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241$.'/#5
FGVTCPUKUVQTGUDKRQNCTGU

c Transistores Bipolares
d Polarización y Estabilización
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','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGUDKRQNCTGU

3UREOHPD
Determinar la región de funcionamiento y los valores de IB, IC y VCE en el circuito de la

D 300k:
figura, siendo RB igual a:

E 150k:

El transistor empleado tiene E F=100 y una VCEsat. Prescindir de las corrientes de


saturación inversas.
V CC= 1 0 V

RB R C= 2k:

6ROXFLyQ D $FWLYR'LUHFWR,% P$,& P$\9&( 9 E 6DWXUDFLyQ,% P$,& P$

3UREOHPD
D Determinar los valores de IC y VCE en el circuito de la figura. El transistor tiene
EF=100.
E ¿Cuál es el mínimo valor de RC para que el transistor esté justamente saturado?

R C= 1 k:

R B = 27 0k: R E= 1 k:

V EE= - 1 0V

6ROXFLyQ D ,& P$\9&( 9E 5& .:


3UREOHPD
Determinar los valores de IC y VCE en el circuito de la figura. El transistor tiene E F=125 y
ER=2.

R C= 1 0k:

R B = 20 k: R E= 5 k:

V EE= 5V

6ROXFLyQ ,& P$\9&( 9

3UREOHPD
El transistor empleado en el circuito representado tiene E F=150 y una corriente inversa

D Determinar los valores de IC y VEC.


de saturación despreciable.

E Repetir D con EF=50.

VO

R C= 1k:

R B = 40 0 k: R E= 2k:

V EE= 10 V

6ROXFLyQ D ,& P$\9(& 9E ,& P$\9(& 9

3UREOHPD
En el circuito representado se emplea un transistor con E F=99 y corriente inversa de
saturación despreciable. Los valores son VCC=10V, RC=2.7k: y RF=180k:, estando RB

D Hallar los valores de IC y VCE.


en circuito abierto.

E Repetir D con EF=199.


V CC

RC
RF

RB

6ROXFLyQ D ,& P$\9&( 9E ,& P$\9&( 9

3UREOHPD
El circuito representado emplea un transistor con E F=100 y los parámetros VCC=15V,

D Determinar VO1 y VO2.


VEE=-15V, VBB=0V, RC=0.5k:, RE=1k:, y RB=44k:.

E ¿Qué nuevo valor de RC hace que VO1=0?


F ¿Qué nuevo valor de RE hace que VO2=0?
V CC

RC


V O1
RB
V BB


V O2

RE

V EE

6ROXFLyQ D 92 992 9E 5& .: F 5( .:

3UREOHPD
Determinar el valor de VBB en el circuito de la figura anterior con el que justamente se
satura el transistor.

6ROXFLyQ 9%% 9


3UREOHPD

los valores VCC=10V, R1=R2=22k:, R3=R4=R5=1.2k:, E 1=E 2=100 y |VBE|=0.6V


Determinar el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2 en el circuito de la figura, con

V CC

R1 R3

Q2

Q1
R5

R2 R4

6ROXFLyQ ,% P$,& P$9&( 9,% P$,& P$9&( 9

3UREOHPD

RC=1.8k:, EF=200 y |VBE|=0.65V determinar:


En el circuito con transistor de la figura, con los valores VCC=10V, RB=680k:,

D El punto de trabajo del transistor Q.


E Representar el punto de trabajo sobre las curvas características de salida
IC=f(VCE, IB).

V CC

RB RC

6ROXFLyQ D ,% P$,& P$9&( 9


3UREOHPD
En el circuito de la figura, con los valores VCC=-10V, RC=1.8k: y VBE=-0.65V, hallar el

IC t 2mA para 50 d EF d 100.


valor necesario de RB para que el transistor Q esté situado en zona activa directa con

V CC

RB RC

6ROXFLyQ .: d 5% d .:

3UREOHPD
En el circuito que se muestra en la figura, con los valores VCC=12V, E F=62 y VBE=0.7V,

D Valor de RB y RC para que el transistor esté situado en el punto de trabajo


determinar:

E Representar el punto de trabajo a partir de las curvas características y de la


VCEQ=6V, ICQ=2.2mA.

recta de carga estática.

V CC

RC

RB

6ROXFLyQ D 5% .:5& .:


3UREOHPD

valores VCC=12V, RC=3.3k:, E F=62, VBE=0.6V e ICB0=1PA, esté situado en el punto de


Determinar los valores de R1, R2 y RE para que el transistor Q de la figura con los

trabajo VCEQ=5V, ICQ=1.6mA. El factor de estabilidad frente a variaciones de ICB0 es


SICB0=10.

V CC

R1 RC

R2 RE

6ROXFLyQ D 5 .:5 .:5( .:

3UREOHPD

valores VCC=20V, IR1=13.75mA, VZ=12V, RZ=22:, VEC=4V, IE=2,5mA, E F=99, VEB=0.7V y


Determinar el valor de las resistencias R1, R2 y R3 en el circuito de la figura, con los

VCEsat=0V. ¿Qué sucede si se aumenta el valor óhmico de R3?

V CC

R1 R2

R3

6ROXFLyQ D 5 :5 .:5 .:


3UREOHPD

RE=820:, RT= R1 // R2=5.33k:, E F=290 y VBE=0.6V, determinar:


En el circuito que se muestra en la figura, con los valores VCC=12V, VCE=5V, IC=2mA,

D Valor de R1, R2 y RC si ICB0=0.


E Representar el punto de trabajo a partir de las curvas características y de la
recta de carga estática.
V CC

R1 RC

R2 RE

6ROXFLyQ D 5 .:5 .:5& .:

3UREOHPD

valor de E comprendido entre 36 y 90 a la temperatura de 25ºC, y la corriente inversa


El transistor tipo 2N335, empleado en el circuito de la figura, puede tener cualquier

de saturación ICB0 tiene efectos despreciables sobre el valor de IC a temperatura


ambiente. Si VCC=20V y RC=4k:, determinar el valor de las resistencias R1, R2 y RE
para que el transistor esté situado en el punto de trabajo VCEQ=10V, ICQ=2mA, con

cuando E varíe desde 36 a 90.


VBE=0.65V, y el valor de la corriente IC esté comprendido entre 1.75mA y 2,25mA

V CC

R1 RC

R2 RE

6ROXFLyQ 5 N:5 .:5( .:


3UREOHPD
En el circuito autopolarizado de la figura, RE=4.7k:, RT= R1 // R2 =7.75k:. La tensión de
alimentación del colector y RC se ajustan para establecer una corriente de colector de

D Determinar las variaciones de IC en el margen de temperaturas de –65ºC a


1.5mA a 25ºC.

E Repetir D para el margen de temperaturas de –65ºC a +75ºC cuando se


+175ºC cuando se emplea el transistor de silicio de la Tabla 1.

emplea el transistor de germanio correspondiente a la Tabla 2.

7$%/$ 3DUiPHWURV7UDQVLVWRUGH6LOLFLR 7$%/$ 3DUiPHWURV7UDQVLVWRUGH*HUPDQLR


7 ž&    7 ž&   
,&% Q$ [   ,&% P$ [  
E    E   
9%( 9    9%( 9   

V CC

R1 RC

R2 RE

6ROXFLyQ D 'I& P$'I&   E 'I& P$'I&  


3UREOHPD
En el circuito de la figura ambos transistores son iguales y de características
siguientes: ßF entre 100 y 450; VBE=0.7V y VCEsat=0.2V. Se pide polarizar
adecuadamente los transistores para que la IC de ambos sea de 1mA y la VCEQ=VCC/4.

9

5
5&

5

5 5(

3UREOHPD
Del siguiente circuito se sabe que los dos transistores son iguales y con ßF=250 y
VBE=0.6V. Se pide calcular R1 y R2 para que VCE1=7.5V y VO=0V
Datos: VCC=VEE=15V; I1=0.5mA, I2=4mA

9&&

5
4

4

5

92

, ,

9((


3UREOHPD
Calcular las resistencias de polarización del circuito siguiente para que: IC1=IC2=0.5mA;
VCE1=12V y VCE2=9V. Siendo los dos transistores exactamente iguales y con ßF=250 y
VBE=0.6V

V CC

R1 R3

4

Q1
R5

R2 R4