Guía

REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
DE LA FUERZA ARMADA NACIONAL
U.N.E.F.A. – NÚCLEO MARACAY
COORDINACIÓN DE INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES
GUÍA PRÁCTICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
OCTUBRE DE 2010
Actualizado por:
Dra. María del Pilar Pérez
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I Coord. Ing. de Telecomunicaciones 1
UNEFA Núcleo Maracay
PRÁCTICA Nº 1
CIRCUITOS CON DIODOS (RECORTADORES)
Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en circuitos

recortadores.
Materiales: 1N4007 (ó 1N4004), Diodo Zener entre 3,6 V y 6 V de 1 W, Resistores varios.
Pre-Laboratorio:
- Obtenga de la Hoja de Datos de los diodos seleccionados los valores de los diodos
dados por el fabricante y explique lo que cada uno de ellos especifica.
- Simule todos los circuitos del procedimiento de la práctica y grafique Vo y la curva
característica de transferencia Vo vs. Vi.
Procedimiento:
1. Monte el siguiente circuito:
Figura 1
- Coloque los controles del
generador de funciones en:
Vi = senoidal (amplitud mínima) f = 200 Hz Acoplamiento DC
- Aumente la amplitud y observe lo
que sucede en Vo.
- Para amplitud media, fotografíe la
señal observada y mida los valores pico de la señal.
- Grafique Vo vs. Vi en el
Actualizado por:
osciloscopio. Para ello, tome Vo en el canal 2, Vi en el canal 1 y coloque el control de

presentación XY. Varíe la amplitud y fotografíe lo observado para amplitud máxima.
- ¿De quienes dependen los valores
pico de la señal final? Justifique.
- Invierta el diodo (en media
amplitud) y mida los valores pico; grafique en el osciloscopio Vo vs. Vi y fotografíe lo
observado.
- Justifique el por qué de las
diferencias entre los gráficos anteriores.
- Sustituya el diodo por el diodo
zener y repita todos los pasos anteriores. Analice y concluya.
Vi
Figura 2
- Coloque los controles del generador de funciones en:

Vi = senoidal f = 200 Hz Amplitud = media
- Mida los valores pico de Vo;
- Grafique Vo vs. Vi en el osciloscopio y fotografíe lo observado en Vo y Vo vs. Vi.
- ¿De quiénes dependen los valores pico de la señal final? Justifique.
- Invierta el diodo y repita el paso anterior.
- Justifique las diferencias entre los gráficos anteriores.
+
Vi Vo
V -
Figura 3
Actualizado por:
- Ajuste Vi a amplitud máxima y f =

200 Hz.
- Ajuste V a 0 voltios. Observe Vo y
comience a aumentar V. Observe lo que sucede para V = 4 voltios.
- Mida los valores pico de Vo y
grafique Vo vs. Vi
- Varíe la fuente, observe y anote lo
sucedido, fotografíe la forma de onda de Vo y Vo vs. Vi (para V = 4 V). Justifique.
- Repita el procedimiento anterior
para el Circuito de la figura Nº 4
- Observe que sólo se invirtieron la
fuente VDC y el diodo.
+
Vi Vo
-
Figura 4

generador de funciones en:
Ajuste Vi a amplitud máxima y f = 200 Hz.
- Grafique Vo y compare con la
señal de entrada Vi.
- Invierta el diodo y fotografíe lo
observado.
- Justifique el por qué de las
diferencias entre los gráficos anteriores.
- Para la posición inicial del diodo
grafique Vo vs. Vi colocando en osciloscopio en XY, graficando Vo en el canal 2 y
Vi en el canal 1.
- Fotografíe lo observado. Justifique
las diferencias entre las gráficas obtenidas entre los dos circuitos. Concluya.
Actualizado por:
Vi
Figura 5
- Ajuste Vi a amplitud máxima y f =

200 Hz.
- Varíe V1 y V2 y observe lo que
sucede en Vo; mida los valores pico para V1 = 4 voltios y V2 = 6 voltios.
- Fotografíe las formas de onda
obtenidas para Vo y Vo vs. Vi.
Post-Laboratorio:
- Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento

de la práctica
- Compare los gráficos simulados con los obtenidos en la práctica, analice y
concluya.
Actualizado por:
PRÁCTICA Nº 2
CIRCUITOS CON DIODOS (RECTIFICADORES)
Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en la acción de

rectificar la señal de entrada en media onda y onda completa.
Materiales: 1N4007 (ó 1N4004), Resistores varios, transformador de toma central.
Pre-Laboratorio:
- Simule todos los circuitos del procedimiento de la práctica y grafique Vi y Vo.

- Calcule los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en los diodos para
cada uno de los circuitos de la práctica.
- Mida en la simulación, todos los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en
los diodos para cada uno de los circuitos de la práctica.
Procedimiento:

D2
Vi ~ +
5V/200Hz 10K
+
Vo
-
-
Figura 1
Generador de Funciones en:
Vi = 5V (Senoidal) F=200Hz
- Grafique Vo y compare con la
señal de entrada Vi. Fotografíe Vo y Vi.
- Mida el voltaje DC y la corriente DC
Actualizado por:
que circula por la carga y por el diodo. Compare con los calculados y simulados en
el pre-laboratorio.
- Mida el voltaje de pico inverso
(VPI) que aparece en el diodo, compárelo con el valor pico de Vi.
- Grafique Vo vs. Vi colocando el
Osciloscopio en XY, y graficando Vo en el Canal 2 y Vi en el Canal 1.
- Invierta el diodo y fotografíe lo
observado en Vo y en Vi.
- Justifique por qué existen
diferencias entre los gráficos anteriores. Concluya.
D1 D3
+ Ir 1K
Vi 6V/200Hz
+ Vr –
-
D2 D4
Figura 2

Generador de Funciones en:
Vi = 6 voltios (senoidal) F =200 HZ
- Observe la señal que aparece en R.
(Vr) y compárela con la de Vi. Fotografíe Vr y Vi.
- Mida el voltaje DC de la carga Vr y
compare con el calculado y simulado en el pre-laboratorio.
- Mida el voltaje de pico inverso
(VPI) que aparece en cada diodo, compárelo con el valor pico de Vi.
- Mida IR (en DC); mida la corriente
Actualizado por:
DC que circula por cada diodo y compárela con IR. y con los valores calculados y
simulados en el pre-laboratorio.
- Mida VR y desconecte una rama
del puente (por ejemplo D3). Observe la señal que aparece en R. (Vr) y compárela con
la de Vi. Fotografíe Vr y Vi.
- Mida VR nuevamente y compárelo
con el primer valor tomado.
- Explique lo que sucede con VR al
desconectar una rama del circuito.
- Explique la operación de este
circuito e indique qué relación existe entre las corrientes IR e ID.

D1
TX1 +
Vs
+ -
Vi - Vo +
110 V ac/ 60 Hz
+ IR
6V/200Hz
- Vs 10K
-
Figura 3
D2
- Para ello deberá emplear un

transformador de toma central conectado a la línea. Una vez conectado mida el
valor pico de las señales de las salidas del transformador. Tome nota de estos
valores para sus cálculos de la próxima práctica
- Grafique Vo y compárela con el
valor pico de Vs (es decir cada uno de los voltajes del secundario del transformador
de toma central. Fotografíe Vo y Vs.
- Sustituya el D1 por un corto e
indique qué sucede a Vo.
- Mida el voltaje DC de la carga Vo y
compárelo con el calculado y simulado en el pre-laboratorio.
- Mida el VPI que aparece en cada
Actualizado por:
diodo, compárelo con el valor pico de Vs.

- Mida IR (en DC); mida la corriente
DC que circula por cada diodo y compárela con IR. y con los valores calculados y
simulados en el pre-laboratorio.
- Explique la operación de este
circuito e indique la diferencia entre el mismo y el montado en la experiencia 2.
Post-Laboratorio:
- Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento

de la práctica
- Compare los gráficos y valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los
obtenidos en la práctica, analice y concluya.
Actualizado por:
PRÁCTICA Nº 3
FUENTE DE ALIMENTACIÓN REGULADA CON DIODO ZENER
Objetivo: Diseñar una fuente de alimentación regulada con Diodo Zener.
Materiales: Diodo Zener del voltaje que indique el docente para el diseño. Emplee los
valores comerciales más cercanos para los resistores y capacitores calculados en el diseño.
Pre-Laboratorio:
- Diseñe una fuente de alimentación regulada con Diodo Zener como la mostrada en
el procedimiento de la práctica, según las características y restricciones dadas por
el instructor de laboratorio. Estas restricciones pueden incluir: variación IL de la
corriente de carga, variación de RL, (que soporte la condición de circuito abierto),
etc. (Asuma un Vzmin = 10% Vzmax)
- Cuando realice los cálculos recuerde asumir para su diseño el valor comercial más
cercano al calculado y determinar la potencia de los resistores y diodos que
empleará, así como el voltaje del capacitor que deberá emplear, de forma que todos
sus componentes soporten sin problema las condiciones a las que serán sometidos.
- Una vez asumidos los valores comerciales más cercanos, recalcule su fuente con
dichos valores y verifique su correcto funcionamiento.
- Simule su fuente de alimentación regulada con Diodo Zener diseñada y mida para
cada caso representado por las restricciones del diseño los voltajes y corrientes DC
correspondientes.
Procedimiento:
Actualizado por:
Fuente de Alimentación regulada con Diodo Zener.
- Monte la fuente de alimentación regulada con diodo zener mostrada en la figura 1 y

diseñada en el pre-laboratorio de la práctica
Vin
-110/110V N:a
Rs
60 Hz
+
C ZENER RL
Figura 1
Una vez montado el diseño, realice todas las mediciones de los parámetros de
corriente y voltaje. Compárelos con los teóricos y con los simulados.
Nota:
- Tomar en cuenta las potencias disipadas (en teoría) y usar valores comerciales.
Post-Laboratorio:
- Compare los valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los obtenidos

en la práctica, analice y concluya.
Actualizado por:
PRÁCTICA Nº 4
POLARIZACIÓN Y ESTABILIZACIÓN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON BJT
Objetivo: Estudiar las técnicas de polarización y estabilización de amplificadores con BJT,

observando en cada caso la variación de la ubicación del punto Q por efecto de la
temperatura y reemplazo de transistores.
Materiales:
Q1 = 2N3904, Q2 = 2N2222. Resistores varios, Potenciómetros, capacitores de 10μf, cautín.
Pre-Laboratorio:
- Obtenga de la Hoja de Datos de los BJT 2N3904 y 2N2222 la curva de máxima

potencia, así como también las curvas características de entrada y de salida de
cada transistor.
- Para los circuitos mostrados en las figuras 1, 2 y 3, si Vcc = 15 V, obtenga el valor

de R para obtener la máxima excursión simétrica para Q1. Calcule con el valor
comercial más cercano a su R obtenida, los valores de Vbe, Vce e Ic y verifique si
efectivamente con ese valor, su transistor se encuentra operando en la región
activa. Si no es así, recalcule su R hasta que lo consiga.
- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3, ajuste el valor de Vs

(valores en mV) hasta obtener el máximo nivel de salida sin distorsión (ello implica
que la señal debe ser senoidal sin recortes) y grafique las señales de entrada y
salida. Si sus cálculos son correctos, los circuitos deberían dar alguna ganancia.
Mida Vbe, Vce e Ic en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y señale sobre
ella el punto Q de operación y demuestre que en efecto su transistor se encuentra
en la región activa.
- En los circuitos diseñados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

presentado en el apartado anterior.
Actualizado por:
Procedimiento:
1. Polarización Fija
Monte el circuito de la figura 1
1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y varíe la amplitud de la misma para obtener el
máximo nivel de Vsalida sin distorsión en el osciloscopio. Fotografíe las señales de
entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Ic, Vbe y
Vce, grafique la recta de carga del circuito y señale sobre ella el punto Q de
operación.
2. Aplique calor al BJT durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su cobertura
y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la pantalla
del osciloscopio la señal de salida del amplificador. Fotografíela y compárela con la
obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el elemento calórico, mida
en DC los valores de Ic, Vbe y Vce, compárelos con los obtenidos en el paso 1 y
señale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.
3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.
2. Polarización Colector a Base (por Retroalimentación del Colector):
Actualizado por:
- Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la experiencia anterior.
3. Polarización por Divisor de Tensión:
- Para el circuito de la figura 3 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.
Post-Laboratorio:
Actualizado por:
- Para cada circuito compare las señales de salida fotografiadas en práctica y los
puntos Q señalados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con
calor.
- Analice y concluya sobre el efecto del calor y de la variación de β (de transistor) en

relación con el empleo de los tres circuitos empleados en la práctica.
- Analice y concluya sobre el circuito más eficiente para polarizar un BJT. Justifique.
Actualizado por:
PRÁCTICA Nº 5
POLARIZACIÓN Y ESTABILIZACIÓN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON JFET
Objetivo: Estudiar las técnicas de polarización y estabilización de amplificadores con JFET,

observando en cada caso la variación de la ubicación del punto Q por efecto de la
temperatura y reemplazo de transistores.
Materiales:
Q1 = MPF102, Q2 = ECG451. Resistores varios, Potenciómetros, capacitores de 10μf,

CAUTÍN como fuente de calor.
Pre-Laboratorio:
- Obtenga de la Hoja de Datos de los JFETs las curvas características de entrada y

de salida para cada transistor, así como también los valores Idss y Vp.
- Para los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2, si Vdd = 15 V, obtenga el valor de

Rs para obtener la máxima excursión simétrica para Q1. Verifique que con el valor
comercial más cercano a Rs, su JFET se encuentra trabajando en la región activa
(aquella en la cual para un determinado Vgs, Id permanece constante mientras
aumenta Vds)
- Simule cada uno de los circuitos, ajuste el valor de Vs hasta obtener el máximo nivel
de salida sin distorsión y grafique las señales de entrada y salida. Mida Vgs, Vds e
Id en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y señale sobre ella el punto Q
de operación.
- En los circuitos diseñados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

presentado en el apartado anterior.
Procedimiento:
Actualizado por:
1. Polarización Fija
Monte el circuito de la figura 1
1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y varíe la amplitud de la misma para obtener el
máximo nivel de Vsalida sin distorsión en el osciloscopio. Fotografíe las señales de
entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Id, Vgs y
Vds, grafique la recta de carga del circuito y señale sobre ella el punto Q de
operación.
2. Aplique calor al JFET durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su
cobertura y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la
pantalla del osciloscopio la señal de salida del amplificador. Fotografíela y
compárela con la obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el
elemento calórico, mida en DC los valores de Id, Vgs y Vds, compárelos con los
obtenidos en el paso 1 y señale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.
3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.
2. Polarización por Divisor de Tensión:
Actualizado por:
- Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.
Post-Laboratorio:
- Para cada circuito compare las señales de salida fotografiadas en práctica y los
puntos Q señalados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con
calor.
- Analice y concluya sobre el circuito más eficiente para polarizar un JFET, dada su
variabilidad en sus parámetros Idss y Vp. Justifique.
- Analice y concluya sobre el efecto del calor en los JFET, compárelos con los BJT.
Actualizado por:
PRÁCTICA Nº 6
DISEÑO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEÑA

SEÑAL CON BJT
Objetivo: Diseñar amplificadores a baja frecuencia y pequeña señal con BJT, verificando las
características de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.
Materiales: 2N3904 ó 2N2222, Resistores varios, Potenciómetros, capacitores de 10μf.
Pre-Laboratorio:
- Diseñe un circuito amplificador con BJT en configuración emisor común (E-C) de la

figura 1, para una ganancia de voltaje Av = Vo/Vb que indique su instructor. Analice
su circuito para los valores comerciales más cercanos y verifique que su transistor
se encuentra trabajando en la región activa. Si no es así recalcule su diseño.
- Diseñe un circuito amplificador con BJT en configuración seguidor de emisor (C-C)
de la figura 2, para una impedancia de entrada Ri = Vb/Ii que indique su instructor.
Analice su circuito para los valores comerciales más cercanos y verifique que su
transistor se encuentra trabajando en la región activa. Si no es así recalcule su
diseño.
- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2, para valores pequeños de Vi
(mV) Mida: Vbe, Vce e Ic en DC y grafique la recta de carga de cada circuito y
señale sobre ella el punto Q de operación. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el
máximo nivel de salida sin distorsión y grafique las señales de entrada (Vb) y
salida (Vo). Mida además: Av, Ai, Ri y Ro.
Figura 2
1
Procedimiento:
Actualizado por:
1. Amplificador con BJT en configuración Emisor Común (E-C)
- Monte el circuito de la figura 1 diseñado en el pre-laboratorio y mida los parámetros

DC de polarización del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medición,
indique en qué región de operación (activa, corte o saturación) se encuentra
trabajando este transistor y por qué.
- Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturación, ajuste los
valores del circuito hasta llevarlo a la región activa. Ej. Vbe ≈ 0,6 V, Vce ≈ Vcc/2 e
Ic ≠ 0.
- Ajuste el valor de Vs hasta obtener el máximo nivel de salida sin distorsión. Mida
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografíe Vo y Vb en conjunto.
- Mida el desfasaje entre las señales Vo y Vb. Analice y concluya.
- Mida los parámetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y
Resistencia de salida Ro (ver observaciones).
2. Amplificador con BJT en configuración Seguidor de Emisor (C-C)

DC de polarización del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medición,
indique en qué región de operación (activa, corte o saturación) se encuentra
trabajando este transistor.
- Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturación, ajuste los
valores del circuito hasta llevarlo a la región activa.
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografíe Vo y Vb en conjunto.
- Mida el desfasaje entre las señales Vo y Vb. Analice y concluya.
Resistencia de salida Ro (ver observaciones).
Actualizado por:
Post-Laboratorio:
- Compare los valores obtenidos mediante cálculos y simulaciones con los obtenidos
en la práctica.
- Compare los parámetros Av, Ai, Ri, Ro y fase de ambas configuraciones y

concluya.
OBSERVACIONES
 Las mediciones se hacen en AC, a una frecuencia tal que la ganancia
permanezca constante alrededor de la frecuencia de medición, o dicho de
otra forma, a frecuencias medias (f ≅ 1KHz).
MÉTODOS PARA LA MEDICIÓN DE LOS PARÁMETROS DE UN CIRCUITO

AMPLIFICADOR
 Ganancia de tensión Av=Vo/Vb.

Es importante tener claro los lugares donde hay que medir las tensiones para poder obtener
la ganancia deseada. Si se desea obtener la ganancia Vo/Vs, es necesario medir Vs del
generador de señales en circuito abierto, de tal forma que se pueda medir solamente Vs, sin
la carga del circuito
 Resistencia de entrada, Ri=Vb/is

Un posible método para hallar Ri es a través de la medición con carga y sin carga de Vb:
a)Mida Vs. Para lograr esto, haga una medición en vacío de Vs (tensión de la fuente de
señales sin carga).
b)Mida Vb con carga
c)De la ecuación Vb= Vs * Ri/(Ri + Rs), despeje Ri.
Rs es la resistencia del generador (50 Ω)
 Ganancia de corriente Ai=io/ib

No es normal medir la corriente con un amperímetro en circuitos de naturaleza resistiva,
pues es mucho más sencillo medir la tensión y luego dividirla entre el valor de la resistencia.
Actualizado por:
a)Obtenga io como io=Vo/Rc
b)Obtenga hie a través de la expresión: Ri= Rb * hie/(Rb + hie) , Rb= R1* R2 /(R1 + R2)
c)Obtenga ib como ib=Vb/hie y luego haga el cociente io/ib=Ai
 Resistencia de salida Ro, resistencia de Thevenin

entre colector y tierra
A pesar que el procedimiento teórico para medir la resistencia de
salida es aplicar una fuente de tensión Vk entre colector y tierra,
con la entrada cortocircuitada y luego hacer el cálculo del cociente
entre Vk e ik, donde ik es la corriente que circula por la fuente Vk, resulta ser poco práctico.
Si el amplificador se puede representar como el circuito de la figura, a través de la medición

de la tensión de colector Vc, con carga y sin carga, se puede determinar Ro siguiendo el
procedimiento:
a)Mida Vo en AC a través de la tensión de colector en vacío (Sin RL)
b)Cargue el circuito con una resistencia conocida RL entre colector y tierra (colocándole el
capacitor Cc) y mida de nuevo la tensión de colector Vc en AC
c)Despeje Ro, de la ecuación: Vc= Vo* RL/ (Ro + RL)
Actualizado por:
PRÁCTICA Nº 7
DISEÑO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEÑA

SEÑAL CON JFET
Objetivo: Diseñar amplificadores a baja frecuencia y pequeña señal con JFET, verificando
las características de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.
Materiales: MPF102 ó ECG451, Resistores varios, Potenciómetros, capacitores de 10μf.
Pre-Laboratorio:
- Diseñe un circuito amplificador con JFET en configuración fuente común de la figura

1, para una ganancia | Av| = 2, RL=1kΩ, VDD=20V
- Diseñe un circuito amplificador con JFET en configuración seguidor de fuente de la

figura 2, para una impedancia de entrada que indique su instructor.
- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vgs, Vds e Id en DC y
grafique la recta de carga de cada circuito y señale sobre ella el punto Q de
operación. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el máximo nivel de salida sin
distorsión y grafique las señales de entrada (Vg) y salida (Vo). Mida además: Av,
Ai, Ri y Ro.
Figura 1 Figura 2
Procedimiento:
Actualizado por:
1. Amplificador con JFET en configuración Fuente Común.

DC de polarización del transistor, (Vgs, Vds e Id).
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografíe Vo y Vg en conjunto.
- Mida el desfasaje entre las señales Vo y Vg. Analice y concluya.
Resistencia de salida Ro.
2. Amplificador con JFET en configuración Seguidor de Fuente.

DC de polarización del transistor, (Vgs, Vds e Id).
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador Av, Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia
de salida Ro. Fotografíe Vo y Vg en conjunto.
- Mida el desfasaje entre las señales Vo y Vg. Analice y concluya.
Post-Laboratorio:
- Compare los valores obtenidos mediante cálculos y simulaciones con los obtenidos
en la práctica.
- Compare los parámetros Av, Ai, Ri, Ro y fase de ambas configuraciones y

concluya.
- gm=gmo.√(ID/Idss); gmo=2.Idss / Vp
PRÁCTICA Nº 8
Actualizado por:
ESTUDIO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS EN CONFIGURACIÓN CASCODE CON

BJT Y CON JFET
Objetivo: Verificar experimentalmente las características de etapas amplificadoras en

etapas cascode con BJT y con JFET.
Materiales
- 2 transistores BJT 2N2222.
- 2 transistores JFET MPF102.
- Potenciómetros varios, resistores varios, capacitores varios.
Pre-Laboratorio:
- Para el circuito de la figura 1, determine el valor de R para que los BJT posean una
corriente de colector igual a 10 ma.
- Para el circuito de la figura 2, determine el valor de R para que los JFET posean
una corriente de drenador igual a 6 ma.
- Realice las simulaciones de los dos circuitos, colocando en Vs la amplitud máxima

que no genere distorsión a la salida y obtenga cada uno de los valores solicitados
en el procedimiento de la práctica.
Procedimiento:
Monte cada uno de los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2 y en el laboratorio obtenga:
- El punto Q de cada transistor (en DC).
- La ganancia de tensión: Vout/Va, Va/Vin, Vout/Vin (en AC).
- La ganancia de corriente: Iout/Ic, Ic/Iin, Iout/Iin (en AC).
- Grafique las señales de entrada y de salida
Actualizado por:
Figura 2
Figura1
Post Labortorio
- Compare todos los valores obtenidos mediante cálculos y simulaciones del pre-
laboratorio con los obtenidos en la práctica. Analice y concluya.
- Compare las ganancias de tensión y corriente de cada cascode y obtenga una

aplicación de esta configuración.
- De acuerdo a los resultados obtenidos, ¿esta configuración sirve como amplificador

de potencia, tensión o corriente? Justifique su respuesta.
Actualizado por:

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REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

CIRCUITOS CON DIODOS (RECORTADORES)

Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en circuitos

Materiales: 1N4007 (ó 1N4004), Diodo Zener entre 3,6 V y 6 V de 1 W, Resistores varios.

1. Monte el siguiente circuito:

osciloscopio. Para ello, tome Vo en el canal 2, Vi en el canal 1 y coloque el control de

2. Monte el siguiente circuito:

- Coloque los controles del generador de funciones en:

3. Monte el siguiente circuito:

- Ajuste Vi a amplitud máxima y f =

- Coloque los controles del

4. Monte el siguiente circuito:

- Ajuste Vi a amplitud máxima y f =

- Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento

CIRCUITOS CON DIODOS (RECTIFICADORES)

Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en la acción de

Materiales: 1N4007 (ó 1N4004), Resistores varios, transformador de toma central.

- Simule todos los circuitos del procedimiento de la práctica y grafique Vi y Vo.

1. Monte el siguiente circuito:

2. Monte el siguiente circuito:

- Coloque los controles del

3. Monte el siguiente circuito:

- Para ello deberá emplear un

diodo, compárelo con el valor pico de Vs.

- Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento

FUENTE DE ALIMENTACIÓN REGULADA CON DIODO ZENER

Objetivo: Diseñar una fuente de alimentación regulada con Diodo Zener.

el procedimiento de la práctica, según las características y restricciones dadas por

el instructor de laboratorio. Estas restricciones pueden incluir: variación IL de la

corriente de carga, variación de RL, (que soporte la condición de circuito abierto),

etc. (Asuma un Vzmin = 10% Vzmax)

cercano al calculado y determinar la potencia de los resistores y diodos que

dichos valores y verifique su correcto funcionamiento.

Fuente de Alimentación regulada con Diodo Zener.

- Monte la fuente de alimentación regulada con diodo zener mostrada en la figura 1 y

- Compare los valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los obtenidos

POLARIZACIÓN Y ESTABILIZACIÓN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON BJT

Objetivo: Estudiar las técnicas de polarización y estabilización de amplificadores con BJT,

- Obtenga de la Hoja de Datos de los BJT 2N3904 y 2N2222 la curva de máxima

- Para los circuitos mostrados en las figuras 1, 2 y 3, si Vcc = 15 V, obtenga el valor

- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3, ajuste el valor de Vs

- En los circuitos diseñados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

Monte el circuito de la figura 1

1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y varíe la amplitud de la misma para obtener el

máximo nivel de Vsalida sin distorsión en el osciloscopio. Fotografíe las señales de

y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la pantalla

del osciloscopio la señal de salida del amplificador. Fotografíela y compárela con la

obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el elemento calórico, mida

señale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.

3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.

2. Polarización Colector a Base (por Retroalimentación del Colector):

- Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la experiencia anterior.

3. Polarización por Divisor de Tensión:

- Para el circuito de la figura 3 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.

- Analice y concluya sobre el efecto del calor y de la variación de β (de transistor) en

POLARIZACIÓN Y ESTABILIZACIÓN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON JFET

Objetivo: Estudiar las técnicas de polarización y estabilización de amplificadores con JFET,

Q1 = MPF102, Q2 = ECG451. Resistores varios, Potenciómetros, capacitores de 10μf,

- Obtenga de la Hoja de Datos de los JFETs las curvas características de entrada y

- Para los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2, si Vdd = 15 V, obtenga el valor de

- En los circuitos diseñados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y varíe la amplitud de la misma para obtener el