalma artık
önemli problem değildir. Optik fiberler azalmanın teorik olarak yaklaşıldığı 1550
mm'deki dalga boyları için en iyi nakil yaparlar. Şimdiye kadar geliştirilen en iyi
fiberler kunde sinyalin yaklaşık %6'sını kaybeder. 850 nm'de tipik fiber kayıpları
km için optimize edilen fiberlerde kayıplar km için %20'den daha azdır.

67
 Optik fiber performansı için başka limit faktörü için dağılımdır. Fiber
boyunca yol aldıklarından yayılacak modüle olmuş diot lazerlerinden çarpmalara
sebep olarak fiberlerdeki az farklı tuzlardaki farklı dalga boylarının yayılması
yüzünden dağılım (dispersiyon) olur. Yayılma çok fazla ise algılayan sistem gelen
sinyal ile yorumlanamaz. Fiberler 1300 nm'de optik sinyaller için en düşük
dispersiyona sahiptirler. Fiberler şimdi düşük kayıba sahiptir ki, dispersiyonutı
şiddetli performansların sınırlama alanını gelen sınırlanmış dağılma olarak
isimlendirilir. Şimdiki araştırmalar 1300 nm'de düşük kayıplı fiberler ve 1550
nm'de düşük dağılımlı fiberlerin gelişimi üzerinde yoğunlaştırmıştır. Böylece
azalma ve dağılma aynı dalga boyunda azaltılabilir. 800-900 nm'deki çalışmalara
ilave olarak bu dalga boylarında çalışacak gelişmiş diot lazerleri ve dedektörleri
geliştirmektedir. Tekrarlayıcı olmadan 161 km saniyede 400 megabayt gönderecek
durumu laboratuvar çalışması göstermiş olsa da fiyat etkisi az olan kuruluş için
hazır olan daha pratik ve daha güvenilir sistemler tekrarlayıcı olmadan 36 km
saniyede sadece 140 megabayt gönderilebilir. Büyük ölçekli fiberoptik haberleşme
sistemleri mevcut verileri ve telefon şebekesini eklemek için planlanmaktadır.
Fakat çoğu planlar bakım masrafının çok yüksek olduğu özellikle su altı sistemleri
için yeni laboratuvar gelişmeleri bekleniyor. Böylece bu sistemler daha ekonomik
olacaklar ve daha az bakım gerektirirler. Çok güvenilen tekrarlayıcı 1 arın bir kısım
sistemin çalışması için esastır. Fiberoptik sistemler ABD, Fransa, Almanya,
Japonya da kurulmuş ve kullanılmaktadır. Diğer fiberoptik haberleşme sistemleri
dünyanın çeşitli yerlerinde planlanmaktadır. Fiberoptik kablolardaki optik sinyaller
tek kablolardaki elektrik sinyallerinden daha fazla bilgiyi taşıyabilirler.

68
KAYNAKLAR:

1. ' Physics and Technology of semiconductor devices' A.S. Grove, Intel Corporation,
Mountain View- University of California, Berkeley
2. ' Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics' Shyh Wang, Prentice
Hail Series in Electrical and Computer Engİneering - Leon O. Chua, Series Editör
3. 'Physics of Semiconductor Devices' S. M. Sze - Bell Laboratories, Incorporated
Murray Hill, New Jersey
4. 'Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers' G.Bauer, W. Richter-
Springer, 1996
5. B. Koley, R. Jin, G. Simonis, J. Pham, G. McLane, D. Stone, and M. Dagenais
"Kİnetics of Growth of AIAs Oxide in Selectively Oxİdized Vertical Cavity Surface
Emitting Lasers", Journal of Applied Physics, vol, 82, pp. 4586, 1998.
6. B. Koiey, M. Dagenais,R. Jin, G. Simonis, J, Pham, G. McLane , R.D. Whaley Jr., F.
Johnson, " Dependence of Lateral Oxİdation Rate of AIAs Layer used as a Current
Aperture in Vertical Çavity Surface Emitting Lasers on Different Physical
Parameters". SPIE Photonics West, January 1998.
7. B. Koley, M. Dagenais,R. Jin, G. Simonis, J. Pham, R.D. Whaley Jr., F. Johnson,
"Dependence of lateral oxidation rate on thickness of AIAs layer of interest as a
current aperture in vertical-cavity surface- emitting laser structures ", Joumal of
Applied Physics, vol. 84, pp. 60 , 1998.
8. B. Koley, M. Dagenais,R. Jin, G. Simonis, J. Pham, R.D. Whaley Jr., F. Johnson,
"Studies on dependence of wet oxidation kinetics of AIAs layer in vertical-cavity
surface-emitting laser structures on different physical parameters", CLEO '98, CTuQ2,
pp. 200.
9. William Lawler, George Simonis, John Pham, Madhumita Datta, Bikash Koley, and
Mario Dagenais,"CMOS Driver Circuit for Hybrid Optoelectronic Interconnects," ;
The Second International Wokshop on Design of Mixed Mode Integrated Circuits and
Applications, IEEE CAS, Guanajuato City, Mexico, July 1998
10. B. Koley, L. Wasiczko, R. D. Whaley, Jr. , M. Dagenais, F.G. Johnson, "Complete
Characterization of Selective Oxidation of AlAs used as a Current Aperture in Vertical
Cavity Surface Emitting Lasers", to be presented in OSA Annual Meeting, October
1998, Baltimore MD.
11. B. Koley, L. Wasiczko, R. Whaley, Jr., F.G. Johnson, G. Simonis , M. Dagenais
."Parametric Analysis of AlAs Wet Oxidation Process for Application in VCSELs",
IEEE LEOS Annual Meeting, December 1998, Orlando, Florida.
12. B. Koley, K. Amamath, S. S. Saini, M. Datta, L. Wasiczko and M. Dagenais, J. Pham,
J. Pamulapati, P. Newman, P. H. Shen, W. Chang, and G. J. Simonis, "A High-speed
Smart Pixel Array using VCSEL based Integrated Optoelectronics", to be presented in
OSA Topical meeting on Spatial Light Modulators and Integrated Optoelectronic
Arrays, April 1999, Aspen, Colorado
13. J. Liu, M. R. Stead, J. Pham, W. Chang, and G. J. Simonis , B. Koley, K. Amamath,
L. Wasİczko, M. Datta, and M. Dagenais, "Imaging and Hyper-Spectral Behavior of
Flip-Chip CMOS-Driven 956 nm Back-Emitting Vertical-Cavity Surface-Emitting
Laser Array", to be presented İn OSA Topical meeting on Spatial Light Modulators
and Integrated Optoelectronic Arrays, April 1999, Aspen, Coiarado.

69
 YARIİLETKEN INJECTION LASERLER

Laser saf monokromatik radyasyondur. Elektromanyetik lazer dalgasının

herhangi bir zamandaki fazı önceki veya sonraki herhangi bir andaki
fazıyla bağlantılıdır. Bu tip radyasyon kohorent olarak isimlendirilir ve
“araç üretimi lazer” olarak isimlendirilir. LAZER İngilizcede ‘Light
Amplification by Stimulated Emission of Radiation’ ifadesinin baş
harflerinden oluşur.
Laser ışığı gelme olasılığı kuantum mekanik prensipten,Dirac tarafından
ispatlanır,Bu durum şudur; foton ve elektron birbirini etkilediğinde,eşitlik
olasılığı şöyledir:
a. Foton absorblanır ve elektron uyarılır(excited,heyecanlanır) veya
b. Eğer elektron henüz uyarılmışsa gelen foton uyarılmış durumdan düşük
enerjili duruma düşmesi yoluyla ikinci fotonun emisyonu uyarılır. Bu
ikinci foton aynı dalgaboyu, faz,polarizasyon ve yayılma doğrultusu
başlangıçtakiyle aynıdır. Böylece orjinal foton fazlalaştırılabilir.
c. Popülasyon değişimi PN eklemi yanında yüksek doping yoğunluğunun ve
ileri yönde akımın kullanılması yoluyla başarılır.İnjected taşıyıcıların
büyük sayısı eklem yakınındaki bölgede yaratılır. Bu bölgede büyük
miktardaki elektronlar iletim bandında yine büyük miktardaki holelerle
valans bandında birlikte bulunur. Popülasyon değişimi Fig.21.10(a)’da
gösterilmiştir. Bazı injected elektronlar kendiliğinden tamamlanmaya
başlar, fakat birinci birinci foton yeniden absorblananın yerine yada
radyasyon yaymayla, daha fazla fotonun emisyonu uyarır,araç duvarına
varır ve içten aynası (mesela kristal yüzey) tarafından eklem düzlemine
geri yansır. Popülasyon değişim bölgesinden uyarılmış daha fazla foton
70
 tekrar geçerler ve zıt duvara çarparlar. Bazıları tekrar yansır ve böylece
daha güçlü kohorent ışık emisyonu uyarır. Dışarıya radyasyon yoluyla
ışık kaybı olur ve ışık kaybı eklemden uzakta yarıiletkenin içinde tekrar
absorplama ile de olabilir. Bu durumda orada popülasyon değişimi olmaz.
Işık şiddeti ışık kayıplarının bütünüyle ışık amplifikasyonu yoluyla hangi
değerde olduğu tespit edilmeli.

Yarıiletken lazerlerde ışımanın alınması için gerekli olan nüfus teslenmesi

genel olarak aşağıdaki bağıntı ile verilir.

En - Ep > Eg

En = İletkenlik bandında bulunan elektronların yer aldığı enerji seviyesi.

Ep = Valans bandında bulunan deşikin yer aldığı enerji seviyesi.
Eg = Yasak band aralığı enerjisi

Ana GaAs injection laser yapısı Fig.21.10(b)’de gösterilmiştir.

Kristal axes’lerin yönelimlerinin uygun seçenekleri yoluyla iki zıt A-A’

duvarları Fig24.10(b)’de yapıştırılmış ve tamamiyle paralel ve pürüzsüzdür.Işık
içeriden bu duvarlara vurduğunda, refractive indexin farklı olması nedeniyle
yaklaşık yüzde 30’u geri yansır ve bu içteki kayıpları yenmeye yeterlidir.Rest
kohorent ışık gibi dışarı verilir. B duvarları pürüzlendirilmiş olup,daha fazla
elektromanyetik osilasyon modu oluşturur ve laser iki veya daha fazla farklı
dalga boyunda aynı zamanda oluşabilir. Bu çeşit yapılar Fabry-Perot oyuk
olarak isimlendirilir.
Temel laser yapısıyla ana zorluk laser ışımasınınolması için yüksek akım
yoğunluklarına ihtiyaç vardır.(40-100 kA1/cmcm 300K’de fakat yalnızca
yaklaşık 5kA 1/cmcm 77K’de). Yalnızca sıvı Nitrojen sıcaklığında
çalışabilirler.MBE ve MOCVD teknolojileri bugün heterostructure laserlerin
teknolojisine izin verir. Farklı potansiyel bariyerleri iletim ve valans bandında
yer alabilir. Double heterostructure laser Fig.21.10(c)’de ve (d)’de
gösterilmiştir.İnjected taşıyıcılar eklem yakınlarına sınırlandırılabilir. Aynı
zamanda refractive indexdeki değişim aynı yakınlıkta dışarı verilen ışığı sınırlar
böylece elektronların,holelerin ve fotonların çok yüksek konsantrasyonu ince
aktif bölge (d=0,1-0,5mikrometre) içinde oluşturulur.
Laser ışını başlangıç akım yoğunluğu öncekinden düşük olduğunda olur.
(Jth=500A1/cmcm 300K’de).Ith’nin azalması dar stripe kontak kullanılmasıyla
(=20mikrometre) başarılır Fig21.10(c).Güvenilir laser diodelar sürekli
dalgaboyu 0,85mikrometre Ith=10-20mA iken oluşturulur. Dışarı verilen laser
ışığı ışık pulslarıyla ayarlanır laser anahtar akımı başlangıcın üstünde veya
altında olduğunda. Modülasyon frekansları 2GHz’i aştığında başarılır.

71
Injections laserler çeşitli ek direk band aralıklı yarıiletkenlerde
GaAsP,InGaP,AlGaAs gibi PN eklemlerinden yapılanlarda görülür.AlGaAs
GaAs üzerinde olan şu ana kadar yapılanların en iyisidir.

İlk yarıiletken injeksiyon lazerin yapısı Şekil-4 te verilmiştir.

Şekil-4. Yarıiletken diyot laser (GaAs)

72
INJECTION LAZER KONFİGÜRASYONLARI

INTERNAL-CAVITY LASER

EXTERNAL-CAVITY LASER

CLEAVED COUPLED CAVITY (C3) LASER

DISTRIBUTED FEEDBACK (DFB) LASER

73
 DISTRIBUTED BRAGG REGION (DBR) LASER

3.1) EDGE EMİTİNG LAZER:

Yarıiletken laserlerin görünüşü ve çalışmasını inceleyeceğiz. İlk

yarıiletken laserler ağırca katkılanmış bölünmüş yüzeylerle p-n eklemlerinden
meydana gelir. Bu yapı yeniden birleşimin yer aldığı yerde hiç tanımlanan bölge
olmadığı zaman etkisizdir. Yeniden birleşme meydana gelmeden önce taşıyıcılar
difüzyona kaybedilir. Sonuç olarak, bu erken araçlar başlangıca ulaşmak için
pekçok akım gerektirir. Başlangıç akımları ikili farklı yapılı (double-
heterostructure) laserlerin gelişmeleriyle azaltılır.(İkili farklı yapılı laser ince
yarıiletken bölgeye sahip daha küçük enerji aralıklı sandiviçlenmiş, iki zıt
katkılanmış geniş band aralık enerjili yarıiletkenler arasında).İleri
meyillendiğinde, taşıyıcılar aktif bölgeye akar ve yeniden birleşme daha etkili
olur. Çünkü farklı yapıların (heterostructure) potansiyel bariyerleri taşıyıcıları
aktif bölgeye sınırlandırır.Laser ışığının diğer bir avantajı da kaplanan
yüzeylerin kırılma indisi aktif bölgeden daha düşük. İkili farklı yapı laserlerin
tipik yapısı aşağıdaki gibi gösterilir:

Aracın yüzeyindeki çubuk bağlantısı, aracın sınırlandırılan küçük bölgesine

kabaca akım akışı içindir.Aracın büyüklüğü hakikatte biraz küçüktür. Oyuk
atomların düzlemi boyunca bölünen yarıiletken tarafından biçimlendirilir.
Başlangıç akımı 10 mA ile bu çeşit araçlar için tipik boyutlar 200 μm x 50 μm x
100 μm’ dir. Emisyonun yüksek uzatılmış alanı ışınların sapıp kırılmasına neden

74
olur bu da ışığın yüksek astigmatik demeti olarak sonuçlanır. Birçok laserler,
yarıiletken laserler geniş çeşitli demetlere sahiptir.

Araç Çalışması

Araç ileri meyilli olduğunda, taşıyıcılar aktif tabaka ve yeniden birleşmeye

(recombine) akarlar. Laser çalışmasını anahtarı uyarılmış elektron ve foton
nüfusu arasındaki etkileşimdir. Eğer ışığın enerjisi iletim ve valans bandındaki
elektronların enerjisindeki farkla aynı olursa, uyarılmış emisyon meydana gelir.
Aracın bölünmüş yüzeyleri aynalar gibi davranır. Yansıyan fotonlar
yarıiletkenin aktif tabakasına geri döner. Yarıiletkende fotonlar uyarılmış
elektronlarla birbirine tesir ederler. Oyuk rezonans frekansında uyarılmış
75
emisyonun enerjisine benzer şekilde dizayn edilmiştir. Edge emitting araçların
bölünmüş yüzeyleri çarpan ışıkla yansıyan ışık arasındaki orana (reflectivity)
sahiptir.Bu oranın % 30 u bazı ışıkların kaçmasına izin verir. Bu tip araçlar
Fabry-Perot resonant oyuğun kullanılmasıyla tanımlanır.En basit optik rezanatör
(çınlaç) birbirine paralel iki aynadan meydana gelen ve ışığı yalnızca bir boyutta
yerelleştiren Fabry-Perot çınlacıdır. C.Fabry ve A.Perot bu rezanatörü (çınlacı)
1899 yılında icat etmişlerdir. Bugün kullanımda olan laserlerin birçoğunda bu
geometri kullanılmaktadır. İki ayna arasındaki mesafe eğer foton dalga boyunun
yarısının tam katlarıysa bu fotonlar çınlaç şeklinde çınlayacaklardır. Bu
geometrik sınırlama elektromanyetik sınır şartlarından dolayı vardır. Kuantum
mekanik yaklaşımda sadece çınlacın özenerjilerine veya özsıklıklarına sahip
fotonlar çınlaç içinde çınlayabileceklerdir. Fabry-Perot yapısındaki yarıiletken
diyot laserleri tek başlarına bir optoelektronik devre elemanı olarak
kullanılabilirler fakat optoelektronik bir tümleşik devreye tümleştirilemezler. Bu
aslında dikdörtgen oyuk (yüksek parlatılmış yüzeylerle) oyuğun sonundadır.
Dalga için oyukla varolması, yarım dalga boyu uzunluğunda veya matematiksel
terimlerinde tamsayı olması gerekir.

λ
L=q
2

L oyuğun uzunluğu ve q=1,2,3,4..... ve λ maddedeki ışığın dalga boyu. Modlar

arasındaki verilen aralık;

2π
∆k = olur.
L

Yarıiletken laserlerin frekans spektrumu aşağıda gösterilmiştir. Fabry-Perot

modları başlangıcın altında açık olarak gösterilmiş. Başlangıcın üstünde, tekli
mod baskın ve laser frekans dalgası oluşur.

76
3.2) Double Heterostructure Laserler

1970 yılında ikili hetero-yapıların GaAlAs/GaAs lazerlere uygulanması ile oda

sıcaklığında sürekli çalışmaları sağlanmıştır (Iga, 1996). Ikili heteroyapılar, ışık
kaynak tabakası (GaAs gibi), koyucu tabakalar (GaAlAs gibi), ve daha büyük
yasak enerji bandı olan iki koruyucu katman arasında bulunan aktif çekirdek
tabakasından oluşmaktadır.Koruyucu katmanlar akım geçirmek için p ve n tipi
olarak katkılanmıştır.Yük taşıyıcıların birleşmesi p-n ekleminde meydana
gelmekte, ve lazer ışığını vermektedir. Aktif çekirdek tabakasının kırılma indisi
koruyucu tabakalarından büyüktür. Çıkan ışık, aktif tabaka sınırları içinde
tutulmaktadır ve böylece dielektrik dalga kılavuzu oluşmaktadır. Dalgakılavuzlu
diyot lazerlerindeki ışınının kalitesi geniş alanlı diyot lazerlerinden daha iyidir.
Tipik olarak dalga kılavuzu genişliği sadece birkaç mikrometredir.Dalga
kılavuzları malzemenin kırılma indisinin enine azalmasıyla tanımlanır. Silisyum
oksit izolasyon tabakası,koruyucu tabakanın bir kısmı aşındırıldıktan sonra
büyütülmüştür ve dalga kılavuzunun yanlarından akım geçişini durdurmaktadır.

Böylece akım sadece dar bir alandan geçmektedir. Bu akım, taşıyıcı

nüfusunun tersine çevrilmesi için yeterli olup, lazer kazancını meydana
getirmektedir.p-n eklem laseri eklem düzlemine dikey olarak bir çift paralel
düzlem bağlanılmış veya yapıştırılmıştır. Diyodun duran diğer iki yüzü laser
dalga doğrultusunu diğer ana alandan elimine etmek için pürüzlendirilmiştir. Bu
yapı Fabry-Perot oyuk olarak isimlendirilir.

77
 3.3) VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS (VCSELs)

VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) edge-emitting

laserlerden daha fazla avantajlara sahip. VCSEL’ in dizaynı ince dilim halinde
kesilmiş olarak imaline ve tekli wafer üzerinde test edilmesine izin verir.
Araçların geniş düzeni “flip” gibi metodlar yaratabilir,optiksel bağlantılar ve
optiksel sinir ağ uygulamaları da mümkündür.Telekomünikasyon endüstrisinde,
VCSEL’ lerin muntazam , tekli mod demet profili optiksel fiberler içinde
bağlantı kurmak için caziptir. Bütün bu avantajların yanında fabrikasyonda ve
yüksek güçlerde çalışmasında problem vardır.

İlk VCSEL hakkında 1965 yılında malumat verildi. Bu ilk VCSEL InSb’ nin
n pp+ ekleminden meydana gelmiştir. 10 K’ e soğutulduğunda ve manyetik
+

alana maruz bırakıldığında, taşıyıcılar toplanır, araç dalga boyu 5,2 μm’ nin
yakınlarındayken kohorent radyasyonu dışarı verir. Sonra, diğer gruplar ızgara
yüzey emisyona bildirilir. Kızıl-ötesi emisyon yakınında telekomünikasyon
dalga boyu 1,5 μm olarak 1979 yılında Tokyo Teknoloji Enstitüsünde başarıldı.

İlk VCSEL araçlar (yüksek başlangıç akım yoğunlukları (44 kAcm-2) ve sıvı
Nitrojen kullanarak soğutulması ile) metalik aynalara sahipti. 1983’de epitaxial
aynalara GaAs/AlGaAs VCSEL’ ler için öncülük edildi. Bir yıl sonra oda
sıcaklığında laboratuvarda atma oluşturularak VCSEL’ ler üretildi. Başlangıç
akım yoğunluğundaki azalma oyuğun aktif hacmindeki azalmayla bağlantılıdır.
Bugün, GaAs/AlGaAs VCSEL’leri oksit akım sınırlamasıyla 40 μA’ e kadar
küçük başlangıç akımlarına sahiptir.

78
 Yapısı

Her ne kadar genelde genel bir görünüşe sahip olsa da birçok VCSEL yapı
dizaynları vardır.VCSEL’ lerin oyuk uzunluğu çok kısadır, tipik olarak yayılan
ışığın 1-3 dalgaboyudur. Sonuç olarak, oyuğun tekli geçişlerinde foton düşük
taşıyıcı yoğunluklarında uyarılmış emisyon olayı tetiklemesinde küçük bir şansa
sahip. Bu yüzden VCSEL’ ler etkili olması için çok iyi yansıyan aynalar
gerektirir. Edge-emiting laserlerde yüzeylerin reflectivity’ si yaklaşık % 30’
dur. VCSEL’ ler için reflectivity düşük başlangıç akımları için % 99,9’ dan daha
büyük olması gerekir. Yüksek reflectivity metalik aynalar kullanılarak
başarılamayabilir.VCSEL’ ler Distributed Bragg Reflectors (DBRs) kullanılarak
yapılır.
Bunlar kırılma oranlarındaki farklılıkla dielektrik maddeler veya
yarıiletkenlerin aşağı dizilebilen tabakaları tarafından meydana getirilir.
Saçılmada optiksel karakterler için, yarıiletken maddeler DBR’ lerin küçük
farklılıklarla kırılma oranına sahip oldukları için kullanılır,bu yüzden birçok
periyot gerektirir.
DBR tabakaları akımı aracın içine taşır, daha fazla tabaka aracın direncini
artırır bu yüzden ısı artar, eğer araç zayıf dizayn edilmişse büyümede bir
problem olabilir. Bazı dizaynlar aşağıda gösterilmiştir;

(a) Metalic Reflector VCSEL (b) Etched Well VCSEL

79
(c) Air Post VCSEL (d) Burried Regrowth VCSEL

VCSEL’lerde oyuktan yayılma

80
 2.4 KUANTUM KUYU LASERLER

Yarıiletken diyot lazerlerin kuvantum kuyusunun kalınlıkları on nanometre

kadar ince olabilmektedir. Son yirmi yıl içersinde araştırmacılar,birkaç
nanometre kalınlığında değişik katmanları üst üste koyarak ilginç yapılar elde
ettiler. Tipik olarak üst üste konulan tabakalar değişik yapıdalardı(mesela biri
81
GaAs ise, diğeri GaAlAs’ dir). Bu katmanların yasak enerji bantları ayarlanarak,
elektron ve deşikler için tuzaklar oluşturulabilir.Elektronların ve deşiklerin
tuzaklanması tek boyutta kuvantum kuyularıyla, iki boyutta kuvantum telleriyle,
ve üç boyutta kuvantum noktalarıyla gerçekleştirilmektedir.

Eğer ikili hetero yapının aktif bölgesinin kalınlığı, diğer boyutlarından çok
küçük ise (Lx << Ly, Lz), ve taşıyıcıların de Broglie dalga boyu civarında ise

h
λ= ≈ Lx
p

x yönündeki taşıyıcı kuvantize edilmiştir. Burada, h Planck sabitidir, ve p de

parçacık momentumudur. Kuantum kuyulu lazerler geliştirilirken,üretim
tekniğinde zor şartlar bulunmaktadır ve çok ince (Lx < 50 nm) hetero-yapıların
ara yüzlerinde hiçbir hata bulunmamalıdır. Moleküler işin epitaksisi bu
ihtiyaçları karşılayabilmektedir. Bu yöntemle hazırlanan çok tabakalı
GaAs/AlxGa1-xAs yapıları, eşik akım yoğunluğunu 800A/cm2 civarında lazerin
yapılmasına imkan vermiştir.III-V nitrit yarıiletkenlerin epitaxial büyütülmesi
için birçok teknik kullanılır. Bu teknikler arasında MBE ve MOCVD en popüler
olanlardır, birçok III-V alaşım yarıiletkenlerin fabrikasyonunda geniş olarak
kullanılır. Yüksek parlak mavi ve yeşil LED’lerin akım çeşitliliği 1995 sırasında
bulundu. Ticari III-V nitrit led ürünlerinin ikinci doğuşu SQW yapıya dayanır,
mavi-yeşil ve yeşil LED’ ler için renk saflığı ve etkisi geliştirildi. Bulunan güç
değeri450nm için mavi 4,8mW ve 525nm için yeşil LED’ ler 3,0mW’ dır.

Kuantum kuyulu lazerlerin en önemli karakteristikleri :

1. Düşük eşik akım yoğunluğu

2. Eşik akımının ısıya bağlı değişiminin çok küçük olması
3. Akımı değiştirerek çıkarılan dalga boyunun geniş bir alanda
ayarlanabilmesi
4. Dinamik özelliklerinin iyi olması (Mroziewicz, 1991) şeklinde ifade
edilebilir.

82
83
84
85
86
 Şek. Safir substrat üzerindeki (AlIn) GaN LED kuantum kuyuları için tipik
konfigürasyon.Ölçülmemiş ve açıklık için abartılan tabaka kalınlıkları

3.5) KUANTUM NOKTA LAZERLER:

87
88
89
90
91
92
Kuantum nokta lazerin yapısı

93
94
3.6) KUANTUM TEL LAZERLER:

95
3. Motivation

The nano-photonic devices studied will be based on self-organised GaAs(InGaAs)/AlGaAs

V-groove quantum-wires (QWRs) with tightly confined V-shaped optical waveguides. The
reason we believe this concept will be successful is based on the following important features.
1) The very high interface quality of the QWRs which exhibit clear carrier one-dimensionality
up to room-temperature, 2) the QWRs can be vertically stacked with small wire-to-wire
separations (large active volume), 3) the QWRs can be confined in an extraordinarily uniform
and tight self-ordered V-shaped waveguide (≤ 0.5 µm), 4) current can be selectively injected
into the QWRs through a self-ordered vertical quantum well and finally 5) the small size of
the individual nano-devices permitting for a very dense planar monolithic integration.

4. V-groove Quantum Wire LEDs

96
 Fig.1. A schematic view of a surface emitting QWR array LED

Self-organized growth on patterned substrates has been shown to be very promising to

achieve wire- and -dot arrays with both high homogeneity and density. In order to additionally
achieve selective carrier injection into the active regions one needs the surrounding barriers to
provide lower potential channels leading carriers from the contacts to the wires or dots. We
have demonstrated such selective injection in self-organized GaAs/AlGaAs V-groove QWR
LEDs where the selective injection is due to the presence of self-formed AlGaAs vertical
quantum wells (VQWs). It is the purpose of this project to develop such LEDs by using self-
organized V-groove quantum wire (QWR) arrays as the active material. Due to an enhanced
excitonic effect in 1D and the uniqueness of the V-groove method we believe this concept has
the potential to produce LEDs with narrower linewidth and higher speed than is possible with
“conventional” high-brightness LEDs.
The grown structures, consisting of an intrinsic region with the crescent shaped QWRs and
undoped AlGaAs barrier layers sandwiched between p and n AlGaAs regions were processed
into p-i-n mesa diodes. A schematic view of a surface emitting QWR array LED, with a
transmission electron microscopy (TEM) micrograph of the active GaAs QWR, is shown in
Fig. 2.

Fig. 2. TEM micrograph of a V-groove quantum wire, indicating the use of a self-
ordered vertical quantum well for selective current injection into the active region.

Recent results:
97
 Initially we optimised GaAs/AlGaAs QWR LEDs in terms of linewidth, and we have now
achieved a linewidth of 15 meV at RT. This is the narrowest RT linewidth from any LED
demonstrated to date. The homogenous part of the total linewidth was estimated to be 6 meV
due to exciton scattering with optical phonons. An analysis of the electroluminescence (EL)
peak in a high magnetic field pointed out the excitonic origin of the recombination process
even to high densities at RT. This was a rather unexpected result as it is not the case for GaAs
QWs, and points to interesting further possibilities of utilizing the excitonic effects to also
enhance the speed of LEDs.

We have optimised the original design of the GaAs/AlGaAs QWR LED by using InGaAs as
the active QWR material in order to increase the internal quantum efficiency and to reach
longer emission wavelength. The initial InGaAs/GaAs/AlGaAs LED had a record-high
internal quantum efficiency of 60 %, narrow linewidth (20 meV) emission at 960 nm at RT,
as shown in Fig. 3. This high quantum efficiency was achieved with the aid of the self-formed
vertical QWs in the AlGaAs barrier, in combination with thin GaAs spacer layers. Further
studies have been made by systematically increasing the In content to nominally 35 %, giving
EL emission at 1.15 µm at RT with maintained high internal quantum efficiency.

Fig. 3. EL spectra at 10 K and RT of the InGaAs QWR LED at a current injection of 0.1
mA.

So far all V-groove QWR LEDs have been fabricated on 0.5 µm pitch QWR LEDs. We have
now also initiated a study on QWR LEDs in deep “laser-sized” V-grooves (3 µm pitch), in
order to investigate if selective current injection can be obtained together with a V-shaped
dielectric waveguide. This would have very important implications for obtaining very low
threshold current V-groove QWR laser diodes, as well as for using the QWR LEDs in
waveguide geometry which would allow for higher output powers and much better coupling
efficiency of the LED emission to an optical fiber.

5. V-groove Quantum Wire Lasers

98
 Fig. 4. AFM cross section image (left) of two V-groove QWR lasers separated by a
distance of 3 µm. TEM cross section image (right) of a single V-groove QWR laser with
five vertically stacked QWRs in the waveguide core.

The aim of this project has been to gain insight into the gain and lasing mechanisms in one-
dimensional (1D) electronic systems via the investigation of stimulated emission and lasing in
semiconductor quantum wire (QWR) structures. The V-groove QWR structure realized in the
GaAs/AlGaAs compound semiconductor system was selected as the experimental model for
this investigation due to the quality of these 1D structures and the knowledge about their
electronic and optical properties accumulated in different projects.
Due to the extremely small active volume associated with the nanometer sized V-groove
QWR a laser structure will need a very tight optical confinement to achieve useful gain.
Furthermore, the optimization of the carrier injection into the wires needs very tight lateral
current confinement. This is normally very difficult in QWRs and QDs due to the existence of
both vertical and lateral heterojunctions. This problem would be avoided if one could utilize
the self-ordered AlGaAs vertical quantum well for selective injection as we have recently
discovered in V-groove LEDs. If this selective injection scheme can be preserved in a
waveguide geometry, we estimate that threshold currents can be well below 100 µA.

Recent results:
Lasing at the lowest optical transition of the quantum wires was achieved when the laser
structure was optically pumped under cw operation. This demonstration of cw operation has
confirmed our initial attribution of the gain mechanism to excitonic gain. We have
investigated a new pre-blocking technique for the current injection in order to later rely on the
selective injection through the vertical quantum well. We have made selective wet-etching
and anodic etching and compared it with the conventional proton implantation isolation.
Ground state lasing with Ith = 2.5 mA at 20 K was achieved with such etched pre-blocking
layers which is comparable to the proton implanted lasers.
Evidence for lasing from localized excitons has been obtained by measurements of a GaAs
QWR laser in a high magnetic field, as shown in Fig. 5. The threshold current was found to
decrease with as much as a factor of three with an applied magnetic field of 25 T, as shown in
Fig. 6. This is believed to be due to the enhanced exciton oscillator strength causing enhanced
modal gain in the QWR laser. This gain mechanism is different from GaAs QW lasers that are
based on free carrier gain, and again points out the stability of the exciton in our QWRs.

99
 Fig. 5. Schematic picture of a single V-groove QWR laser. Stimulated emission occurs
from the cleaved edge, and spontaneous emission can be studied above threshold
through a semitransparent surface contact. The laser diode is also investigated in high
magnetic fields with the applied magnetic field parallel or perpendicular to the wire.

Fig. 6. Dependence of threshold current as a function of the magnetic field. The

threshold current was found to decrease with as much as a factor of three with an
applied magnetic field of 25 T parallel to the wire.

We have also made the first InGaAs V-groove QWR lasers. These lasers operated up to RT at
944 nm with a threshold current of 2 mA, which is significantly lower than we previously
achieved with comparable GaAs QWR lasers. In an ongoing study we are systematically
investigating the effect of the Al composition on the efficiency of the vertical quantum well as
a current injector.

100
 Quantum wire line pattern, 3-D and topview

Although DFB lasers with partially etched quantum wells have been reported from several
reseach groups, excellent characteristics of DFB lasers with completely etched wirelike active
regions are experimentally shown. Threshold current dependence on the laser with wirelike
active regions is investigated. And also, superior lasing properties of this type of BH-DFB
LD, such as submilliampere and stable single-mode operations will be given.

Distributed Reflector (DR) laser integrated with active and passive sections

101
 In conventional DFB lasers, light output can be obtained from both facets. For higher
efficiency maintaining low-threshold operation, the light output should be concentrated on
only one facet. For this purpose, we propose and fabricate the new type of distributed reflector
(DR) laser with active and passive sections

Distributed Reflector (DR) laser with Deeply-Etched Vertical Gratings

Stable single-mode semiconductor lasers operating around 1.5 ƒÊm is of importance for
optical communication system. Distributed FeedBack (DFB) or distributed Bragg Reflector
(DBR) structures has been usually employed to select single longitudinal mode. An advanced
type of single mode laser, the distributed reflector (DR) laser, has been developed to improve
the performance of DFB or DBR laser. In the early stage of development of DR lasers,
however, several repetitions of etching and regrowing steps were indispensable for fabricating
gratings parallel to the epitaxial junction plane. Recently, it has been proposed that a periodic
grating on both sidewalls of the mesa, i.e., a vertical grating (VG), can replace the
conventional one. Since the diffraction grating and mesa structure are fabricated
simultaneously, the number of processing steps is greatly reduced. Furthermore, deeply
etched DBR mirrors can be patterned without further complication of the process.
Experimentally, it has already been verified that VG on narrow stripe can provide sufficient
feedback along both active and passive devices.
The sample with the cavity length of 150 ƒÊm, stripe width of 1.3ƒÊm and grating depth of
70 nm on both lateral sides exhibited a threshold current of 2.8 mA, a differential quantum
efficiency of 28% from the cleaved front facet under CW condition. In the same device,
submode suppression ratio of 44dB was achieved at a bias current of five times the threshold.
102
Membrane-DFB laser

@@@@@Fig. 1 Schematic structure and cross sectional SEM view

103
EŞİK AKIMINA BAĞLI OLARAK ELEKTROLÜMİNESANS…

Normalize edilmiş electroluminescence spectra of a 1500µm uzun çubuk

injection akımlar için artan 1,10,40,120 düzeninde laser
ve 133mA.
Jth=88A/cm2

104
LASER ALÇALTILMASI (DEGRADATION)

Injection laserler çeşitli mekanizmalar yoluyla alçaltılır.3 ana mekanizma

(1) Catastropic alçaltma

(2) Koyu-çizgi defect formasyonu ve
(3) Kademeli alçaltma

Katastropik alçaltma için, laser aynası yüksek güç operasyonu altında çukurlar
ve yivler tarafından her zaman için ayna üzerinde şekillenmeye zarar
verilir.Araç yapılarının değişiklikleri yüzey yeniden birleşmelerini azaltır ve
absorpsiyon mümkün zararlimitindeki güç artar.Koyu çizgi defecti
dislokasyonların şebekesidir. Bu laser çalışması sırasında meydana gelir ve
optiksel oyuğu zorla içeri sokar.Başladığında, birkaç saat içinde gelişir başlangıç
akım yoğunluğunun artmasına neden olur. Koyu çizgi defect oluşumunun
olassılığı azalır, kaliteli epitaxial tabakalar kullanılması gereken düşük
dislokasyon yoğunluklarıyla substrat üzerinde büyütülür ve laser gerginliği
minimize etmek için ısı çukuru dikkatli bağlanmalı. DH laserler yavaş
alçalmayla bağlantılı uzun çalışma zamanlarına sahiptir. DH GaAs-AlGaAs
laserler cw çalışması altında 2,6x10000hr(3yıl) 30C’de daha uzun düşmelerin
işaretleri gösterilmez.22 ◦C’de bilinene dayanan tahmini yaşam zamanı ısı
çukuru sıcaklığı 1000000saat(100yıl) den daha büyüktür.

Aşağıdaki şekilde (fig.55) başlangıç akımına karşı çalışma zamanı GaInAsP-

InP DH laserler için gösterilmiştir. Düşük başlangıç laser (Jth=2,9kA/cmcm)
8000saat sonra çalışmasında değişmez karakteristiklere sahip.Yüksek başlangıç

105
laser dahili düşme işareti olmaksızın, yalnızca artan termal direnç olayını
gösterir.

Aşağıdaki şekilde AlGaAs/GaAs yapısı verilen oranlarda gösterilmiştir.En üst

tabaka 0,5’den 0,9µm’ye iletim için gelen ışığın penceresi olarak hizmet
görür.0,53µm’de kuantum etkisi yaklaşık yüzde 70’dir ve yüzde 95’e Si3N4
antireflection coating ile artırılabilir.

Aşağıdaki şekil (fig.31) yeni heteroyapıyı gösterir burada planar tipi p-n
eklemi InP pencere tabakada meydana getirilmiş, light-absorbing düşük band
aralıklı GaInAsP tabakadan ayrılır. Bu diyotta azaltma tabakası n-InP’dan n-
GaInAsP tabakasına flat eklem bölgesinde genişler, oysa o içerde InP eklem
106
köşesi olarak kalır.Kırılma voltajı Vb tahmin edilen çeşitli Eg3/2 olduğunda Vb
InP’da yaklaşık yüzde 60 daha büyük olur Vb GaInAsP’dan verilen oranlarda
eşit doping seviyelerine sahip olduğunda. Etki kenar kırılmasına diyot yapısında
engel olur.Ek olarak sızıntı akımı düşük bant aralıklı tabaka yoluyla geniş aralık
(wide gap) maddesinde (InP) baskı tünellemesinin sonucu olarak azaltır. Araç
düşük dark-current yoğunluğuna sahip on üzeri eksi 6 A/cmcm ½ Vb’de ve
3000’in avalanche kazancında.

Zaman içinde güç alçalması ;

P=P0e-t/τ D
Yaşam süresi akım yoğunluğu ve eklem sıcaklığı ile azalır.

107