ELE101 ELE101

Plan composants électroniques Jonction Métal-Semiconducteur composants électroniques

• T
Travail
il de
d sortie
ti – affinité
ffi ité électronique
él t i

Composants Electroniques
Travail de sortie : eΦm = NV - EF
e- libres dans le métal et sur le niveau de Fermi Î peuvent être extraits du métal avec l’apport d’1 E
suffisante
• Introduction
Affinité électronique
q : eχ
χ = NV - EC
• C
Constitution
tit ti ded la
l matière
tiè : de
d l’électron
l’él t à l’atome,
l’ t de
d l’atome
l’ t au cristal
i t l
e- libres sur la BC dans SC et isolant Î peuvent être extraits du métal avec l’apport d’1 E suffisante
• Les matériaux : isolant, conducteur, semiconducteur
Barrière de potentiel : EB = eΦm - eχ
• Semiconducteurs à l’équilibre
l équilibre
Si Métal et SC suffisamment proches Î Energie nécessaire pour que les e- passent du métal au SC
• Dynamique des électrons : Semiconducteurs hors équilibre
Î Idem si 2 SC différents sont proches : EB = qeχ1 – eχ2
• Dispositifs élémentaires : jonctions pn, pin et hétérojonction
• Dispositifs élémentaires : transistor bipolaire Métal SC SC1 SC2
NV NV
• Dispositifs élémentaires : jonctions MS et MIS eχ eχ2
Niveaux
EC EC2
• Di
Dispositifs
itif élé
élémentaires
t i : transistor
t i t à effet
ff t de
d champ
h vides
id BC eΦm
EB
eχ1
EB
EFm
• Dispositifs optoélectroniques EC1
EV
Niveaux
• Futur : nanoélectronique
q pleins BC

C A 147 C A 148

ELE101 ELE101
Jonction Métal-Semiconducteur composants électroniques Jonction Métal-Semiconducteur composants électroniques

• T
Travail
il de
d sortie
ti – affinité
ffi ité électronique
él t i : quelques
l matériaux
té i • I té êt : di
Intérêt diode
d Schottky
S h ttk ou contact
t t ohmique
h i
SC
Métaux SC eχ(eV)
χ( ) eΦSC((eV)) Dépôt d’1 couche métallique sur 1 couche de SC Î contact pour récupérer le courant issu d’1 jonction
Si 4.01 5.13
Métal eΦm(eV) Simple IV
Ge 4.13 4.79 À la base de 2 dispositifs élémentaires : I
Li 2.3 I
AIP 3.44 5.89
Na 23
2.3 Contact ohmique : contact sur 1 SC
AlAs 3.5 5.66 Diode
K 2.2 faible travail Contact
AlSb 3.6 5.2 Diode schottky : dispositif unipolaire Schottky ohmique
Rb 2.2 de sortie
GaP 4.3 6.55 Î 1 seul type de porteurs Diode
Cs 18
1.8 Composés III-V GaAs 4 07
4.07 55
5.5 V
PN
Fr 1.8 Î Pas de minoritaires en excès stockés
GaSb 4.06 4.74 V
Cr 4.6 InP 4.38 5.65 Î Pas de capa de diffusion
Fe 4.4 InAs 4.9 5.26 Î Commutation + rapide que diode PN
Ni 4.5 InSb 4.59 4.66
Al 4.3 fort travail ZnS 3.9 7.48 ‰ Jonction Schottky : ‰ Contact ohmique :
Cu 4.4 de sortie ZnSe 4.09 6.76 ¾ Dopage du semiconducteur < 1017 cm- 3 p g du semiconducteur > 1018 cm- 3
¾ Dopage
Ag 4.3 ZnTe 3.5 5.76 ¾ Structure du type « rectifiante » ¾ Caractéristique linéaire
Composés II-VI
CdS 4.5 6.92 ¾ Comparaison avec une jonction PN ¾ Résistance de contact
Au 4.8
Pt 5.3 CdSe 4.95 6.65
eΦm varie
i de
d 1.8
18à55.3eV
3 V CdT
CdTe 4 28
4.28 5 73
5.73
SiO2 1.1
eχ varie de 3.5 à 4.95eV
C A 149 C A 150
 ELE101 ELE101
Jonction Métal-Semiconducteur composants électroniques Jonction Métal-Semiconducteur composants électroniques

• J
Jonction
ti SC-Métal
SC Mét l : avantt contact
t t • Mi en contact
Mise SC Mét l : cas Φm = ΦSC à l’é
t t SC-Métal l’équilibre
ilib

Barrière de potentiel : EB = eΦm - qχ

Î Structure des bandes au voisinage de l’interface dépend de la différence entre Φm et ΦSC Alignement des niveaux de Fermi

3 cas : Φm = ΦSC Diagramme des bandes identique si SC dopé N ou P

Métal SC
• nm=1022 à 1023 cm-3 NV
eχ eΦSC
• EFm dans la BC Mise en contact sans échange d’e- entre SC et M
eΦm
EC
• EFSC dépend du dopage EFm
EB EG
EFSC
Î Régime de bandes plates
EV

Métal SC
NV
Métal Φm > ΦSC SC Métal Φm < ΦSC SC eχ eΦSC
NV NV eΦm
eχ eΦSC eχ eΦSC EC
EC EB EG
eΦm eΦm EFm EFSC
EB EFSC EB
EC EV
EFm EG EFm
EV EFSC
EG
EV

C A 151 C A 152

ELE101 ELE101
Jonction Métal-Semiconducteur composants électroniques Jonction Métal-Semiconducteur composants électroniques

• SC Métal : cas Φm > ΦSC à l’équilibre

Mise en contact SC-Métal l équilibre • SC Métal : cas Φm > ΦSC à l’équilibre
Mise en contact SC-Métal l équilibre

Alignement des niveaux de Fermi Î courbure des bandes à l’interface vers le haut
Diagramme
g des bandes différent selon dopage
p g du SC
• SC ttype P :
Mise en contact avec passage d’e- du SC vers M Î accumulation d’e- dans le Métal, à l’interface
Apparition d’1 ZCE au voisinage de la jonction : diffusion des e- vers le Métal
• SC type N :
Accumulation de t libres à l’interface
l interface dans le SC Î charge d’espace
d espace > 0 à l’interface
l interface dans le SC
Apparition d’1 zone déplétée au voisinage de la jonction : les e- qui ont atteint le Métal laissent une
charge > 0 (Nd-) dans cette zone Dans cette ZCE : champ électrique et potentiel de diffusion VD à l’équilibre

p électrique
Dans cette ZD : champ q et potentiel
p de diffusion VD à l’équilibre
q Charge d’espace
d espace relativement étalée à l’intérieur
l intérieur du SC Î courbure des bandes

NM >> NDSC Î Charge d’espace relativement étalée à l’intérieur du SC Î courbure des bandes ZCE : régime d’accumulation (de charges libres t à l’interface dans le SC)

ZD : régime de déplétion (absence de charges libres, présence d’ ions > 0 à l’interface dans le SC)
Métal SC Métal ZCE SC
Métal SC Métal ZD SC NV eVD
NV eχ
eVD eΦSC NV
eχ eΦSC eχ EC eχ
NV eΦm eΦm eΦSC
EC eΦ’F
eΦ
eΦm eΦm eΦSC EB EFSC EC
EB EFSC EB EC EG
EFm EG EFm EG
EFSC EFm EFm EFSC
eΦF EV
EV
EV
EV
NM ≈1022cm-3 et NDSC ≈1016 à 1018cm-3

C A 153 C A 154
 ELE101 ELE101
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• SC Métal : cas Φm < ΦSC à l’équilibre

Mise en contact SC-Métal l équilibre • SC Métal : cas Φm < ΦSC à l’équilibre
Mise en contact SC-Métal l équilibre

Alignement des niveaux de Fermi Î courbure des bandes à l’interface vers le bas
Diagramme
g des bandes différent selon dopage
p g du SC • SC type P :

Mise en contact avec passage d’e- du M vers SC Î déficit d’e- dans le Métal, à l’interface Apparition d’1 ZD au voisinage de la jonction : recombinaison des e- venant du Métal avec les t

• SC type N : Déplétion de t libres à l’interface dans le SC Î charge d’espace < 0 (Na-) à l’interface dans le SC

Apparition d’1 ZCE au voisinage de la jonction : les e- qui ont quitté le Métal s’accumulent dans Dans cette ZCE : champ électrique et potentiel de diffusion VD à l’équilibre
cette zone
Charge d’espace relativement étalée à l’intérieur du SC Î courbure des bandes
p électrique
Dans cette ZCE : champ q et potentiel
p de diffusion VD à l’équilibre
q
ZD : régime de déplétion (absence de charges libres, présence d’ions < 0 à l’interface dans le SC)
Charge d’espace relativement peu étalée à l’intérieur du SC Î courbure des bandes

ZCE : régime d’accumulation (charges libres e- à l’interface dans le SC) Métal SC Métal ZD SC
NV NV
Métal SC Métal ZCE SC
eχ eΦSC eχ eΦSC
NV NV
eVD
eχ eΦSC eVD eχ eΦSC eΦm
EFm EB
eΦm
EB EC EC
EFm
eΦm EFSC
EC EC EG eΦm EG
EFSCEFm EFSC EFSC EFSC
EG EG EFm
EV EV
EV EV

NM ≈1022cm-3 et NDSC≈1016 à 1018cm-3

C A 155 C A 156

ELE101 I = 0 ELE101
Jonction Métal-Semiconducteur composants électroniques composants électroniques

• SC Métal : cas Φm > ΦSC polarisée

Mise en contact SC-Métal • SC Métal : cas Φm > ΦSC polarisée
Mise en contact SC-Métal

• SC type N : • SC type P :

Barrière de potentiel M-SC constante qq soit la polarisation Tension SC-M < 0 : polarisation directe

Zone isolante (vide de porteurs) à l’interface : tension localisée dans la ZCE Tension SC-M > 0 : polarisation inverse

Tension SC-M < 0 : polarisation directe Pas de zone isolante (vide de porteurs) à l’interface : tension distribuée dans tout le SC

abaissement de la barrière de potentiel SC-M Î les e- diffusent vers M Î création d’1 courant MÎSC A l’interface, l’arrivée ou le départ d’1 t dans le SC est tt de suite compensé par celui d’1 e- dans le métal
Î le courant circule librement dans les 2 sens au contact Î utilisation pour contacter les couches
Tension SC-M > 0 : polarisation inverse de type P d’1 dispositif

augmentation de la barrière de potentiel SC-M Î pas de diffusion des e- Î pas de courant Contact ohmique

Contact redresseur : diode schottky I I

I I=0 Métal SC
Métal SC e(VD-V) Métal SC EFSC Métal SC
EC(-V) EV(-V) EFm
eVD EFSC eVD eV
-eV
-eV
V e(VD+V
+V)+) EV(0)
EC(0) EC(0) EFm +eV
EFm EFm
EC(V) EV(0)
eV EFSC EFSC
EV(+V)
( V)
-V = VSC – VM < 0 V = VSC – VM > 0 -V = VSC – VM < 0 V = VSC – VM > 0

C A 157 C A 158
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• SC Métal : cas Φm < ΦSC polarisée

Mise en contact SC-Métal • SC Métal : cas Φm < ΦSC polarisée
Mise en contact SC-Métal

• SC type N : • SC type P :

Tension SC-M < 0 : polarisation directe Zone isolante (vide de porteurs) à l’interface : tension localisée dans la ZCE

Tension SC-M > 0 : polarisation inverse Tension SC-M < 0 : polarisation directe

Pas de zone isolante (vide de porteurs) à l’interface : tension distribuée dans tout le SC augmentation de la barrière de potentiel SC-M Î pas de diffusion des t Î pas de courant

Tension SC-M > 0 : polarisation inverse

A l’interface, tout e- passe librement du SC au Métal, ou du Métal au SC Î le courant circule librement abaissement de la barrière de potentiel SC-M Î les t diffusent vers M Î création d’1 courant SCÎM
dans les 2 sens au contact Î utilisation pour contacter les couches de type N d’1 dispositif
Contact redresseur : diode schottky
q
Contact ohmique
I=0 I
I EC(-V) I Métal SC Métal SC
EFSC EFSC -eV
Métal EFm
Métal EC(0)
eV
-eV EV(-V) EV(0)
EFm
EFm -eV EFSC
EC(0)
+eV EV(0) EV(+V)
EFm EC(+V)

SC EFSC
SC -V = VSC – VM < 0 V = VSC – VM > 0

-V = VSC – VM < 0 V = VSC – VM > 0

C A 159 C A 160

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• Jonction SC
SC-Métal
Métal : • Contact schottky : champ et potentiel électriques dans la ZCE

ƒ Φm > ΦSC : Métal – SC type N Métal SC

• Contact ohmique : ZCE
ƒ À l’équilibre
l équilibre thermodynamique eVD
eχ NV
Φm < ΦSC : Métal – SC type N ƒ Modèle unidimensionnel
eΦm eΦSC
Φm > ΦSC : Métal – SC type P
ƒ ZCE vide de porteurs libres EB EC
EFm
ƒ 0<x<W : ρ(x) = eND EFSC
• Contact schottky : ƒ X>W : ρ(x) = 0 et E(x) = 0
EV
Φm < ΦSC : Métal – SC type P • Equation de poisson : ρ(x)
Φm > ΦSC : Métal – SC type N d 2 V(x) eN D dV(x) eN D
=- E(x) = - =- (x - W)
dx 2 εSC dx ε SC
• Prise en compte d’états d’interface : 0 W x
eN D ⎛ x 2 ⎞ V(x)
V(x) = - ⎜ - Wx⎟
Si ces états ont des niveaux d’énergie situés dans le gap du SC Î Ils participent à l’échange de εSC ⎝ 2 ⎠ VD
porteurs entre M et SC à l’interface
x
Î Hauteur de la barrière de schottky dépend de la densité de ces états d’interface eN D 2
VD = V(W) - V(0) = W E(x)
2εSC
x
EM
2ε SC 2ε SC
W= VD = (Φ M − Φ SC ) eN D W
eN
ND eN
ND
EM = -
ε SC
C A 161 C A 162
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• Contact schottky : capacité • Contact schottky : courant à travers la jonction à l’équilibre

l équilibre

ƒ Jonction polarisée positivement : VM – VSC > 0 ƒ Φm > ΦSC : Métal – SC type N

ƒ Barrière de potentiel = VD - V ƒ Courant du aux porteurs majoritaires : à l’interface
l interface : émission thermoélectronique par dessus la
barrière de potentiel et dans la ZCE : diffusion Î courant conservatif (ils sont identiques)
Largeur de la ZCE : 2ε SC
W= (VD -V) Métal ZCE SC
eN D
eVD
eχ NV
Charge dans la ZT : Courant d’émission thermoélectronique à l’équilibre : eΦ eΦSC
m
EB EC
QSC = eN D WA = A 2eεSC N D ( VD -V )
e VD
EFm
Q M + QSC = 0 - EFSC
J M → S C = A* T 2 e kT

V=0 EV
Capacité de transition (dynamique) :
4 π e mn k 2
eεSC 1 où A* = NV
dQ dQ C=A ND h3
C=- (car <0)
dV dV 2 ( VD -V ) eχ
eVD eΦ’b
EC(V)
Avec JMÎSC = JSCÎM eΦm
⇔ Capa plan de surface A et d’épaisseur w : EFSC
ε A EB
C = SC A* = constante de Richardson EFm EC(0)
W (V) T = T° en K
VD = potentiel de diffusion = barrière de potentiel côté SC EV(V)
VM - VSC=V>0 EV(0)
Absence de charges stockées par les minoritaires dans la ZCE Î pas de capacité de diffusion
Î eVD = eΦm - e ΦSC
Î Fonctionnement hautes fréquences : diodes détectrices ou mélangeuses de signaux

C A 163 C A 164

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• Contact schottky : courant à travers la jonction polarisée • Contact schottky : courant à travers la jonction polarisée : théorie de la diffusion

ƒ Φm > ΦSC : Métal – SC type N ƒ Φm > ΦSC : Métal – SC type N

ƒ Jonction polarisée positivement : VM – VSC > 0 NV ƒ Jonction polarisée positivement : VM – VSC > 0
ƒ Abaissement de la barrière de potentiel SC Î M : VD – V
eχ
ƒ Résolution de l’équation de diffusion dans la ZCE (présence de gradient de concentration +
eVD eΦ’b champ électrique)
ƒ Barrière de potentiel M Î SC inchangée eΦm
EC(V)
dn
jn = e µ n n(x)E(x) + e Dn
EB EFSC
EFm EC(0)
dx
EV(V)
Courant d’émission thermoélectronique jonction polarisée : Î Courant de diffusion de la forme :
VM - VSC=V>0 EV(0)
e VD
⎛ - e(VD - V) e VD ⎞ e VD ⎛ eV ⎞ -
-
⎟ = A* T2 e k T ⎛⎜e k T - 1⎞⎟
-
eV
J = J S d ⎜e k T - 1⎟ a v e c JS d ∝ e kT
J = J S C → M - J M →S C = A * T 2 ⎜e k T - e kT ⎝ ⎠
⎜ ⎟ ⎝ ⎠
⎝ ⎠
⎛ eV
⎞ Expression identique à celle de la théorie d’émission thermoélectronique
J = J S ⎜e k T - 1⎟
⎝ ⎠ Courant conservatif Î courant diffusion = courant thermoélectronique
AN : Métal/Si : e Φm - e ΦSC ≈ 0.6eV A = 120 A.cm-2.K-2 ; ND = 1017 cm-3
T = 300K ; A* On les considère en série et égaux : à ll’interface
interface c’est
c est le courant thermoélectronique et dans la ZCE
Î JS = 4.10-4 A.cm-2 et W = 89nm c’est le courant de diffusion
Jonction PN Si Î JS = 10-11 A.cm-2 et W > 100nm

¾ On devra appliquer une polarisation plus faible a courant constant

¾ Courant de fuite inverse plus élevé que pour une jonction PN

C A 165 C A 166
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• Contact schottky : courant du à l’effet

l effet tunnel • Contact ohmique :

ƒ Contact à résistance très faible Î

ƒ Si SC fortement dopé (ND > 1018cm-3) Î réduction de W et forte courbure des bandes à p
¾ Couche spéciale déposée
p sur le dispositif
p
l’interface ¾ Surdopée N++ (a) ou P++ (b) selon le type de la couche sous-jacente

⊕
¾ Le courant tunnel est favorisé par rapport au courant thermoélectronique
¾ La résistance spécifique RC (en Ω cm2) est très faible.
2εSC
W= (VD -V) Δx ¾ La résistance R du contact est inversement proportionnelle à la surface S de la métallisation
eN D
------- E
C
EFSC
ƒ Passage des e- dans les 2 sens par effet tunnel EF qV
M

RC
EV R=
S

C A 167 C A 168

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• Contact ohmique : résistance spécifique sur Si-N

Si N • Structure Métal-Vide-Semiconducteur
Métal Vide Semiconducteur

ƒ Métal et SC-N reliés et connectés entre eux (vide entre les 2) Î niveaux de fermi s’alignent

ƒ Apparition d’un potentiel de contact : VD = Φm - ΦSC

ƒ Î champ
p électrique
q associé et ZCE
ƒ Valeurs expérimentales de RC
¾ Contacts PtSi – Si ƒ Amplitude de ce champ et densité de charge d’espace grands si : VD élevé et distance entre M et
¾ et Al – Si SC faible

ƒ Valeurs de dopage ƒ Si distance entre M et SC diminue Î apparition de charges à la surface côté métal et côté SC Î
¾ Entre 1018 et 1020 cm-3. condensateur plan
¾ Semiconducteur dégénéré
ƒ Courbure des bandes et nature de charge d’espace varient selon type de SC et différence entre
Φm et ΦSC

C A 169 C A 170
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• Structure Métal-Vide-Semiconducteur
Métal Vide Semiconducteur • Structure Métal-Isolant-Semiconducteur
Métal Isolant Semiconducteur
Métal vide ZCE SC
NV vide
eVD eχ
Métal SC ƒ On remplace le vide par un isolant : sur Si, le seul isolant possible est le SiO2 Î MOS
ΦM < ΦSC eΦSC NV
eχ eΦ
ΦSC
eΦm ƒ L’isolant (supposé parfait) est défini par son gap et son affinité électronique Î diagramme des
eΦm EC bandes identiques à celui de la structure M-V-SC
EC
EFm EFSC EFm EFSC

EV ƒ Hauteur de la barrière de potentiel à l’équilibre : VD = Φm - ΦSC

EV ΦM = ΦSC

VD < 0 : charge SC <0 et charge M >0 VD = 0 : aucune charge Î ƒ Si introduction d’une polarisation VG, VD = Φm - ΦSC - VG
(fuite d’e-) Î régime d’accumulation régime de bandes plates

Métal vide SC
ƒ Isolant parfait : pas de charge Î variation linéaire de V et des bandes
Métal vide SC
eV
VD eV
VD ƒ Si VG = 0 Î on retrouve les diagrammes des bandes M-V-SC
NV
eχ NV
eΦm eΦSC eΦm eχ eΦSC
EC
EC
ƒ Si Φm = ΦSC Î la polarisation VG va faire évoluer la structure d’un régime d’accumulation à un
EFm EFSC EFm EFSC régime d’inversion
d inversion

ΦM > ΦSC EV
ΦM >> ΦSC EV ƒ Si Φm = ΦSC Î le régime de bande plate obtenu pour VG = 0

VD > 0 : charge
h SC >0
0 ett charge
h M <0
0 VD >> 0 : charge SC >>0 et charge M <0
(accumulation d’e-) Î régime de déplétion (accumulation d’e-) Î régime d’inversion ƒ Si Φm ≠ ΦSC Î le régime de bande plate obtenu pour VG = Φm - ΦSC = VFB (=tension bande plate)

C A 171 C A 172

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• Métal Isolant Semiconducteur : tension VG appliquée sur M (ΦM = ΦSC)

Structure Métal-Isolant-Semiconducteur • Métal Isolant Semiconducteur : tension VG appliquée sur M (ΦM = ΦSC)
Structure Métal-Isolant-Semiconducteur

ƒ SC type N ƒ SC type P

isolant isolant
Métal SC-N isolant SC-N isolant
Métal SC-P
Métal SC-P Métal
EC EC
EFSC EC EC
eVG EFm EFSC EFm
EFm eVG
EFm EFSC
EV EFSC EV
EV
EV

VG > 0 : régime d’accumulation VG = 0 : régime de bandes plates VG < 0 : régime d’accumulation VG = 0 : régime de bandes plates

EC
isolant EC
Métal SC N
SC-N
isolant Métal Métal
Métal SC-N EFSC
EFm EFSC EV
eVG eVG EV
EFm eVG
EFm
eV
VG EC EC EFm
SC-P SC-P
EFSC EFSC
isolant
isolant
EV EV
VG > 0 : régime de déplétion VG >> 0 : régime d’inversion
VG < 0 : régime de déplétion VG << 0 : régime d’inversion
C A 173 C A 174
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• St
Structure
t Mét
Métal-Isolant-Semiconducteur
lI l tS i d t idéale
idé l : charge
h d’espace
d’ ett capacité
ité • St
Structure
t Mét
Métal-Isolant-Semiconducteur
lI l tS i d t idéale
idé l : charge
h d’espace
d’ ett capacité
ité

ƒ Application d’un signal alternatif de faible amplitude sur VG : QM charge côté Métal et QSC charge ƒ Régime d’inversion :
côté SC Ch
Charge côté
ôté SC : QSC (=
( Qn + qN
NAxdm ) < 0
ƒ Régime d’accumulation : Q
Métal Oxyde SC-P = e- libres attirés sous la surface + ions accepteurs
Accumulation de t côté SC : QSC > 0 ΔQSC
Accumulation d’e-
d e côté M : QM < 0 x0 QSC
A basse fréquence
q (T
( élevée)) Î les e- minoritaires du SC-P p
peuvent atteindre la couche d’inversion
et la quitter suivant le signal : ΔQM = -ΔQn C =C
ΔQM = -ΔQSC et QM = -QSC BF Ox
x
ε QM
Capacité plan : COx = ox indépendante de VG A haute fréquence (T faible) Î les e- minoritaires du SC-P ne peuvent pas suivre, seuls les
xo ΔQM COx majoritaires
j it i (t) suivent
i t le
l signal
i l : ΔQM = -ΔQ
ΔQd
ƒ Régime de déplétion ou désertion : ε SC Q
Cdm = Métal Oxyde SC-P
t repoussés à l‘interface côté SC : QSC < 0 xdm ΔQM
Q
QSC = qNAxd = COxVOx Métal Oxyde SC-P x0 xdm
ε SC 1 1 1 ΔQM QM
Capacité zone de déplétion : Cd = totale : = + 1 1 1
xd Ct COx Cd = + x
x0 xd CHF COx Cdm Qd
QM CBF = COx Qn
QSC QSC ε ε SC
2
ε SC x ΔQn
VG = VOx + VSC = + ⇒ xd = - SC + 2
+ 2VG
COx Cd COx C Ox qN A QSC ΔQSC
COx Cd COx Cd
1 1 1 2VG
=- + +
Cd COx 2
COx qN A ε SC
C A 175 C A 176

ELE101 ELE101
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• St
Structure
t Mét
Métal-Isolant-Semiconducteur
lI l tS i d t idéale
idé l : capacité
ité • St
Structure
t Mét
Métal-Isolant-Semiconducteur
lI l tS i d t idéale
idé l : tension
t i de
d seuil
il VT

ƒ Tension de bandes plates :

À l’é
l’équilibre
ilib : courbure
b des
d bandes
b d à l’interface
l’i t f pour égaliser
é li les
l niveaux
i de
d fermi
f i
C/COx C/COx
NV NV

accumulation ΦM < χ eVsinv eχ

χ
Inversion BF Inversion BF accumulation eΦm
eV
Vox eχ
EFm
eΦm eVFB
EC EC
désertion désertion EFm EFSC EFSC

EV EV
Inversion HF Inversion HF

0 VG 0 VG ƒ Tension de bande plate = tension VFB à appliquer sur le métal pour redresser les bandes à
l’horizontale : eVFB = eΦm – eΧ – EG + (EFSC – EV)
Canal N Canal P
ƒ Courbure des bandes Î translation de la caractéristique C(VG) par rapport à l’idéale
AN : M-SiO2-Si (xOx = 250Å ; NA = 1016 cm-3 ; εrSiO2 = 3.9)
ƒ Tension de seuil : VT = Vox + Vsinv + VFB
ε
COx = ox = 1.38 10-7 F/cm 2
xo

C A 177 C A 178
 ELE101
Jonction Métal-Isolant-Semiconducteur composants électroniques

• St
Structure
t MOS : application
li ti CCD

ƒ Charge Coupled Devices : circuits à transfert de charges

1969 Î utilisé
tili é en ttraitement
it t du
d signal
i l ett imagerie
i i
Basé sur le temps de stockage d’1 capacité MOS

ƒ Temps de stockage d’1

d 1 capacité MOS :
À t < 0 : structure en régime de bandes plates ou d’accumulation
A t = 0 : on applique VG > VT Î régime de déplétion (constante de temps de l’ordre de 10-12s)
t > 0 : génération thermique de paires e-/t et la couche d’inversion
d inversion s’affaiblit
s affaiblit
À t = τ s : couche d’inversion, régime stationnaire Î τ s est le temps de stockage
2N aτ m
τs = avec τ m = durée de vie des porteurs
ni
Temps de stockage ↑ si durée de vie ↑ et dopage ↑ Î τ s de 1s à 1mn en fonction de la qualité du si

C A 179