UNIVERSIDAD DEL VALLE - FACULTAD DE INGENIERÍA

ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

PROGRAMA ACADÉMICO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS (710159M)

Práctica No. 04 – Circuitos con Transistor FET

Antes de iniciar la práctica o adquirir cualquier elemento, por favor lea completamente la guía.

1. OBJETIVOS
 Identificar las características de los transistores de efecto de campo FET
 Medir y graficar las curvas características de un transistor FET.

2. EQUIPOS Y MATERIALES
 Multímetro
 Protoboard
 1 Transistor 2N5458 canal n JFET (o similar)
 Datasheet de Transistor
 Fuente de tensión
 Cámara o celular con cámara
 Componentes electrónicos según los circuitos de la práctica
 Hoja de datos de los elementos que utilice
 Imprimir la hoja de respuestas para entregarla en día de la práctica

3. INFORMACIÓN PRELIMINAR
El transistor de unión de efecto campo JFET (Junction Field Effect Transistor) está conformado por
una unión p+n o n+p. El lado más dopado corresponde a la puerta (Gate), en contraste, el menos
dopado es el canal. Según el tipo de dopado del canal, distinguiremos dos tipos de transistores
JFET: de canal n y de canal p. La figura 1 presenta la estructura de un transistor JFET de canal n.

Figura 1. Esquema interno de un JFET canal N.

La figura 2 presenta los símbolos y el sentido de las intensidades de drenaje (drain) y compuerta
(Gate). Es necesario tener en cuenta, que la mayoría de descripciones comportamentales de este
dispositivo, se realiza con la tensión de compuerta y su intensidad de drenaje.

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Práctica No. 04 – Circuitos con Transistor FET

Figura 2. Representación de los JFET

4. PRÁCTICA
Recuerde tomar una foto de cada circuito implementado

Parte A. Es importante leer y entender todos los pasos para evitar daños en el transistor.

Figura 3. Circuito para determinar ID.

a. Construya el circuito mostrado en la figura 3. No encienda la fuente, hasta tener todo listo,
porque en los pasos siguientes se le exigirá casi al máximo al transistor y se puede quemar.
b. Conecte el multímetro entre el Drain y Source del transistor para medir VDS.
c. Encienda la fuente Dual, con VGG y VDD a 0 Volts.
d. Mantenga VGG a 0 Volts y lentamente incremente VDD hasta que VDS sea igual a 1.0V. Mida la
tensión en R2. Con la Ley de Ohm, estime la intensidad de Drain en dicha resistencia y anote el
dato en la tabla 1 de la hoja de respuestas. Note que la corriente máxima en R2 es la corriente
de Drain.
e. Repita el paso anterior para cada uno de los valores mostrados en la tabla 1. Tenga en cuenta
que primero se debe tomar los valores modificando VDD y luego se modifica VGG. Al Finalizar
apague la fuente, para dejar reposar el transistor.
f. Con los datos obtenidos en la tabla 1, grafique las curvas características de Drain (VDS vs ID) en
la cuadricula 1 de la hoja de respuestas, usando los valores de VG.

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g. Encienda nuevamente la fuente y sintonice VDD = 12V, modifique VGG hasta que VR2 = 0V y
entonces mida el VGS (OFF). Anote el dato en la tabla 2 de la hoja de respuestas.
h. Sin modificar VDD, conecte R1 entre Gate y Source y mida la corriente IDSS en R2. Anote el dato
en la tabla 2 de la hoja de respuestas.
i. Construya el circuito mostrado en la figura 4. Sintonice el VDD en 0V, observe y anote en la tabla
2 el valor ID mientras va incrementando de 1V en 1V, la tensión VDD hasta 15V. (Verifique no
exceder la IDMÁX). Note que VD inicia donde la corriente es constante.

Figura 4. Circuito de comparación comportamental.

Parte B.

Realice las gráficas pertinentes para explicar el comportamiento del FET (VDS vs ID), describiendo
que información u otro se obtiene de cada una. ¿La curva realizada es similar a la realizada en la
hoja de respuestas? Explique su respuesta.

Explique o responda los siguientes puntos:

 Explique como encontrar IDSS a partir las curvas características de un JFET
 ¿Cuales son las razones para hallar VGS(OFF) e IDSS?
 ¿Por qué un JFET puede ser operado únicamente con un voltaje negativo de puerta a Source?
 De acuerdo a los datos obtenidos, ¿En cual tabla puedo hallar la transconductancia?
 A partir de la tabla seleccionada, ¿Es posible afirmar que transconductancia es constante en todos
los puntos?
 Compare el valor de ID en la tabla 1, cuando VG = 0V y VDD = 2.0V con los datos de la tabla 2.
¿Qué puede concluir?
 ¿Qué característica indica que el JFET es un dispositivo no lineal? Por qué?
 ¿Cuál fue la corriente máxima que maneja el LED en el paso j? Explique

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5. INFORME DE LA PRÁCTICA

El informe de la práctica se divide en dos partes:

 La primera es la entrega de la hoja de respuestas anexa a esta guía, el día del laboratorio (Parte
A).
 La segunda es la parte B, que se subirán en el campus.

El informe de la práctica (Parte B ), deberá ser entregado en digital, en el campus Universitario,

antes de la fecha y hora límite.

Para la presentación del informe, utilice el formato IEEE (Todos sus apartes) con foto de los autores
y una breve biografía, NO utilice doble columna, preséntelo en forma continua.

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