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AMPLIFICADO RES DE AUDIO

DESARROLLO, CONSTRUCCION,
ENSAYO.
VALVULAS Y SEMICONDUCTORES.
POR
EGON STRAUSS.
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AMPLIFICADORES DE AUDIO 1999.


DESARROLLO, CONSTRUCCION, ENSAYO.
VALVULAS Y SEMICONDUCTORES.
POR EGON STRAUSS.

PROLOGO.

La presente obra se destaca por un motivo muy especial de otras que


EDITORIAL QUARK y otras Editoriales han difundido sobre el tema de los
amplificadores de Audio en los últimos años. Nos referimos a la
inclusión de un tema muy especial: los amplificadores a válvula.
En 1975, aproximadamente, la mayoría de las fábricas de válvulas en el
mundo realizaban pequeñas ceremonias para celebrar un
acontecimiento muy esperado que era la puesta en línea de montaje de
la última válvula de sus fábricas y el posterior cierre de estas líneas.
Estas ceremonias, 15 años después, fueron a la inversa. Las válvulas
para usos de audio volvieron a la carga y junto con el renacimiento de
conjuntos musicales como “Los Beatles” y “Los Rolling Stones”
volvieron a la actividad. Las Técnicas Digitales están en plena vigencia
y la DTV, los discos CD, MD y DVD florecen con todo su esplendor, pero
aún se aprecian las válvulas en el exquisito grupo de los aficionados a la
buena música del High End, que las usan en cantidades cada vez
mayores.
De muchos amantes de la buena música, tanto de la Clásica como de
“la otra”, de los compases del Rock hasta Rachmaninoff y del Tango
hasta Tschaikovsky, se escuchan quejas sobre el semiabandono en el
cual se encuentra el tema válvulas. No hay más Manuales de Válvulas
con sus curvas y características tan importantes y a nadie se le va
ocurrir editar estos Manuales de nuevo, pero sus datos son necesarios
para la construcción, el service y el ensayo de los amplificadores de alta
categoría y de alto precio que son cada vez más frecuentes.
Editorial QUARK consciente de esta situación y del nicho no tan
pequeño y además económicamente importante de los amigos del High
End y de las válvulas, decidió aportar su grano de arena para abarcar
este tema tan querido para muchos. No se descartan desde luego los
semiconductores que son los componentes permanentes del presente y
del futuro, pero tampoco descartamos las válvulas en su segundo
período de vigencia.
Contamos con la colaboración de importantes empresas del ramo que
vuelven a fabricar válvulas ahora a fines del siglo XX y piensan hacerlo
también en el siglo XXI que está tan cercano. Tenemos el suministro de
importantes datos, circuitos y toda clase de aportes técnicos,
indispensables para llevar a cabo esta tarea de “aggiornamiento” de las
válvulas electrónicas y esperamos poder contar también con una
acogida favorable de parte de los usuarios de esta antigua y moderna
técnica que incluye las válvulas, junto con otros componentes
3

importantes, en sus diseños y proyecciones. A todos ellos, que han


prestado así su invaluable colaboración expresamos desde ya nuestro
más sincero agradecimiento.
Además del tema de los amplificadores a válvula y a semiconductores,
incluimos en la presente obra todos los datos pertinentes para la
comprensión y el entendimiento más profundo de otro fenómeno de
nuestros días, que es el teatro del hogar. Esta manifestación importante
de audio y video en el hogar, mueve muchos intereses técnicos,
comerciales y económicos y entra sin lugar a duda en una categoría
importante para todas las partes interesadas: Técnico, Comerciante y
Usuario.
A todos ellos dedicamos esta obra.
El Autor.

Indice.
Prólogo.

Capítulo 1. Introducción al Audio.


1.1. El oído humano y la música.
1.2. El oído humano y los altoparlantes.
1.3. La alta fidelidad.
1.4. Algunas observaciones sobre especificaciones técnicas.
1.5. La cadena de amplificación de audio.

Capítulo 2. Válvulas, transistores y circuitos integrados.


2.1. Un poco de historia.
2.2. El mundo de las Válvulas.
2.2.1. Al comienzo existían los diodos.
2.2.2. Los triodos.
2.2.3. El tetrodo.
2.2.4. El pentodo.
2.2.5. Conexiones de entrada y salida en las válvulas.
2.2.6. Un vistazo al Manual de válvulas.
2.2.7. Acoplamiento entre etapas.
2.2.8. La corriente en las etapas de salida de audio.
2.3. El mundo de los Semiconductores.
2.3.1. Diodos y transistores.
2.3.2. Los transistores por efecto de campo.

Capítulo 3. Amplificadores de audio.


3.1. Categorías de amplificadores.
3.2. Amplificadores a válvula.
3.3. Amplificadores con transistores bipolares.
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3.4. Amplificadores con transistores MOS-FET.


3.4.1. Nuevamente los transistores MOS-FET.
3.4.2. El circuito de las dos secciones del amplificador modelo
A75.
3.4.3. La fuente de alimentación.
3.4.4. Aspectos de armado y ajuste.
3.5. Amplificadores con circuitos integrados.
3.6. Un amplificador a válvula que hizo historia, el
WILLIAMSON.

Capítulo 4. Preamplificadores y otras etapas auxiliares.


4.1. Algunos requisitos para preamplificadores.
4.2. Un preamplificador universal con transistores.
4.2.1. Las especificaciones del preamplificador universal.
4.2.2. El circuito del preamplificador.
4.2.3. El armado del preamplificador.
4.3. Un preamplificador a válvulas.
4.4. Ecualizadores.
4.5. Un pasadiscos para vinílicos, modelo del 1995.

Capítulo 5. El Teatro del Hogar.


5.1. Una breve introducción.
5.2. Audio y Video en el Teatro del Hogar.
5.3. El Teatro del Hogar controlado por computadora.
5.4. La instalación del Teatro del Hogar.

Apéndice. Datos útiles para el constructor de equipos de audio.


A.1. La reactancia capacitiva para diferentes frecuencias.
A.2. Atenuación o ganancia en decibeles. Tensiones y
potencias.
A.3. Niveles de energía en semiconductores.
A.4. Prefijos normalizados por el sistema SI.
A.5. Espectro de Frecuencias.
A.6. Circuitos varios para equipos de audio.
(a) Circuito de amplificador de audio clase A.
(b) Circuitos de aplicación para TDA1516Q y TDA1518Q.
(c) Un preamplificador con doble triodo.
(d) El amplificador QUAD II.
.
5

Capítulo 1.

Introducción al audio.

1.1. El oído humano y la música.


La base de toda señal de audio, cualquiera que sea su origen, su medio
de transporte o su plataforma analógica o digital, es el oído humano con
todas sus virtudes y con todas sus limitaciones. En la figura 1.1 vemos
en un corte transversal el aspecto de este órgano tan exquisito del
cuerpo humano. La respuesta del oído frente a las señales acústicas,
vocales o musicales, no es del todo parejo. Existen importantes
limitaciones en cuanto a la frecuencia de los sonidos que llegan a
nuestros oídos y son captados o no de acuerdo a una curva de
respuesta del umbral de audición. En la figura 1.2. vemos la curva
normalizada de este umbral, pero la misma puede cambiar en forma
individual de acuerdo a la edad, el sexo y el entrenamiento del oyente y
además también de acuerdo a muchas condiciones ambientales que
influyen en forma muy importante en la audición.
La música, a pesar de tratarse de una expresión artística de variaciones
infinitas, es sin embargo una de las disciplinas mejor organizadas y con
mayor contenido matemático que podemos imaginar. Esto es desde
luego imprescindible si analizamos el problema más a fondo, ya que sin
esta organización interna tan rigurosa sería imposible lograr
reproducciones musicales fieles al compositor a través de los tiempos y
los instrumentos musicales tan variados en diferentes épocas. El
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secreto de este aspecto tan riguroso es la escala musical que en la


cultura occidental se caracteriza por estar dividida en octavas que
poseen 12 notas cada una. En cada octava las notas poseen una
frecuencia del doble o de la mitad de la anterior o posterior. El punto de
partida es la nota LA de 440 Hertz y las notas se distancian una de otra
con un factor k que surge de la misma definición de la octava.

Con este valor de k y con la frecuencia de referencia f = 440 Hertz, la


escala central tiene los siguientes valores de frecuencia en sus notas.
La frecuencia de las demás notas puede derivarse de los valores
indicados de LA = 440 Hz y del factor k. En la Tabla 1.1 indicamos la
nomenclatura de las notas en el sistema italiano, alemán y americano.
En la argentina se usa el sistema italiano.

TABLA 1.1. Las notas de la escala musical.

Nomenclatura del sistema


Frecuencia en Hertz
Italiana Alemana American Fórmula Valor
a
DO C C 440 x k
-9 262
DO# C# C# 440 x k
-8 277
RE D D 440 x k
-7 294
RE# D# D# 440 x k
-6 311
MI E E 440 x k
-5 330
FA F F 440 x k
–4 349
FA# F# F# 440 x k
-3 370
SOL G G 440 x k
-2 392
SOL# G# G# 440 x k
-1 415
LA A A 440 x k
0 440
LA# A# A# 440 x k 466
SI H B 440 x k
2 494
DO´ C´ C´ 440 x k
3 524

En principio todos los sonidos se manifiestan como cambios de presión


del aire que nos rodea. En la presencia de equipos de audio, el oído
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reacciona a las minúsculas variaciones de presión que provienen de un


transductor acústico que transforma variaciones de señales eléctricas
en variaciones de presión de aire. Este transductor es el altoparlante
que forma parte ineludible de todo sistema de audio electrónico.
El altoparlante recibe una señal eléctrica, la señal de audio, y la
transforma en vibraciones del aire que rodea el parlante y que llena el
ambiente en el cual actúa. Bajo un punto de vista técnico podemos
manifestar que el parlante es un transductor que recibe una señal que
representa una tensión en función del tiempo y la transforma en otra
expresión equivalente que representa una presión en función del
tiempo. Esta presión mueve el aire y mover aire parece fácil, el
problema es que todo el proceso descrito debe efectuarse en
concordancia con las características del oído y del cerebro humano que
son en realidad los destinatarios finales de esta señal de audio y de las
vibraciones del aire que producen a través del altoparlante.
Si analizamos el problema bajo este aspecto, de repente la situación se
complica debido a las características anatómicamente complejas y
fisiológicamente delicadas del oído humano y del asombroso alcance
que posee.
Si enunciamos únicamente las prestaciones del oído nos parecen
bastante simples: el rango de frecuencias se ubica en las 10 octavas y
el rango dinámico, expresado como rango de potencias respecto al
nivel de presión sonora (SPL = sound pressure level), es del orden de
los 110 a 120 dB. Sin embargo, si profundizamos la lectura de estos
valores un poco, veremos que cada octava duplica las frecuencias de la
10
anterior y que por lo tanto 10 octavas implican un rango de 2 = 1024
veces, aproximadamente de 20 a 20.000 Hertz. Por otra parte un rango
dinámico de 120 dB significa una diferencia de nivel entre el sonido más
12
débil y el más fuerte que podemos percibir, de unas 10 veces, un
millón de millones de veces. Estos valores tan elevados en escalas
lineales son reducidos por el uso de una escala exponencial en la
relación de frecuencia y octava y de una escala logarítmica en la escala
de potencias. Cada 10 dB en esta última escala significa una presión
SPL diez veces mayor. Para una reproducción sonora en el hogar se
puede considerar como valor normal en el hogar unos 95 dB de SPL y
en este caso pueden presentarse picos de potencia en películas con
explosiones, choques de automóvil y otros efectos sonoros, de 105 dB.
El valor arriba mencionado de 120 dB no es aconsejable de ninguna
manera y puede producir daños a la capacidad auditiva de las personas.
Más adelante veremos que los niveles de 95 a 105 dB de SPL pueden
lograrse en una sala del hogar grande con potencias de 20 a 35 Watt
por canal.
A todo ello se agrega que el aire que debe moverse por medio de la
actuación del parlante se expresa en dimensiones cúbicas de litros, lo
que también implica un incremento exponencial de la presión necesaria.
8

1.2. El oído humano y los altoparlantes.


Para cumplir cabalmente con estos requisitos el altoparlante debe
cumplir ciertas normas constructivas. Veamos entonces como debe
estar construido el altoparlante básico para poder hacer frente a estas
exigencias y sobre todo, cuales son los puntos más débiles en este tipo
de construcción. En la figura 1.3 vemos el aspecto de un altoparlante,
en corte transversal que permite apreciar los aspectos constructivos
más importantes de este componente tan importante.
Se observa la bobina móvil con su soporte como elemento receptor de
la energía eléctrica de la señal de audio y adosado a ella el cono que
transforma esta energía eléctrica en energía mecánica y acústica por la
interacción entre el campo magnético del imán con sus piezas polares y
la corriente que circula en la bobina móvil. El conjunto de bobina móvil,
imán y cono es el centro energético del altoparlante y su rendimiento
depende principalmente de la interacción de estos componentes.
El campo magnético debe ser lo más fuerte posible para lograr un
rendimiento eficiente y para ello se usan materiales especiales que
abarcan desde aleaciones metálicas como el Ferroxdure, el Alnico
(aleación de aluminio, níquel y cobalto) y otros, hasta compuestos
cerámicos totalmente sintéticos basados en neodimio, estroncio, bario
u otros.
Las piezas polares son de acero de alta calidad que rodean la bobina
móvil con su forma de soporte de diferentes materiales (papel, aluminio
etc.) e inducen en el reducido espacio del entre hierro el campo
magnético necesario para los parlantes del tipo dinámico.
Adosado a la bobina móvil se encuentra el cono cuyo material cumple la
función de actuar como pistón en este mecanismo electromecánico –
acústico. Es ahí donde comienza el primer obstáculo aparente del
sistema. Si bien se están usando los más diferentes materiales para el
cono, el mismo no puede responder en forma uniforme y pareja ante
cualquiera de las más de mil frecuencias que se pueden presentar en la
bobina móvil. Cada frecuencia posee una longitud de onda específica,
resultado de la conocida expresión L = v/f, donde “L” es la longitud de
onda en metros, “v” es la velocidad de propagación del sonido en el
aire (unos 340 metros) y “f” es la frecuencia en Hertz. En la Tabla 1.2
vemos las longitudes de onda aproximadas para tonos de diferentes
frecuencias.

TABLA 1.2. LONGITUD DE ONDA DE DIFERENTES TONOS.


FRECUENCIA “f” LONGITUD DE ONDA “L”
30 Hertz (Hz) 11,33 metros (m)
50 Hz 6,80 m
100 Hz 3,40 m
200 Hz 1,70 m
400 Hz 0,85 m
1000 Hz 0,34 m
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4000 Hz 0,085 m

En la propagación, difusión e irradiación de las diferentes frecuencias


existe una influencia notable entre la longitud de onda y las
dimensiones del cono y de otros accidentes ambientales. Mientras la
longitud de onda es mucho mayor que las dimensiones del cono, el
mismo se comportará como un pistón verdadero y los tonos de esta
frecuencia serán irradiados en forma completamente homogénea y
pareja. Sin embargo, cuando la longitud de onda es comparable con las
dimensiones del cono, esta irradiación puede sufrir inconvenientes
debido a que una parte del cono recibirá una frecuencia, mientras que
otra estará recibiendo una frecuencia diferente. Esto produce desde
luego una ruptura en la continuidad acústica, con un efecto audible en
la música irradiada.
En cuanto a los materiales usados para la construcción del cono,
debemos destacar que el material más usado en el aspecto histórico y
técnico, sigue siendo el papel, sobre todo con diferentes tipos de
tratamiento que otorgan mayor o menor grado de elasticidad o solidez
al cono, según el uso concreto del mismo en woofers o squawkers
(tonos graves y medios). Para el uso en los tweeters de tonos agudos,
se usa con mucha frecuencia conos metálicos, algunos con diferentes
formas, no cónicas sino esféricas. No obstante esta forma el “cono” o
“domo” sigue comportándose como pistón para movilizar la masa de
aire circundante. En algunos casos se insiste en un comportamiento
esférico, pero esto no es rigurosamente correcto, ya que una esfera
debiera expandirse o contraerse en proporción a su distancia de la
posición de reposo y ello obviamente no es así. Tanto un “cono” como
un “domo” actúan como “pistones”. Con respecto a los “domos”
debemos señalar que los mismos tienen su bobina móvil adosada al
diámetro periférico del conjunto y no a su centro como las membranas
de forma cónica por motivos fácil de visualizar. El “domo” tiene su zona
central alejada del área dedicada a la fijación de la bobina móvil. Queda
disponible sólo el borde externo para la fijación de esta bobina. Este es
uno de los motivos por el cual el diámetro de los tweeter con domo rara
vez supera 1 pulgada (25 mm).
Para reducir o eliminar el efecto de ruptura acústica es necesario dividir
el rango total audible de 10 octavas en subrangos con predominancia o
exclusividad de ciertas frecuencias. Una división en tres rangos es
habitual, tal como vemos en la figura 1.4. En este caso se designa a los
diferentes grupos de parlantes con nombres especiales: los parlantes
para frecuencias bajas son los woofer, los parlantes para tonos de
frecuencia media son los squawker, y los parlantes para tonos agudos
son los tweeter. Los límites entre cada grupo no son valores fijos y
dependen en gran parte del diseño del equipo, pero los valores más
frecuentes son los siguientes: el cruce (crossover) entre woofer y
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squawker está en los 300 a 600 Hertz, mientras que el cruce entre
squawker y tweeter está en los 2000 a 4 000 Hertz.
Existe un cuarto tipo de parlantes, los subwoofer, cuyo rango de
operación está por debajo de los 150 Hertz, aproximadamente.
Debemos recordar que las nuevas plataformas de música digital, como
el disco DVD y también la televisión digital DTV, pueden funcionar con 6
canales discretos (separados) de audio y en este caso uno de estos seis
canales lleva exclusivamente la información para el subwoofer.
Cuando se usan estos tres o cuatro grupos de parlantes, es necesario
alimentarlos con las frecuencias que corresponden a su rango de
acción. Si un tweeter recibe no sólo las frecuencias altas, sino también
otras mucho más bajas, pueden introducirse distorsiones muy difíciles
de esconder acústicamente. Para lograr entonces una división de
frecuencia adecuada se recurre a los divisores de frecuencia que dan
paso sólo a las frecuencias deseadas para cada grupo de parlantes. Se
puede usar también amplificadores separados para cada grupo, lo que
mejora aún más el efecto beneficioso de la división de frecuencias, si
bien a costo de un precio más alto del equipo. En un equipo del tipo HiFi
o High End, este incremento del costo es casi inevitable. En algunos
casos se usan circuitos de cruce activos y no pasivos para reducir el
aspecto costos y como solución intermedia.
Cuando se usan varios parlantes en forma conjunta, alimentados de un
mismo amplificador o simplemente en forma simultánea, resulta
necesario evitar una interacción nociva entre el patrón de radiación de
cada uno de ellos. En estos casos es necesario tomar en cuenta la
polaridad de la conexión de la bobina móvil de cada uno de ellos, ya
que esta conexión afecta la fase la señal irradiada. Parlantes
conectados con la fase incorrecta influyen en forma muy negativa sobre
la calidad y el volumen sonoro del conjunto. Una de las medidas
aconsejadas en toda instalación de teatro del hogar o de equipos de
HiFi, es observar y controlar cuidadosamente este aspecto.
Para lograr una reproducción acústica de alta calidad es importante
también tomar en cuenta los gabinetes dentro de los cuales están
ubicados los parlantes y asimismo las condiciones acústicas del
ambiente dentro del cual actúan. En cuanto a los gabinetes acústicos
existen diferentes variantes, pero todos ellos tienen una función básica
que consiste en separar en forma eficiente la radiación frontal de la
radiación posterior del cono del parlante. Como ambos tienen fase
opuesta, se corre el riesgo de efectos de distorsión muy serios si se
pretende usar parlantes sin gabinete o baffle. El efecto final depende de
la frecuencia y potencia en juego, pero para una reproducción sonora
correcta es imprescindible un montaje adecuado de los parlantes. Para
evaluar el comportamiento eléctrico, mecánico y acústico de un
altoparlante no es suficiente basarnos en una evaluación puramente
empírica por medio de nuestros oídos, también es necesario determinar
ciertos parámetros funcionales que enumeramos a continuación. Lo
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hacemos solo a título informativo, debido a que la mayor parte de


ingenieros, técnicos y oyentes no dispone del instrumental necesario
para efectuar una medición numérica confiable. Sin embargo
consideramos que el conocimiento de estos parámetros puede ser útil
para la evaluación comparativa de las especificaciones de varios
parlantes.
Además de la gama de frecuencia que el parlante abarca
supuestamente y del SPL (nivel de presión sonora) ya mencionado
anteriormente, debemos evaluar los siguientes parámetros: la
frecuencia de resonancia del parlante en aire libre (Fs), el factor de
mérito Q mecánico (Qms), el factor de mérito Q eléctrico (Qes), el factor
de mérito total calculado (Qts), el volumen de aire que tiene la misma
compliancia que la suspensión del parlante (Vas), el factor de fuerza
magnética del motor (BL), la inductancia de la bobina móvil (LE), la
masa móvil (Mmd), la compliancia mecánica (Cm) y la resistencia
mecánica (Rm). Muy pocos parlantes son ofrecidos con todas estas
características en forma explícita, pero en caso de ver algunas de ellas
en algún folleto no está demás de saber de que se trata. En la Tabla 1.3
vemos como ejemplo típico las especificaciones de un parlante
subwoofer de fabricación italiana.

TABLA 1.3. Especificaciones típicas de un subwoofer de 200 mm de


diámetro.
CARACTERISTICA VALOR ESPECIFICADO
Frecuencia de resonancia Fs 53,8 Hz
Eficiencia Nref 0,46%
Q mecánico Qms 4,37
Q eléctrico Qes 0,75
Q total calculado Qts 0,64
Volumen de aire Vas 22,7 litros
Factor de fuerza magnética BL 5,9 NA
Impedancia de bobina móvil 4 ohm
nominal
Masa móvil Mmd 24,6 kg
Compliancia Cm 0,36 mN
Resistencia mecánica Rm 1,9 kg s
Sensibilidad E 88,6 dB
Potencia máxima Pmax 100 Watt
La sensibilidad se mide con una potencia de 1 Watt a una distancia de 1
metro.
El nivel de la presión sonora (SPL) decrece en 6 dB cada vez que se
dobla la distancia, de acuerdo a la Ley cuadrática inversa de los
fenómenos naturales. Este cálculo es sin embargo influenciado también
por las condiciones ambientales del lugar donde se escucha la música
del parlante. Para evaluar correctamente todos los factores es entonces
más conveniente medir el nivel SPL por medio de un medidor específico
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en lugar de efectuar cálculos que no toman en cuenta debidamente


todos los factores.

En cuanto a los efectos ambientales producidos por eventuales rebotes


de las ondas sonoras contra las paredes del recinto de audición o de la
sala de concierto, grande o chica, el efecto más serio es la
reverberación. La reverberación puede ser útil en algunos casos para
reforzar ciertos efectos sonoros, como el de la sala de concierto grande
o de un ambiente de audición íntimo, pero en todos los casos debe
tomarse en cuenta para lograr un efecto musical óptimo. La
reverberación es un efecto natural que se encuentra en muchos lugares
del mundo como atracción turística, tanto en los Alpes europeos como
en los Alpes neozelandeses. Los efectos del eco de la naturaleza pueden
ser aceptados o no, o pueden resultar atractivos o no, pero cuando
estos mismos efectos invaden el hogar del oyente de la buena música,
resulta necesario controlarlos muy cuidadosamente. En un receptor de
radio de automóvil, cuya sala de audiencia tiene apenas las
dimensiones de la cabina del vehículo, la ampliación del tamaño virtual
de audición puede ser muy favorable y a veces también en salas de
audición pequeñas puede producirse un efecto parecido. Para poder
regular el efecto de la reverberación o del eco natural o artificial existen
diferentes métodos que toman en cuenta el tiempo de la reverberación
acústica. En la figura 1.5 vemos un listado de los tiempos involucrados
en este proceso. Existen en muchos equipos de audio etapas que
permiten introducir un retardo artificial en la señal de audio que simula
los efectos de la reverberación propia de ciertos ambientes y permite
recrearlos en prácticamente cualquier otro ambiente.

1.3. Alta fidelidad.


En el segmento anterior se mencionó varias veces los términos de ALTA
FIDELIDAD y podemos agregar otros pertinentes como HIGH FI y HIGH
END. En un tratado destinado a temas de audio resulta imprescindible
definir correctamente estos términos.
La designación de las diferentes categorías de audio está
perfectamente establecida y normalizada por normas nacionales e
internacionales. En casi todos los países existen normas nacionales que
sin embargo suelen basarse en normas internacionalmente reconocidas
como las normas alemanas del DIN (Deutscher Industrie
Normenausschuss), las normas norteamericanas de la EIA (Electronic
Industries Association) o las normas del IHF (Institute of High Fidelity).
En la Argentina se aplican las normas IRAM (Instituto de Racionalización
de Materiales), pero generalmente las mismas indican en su texto el
origen que es uno de los antes mencionados. Las normas más
mencionadas en toda la literatura técnica relativas a equipos de alta
fidelidad, son las normas DIN 45500 y IEC 268.
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Se distinguen en general tres categorías de equipos de audio que deben


cumplir con las normas específicas de cada grupo. Se distingue así (a.)
Equipos de audio convencionales, (b.) Equipos de audio de alta fidelidad
(HiFi) y (c.) Equipos de audio High End. A continuación se indican las
normas más importantes de cada categoría.
(a) Equipos de audio convencionales.
En este tipo de equipos de audio se incluyen principalmente pequeños
amplificadores monaurales y estereofónicos con una potencia menor a
6 watts, aproximadamente, y una distorsión armónica total (THD)
mayor al 1%. La gama de frecuencias que abarcan estos equipos es
limitada generalmente al rango de 100 a 10.000 Hertz (Hz), con límites
de –2 dB en cada extremo. En esta categoría entran también equipos de
audiocassette y tocadiscos con especificaciones similares. Los límites de
WOW (lloro) y FLUTTER (trino) son generalmente mayores al 0,2% y la
relación señal - ruido (S/N) es del orden de los 40 dB o menos.
Los altoparlantes de estos equipos designados como convencionales, se
encuentran muchas veces incorporados dentro de los mismos equipos,
pero aún con baffles separados, si no cumplen con los demás requisitos
de la categoría HiFi, que veremos más adelante, no pueden
considerarse de alta fidelidad. Lo mismo debemos afirmar también con
respecto a la potencia de salida, ya que existen en el mercado
numerosos equipos de potencia elevada, pero que no cumplen con los
demás requisitos de la categoría HiFi. Un caso típico son, por ejemplo,
los equipos para disc-jockeys que se destacan generalmente por su
elevada potencia de salida, a veces superiores a los 100 a 250 watt de
audio y una gran cantidad de controles de entrada para toda clase de
reproductores de grabaciones (discos de todo tipo, cassettes,
micrófonos, etc.), pero que muy pocas veces poseen una cantidad de
parámetros correspondientes al concepto HiFi.
Cuando se usan en la categoría “convencional” tocadiscos para discos
LP de vinilico, pueden encontrarse entre los pasadiscos de este tipo
pick-ups con un peso sobre el disco mayor a los 2 gramos y con cifras
de WOW (lloro), FLUTTER (trino), RUMBLE (retumbo) y HUM (zumbido)
muy elevadas y hasta molestas.
(b)Equipos de audio de alta fidelidad (HiFi).
Las normas DIN 45500 y varias otras normas especifican claramente
cuales son las condiciones mínimas para poder considerar un equipo de
audio incluido en esta categoría. Por cierto es una categoría de muy alto
prestigio y muchas veces también de alto precio. Esto desde luego la
hace muy apetecible bajo el punto de vista comercial y tanto el
fabricante y técnico serio, como desde luego el usuario deben cuidar
muy bien que los equipos de audio ofrecidos en esta categoría
realmente cumplan las condiciones mínimas exigidas y normalizadas.
Las condiciones más importantes se indican a continuación. Los equipos
de la categoría HiFi son estereofónicos y poseen como mínimo dos
canales de audio. La potencia de salida es mayor de 2 x 6 watts con una
14

THD igual o menor al 2%. La gama de frecuencia con una variación de


±1,5% debe ser igual o mejor que 40 a 16.000 Hz. La modulación
cruzada debe ser igual o menor al 3% y la relación señal-ruido (S/N) en
20 watts debe ser igual o mejor que 50 dB. La separación de canales en
1000 Hz debe ser igual o mejor que 40 dB y en la gama de 250 a 10.000
Hz debe ser igual o mejor que 26 dB. La sensibilidad de entrada de baja
impedancia debe ser igual o mejor que 5 milivolt (mV) sobre 47 kilohm.
La sensibilidad de entrada de alta impedancia debe ser igual o mejor
que 500 mV sobre 470 kilohm.
Los parlantes deben estar ubicados en baffles separados y deben
poseer los tipos de woofer, squawker y tweeter necesarios para cumplir
con los requisitos de respuesta de frecuencia arriba indicados.
Debemos recordar desde luego, que los equipos auxiliares y
complementarios de sintonizadores, pasadiscos, pasacassettes y otros,
deben estar en concordancia con las normas generales y específicas de
este sector importante del audio.
Uno de los equipos auxiliares muy importantes en este aspecto son los
ecualizadores los cuales deben cumplir también con las normas y reglas
de la categoría. En un caso típico se puede lograr efectos muy
interesantes sobre todo en equipos de radio del automóvil de alta
fidelidad que permiten crear los más variados efectos sonoros por
medio de los ajustes necesarios. En la figura 1.6 vemos un aspecto de
estos efectos en un equipo de Alpine para radio de automóvil de alta
fidelidad que posee siete diferentes modos funcionales para poder
disfrutar en las reducidas dimensiones del habitáculo del automóvil de
los efectos sonoros más diversos: dos modos de sala de concierto, dos
modos de estadio, efecto de catedral, efecto de disco bailable y el
efecto de la música en vivo y directo. Este tipo de procesador puede
estar también presente en equipos estacionarios del hogar y no está
limitado a los equipos móviles de la radio del automóvil.
(c) Equipos de audio High End.
La categoría de mayor calidad y exigencias es la del High End. Se trata
en principio de los equipos que cumplen ampliamente las condiciones
de HiFi, pero que además poseen algunas características y
especificaciones adicionales.
Por lo pronto se descartan en esta categoría todas las plataformas que
incluyen un proceso de compresión de señal. Esto deja como aprobado
únicamente el disco CD (Compact Disc) y el cassette con cinta
magnética del tipo DAT (Digital Audio Tape). Todas las restantes
plataformas digitales en vigencia poseen algún grado de compresión de
señales y por lo tanto quedan descartadas. Se acepta y se privilegia en
esta categoría los amplificadores basados en válvulas ya que poseen
varias características inherentes que favorecen una reproducción de la
más alta fidelidad. Más adelante volveremos sobre este tema con todo
detalle y profundidad.
15

Otro renglón que merece una atención especial en esta categoría son
los cables de conexión debido a que su construcción y sus dimensiones
pueden influir notablemente en la calidad final de la reproducción
sonora. Esto es especialmente cierto en los cables usados para la
conexión de parlantes que en algunos equipos deben transportar una
corriente de audiofrecuencia de varias decenas de amperes y por lo
tanto deben estar debidamente diseñados para este fin. Este aspecto es
aplicable también a los equipos HiFi en general, pero en los equipos
High End es simplemente ineludible.

1.4. Algunas observaciones sobre las especificaciones técnicas.


Una de las primeras indicaciones se suele referir a la potencia de audio
de salida que es expresada en WATTS RMS. Esto es muy importante
tomar en cuenta debido a que existen varias formas de indicación de
potencia, pero sólo la indicada es válida para equipos de alta fidelidad.
En algunos casos se especifica también que esta potencia es la que se
obtiene del amplificador durante por lo menos 10 minutos, entregada a
una carga especificada y con una distorsión especificada.
En muchos anuncios comerciales se encuentra alguna de las siguientes
expresiones: Potencia RMS, Potencia Musical, P.M.P.O. (Peak Musical
Power Output), Potencia Musical de Cresta, Potencia Continua, Potencia
Nominal, Potencia de Recorte, Potencia Máxima, Potencia con Programa,
y otros. En la Tabla 1.3 vemos las definiciones técnicas de estas y
otras designaciones, incluidas algunas en inglés y otras en alemán, los
cuales son usados en algunos equipos y a veces en la prensa técnica.

TABLA 1.3. Especificaciones sobre potencia de salida en equipos de


audio.
DEFINICION PARA 1 DEFINICION PARA 2 DEFINICION PARA 3
POTENCIA RMS POTENCIA MUSICAL POTENCIA MAXIMA
DEFINICION TÉCNICA: DEFINICION TECNICA: DEFINICION
es la potencia que se es la potencia que se TECNICA: es el
obtiene al aplicar la obtiene si se aplica la doble de la potencia
tensión eficaz Eeficaz a tensión eficaz con una musical.
la resistencia de carga distorsión menor al 5% a
durante 30 segundos. la resistencia de carga,
con la tensión de la
fuente constante.
POTENCIA SINUSOIDAL POTENCIA DINAMICA POTENCIA DE CRESTA
POTENCIA CONTINUA POTENCIA IHF PEAK MUSICAL
POWER OUTPUT
POTENCIA NOMINAL POTENCIA con PMPO
PROGRAMA
POTENCIA de RECORTE E.I.A. POWER POTENCIA DE PICO
16

RMS – POWER MUSICAL POWER POTENCIA MUSICAL


OUTPUT DE CRESTA
Sinus Dauertonleistung Musikleistung Spitzenmusikleistung

Se observa que las designaciones y sus significados son varios, motivo


por el cual es necesario tomarlas muy en cuenta en su verdadera
acepción. Una letra o una palabra pueden modificar todas las
características de un equipo, sobre todo en su valor comercial. Esto es
desde luego uno de los motivos de esta abundancia de términos que
puede a veces confundir al cliente. Como regla básica, pero no
exclusiva ni excluyente, el usuario debe pensar que un equipo que
habla de PMPO en sus especificaciones es en principio menos serio que
otro que habla de POTENCIA RMS. El término PMPO es el más
impresionante de los valores designados, pero también el menos
correcto. En la figura 1.7 vemos los anuncios de tres equipos
estereofónicos de la misma marca. Obviamente sólo uno está dirigido al
mercado profesional, los otros dos son para “Doña Rosa”, con el respeto
debido que merece este término. Esto también permite ilustrar que el
solo hecho de tener una marca determinada, por ilustre que sea, no
garantiza un equipo de máximas especificaciones. Estamos convencidos
desde luego que las marcas serias entregan los equipos de acuerdo a
sus especificaciones, pero es el consumidor quien debe decidir si las
especificaciones de un equipo determinado son los que más le
interesan.
Para ilustrar este punto de vista señalamos que el equipo que se
anuncia como tener una potencia RMS de 100 watt, en PMPO tendría 2,8
veces más: 280 watt. Con una agravante, que es el porcentaje de la
distorsión (Total Harmonic Distorsion = THD) de cada uno de estos
equipos. Si el equipo de 100 watt RMS cumple con la condición de una
THD menor al 1%, puede considerarse de HiFi, pero si no es este el
caso, no entraría en esta categoría. Se observa que en el anuncio de la
figura 1.7 no se menciona el valor del THD en ninguno de los tres
equipos. El usuario deberá interesarse por este valor antes de comprar.
Con respecto a la distorsión armónica total es interesante también
tomar en cuenta todo el conjunto del equipo de audio, incluido el
reproductor de cassettes o discos que se piensa incluir en el mismo.
Recuerde que un disco CD tiene una distorsión menor al 0,003% y por lo
tanto, conectar el lector de CD a un amplificador de características
mucho menores va a deslucir el rendimiento del CD en forma bastante
severa.
Con respecto al rango de frecuencias que debe cubrir el equipo de
audio moderno dentro de una atenuación menor al 1,5 dB, se indica
actualmente límites de 20 a 20.000 Hertz, ya que estos son los valores
de las actuales plataformas digitales de audio. La industria del audio se
ha adaptada a estos valores y la mayoría de los equipos excede los
mismos ligeramente.
17

En cuanto a la influencia de los controles de tono que pueden alterar la


respuesta en frecuencia del equipo o en su defecto los ecualizadores
gráficos o paramétricos que se encuentran en muchos equipos o se
agregan a los mismos, debemos señalar que los mismos pueden afectar
el rendimiento en forma beneficiosa o perjudicial, según la posición de
sus ajustes. En la figura 1.8 vemos una lista de las frecuencias de audio,
de las más bajas hasta las más altas, con la indicación de la influencia
que tienen en sus valores los diferentes ajustes. Se observa que un
exceso o una falta de alguna frecuencia puede afectar la calidad tonal
del equipo en forma bastante pronunciada.
Datos especiales para equipos High End.
Algunos equipos modernos poseen prestaciones que no están previstas
en las especificaciones originales de equipos HiFi, pero debido al avance
técnico del rubro audio HiFi y High End, estas prestaciones son cada vez
más frecuentes en los equipos comerciales. De hecho en la categoría
High End solo entran como generadores de señal el disco CD y la cinta
magnética DAT. Los discos MD (Mini Disc) y DVD (Digital Versatil Disc)
no son por ahora aceptados por tener sistemas de compresión de señal
y lo mismo sucede también con el DCC (Digital Compact Cassette).
Del lado de los amplificadores y parlantes solo pueden aspirar a la
categoría High End aquellos que reúnen las especificaciones más
exquisitas del rubro. Una de las categorías de equipos corresponde a
los aprobados por el THX (Tomlinson Holman Experiment) que es un
conjunto de especificaciones muy especiales en el tema de alta
fidelidad y sólo los productos que pasan airosamente por las pruebas
que efectúa la entidad que representa al THX, pueden llevar este
símbolo. Desde luego entran en la categoría del High End.
Muchos amplificadores a válvula entran también en la categoría del HiFi
y High End, sobre todo en la actualidad ya que este tipo de amplificador
suele ser diseñado expresamente para estas categorías. En los
Capítulos siguientes nos ocuparemos de este tema con detalle y
profundidad.

1.5. La cadena de amplificación de audio.

Una vez establecidas las normas de equipos de audio y su división en


ciertas categorías de calidad y prestaciones, podemos analizar más
detenidamente los componentes que integran una cadena de
amplificación de audio, cualquiera que sea su categoría.
En la figura 1.9 vemos en forma esquemática una cadena típica de
amplificación de audio. El punto de partida en todas las cadenas es una
fuente de audio, ya que el amplificador de audio sólo se ocupa de
amplificar y procesar señales de audio, que, como vimos más arriba, se
extienden de 20 a 20.000 Hertz, aproximadamente. De esta manera
estos dispositivos de entrada, marcados con (1) en la figura, pueden ser
pasadiscos para discos de audio de toda índole, incluyendo discos
18

analógicos LP (Long Play) de vinílico, discos digitales CD, MD, DVD y


otros, cinta magnética en cassettes analógicos CC (Compact Cassette)
o digitales (DCC, DAT, etc.) o en carretes abiertos, micrófonos o
sintonizadores de AM o FM, o eventualmente de TV. Esta última variante
tiene especial importancia en las instalaciones del Teatro del Hogar. En
estas veremos más adelante que se usa muchas veces simples
receptores de señales de audio y video sin dispositivos de display como
tubos de imagen o paneles de plasma o similares, debido a que las
señales de video captadas por el receptor o provistas por discos de
audio/video, como el disco DVD, por ejemplo, son proyectadas por
medio de un proyector especial sobre una pantalla blanca, en forma
similar al cinematógrafo.
Una vez que las señales de audio entran a esta cadena de amplificación
de audio con sus amplitudes e impedancias correctas, son elaboradas
en el sector (2) que actúa como preamplificador y controlador a los
efectos de plasmar en forma adecuada y en concordancia con el
material entregado y el gusto del oyente, las señales de audio en
cuanto a volumen y tonalidad. Este último ajuste se puede efectuar en
los equipos sencillos simplemente por el clásico control de tono que en
realidad solo afecta el recorte de agudos en su versión más simple o por
ecualizadores paramétricos o gráficos que dividen la banda de audio en
varias sub bandas que son elaborados en más o en menos por el
ecualizador. De esta manera se puede acentuar o atenuar algunas
frecuencias o bandas de frecuencia dentro del espectro de audio y
lograr efectos especiales al gusto del oyente.
Una vez debidamente procesadas las señales de audio son llevadas al
amplificador de potencia que las amplifica al nivel deseado en cada
caso. El amplificador de audio de potencia puede funcionar sobre la
base de semiconductores o sobre la base de válvulas. Estos últimos
siguen en plena vigencia y son elegidos por un núcleo muy selecto de
conoisseurs que aprecian debidamente algunas de las características
que han permitido que los amplificadores de válvula hayan entrada en
la categoría del High End.
Mencionaremos aquí por primera vez en esta obra algunas de las
causas que permiten a las válvulas llegar a este lugar de privilegio, pero
más adelante analizaremos este tema con mayor detalle aún. En
principio podemos observar que el sonido tan agradable y por muchos
conocedores considerado “dulce”, se debe a que los amplificadores de
válvulas, cuando producen distorsiones por algún motivo, estas
distorsiones son armónicas pares de segundo orden. En cambio en los
amplificadores sobre la base de semiconductores, las eventuales
distorsiones que se pueden producir bajo las mismas circunstancias son
del tipo de armónicas impares. Ahora bien, muchos pasajes de música
poseen armónicas pares en función de su composición e
instrumentación y estas armónicas pares se integran en forma plácida
al conjunto de la música, en cambio la presencia de armónicas impares
19

puede introducir efectos desagradables y disonantes al oído musical de


la mayoría de las personas. Este efecto es especialmente molesto en
pasajes prolongados de música y es muy notable tanto por el oyente
especializado como por el novicio. Debemos aclarar, desde luego, que
este efecto se produce solo en casos muy especiales pero su presencia
induce al amante de la buena música a privilegiar el amplificador a
válvulas en contraste con el de semiconductores.
Para dar una idea sobre la creación de armónicas en amplificadores a
válvula podemos indicar que en una etapa amplificadora de un triodo
simple, por ejemplo una válvula 2ª3, la segunda armónica tiene una
amplitud de –30 dB (3,16%), la tercera armónica baja a –50 dB (0,3%),
la cuarta armónica baja a –70 dB (0,03%) y la quinta armónica tiene una
amplitud imperceptible (menor al 0,01%). El problema es más severo
en otros tipos de amplificador y podemos anotar que las armónicas que
mayor disonancia producen son la séptima, la novena, la décimo
primera, y las armónicas 13, 14, 15, 17, 18, 19, 21, 22, 23 y 25. Con una
frecuencia fundamental de 250 Hz, la armónica N° 25 tiene una
frecuencia de 6250 Hz y es por lo tanto perfectamente audible.
En los circuitos de audio basados en transistores existen desde luego
también motivos para que aparezcan distorsiones en la señal de audio
de salida, pero en estos circuitos las causas pueden ser diferentes y las
consecuencias también. En un circuito de audio típico pueden usarse
circuitos casi complementarios para lograr una potencia más elevada y
lograr un rendimiento mayor de los componentes activos. En estos
circuitos pueden existir muy ligeras faltas de continuidad en la
característica de transferencia en el punto de cruce debido a una
asimetría inherente en estas etapas. Estas pequeñas faltas de
continuidad pueden sin embargo manifestarse como distorsiones de
armónicas impares cuya presencia es sumamente molesta bajo el punto
de vista musical y por lo tanto muchas personas opinan que el
amplificador a válvulas funciona mejor al no producirse distorsiones
armónicas impares de importancia en estos circuitos. Cuando tratemos
los circuitos de ambos tipos de amplificador veremos este aspecto con
mayor detalle, pero conviene destacar desde ya que existen motivos
por los cuales debemos cuidar más la realización de amplificadores de
estado sólido que la de las válvulas. Con el cuidado y aumento de costo
respectivo que ello implica, es factible realizar amplificadores de buena
calidad tanto con semiconductores como con válvulas, pero conviene
saber que con los transistores pueden presentarse problemas cuya
solución debe estudiarse muy cuidadosamente. El oído humano es muy
sensible a las armónicas impares que pueden producir disonancias en la
música y por lo tanto el amante de la buena música tratará de usar el
amplificador cuyo sonido le resulte más grato.
Para ilustrar la importancia que se asigna a este tema en las marcas de
mayor prestigio de equipos de audio vemos en la figura 1.11 un
reproductor de discos CD en conjunto con un amplificador a válvulas de
20

la marca Dynaco que resalta una vez más este aspecto. La tendencia en
equipos comerciales de unir un reproductor de CD con un amplificador a
válvulas no es muy difundida, pero no nos consta que en los equipos
fabricados para un cliente en particular, un equipo “custom”, esta
modalidad no tenga una difusión bastante amplia.
En el Capítulo 3 nos ocuparemos muy detenidamente con los
amplificadores de audio, su funcionamiento, su construcción y su
evaluación, pero previamente consideramos oportuno repasar un poco
el modo de funcionar de válvulas y semiconductores y también evocar
un poco la historia técnica que nos condujo a ambos.

Capítulo 2.

Válvulas, semiconductores y circuitos integrados.

2.1. Un poco de historia.


Cuando el 27 de Agosto de 1920 a las 21 horas comenzó la primera
transmisión comercial de radio del mundo desde el Teatro Coliseo de la
Ciudad de Buenos Aires, con la ópera Parsifal de Richard Wagner, ya
se usaban válvulas en el transmisor rudimentario de Radio Argentina
S.A. y semiconductores en los apenas 20 receptores repartidos entre
amigos de los organizadores de este evento histórico. Se atribuye
generalmente a la estación KDKA de Pittsburgh, Estados Unidos, este
honor, pero la verdad es que la transmisión de Radio Argentina tuvo
lugar 10 semanas antes que la transmisión de KDKA. Lo que sucede es
que esta radio de Estados Unidos tenía una licencia y efectivamente fue
la que efectuó la primera transmisión de una estación con licencia. En
cambio Enrique Telémaco Susini y sus colaboradores en Radio
Argentina transmitieron sin licencia debido a que las autoridades
argentinas aún no habían implantado el sistema de licencias. Cuando
ello sucedió finalmente en 1923, la primera licencia le fue otorgado a
Radio Argentina, pero en esta época ya existían también otras
estaciones de radio que recibieron sus respectivas licencias. Tal es así
que en 1922 se sumó a Radio Argentina otra pionera, Radio Cultura, y
en 1925 existían en Buenos Aires ya 12 estaciones de radio y 10 más en
el Interior. En 1930 se empezaron a organizar las cadenas de radio,
entre ellas Radio El Mundo, Radio Splendid y Radio Belgrano.
Los receptores de radio de esta época fueron similares a la radio a
galena de 1925 que vemos en la figura 2.1, y a la radio a válvulas de
1931 que vemos en la figura 2.2. En muchos casos esta última estaba
acompañada por un tocadisco a cuerda para discos de shellac de 78
RPM (revoluciones por minuto) que vemos en la figura 2.3. Estos fueron
los comienzos prácticos del audio y de la radio en el mundo, pero bajo
el punto de vista técnico-histórico debemos remontarnos a épocas más
tempranas aún. En la tabla 2.1 vemos una apretada síntesis de estos
21

acontecimientos que forjaron la electrónica de Consumo tal como la


conocemos hoy.
Debemos recordar que los receptores de radio a galena funcionaban
sobre la base de un detector semiconductor de cristal de galena de
sulfuro de plomo (PbS) que igual que otros semiconductores similares,
efectuaba la detección de las señales de radio moduladas en amplitud
de esta época.

TABLA 2.1. Datos históricos para el desarrollo de válvulas y


semiconductores.
SEMICONDUCTORES Año VALVULAS
Karl Ferdinand Braun (1850- 1876
1918), Premio Nobel 1909,
mostró características
eléctricas en cristales.
Edmond Becquerel (1878- 1880
1953), Michael Faraday y otros
descubren la
semiconductividad.
1883 Thomas Alva Edison (1847-
1931), descubre el efecto
Edison, base de la emisión
electrónica en válvulas,

1904 John Ambrose Fleming


(1849-1945) descubre el
diodo al vacio, basado en el
efecto Edison.
1906 Lee De Forest (1873-1961)
descubre el triodo,
1918 El Mayor Edwin Howard
Armstrong (1890-1954)
inventa el superheterodino.
La etapa conversora del
mismo es la primera
compuerta lógica “Y”.
1920 Irving Lamuir (1881-1957)
desarrolla el amplificador a
válvula.
1933 Armstrong inventa y patenta
la radio de FM.
RCA desarrolla la válvula
1938 2A3.
Western Electric desarrolla
el triodo de potencia
WE300B.
22

Jack Scaff y Henry Theurer de 1939


los Laboratorios Bell descubren
áreas positivas y negativas en
el silicio. Base del uso del silicio
en semiconductores.
William Shockley anota en sus Diciembr
apuntes que “un semiconductor e de
puede tener propiedades de 1939
amplificador”.
Dr. William Shockley (1910- 23 de
1989), Dr. John Bardeen (1908- Diciembr
1991) y Dr. Walter Brattain e de
(1902-1987) comunican su 1947
invento, el transistor, en los
Laboratorios Bell de los Estados
Unidos.
1947 D. T. N. Williamson crea el
amplificador que lleva su
Se desarrolla el transistor de 1951 nombre.
juntura que es más confiable y
más fácil de producir que el
transistor de efectos de puntas.
Simposio al cual asisten entre 1952
muchas otras, las firmas
General Electric, Texas
Instruments y Sony, para
difundir los pocos
conocimientos que había en
aquel entonces sobre
semiconductores.
Se desarrollan las primeras 1953
obleas de cristales de silicio,
base del circuito integrado.
Sobre estas bases se crean más
adelante los “chips” de
circuitos integrados.
Texas Instruments fabrica y 1953
vende transistores de silicio.
Carl J. Frosch y L. Derrick de los 1954
Laboratorios Bell descubren
técnicas nuevas para la
introducción en forma
controlada de impurezas en
materiales semiconductores.
23

Los inventores del Transistor, 1956


Shockley, Bardeen y Brattain,
reciben el Premio Nobel.
Sony fabrica primero el primer 1957
receptor de radio a transistores
(modelo TR-55) y después el
primer receptor portátil a
transistores (modelo TR-63).
Comenzó la era de la radio 1963 Mullard desarrolla el
transistorizada. amplificador modelo Mullard
5/20.
Los Beatles y los Rolling
1975 Stones se encuentran y
hacen historia musical.
Ante el avance de las
técnicas de
semiconductores, las
válvulas pierden interés
comercial y en muchas
fábricas productoras se
efectúan pequeñas
ceremonias al producir las
“últimas válvulas”.
1990 Las válvulas son
“redescubiertas” por el
sector “High End” del audio
y se reanuda primero el uso
de válvulas con algunos
stocks antiguos y después
se vuelve a la producción en
las fábricas especializadas
de todo el mundo. Se
vuelven a fabricar las
válvulas “clásicas” de la
historia (por ejemplo 300B,
6L6 y muchas otras).
Algunas de las marcas son:
Western Electric, Svetlana,
Sung Chiang y otras de
origen checo, chino, ruso y
americano.
Nuevamente se encuentran los 1995
Beatles y los Rolling Stones,
esta vez a través del CD.
24

1998 En el número de Septiembre


de la revista Stereo-Review,
página 10 se publica un
comentario de Kevin Hayes,
Presidente de la Cia. Valve
Amplification Company,
referente a un nuevo
modelo del Teatro del
Hogar, basado en válvulas.
Precio: $ 25.000.-

Se observa que el desarrollo de válvulas y semiconductores tiene sus


rasgos paralelos y también sus discrepancias. Resulta sin embargo
típico el dicho de uno de los técnicos de los Laboratorios Bell, el Ing. J. R.
Pierce, quien había sido el que le dio el nombre al transistor y quien
manifestó que “La naturaleza aborrece a los tubos al vacío”. Pierce se
refería al hecho que en el mundo en que vivimos no existe el vacío en
forma natural, solo es producido por el hombre. En cambio si existen los
conductores y semiconductores en forma natural. El silicio es el material
más frecuente en esta tierra, ya que las montañas y la arena en la costa
del mar, están constituidos por compuestos de silicio.
Las objeciones y comentarios sobre procesos de fabricación y obtención
de materia prima no son sin embargo argumentos valederos cuando
debemos evaluar las ventajas o desventajas de algún producto, al
menos no por sí solos. Los automóviles tampoco existen en forma
natural, pero nadie va discutir su utilidad. El progreso del hombre y de
su civilización está basado justamente en aquellos desarrollos que
alejan al hombre de su ambiente natural y lo hacen más elevado
materialmente y espiritualmente que la simple, pero maravillosa,
naturaleza que lo rodea. Al menos este autor quiere creer en esta
circunstancia.
Con respecto al nombre del “transistor” creemos conveniente hacer
también un pequeño comentario. Estamos convencidos que este
nombre es muy adecuado para establecer la categoría del producto. El
nombre del transistor es una conjunción de “transferencia” y “resistor”
y se diferencia por completo de las designaciones usadas para válvulas
al vacío que tienen nombres que terminan en “tron”, como
“magnetrón”, “pliotrón”, “kenotrón” y otros en clara referencia a los
“electrones” que se mueven en el espacio vacío de las válvulas. En el
caso del “transistor” se asimila su comportamiento al gran grupo de
componentes, como el “resistor”, “inductor”, “capacitor”, “conductor” y
“semiconductor”, donde en todos los casos existen materiales sólidos
en los cuales se realiza el pasaje de los electrones. Creemos entonces
que este nombre es el adecuado y debemos respetarlo. En la época en
la cual se daba a conocer el nombre del transistor una revista técnica
Argentina trataba de promover una campaña con la intención de
25

modificar este nombre por razones no muy claras, presuntamente de


carácter lingüístico, pero ante la resistencia de los lectores se aprobó el
nombre original y el tema muy pronto perdió todo interés y actualidad.

2.2. El mundo de las válvulas.


2.2.1. Al comienzo estaban los diodos.
El motor que mueve a las válvulas, es el efecto termoiónico descubierto
por Edison en 1883, como vimos en la Tabla 2.1. Este efecto es
producido al calentarse un filamento metálico que despide electrones
en este proceso, que forman una nube alrededor de este filamento. Si
se conecta una batería entre este filamento y una plaquita a cierta
distancia del filamento, los electrones que escaparon del filamento son
reemplazados por electrones que provienen de la batería y se establece
una corriente entre el filamento y la placa. Esta disposición se
denomina diodo. En la figura 2.4 vemos el esquema de varios tipos de
válvulas, entre ellos el diodo de calentamiento directo e indirecto y
otros tipos de válvulas que serán explicados a continuación. En este
caso el filamento es llamado cátodo y es conectado al polo negativo de
la fuente de tensión, mientras que la placa es llamada ánodo y es
conectado al polo positivo de la fuente de tensión.
En muchos casos se usa un método de calefacción indirecta en el cual el
filamento solo actúa como calefactor y no es el emisor de los electrones
sino está rodeado de un cátodo que es el emisor. En muchos equipos de
audio modernos se usan tanto válvulas con calefacción directa (el
filamento actúa como cátodo), como indirecta donde existe un
filamento rodeado por un cátodo externo.
Los materiales principales para el uso en estas funciones son los
siguientes: filamento usa el tungsteno o el tungsteno toriado donde el
metal del tungsteno posee impurezas de óxido de torio que es sometido
a un proceso térmico que ubica los óxidos como una capa fina en la
superficie del tungsteno. Para las válvulas de calentamiento indirecto se
usa un cátodo de níquel o una aleación de níquel que es cubierto por
capas de bario y estroncio. Estos materiales capacitan al cátodo a una
emisión muy abundante aún con bajas temperaturas y de esta manera
consumen menos corriente y prolongan la vida útil de la válvula.
El conjunto de filamento y ánodo o filamento, cátodo y ánodo está
encapsulado en vidrio en un ambiente al vacio.
Los diodos permiten el flujo de la corriente en un solo sentido, del
cátodo al ánodo. De esta manera permiten una rectificación de la
corriente alterna que solo puede circular en el semiciclo positivo. Sin
embargo es posible incluir dos diodos en el mismo recipiente de vidrio y
entonces uno de los diodos permite la circulación cuando el otro está
bloqueado, debido a que son alimentados con corrientes en contrafase.
Este sencillo método constituye una rectificación de onda completa,
mientras que un diodo único, solo produce una rectificación de media
onda. El uso de dos diodos en un circuito de rectificación de onda
26

completa como el que vemos en la figura 2.5, aumenta entonces el


rendimiento del circuito. La alimentación de corriente alterna a las
placas de ambos diodos se realiza en contrafase, quiere decir que
cuando un ánodo recibe un semiciclo positivo y conduce, el otro ánodo
recibe el semiciclo negativo y no conduce. De esta manera se duplica el
funcionamiento de la etapa. En una frecuencia de red de 50 Hz, el ciclo
de trabajo de cada ánodo es desde luego de esta frecuencia, pero el
ciclo de trabajo de la válvula en conjunto es de 100 Hz, ya que se
produce conducción y rectificación en ambos semiciclos de la corriente
alterna. El incremento de la frecuencia mejora las condiciones del
filtrado ya que la componente residual de 100 Hz se deriva a masa a
través de los capacitores de la fuente con mejor resultado en 100 Hz
que en 50 Hz.
Ejemplo de aplicación: Un capacitor electrolítico de 100 µF (microfarad)
tiene una reactancia capacitiva XC = 1 / 2πfC de 31,8 ohms en 50 Hz y
de solo 15,9 ohms en 100 Hz. Esto facilita el retorno de la componente
alterna a masa.
Los diodos permiten una rectificación de corrientes alternas de una
gama muy amplia de frecuencias, tanto para los 50 Hertz (Hz) de la
corriente eléctrica domiciliaria, como para señales de radiofrecuencia
de prácticamente cualquier frecuencia. La construcción de los diodos
debe adaptarse sin embargo a su frecuencia de uso y puede ser muy
distinto para 50 Hz que para 10 Megahertz (MHz).
Algunas válvulas rectificadoras no poseen un vacio sino contienen en su
interior un gas. Estas válvulas diodos con gas poseen una resistencia
interna muy baja y su salida puede ser más constante que las
rectificadoras al vacío. Se usan en aplicaciones especiales.

2.2.2. Los triodos.


Muy pronto se pensó que debía ser posible regular el flujo de electrones
entre cátodo y ánodo, llamado también corriente de placa. Para este fin
se intercala en el camino de los electrones un tercer electrodo, la grilla,
que permite una regulación de la corriente de placa debido a que una
tensión negativa rechaza los electrones que tienen la misma polaridad.
En cambio una tensión menos negativa o cero o positiva ofrece
diferentes grados de rechazo y aún de atracción para los electrones
emitidos por el cátodo. En la figura 2.6 vemos este tipo de construcción
que da lugar al triodo por el uso de tres electrodos: Cátodo, Grilla y
Placa.
Mientras la polarización de la grilla se mantiene en el rango negativo, la
misma no consume ninguna corriente y la tensión aplicada a la grilla
puede ser muy débil. No obstante en la placa si existe una corriente que
es función de la tensión aplicada a la grilla. Esto constituye una
amplificación de la tensión de grilla. Cuando esta tensión es una señal
de audio o radiofrecuencia, la corriente de placa es un fiel reflejo de
esta señal. Tenga en cuenta sin embargo, que la tensión de placa es
27

más alta cuando no hay corriente y más baja cuando si hay corriente de
placa, debido a la caída de tensión producida en la resistencia de carga,
como vemos en la figura 2.7. Esto significa que la tensión de placa está
invertida en 180 grados (en contrafase) con respecto a la tensión de
grilla. La válvula triodo amplifica e invierte en la placa la señal aplicada
en la grilla. Ambas propiedades son usadas en diferentes aplicaciones
prácticas de las válvulas.
El comportamiento de cada triodo depende de su construcción interna,
la superficie de los electrodos y sobre todo de la distancia entre ellos.
También intervienen los valores de tensión de grilla y placa que
permiten usar y la corriente de placa que toleran. Estos factores pueden
expresarse en forma matemática por medio de tres magnitudes: Factor
de amplificación “µ”, Resistencia interna “Ri” y Pendiente “S” de la
válvula. En algunos manuales de válvulas se usa las letras gm en lugar
de S, pero ambos símbolos significan transconductancia o pendiente.
Estos tres parámetros están relacionados entre sí por medio de la
siguiente expresión que fue introducida por Barkhausen:
µ = Ri . S
Se define el factor de amplificación como la relación de las variaciones
en las tensiones de grilla y de placa para lograr el mismo cambio en la
corriente de placa. Si una variación de 2 volt en la tensión de grilla
produce el mismo cambio en la corriente de placa que un cambio de 40
volt en la tensión de placa, entonces el factor de amplificación µ es 20.
Se suele expresar esta situación de la siguiente manera.
µ = ∆ Up / ∆ Ug, donde ∆ Up es la variación en la tensión de placa y ∆
Ug es la variación en la tensión de grilla que produce la misma variación
en la corriente de placa Ip.
De lo expuesto surge que µ = Ri / S = ∆ Up / ∆ Ug.
Estas relaciones permiten hallar también a Ri y a S de la siguiente
manera.
Con tensión de grilla constante
Ri = ∆ Up / ∆ Ip y la pendiente S, también llamada transconductancia y
expresada en mA/V, es la siguiente S = µ / Ri = ∆ Ip / ∆ Ug. En muchos
casos la transconductancia es expresada en microsiemens (µS) que es
equivalente al mA/V, guardando las dimensiones. Por ejemplo una
transconductancia puede ser de 3 mA/V = 3000 µS = 3000 micromho.
La transconductancia o pendiente expresa en cuantos miliamperes (mA)
va a cambiar la corriente de placa Ip por cada volt de cambio en la
tensión de grilla Ug.
Los valores definidos de µ, S y Ri permiten evaluar el comportamiento
de cada válvula en el puesto de trabajo en el cual deseamos disponerla.
Una válvula puede funcionar como amplificadora de tensión para
incrementar el valor de la amplitud de la señal o puede funcionar como
amplificadora de potencia para lograr el valor de potencia que
necesitamos en un determinado equipo para excitar los parlantes y en
cada caso se necesitan válvulas diferentes, adecuadas para esta
28

función. Existen otras aplicaciones de válvulas, como por ejemplo su


función de osciladora, mezcladora o adaptadora de impedancias y en
cada caso es necesario seleccionar cuidadosamente la válvula
adecuada para esta función. El valor de la frecuencia de trabajo es sin
duda también un parámetro importante que influye en forma decisiva
en la selección de cada válvula.
Los valores de Ri, S y µ pueden representarse en forma gráfica de tal
manera que de este conjunto de parámetros se pueden sacar
importantes deducciones sobre el comportamiento de cada válvula en
cada función. En la figura 2.8 vemos una curva típica para un triodo
amplificador de tensión. En este gráfico vemos la relación entre
corriente de placa y tensión de grilla con el valor de la tensión de placa
constante. Se observa que sólo una parte de este gráfico sigue una
línea recta, la parte inferior es significativamente curvo. Esto implica
que debemos hacer trabajar esta válvula de tal manera que solo se
desarrolle la señal en la parte recta de la característica para evitar
distorsiones severas. Se logra este trabajo por medio de una
polarización adecuada en grilla de tal manera que el punto de trabajo
se ubique en el centro de la parte recta. En el caso de la figura 2.8 sería
en –3 volt, siempre que la señal de entrada aplicada a la grilla tenga
una amplitud menor a 6 volt de cresta a cresta. Un valor de 5 volt
cresta a cresta sería adecuado.
Para hallar la ganancia de una etapa a válvula se puede usar una
expresión muy sencilla que es aplicable a cualquier tipo de válvula. La
ganancia G es entonces

G = (µ . Rp) / (Ri + Rp), donde G es la ganancia de la etapa


µ es el factor de amplificación
Rp es el resistor de carga que se
encuentra en serie con la

Placa
Ri es la resistencia interna de la
válvula.

Las magnitudes µ y Ri son las que ya habíamos visto más arriba como
parte de la fórmula de Barkhausen y Rp es un valor que debemos
establecer en el diseño de la etapa. En muchos Manuales de Válvulas se
indican los valores recomendados para diferentes tensiones de placa y
otras consideraciones. Más adelante veremos aplicaciones prácticas de
estos conceptos.
Cuando se usa las válvulas para amplificar frecuencias altas, el valor de
la capacidad interelectródica empieza tener importancia. Si bien este
valor es reducido, tal vez de solo 2 picofarad (micro micro farad), este
valor puede ser importante en una frecuencia de 100 MHz. Como se
sabe, la reactancia capacitiva en ohms se expresa como X c = 1 / 2πf. C.
29

En consecuencia un capacitor de 10 picofarad tiene una reactancia


capacitiva de 159 ohms en 100 MHz. A su vez un capacitor de 2
picofarad tiene en las mismas condiciones 795 ohms. Este valor puede
ser significativo en un circuito de radiofrecuencia y desde luego va a ser
más bajo aún en frecuencias más altas.
En muchos amplificadores de audio se usan triodos de potencia en la
etapa de salida debido a las características excelentes de este tipo de
válvula en esta posición. Los triodos de potencia más frecuentes son:
211, 300B y similares, 3CX300A1, 572, SV572, 811, 2A3, SV811-10 y
otros.

2.2.3. El tetrodo.
Para reducir la capacidad interelectródica en válvulas se introdujo una
grilla más entre la grilla de señal y la placa. Este tetrodo de cuatro
electrodos posee un comportamiento mejor en altas frecuencias debido
a que se divide la capacidad entre placa y grilla en dos capacitores en
serie, lo que reduce su valor real. En la figura 2.9 vemos este efecto de
la grilla pantalla en forma esquemática. En la figura 2.10 vemos sin
embargo que en este caso se produce otro fenómeno debido a la
polaridad positiva de la grilla pantalla. La misma atrae de nuevo
algunos electrones que rebotan de la placa y esto es considerado una
emisión secundaria. Las consecuencias indeseadas de este efecto son
tratadas más adelante.

2.2.4. El pentodo.
Para eliminar la emisión secundaria fue necesario introducir una tercera
grilla, la grilla supresora que tiene polarización de cátodo y por lo tanto
rechaza los electrones secundarios que son emitidos por el rebote en la
placa. La grilla supresora impide que la grilla pantalla reciba electrones
secundarios. En la figura 2.11 vemos el aspecto constructivo de una
válvula pentodo y en la figura 2.12 vemos como la grilla supresora
elimina la emisión secundaria. Se observa también la curva
característica de un pentodo en su aspecto de tensión de placa con
respecto a corriente de placa. Se observa que esta curva posee una
parte muy lineal que resulta apta para una amplificación sin
distorsiones.
En la figura 2.13 vemos un circuito básico con pentodo. Se observa que
solo la grilla y la placa tienen presencia de señal. En el cátodo, en la
grilla supresora y en la grilla pantalla las señales que pudiesen
presentarse en estos electrodos son desacoplados a masa mediante
sendos capacitores o conexiones directas a masa. El valor capacitivo de
cada uno de los capacitores de desacople debe ser tal que constituya
una reactancia reducida en la frecuencia de trabajo de la válvula. En
Audiofrecuencias se necesitan valores de capacidad altos, a veces de
varios microfarad, que son suministrados por capacitores electrolíticos,
30

en cambio en Radiofrecuencias se usan valores mucho más reducidos, a


veces de cerámica o de mica, de acuerdo al valor de la frecuencia.
También debemos recordar que la finalidad original de la introducción
de otras grillas auxiliares, como la grilla pantalla y la grilla supresora,
fue la de reducir la capacidad entre grilla de señal y placa.
Efectivamente esto se logró ampliamente ya que un pentodo típico de
radiofrecuencia solo tiene una capacidad de 0,006 picofarad en lugar de
los 1,5 a 2 pf que tiene un triodo, una reducción de más de 300 veces.
Recordemos que este aspecto es más importante en radiofrecuencias
que en audiofrecuencias. Se demuestra sin embargo la enorme
versatilidad de las válvulas en todos los ámbitos de audio, radio y TV.
También indica la importancia que tienen estos factores en el diseño
para ubicar en cada etapa la válvula más indicada y apta y también en
el service al mostrar la necesidad de reemplazar en cada caso una
válvula con el reemplazo directo o similar recomendado. No podemos
colocar una válvula de audio en un lugar de una válvula de
radiofrecuencia, si ello no está indicado por el fabricante.
Las válvulas pentodos de potencia para audio incluyen la EL34, SV83,
6146B, 8298A y otros.
A pesar de las ventajas de las válvulas pentodo, se observó que en
audiofrecuencia se pueden presentar armónicas de tercer orden debido
a la presencia de la grilla supresora. Este fenómeno fue observado por
los diseñadores de la RCA y alrededor de 1936 se logró superar este
problema por medio de los pentodos de haz dirigido, llamados en inglés
“beam power tube”. En estas válvulas se reemplaza la grilla supresora
por un par de plaquitas laterales que cumplen la misma función que la
grilla supresora, quiere decir suprimir la emisión secundaria, pero
logran una válvula con la sensibilidad y la ausencia de distorsiones
armónicas de un triodo y la ganancia, potencia y linealidad de un
pentodo. El diseñador de este importante dispositivo fue Otto Schade
de la RCA quien publicó su desarrollo en Julio de 1936. La nueva válvula
fue originalmente la 6L6 y posteriormente todas sus variantes
constructivas (6L6G, 6L6GC, 6L6WGB, 6550, 6550A, 5881, 5932, 1222A,
SV6L6GC, 6550WC, KT66, KT88, EL509 y otras). Una de las
características más elogiada de la 6L6 original fue el hecho que esta
como todas las posteriores válvulas tipo “beampower” producen en el
corte de la sobreexcitación una distorsión rica en armónicas pares. Esto
las distingue musicalmente de válvulas pentodos como la EL34 y otras,
que producen en las mismas circunstancias armónicas impares que
introducen un sonido áspero en la reproducción musical. Las armónicas
pares son a veces muy bien venidos por los músicos. Tuvimos
oportunidad de leer un análisis musical hecho por varios ejecutantes de
guitarra eléctrica hace muy poco tiempo atrás, quienes unánimemente
afirmaron este hecho. En la aplicación mencionada de la guitarra
eléctrica, es muy frecuente que el amplificador es llevado a la
saturación durante un simple pasaje musical. Como se sabe, los
31

ejecutantes de guitarra eléctrica suelen estar generalmente en el borde


de la capacidad de sus amplificadores y por lo tanto un amplificador que
no produce ruidos molestos durante estos breves instantes es muy
importante para el músico y para el público. El comentario al que
hacemos referencia concluyó con la frase: “Un millón de guitarristas no
pueden estar equivocados”. Esto a su vez exime a este autor a entrar
en una discusión al respecto.
Además de los tipos de válvulas mencionadas en este capítulo hasta
ahora, existen válvulas del tipo hexodo, heptodo y pentagrilla los cuales
son indicados principalmente en funciones de radiofrecuencia, motivo
por el cual no las incluimos en esta síntesis que está dirigida
principalmente a los amplificadores de audiofrecuencia.

2.2.5. Conexiones de entrada y salida de señales en válvulas.


El circuito de entrada de cualquier tipo de válvula del triodo en adelante
está constituido por la grilla de señal y el cátodo y el circuito de salida
por el cátodo y el ánodo. En esta disposición que es la más frecuente,
existe un electrodo común que es el cátodo. En la figura 2.14 vemos un
circuito de válvula en la configuración denominada de cátodo común.
En esta configuración se aplica la señal de entrada entre grilla y cátodo
y se retira la señal de salida sobre el resistor de carga del ánodo. Como
la fuente de alimentación está desacoplado con respecto a la masa,
podemos afirmar que la salida se efectúa entre ánodo y cátodo. En este
circuito la señal se invierte en 180 grados a la salida con respecto a la
polaridad que tiene a la entrada.
La ganancia de una etapa es la relación entre tensión de entrada (Vin) y
tensión de salida (Vout), y en el caso de la etapa de cátodo común esta
relación es la siguiente:
Vout / Vin = -(µ.RL) / (RL + rp), donde µ es el factor de amplificación de
la válvula,
R L es la impedancia de entrada
de la etapa siguiente,
R P es la resistencia de carga de
placa y
Rk es el resistor de cátodo.

La conexión de entrada puede efectuarse también entre grilla y cátodo,


pero en sentido inverso al anterior, quiere decir con la grilla a masa y el
cátodo como polo “vivo”. Esta configuración vemos en la figura 2.15. En
este caso la ganancia de la etapa es la siguiente:

Una tercera posibilidad es el uso del circuito grilla de señal – masa como
entrada y cátodo – masa como salida, con el ánodo como electrodo
común a masa. En este caso se introduce una realimentación negativa
por el camino común de cátodo a masa y la salida es menor que la
entrada en cuanto a su amplitud. Sin embargo se transforma la
32

impedancia elevada en grilla a una impedancia mucho más baja en el


cátodo. Este circuito que se observa en la figura 2.16, es usado muchas
veces para obtener una transformación de impedancia sin inversión de
fase. La expresión que relaciona las señales de entrada y salida es la
siguiente.

En la figura 2.17 vemos una configuración circuital que es usada en


realidad muy pocas veces con válvulas, si bien es una de las principales
usadas en circuitos a transistores, sobre todo en algunos encapsulados
en circuitos integrados bipolares. Se trata de un circuito de amplificador
diferencial que consta de dos etapas en paralelo en una disposición
simétrica. Se usa a veces con válvulas en aquellas etapas donde la
simetría de la señal es de suma importancia. La formulación
matemática de este circuito surge de la expresión siguiente:

La eficiencia del circuito surge del resistor de cátodo común a ambas


etapas y su ausencia de desacople. Por este motivo las señales y
tensiones sobre este resistor afecta a ambos circuitos por igual.

2.2.6. Un vistazo al Manual de válvulas.


Los datos que se pueden obtener en el Manual de válvulas o en la hoja
de especificaciones de alguna válvula en particular, son de suma
importancia, tanto para el diseñador de circuitos quien necesita casi
todos los datos, como para el reparador o el armador de un equipo
quien necesita al menos las conexiones de la base y las tensiones de
trabajo de la válvula.
Sin embargo, no todos los Manuales suministran todos los datos para
todas las válvulas. Para ilustrar mejor este aspecto veremos a
continuación los datos de la misma válvula en dos Manuales diferentes.
La figura 2.18 reproduce los datos de la válvula 12AX7A/ECC83 tal como
aparecen en el Manual de Sylvania y en la figura 2.19 vemos los datos
de la válvula ECC83 tal como aparecen en el Manual de Philips. Como
dato adicional debemos señalar que el Manual de Philips es del año
1967 y el de Sylvania es del año 1968, quiere decir que ambos son de la
misma época, en pleno auge de las válvulas. Se observa que ya en el
epígrafe existe una diferencia debido a que el Manual de Sylvania
indica la nomenclatura americana (12AX7A) y europea (ECC83) para
esta válvula. En cambio el Manual de Philips solo usa la nomenclatura
europea. Por otra parte, sin embargo, el Manual de Philips indica una
serie de datos que en el otro Manual no estan registrados. Para el
diseñador el Manual con todos los datos es una necesidad, para el
33

técnico de service puede ser suficiente tener solo los datos del Manual
más comprimido.
Para los fines nuestros en este caso conviene analizar los datos
suministrados por ambos fabricantes. Por lo pronto vemos en ambos las
conexiones de la base y el régimen de trabajo de filamento y placa.
Como no hay curvas características en el Manual de Sylvania, debemos
concentrarnos en este aspecto en el Manual de Philips que muestra las
curvas y además da indicaciones ya elaboradas para el uso de esta
válvula. Así vemos los datos de funcionamiento para diferentes
condiciones de trabajo y diferentes valores de circuito. Se indican por
ejemplo los valores del resistor de carga de placa, del resistor de cátodo
y del resistor de grilla de la etapa siguiente. Como son lógico estos
valores son imprescindibles para el diseño de la etapa en la cual
queremos utilizar esta válvula. Se indican también las diferencias en el
funcionamiento que se pueden observar con la variación de algunos de
los valores indicados.
Una forma de obtener datos característicos de algún tipo de válvula en
particular es en la actualidad la alternativa de dirigirse al fabricante de
este tipo de válvula. Muchos envían los datos de sus productos a los
interesados con sólo pedirlos. Una dirección interesante en este aspecto
es la de la empresa Svetlana cuyo domicilio en los Estados Unidos es la
siguiente:
Svetlana Electron Devices
8200 South Memorial Parkway
Huntsville, AL 35802
U.S.A.

2.2.7. Acoplamiento entre etapas.


Prácticamente siempre se usan varias etapas en un equipo, sea de
audio, radio o TV. Por lo tanto, es necesario estudiar como acoplar una
etapa de amplificación a la siguiente sin que ello introduzca pérdidas ni
distorsiones de la señal.
Para lograr el mejor resultado podemos considerar tres tipos de
acoplamiento: transformadores, capacitores y acoplamiento directo.
Cada uno de los métodos tiene sus ventajas y sus inconvenientes y
debido a estas circunstancias debemos examinar cuidadosamente cada
una de las posibilidades.
En la figura 2.20 vemos el acoplamiento entre dos etapas de
audiofrecuencia por medio de un transformador. Se observa que el
primario del transformador forma parte del circuito de placa de la
primera etapa y por lo tanto circulan a través de este arrollamiento
corrientes alternas de la señal y corriente contínua de la alimentación
de placa. En el secundario solo circula la señal, ya que la grilla no
consume corriente. El acoplamiento a transformador está en poco uso
en la actualidad debido a su costo elevado. Un acoplamiento
satisfactorio requiere transformadores de alta calidad que no solo son
34

caros sino también muy difícil de conseguir. Debido a la componente


continua del primario es necesario usar un entrecierro de aire en el
núcleo que por otra parte debe tener chapas de una laminación de alta
calidad. Todas estas circunstancias influyen en que se está
abandonando el uso de transformadores interetapa, si bien muchos
circuitos siguen usando el transformador de salida entre la válvula de
salida y el altoparlante. Las indicaciones mencionadas sobre núcleo y
laminaciones son aplicables también en este caso.
En la figura 2.21 vemos un ejemplo de acoplamiento capacitivo entre
dos etapas. En este circuito es necesario estudiar la impedancia
necesaria de la segunda etapa para definir así los valores del Manual.
Recuerde que la válvula posee en su circuito de grilla de señal una
impedancia muy alta, teoricamente infinita y que por lo tanto solo el
resistor de grilla es el que determina el valor de la impedancia de
entrada de esta etapa. El capacitor separa el circuito de placa previo del
circuito de grilla siguiente y por lo tanto debe ser de buena calidad de
aislación. Además toda la señal de audio pasa por este capacitor y el
mismo debe tener las características de calidad y estabilidad necesarias
para esta función. El valor capacitivo de este capacitor interviene
también en la señal que se acopla debido a que el capacitor C y el
resistor de grilla Rg forman un divisor de tensión para la señal. Si la
rama del capacitor es demasiado alta (capacidad baja), la señal
acoplada pierde parte de su amplitud en este divisor C – R.
Para hallar el valor adecuado para el capacitor de acoplamiento
podemos usar la siguiente expresión:

donde C es el valor de capacidad del capacitor de acoplamiento


Rg es el valor del resistor de grilla de la etapa siguiente y
Fmin es el valor de la frecuencia más baja que debemos acoplar
Se observa que el valor de frecuencia debe ser el de la más baja, ya
que en ella se produce la reactancia capacitiva más alta. Por lo tanto si
queremos evitar una pérdida demasiado alta en este paso, debemos
usar un capacitor que al valor de la frecuencia más baja tenga una
reactancia capacitiva diez veces más baja que este valor.
El acoplamiento directo es factible y a veces deseable, justamente para
evitar toda influencia del elemento de acoplamiento sobre la respuesta
de la señal. En el acoplamiento directo no existe ningún elemento
perturbador, de manera que por este motivo no habrá reducción en la
respuesta. El problema es en este caso el de polarizar adecuadamente
todas las etapas. En el acoplamiento directo debemos conectar la grilla
de la válvula siguiente a la placa de la válvula anterior.
Uno de los diseños más famosos fue en todas las épocas el amplificador
Loftin-White. En la figura 2.22 vemos un aspecto parcial de este diseño.
Se usa en las dos etapas a acoplar un triodo que forman ambos parte
35

de una válvula 12AU7, doble triodo similar al doble triodo que vimos en
las páginas de los Manuales de válvulas de las figuras 2.17 y 2.18.
En la figura 2.22 vemos que el secreto de este acoplamiento directo es
el resistor de cátodo de la segunda unidad de la 12AU7. Este resistor
tienen un valor de 33K contra solo 510 ohms del resistor de cátodo de
la primera unidad. Esta polarización permite conectar la grilla de la
segunda unidad a la placa de la primera sin ningún otro componente
reactivo. Se usa solo un resistor de 4,7K en serie con la grilla. En este
caso particular el divisor de tensión que existe en todas estas etapas
está formado por el resistor de 68K de carga de placa y el de 4,7K de
grilla. Estos valores indican apenas un 7% de pérdida entre ambas
etapas, pero con la ventaja de la transferencia plana de todas las
frecuencias audibles.
Si comparamos este diseño con el convencional con capacitor
tendríamos que usar un capacitor de por lo menos 4 microfarad en serie
con la grilla para tener una reactancia capacitiva similar. Pero en este
caso se produciría un problema con las frecuencias altas debido a que la
capacidad a masa de un capacitor tan abultado puede introducir
pérdidas en las frecuencias altas, sin lograr una compensación perfecta
en las frecuencias bajas. El circuito del amplificador Loftin-White fue el
primero que tomó en cuenta el boom del audio de la actualidad que
recomienda el uso de sub-woofers en las frecuencias muy bajas. En la
época de su mayor vigencia, el amplificador Loftin –White fue
considerado el equivalente del High End de hoy.

2.2.8. La corriente en la etapa de salida de audio.


En una configuración valvular debemos tomar en cuenta dos circuitos
de corriente: uno de corriente contínua para la polarización de los
electrodos de la válvula (placa, grilla pantalla y cátodo) y otro de
corriente alterna de cualquier frecuencia, generalmente designada
como señal, que circula en grilla, placa y cátodo. Esta situación está
presente en cualquier etapa con válvulas, pero es especialmente
notable en la etapa de salida de audio u otra etapa amplificadora de
potencia. En la figura 2.23 podemos ver esta situación. Se observa que
las tensiones continuas circulan a través de resistores y conexiones
directas, pero las señales requieren capacitores para poder circular,
salvo que usemos resistores e inductores como cargas de un circuito
determinado en el cual deseamos que se presente en sus extremos la
señal para los fines circuitales necesarios.
En la placa de la válvula V-1 vemos el bobinado primario de un
transformador de acoplamiento interetapa. En este caso es necesario
que la señal esté presente sobre este arrollamiento, pero no en el resto
del circuito. Por este motivo se desacopla el punto de unión entre el
terminal del primario con el resistor de reducción de la tensión continua
por medio de un capacitor de valor alto (8 µF en el terminal del resistor
de 25 kilohm de la fuente de alimentación). Vemos que el valor de
36

25.000 ohms está desacoplado por el 8 µF del capacitor que en 1000 Hz


posee una reactancia capacitiva de solo apenas 20 ohms. Esto indica
que para todos los fines prácticos, la señal va “preferir” pasar por el
capacitor a masa y no por el resistor de 25.000 ohms que frente a los
20 ohms del capacitor parece una barrera casi infranqueable. A la
inversa, la corriente continua circula desde la fuente de alimentación al
transformador de acoplamiento con toda facilidad y no podrá de
ninguna manera volver a masa a través del capacitor. Este por otra
parte contribuirá a filtrar eventuales restos del zumbido de 100 Hz de la
fuente de rectificación de onda completa debido a que el capacitor
posee un camino relativamente fácil con sus apenas 200 ohms de
reactancia capacitiva en 100 Hz.
En cátodo existe una situación similar al estar presente el resistor de
polarización de 12 kilohm desacoplado por un capacitor de 25 µF. El
resistor producirá una tensión de polarización de unos 12 volts con una
corriente de cátodo de 1 miliampere. El capacitor de 25 µF tiene en
1000 Hz una reactancia capacitiva de unos 6 ohms, valor que permitirá
la circulación de la señal de audio sin mayores obstáculos.
En las etapas siguientes existen situaciones similares al estar los
resistores de polarización de cátodo estan desacoplados por sendos
capacitores de desacoplamiento.
En la etapa final que se observa en la parte inferior de la figura 2.23 se
han dibujado expresamente los dos pasos de corriente en forma
diferente: la corriente continua está marcada con trazos punteados,
mientras que el recorrido de la señal está marcado con líneas llenas. Así
vemos que en el cátodo la componente continua circula por el resistor y
produce la tensión de polarización en los extremos del mismo, mientras
que la componente de alterna, la señal, pasa por el capacitor que se
encuentra en paralelo con este resistor. Este capacitor desacopla
entonces el resistor de cátodo. En la fuente de alimentación existen
capacitores de alto valor capacitivo que filtran la componente de 100 Hz
de la rectificación de onda completa y además dejan un paso de muy
bajo valor reactivo para la señal que retorna a masa completando así el
circuito de masa – cátodo – ánodo – carga – fuente – masa de la válvula
de salida. En el secundario del transformador de salida no existe
ninguna componente contínua y solo circula en este circuito la señal, o
sea la componente alterna. La misma desde luego mueve a los
parlantes por medio de la bobina móvil, como vimos al comenzar el
presente tratado.
El desacoplamiento de la fuente de alimentación es especialmente
necesario cuando varias etapas son alimentadas desde la misma
fuente. En este caso deben introducirse celdas de desacoplamiento en
varias o todas las etapas para evitar que se produzca un acoplamiento
indeseado en etapas de diferentes funciones que puede alterar el
funcionamiento de estas etapas. Lo más común es la presencia de un
conjunto de resistor y capacitor en serie con la conexión a la fuente de
37

alimentación de tal manera que el resistor tenga un valor lo


suficientemente alto como para impedir una corriente alta en la
frecuencia que deseamos desacoplar y el capacitor un valor adecuado
como para desviar esta señal a masa. En el apéndice indicamos algunos
de los valores más comunes para poder estimar los valores más
indicados para diferentes señales de audio y radiofrecuencia.

2.3. El mundo de los semiconductores.


2.3.1. Diodos y transistores.
Como vimos en la tabla 2.1, los diodos semiconductores fueron
conocidos antes de existir las válvulas termoiónicas, pero el desarrollo y
la comprensión teórica del funcionamiento de dispositivos
semiconductores tardó muchos años en aparecer. Cuando los
inventores del transistor, el primer semiconductor que podía amplificar,
publicaron su invento en 1947, (ver figura 2.24), las implicancias de
este invento no fueron reconocidas en forma inmediata, pero los
hechos convencieron a todas las partes interesadas que estaban en
presencia de un dispositivo de gran importancia.
Lo que más impresionaba a todos fue la diferencia de tamaño entre
válvulas y dispositivos semiconductores de similares prestaciones. En la
figura 2.25 vemos un ejemplo típico.
El funcionamiento de los dispositivos semiconductores está basado en
las propiedades físicas de los materiales usados, que son materiales
sólidos y no requieren para su existencia el vacío que caracteriza a las
válvulas con emisión electrónica. Este concepto explica los motivos por
los cuales se denomina muchas veces esta parte de la Electrónica como
de Estado Sólido.
Siempre pensamos que la circulación de una corriente, tanto en
conductores, como la emisión electrónica en el vacio, es el fruto de
electrones en movimiento, siendo para todos los fines prácticos los
electrones portadores negativos de electricidad. Sin embargo en un
análisis científico más riguroso debemos admitir que pueden existir
portadores positivos que serían una contraparte positiva del electrón y
que se pueden llamar “agujeros”, indicando de esta manera que el
agujero es el lugar donde había un electrón que no está más, pero que
al desaparecer deja un lugar libre (el agujero) que puede ser ocupado
por el primer electrón que viene de paso. Esto sería lo mismo que una
carga positiva que atrae forzosamente al electrón que tiene carga
negativa.
Una vez establecidos los conceptos de electrones y agujeros como
portadores igualmente válidos de fenómenos eléctricos, la acción
interna del transistor resulta más fácil de explicar, como veremos a
continuación.
Los materiales en general podemos dividir en tres grupos bajo el punto
de vista de su comportamiento frente a la electricidad: conductores,
aisladores y semiconductores. Aún cuando muchos de los materiales
38

poseen características bien definidas como conductores (cobre,


aluminio, plata, oro, etc.) o como aisladores (porcelana, vidrio, caucho,
materiales plásticos, mica, etc.), hay otros materiales en los cuales el
grado de conductividad puede ser alterado por medio de la introducción
de impurezas. El germanio puro, por ejemplo, es un aislador, pero al
introducir impurezas del tipo del boro, aluminio u otros, se obtiene un
material que ya no es un aislador perfecto como el germanio puro, pero
tampoco se transforma en conductor perfecto. Para ilustrar este
concepto podemos mencionar que diferentes materiales poseen
diferentes valores de resistividad, expresada en ohm-cm. El germanio
puro cristalino posee una resistividad de 60 ohm-cm, la mica, un
15 -
aislador, tiene 9.10 ohm-cm y el cobre un buen conductor tiene 1,7.10
6
ohm-cm. En la Tabla 2.2 indicamos estos valores en forma ordenada.

TABLA 2.2. Los valores de resistividad de diferentes substancias.


TIPO DE MATERIAL NOMBRE VALORES
Conductor Cobre -6
1,7 x 10 ohm-
cm
Semiconductor germanio 60 ohm-cm
cristalino
Aislador Mica 15
9 x 10 ohm-cm

Se considera el germanio con impurezas del tipo boro, etc. como


semiconductor del tipo “p”, debido a que los materiales mencionados
poseen en su estructura atómica menos electrones que el germanio y
de esta manera se producen “agujeros” que atraen electrones. Por otra
parte si las impurezas agregadas al germanio son de otro tipo que
posee más electrones que el germanio puro, por ejemplo arsénico o
antimonio, se obtiene un material semiconductor del tipo “n” en el cual
hay un exceso de electrones que facilita la circulación de una corriente.
Se denomina también los materiales del tipo “n” como donores y los del
tipo “p” como aceptores.
Los materiales que exhiben este tipo de comportamiento están
ubicados en la cuarta columna de la Tabla Periódica de Elementos, que
vemos en la Tabla 2.3. Algunos de los materiales que exhiben
características de semiconductores son: germanio (Ge), silicio (Si),
selenio (Se), óxido de cobre (CuO), sulfuro de plomo (PbS),
carborundum (SiC), y muchos otros.

TABLA 2.3. Sector de la Tabla Periódica de Elementos.


GRUPO III GRUPO IV GRUPO V
IMPUREZAS para SEMICONDUCTORES IMPUREZAS para
ACEPTORES DONORES
Boro (B) 10,82 Carbono ( C ) 12,1 Nitrógeno (N)
14,008
39

Aluminio (Al) 26,98 Silicio (Si) Fósforo (P)


28,06 30,98
Escandio (Sc) Titanio (Ti) Vanadio (V)
44,96 47,90 50,95
Galio (Ga) 69,72 Germanio (Ge) Arsénico (As)
72,60 74,91
Ytrio (Y) 88,92 Circonio (Zr) Niobio (Nb)
91,22 92,91
Indio (In) Estaño (Sn) Antimonio (Sb)
114,76 118,70 121,76
Lantano (La) 138,92 Cerio (Ce) Neodimio (Nd)
140,13 144,27
Erbio (Er)
167,20
Yterbio (Yb) 173,04 Tantalio (Ta)
180,88
Talio (Tl) 204,39 Plomo (Pb) Bismuto (Bi)
207,21 209,0
Torio (Th)
232,05
Las cifras agregadas a cada elemento son el peso atómico del mismo.

Conviene analizar ahora más de cerca otro aspecto de la estructura


atómica relacionado con este tema, las bandas de valencia. Este
concepto debe analizarse bajo el aspecto de la estructura cristalina de
algunos materiales. Podemos usar el germanio como ejemplo, pero lo
mismo es aplicable a otros materiales (silicio, etc.). El germanio se
encuentra en forma de un cristal cuya estructura está ordenada en
forma regular. Cada átomo de germanio posee un núcleo y 32
electrones. El núcleo y 28 electrones constituyen un conjunto que
representa la masa del átomo, pero no contribuyen en forma directa a
las propiedades electricas o químicas del elemento. En cambio los 4
electrones restantes son los electrones de valencia y ellos son los
responsables de las propiedades eléctricas y químicas del material. Dos
electrones de valencia, uno de cada átomo adyacente, producen una
fuerza de atracción entre los dos átomos en virtud de su movimiento
relativo. Esta fuerza de atracción junto con la fuerza de repulsión del
núcleo está en equilibrio y forman así el ordenamiento de los átomos
dentro del cristal. Las fuerzas de atracción de los pares de electrones se
denominan ligaduras covalentes. Las ligaduras covalentes son estables
en ausencia de disturbios externos y el movimiento de los electrones de
valencia está restringido a sus ligaduras específicas. Si bien hay una
cantidad enorme de electrones dentro del cristal, estos electrones están
atados dentro de los núcleos o dentro de sus ligaduras covalentes y en
consecuencia no están libres de moverse de un punto a otro dentro del
cristal, aún bajo la influencia de un campo eléctrico externo. El cristal de
40

germanio puro se comporta como un aislador con elevada constante


dieléctrica.
Si se logra ahora inyectar un electrón dentro de la estructura perfecta
de un cristal de germanio, se podría suponer que este electrón tendría
que estar en reposo o moverse a una velocidad constante debido al
ambiente de periodicidad perfecta en este ambiente de potencial
eléctrico. Esto sin embargo no es el caso, debido a la presencia de
energía térmica en el interior del cristal que produce una vibración de
su estructura, salvo que esté enfriado a una temperatura de cero
grados absolutos. Esta vibración provoca entonces un movimiento del
electrón.
El mecanismo de la agitación térmica puede ser ilustrado por medio del
concepto del fonon que es una magnitud similar al fotón. Como se sabe,
la energía lumínica puede ser considerada como compuesta de
cantidades de quantum discretos, los fotones. En una forma análoga se
puede considerar las vibraciones de la estructura cristalina como
partículas de energía cuantizada que denominamos fonones. Se puede
definir el fonon como masas elásticas sin carga que se mueven con
energías termales aleatorias. Colisiones sucesivas entre fonones y
electrones producen un movimiento aleatorio en zig-zag. Como este
movimiento no produce un desplazamiento en una dirección definida,
no contribuye a la conducción eléctrica en el sólido. Un desplazamiento
neto de electrones en el sólido puede suceder como resultado de una
difusión o desplazamiento cuando se aplica un campo eléctrico al sólido.
Esto modifica el movimiento aleatorio del electrón de exceso y lo hace
mover en la dirección del campo eléctrico. El movimiento resultante es
la superposición del movimiento aleatorio en zig-zag y el movimiento
causado por el campo eléctrico.
Todo lo discutido hasta ahora se refiere a las propiedades de un cristal
con una estructura perfecta. Una cantidad reducida de electrones no
afecta el campo eléctrico en forma apreciable. Sin embargo el modelo
del cristal perfecto en transistores es sólo un caso idealizado. En el
transistor y en muchos otros semiconductores en realidad el
funcionamiento depende de la introducción de imperfecciones
controladas como vimos más arriba. Son estas imperfecciones las que
proveen los portadores necesarios para el funcionamiento de los
semiconductores. Las imperfecciones pueden ser impurezas químicas,
energía radiante o disposiciones atómicas desordenadas.
El término de “imperfecciones” se refiere también a las imperfecciones
energéticas resultantes de la perturbación de estado de energía normal
del cristal. Las imperfecciones causadas por la radiación incluyen
cambios de las cualidades eléctricas del germanio cuando se lo expone
a la luz. La luz se compone de fotones, cada uno un quantum de energía
de acuerdo a la expresión E = hv, donde “h” es la constante de Planck y
“v” es la frecuencia de la luz incidente. En el Apéndice mencionaremos
estos términos nuevamente. Cuando la luz cae sobre un cristal, un
41

quantum puede ser absorbido por el cristal y ser entregado a alguna de


las ligaduras covalentes. Si esta energía es lo suficientemente alta,
debido a una elevada frecuencia de la luz incidente (no debido a una
intensidad lumínica mayor), un electrón puede ser eyectado de la
ligadura. Este electrón eyectado está entonces en libertad de moverse
en el cristal en forma similar al electrón de exceso que vimos más
arriba y este electrón contribuye a la conducción de electricidad de la
misma manera. El espacio vacío dejado en la ligadura covalente que
quedó detrás del electrón eyectado, se denomina agujero, como ya
vimos antes.
Como un electrón de una ligadura cercana puede moverse hacia un
agujero dejado atrás, a su vez también crea un agujero en este nuevo
lugar. El conjunto de estos movimientos de electrones da la impresión,
sin embargo que este movimiento fuera cuasado por los agujeros que
se trasladan a través del material. En ausencia de un campo eléctrico,
este movimiento es aleatorio, en forma similar al del electrón de
exceso. En presencia de un campo eléctrico, sin embargo, el agujero se
comporta como si tuviera una carga electrostática positiva. De esta
manera el agujero puede tratarse como un electrón de exceso positivo.
Los electrones y agujeros se consideran portadores negativos y
positivos, respectivamente y son considerados responsables de la
conducción eléctrica en cristales. La generación de pares de electrones
y agujeros por medio de la luz es el principio básico de los fotodiodos y
fototransistores. En los transistores y diodos convencionales se usa un
blindaje o encapsulado para evitar la influencia de la luz, pero todos los
semiconductores poseen un grado variable de fotoconducción. También
la energía térmica puede causar imperfecciones en el cristal y puede
asumir un papel importante en la creación de pares de electrones y
agujeros. La energía térmica media de un fonon es muy reducida a la
temperatura ambiente y es demasiado reducida como para causar
imperfecciones en el cristal. Sin embargo la distribución de energía
térmica entre fonones individuales sigue una función de distribución de
acuerdo a la ley de Maxwell-Boltzmann y de acuerdo a este planteo
puede generar una energía alta que rompe las ataduras covalentes.
Estos fonones de alta energía generan también pares de electrones y
agujeros en forma similar a lo que sucede en presencia de un rayo de
luz incidente.
La conducción de electricidad por medio de los pares de electrones y
agujeros se denomina “conducción intrínseca”. Una vez que un portador
es creado permanece en el cristal sólo un tiempo limitado, antes de
recombinarse de nuevo con segundo portador de polaridad opuesta y
formar de nuevo una ligadura. El tiempo de vida promedio de los pares
de electrones-agujeros es de un milésimo de segundo. Por lo tanto la
generación y recombinación de pares de electrones y agujeros es un
proceso continuo. Una vez que un espécimen de germanio alcanza una
temperatura determinada, la generación y recombinación de los pares
42

de electrones y agujeros alcanza un equilibrio dinámico, resultando en


una concentración de portadores en el espécimen. Este hecho explica el
“corrimiento térmico” que se observa en los transistores de potencia de
germanio. El silicio posee en este sentido un comportamiento más
favorable.
En este sentido debemos recordar también brevemente la teoría de las
bandas de energía en los sólidos. Se observa que el estado energético
de un átomo aislado es medido en función de la energía potencial y
cinética que posee cada electrón del átomo. De esta manera cada
electrón del átomo solo puede tener ciertos montos exactos de energía
y existir solo en ciertos niveles discretos de energía. En un átomo
aislado, existe una cantidad finita de niveles de energía y solo dos
electrones pueden existir en el mismo nivel al mismo tiempo. Un
electrón que ocupa un nivel de energía bajo está fuertemente atraído al
átomo y un electrón que se encuentra en un nivel de energía alto, tiene
solo una atracción muy débil. Entre los niveles de energía existen
brechas de energía prohibidas en los cuales ningún electrón puede
permanecer, pero que forzosamente debe cruzar para llegar de un nivel
de energía a otro más elevado en caso de acumular mayor grado de
energía. En caso de perder energía tendrá cruzar esta brecha para
llegar a un nivel más bajo. Cuando en un átomo todos los niveles de
energía están llenos, en ausencia de disturbios, se indica que este
átomo está en un estado normal. En cambio, cuando en un átomo uno o
más de sus electrones son elevados a un nivel de energía más alto, el
mismo se encuentra en un estado de excitación. Cuando dos átomos
idénticos, quiere decir con niveles de energía idénticos, se acercan a
una distancia muy próxima, sus niveles de energía cambian con
respecto a cada uno de ellos. En el caso de materiales sólidos una gran
cantidad de átomos se encuentra en una proximidad muy cercana y la
interacción entre estos átomos produce la separación y el acercamiento
de los niveles de energía en forma de bandas de energía, de tal manera
que cada banda está compuesta de una cantidad enorme pero finita de
niveles de energía. Estas bandas estan separadas por espacios
prohibidos de la misma manera que en el átomo único. En la figura
2.26 vemos esta disposición de las bandas de energía en diferentes
tipos de materiales. En “A” vemos los semiconductores cristalinos de
estado sólido, en los cuales la banda de valencia (1) está
completamente llena con electrones de valencia. Esta banda es llamada
también “banda llena” por este motivo. Por otra parte, en la banda más
alta (3) se encuentran electrones de exceso cuya existencia se debe a
las imperfecciones del cristal. Esta banda se denomina “banda de
conducción” o “banda vacía”. Ambas bandas estan separadas por la
“banda prohibida” (2), en la cual no existen electrones. Esta banda
prohibida posee un ancho diferente de acuerdo al tipo de material. En
los semiconductores este ancho de la banda (2) equivale a unos 0,7
43

Electron volts en germanio y a unos 1.11 Electron volts en silicio. En


otros materiales pueden existir valores diferentes.
En la figura 2.26.B vemos la situación de un aislador. En este caso se
observa que las bandas (1) y (2) son mucho más reducidas y la banda
(3) es mucho más ancha. En consecuencia resulta muy difícil que
electrones puedan pasar de la banda (1) a la banda (3). En cambio, en
la figura 2.26.C vemos que en los materiales conductores, la banda (1)
y la banda (3) se superpone y la banda (2) es inexistente. En
consecuencia, los electrones circulan libremente entre las bandas de
engría (1) y (3). La energía necesaria para pasar de la banda (1) a la
banda (3) en los conductores es típicamente del orden de los 0,05
Electron volts. El concepto de las bandas de energía es muy útil para
clasificar los materiales en conductores, aisladores y semiconductores.
Para completar este concepto deseamos agregar que las tres bandas de
energía ilustrados no son las únicas que existen, pero sólo ellas tienen
significado para los fines que nos ocupan.
En el germanio del tipo “N” existen electrones en exceso que ocupan
una franja angosta debajo de la banda vacía. En el germanio del tipo
“P” existen agujeros que ocupan una región por encima de la banda
llena. En ambos casos no se manifiestan en estos materiales cargas
netas, si bien existe una predominancia de portadores negativos
(electrones) en uno y de portadores positivos (agujeros) en el otro. Si se
mantiene la estructura cristalina y se acerca trozos de germanio “P” y
de germanio “N”, entonces pueden formar una juntura en las cuales sí
se observan cargas netas. Estas junturas pueden formarse en forma
industrial mediante la introducción de impurezas del tipo donor con un
exceso de electrones en una parte del cristal e impurezas del tipo
aceptor que aceptan electrones de exceso, en el otro extremo del
cristal. De esta manera se forman dos regiones diferentes en el mismo
cristal.
Los electrones de exceso en la región del tipo “N” tienden a difundirse a
través de la juntura para penetrar la región “P”. Los agujeros tienen la
tendencia opuesta y se difunden de la región “P” a la “N”. Este estado
de cosas establece muy rapidamente un equilibrio que impide la
penetración los portadores debido al potencial alcanzado. Este
potencial de “barrera” afecta a ambos portadores por igual y los
rechaza. Una juntura P-N permite la circulación de corriente eléctrica
solo en una dirección y se forma así un diodo de juntura.
En condiciones normales y a una temperatura ambiente determinada, la
cantidad de agujeros en la región “P” logra suficiente energía como
para pasar sobre la barrera de potencial y se combinan con electrones
en la región “N”. Esta corriente es considerada como “corriente
directa”. Al mismo tiempo la agitación térmica genera pares de
electrones y agujeros en la región “N”. De esta manera se generan
agujeros que rapidamente se recombinan con electrones de exceso en
la vecindad. Otros pasarán por la juntura y penetran la barrera de
44

potencial para llegar a la región “P”. Esta parte de la corriente de


agujeros será considerada como “corriente inversa”. En ausencia de
otros factores ambas corrientes se equilibran y no hay una corriente
neta a través de la juntura. Sin embargo, si se aplica una tensión
inversa, la barrera de potencial se eleva por el valor de esta
polarización y no admite ninguna corriente directa, sin que ello afecte la
corriente inversa. Esto explica el efecto de saturación de la corriente
inversa en un diodo de juntura. También explica la acción de los diodos
Zener que justamente están basados en este efecto. Se define como
tensión Zener aquella que está asociada con la parte de la curva de
tensión inversa con respecto a la corriente de algunos dispositivos
semiconductores en la cual la tensión se mantiene constante a través
de un rango considerable de los valores de corriente. Al aplicar una
polarización directa, los agujeros pueden pasar por la barrera en
concordancia con esta polarización y mientras se incrementa la
corriente directa, se satura la corriente inversa. En la figura 2.27 vemos
una familia de curvas relacionadas con los diodos Zener que
demuestran que este diodo, una vez superada la polarización de
saturación posee una corriente inversa de tal manera que la tensión en
los extremos del diodo se mantiene constante y lo que varía es esta
corriente.
El conjunto de estas acciones de las tres zonas formadas en el cristal de
germanio, o silicio o arsenuro de galio (GaAs) o cualquier otro material
semiconductor dopado (provisto de impurezas), explica el
funcionamiento del transistor y permite que el mismo amplifique. En la
figura 2.28 vemos el aspecto esquemático de un transistor de juntura
con sus tres electrodos de emisor, base y colector. Estos tres electrodos
conducen a sus zonas respectivas de material “N”, “P” y “N”, y por lo
tanto este tipo de transistor de juntura se denomina NPN.
La polarización aplicada a los tres electrodos hace retornar el emisor a
masa a través de la fuente y aplica una tensión positiva inversa al
colector. La juntura colector – base está polarizado para tener una
corriente de saturación. La señal de entrada se aplica entre base y
emisor. En este planteo podemos distinguir entre tres diferentes tipos
de corriente por separado.
Tenemos en primer término la corriente Ico que corresponde a la
corriente entre colector y base, con el emisor desconectado. Esta
corriente de saturación es altamente afectado por la temperatura y en
los circuitos prácticos es necesario analizar este aspecto muy
cuidadosamente.
La segunda corriente que debemos considerar es la producida por los
electrones que circulan desde el emisor al colector a través de la base.
Esta corriente I1 es la corriente directa de la juntura emisor-base que es
principalmente una función de la altura de la barrera en esta juntura.
La tercera componente de corriente que debemos considerar es la
corriente I2 que está compuesta por los agujeros que salen de la base y
45

llegan al emisor. La amplitud de esta corriente es también una función


de la altura de la barrera de potencial entre emisor y base.
En un transistor práctico, la geometría de la juntura es tal que la
relación de I1/I2 es elevada, generalmente del orden de 60 a 200 en
transistores comunes.
Cuando se aplica una señal a la base, la misma modula la barrera de
potencial en la juntura emisor-base. Si la tensión es de polaridad
positiva, esta tensión hace que la región de la base sea más positiva lo
que reduce la barrera potencial de la juntura emisor-base y permite que
una mayor cantidad de electrones llegue al colector, aumentando así la
corriente I1. Al mismo tiempo la reducción de la barrera potencial en la
juntura emisor-base incrementa la corriente de agujeros I2 en la misma
proporción. De esta manera una señal de entrada reducida incrementa
la corriente de señal a través del resistor de carga y por lo tanto
podemos afirmar que el transistor amplifica.
En la figura 2.29 vemos los símbolos que se usan en los diagramas de
circuito y que corresponden a los transistores bipolares de juntura (BJT)
del tipo “P” y del tipo “N”. También vemos los símbolos circuitales para
diodos semiconductores comunes y del tipo Zener.
2.3.2. Los transistores por efecto de campo.
La explicación de este proceso indica que el transistor de juntura es
bajo todo punto de vista un dispositivo de amplificación de corriente,
contrariamente a lo que sucede en las válvulas que básicamente son
amplificadores de tensión. Sin embargo, existen también otros tipos de
transistores que usan los mismos materiales básicos en su construcción,
pero debido a un concepto diferente en su construcción ofrecen
características similares a las válvulas en algunos aspectos. Algunos de
estos transistores son los de efecto de campo. En estos transistores no
se usa la corriente de juntura para inyectar portadores en el material
semiconductor, sino por el contrario se hace uso de campos eléctricos
que reemplazan a la corriente y que son intrínsecamente efectos de
tensiones.
Se destacan entre estos tipos de transistores el JFET (Junction-gate Field
Effect Transistor = transistor por efecto de campo en juntura de
compuerta), el MOS-FET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor = transistor por efecto de campo en semiconductor de óxidos
metálicos) y el IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor = transistor
por efecto de campo con compuerta aislada). El denominador común en
estos tres tipos de transistores es el efecto de campo que reemplaza la
corriente de juntura. Debido a esta circunstancia se suele denominar
este tipo de transistor también a veces unipolares, en contraposición
con los transistores bipolares convencionales que habíamos tratados al
comienzo de este capítulo. La importancia de los tramsistores de efecto
de campo es tan grande que son practicamente los únicos que se usan
en los procesadores de gran envergadura que entran en aplicaciones de
computación y otras similares.
46

En la figura 2.30 vemos el esquema básico de un transistor por efecto


de campo que posee tres electrodos externos, Gate (compuerta), Drain
(drenaje) y Source (surtidor), similar en este aspecto al transistor
bipolar, pero completamente diferente en su construcción y concepto.
El diseño del MOS-FET de esta figura corresponde al tipo de trinchera.
En la figura 2.31 vemos otra variante constructiva que demuestra la
fácil incorporación de este tipo de semiconductor en circuitos integrados
que pueden contener muchos millones de transistores discretos sobre el
mismo substrato de silicio. Los MOS-FETS más pequeños en el interior
de un circuito integrado VLSI (Very Large Scale Integration =
integración en escala muy elevada) pueden tener un tamaño similar a
la 1/75.000 parte de un cabello humano. Repetimos: 75.000 transistores
discretos MOS-FET caben en el ancho de un cabello humano. El diseño
del MOS-FET de esta figura corresponde al tipo planar. En el
procesamiento de señales de audio se usan los MOS-FET´s
generalmente en forma discreta, ya que muchos de los circuitos
integrados para audio son dispositivos del tipo bipolar.
En el FET en general, los portadores son los mismos que en el BJT
(Bipolar Junction Transistor = transistor bipolar de juntura), pero su
movilidad es provocada por diminutos campos eléctricos creados por los
electrodos gate, drain y source que se encuentran por lo tanto aislados
eléctricamente entre ellos por medio de regiones aislantes en el
material de la base de construcción, silicio. Sucesivas capas de
materiales diferentes, aislantes algunas y conductoras otras, forman de
manera gradual el conjunto que funcionará como transistor o como
conjunto de transistores en la mayoría de los casos.
Una de las grandes ventajas del tipo MOS-FET es el reducido consumo
que posee debido a su construcción con capas aislantes y también por
su construcción complementaria en la cual la combinación de unidades
MOS-FET del tipo P y con otras del tipo N permite crear etapas que solo
consumen corriente y muy poca, por cierto, en presencia de señales. En
reposo, sin señal, el consumo es inherentemente cero. La presencia del
material aislante en forma de capas delgadas de óxidos, produce un
efecto interesante, en el sentido que muchas mediciones estáticas en
transistores MOS-FET son simplemente mediciones de la capacidad
interelectródica de los componentes, si bien los valores capacitivos son
muy reducidos y requieren un instrumental específico.
A continuación veremos como agrupaciones integrados de transistores
MOS-FET permiten formar compuertas lógicas en los procesadores
digitales de toda índole. En la figura 2.32 vemos el circuito básico de
una compuerta lógica F = NO(A.B+C) y en las Tablas 2.4. siguientes
vemos la polarización que se aplica a cada unidad integrada y el efecto
que ello causa.

TABLA 2.4. La polarización de una compuerta lógica integrada F =


NO(A.B+C).
47

Funcionamiento de los transistores MOS-FET tipo N.


A NA B NB C NC Paso de Vss F
aF
0 no 0 No 0 No No *P
0 no 0 No 1 Sí Sí 0
0 no 1 Sí 0 No No *P
0 no 1 Sí 1 Sí Sí 0
1 Sí 0 No 0 No No *P
1 Sí 0 No 1 Sí Sí 0
1 Sí 1 Sí 0 No No 0
1 Sí 1 Sí 1 Sí Sí 0

Funcionamiento de los transistores MOS-FET tipo P.


A PA B PB C PC Paso de Vdd F
aF
0 Sí 0 Sí 0 Sí Sí 1
0 Sí 0 Sí 1 No No *N
0 Sí 0 Sí 0 Sí Sí 1
0 Sí 1 no 1 No No *N
1 no 0 Sí 0 Sí Sí 1
1 no 0 Sí 1 No No *N
1 no 1 no 0 Sí Sí *N
1 no 1 no 1 No No *N

*P indica que la lógica de los transistores P establece la conexión entre


F y Vdd.
*N indica que la lógica de los transistores N establece la conexión entre
F y Vss.
De la figura 2.32 surgen también los símbolos que se usan en los
circuitos de transistores MOS-FET del tipo “P” y del tipo “N”.
Debemos indicar desde luego que las configuraciones en compuertas
lógicas solo son aplicables a usos digitales y no a una amplificación
lineal de señales analógicas. Ello es, sin embargo, ningún obstáculo
para usar este tipo de conexionado en procesadores digitales de audio
o de cualquier otra señal digital (video, datos, etc.).
Para lograr densidades cada vez mayores en la construcción de
transistores MOS es necesario recurrir a un proceso de
dimensionamiento llamado en inglés “scaling” (reproducción en escala).
Este proceso posee sin embargo límites en cuanto a varios parámetros,
como la extensión de surtidor-drenaje (SDE), la profundidad de la
juntura y la longitud dela compuerta. El dimensionamiento de estos
parámetros permitió reducir la compuerta MOS de 10 µm en los años 70
a 0,1 µm en los días actuales. Los límites para este “scaling” surgen de
la siguiente Tabla 2.5.

TABLA 2.5. Los límites en el scaling de transistores MOS.


48

CARACTERÍSTICA LIMITES MOTIVOS


Espesor del óxido 2,3 nm Corriente de fuga (IGATE)
Profundidad de la 30 nm Resistencia (RSDE)
juntura
Dopado del canal VT=0,25 V Corriente de fuga (IOFF)
SDE en difusión 15 nm Resistencia (RINV)
Longitud del canal 0,06 µm Corriente de fuga (IOFF)
Longitud de compuerta 0,10 µm Corriente de fuga (IOFF)

Debajo de la profundidad de 2,3 nm de la capa tradicional de SiO2


existen límites fundamentales debido al efecto tunel y resulta necesario
buscar otros caminos. También longitudes inferiores de 0,1 µm en la
compuerta son inaceptables en la actualidad. El límite de una tecnología
de 0,13 µm en contraste con la actual de 0,25 µm será alcanzado en el
año 2002 y con ello terminará el ciclo de la tecnología actual.
No obstante estas limitaciones para el siglo XXI se vislumbran nuevas
tecnologías y nuevos materiales cuyo desarrollo no está aún definido y
cuyo tratamiento escapa el marco de la presente obra.

El transistor MOS-FET puede usarse también en circuitos analógicos,


pero en una configuración diferente a la ilustrada en la figura 2.32,
como transistor de potencia, que tiene las mismas características que
se destacan en el transistor unipolar por efecto de campo. Entre ellas
figuran una impedancia alta en el circuito de entrada, una elevada
corriente de conmutación y otras características, como vimos más
arriba. Podemos considerar como dispositivo de potencia aquellos que
poseen una capacidad de conmutación de corriente de 1 ampere o más.
Recuerde que en un transistor bipolar esta capacidad es perfectamente
obtenible, pero al precio de una componente de corriente de entrada
que puede llegar al 20% de la corriente total. En el transistor MOS-FET
de potencia con su elevada impedancia de entrada esta corriente es
irrelevante. Otro aspecto desfavorable en las etapas de potencia con
transistores bipolares es la posibilidad de un escape térmico debido a la
avalancha de portadores que puede presentarse bajo ciertas
circumstancias. En los transistores del tipo MOS-FET este problema no
existe. Por todos estos motivos se utilizan estos transistores en muchos
equipos de audio en la etapa de salida de potencia. Entre otros,
Motorola y Pioneer propician esta tendencia.

Capítulo 3. Amplificadores.

3.1. Categorías de amplificadores.


En general y en forma totalmente independiente del tipo de
componente activo usado (válvulas o transistores) o de la frecuencia de
trabajo de los mismos (audiofrecuencias, radiofrecuencias, etc.), se
49

puede dividir los amplificadores en varias clases que definen su forma


de funcionar.
Se conoce en este aspecto tres clases grandes que a su vez están
subdivididos en subclases diferentes. Las clases de mayor importancia
son: clase A, clase B y clase C. A continuación definiremos estas clases.
Clase A. Los amplificadores de clase A se caracterizan por tener una
señal de entrada de tal manera que la corriente de salida no se corta en
ningún momento. En válvulas esto significa que haya corriente de placa
en todo momento, en MOS-FET significa que haya corriente de drenaje
en todo momento y en transistores BJT que haya corriente de colector
en todo momento. Otra manera de definir este tipo de amplificadores es
la indicación que son operados siempre en la región lineal de su curva,
por encima del punto de corte y por debajo del punto de saturación.
Clase B. Los amplificadores de clase B poseen una polarización de
entrada de tal manera que solo circula corriente de salida en medio
ciclo de la señal de entrada. Para obtener entonces un ciclo completo en
la corriente de salida es necesario recurrir a etapas simétricas o push-
pull. Los amplificadores de clase B con transistores poseen un
inconveniente inherente adicional que está relacionado con el hecho
que poseen un tiempo de “encendido” y otro de “apagado”. El de
apagado es mayor que el otro, lo que introduce condiciones desparejas
de trabajo y distorsiones difíciles de compensar en altas frecuencias.
Especialmente los diseños casi complementarios son los más afectados
por este problema.
Clase C. En los amplificadores de clase C la polarización de entrada es
de tal magnitud que solo circula corriente de salida durante los picos de
la señal de entrada. Este régimen de trabajo es muy apto para
radiofrecuencias donde los ciclos se completan por medio de sendos
circuitos resonantes, pero no son aptos para amplificadores de
audiofrecuencia. El rendimiento de estas etapas es sumamente bueno
debido a su régimen de corriente pulsante y también son muy indicados
como osciladores de radiofrecuencia, pero como amplificadores de
audio no son aceptables.
Tal como habíamos anticipado, existen numerosos subgrupos que
poseen cierta importancia en la práctica, debido a que permiten
conjugar varios parámetros funcionales con acentuación en cualquiera
de ellos. Por ejemplo un amplificador clase AB es un amplificador en el
cual se utiliza una sobrepolarización en el circuito de entrada, de tal
manera que la corriente de salida no completa todo el ciclo, motivo por
el cual requiere en audio etapas de salida simétricas en push-pull. La
variante AB1 en válvulas tiene una señal de entrada y polarización de
tal manera que no circula corriente de grilla en ningún momento, en
cambio en clase AB2 puede circular corriente de grilla. Las etapas de
clase AB2 entregan mayor potencia que las de AB1, pero la corrección
de eventuales distorsiones es más complicada que en cualquier otro de
los regímenes de trabajo mencionados. En los amplificadores de clase
50

AB pueden presentarse también problemas similares a los de clase B,


como vimos más arriba.

A continuación veremos algunos circuitos típicos de amplificadores de


audio con todos los elementos activos mencionados (válvulas,
transistores BJT y MOS-FET y circuitos integrados).

3.2. Amplificadores de potencia de audio con válvulas.


Para describir el funcionamiento de amplificadores de audio de potencia
se suele especificar entre otros, los siguientes parámetros: Potencia de
salida, Eficiencia de potencia de placa, Sensibilidad de potencia,
Resistencia de placa efectiva, Resistencia de carga crítica y Distorsión.
A continuación definimos estos términos.
La potencia de salida es la más baja para un determinado juego de
valores de condiciones de funcionamiento y una válvula determinada en
clase A1, mientras que en clase AB1 y AB2 se obtienen valores
sucesivamente mayores. En las mismas condiciones se logra también
valores de potencia más altos con pentodos que con triodos. Por otra
parte la realimentación negativa no reduce la potencia máxima
obtenible.
La eficiencia de potencia de placa es la relación de la potencia de salida
de audio con respecto a la potencia de entrada de placa y pantalla. Es
la más reducida en clase A1 y crece en forma progresiva con la clase
AB1, AB2 y B. Asimismo es mayor en pentodos que en triodos.
La sensibilidad de potencia es tomada generalmente como la relación
entre la salida en miliwatt con respecto al cuadrado de la tensión RMS
de grilla. Una forma alternativa para esta especificación es la expresión
de sensibilidad SP en función de la potencia de salida PS en miliwatt y la
tensión de grilla RMS GRMS.

Los pentodos poseen generalmente una sensibilidad mayor que


triodos. Los amplificadores en clase AB1 o con etapas simétricas en
push-pull reducen la sensibilidad. Amplificadores con corriente de grilla
requieren potencia en el circuito de grilla. Para este tipo de amplificador
solo se puede especificar un valor de sensibilidad que incluya la etapa
de excitación.
La resistencia de placa efectiva o resistencia de salida es un valor
importante cuando la carga es un altoparlante. El valor óptimo de la
resistencia de placa depende del parlante, pero en la mayoría de los
casos el valor óptimo es igual a un quinto de la resistencia de carga
para la mejor respuesta de frecuencia. Valores más bajos producen una
amortiguación mayor del parlante pero reducen la respuesta en graves.
La realimentación negativa juega un papel importante en este valor.
Resistencia de carga crítica. El valor de la resistencia de carga afecta la
reproducción sonora en forma más amplia en pentodos que en triodos,
tanto con realimentación negativa como sin ella.
51

Distorsión armónica total (THD). Este parámetro es posiblemente uno


de los más importantes en las diferentes categorías de calidad,
especialmente en el rubro HiFi y High End. En una época se estimaba
que un triodo podía funcionar en clase A1 con valores de distorsión de
segunda armónica hasta un 5%. Los valores de distorsión de tercera
armónica y mayores eran generalmente insignificantes. Los valores
relacionados con este tipo funcional estan basados en el 5% salvo
indicación contraria. Con el funcionamiento de triodos en push-pull en
clase A1, las armónicas pares se cancelan y solo quedan restos muy
reducidos de armónicas impares de orden elevado.

Se considera que la configuración de triodos en clase A1 en


push-pull, y sin realimentación negativa, brinda el
funcionamiento con los mejores resultados en cuanto a fidelidad
y pureza tonal. En el caso de usar pentodos, se recomienda
etapas simétricas en push-pull y realimentación negativa.

Al incrementar la polarización hacia el funcionamiento en clase AB1, la


distorsión por armónicas impares solo aumenta en forma muy ligera si
se usa una impedancia de carga baja. Al usar una impedancia de carga
más alta, se logra una potencia mayor si bien en estas condiciones se
puede manifestar una distorsión molesta.
Con pentodos de potencia en condiciones de clase A1 y carga resistiva,
la distorsión armónica por segunda armónica crece muy poco pero la
THD puede llegar al 7 a 13% debido a un incremento en la distorsión
por tercera armónica y de otras de orden mayor. En los parlantes el
efecto es mayor en las frecuencias altas y bajas que el causado por los
mismos parlantes. La aplicación de realimentación negativa es
recomendada para lograr la reducción de la distorsión en todas las
frecuencias.
En este aspecto debemos tomar en cuenta también que con la carga de
impedancia variable como la que ofrece el altoparlante, se introduce un
efecto selectivo sobre la distorsión armónica. Si por ejemplo, la
impedancia de la carga es mayor en una armónica que en la
fundamental, el porcentaje de la distorsión armónica será mayor que la
que se obtendría con un valor de resistencia de carga constante.
Para reducir el efecto de la distorsión armónica en pentodos se
recomienda reducir el valor de la resistencia de carga para lograr así un
incremento en la distorsión de la segunda armónica que normalmente
en las etapas de push-pull es reducida y al mismo tiempo reducir
también la distorsión por tercera armónica que es la principal en los
pentodos en push-pull.
En las etapas en funcionamiento en clases AB2 o B, una gran parte de la
distorsión por armónicas se debe a la corriente de grilla del circuito de
entrada. No se recomienda este modo funcional para equipos HiFi y
52

High End a pesar de la mayor potencia de salida que se puede lograr en


el mismo.
En la figura 3.1 vemos un circuito típico de un amplificador a válvulas
triodo en clase A1. Se trata de un amplificador de salida simple con
triodo 2A3 en un circuito de clase A1 que posee varias características
modernas y de gran actualidad. Se ilustra una sola cadena de
amplificación, pero para un equipo estereofónico será necesario agregar
otra etapa idéntica. La fuente de alimentación que acompaña este
circuito amplificador está diseñada justamente para este tipo de uso. Se
observa que en esta fuente de alimentación se usan varios tipos de
reguladores de tensión de estado sólido. Uno es el regulador de tensión
7805 de 5 volt y el otro es el LT1038 que es regulable. Ambos tipos
están ubicados en los circuitos de filamento del amplificador para
alimentar los filamentos de todas las válvulas con tensión contínua.
Esto reduce las posibilidades de zumbido inducido por los circuitos de
filamento y mejora así el rendimiento del amplificador.
Observe el detalle del integrado IC3 que está conectado a masa a
través de dos diodos de silicio D9 y D10. Cada diodo tiene una caída de
tensión de 0,7 Volt, motivo por el cual la tensión existente en los puntos
de alimentación de filamento de las válvulas EF86 es de 5+0,7+0,7 =
6,4 Volt. Como se sabe la tensión nominal del filamento de dichas
válvulas es de 6,3 Volt, valor adecuado para este circuito.
En el circuito del amplificador se observan dos puntos de interés
especial. Uno es el resistor Rx en la grilla de la 2A3. Este resistor sólo se
coloca en caso de producirse eventualmente oscilaciones y el valor de
este resistor puede variar entre 1,5 y 4,7 kilohm, según la intensidad de
dichas oscilaciones. Si no hubiera ninguna tendencia a estas
oscilaciones parásitas, el resistor Rx puede omitirse.
Otro punto de interés es el resistor Rf que está ubicado en la bobina
móvil del parlante y introduce un camino de realimentación negativa
hacia el cátodo de la válvula preamplificadora. Este resistor de 150 ohm
puede eliminarse también si no se desea introducir la realimentación
negativa. Sin el mismo, la sensibilidad del amplificador es de 30 milivolt.

3.3. Amplificadores de potencia de audio con transistores bipolares.


La mayoría de los parámetros para este tipo de amplificador es similar a
los requisitos que rigen los amplificadores a válvula. Existen sin
embargo algunas excepciones importantes que trataremos a
continuación.
Uno de los factores más importantes es la distorsión no-lineal que se
puede presentar en forma muy objetable. Este tipo de distorsión puede
presentarse en dos formas. Una sería una distorsión THD de hasta el 1%
que puede considerarse aceptable y otra sería una distorsión por
intermodulación debido a factores no lineales que puede llegar a ser
muy molesta y debe tratar de evitarse. En los amplificadores a
transistores bipolares con una elevada potencia de salida el origen de
53

estas distorsiones no lineales reside en la etapa de salida. Se pueden


producir en estas etapas armónicas impares de alto orden debido a
ligeras discontinuidades en la característica de transferencia en el
punto de cruce que son el resultado de la asimetría inherente de etapas
de salida casi complementarias. Para eliminar este tipo de distorsión
por cruce debe efectuarse una selección muy cuidados de los
componentes. Se logran así valores de solo 0,1% como THD en el
amplificador de potencia de audio a transistores. En la sección de
circuitos prácticos incluiremos un circuito que posee estas
características.
Con valores bajos de no-linealidad y distorsión de fase, la distorsión
transitoria en un equipo sin transformador de salida es mínima y este
remanente es causado generalmente por los altoparlantes. Sin
embargo con un montaje correcto y tipos de altoparlantes especiales se
logra reducir esta fuente de distorsión al mínimo.
En los amplificadores transistorizados sin transformador de salida, se
usa generalmente un monto importante de realimentación negativa,
motivo por el cual la resistencia interna de la etapa será solo una
fracción de un ohm como valor máximo. Debemos recordar que en este
caso adquiere importancia el valor del factor de amortiguación que es la
relación entre la resistencia interna de la salida del amplificador y la
impedancia de carga. En un equipo sin transformador de salida este
valor puede ser sumamente alto. En un altoparlante con un baffle
simple el valor de amortiguación recomendado puede ser del orden de
las 100 unidades, en cambio con un parlante encerrado en un gabinete
sellado, el valor recomendado seria del orden de 3.
En los amplificadores de alta fidelidad de todas las características
puede resultar interesante disponer también de la curva de respuesta
del ancho de banda de potencia que relaciona la respuesta de
frecuencia con una potencia de salida determinada, generalmente
previa al recorte con un valor de distorsión del 1% o menos. La curva de
potencia versus frecuencia reemplaza la curva de amplitud versus
frecuencia que se solía usar anteriormente. En la figura 3.2 vemos el
circuito de un amplificador a transistores de 25 watt RMS que cumple
con las características alta fidelidad de las normas DIN 45500.
Las especificaciones del amplificador de la figura 3.2 son las que se
observan en la Tabla 3.1.

TABLA 3.1. Especificaciones del amplificador de la figura 3.3.


CARACTERISTICAS VALORES
Potencia de salida nominal 25 watt en carga de 8 ohm
Sensibilidad (1000 Hz) para Po=25 350 mV
watt
Impedancia de entrada 150 kohm
Respuesta de frecuencia (-1 dB) <20 hasta 90.000 Hz
THD en Po=25 watt 0,1%
54

Distorsión por intermodulación en 0,6%


Po=25 watt, medido con f1=25= Hz y
f2=8 kHz con Vf1:Vf2 =4:1
Relación S/N no ponderada en Po= 50 76 dB
mW
Factor de amortiguación con parlante 160
de 8 ohm
Resistencia interna en el zócalo de 0,05 ohm
salida
Factor de realimentación de tensión 370
Fuente de alimentación nominal 48 volt
Consumo en Po= 25 watt 0,83 ampere

La etapa de salida está constituida con transistores de silicio en una


configuración de push-pull clase B single-ended casi complementaria.
En la figura 3.3 vemos un diagrama en bloques de este amplificador. Se
observa que los transistores usados son todos de silicio que procesan
una señal de entrada de 350 milivolt sobre 150 kilohm. El
preamplificador es el tipo BC158B de pnp. El predriver es el BD137 de
npn. Los drivers son del tipo BD137, npn en una rama y BD138, pnp, en
la otra rama. Los transistores de salida son del tipo BD182 de npn en
ambas ramas. Se observa que el uso de transistores npn y pnp facilita
la inversión de fase necesaria en la etapa de salida simétrica. La carga
es de 8 ohm que recibe 25 watt.
Se observa que existe un transistor TR7 del tipo BC148, npn, que actúa
como regulador de corriente de reposo en un circuito que analizaremos
a continuación con el resto del circuito.
Comenzando la descripción del circuito de la figura 3.2 vemos un
transistor pnp del tipo BC158B que funciona en la etapa de
preamplificación. Se trata de un transistor de alta ganancia de
corriente, lo que permite el uso de un elevado grado de realimentación,
realizada por medio de los resistores R3, R4 y R15. Este transistor posee
una corriente dinámica de 0,5 mA. Como esta etapa funciona también
como estabilizador de la tensión de punto medio, es necesario que el
resistor R4 no tenga un valor demasiado alto. Sin embargo, como
contrapartida, para lograr un factor de realimentación desde el
parlante, R4 debe ser tan alto como sea posible con respecto a R15,
debido a que R4 está en paralelo con R15. Debido a este valor elevado
del factor de realimentación, la impedancia de entrada del amplificador
es igual al valor de R1, que es de 150 kilohm.
La etapa predriver en clase A TR2, usa un transistor pnp del tipo BD137,
pero un BC147 puede ser usado si se dispone de una fuente de
alimentación estabilizada.
Los transistores de excitación TR3 y TR4 funcionan en una configuración
complementaria, siendo del tipo BD137 y BD138, respectivamente. Con
55

la potencia de salida máxima la corriente máxima que debe suministrar


TR3 es de 133 mA; TR 4 debe dar paso a una corriente ligeramente
menor. Se incluye entonces los resistores R12 y R13 para limitar las
condiciones de cortocircuito y sobrecarga. La corriente de reposo típica
de los transistores de excitación es de 10 mA y en un caso extremo su
disipación es de 440 miliwatt. Por este motivo no es necesario proveer
disipadores térmicos para los transistores de excitación.
En la etapa de salida se usa los robustos transistores de potencia
BD182 que deben ser colocados com par balanceado (matched pair). La
corriente de reposo del par de salida es de40 mA, ajustables por medio
del potenciómetro R8. Sin circuito de protección, la disipación máxima
para cada transistor de salida es de 10,3 Watt. La corriente de pico de
salida, IO = 2,5 Ampere con PO = 25 Watt y una impedancia de carga de
8 Ohm.
La tensión de pico para una potencia de salida de 25 Watt es de 20 Volt.
La caída de tensión en la parte superior del circuito es de 3,5 Volt y en
la parte inferior es de 4,5 Volt. Para garantizar entonces la potencia de
salida de 25 Watt, la tensión de la fuente con máxima potencia de
salida debe ser igual al total de la caída de tensión más el doble de la
excursión de la tensión de pico. Esto resulta en la siguiente expresión:
3,5 V + 4,5 V + 2(20 V) = 48 V
La tensión de punto medio VA es entonces 24 Volt.
Para lograr una potencia de salida relativamente alta, mayor a los 10
watts, puede parecer atractivo usar pares adaptados (matched pairs) de
transistores npn/pnp. Se puede usar en este caso transistores de
germanio, pero debido a la corriente elevada de pérdida de dichos
transistores, resulta necesario usar cápsulas metálicas para este tipo de
transistor. El comportamiento de los transistores de silicio es mejor en
este caso por su corriente de pérdida más reducida. El uso de
transistores de silicio es sin embargo bastante costoso cuando se debe
encontrar tipos pnp bien adaptados a los tipos npn existentes. La
solución es entonces el uso de una configuración diferente que solo usa
transistores npn y que es la llamada configuración casi-complementaria.
El uso de transistores de la misma polaridad introduce una economía de
diseño muy apreciable. Se requiere no obstante otra precaución, que es
la solidez constructiva y eléctrica de los transistores de salida de silicio
en esta configuración. Este atributo se logra a costa de un ligero
sacrificio en la frecuencia de transición. Los transistores BD181, BD182
y BD183 obedecen a este criterio. En la Tabla 3.2 vemos algunos
parámetros característicos de transistores de salida.

TABLA 3.2. Parámetros de algunos transistores de salida.


TIPO CAP- VCBO VCEO VCER ICM Tj max Rth j-mb hFE ICBO M
npn SULA Volt Volt Volt Amper °C °C/W
e
56

BD11 TO-39 245 180 245 0,2 200 12,5 >22 0,55
5
BD18 TO-3 55 45 55 10 200 1,5 20-70 2
1
BD18 TO-3 70 60 70 15 200 1,5 20-70 5
2
BD18 TO-3 85 80 85 15 200 1,5 20-70 5
3
El significado de las siglas es el siguiente:
VCBO = tensión entre colector y base
VCEO = tensión entre colector y emisor
VCER = tensión de ruptura entre colector y emisor
ICM = corriente de colector (máxima permitida)
Tj max = temperatura de la juntura (máxima permitida)
Rth j-mb = resistencia térmica de la juntura
hFE = ganancia de corriente
ICBO M = corriente de colector a base (máxima permitida)

En el modelo que estamos describiendo resulta necesario compensar


las corrientes de reposo de los transistores driver (de excitación) y de
los de salida contra variaciones de temperatura y de tensión,
estabilizando las tensiones entre base y emisor de los tres transistores.
El circuito de compensación se basa en TR7 que es un transistor npn
encapsulado en plástico del tipo BC148. Se usan además dos resistores
(R7 y R9) y un potenciómetro preset R8. Este preset permite ajustar la
corriente de reposo. El valor nominal de la tensión colector/emisor de
TR7 es de aproximadamente 1,8 Volt. En la figura 3.4 vemos esta etapa
de compensación en forma separada y a continuación trataremos su
funcionamiento.
En la figura 3.4 vemos que la tensión de estabilización es VCE que está
determinada por las siguientes expresiones:
VCE = IR1 + (I + IB)R2 y VBE = IR1
La relación entre VCE y VBE está dada por:

Debido a que IB < I, aún con la ganancia más baja de BC148, la relación
entre VCE y VBE se transforma en:

Esta expresión demuestra que una variación de VBE produce una


variación en VCE que depende de la relación RCE/RBE, de tal manera que

La dependencia de VCE de la temperatura es indicada entonces por la


siguiente expresión:
57

Esta dependencia de la temperatura de VCE debe ser igual a la


dependencia de temperatura de VBE de los transistores TR3, TR4 y TR5
que debe ser compensada. La tensión de VBE es de cerca de 2 mV/°C en
cada uno de estos casos y de esta manera sólo es necesario hacer que
la relación RCE/RBE = 3 para lograr una estabilización correcta de la
corriente de reposo. Del circuito de la figura 3.2 se puede ver que R 9 =
2,2 kilohm, R8 = 1 kilohm y R7 = 1 kilohm. En este caso es posible
ajustar R8 para lograr que RBE = 1,4 kilohm si su relación es de 3, ya que
RCE = R7 + R8 + R9 = 4,2 kilohm.
Eventuales variaciones en la tensión de la fuente de alimentación
cambiarán los ajustes en tensión contínua de la etapa de clase del pre-
driver, produciendo una pequeña variación en la tensión de emisor/base
del transistor TR7, pero la corriente de reposo de los transistores de
salida no es afectada por este fenómeno. Debe tomarse en cuenta
también de no montar el transistor de estabilización sobre los
disipadores térmicos de los transistores de salida, ya que de otra
manera se producirá una sobrecompensación.
La fuente de alimentación.
Se puede usar en el amplificador de 25 watt una fuente de alimentación
regulada, similar a la que observamos en la figura 3.5. Esta fuente está
prevista para dos alternativas: una para un amplificador de 25 o 40
Watt monaural y la otra para el mismo amplificador duplicado para
funciones estereofónicas. Las diferencias entre ambas variantes residen
principalmente en los rectificadores y en la capacidad de los
electrolíticos de filtrado.
El peligro de los cortocircuitos.
En una gran parte de los amplificadores de audio con transistores
bipolares en la etapa de salida, el altoparlante está conectado en forma
directa al circuito, sin intervención de ningún transformador de salida
de audio. Este tipo de circuito es sumamente eficiente, pero posee
lamentablemente un peligro inherente cuando los bornes de salida
donde se conecta el parlante, se ponen en cortocircuito por cualquier
motivo accidental. El efecto de este tipo de cortocircuito de por sí no
presenta un peligro directo inmediato. Esto se debe a que en este caso
la realimentación negativa desaparece y una señal de entrada muy
reducida tendrá un efecto muy grande por exceso de excitación. Los
transistores de salida poseen generalmente un margen más que
generoso antes de exceder sus tolerancias, como podemos apreciar en
la Tabla 3.3.

TABLA 3.3. Valores de cortocircuito en la etapa de salida.


CARACTERISTICAS BD182 superior (TR5) BD182 inferior (TR6)
Corriente pico de 6 Ampere 15 Ampere
colector
58

Tensión de pico 18 Volt 13 Volt


colector/emisor
Ciclo de trabajo 74 % 26 %
Disipación de potencia 108 Watt 51 Watt
pico
Disipación promedia 80 Watt 51 Watt

En condiciones normales de trabajo el transistor TR5 debe tener una


resistencia térmica de acuerdo a la siguiente expresión:

Esta situación no es posible realizar, debido a que el transistor posee


una resistencia termal entre juntura y cápsula de 1,5 °C/W. Se impone
por lo tanto una limitación de la corriente de cortocircuito por razones
térmicas.
Se dispone de dos variantes circuitales para este fin como vemos en la
figura 3.6. Las letras indicativas de estos circuitos coinciden con el
circuito completo de la figura 3.2. Veamos en primer término el circuito
N°1 de la figura 3.6. Este circuito usa dos transistores BC148 y BC158
que normalmente se encuentran en la condición de no-conducción.
Cuando circula una corriente alterna elevada de suficiente intensidad a
través de los resistores R17 y R18, la tensión entre base y emisor se
torna más positiva para BC148 y más negativa para BC158. El nivel
depende de la corriente alterna a través de R17 y R18 y de los divisores
de tensión en la base R21/R22 y R23/R24. Con un determinado valor ambos
transistores comienzan a conducir. Debido a la baja resistencia interna
de los transistores en condición de conducción, la corriente alterna de
excitación para los transistores complementarios es limitada hasta un
cierto nivel que se controla por medio de los potenciómetros preset R21
y R24. Para mayor seguridad se agregan también dos fusibles de acción
rápida de 1,6 Ampere. En estas condiciones se obtienen resultados que
son resumidos en la Tabla 3.4.

TABLA 3.4. Condiciones de protección del circuito N° I.


CARACTERISTICA VALORES CARACTERISTICAS VALORES
S
Corriente 1,42 Ampere Potencia driver 1,63 Watt
promedio de la npn
fuente
Tensión regulada 48 Volt Potencia driver 2,6 Watt
de la fuente pnp
Potencia de la 68,16 Watt Potencia de salida 21 Watt
fuente npn
Potencia de salida 42 Watt
pnp
Potencia total 67,23 Watt
59

La disipación total es de aproximadamente 68 Watt y por lo tanto se


necesita un disipador térmico bastante grande con este tipo de
protección. Los resistores R17 y R18 deben ser de 10 Watt debido al
elevado valor de disipación en condiciones de cortocircuito. Sin
protección de cortocircuito pueden usarse tipos de 2 Watt para estos
resistores y para los disipadores térmicos de los transistores de salida
pueden usarse chapas de aluminio de 2 mm de espesor con una medida
de 4,5 x 4,5 cm.
El circuito N°2 de la figura 3.6 es una alternativa que tiene la ventaja
que no necesita disipadores especiales, pudiendo usarse el tipo de
disipador recién mencionado para la alternativa de no usar circuitos de
protección. Se necesitan en cambio dos diodos más que en el caso
anterior. El circuito incluye por lo tanto dos transistores encapsulado en
plástico, BC148 y BC158, respectivamente, y dos diodos BA145, pero no
requiere fusibles.
Bajo condiciones normales de funcionamiento los transistores están en
condición de no conducir. Cuando aumenta la corriente de salida debido
al cortocircuito, los potenciales de las bases de los transistores
complementarios de excitación cambian muy rapidamente con respecto
a tensión contínua promedia VA. A un determinado nivel los transistores
del circuito de protección conmutan a conducción y las corrientes
alternas de excitación para los transistores driver y de salida circulan a
través de los transistores de protección. El nivel en el cual el circuito de
protección comienza su actuación es ajustable por medio de los
potenciómetros preset R22 y R23.
Cuando los terminales de salida no están en cortocircuito, pero en
presencia de una carga compleja en condiciones de fuerte
sobreexcitación, la corriente de salida se eleva en mayor escala que la
máxima excursión de onda sinusoidal y el circuito de protección
conduce. Los transistores de salida y excitación se polarizan entonces
en sentido inverso debido a la presencia de los transistores de
protección y la energía de la carga compleja. Recuerde que el término
de “carga compleja” se refiere a todo tipo de carga que tenga una
componente reactiva. Si no hubiera ninguna protección adicional los
transistores de salida y de excitación pueden dañarse debido a la
ruptura de tensión y por este motivo se agregan los dos diodos BA145
en forma invertida sobre los transistores de salida.
Recordamos que el circuito N° 2 usa dos diodos más que el circuito N°
1, pero en cambio no necesita disipadores térmicos especiales. Los
convencionales de 4,5 x 4,5 cm son suficientes.
Ambos circuitos requieren un proceso de ajuste que se describe a
continuación.
Ajuste del circuito de protección N° 1.
(a) Conecte un resistor de 2 ohm, 50 Watt en los bornes de salida.
60

(b)Aplique una señal de 1000 Hz a la entrada con una amplitud


suficiente para obtener una señal de 2 Volt de cresta sobre el
resistor R18, (aprox. 4 A x 0,47 ohm), medido con osciloscopio.
(c) Ajuste R24 hasta causar el recorte a partir de los 1,9 Volt.
(d)Repita los pasos (b) y (c) ajustando R21 y midiendo R17.

Ajuste del circuito de protección N° 2.


(a) Ajuste R22 y R23 al punto medio de su recorrido.
(b)Conecte un resistor de ohm, 20 Watt sobre los bornes de salida.
(c) Conecte un osciloscopio sobre R17. Si dispone de un instrumento de
doble haz conecte la segunda entrada sobre R18.
(d)Aplique una señal de 1000 Hz a la entrada con amplitud suficiente
para medir 2 Volt de cresta sobre R17 / R18.
(e) Ajuste R22 para producir el recorte de la señal con 1,9 Volt sobre R17.
Observe la figura 3.7.a.
(f) Ajuste R23 para brindar la protección de acuerdo a la tensión medida
sobre R18. Observe la figura 3.7.b.
Con estos pasos de ajuste se logra una protección adecuada de los
transistores de salida y de excitación.
Armado y ajuste del amplificador.
El armado del amplificador de 25 Watt se efectúa sobre una plaqueta de
circuito impreso que se ilustra en la figura 3.8. La distribución de
componentes surge de la figura 3.9. El conexionado entre fuente,
amplificador y preamplificador será ilustrado en la figura 4.11. El
esquema de esta figura es aplicable en líneas generales para todo un
grupo de amplificadores y no sólo para el de 25 Watt.
Una vez armado, pueden efectuarse los ensayos típicos para este tipo
de equipo, indicándose en la figura 3.10. la respuesta de frecuencia del
amplificador de 25 Watt que es plana entre 20 Hz y 90.000 Hz con una
desviación menor a 1 dB con respecto a una frecuencia de 1000 Hz. La
distorsión armónica total puede observarse en la figura 3.11. En la
misma se efectúan comprobaciones en 40 Hz, 1000 Hz y 12500 Hz. Se
observan dos variantes de acuerdo al circuito de control usado. En la
figura 3.11.1 se observa la respuesta sin circuito de protección o con el
circuito de protección N° 2 y en la figura 3.11.2 se muestra la respuesta
con el circuito de protección N° 1. Los valores para el caso N°1 son de
distorsión armónica total de 0,1% y la distorsión por intermodulación
asciende a 0,6%. Para el caso N°2 los valores distorsión por
intermodulación se elevan a 1,2%. La intermodulación se mide con las
frecuencias de 250 Hz y 8000 Hz en una proporción de 4:1.
Las características de ancho de banda de
frecuenci****************************************************************
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*************************************************************************
*************************************************************************
61

*************************************************************************
*************************************************************************
*************************************************************************
********** que se desarrollaron importantes circuitos de aplicación que
permiten producir amplificadores de audio de alta fidelidad con
prestaciones similares a los amplificadores valvulares y a un costo
razonable.
Uno de los circuitos es un modelo desarrollado por los Laboratorios Pass
bajo la dirección técnica del Ing. Nelson Pass, al cual agradecemos
todas las informaciones suministrados respecto a su modelo A75 que
usaremos en la presente sección de esta obra.
Para entrar entonces en la descripción de este modelo, usaremos a
continuación primero algunos conceptos básicos sobre MOS-FET de
potencia y para ello vemos en la figura 3.13 unos circuitos básicos de
aplicación de transistores MOS-FET de canal “N” y de canal “P” y sus
respectivas curvas de respuesta.
En principio podemos considerar un transistor MOS-FET como
dispositivo de tres terminales, denominados surtidor (source) (s),
drenaje (drain) (d) y compuerta (gate) (g), respectivamente. En el
esquema básico de la figura 3.13.a vemos que la corriente de la fuente
de un MOS-FET circula entre surtidor (s) y drenador (d) y es controlada
por la compuerta (g). Al existir en un MOS-FET de canal “N” una tensión
negativa en el surtidor y positiva en el drenaje, su funcionamiento
ofrece muchas similitudes con el de una válvula. También en el MOS-
FET de canal “N” es necesario aplicar tensiones positivas en la
compuerta para aumentar la circulación de corriente entre surtidor y
drenaje. En un caso típico, la tensión de compuerta (gate) para producir
una circulación de corriente de drenaje, es de 4 volt. Una tensión
menor corta la corriente, una tensión mayor a 4 Volt, aumenta la
corriente. Este fenómeno se ilustra en las curvas de la figura 3.13.b. En
los transistores MOS-FET de canal “P” el proceso se realiza en forma
muy similar, pero con la polaridad inversa.
La capacidad de amplificar de un transistor MOS-FET es su
transconductancia que es expresada en mho (OHM invertido) o Siemens
y medida en A/V. La expresión siguiente clarifica este concepto.
S = ∆ISD/∆EG
Esto significa que se expresa la transconductancia S en Siemens como
la relación del cambio de corriente de surtidor y drenaje (ISD) causado
por un cambio de la polarización de compuerta (EG). La
transconductancia es 1 Siemens cuando un cambio de polarización de 1
Volt produce un cambio de corriente de 1 Ampere.
Bajo el punto de vista constructivo se puede considerar que entre
drenaje y surtidor exista un diodo con polarización inversa. Este diodo
es implícito en el transistor MOS-FET y puede significar una ventaja bajo
ciertas circunstancias. Otro aspecto constructivo determina una tensión
de ruptura entre la compuerta y los demás electrodos. Esta tensión de
62

ruptura es muy importante ya que delimita en forma irrevocable e


irreversible las tensiones que se pueden aplicar a los diferentes
electrodos. Esta tensión de ruptura no sólo responde a tensiones de
polarización de la fuente, sino también a las tensiones de carga
electrostática que puedan presentarse. Un transistor MOS-FET es
especialmente sensible a todas las cargas electrostáticas de cualquier
naturaleza los cuales pueden destruir un transistor MOS-FET en forma
instantánea. Es necesario tomar todas las precauciones de protección
para evitar que eventuales cargas electrostáticas lleguen al MOS-FET y
lo destruyan. Los momentos más críticos en este aspecto son el
transporte de los componentes y su contacto con el cuerpo humano
durante una revisación o reparación. Como es bien sabido, el cuerpo
humano es una fuente tremenda de electricidad estática, sobre todo
incrementada a veces por prendas de vestir de nylon o alfombras o
carpetas del piso sobre los cuales se encuentra esta persona.
Las configuraciones circuitales para la aplicación de transistores MOS-
FET son varias y coinciden en parte con las usadas en otros
componentes, sobre todo válvulas. En la figura 3.14 vemos algunos
ejemplos. Debemos observar que en todos estos circuitos de
configuración se consideran los casos de transistores MOS-FET de canal
“N” y de canal “P”, respectivamente y que además en todos se indica
también el diodo intrínseco del MOS-FET.
Una de las configuraciones de la figura 3.14 es la llamada de “drenaje
común”. En la misma la señal de entrada es aplicada a la compuerta
(gate) y la señal de salida se retira en el surtidor. Este circuito se
caracteriza por tener ganancia de corriente sin inversión de fase de la
señal de salida y sin ganancia de tensión. La señal de salida posee un
corrimiento con respecto a la señal de entrada de unos –4 Volt,
aproximadamente en el transistor MOS-FET de canal “N”. Circuitos
similares en válvulas se denominan “seguidor de cátodo” y en
transistores bipolares “seguidor de emisor”. En el MOS-FET seria
apropiado el término de “seguidor de surtidor” (source follower), si bien
este nombre no es muy común.
La segunda configuración ilustrada es denominada de “surtidor común”
y se caracteriza por tener la entrada de señal en la compuerta (gate) y
la salida en el drenaje (drain). En esta configuración se obtiene
ganancia de tensión y de corriente y la señal de salida es invertida en
fase con respecto a la señal de entrada. En el diagrama se observa
como carga un resistor, pero este circuito acepta no solo cargas
resistivas, sino también cargas complejas. Se trata de una
configuración muy popular que puede compararse con los clásicos
circuitos valvulares con entrada en grilla y salida en placa o con
circuitos transistorizados (bipolares) con entrada en base y salida en
colector.
El tercero de los circuitos de la figura 3.14 es el denominado de
“compuerta común” con entrada en el surtidor y salida en el drenaje,
63

sin inversión de fase. Este circuito tiene ganancia de tensión pero no


tiene ganancia de corriente. La configuración de “compuerta común” es
muy usada en el circuito “cascote”, donde un dispositivo de compuerta
común funciona en conjunto con otro de surtidor común y actúa como
blindaje del mismo.
La combinación de las diferentes características circuitales básicas
permite la creación de otras configuraciones más complejas, como por
ejemplo el amplificador diferencial básico que se observa en la figura
3.15. En esta configuración se conectan dos MOS-FET en sus surtidores
con un retorno común a la fuente de –50 Volt a través de un resistor
único de 5K. Existen dos entradas y dos salidas en las respectivas
compuertas y drenajes. Los drenajes poseen salidas de amplitudes
iguales, pero opuestas en fase. Esta señal de salida solo representa la
diferencia entre las señales de entrada, debido a que señales de
entrada iguales serán rechazadas debido a la realimentación
introducida por el resistor común en el surtidor. Se trata por lo tanto de
un amplificador “diferencial” que responde solo a las diferencias de dos
señales aplicadas a la entrada. Se puede conectar la señal de entrada a
una sola compuerta y observar la salida en la segunda.
Existen numerosas variantes y mejoras de este circuito básico que
veremos en el circuito final del amplificador. Al mismo tiempo es
factible encontrar en el par diferencial las tres configuraciones
circuitales mencionadas anteriormente. Q1 actúa aparentemente como
amplificador en “surtidor común” debido a que la señal de entrada
entra en la compuerta y sale por el drenaje. Lo mismo sucede con Q2.
Sin embargo, existe también el circuito de “drenaje común” en Q1, al
excitar a Q2 en configuración de “compuerta común”. Los
amplificadores operacionales suelen funcionar sobre la base de pares
diferenciales.
En la figura 3.16 vemos el circuito de un amplificador operacional con
MOS-FET. Uno de los parámetros de los pares diferenciales es la
tendencia de mantener los dos bornes de entrada al mismo potencial.
Cumpliendo esta condición, se logra excelentes resultados. Cuando se
desea lograr ganancia en la etapa, se debe usar circuitos de adaptación
similares a los que vemos en esta figura. La ganancia G es en este caso
la siguiente.
G = (R 2 + R3)/R2, siendo en el caso que nos ocupa 15.475/475
= 32,57
En la figura 3.17 vemos otra variante en la cual se usa el amplificador
diferencial para amplificar la diferencia de las dos tensiones de entrada
y además permite una realimentación negativa. En audio se conoce
esta variante como “entrada balanceada” con una ganancia G1 de G1 =
R3.R2. Los circuitos con entrada balanceada solo amplifican la diferencia
entre ambas señales, ignorando totalmente las señales comunes a
ambos. La capacidad de ignorar señales comunes se denomina
“relación de rechazo de modo común” (common mode rejection ratio =
64

CMRR) y se expresa por medio de un número. El valor de esta


prestación en audio consiste en un funcionamiento libre de captación de
ruido, especialmente del zumbido. En el proyecto que estamos tratando
se hace uso de entradas balanceadas y para lograr este fin por medio
de una buena CMRR, se busca dimensiones adecuadas de los valores de
los diferentes resistores, haciendo R2 = R4 y R3 = R5.
Para lograr mejores resultados aún, puede usarse una configuración
que se observa en la figura 3.18. En el circuito de esta figura
observamos dos pares diferenciales de entrada. Uno de ellos está
constituido por dispositivos de canal N y el otro por dispositivos de
canal P (Q4 y Q5). Las salidas de los dispositivos de canal N se conectan
a la fuente de alimentación positiva, donde excitan la mitad positiva del
circuito (Q3). En cambio, las salidas de los dispositivos de canal P se
conectan a la fuente de alimentación negativa para excitar la mitad
negativa del circuito (Q6).
En este ejemplo, el transistor Q6 reemplaza ahora el resistor de 2 kohm
que se usó en la figura 3.17 para polarizar Q3. Los transistores Q3 y Q6
funcionan en oposición de fase, conduciendo uno de ellos menos
corriente cuando el otro conduce más corriente a los efectos de crear
una tensión de salida variable en sus drenajes conectados, todo ello
bajo el control de los pares diferenciales de entrada. Como se puede
observar, hemos ajustado el valor de R1 y agregado el resistor R6, que
cumplen las funciones complementarias en el lado negativo. En paralelo
con ambos resistores se colocan potenciómetros preset para poder
ajustar su valor exacto. Esto permite reducir la corriente que circula por
Q3 y Q6 y es necesario por las variaciones que pueden existir en la
tensión compuerta-surtidor de transistores individuales. Si se permite
una tensión demasiado alta el transistor se recalentará y si esta tensión
es demasiado baja crearemos distorsiones. Estos pre-sets serán usados
también para ajustar la tensión de desbalance de contínua del
amplificador.
Los resistores R7 y R8 ubicados en los surtidores ayudarán a estabilizar
la ganancia de Q3 y Q6, lo que permite sensar la corriente para ajuste y
limitación. Deseamos que las tensiones de estos resistores sean del
orden de 1 Volt, lo que producirá una corriente de contínua a través de
Q3 y Q6 de unos 20 mA.
Veamos ahora como los pares diferenciales de la figura 3.18 reciben su
corriente operacional. Se puede entregar esta corriente a través de
resistores de 5 kilohm pero esta corriente no será muy constante y
puede fluctuar con la tensión de la fuente y la señal. Sin embargo el
funcionamiento de los pares diferenciales depende de fuentes de
corriente constante y puede mejorarse si no usamos un simple resistor.
En la figura 3.19 vemos el agregado de dos fuentes de corriente
mejoradas, una para el par diferencial de canal P formado por Q7 y su
complemento para el par diferencial de canal N formado por Q 8. Si
65

tomamos la fuente del canal N como ejemplo ilustrativo, notamos su


funcionamiento de la siguiente manera: el resistor R12 alimenta unos 4
mA de masa al diodo Zener Z2. La corriente puede entonces calcularse
como I = (VFUENTE – VZENER)/R12.
2
La disipación en el resistor R12 es PR12 = V /R12, donde V es la tensión
que se presenta en los extremos de R12. Si usamos un diodo Zener de
9,1 Volt tendremos V = 50 – 9,1 ≅ 40 Volt y por lo tanto PR12 = 1600/R12.
Para poder usar un resistor de _ Watt de disipación R12 debe ser del
orden de los 6400 Ohm. Podemos usar un valor de 10.000 Ohm que
brinda un margen adecuado con 4 mA de corriente para el diodo Zener.
Debemos tomar en cuenta que en los diodos Zener el ruido generado
por los mismos es una función inversa a la corriente que circula. Muchos
diodos Zener se comportan como generadores de ruido con
intensidades de corriente del orden de los 0,5 mA o menos. Con 4 mA la
corriente generada es practicamente despreciable. Eventuales vestigios
pueden ser filtrados por medio del capacitor C4 en paralelo con el
diodo.
Las consideraciones anteriores nos permiten ahora llegar a la fuente de
corriente constante que estabamos buscando. Para ello usamos el
transistor MOS-FET Q8 y el resistor R10. Entre compuerta y surtidor de Q8
existe una tensión de 4 Volt que es la tensión de encendido del MOS-
FET y por lo tanto la tensión del surtidor será de 9,1 – 4 = 5 Volt,
aproximadamente. Esta tensión dividida por el valor de R10, unos 10
mA, será el monto de la corriente que circulara a través de Q8. Esta
corriente depende solamente de la tensión a través del resistor y es lo
suficientemente constante para esta aplicación. Una consideración
similar es aplicable a la fuente de corriente del canal P.
El agregado de C1 y C2 en el circuito de entrada y en el circuito de
realimentación crea un corte limitado de las frecuencias altas que no es
suficiente para afectar la reproducción de la señal de audio en forma
significativa, pero si lo suficiente como para evitar la recepción de las
estaciones de radio locales. A su vez deben tomarse medidas para
conservar el rechazo de modo común mediante la estricta igualdad de
C1 y C2, de R3 y R5 y de R2 y R4. Estos valores deben ser controlados
estrictamente.
Si examinamos el rendimiento del circuito 3.18 veremos que existen
limitaciones en cuanto a distorsión y velocidad. Las tensiones
cambiantes que aparecen en los drenajes de Q3 y Q6, producen
variaciones en la transconductancia y además cargan las capacidades
de las Junturas de MOS-FET, todo lo cual resulta en una respuesta más
lenta.
Se puede mejorar este aspecto por medio de la conexión en cascode de
los MOS-FETS de compuerta común Q9 y Q10 que vemos en la figura
3.19. Este conjunto no agrega ganancia de corriente, pero producen un
66

blindaje de Q3 y Q6 con respecto a las fluctuaciones de la tensión de


salida. Con ello se logra reducir la distorsión y se mejora la velocidad de
Q3 y Q6 sin que contribuyan demasiado sus propias características. Los
MOS-FET´s Q9 y Q10 son polarizados por los mismos diodos Zener que se
usan para las fuentes de corriente. Esta polarización se fija en 5 Volt
sobre Q3 y Q6.
En la misma figura 3.19 podemos observar también que se agregaron
resistores en serie en la mayoría de los MOS-FET´s para evitar auto-
oscilaciones. Uno de los motivos de dichas oscilaciones puede ser una
baja impedancia en la compuerta, motivo por el cual siempre resulta
acertado agregar valores resistivos nominales en serie con las
compuertas de MOS-FET´s. De otra manera podrían parecer de
impedancia demasiado baja en las frecuencias altas. Este agregado no
es necesario para Q3 y Q6 los cuales ya tienen los resistores R1 y R6,
pero si será necesario en los demás transistores, motivo por el cual se
agregan los resistores R13 al R20.
Al haber ya introducido los circuitos cascode en la etapa de ganancia
de tensión de este modelo, podemos aprovechar esta circunstancia
para ampliar algunos conceptos al respecto. Uno de ellos es el “cascode
plegado”, que es un método para dar uso a las salidas diferenciales
hasta ahora no usados en las conexiones de drenaje de Q2 y Q5. La
figura 3.19 ilustra esta técnica en la cual la salida de Q2 es insertada en
la conexión que existe entre el drenaje de Q3 y el surtidor de Q9. La
salida posee la polaridad correcta para excitar Q9 por sí mismo sin la
excitación de la salida de Q3. Si colocamos un capacitor sobre R1 como
para remover la parte de alterna de la excitación de Q3, entonces Q3 se
comporta como fuente de corriente constante y no aporta más ni
ganancia, ni distorsión ni retardos al circuito. En este tipo de circuito la
excitación sola proviene de Q2, en lugar de la combinación de Q1 y Q3.
Aún cuando este enfoque resulta en una menor ganancia, se logra
mayor velocidad en muchas aplicaciones y es una solución muy popular
en circuitos de muy alta velocidad, especialmente en etapas de
excitación de video. En el presente amplificador esta consideración no
es de mayor importancia pero el circuito cascode puede usarse para
eliminar con ventaja una etapa amplificadora del conjunto, lo que
resulta en mayor estabilidad y en una reproducción de audio de mayor
fidelidad. El presente circuito está preparado para operar en forma
optativa como cascode plegado por medio del uso de los capacitores C 5
y C6 y los resistores R21 y R22. Los mínimos valores de R21 y R22 serán de
75 Ohms, aproximadamente, para que las compuertas de Q3 y Q6
tengan alguna impedancia resistiva para impedir oscilaciones.
Sin embargo, si se usa este circuito y aún así aparecen oscilaciones,
habrá que incrementar el valor de R21 y R22 a 100 ohms. Con estos
valores, Q3 y Q6 tendrán una ganancia unitaria y la contribución de
ambos transistores de cada par diferencial será la misma en las
67

corrientes que circulan por Q9 y Q10. Esta salida consistirá en una


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*** una excursión completa de 40 mA en la polarización de 20 mA a
través de Q9 y Q10.
Al aumentar R21 y R22 hasta valores muy altos, del orden de los 10K o
más, los valores de R1 y R6 serán los dominantes en el funcionamiento
de Q3 y Q6, con la ganancia ascendiendo a 20. Conviene ensayar
diferentes valores y evaluar su efecto sobre la reproducción sonora. No
será necesario reajustar en este caso los potenciómetros P2 y P1, debido
a que ellos fijan un valor constante de la polarización de contínua de Q3
y Q6.
En general podemos afirmar que los valores de R21 y R22 pueden variar
en forma coherente y estable entre 75 ohm y circuito abierto,
obteniéndose diferentes grados de realimentación y distorsión que
deben ser evaluados en cada caso particular por el constructor y/o
usuario del equipo.
El amplificador obtenido hasta ahora es perfectamente funcional con la
reserva que no excitará una carga de baja impedancia. Tal como está
puede usarse como preamplificador. Para usarlo como amplificador con
cargas de baja impedancia de un Ohm o similar, será necesario agregar
una etapa de salida. Para la misma puede usarse un banco de
transistores MOS-FET complementarios, con tipos de canal P y canal N,
conectados en la configuración de drenaje común. Para esta función
debemos considerar la necesidad de usar etapas previas de excitación
delante de los transistores de salida finales.
En diseños bipolares estas etapas son esenciales debido a la demanda
de corriente elevada de la etapa de salida, pero en transistores MOS-
FET este requisito no existe debido a la elevada impedancia de entrada
en frecuencias de audio de los mismos. Sin embargo se justifica su uso
por la velocidad adicional para la excitación de las capacidades
elevadas de las compuertas de los transistores que son del orden de los
80 a 100 pF cada una.

3.4.2. El circuito de las dos secciones del amplificador modelo A75.


Para evaluar entonces el circuito completo de este modelo,
observaremos las figuras 3.20 y 3.21 en las cuales se ilustra un canal
completo del amplificador estereofónico, con la sección de excitador en
la primera y la sección de etapa de salida en la segunda de las dos
figuras.
68

Comenzando con la etapa de salida con una rápida visión previa, vemos
que se usan dos bancos de 12 transistores MOS-FET en paralelo. Esta
configuración de drenaje común es muy característica para los
transistores MOS-FET que de esta manera solo aportan ganancia de
corriente y no de tensión. Los dispositivos MOS-FET están arreglados en
forma complementaria con los de canal P en el lado negativo del
circuito y los de canal N del lado positivo. En concordancia con lo
expuesto anteriormente, se encuentran en serie con compuerta y
surtidor sendos resistores que cumplen las funciones ya conocidas. El
resistor de compuerta impide las oscilaciones y el del surtidor asegura
una distribución equitativa de la participación de corriente en cada
dispositivo.
Un problema muy serio en el conexionado en paralelo de transistores,
tanto bipolares como MOS-FET, es el coeficiente de temperatura que
tiene un comportamiento muy particular en cada caso. En los
transistores bipolares existe un coeficiente de temperatura positivo que
produce que la tensión de juntura VBE bajará con la temperatura,
causando un incremento de la corriente base-emisor. Al aumentar la
corriente, baja la tensión aún más, produciéndose un circulo vicioso que
puede terminar en un escape térmico (thermal runaway), capaz de
destruir el transistor en pocos segundos. Este coeficiente de
temperatura es responsable de la segunda tensión de ruptura en los
dispositivos bipolares que limita seriamente la utilización de un
transistor en tensiones altas al producir puntos calientes en la superficie
del transistor que modifican la curva de la corriente del transistor. En un
caso típico vemos por ejemplo que el transistor MJ15024 está calificado
para una disipación de 250 Watt con una tensión de 25 Volt, pero decae
a 100 Watt con una tensión de 100 Volt. Este fenómeno, denominado
en inglés “current hogging”, es la causa por la cual es necesario que en
el funcionamiento en paralelo de transistores bipolares se debe usar
resistores de emisor para obtener una participación pareja de la
corriente de todas las unidades.
En transistores MOS-FET la situación es algo diferente debido a que el
coeficiente de temperatura de los mismos es positivo hasta una
corriente relativamente elevada, pero despues se transforma en
negativo. En el caso del amplificador que estamos describiendo, el
coeficiente es positivo hasta unos 3 Amperes, de manera que bajo
condiciones normales de funcionamiento, la polarización aumentará
ligeramente al aumentar la temperatura.
Sin embargo otro factor muy importante es la tensión entre compuerta
y surtidor, VGS, del MOS-FET que debe ser balanceada cuidadosamente
en para poder usar los diferentes transistores en paralelo. De otra
manera, algunas unidades llevarán toda la carga y otras ninguna o
poca. Diferencias en VGS entre diferentes ejemplares pueden llegar a 0,5
Volt.
69

Todos estos problemas son reducidos si se usa transistores MOS-FET


balanceados (matched). Además al usar resistores en el surtidor del
orden de 1 Ohm se soluciona este problema. El conjunto de los 24
transistores agrega solo 0,04 Ohms a la impedancia de salida de lazo
abierto. Se obtiene así una estabilidad de polarización de la etapa de
salida.
Otro aspecto que se soluciona con resistores de esta magnitud (1 Ohm)
al actuar como protección del conjunto en caso de fallar una unidad.
Esto permite proteger a todas las demás unidades y limitar la falla a la
unidad defectuosa.
Por otra parte, si se desea reducir el valor ohmico de este resistor, es
factible bajar su valor a 0,33 Ohms con resultados satisfactorios,
siempre que todas las unidades estén bien balanceadas.
Como el amplificador debe funcionar en clase A, es necesario polarizar
las etapas en consecuencia. Se utiliza para ello las fuentes de tensión
provistas por Q11. Se emplea en esta etapa una polarización entre
compuerta y surtidor, la tensión VGS. Este concepto es similar al que se
usa muchas veces en amplificadores con transistores bipolares con la
tensión entre base y emisor VBE en un circuito multiplicador.
En el caso de los MOS-FET debemos recordar que la tensión VGS es del
orden de los 3,5 a 5 Volt. Por este motivo se ajusta el conjunto resistor
R80 y potenciómetro P3 hasta que en P3 aparezca una tensión VGS = 4
Volt. En estas condiciones se obtendrá una corriente a través de ambos
componentes que producirá una tensión constante. La tensión de
polarización para Q11 es la suma de ambas tensiones de acuerdo a la
siguiente expresión:

Produciendo una tensión VGS = 4 Volt. Para polarizar entonces la etapa


de salida hacia la conducción se necesitan unos 9 Volt sobre Q11, que se
componen de 4,5 Volt para el banco de transistores de salida de canal P
y 4,5 Volt para el banco de canal N.
Se conecta el potenciómetro P3 sobre los terminales de compuerta y
surtidor del MOS-FET de polarización para protegerlo de interrupciones
accidentales. En este caso al fallar desaparece la polarización y se
evitará una conducción excesiva. La conexión de C7 sobre Q11 asegura
baja impedancia y características pasivas en altas frecuencias.
En el circuito de las figuras 3.20 y 3.21 abarcamos todo el amplificador
A75 y en estos circuitos debemos observar algunas otras características
muy importante. Una de ellas es la conexión de los diodos Zener Z 3 y Z4
entre excitación y salida. Estos diodos Zener proveen una protección de
las compuertas de salida con respecto a eventuales casos de
sobreexcitación.
En el punto nodal de salida vemos también un circuito RC consistente
de R31 y C8. Este circuito ayuda a estabilizar el amplificador para el caso
de aplicarlo a cargas complejas que puedan producir oscilaciones
70

resonantes de alta frecuencia causadas por la excitación de cargas


reales con sus respectivos cables de conexión. Este tipo de circuito es
usado en muchos amplificadores de estado sólido de toda índole.
Se usa también un agregado de realimentación que incluye los drenajes
de Q9 y Q10 y su conexión a R3 a través de los resistores R23 y R24. Esto
permite lograr dos puntos de salida que poseen la misma tensión
alterna, pero están polarizados con una diferencia de 9 Volt. Los
resistores R23 y R24 dividen estos 9 Volt en la mitad y logran así un
punto de tensión media que es casi idéntico con la tensión de salida
real.
La presencia del resistor R81 se debe a la selección del grado de
realimentación negativa que deseamos incluir en el amplificador. Al
mismo tiempo podemos analizar a fondo algunos aspectos relacionados
con el efecto de la presencia en mayor o menor grado de esta
realimentación sobre el circuito.
Los extremos son las siguientes: R81 igual a cero significa que toda la
realimentación proviene de la etapa de salida, en un 100%. R81 igual a
infinito (circuito abierto) significa que no habrá realimentación desde la
etapa de salida, pero en cambio el único paso de realimentación vendrá
de la etapa de salida del circuito de entrada, a través de los resistores
R23 y R24. En este caso la etapa de salida del amplificador y su salida no
estarán incluidas en el lazo de realimentación. En la figura 3.22 vemos
la curva de respuesta del amplificador sin realimentación desde la
etapa de salida, con R81 abierto, con valor infinito o mejor expresado,
sin resistor R81. Se observa que esta curva muestra una respuesta muy
lineal y con un valor máximo de 0,3% en el valor de potencia
especificado. Muchos expertos opinan que este resultado hace que el
rendimiento del amplificador con MOS-FET sea muy parecido al de
amplificadores a válvulas. Consideramos que este tipo de comparación
es sumamente elogios tanto para el amplificador a MOS-FET, como para
el amplificador a válvulas. No debemos olvidar que estamos en
presencia de equipos High End en ambos casos.
Entre los dos extremos de valores de R81, cero e infinito, existen sin
embargo múltiples variantes que serán tratadas a continuación. Una de
las posibilidades es elegir los valores de los resistores de tal manera
que R23 y R24 sean iguales a R81. En este caso particular, un 50% de la
realimentación proviene del circuito de cada uno de ellos. Otras
variantes permiten modificar el valor de R81, de tal manera que con un
valor más bajo habrá más realimentación desde la etapa de salida y con
un valor más alto habrá menos. La cifra de distorsión sufre un cambio
proporcional con el valor de R81, debido a que la realimentación desde
la etapa de salida es máxima con el valor cero de R81.
La modificación de este valor tiene sin embargo también una
importante influencia sobre la cifra de rechazo de modo común (CMRR)
71

de la etapa de entrada balanceada del amplificador, como fue ya


mencionado más arriba.
Se observará que al aumentar el valor de R81 desde cero, se presentará
una reducción en el valor de CMRR. Este aspecto es sin embargo solo de
importancia si se usa una entrada balanceada. Si se decide usar solo la
entrada positiva y cortocircuitar la entrada negativa, esta disminución
del factor CMRR no influirá. Lo mismo sucede si no se necesita un CMRR
muy alto para obtener el valor de rechazo de ruido que se necesita en
la práctica en el amplificador. Sin embargo, si se desea lograr el
máximo valor posible del CMRR, será necesario calibrar los resistores de
realimentación reduciendo los valores de R3 y R27 por un valor similar a
R81, colocando eventualmente un tercer resistor en este circuito. Una
forma sencilla de conseguir esta calibración seria usar un potenciómetro
de 1 Megohm y ajustarlo hasta lograr el mejor valor de CMRR. Un valor
nominal de 40 dB es aceptable y el valor encontrado sin problema en
este modelo es mejor que 60 dB.
Con respecto a los capacitores C9 y C10, debemos señalar que son solo
optativos. Su valor no está indicado en forma expresa en el circuito de
la figura 3.20, debido a que el mismo puede variar entre 5 y 39 pF. La
presencia de estos capacitores solos es necesaria en el caso que haya
un problema de distribución de componentes o algún motivo similar de
lugar a oscilaciones de alta frecuencia que con la colocación de estos
capacitores quedará eliminada. Si no hubiera oscilaciones sin los
capacitores, no será necesario colocar los mismos. Además debe
considerarse en este caso también la posibilidad de incrementar el valor
de los resistores de compuerta de los MOS-FET´s.
Para el caso en que la entrada negativa del circuito de entrada
balanceada quede abierta, pueden presentarse inestabilidades que
deben eliminarse por medio de los resistores R28 y R29.
Se observa que en el diseño del equipo A75 se tomaron en cuenta
muchas variantes causadas por componentes y/o armado y la forma
como compensar las mismas. Al mismo tiempo creemos que este tipo
de análisis es sumamente favorable para una comprensión en
profundidad de estos fenómenos.
En el circuito de entrada de la figura 3.20 vemos la presencia de una
llave que permite la conmutación entre un circuito de entrada
balanceado de baja impedancia a otro de entrada no-balanceada de
alta impedancia. En el modo “no-balanceado”, la llave cortocircuita la
entrada negativa y desconecta los resistores R28 y R5, dejando R30 a
masa para una impedancia de entrada de 75 kilohm. Cuando la llave se
encuentra en el modo “balanceado”, se conectan los resistores R28 y R5
a masa. Para compensar entonces el agregado de R30 en la entrada
positiva y para mantener un factor CMRR correcto, resulta necesario
agregar R27 en paralelo con R3 en el lazo de realimentación.
72

El amplificador A75 posee una entrada balanceada sin necesidad de


usar ningún circuito activo externo, lo que significa una ventaja. El
precio que debemos pagar por esta prestación es sin embargo una
impedancia baja para un rendimiento alto. El motivo es que los
transistores MOS-FET poseen capacidades finitas que pueden
interaccionar con circuitos complejos de alta impedancia. Para prevenir
entonces eventuales distorsiones en frecuencias altas es necesario
mantener los valores resistivos tan bajo como sea posible.
En la figura 3.23 vemos un circuito equivalente del funcionamiento en
modo balanceado. En un amplificador diferencial existen cuatro
maneras para analizar un circuito de esta naturaleza: la impedancia de
entrada de modo común, la impedancia de entrada positiva, la
impedancia de entrada negativa y la impedancia de la entrada
diferencial. La impedancia de entrada de modo común con respecto a
señal y ruido, es R4 (de 475 Ohm) en serie con la combinación en
paralelo de R5, R28 y R30 (de 1,34 Kilohm) Esta impedancia de entrada
de 475 + 1340 = 1815 Ohm aparece en forma individual en ambas
entradas del modo común con respecto a señal y ruido.
En la entrada positiva es también este el valor de impedancia para la
señal, debido a que el circuito de la entrada positiva no está conectado
con la salida del amplificador y esta impedancia es pasiva. En la entrada
negativa, sin embargo, intervienen tanto la impedancia pasiva como las
señales en la salida en la formación de la impedancia de entrada.
Asumiendo que las entradas de la señal diferencial sean iguales en
amplitud pero opuesta en fase en las dos entradas, podemos apreciar
que el funcionamiento del lazo de realimentación tratará de formar
tensiones iguales en las compuertas de los transistores MOS-FET del par
diferencial. En el ejemplo de 1 Volt de tensión en la entrada positiva, la
tensión de la compuerta será 0,738 Volt. Este mismo valor de 0,738 Volt
aparecerá entonces también en la entrada negativa del resistor R2 de
475 Ohm. Si se excita entonces simultáneamente con –1 Volt, la
corriente a través de R2 se comporta como si R2 fuera 475/1,738 = 273
Ohm. Bajo estas circunstancias, la impedancia de entrada de la parte
negativa del par balanceado es menor que el resistor de entrada y debe
ser tomada en cuenta. A su vez la impedancia diferencial en la entrada
balanceada es la suma de las impedancias de entrada, o sea 1815 +
273 = 2088 Ohm.
Todos estos diferentes valores permiten varios circuitos de excitación
con excelentes resultados. A continuación mencionaremos algunos. Una
de las variantes surge de la misma figura 3.23. En este caso la entrada
positiva es excitada por un preamplificador adecuado que permita la
excitación de un amplificador final cuya impedancia de entrada sea del
valor de 1815 Ohm. La entrada negativa puede terminarse con un
circuito pasivo del surtidor a masa con la impedancia de salida que
requiera la fuente activa. En este caso se logra la plena capacidad de
73

rechazo de ruido característica de la entrada balanceada y se evita la


necesidad de excitar una impedancia muy baja en la entrada negativa.
Otra variante sería usar la entrada negativa, ya que su impedancia
balanceada de 273 Ohms no es mucho más baja que el valor
reglamentario de 300 Ohm, mitad del valor de 600 Ohms, usado como
norma en circuitos balanceados.
Finalmente, si el preamplificador elegido no puede excitar estas
impedancias bajas, siempre es posible usar la llave de “balanceado –
no-balanceado” y operar en forma no-balanceada y se obtendrá una
impedancia alta del orden de los 75 kilohm. Otras variantes son posibles
pero creemos haber demostrado ampliamente la versatilidad de este
tipo de circuito. En todos los casos el parámetro más importante de
conservar es que los valores en el sector positivo y negativo sean
idénticos, sin darle demasiado importancia al monto individual de estos
valores.

3.4.3. La fuente de alimentación.


Con respecto a la fuente de alimentación del modelo A75 cabe destacar
que se usan dos fuentes separadas. Una para el circuito de la figura
3.20 (etapas previas) y otra para el circuito de la figura 3.21 (etapas
finales). Se da preferencia a este método para impedir que el ruido de
la etapa de salida influya sobre las etapas previas, usando una fuente
regulada separada.
E************************************************************************
*************************************************************************
*************************************************************************
*************************************************************************
*************************************************************************
*************************************************************************
*************************************************************************
**l preamplificador de 5 Volt más que la que tiene la fuente de la etapa
de salida.
El circuito de la fuente de alimentación completa se observa en la figura
3.24. En este circuito se incluyen las dos secciones de la fuente: una
fuente de alta potencia sin regulación para las etapas finales del
amplificador y otra fuente de menor potencia, pero tensión regulada
más alta. Algunas etapas de estas dos fuentes son comunes, pero su
funcionamiento se realiza en forma separada.
Observamos en el circuito primario del transformador de poder un
fusible F1 y un termistor TH1 que tiene la función de reducir eventuales
picos de corriente en el momento del encendido. En frío o temperatura
ambiente, la resistencia interna del termistor es alta y por lo tanto la
corriente de encendido del equipo queda limitada por este valor. Al
calentarse paulatinamente por el consumo del equipo, la resistencia
interna de TH1 baja y para todos los fines prácticos no influye en el
funcionamiento normal del mismo. El circuito retorna al otro polo del
74

tomacorriente por medio de un filtro de picos de corriente TZ1 que solo


conduce en presencia de picos elevados de corriente durante el
funcionamiento del equipo, protegiendo de esta manera el triac TR1
que es un componente robusto que tolera 40 Ampere a 600 Volt. El triac
es en realidad la llave de encendido principal y su circuito se completa
con varios componentes adicionales. La llave S1 permite aplicar un
impulso al triac para ponerlo en estado de conducción. En serie con S1
se encuentra el resistor de limitación de corriente R 2. En paralelo con el
triac TR1 se coloca un filtro RC compuesto por R1 y C2 que amortigua los
transitorios sobre el triac. El capacitor C3 completa la acción de
supresión y filtrado de transitorios. El retorno del chasis a masa y a
tierra a través del tercer contacto de la enchufe de la red eléctrica se
efectúa por medio del resistor R17 y los diodos D7 y D8. Estos
componentes están previstos como medida de seguridad para el caso
que se presente una falla de aislación en el transformador de poder. Los
diodos reducen toda tensión mayor a 0,7 Volt en un eventual lazo de
retorno a masa, protegiendo así material y personas.
El transformador T1 es del tipo toroidal con un primario que puede
conectarse para 115 o 230 Volt de tensión de línea, indistintamente.
En el circuito del secundario del transformador T1 se encuentra la
fuente no regulada de más 37 Volt y menos 37 Volt y otra fuente de
tensión regulada de más 50 Volt y menos 50 Volt. La tensión no
regulada es rectificada por medio de dos puentes B1 y B2 que estan
conectados en paralelo para compartir la carga elevada del consumo de
la etapa de salida. Los cuatro capacitores C10 al C13 se ocupan del
filtrado correspondiente.
La fuente de tensión regulada está destinada a la alimentación de las
etapas de entrada del amplificador y entrega una tensión regulada de
más 50 Volt y otra de menos 50 Volt. Se usan los diodos D1 al D4 y los
capacitores C4 a C7 en un circuito de doblador de tensión. La tensión de
salida de este doblador es en principio de 2 x 37 = 74 Volt, pero un
adecuada dimensionamiento de sus constantes permite llegar a un
valor más bajo con una disipación térmica favorable. Los resistores R 3 y
R4 se encargan de esta función al reducir la velocidad del ciclo de carga
con la consiguiente reducción de tensión y energía térmica producida.
El funcionamiento de los dobladores de tensión es convencional y se
basa en la carga de dos capacitores en serie durante dos semiciclos
consecutivos de la corriente alterna del transformador. En un semiciclo
negativo se carga C4 a través del diodo D1 hasta la tensión de unos 36
Volt. En el semiciclo positivo se produce la carga del capacitor por este
semiciclo de 37 Volt adicionalmente a los 36 Volt del semiciclo anterior
a la cual fue cargado. La tensión de salida es entonces la suma de
ambos y esta tensión de 37 + 36 = 73 Volt carga a C6 por medio del
diodo D2. Las tensiones de todo el conjunto son en definitiva +72 Volt y
–72 Volt, rectificados pero aún sin regulación y cargado además con una
tensión de zumbido (ripple) muy importante.
75

Para resolver entonces todo el planteo de filtrado y regulación se


recurre a dos circuitos reguladores que cumplen ambas funciones. Se
hace uso en estos circuitosde regulación de pares diferenciales en
configuración de amplificadores operacionales ayudados además como
referencia de tensión por los diodos Zener D1 y D2 de 9,1 Volt,
respectivamente. Para ello se procede de la siguiente manera. El
resistor R14 produce una corriente en Z2 para crear una tensión de 9,1
Volt. Esta tensión polariza el par diferencial Q7 y Q6 por medio de R11.
Con la tensión de entrada de 9,1 Volt en R11 habrá una corriente de 4
mA y una tensión de 8,4 Volt. Los 0,7 Volt restantes estarán entre
emisor y base de Q7.
La salida del colector de Q7 excita la base de Q3, formando así un
amplificador operacional. La salida de Q3 es realimentado a la base de
Q6, que es la entrada negativa del amplificador operacional, por medio
de R10 y R13. Con estos valores se obtiene una ganancia de tensión de
5,55, de tal manera que la tensión de salida será el producto de 5,55 x
9,1 = 50,5 Volt. El capacitor C8 provee algo de filtrado y asegura la
estabilidad del lazo cuando se usa el amplificador operacional como
regulador de tensión de la fuente de alimentación. Como R11 tiene una
tensión de entrada estabilizada se elimina la necesidad de proveer una
fuente de corriente constante en esta etapa.
Las etapas de salida del amplificador poseen disipadores térmicos que
deben ser enfriados por medio de un pequeño ventilador o soplador. Se
usa un modelo con motor de continua de 24 Volt, pero para reducir el
ruido producido por este tipo de artefacto se le alimenta sólo con 15
Volt. Con esta tensión el ruido será substancialmente menor, pero el
caudal de aire de enfriamiento será suficiente.
El suministro de la tensión contínua de 15 Volt para el ventilador
proviene de la fuente de 50 Volt a través del divisor de tensión formado
por R19 y R18. Esta tensión reducida es aplicada al transistor seguidor
emisor Q1 cuyo colector está conectado a la fuente de tensión no-
regulada para no cargar demasiado la fuente regulada, y cuyo emisor
excita al terminal positivo del ventilador. El terminal negativo retorna a
masa. Puede resultar necesario en algunos casos de regular los valores
de R19 y R18 para lograr la velocidad del ventilador realmente necesaria.
Cuando se reduce la tensión demasiado pueden producirse
inconvenientes en el arranque de dicho ventilador, motivo por el cual
debe controlarse esta circunstancia cuidadosamente. Una alternativa
sería no usar ningún ventilador y en cambio aumentar la superficie de
los disipadores térmicos en forma proporcional.

3.4.4. Aspectos de armado y ajuste.


La selección de componentes, sobre todo de los transistores MOS-FET,
es muy delicada y esencial para lograr los resultados excelentes que el
76

modelo A75 puede brindar. Para facilitar esta tarea presentamos en la


Tabla 3.4 algunos tipos de MOS-FET adecuados para cada función.

TABLA 3.4. Lista de transistores MOS-FET con sus equivalencias.


TIPO Can Disipació Corrient RDS Reemplazos
al n e
IRFD110 N 1 WATT 0,5 AMP <1 OHM IRFD113, IRFD123,
IRFD120, IRFD223,
IRFD210, IRFD220,
IRFD9110 P 1 WATT 0,5 AMP <1 OHM IRFD9113, IRFD9123,
IRFD9120, IRFD9220,
IRF510 N 20 WATT 4 AMP. <1 OHM IRF512, IRF612, IRF610,
IRF710, IRF712,
ECG2382,
IRF9510 P 20 WATT 4 AMP. <1 OHM IRF9512, IRF9612,
IRF9610, ECG2372,
IRF230 N 75 WATT 9 AMP. <1 OHM IRF130, 2N6756, IRF231,
IRF232, IRF233, IRF230,
N6758, IRF330,
IRF9231 P 75 WATT 9 AMP. <1 OHM IRF9230, IRF9232,
IRF9233, IRF9130,
IRF9132,

RDS es la resistencia entre drenaje y surtidor.

En el presente proyecto se utilizan muchos transistores MOS-FET en


paralelo en distintas posiciones del circuito. Para lograr un resultado
coherente en este caso es necesario verificar los parámetros más
significativos de cada unidad y ordenar las mismas de acuerdo a esta
clasificación. El uso de un probador adecuado resulta indispensable y
por otra parte disponer de un instrumento de esta índole puede ser
interesante para todo laboratorio cuyo técnico desea trabajar con este
tipo de componente. A continuación describiremos un instrumento
sencillo pero confiable para las pruebas más importantes de MOS-FET.
En la figura 3.25 vemos el circuito de este probador de MOS-FET, en sus
dos versiones para transistores de canal N y de canal P. La fuente de
alimentación de este sencillo probador es de 15 Volt, con el positivo a
un terminal de la fuente y el negativo al otro terminal y a masa. Se usa
un resistor limitador de corriente cuyo valor debe ser conocido, ya que
por intermedio del mismo se puede hallar la corriente de cada unidad.
La misma surge de la siguiente expresión:

Donde I es la corriente del transistor que debemos emparejar. Un valor


nominal correcto sería por ejemplo 5 mA, para lo cual necesitamos un
resistor de 2,2 kilohm a partir de la fuente de 15 Volt. Se calcula que la
caída de tensión en el MOS-FET es de 4 Volt y por lo tanto la corriente
77

surge de la expresión simplificada de I = 11/R 1. La diferencia entre la


prueba con transistores de canal N y de canal P consiste en la polaridad
como los transistores son introducidos al circuito. En el caso del canal N
es el surtidor el que debe ir a masa y en el caso del canal P es el
drenaje que debe ir a masa. En ambas pruebas se conecta la compuerta
al drenaje durante la medición.
El circuito de comprobación es sencillo, pero se puede usar para
diferentes comprobaciones y mediciones de todo tipo de MOS-FET,
adaptando los valores de V y R1 para cada tipo de transistor.
Generalmente, el balance entre transistores usados en las etapas de
entrada es más crítico que el de las etapas de salida debido a que solo
se dispone de 10 mA desde la fuente de corriente de polarización. Esta
corriente debe ser repartida en forma igual entre todos los MOS-FET del
sector para lograr un funcionamiento correcto. Se debe entonces
equilibrar la tensión de VGS de todas las unidades conectadas. Con una
corriente de 5 mA, el valor de la resistencia equivalente del surtidor
será de 15 Ohm. Asumiendo un equilibrio de la corriente dentro de los 2
mA, debemos calcular la tensión VGS a equilibrar con la expresión V= IR
= 0,002 x 15 = 30 mV. Por lo tanto con una corriente de 5 mA del
circuito de prueba, debemos conseguir un balance de 30 mV en los
transistores de cada par. No es necesario efectuar el balance en
transistores fuera del par, sea de canal P o de canal N.
Si no fuera posible encontrar unidades con los valores adecuados, será
necesario insertar resistores en serie con el surtidor para compensar la
diferencia. El valor de esta resistencia se calcula tomando la diferencia
de los valores de VGS dividido por 5 mA. Si la diferencia de VGS es 100
mV, entonces R = 0,1/0,005 = 20 Ohm. En este caso se coloca entonces
un resistor de 20 Ohm en serie con el surtidor del MOS-FET que tiene la
tensión VGS más baja.
Con los transistores de potencia media se procede en principio de la
misma manera, pero usando una corriente más alta, de 20 mA,
aproximadamente. Esto requiere modificar el valor del resistor serie a
560 Ohm, debido a que R = (15 – 5)/20 = 500 Ohm. En estos
transistores MOS-FET solo es necesario controlar su tensión VGS, cuyo
valor debe ser de 4 a 4,6 Volt. Al mismo tiempo se puede eliminar
unidades que no funcionen.
Los transistores MOS-FET de potencia de salida se miden con una
corriente 170 mA. Este valor requiere un resistor de 56 Ohm, 2 Watt o
eventualmente 2 resistores de 100 Ohm, 1 Watt, en paralelo. En este
caso conviene tener un surtido amplio de unidades debido a que el
amplificador usa 12 MOS-FET de canal N y 12 de canal P. Es
recomendable disponer de una cantidad mayor para poder seleccionar
los más adecuados. La dispersión de los valores obtenidos, el “spread”,
es bastante amplia como vemos en la Tabla 3.5.

TABLA 3.5. Spread de valores de VGS medidos en MOS-FET.


78

Canal N Canal P
VGS valor mínimo (para ISD = 170 4,00 Volt 3,79 Volt
mA)
VGS valor máximo (para ISD = 4; 57 Volt 4,15 Volt
170 mA)
VGS valor promedio (para ISD = 4,42 Volt 4,01 Volt
170 mA)

Otra comprobación que se puede realizar con el esquema de prueba de


la figura 3.25 es la determinación de la transconductancia del MOS-FET.
Para ello es necesario efectuar una segunda lectura con una corriente
más alta, por ejemplo 0,5 Ampere y usar los valores de ambas
mediciones para calcular la transconductancia de acuerdo a la fórmula
vista más arriba. (S = ∆ISD/∆EGS).
La comprobación de la transconductancia permite seleccionar los 12
transistores MOS-FET que deben conectarse en paralelo para llegar al
valor de potencia especificado. Recuerde que este amplificador está
diseñado para funcionar en esta potencia con MOS-FET´s de potencia
media en cápsulas del tipo TO-220. Se pueden usar unidades de mayor
disipación, pero la relación costo – potencia sube muy rapidamente y la
solución propuesta de usar varias unidades en paralelo es un enfoque
muy aceptable tanto bajo el punto de vista económico como técnico.
La comprobación de la transconductancia demuestra que los valores
encontrados en la realidad pueden variar entre 1,19 y 1,56 A/V. El valor
medio es de 1,35 A/V y por lo tanto la transconductancia de cada MOS-
FET en forma individual es de unos 1,3 Amperes por cada Volt de
cambio en la tensión de VGS. El valor conjunto, acumulado para 12
transistores, es de 15 A/V.
Si colocamos en serie con el surtidor de cada transistor un resistor de 1
Ohm, podemos lograr que todas las unidades participen en forma pareja
en la corriente total a través de una gama bastante amplia de valores
individuales de VGS. Con la polarización de clase A habrá unos 200 mA
por cada surtidor, lo que coloca una tensión de 0,2 Volt sobre cada
resistor. Una variación en el valor de VGS producirá un desequilibrio en
la polarización que será distribuido en forma despareja entre cada
unidad. Por ejemplo, si conectamos una unidad de 4,6 Volt en paralelo
con otra de 4,5 Volt, veremos que la primera tendrá una corriente de
160 mA con 6 Watt de disipación, mientras que la segunda tendrá unos
240 mA con 9 Watt.
A pesar de que cada una de estas unidades está especificada con una
disipación de 75 Watt con un disipador térmico frío o de 50 Watt con un
disipador térmico caliente, funcionarán en el circuito con una disipación
de solo 8 Watt, lo que brinda una reserva adecuada, aún en el caso de
una distribución ligeramente despareja de la tensión de VGS. Sin
embargo conviene seleccionar las unidades con valores de VGS tan
79

parejos como sea posible, con 0,2 Volt como mínimo y 0,1 Volt como
meta preferida. Para poder lograr esta selección tenemos que contar
con un surtido adecuado del cual elegir. Para seleccionar 12 juegos
completos a 0,1 Volt de tolerancia necesitaremos posiblemente unas
150 unidades para seleccionar.
Un dispositivo de potencia genera calor y una parte de esta energía
térmica debe ser disipada por medio de sendos disipadores térmicos.
Veamos en primer término las potencias térmicas que entran en juego
en este proyecto.
Un amplificador de audio de clase A de 75 Watt tiene un consumo real
de unos 170 Watt, lo que surge de la siguiente situación: La tensión de
cresta de una onda sinusoidal pura como la que se obtiene en la salida
de un amplificador de clase A es 1,414 veces el valor de la tensión
media y la potencia de cresta es el doble de la potencia media. Un
amplificador de 75 Watt en 8 Ohms tendrá una potencia pico de 150
Watt, lo que significa una tensión de pico de 34,6 Volt debido a que.
Estimando una pérdida de 2 Volt, se necesitan en la fuente unos 37
Volt. Un transformador con secundario dividido de 28 Volt tendrá una
tensión de cresta de 28 x 1,414 = 40 Volt. Despues del filtrado y a
plena carga, se obtendrá en estas condiciones la tensión necesaria de
37 Volt.
La corriente de pico de los 34,6 Volts aplicada a una carga de 8 Ohm es
34,6/8 = 4,3 Ampere. La corriente de pico en el amplificador de clase A
es igual al doble de la corriente media, lo que nos da el valor de 2,2
Ampere. Con impedancias más bajas, la corriente será más alta.
Ahora una corriente de 2,2 ampere con una tensión de 37 Volt significa
2,2 x 37 = 81 Watt en el banco de transistores del lado positivo. Otros
81 Watt se necesitan en el lado negativo, con un total de 162 Watt de
disipación en reposo. Esto es ligeramente mayor al doble de la potencia
especificada de 75 Watt sobre 8 Ohms. Para 150 Watt en una carga de
4 Ohm, los valores cambian y se necesitará una capacidad mayor, cerca
de 324 Watt debido a la corriente mayor en este caso. En el
amplificador A75 se recomienda el uso de un transformador de 550
Watt, y la provisión de un soplador en el gabinete.
Como norma debemos asumir que un equipo o componente electrónico
no debe superar una temperatura de 45 a 50°C (grados centígrados).
Cualquier elemento con mayor temperatura sería intocable. Si
asumimos entonces una temperatura ambiente de 25°C y una
temperatura de 50°C como máxima permitida, debemos enfriar la
diferencia. Se requiere para ello un disipador térmico con una
resistencia térmica Rth que surge de la siguiente expresión:
Donde δ1 es la temperatura del equipo y δ2 es la temperatura
ambiente (25°C). Ptot es la potencia total a disipar expresada en Watt.
La resistencia térmica Rth es entonces una magnitud cuya dimensión es
de “grados por Watt”.
80

Con una temperatura máxima admitida del equipo de 50 °C y la


temperatura ambiente, se usan 50 – 25 = 25°C como base del cálculo.
La potencia es de 330 Watt y el valor de Rth surge entonces como Rth =
25/330 = 0,075 °C/W. Se usa un valor de 0,08 como aproximación
permitida.
Un disipador térmico puede ser calculado dimensionalmente si estamos
en condiciones de construirlo, pero si deseamos comprar uno existente
debido a su costo mucho más accesible conviene consultar el catálogo
de una empresa del ramo y elegir un modelo de disipador que se ajuste
a estas especificaciones. En la figura 3.26 vemos el aspecto y las
dimensiones de un modelo de disipador térmico sugerido para este
amplificador. Las dimensiones del disipador de la figura están
expresadas en pulgadas y su equivalente en milímetros surge de la
Tabla 3.6.

TABLA 3.6. Equivalentes en mm de las dimensiones de la figura 3.26.


Pulgadas Milímetros
4,20 103
7,82 200
1,75 45
0,25 6,35
Se usan cuatro pares de este tipo de disipador que debe ser de aluminio
de color negro mate para obtener el mejor resultado y rendimiento
térmico. El ventilador mencionado en el circuito de la fuente de
alimentación hará circular el aire de enfriamiento sobre las aletas del
disipador. La longitud total de las aletas es de unos 130 mm. La
2
superficie lograda así es de unos 1740 cm . Esta capacidad de
enfriamiento es suficiente para tener una amplia reserva con la
consiguiente prolongación de la vida útil de los transistores MOS-FET,
los cuales solo estan exigidos a un 15% de su capacidad máxima.
En el armado de este equipo y de cualquier otro donde se presentan
componentes encapsulados que deben estar aislados de masa, es
necesario tomar todas las precauciones para cumplir con esta premisa.
Sobre todo los transistores con cápsula metálica entran en esta
categoría. Si se usa disipadores térmicos, tanto los grandes para la
etapa de salida como los pequeños individuales que deben colocarse en
algunos transistores, debe tomarse en cuenta que exista un contacto
térmico correcto mediante la aplicación de un compuesto
termoconductivo entre el transistor y la superficie de enfriamiento.
Como se sabe, existen en el comercio productos adecuados para este
fin.
Una vez terminado el armado y la comprobación individual de cada
etapa, podemos comparar los resultados con las curvas suministrados
por el diseñador. En la figura 3.22 habíamos indicado ya la respuesta
del amplificador sin realimentación negativa. En la figura 3.27 vemos la
81

respuesta de distorsión versus frecuencia, medida en el preamplificador


con una potencia de salida de 78 Watt en la salida. El declive de esta
curva comienza en 1000 Hz y es debido a la capacidad inherente de
los transistores MOS-FET. Cabe destacar que los restos de segunda
armónica en estas condiciones estan alineados en fase, permitiendo así
una reproducción excepcionalmente pura.

3.5. Amplificadores de audio con circuitos integrados.


El desarrollo incesante de toda la industria del semiconductor en
general y de los circuitos integrados en particular, ha permitido crear
dispositivos de gran potencia y reducido tamaño que estan en
condiciones de competir en forma favorable con los dispositivos
discretos. Amplificadores de potencia de audio ya son muy comunes y
poseen características que permiten incluirlos en la categoría de HiFi. A
continuación dedicaremos una parte de este Capítulo a este tipo de
amplificador.
El primero de los amplificadores que trataremos es un modelo basado
en el integrado TDA1514A cuyo circuito se observa en la figura 3.28. El
aspecto de una plaqueta armada con este integrado surge de la figura
3.29. Sus características surgen de la Tabla 3.7.

TABLA 3.7. Características del amplificador con C.I. TDA1514A.


CARACTERÍSTICA ESPECIFICACION
Potencia de salida 40 Watt, con fuente de ± 27,5 Volt, Carga 8
nominal Ohm, dtot=-60 dB,
Potencia de salida 25 Watt, con fuente de ± 22 Volt, Carga 8
nominal Ohm, dtot = -60 dB,
Potencia de salida 12,5 Watt, con fuente de ± 16 Volt, carga de 8
nominal Ohm, dtot = -60 dB,
Potencia de salida 40 Watt, con fuente de ± 27,5 Volt, Carga 4
nominal Ohm, dtot = -60 dB,
Rechazo de ripple 72 dB en 100 Hz, con RS =2 kilohm,
Tensión de entrada 3 mV
offset
Distorsión armónica -90 dB con PO = 32 Watt, Carga 8 Ohm,
total, dtot fuente ± 27,5 V
Llave mute-standby Incorporada
Protección térmica Incorporada
Protección de salida Incorporada contra cortocircuito ac en fuentes
asimétricas, incorporada contra cortocircuito
dc en fuente simétrica,
Protección contra Incorporada
descarga electrostática
Protección SOAR Incorporada
82

Este amplificador de audio reúne las características exigidas para


equipos HiFi y está destinado principalmente a centros musicales,
receptor de radio, televisores y reproductores de CD, alimentados por la
red eléctrica.
Para la alimentación se puede usar por igual fuentes simétricas como
asimétricas con una amplia gama de tensiones de ± 7,5 hasta ± 30 Volt.
Las condiciones más importantes surgen de la Tabla adjunta.
El circuito integrado TDA1514A está encapsulado en un soporte SIL de 9
patas.
Otro circuito de amplificador de audio está basado en el integrado
TDA1521 y está destinado a amplificadores de audio estereofónicos de
una potencia hasta 2 x 12 Watt. Sus características surgen de la Tabla
3.8.

TABLA 3.8. Características del amplificador de audio con el C.I.


TDA1521.
CARACTERÍSTICA ESPECIFICACION
Potencia de salida 2 x 12 Watt, con fuente ± 16 Volt, carga 8 Ohm,
nominal
Potencia de salida 2 x 6 Watt, con fuente ± 24 Volt, carga 8 Ohm,
nominal
Ganancia de tensión Fija, de 30 dB (con fuente ± 16 Volt y carga 8
Ohm),
Balance entre canales >0,2 dB
Separación de canales 70 dB
Rechazo de ripple 50 dB en 100 Hz
Tensión de offset entre 20 mVolt, valor típico
salida y masa
Protección de salida Contra cortocircuitos y protección termal,
incorporada.
Normas que cumple IEC268, DIN45500 de HiFi

Este integrado es apto para canales de sonido estereofónico con control


remoto y receptores de radio estereofónicos. Se puede usar con fuentes
de alimentación simétricas y asimétricas de ± 7,5 Volt hasta ± 20 Volt.
Su cápsula plástica posee 9 patas. En la figura 3.30 observamos el
circuito de este amplificador y en la figura 3.31 vemos una plaqueta
armada con los pocos componentes externos que este integrado
necesita.
3.5. Un amplificador a válvulas que hizo historia.
Uno de los amplificadores históricos de la época de las válvulas y
considerado como excelente equipo de audio, es el amplificador
Williamson que fue creado alrededor de 1947 y mantuvo un lugar de
privilegio durante muchos años. En la figura 3.32 vemos el circuito
típico de un amplificador Williamson que se caracteriza por tener una
cadena de realimentación que comienza en el secundario del
83

transformador de salida y abarca tres etapas de amplificación. Este tipo


de circuito permite una notable reducción de toda clase de distorsiones
y logra un excelente resultado en la potencia para la cual fue diseñado.
La misma depende de las válvulas usadas y puede abarcar de 10 a 20
Watts potencia sinusoidal, aproximadamente. El valor final de la
potencia de salida depende de la tensión usada en la fuente de
alimentación y de las válvulas usadas. Las válvulas V1 y V2 pueden ser
del tipo doble triodo 6SN7, 12AU7, o similares y las válvulas de salida V3
y V4 son optativamente 6L6, 6550, KT66, EL509 o similares. La
rectificadora es la 5U4 u otra similar.

Capítulo 4. Preamplificadores y otros equipos auxiliares.

4.1. Requisitos generales para preamplificadores.


Los preamplificadores de audio cumplen diferentes funciones que se
pueden resumir en los siguientes términos:
(a) Adaptar la impedancia de salida de las plataformas usadas como
fuentes de entrada, a la impedancia de entrada del amplificador de
potencia.
(b)Adaptar la amplitud de la señal de entrada a la que necesita el
amplificador de potencia para un funcionamiento correcto.
(c) Introducir los controles de volumen, tono y balance de canales y/o
los ecualizadores necesarios para una reproducción de alta fidelidad.
Todas estas funciones deben efectuarse sin afectar la calidad de la
señal de entrada en forma negativa. Esto es especialmente importante
en cuanto a la relación señal-ruido que depende principalmente de la
primera etapa de la cadena de amplificación. Las demás etapas sólo
influyen en el nivel, amplitud o potencia de la señal, pero no deben
alterar sus condiciones de calidad.
Muchos amplificadores y preamplificadores de audio sobre la base de
válvulas usan un circuito de filamentos con tensión contínua, en algunos
casos inclusive con un regulador de tensión. Todo ello para reducir o
eliminar por completo toda tendencia a la introducción de un zumbido
residual a través del circuito de filamento y cátodo. Muchos equipos
usan también un retardo entre el encendido de los filamentos y el
encendido de la tensión de placa. Este retardo puede durar a veces 3
minutos para producir la máxima protección de las válvulas. Demás
está decir que el retardo respectivo se produce por medio de circuitos
electrónicos y eventualmente relais.
En todos los casos, tanto en equipos valvulares como de
semiconductores, conviene recordar nuevamente algunos aspectos
relacionados con las características fisiológicas del oído humano que
dan lugar a ciertas modificaciones en la respuesta de la curva
frecuencia-nivel de intensidad sonora que deben ser tomados en cuenta
en el amplificador, sobre todo en las primeras etapas del
preamplificador. Uno de estos aspectos es la dependencia del oído
84

humano de la frecuencia que da lugar a la curva de Fletcher-Munson


que vemos en la figura 4.0. Se observa en esta familia de curvas la
dependencia del nivel sonoro en phons con respecto a la frecuencia.
Una evaluación de estas curvas lleva a la conclusión que con una
reducción del volumen se reduce en particular la respuesta del oído con
respecto a las frecuencias bajas (graves), motivo por el cual se debe
contemplar la posibilidad de acentuar el nivel de los graves a medida
que se reduce el nivel de volumen en general. Para lograr una
sensación de igual volumen en 250 Hz, 100 Hz y 50 Hz, los niveles de
sonoridad de estas frecuencias deben variarse de 40 phon en 250 Hz a
60 phon en 100 Hz y 80 phon en 50 Hz. Este ajuste puede efectuarse a
mano pero en los equipos de calidad se suele usar circuitos de
compensación automática de respuesta, llamados controles fisiológicos.
Estos circuitos aumentan en forma automática la respuesta a graves
con niveles de volumen bajos.
Las plataformas usadas como fuentes de señal de entrada son en la
actualidad principalmente las siguientes: discos CD (discos compactos),
DVD (discos versátiles digitales), MD (minidiscos) y LD (discos laser),
cintas magnéticas de carrete abierto o de cassette compacto, cintas
DAT (digital audio tape), sintonizadores y micrófonos. Los discos
vinilicos tipo LP (long play) de 33 RPM siguen aún en existencia, si bien
su papel ha disminuido notablemente. En los equipos que se describen
a continuación haremos referencia a la mayoría de estas plataformas.

4.2. Un preamplificador universal.


4.2.1. Las especificaciones del preamplificador universal.
El preamplificador universal de la presente nota tiene una amplitud de
señal de salida de 440 milivolt sobre 1 kilohm. Estos valores se adaptan
perfectamente a la mayoría de los amplificadores de potencia
existentes en el mercado.
Se logra en el circuito del preamplificador un nivel sumamente bajo de
distorsión armónica debido a los altos niveles de realimentación
negativa en contínua y en alterna que se manifiestan finalmente en un
nivel menor al 0,15% y hacen además el equipo virtualmente inmune
contra variaciones en los parámetros y tolerancias de los componentes
empleados.
Se han previsto cinco diferentes conectores de entrada que permiten
una variedad de usos muy grande, tanto en el hogar como en equipos
semi profesionales. Las entradas son: pick-up a cristal, pick-up
magnético (MC), sintonizador de radio, grabador de cinta magnética y
micrófono magnético. Los reproductores de discos compactos (CD),
discos DVD, discos MD y discos láser (LD) pueden conectarse en el
mismo conector de pick-up a cristal, debido a las características
similares de las señales entregadas por estos diferentes medios. En la
Tabla 4.1 vemos un resumen de las características más importantes de
las tres posiciones de entrada del preamplificador universal.
85

TABLA 4.1. Las características de entrada del preamplificador universal.


ENTRADA SENSIBILI- IMPEDANCIA RESPUESTA DE RELACIÓN
DAD DE ENTRADA FRECUENCIA SEÑAL/RUIDO
(sin
ponderación)
Pick-up a 300 1000 kilohm 10 Hz a 35 kHz >80 dB
cristal para milivolt
LP, discos
CD, LD, DVD
y MD
Pick-up MC 4 milivolt 47 kilohm Según curva >90 dB
para LP RIAA
Sintonizador 150 500 kilohm 10 Hz a 35 kHz >80 dB
milivolt
Grabador 300 500 kilohm 10 Hz a 45 kHz >85 dB
magnético milivolt
Micrófono 3,5 22 kilohm 10 Hz a 65 kHz >80 dB
magnético milivolt

La entrada para el cristal magnético de bobina móvil está ecualizado de


acuerdo a las normas RIAA (Record Industry Association of America). En
este tipo de ecualización se toman en cuenta las frecuencias más
significativas de los discos de 33 y 45 RPM, a saber la frecuencia más
baja de 50 Hz, la frecuencia media de 1000 Hz y la frecuencia alta de 2120 Hz.
Recuerde que la curva de RIAA está basado en la acentuación de las
frecuencias altas de audio durante el proceso de grabación y los cuales
por lo tanto deben ser atenuados durante la reproducción en un
proceso inverso y complementario. En la Tabla 4.2 vemos los valores de
acentuación y atenuación de las frecuencias de acuerdo a las normas
RIAA.

TABLA 4.2. La respuesta de frecuencias de acuerdo a las normas RIAA.


FRECUENCIA Hz dB FRECUENCIA Hz dB
20 +19,3 800 +0,7
30 +18,6 1000 0,0
(referencia)
40 +17,8 1500 -1,4
50 +17 2000 -2,6
60 +16,1 3000 -4,8
80 +14,5 4000 -6,6
100 +13,1 5000 -8,2
150 +10,3 6000 -9,6
200 +8,2 8000 11,9
300 +5,5 10.000 -13,7
400 +3,8 15.000 -17,2
86

500 +2,6 20.000 -19,6

Además de los conectores de entrada señalados más arriba, existe en el


preamplificador universal una salida para grabadores magnéticos que
entrega una señal de salida de 0,35 milivolt sobre 1 kilohm.

4.2.2. El circuito del preamplificador.


En la figura 4.1 vemos el esquema del circuito en bloques de la unidad.
Se observa que los elementos activos del mismo son cuatro transistores
de silicio n-p-n del tipo BC147 o similares. Se usa en las primeras dos
etapas amplificadoras acoplamiento directo con realimentación
negativa de tensión contínua. También se usa diversos grados de
realimentación negativa de señal, según los circuitos de entrada
elegidos.
El circuito real de un canal del preamplificador se observa en la figura
4.2, de donde surgen también las diferentes alternativas de cada
circuito de entrada. En la Tabla 4.3 vemos algunas notas adicionales
para este circuito.

TABLA 4.3. Notas para el circuito de la figura 4.2.


NOTA N° COMENTARIO
1) En el amplificador de la derecha R se omite: R22, C4, R37 y
C10.
Para usar en mono, sólo se reemplaza R22 y R37 con 4,7 k
cada uno.
Se omite R34, R35.
2) Con los valores de R33 y R32 el preamplificador entrega 440
mV para la excitación de un amplificador de 40 watt. Para
obtener 350 mV, apto para amplificadores de 15 W o 25 W,
R33 debe tener 6,8 k y R32 en corto.
3) El circuito muestra sólo un canal. Para stereo pueden usarse
controles dobles.

En la posición pick-up magnético existe el lazo de realimentación


formado por R15 – C5 – C6. Este conjunto suministra una ecualización de
acuerdo a las características del RIAA que vimos en la Tabla 4.2. Las
demás entradas son independientes de la frecuencia y poseen una
respuesta plana. Para lograr un bajo nivel de ruido, se usa un transistor
del tipo BC149C en la primera etapa, mientras que el segundo transistor
es del tipo BC149B. La relación de sobre excitación de las primeras dos
etapas es mayor a 20 dB con respecto a 350 mV sobre el control de
volumen R18. Las ganancias de tensión de cada una de las entradas
sobre el control de volumen en 1000 Hz surgen de la Tabla 4.4.

TABLA 4.4. Ganancia para cada entrada.


87

ENTRADA GANANCIA
Pick-up a cristal, CD y LD 1,3 dB
Pick-up magnético 38,84 dB
Sintonizador de radio 7,34 dB
Grabador de cinta 1,3 dB
magnética
Micrófono magnético 40 dB

Se utiliza a continuación un transistor BC148B en una configuración de


seguidor de emisor para lograr así una elevada impedancia de entrada
y una baja impedancia de salida. Como resultado de esta disposición se
logra una independencia del control de tono de la posición del cursor
del control de volumen.
El circuito del control de tono es del tipo de realimentación y por lo
tanto los controles de graves y agudos estan conectados en el lazo de
realimentación negativa entre el colector y la base del transistor de
salida TR4. Este sistema tiene la ventaja que mantiene la baja
impedancia de salida, mientras que los controles actúan en forma
independiente a través de un rango muy amplio. Cuando los cursores
de los controles de graves y agudos están en su punto medio del
recorrido, la realimentación es practicamente independiente de la
frecuencia. En la figura 4.3 vemos la curva de respuesta de la
ecualización para el pick-up magnético que sigue las normas RIAA. En la
figura 4.4 se observa la respuesta total de los controles de tono de
graves y agudos.
Este preamplificador puede usarse también en mono solamente y en
este caso la salida de audio se toma del colector del transistor de salida
TR4. Esta etapa tiene una ganancia de tensión del orden de los 2,6 dB.
Si el amplificador de salida no tiene ningún capacitor de entrada en
serie, es conveniente intercalar un capacitor de 6,4 µF a 25 volt entre el
preamplificador y el amplificador de potencia de salida.
Para aplicaciones en stereo, se usan dos preamplificadores, debiendo
conectar los colectores de ambos transistores de salida por medio de un
circuito en serie que comprende C15, R34, R35 y R36, con valores similares
en el otro canal. El control R36 es usado entonces como control de
balance de stereo. En este caso se conecta el cursor a masa en stereo y
se desconecta el mismo en mono.
En el punto medio de R36 se reduce la ganancia de la amplificación de
tensión en 0,6 dB, aproximadamente. Los resistores R 34 y R35 están
montados sobre la placa del circuito impreso y los cables marcados (3)
y (4) en el circuito de la figura 4.2 se llevan a una llave “mono-stereo”,
montada en forma externa.

4.2.3. El armado del preamplificador.


Deseamos pedir al amigo lector referirse a la figura 4.2 en todo lo
relacionado con el circuito de esta unidad. Debemos también recordar
88

que se trata de un equipo realmente universal, motivo por el cual el


mismo está preparado para ser usado en conjunto con amplificadores
de potencia de 15, 25 y 40 watt de potencia RMS. Esto implica que su
tensión de salida nominal es de 440 mV, debido a que esta es la
amplitud que se necesita en equipos de 40 watt. En equipos de 15 y 25
watt los requisitos son menores y se necesitan solo tensiones del orden
de los 350 mV. Para evitar entonces una sobre excitación con sus
consecuencias de corte y saturación indeseables, se ha previsto esta
eventualidad por medio de los siguientes datos. En este caso se usa en
la posición del resistor R33 un valor de 6,8 k y se reemplaza el resistor
R32 por medio de una conexión en cortocircuito. Existe también la
posibilidad de modificar el valor de la tensión de salida del
preamplificador universal variando los valores de R32 y R33 en forma
concordante hasta lograr el valor de la tensión de salida adecuado a
otras aplicaciones con diferentes amplificadores. La relación de sobre
excitación del preamplificador es de >20 dB con respecto a la tensión
de salida nominal de 440 mV, de tal manera el valor máximo sin
distorsión de la tensión de salida es de >4,4 volt.
La tensión de alimentación del preamplificador es de 30 volt, con
preferencia regulada. Si el amplificador de potencia de audio posee una
fuente regulada puede obtenerse de esta fuente la tensión necesaria a
través del resistor R37. En la plaqueta de circuito impreso del
preamplificador que veremos más adelante se ha previsto el lugar para
este resistor. Si en cambio la fuente del amplificador no posee una
salida regulada, puede intercalarse una etapa de regulación adicional
cuyo circuito surge de la figura 4.5.
El capacitor de filtro C17 de esta etapa y el resistor R37 tienen un lugar
de montaje previsto en la plaqueta del circuito impreso del
preamplificador de la izquierda. El resto de los componentes debe
montarse entre el preamplificador y la fuente del amplificador de
potencia. Esta etapa suministra el consumo del preamplificador de 30
volt y 7 mA para un equipo monaural y de 30 volt y 14 mA para el
equipo stereo. El resistor R37 tiene el valor que surge de la figura 4.5, de
acuerdo al circuito empleado (mono o stereo).
En aplicaciones monaurales se usa un solo preamplificador y en este
caso los resistores R11 y R37 se reemplazan por un resistor de 4,7 k,
cada uno. Se omiten también los componentes C15, R34 y R35 del circuito
de salida. Como ya habíamos mencionado en este caso se toma la
salida de audio del colector de TR4.
En la figura 4.6 vemos el aspecto de la plaqueta del preamplificador del
canal de izquierda. La distribución de los componentes se observa en la
figura 4.7. En las figuras 4.8 y 4.9 vemos las mismas características
para el canal de la derecha. En la figura 4.10 vemos las conexiones
externas para el preamplificador del canal de izquierda. Es a este canal
al cual se conectan los controles de volumen, balance, graves y agudos
89

como también la llave “mono – stereo” y el selector de entrada. Estos


componentes son montados en el frente de la unidad. Por otra parte los
conectores de entrada son montados normalmente en la parte posterior
del equipo. En versiones estereofónicas es necesario montar las dos
plaquetas del preamplificador bastante cerca uno de la otra, para evitar
captación de zumbido y de otras interferencias y mantener las
conexiones entre ambas plaquetas lo más corto posible.
También es necesario elegir los puntos correctos para la puesta a tierra
de las conexiones respectivas de ambas plaquetas. En la figura 4.11 se
observan estas conexiones en forma esquemática.
La construcción de un preamplificador de audio con muchas entradas y
varios controles es una tarea delicada, tal vez más delicada que la
construcción de un amplificador de potencia. Sin embargo creemos que
el técnico o aficionado podrá emprender esta tarea con buen éxito si se
atiene a las indicaciones de este texto.

4.3. Un preamplificador a válvulas.


Los preamplificadores a válvula de construcción moderna se rigen
desde luego por los mismos requisitos indispensables de todos los
preamplificadores de audio modernos. Se usan generalmente entradas
para CD, sintonizador y auxiliar, pero muchos equipos siguen con
entradas para pick-up magnéticos del tipo MM y/o MC (Magneto Móvil o
Bobina Móvil). Los valores son los que surgen de la Tabla 4.5.

TABLA 4.5. Valores para los circuitos de entrada de preamplificadores a


válvula.
EQUIPO Sensibilidad Relación señal- Intermodulación
ruido
CD, DVD, MD 160 mV 107 dB 99 dB
Pick-up MM 1,9 a 2,3 mV 72,5 a 75 dB 60 a 66 dB
(sobre 47 kΩ y
180 pF)
Pick-up MM 1,9 a 2,3 mV 71,5 a 74 dB 60 a 66 dB
(RIAA)
Pick-up MC 0,08 mV 75 dB 60 a 66 dB
Aclaramos nuevamente el significado de las siglas de esta Tabla:
CD = Compact Disc, DVD = Digital Versatil Disc, MD = Mini Disc, MM =
Moving Magnet., MC = Moving Coil, RIAA = Recording Industries
Association of America.

En la figura 4.12 vemos un circuito típico de preamplificador con


válvulas, si bien los tipos de válvula varían de acuerdo a las
disponibilidades del mercado. Válvulas típicas son triodos tipo 6SL7,
6DJ8, 12AX7, 12AT7, 12AU7, ECC81, ECC82, ECC83, ECC801, ECC802,
90

6201, 5963, 6N1P y otros. En el rubro pentodos tenemos 6SJ7, 6AU6,


6CJ5, 6BX6, EF80, EF41, EF86, 5879 y otros.
Los preamplificadores pueden usar diferentes tipos de válvulas tener
también diferentes conectores de entrada, de acuerdo a sus
aplicaciones previstas. El modelo de la figura 4.12 está destinado a Disc
Jockeys que deben manejar varios micrófonos, pero otras
configuraciones son usados y fácilmente ostensibles.

4.4. Ecualizadores.
Frente a la multiplicidad de fuentes de música electrónicas por una
parte y la diversidad de ambientes cerrados o abiertos en los cuales se
desarrollan las reproducciones musicales provenientes de estas
plataformas, no resulta extrañó que a veces haya que efectuar algunas
“correcciones” en las señales a reproducir para adaptarlas a estas
diferentes variantes de origen y de destino.
Uno de los componentes más influyentes para lograr este tipo de
adaptación es el ecualizador que permite efectuar modificaciones en la
señal producida para hacerla más placentero al oído del oyente. El
camino es la acentuación o atenuación de algunas notas o bandas de
notas, como por ejemplo las que integran una octava musical. Cuando
el ecualizador actúa sobre determinadas frecuencias prefijadas, se lo
denominamos ecualizador gráfico, en cambio cuando actúa sobre
ciertas bandas de frecuencia a ambos lados de una frecuencia central,
se lo identifica como ecualizador paramétrico.
En la figura 4.13 vemos el aspecto de un ecualizador gráfico de 7
bandas cuyas características surgen de la Tabla 4.6.

TABLA 4.6. Características de un ecualizador gráfico de 7 bandas.


CARACTERISTICAS VALORES
Modelo GR-555 de ALPINE
Entrada (sensibilidad, impedancia), 150 mV, 50 kilohm
LINEA, CINTA PLAY
Salida (nivel, impedancia), SALIDA 150 mV, 2 kilohm
LINEA
Rango de ecualización ±10 dB,
Frecuencias centrales 60, 150, 400, 1000, 2400, 6000,
15.000 Hz
Respuesta de frecuencia 10 a 50.000 Hz, +0 dB, -3 dB,
Relación señal-ruido (normas IHF), 104 dB
salida 1 Volt, Circuito A,
THD (20 a 20.000 Hz, salida 1 Volt) 0,03%
Ganancia (controles planos) 0 dB,
Analizador de espectro, resolución 3 dB x 8
display
Frecuencias centrales 60, 150, 400, 1000, 2400, 6000,
15.000 Hz
91

Existen desde luego también otros modelos que pueden abarcar 10


bandas con las siguientes frecuencias: 32, 64,125, 250, 500, 1000,
2000, 4000, 8000, 16.000 Hz. Se observa que en este último modelo se
usa una distribución por octavas (relación 1:2). Ver también la figura
4.14.
En cuanto a los ecualizadores paramétricos existen también numerosos
modelos que pueden agregarse a instalaciones existentes. En la figura
4.15 vemos el modelo 3402 de Alpine con las siguientes características:
Regulación entre 20 y 22.000 Hz en 7 bandas que permiten una
regulación contínua sin pasos preestablecidos y con Q variable. Esto
significa que se puede ampliar o reducir el ancho de banda de la etapa
seleccionada. La respuesta de frecuencia es de 10 a 50.000 Hz con un
límite de 0 a –1 dB.
Una de las aplicaciones más frecuentes de los ecualizadores
paramétricos es la posibilidad de acentuar o atenuar las bandas de
frecuencias fundamentales y armónicas por separado. Con ello se
puede alterar el timbre de voz o de música en forma muy amplia. Por
ejemplo, en un caso determinado se puede destacar la voz humana
frente a la música de fondo o cualquier otro ruido. Como se sabe, la voz
humana abarca entre 300 y 3000 Hz, aproximadamente y la
acentuación de esta gama de frecuencias permite destacar la voz. Otra
aplicación es la corrección de muchos efectos perjudiciales de la
acústica del ambiente o del mismo equipo de audio. En este caso se
puede lograr una corrección muy amplia de este tipo de defecto.
En algunos casos el ecualizador puede estar incorporado en el
amplificador o preamplificador, pero el modelo ilustrado se coloca en
forma independiente, motivo por el cual es posible agregarlo en
aquellos equipos que no poseen ecualizador de fábrica.
En algunos equipos muy elaborados no se usa una distancia de una
octava o más, sino por el contrario, se usa un tercio de octava. Los
equipos de estas características se conocen como de Q alto, los de una
octava o más son de Q bajo.
En algunos equipos que tienen el ecualizador incorporado, existen a
veces posiciones prefijadas que permiten ajustar el ecualizador para
determinados tipos de música, por ejemplo: clásica, jazz, Rock, pop,
latino, etc. Sin embargo el criterio usado en estos ajustes previos no
siempre coincide con el buen oído musical del oyente, motivo por el
cual suele ser necesario un ajuste posterior.
En algunos ecualizadores se recurre a una corrección anterior al mismo
ecualizador por medio de un circuito de compensación adaptiva creado
por la firma BBE Sounds de California en 1995. Este sistema se basa en
una corrección por bandas separadas por medio de un procesador
digital del sonido que funciona de la siguiente manera.
El sistema BBE analiza en forma permanente el sonido a ecualizar, tanto
en lo referente a las frecuencias y amplitudes del mismo como también
en lo referente a las condiciones ambientales. En el sistema BBE se
92

subdivide entonces las frecuencias de la música procesada por medio


de sendos filtros. Se establecen en principio tres rangos de frecuencia, a
saber: de 0 a 150 Hz, de 150 a 2500 Hz y la tercera de 2500 a 20.000
Hz. Cada una de estas bandas recibe un tratamiento específico
diferente para compensar eventuales corrimientos de fase introducidos
por condiciones ambientales. Estas correcciones de fase abarcan una
gama de 0,5 a 2,5 milisegundos. Esta corrección es adaptiva y se
efectúa en forma completamente automática, sin necesidad de
modificar la posición de ninguno de los controles del equipo.
Simultáneamente se agrega también una corrección de amplitud de los
componentes de la señal que lo requieren en un rango de 0 a 10 dB.
También esta corrección se efectúa en forma completamente
automática por medio del procesador digital del sistema. Ambas
correcciones son llevadas a cabo por procesadores específicos,
contenidos en circuitos integrados dedicados. La firma R-Ohm ha
producido dos integrados para esta aplicación, los tipos BA3880S y
BA3884S. El BA3880S posee una acentuación fija de graves con unos 4
dB, en cambio el BA3884S tiene una acentuación de graves variable y
ajustable. En la figura 4.16 vemos el esquema funcional del sistema
BBE, tal como fuera descrito recién. R-Ohm anuncia para una aparición
en el mercado de otro procesador, el tipo BA3888S que posee una
compuerta de ruido incorporada.
Cabe destacar que el sistema BBE es de suma utilidad en todo sistema
de audio, pero sobre todo en aquellos donde las condiciones
ambientales son más severas, como por ejemplo en radio del automóvil.
Tal es así que son justamente firmas con actividad en este rubro los
principales usuarios del sistema BBE, como por ejemplo Advent,
Brother, Sony y Teac. También otras marcas han introducido el sistema
BBE en alguno de sus modelos.

4.5. Un pasadiscos para vinilicos, modelo 1995.


A pesar de que la producción y el uso de los discos vinílicos ha caído en
desuso en forma universal, no por ello hayan desaparecidos también los
pasadiscos para este tipo de discos de 33 RPM debido a la constante
demanda que aún existe en el sector High End. En la figura 4.17 vemos
un modelo recientemente publicitado en la prensa especializada que
demuestra el diseño de este importante componente en la década del
1990. Se usa generalmente solo la velocidad de 33.33 RPM y se eligen
cápsulas de imán móvil o de bobina móvil con una presión del brazo del
orden de los 2 gramos. Debemos recordar también que algunos Disc
Jockeys suelen usar este tipo de reproductor.

Capítulo 5. El Teatro del Hogar.


5.1. Una breve introducción.
93

El concepto del Teatro del Hogar es relativamente reciente pero cuenta


como antecedente con el famoso “combinado” que durante muchos
años no podía faltar en ningún hogar de clase media. Con el
advenimiento de la televisión, de las cintas magnéticas de audio y video
y los discos de video y de las plataformas de audio de varios canales,
tanto analógicas como digitales, el aspecto del Teatro del Hogar tuvo un
desarrollo muy avanzado y se convirtió en un rubro separado de la
Electrónica del Hogar por derecho propio. En la figura 5.1.A vemos un
modelo clásico de “combinado” de 1939, en la figura 5.1.B vemos un
Teatro del Hogar primitivo de 1951, en la figura 5.2 vemos un Teatro
del Hogar moderno sencillo y en la figura 5.3 vemos un modelo
moderno más elaborado de Teatro del Hogar. La figura 5.4 nos muestra
un modelo con “pantalla gigante”, apto para hogares de dimensiones
adecuadas. En principio podemos expresar que el Teatro del Hogar es la
combinación de equipos de audio y video que permite al usuario
reproducir en el hogar la experiencia del cinemcon su imagen de gran
tamaño y sonido envolvente o ambiental (SURROUND). Este sonido
SURROUND permite apreciar el diálogo desde parlantes frontales y la
música y efectos sonoros de toda índole desde parlantes laterales y
posteriores. Se acepta como mínimo la cantidad de cuatro parlantes
para lograr este efecto SURROUND tan importante para el Teatro del
Hogar. Desde luego es necesario que la calidad del sonido del equipo
SURROUND sea de alta fidelidad y por lo tanto los componentes que
integran la instalación del Teatro del Hogar deben cumplir con los
requisitos de esta categoría, que ya vimos anteriormente.
El Teatro del Hogar se ha convertido así a través de los años en una
instalación dentro del hogar que posee varios componentes. Podemos
considerar que en la actualidad estos componentes del Teatro del Hogar
deben cumplir ciertos requisitos mínimos que se visualizan en forma
muy generalizada en la figura 5.5. En esta figura se aprecian muchos
componentes separados, pero todos ellos pertenecen a dos categorías:
componentes de fuente y componentes de display. Ambos tipos a su
vez pueden dividirse en dos grupos, uno que corresponde a sistemas de
audio y otro que corresponde a sistemas de video. De esta manera
vemos los siguientes componentes de fuente: (1) Reproductor de discos
CD, LD y/o DVD y eventualmente un receptor de señales satelitales, (2)
videograbador HiFi y (3) receptor A/V o procesador separado con
amplificador multicanal. En el grupo de displays de audio y/o video
vemos con el número (4) un televisor de visión directa o de proyección,
y con los números del (5) al (10) los diferentes altoparlantes para los 6
canales discretos de sonido que en la actualidad son propios de muchas
plataformas digitales y en menor grado también de algunas plataformas
analógicas.
Como se sabe existen en muchos discos DVD y en la televisión digital, 6
canales de sonido que se designan como 5.1 canales, debido a que se
trata de 5 canales de rango completo de por lo menos 20 a 20.000
94

Hertz y un canal incompleto, dedicado a los tonos graves de 5 a 300 Hz,


aproximadamente. Este principio se ha incorporado a través del sonido
DOLBY DIGITAL al DVD y a la TV Digital (DTV) y como DOLBY
SURROUND y DOLBY SURROUND PRO LOGIC también en discos y cintas
magnéticas analógicas con 5 canales, sin el canal .1. En la figura 5.6
vemos la distribución de los parlantes previstos para el DOLBY DIGITAL
5.1 con sus seis parlantes.
Todos los detalles técnicos y funcionales de estos sistemas fueron
tratados ampliamente en “El libro de los DVD” por Egon Strauss
(Editorial QUARK), motivo por el cual aconsejamos al amigo lector
consultar esta obra básica para este tema. En el presente Capítulo nos
referiremos al mismo con toda amplitud solo en aquellos aspectos que
sean necesarios para la función específica del Teatro del Hogar.

5.2. Audio y video en el Teatro del Hogar.


Las señales de audio y video que debemos procesar en las instalaciones
del Teatro del Hogar pueden ser analógicas, pero en los últimos tiempos
muchas de las señales disponibles son digitales. Esto se aplica tanto a
audio, como a video debido a que son cada vez más frecuentes las
plataformas digitales de audio y video. Con el planteo que hicimos en la
figura 5.5 se toman en cuenta estas alternativas y el técnico instalador
o reparador de este tipo de instalaciones debe familiarizarse con las
técnicas usadas en este tipo de componentes.
Para una instalación actualizada es necesario tomar en cuenta los
reproductores de DVD que reúnen todas las características de video y
audio digital. Esto significa que podemos esperar tener que procesar
audio en 5 o 6 canales discretos y la instalación del Teatro del Hogar
debe contemplar esta situación en toda su extensión. Es necesario
disponer de amplificadores de audio de 5 o 6 canales y la colocación de
las respectivas unidades sonoras, parlantes woofer, squawker y
tweeter, de acuerdo a la potencia que se desea procesar.
Con respecto a la señal de video debemos decidir que clase de display
se va a utilizar. Podemos elegir un televisor de pantalla grande o un
equipo de proyección posterior o frontal. Muchos televisores de pantalla
grande, mayores de 40 pulgadas (101 cm) de diagonal, poseen un
equipo de proyección incorporado de tal manera que la imagen es
proyectada desde atrás de la pantalla por un proyector adecuado. En la
figura 5.7 vemos un ejemplo de este tipo de equipo.
En otra propuesta se usa un proyector externo, montado en el
cielorraso del ambiente y con una pantalla delante que refleja la imagen
proyectada. En la figura 5.8 vemos una instalación de este tipo. Una de
las ventajas de este tipo de instalación es el mayor tamaño de la
pantalla, cuyas dimensiones además pueden ser reguladas en forma
relativamente sencilla. En el equipo de retroproyección el tamaño es
una constante prevista por el fabricante del equipo. El costo de los
proyectores depende en gran parte de la luminosidad que se desea
95

lograr y puede ser muy elevado en algunos casos. En la Tabla 5.1


vemos un listado de distancias para diferentes tamaños de pantalla con
proyectores equipados con tubos de 8 pulgadas (20 cm).

TABLA 5.1. Distancias de proyección para proyectores con tubos de 8


pulgadas (20 cm).
Característ
ica
Diagonal 167 183 213 230 244 250 274 305
de cm cm cm cm cm cm cm cm
pantalla
Distancia 200 216 230 260 277 282 302 333
horizontal cm cm cm cm cm cm cm cm
Distancia 0a 0a 0a 0 a 48 0 a 48 28 cm 0 a 48 0 a 50
vertical 45 45 45 cm cm cm cm
del techo cm cm cm
Muchas unidades estan preajustadas en fábrica para los valores
marcados en negrita.

Cuando se realiza una instalación fija como la que estamos


describiendo, puede usarse la pantalla para ubicar detrás o alrededor
de ella una gran parte del equipo. En la figura 5.9 vemos este aspecto.
La pantalla de esta instalación tiene un diagonal de 305 cm y por lo
tanto se puede aplicar los valores establecidos en la Tabla. Por otra
parte, aún cuando no estuvieran estos valores indicados en forma
explícita, podemos interpolar los valores correspondientes en cada caso
por medio de la Tabla. Vemos que detrás de la pantalla se encuentra el
conjunto de parlantes centrales y a los costados se ubican los parlantes
frontales de izquierda y derecha. Se usan en este caso en particular dos
subwoofer de grandes dimensiones, lo que permite usar los gabinetes
de los mismos como plataformas para los parlantes frontales. Bajo el
punto de vista de audio, sería suficiente colocar un solo subwoofer, ya
que los tonos graves de muy baja frecuencia no son direccionales, pero
colocar dos de ellos refuerzan estos tonos en forma muy acentuada y
ayuda a crear la atmósfera para películas de acción y con muchos
efectos sonoros.
No todos los proyectores están montados en el cielorraso. También
existen modelos portátiles de mesa que se pueden ubicar sobre una
mesita cuando el Teatro del Hogar comienza su función y guardarlo
cuando termine. En la figura 5.10 vemos un proyector portátil, modelo
PLC-300M de la marca Sanyo, que es facilmente movible para su
ubicación. El inconveniente de este tipo de proyector es su luminosidad
limitada que es generalmente inferior a los modelos con tubos de
proyección de gran tamaño (8 pulgadas). Se recomienda este tipo de
instalación solo en ambientes de tamaño menor y con tamaños de
imagen no mayores que 250 cm de diagonal. Este tipo de proyector se
96

complementa con una pantalla también portátil, similar a la que vemos


en la figura 5.11. En la figura 5.12 vemos las diferentes distancia que
corresponden a cada tamaño de pantalla del proyector portátil de la
figura 5.10. En la Tabla 5.2 vemos algunos datos constructivos del
modelo PLC-300M de Sanyo.

TABLA 5.2. Algunas de las características del modelo PLC-300M de


Sanyo.
CARACTERISTICAS VALORES
Modelo PLC-300M
Tipo Proyector de video portátil para
datos y video en colores, con
paneles LCD
Paneles LCD 3 paneles de 7,8 cm de diagonal
con matriz activa TFT
Cantidad de pixels 307.200 x 3 = 921.600 pixels
Resolución horizontal 550 líneas de TV o 640 x 480 pixels
Frecuencias de barrido con ajuste H (sinc): 15 a 37,9 kHz
automático V (sinc): 50 a 70 Hz
Sistemas de color PAL/SECAM/NTSC/NTSC 4,43
Lámpara de proyección Halidos metálicos de 180 Watt
Lente de proyección F4,2 a 4,5, f = 135 a 270 mm
Brillo de imagen 550 Lux (con imagen de 250 cm de
diagonal)
Tamaño de proyección 63 a 760 cm
Distancia de proyección 2,3 a 13,4 metros
Control remoto Si, iluminado
Conectores PC (entrada y salida),
Audio stereo (L y R), fono,
Entrada S-Video
Entrada audio/video
Entrada micrófono
Salida monitores de audio y video
Dimensiones 253 x 268 x 572 mm
Peso 13,2 kg
Alimentación 100 a 120 Volt y 200 a 240 Volt,
50/60 Hz
TFT significa THIN FILM TRANSISTOR = transistor de película delgada.
Una tecnología usada en unidades LCD (Liquid Crystal Display = display
de cristal líquido).

Los conectores de este modelo permiten una interfaz sumamente


cómoda entre PC y proyector, lo que permite un uso más amplio aún del
97

dispositivo. En otra parte del presente Capítulo trataremos este tema


con mayor amplitud.

5.3. El Teatro del Hogar controlado por computadora.


Con la tendencia actual de la convergencia de plataformas diferentes
con la principal autoridad de la digitalización, la computadora, no podía
estar ausente la intervención de la misma en la especialidad “Teatro del
Hogar”. Varias empresas, especialmente DOLBY se ocuparon para
establecer un nexo coherente y eficaz entre ambas plataformas. A
continuación analizaremos algunas de las propuestas de DOLBY en este
terreno.
La base de todo procesamiento digital como el que se produce en la PC
o por medio de la PC es obviamente una señal digital. En audio esta
señal puede ser la señal del DOLBY DIGITAL SURROUND, un sistema
que en realidad nació con el nombre AC-3, debido a su numeración en
la etapa previa a su aprobación como AUDIO COMPRESSION 3.
Los sistemas de sonido elaborado de DOLBY ya son historia y
empezaron con el sonido producido por el sistema de compresión
DOLBY A. Este primer sistema se basaba en la compresión de las
señales de frecuencias altas que se encuentran en el área donde más
ruidos de toda índole pueden presentarse. Al comprimir o reducir estas
frecuencias se reducen no solo las frecuencias altas de audio, sino
también las frecuencias del ruido que los acompaña. En el lugar de
destino, las frecuencias altas son nuevamente descomprimidas, pero
ahora contienen solo una pequeña fracción del ruido que hubiesen
tenido sin compresión y en consecuencia la relación señal-ruido es
substancialmente mejor. El DOLBY A fue usado solo en la industria
cinematográfica para películas sonoras, pero muy pronto se
desarrollaron esquemas similares para audiocassette y otras
plataformas de audio, designandose DOLBY B, DOLBY C y otros
similares. La ventaja de los sistemas DOLBY B y DOLBY C es que son
compatibles. Esto significa que un audiocassette grabado con uno de
estos sistemas puede ser reproducido también por equipos que no
poseen la expansión propia del DOLBY y solo pierden en este caso la
reducción de ruido que el sistema DOLBY ha introducido.
Las exigencias del público en cuanto a mejoras en la reproducción de
audio por una parte y la creación de circuitos integrados que permiten
incluir en cápsulas de tamaño muy reducido procesadores de alta
complejidad, han permitido producir importantes mejoras en este
aspecto. El sistema DOLBY SURROUND permitió procesar señales de
cuatro canales de audio grabados en solo dos canales estereofónicos. El
sistema DOLBY SURROUND PROLOGIC permitió llegar a cinco canales
discretos (separados) por medio de un procesamiento complejo de las
señales de dos canales. En estos sistemas se creó el concepto del
sonido ambiental (SURROUND) que consistía en agregar fuentes
98

sonoras debidamente desfasadas para crear en el oído una impresión


espacial de la música y de los efectos sonoros que pudiese tener una
grabación de cinta magnética, disco o cualquier otra plataforma. Todos
estos sistemas fueron analógicos y tuvieron amplia aceptación en
equipos de alta fidelidad HiFi y High End.
Al imponerse a partir de 1990, aproximadamente, las plataformas
digitales, las exigencias y prestaciones de los sistemas DOLBY y de
otros sistemas que fueron surgiendo, se concentraron en este sector
digital, lo que dio como resultado la aparición del sonido DOLBY
SURROUND DIGITAL que fue catalogado como sistema 5.1. La
designación de 5.1 significa que posee cinco canales de audio
separados de rango completo de audio de unos 20 a 20.000 Hertz y
además un canal de menor ancho de banda de solo 5 a 300 Hz,
aproximadamente, para los sonidos graves y efectos de baja frecuencia.
Se reproduce en un parlante especial denominado SUBWOOFER. Este
canal .1 es optativo y además los cinco canales principales (frente
izquierda, frente derecha, frente central, ambiental izquierda y
ambiental derecha) pueden ser reprocesados para ser entregados al
equipo de audio final como señal estereofónica de dos canales y aún
como señal monaural. Esto significa que se mantiene rigurosamente el
concepto de la compatibilidad junto con una mejora substancial de la
calidad sonora.
Otros sistemas creados fueron el DTS (DIGITAL THEATER SOUND),
sistema destinado principalmente a películas, pero presente también en
grabaciones de estas películas en CD, LD y DVD, y el SDDS (SONY
DYNAMIC DIGITAL SOUND) creado por Sony y usado en muchas
grabaciones de esta empresa. Teniendo en cuenta la importancia de
esta marca no se debe descartar este sistema, si bien por ahora solo
existen pocas grabaciones en el mismo.
Se fabrican en la actualidad circuitos integrados para diferentes
procesadores digitales aptos para varios sistemas, como por ejemplo
procesadores de las marcas Motorola y Cirrus Logic con su procesador
DSP56362 que es apto para decodificar el DOLBY AC-3 y el DTS, por
igual. A su vez muchas marcas de reproductores de DVD usan estos
procesadores en sus reproductores de discos. Otro procesador es el
DSP56009 de Motorola que tiene prestaciones similares.
En la Tabla 5.3 vemos los requisitos digitales para diferentes sistemas
de audio.

TABLA 5.3. Requisitos digitales para diferentes sistemas de audio.


SISTEMA TASA DE TRANSFERENCIA CANTIDAD DE
CANALES
PCM LINEAL 6144 megabits por seg 8 canales máximo
máximo,
DOLBY AC-3 448 Kilobit por seg 5.1 canales máximo
máximo,
99

MPEG-2 AUDIO 640 Kilobit por seg 7.1 canales máximo


máximo,
DTS 1,536 Megabit por seg 5.1 canales máximo
max.
SDDS 1,280 Megabit por seg 7.1 canales máximo
máximo
La frecuencia de muestreo de la señal de audio es 44,1 kHz con 16 bits
en el CD, y de 96 kHz con 24 bits en el DVD.
El sistema del DOLBY DIGITAL con sus 5.1 canales está disponible
actualmente en radiodifusión, discos DVD, discos láser, y sistemas
digitales de cable y satélite. Como en las computadoras es posible
incorporar lectores de DVD-ROM que permiten leer también los discos
CD-ROM y DVD musicales de audio y video, la PC tiene acceso
inmediato a todas las plataformas compatibles con este medio. DOLBY
sugiere diferentes métodos para hacer efectivo este acceso en una gran
variedad de modos. A continuación nos ocuparemos de los más
importantes.
En la figura 5.13 vemos el modo propuesto para PC con lector DVD-ROM
y una salida S/PDIF (Sony/Philips Digital Interface = interfaz digital de
Sony y Philips). En este caso se puede usar un único cable que permite
la conexión a un receptor AV u otro tipo de equipo con decodificador
DOLBY DIGITAL incorporado y a continuación con un amplificador
multicanal de audio. Se completa este tipo de instalación con 5 o 6
parlantes, ya que el canal del subwoofer es opcional. Creemos que este
modo es el más indicado para instalaciones nuevas y para la adquisición
de equipos modernos.
En la figura 5.14 vemos otra alternativa destinada a PC con un lector de
DVD-ROM incorporada y una salida USB (Universal Serial Bus). En este
modo se puede conectar la salida a un conjunto de parlantes con
entrada de USB y amplificadores incorporados. Este tipo de equipo es
producido por las renombradas marcas Altec Lansing y Philips y
contiene también el decodificador para DOLBY DIGITAL. También este
modo es aconsejable como solución permanente.
En la figura 5.15 vemos otro modo destinado a PC con lector DVD-ROM,
decodificador DOLBY DIGITAL y tarjeta de sonido de cuatro canales
incorporados. Esta configuración es especialmente apta para reformas
de equipos de PC preexistentes y los cuales son actualizados con los
equipos mencionados. En este caso se reparte la información de los
canales frente central y subwoofer a los parlantes frontales para crear
una fuente de sonido de frente central virtual y una irradiación del
material del subwoofer desde el frente. La solución es muy aceptable y
brinda un excelente campo sonoro al oyente.
En la figura 5.16 vemos el modo sugerido para PC equipado con un
lector de DVD-ROM y un procesador de DOLBY DIGITAL VIRTUAL. En
este caso es factible recuperar las señales codificadas en DOLBY
SURROUND DIGITAL con solo dos canales de audio. El proceso es el
100

siguiente. Primero se procesa el flujo de datos del DOLBY DIGITAL y


despues se usa una plaqueta llamada “virtualizador” que procesa la
información de los canales ambientales (surround) y se la agrega a los
dos canales frontales. Esta mezcla de canales crea un canal virtual en el
centro. El efecto de la virtualización de los canales es más notable para
un único oyente sentado centrado justo en frente de los dos parlantes
del sistema. Se trata posiblemente de la forma más económica de
entrar al sistema multicanal, si bien tiene desde luego sus limitaciones.
En la figura 5.17 vemos el modo sugerido para PC con lector de DVD-
ROM y provista con un mezclador que mezcla los canales del DOLBY
SURROUND en solo dos canales estereofónicos con señales de salida Lt
y Rt. Estas señales contienen toda la información original, motivo por el
cual se denominan (t) total. Se observa que la información implícita de
este tipo de codificador presenta canales en el centro y a los costados
del oyente, pero los mismos son de origen analógico. En la actualidad
existen ya muchas instalaciones similares en funcionamiento y
permiten disfrutar aunque sea en parte del efecto multicanal.
En la figura 5.18 vemos un modo que permite ampliar el sistema usado
en la figura anterior por medio de la incorporación de tres parlantes con
amplificador de tal manera que el oyente escucha realmente y no en
forma virtual los cinco canales. Se usa en este caso un decodificador
DOLBY PROLOGIC agregado al decodificador DOLBY DIGITAL con salida
Lt/Rt. Esto significa que se decodifica la señal digital como señal
estereofónica de dos canales y despues se divide nuevamente la señal
en cinco ramas en el dominio analógico. Creemos que esta solución
puede ser útil a aquellas personas que poseen ya un decodificador
analógico pero no creemos muy conveniente para aquellos que tienen
que comprar todo desde el principio.
En la figura 5.19 vemos el modo virtual de las instalaciones
anteriormente mencionadas. En este caso se necesita en la
computadora un lector de DVD-ROM, un decodificador del tipo Lt/Rt y un
virtualizador de DOLBY SURROUND, basado en un sistema analógico de
DOLBY PRO LOGIC. Se reproduce en este caso las señales de izquierda y
derecha en forma real y el resto por medio de parlantes virtuales cuya
información es irradiada por los mismos dos parlantes pero contiene la
misma de tal manera que se produce un efecto de ilusión auditiva con
parlante fantasma. También en este caso el efecto espacial no es tan
pronunciado como con los parlantes reales, pero es una forma de entrar
al sistema.
En la figura 5.20 vemos los logotipos de DOLBY DIGITAL y de DVD.
Se observa que en todas las propuestas de DOLBY interviene la
computadora con sus múltiples recursos digitales de procesamiento y
control. Es una forma más para acceder al Teatro del Hogar con sus
infinitas posibilidades.
Con respecto al interés que ha creado el Teatro del Hogar como
elemento de la convergencia entre Computación y Electrónica del Hogar
101

deseamos destacar también el Stand de Microsoft que en la última


exposición de Electrónica del Consumidor en Las Vegas estaba bajo el
signo del Home Theater como podemos apreciar en la figura 5. 21. Esta
figura ilustra también sobre el gran interés que este rubro ha
despertado en el público asistente a esta muestra.
5.4. La instalación del Teatro del Hogar.
Un comentario especial merecen los pasos necesarios para la
instalación de un sistema del Teatro del Hogar. Tuvimos oportunidad de
analizar todos los componentes que intervienen en la instalación del
Teatro del Hogar, pero es necesario analizar también el rendimiento del
conjunto. Daremos un ejemplo típico. Deseamos llenar un ambiente
determinado con un equipo de 5 parlantes que requiere una potencia
de 20 Watt cada uno para lograr el nivel sonoro que deseamos lograr.
Esto es una potencia modesta y aparentemente el presupuesto puede
tener un valor muy atrayente. Pero ahora descubrimos que al exigir
también una serie de circuitos de entrada como por ejemplo un
reproductor DVD, un procesador para DOLBY DIGITAL y para DTS y
algunos otros detalles, el equipo modesto que habíamos elegido
tomando en cuenta sola la potencia de audio no tiene las entradas y
procesadores que necesitamos. Estos solo se encuentran generalmente
en equipos de costo más elevado que no solo tienen estas prestaciones,
sino además poseen una potencia de audio mucho mayor, tal vez de
100 Watt por canal. Esto desde luego cambia toda la situación y nos
obliga considerar de nuevo el presupuesto más alto. Cuestiones de esta
índole existen muchas y todas ellas deben ser consideradas en forma
apropiada para evitar problemas posteriores.
Otro detalle es el uso de cables adecuados para la interconexión de
cada uno de los equipos intervinientes en la instalación. Debemos
tomar muy en cuenta las distancias, la intensidad de la corriente
circulante y la frecuencia de trabajo de las señales. Circuitos de entrada
de cualquier tipo requieren cables blindados y no deben exceder
distancias de muy pocos metros. En cambio, circuitos de salida deben
transportar a veces una corriente de audio de varios Amperes entre
amplificador y parlante, motivo por el cual es necesario cuidar el
diámetro de los cables y también la distancia a la cual debe llevar esta
corriente.
Un equipo de 100 Watt de potencia sobre 2 Ohms de impedancia
significa una corriente de
7,07 Amperes, de acuerdo a la expresión

Una corriente de esta magnitud no parece muy alta, pero para


transportarla sin pérdidas significativas es necesario seleccionar un
calibre de alambre adecuado. En algunos Manuales se recomienda para
esta intensidad de corriente un diámetro del conductor de cobre de 1,5
mm, pero para estar seguro de evitar pérdidas por inductancia y/o
resistencia, será conveniente usar tal vez un cable de 2,5 mm de
102

diámetro. Existen cables adecuados para este fin en el mercado, solo


debe elegirse el calibre adecuado. En otros casos de potencias
diferentes habrá que proceder en consecuencia.
Las consideraciones expuestas hasta ahora con respecto a los cables de
conducción de señales de audio no contemplan sin embargo otros
aspectos, como los efectos de inductancia, capacidad, impedancia y
efecto pelicular (skin) que muchos fabricantes de cables sostienen como
importantes en esta aplicación de los cables. Muchas personas han
discutido este tema con profundidad y nosotros no deseamos intervenir
en este debate que tal vez sea más comercial que técnico. Una cosa es
segura: un cable limpio o bañado en algún producto que aleje los
efectos de la corrosión y de diámetro adecuado, debe ser suficiente
para poder transportar las señales de audio. Por este motivo creemos
que un baño de estaño o de oro sobre el cable puede ser beneficioso
pero no necesariamente imprescindible. En muchos casos se puede
lograr un recorrido de características estéticas superiores por medio de
cables planos para los parlantes.
Por otra parte creemos que los efectos reactivos antes mencionados
solo tienen muy poca influencia sobre el comportamiento del cable en
las frecuencias de audio que son los que debemos transportar. Es muy
importante mantener la longitud la menor posible y por este motivo
creemos que la disposición de parlantes en gabinetes con sus propios
amplificadores individuales puede ser beneficiosa para el rendimiento
conjunto del sistema. En este caso se pueden transportar las señales en
líneas de transmisión de baja impedancia o eventualmente en líneas de
fibras ópticas si la extensión de la instalación lo hace aconsejable. Esto
desde luego implica también la existencia de los trasductores ópticos de
entrada y salida y otras prestaciones del acoplamiento óptico del
“Toslink”. Todas estas prestaciones significan desde luego también un
costo bastante más elevado. Estamos seguros que este costo adicional
se justificará en algunas instalaciones, debido que este costo no es
significativo frente al costo de todo el sistema. Si esto fuera así,
podemos recomendar usar todas las mejoras posibles para lograr que el
sistema brinda el máximo rendimiento. No es lo mismo gastar en la
instalación de un equipo el 10% del valor total del resto o gastar un
porcentaje significativamente mayor.
En el rubro instalaciones deben considerarse los altoparlantes que a
veces conviene colocar en forma embutida en la pared del recinto del
Teatro del Hogar. En este caso es necesario usar tipos de parlantes para
embutir, similares a los que vemos en las figuras 5.22.A y 5.22.B. Los
parlantes destinados a ser embutidos suelen tener un marco de
montaje que permite su colocación en forma prolija y muchas veces
poseen también una rejilla frontal para disimular este montaje. El hueco
de la pared en el cual entra el parlante debe tener las dimensiones
adecuada en cada caso. Las medidas de este hueco son indicadas
generalmente por el fabricante de los parlantes. En muchos casos se
103

recomienda forrar el interior de cada hueco por medio de un


conglomerado especial que amortigua eventuales vibraciones y
resonancias que pudiesen interferir en la calidad tonal del conjunto.
Observe también que en el conjunto de parlantes para embutir en la
pared de la figura 5.22.B se ha incorporado un amplificador y los
circuitos de cruce que se necesitan en parlantes múltiples.
Otro aspecto relacionado con la estética de la instalación es la ubicación
de los diferentes componentes que integran el sistema instalado. En la
figura 5.23 vemos un tipo de instalación sencilla y sobria en el cual los
componentes están a la vista en uno de los costados de la estantería
principal, cerca del sillón del usuario principal. Se observa en esta
fotografía de Sharp también el proyector instalado en el cielorraso. Este
tipo de instalación no es desde luego el único, ya que en la figura 5.24
vemos un mueble completo con monitor y equipo de componentes que
está protegido y oculto por medio de sendas puertas que permiten el
acceso en forma selectiva, de acuerdo a las necesidades de cada
función. Las amplias puertas permiten también ubicar la discoteca de
discos CD que puede estar oculta o visible, según las puertas del
mueble que se abren o cierran.

Apéndice. Datos útiles para el constructor de equipos de audio.

A.1. Valores de reactancia capacitiva para diferentes frecuencias y


valores de capacidad.

Los valores de reactancia capacitiva se basan en la expresión:


104

XC = 1/2πf. Donde XC se expresa en


ohms y f en Hertz

Audiofrecuencias
Capacida 30 Hz 50 Hz 100 Hz 400 Hz 1000 Hz 5000 Hz
d en µF
.00005 - - - - - 637.000
.0001 - - - - 1,590.000 318.000
.00025 - - - 1,590.000 637.000 127.000
.0005 - - 3,180.00 796.000 318.000 63.700
0
.001 - 3,180.00 1,590.00 398.000 159.000 31.800
0 0
.005 1,060.0 637.00 318.00 79.600 31.800 6.370
00 0 0
.01 531.00 318.00 159.00 39.800 15.900 3.180
0 0 0
.02 263.00 159.00 79.60 19.900 7.960 1.590
0 0 0
.05 106.00 63.70 31.80 7.960 3.180 637
0 0 0
.1 53.10 31.80 15.90 3.180 1.590 318
0 0 0
.25 21.20 12.70 6.37 1.590 637 127
0 0 0
.5 10.60 6.37 3.18 796 318 63,7
0 0 0
1 5.31 3.18 1.59 389 159 31,8
0 0 0
2 2.65 1.59 79 199 79, 15,9
0 0 6 6
4 1.31 79 39 99, 39, 7,9
0 6 8 5 8 6
8 66 39 19 49, 19, 3,9
3 8 9 7 9 8
10 53 31 15 38, 15, 3,1
1 8 9 9 9 8
20 26 15 7 19, 7, 1,5
5 9 9,6 9 96 9
50 10 63 3 7, 3, 0,6
6 ,7 1,8 96 18 37

Radiofrecuencias.
105

Capacida 175 kHz 252 kHz 465 kHz 550 kHz 1000 kHz 1500 kHz
d en µF
.00005 18.200 12.600 6.850 5.800 3.180 2.120
.0001 9.100 6.320 3.420 2.900 1.590 1.060
.00025 3.640 2.530 1.370 1.160 637 424
.0005 1.820 1.260 685 579 318 212
.001 910 632 342 290 159 106
.005 182 126 68,5 57,9 31,8 21,2
.01 91 63,2 34,2 28,9 15,9 10,6
.02 45,5 31,6 17,1 14,5 7,96 5,31
.05 18,2 12,6 6,85 4,79 3,18 2,12
.1 9,1 6,3 3,42 2,89 1,59 1,06
0 2
.25 3,6 2,5 1,37 1,16 0,637 0,424
4 3
.5 1,8 1,2 0,68 0,579 0,318 0,212
2 6 5
1 0,9 0,63 0,34 0,289 0,159 0,106
10 2 2
2 0,4 0,31 0,17 0,145 0,079 0,0531
55 6 1 6
4 0,2 0,15 0,08 0,072 0,039 0,0265
27 8 56 3 8

Radiofrecuencias
Capacida 6 MHz 12 MHz 18 MHz 25 MHz 50 MHz 100 MHz
d en µµF
10 2650 1330 888 637 318 159
22 1206 603 402 290 145 72,4
47 565 282 188 135 67,7 33,9
100 265 133 88,8 63,7 31,8 15,9
220 120,6 60,3 40,2 29,0 14,5 7,24
470 56,5 28,2 18,8 13,5 6,77 3,39
1000 26,5 13,3 8,88 6,37 3,18 1,59
2200 12,06 6,03 4,02 2,90 1,45 0,724
4700 5,65 2,82 1,88 1,35 0,677 0,339
10.000 2,65 1,33 0,888 0,637 0,318 0,159

A.2. Expresiones en decibeles.


La siguiente Tabla está basada en las expresiones:

La relación puede ser P1/P2 para potencias o E1/E2 para tensiones.


106

Relación dB (de dB (de


potencia) tensión)

1,0 0 0
1,1 0,414 0,828
1,2 0,792 1,584
1,3 1,139 2,279
1,4 1,461 2,923
1,5 1,761 3,522
1,6 2,041 4,082
1,7 2,304 4,609
1,8 2,553 5,105
1,9 2,788 5,575
2,0 3,010 6,021
2,1 3,222 6,444
2,2 3,424 6,848
2,3 3,617 7,235
2,4 3,802 7,604
2,5 3,979 7,959
2,6 4,150 8,299
2,7 4,314 8,627
2,8 4,472 8,943
2,9 4,624 9,248
3,0 4,771 9,542
3,1 4,914 9,827
3,2 5,051 10,103
3,3 5,185 10,370
3,4 5,315 10,630
3,5 5,441 10,881
3,6 5,563 11,126
3,7 5,682 11,364
3,8 5,798 11,596
3,9 5,911 11,821
4,0 6,021 12,041
4,1 6,128 12,256
4,2 6,232 12,465
4,3 6,335 12,669
4,4 6,435 12,869
4,5 6,532 13,064
4,6 6,628 13,255
4,7 6,721 13,442
4,8 6,812 13,625
4,9 6,902 13,804
5,0 6,990 13,979
5,1 7,076 14,151
107

5.2 7,160 14,320


5,3 7,243 14,486
5,4 7,324 14,648
5,5 7,404 14,807
5,6 7,482 14,964
5,7 7,559 15,117
5,8 7,634 15,269
5,9 7,709 15,417
6,0 7,782 15,563
6,1 7,853 15,707
6,2 7,924 15,848
6,3 7,993 15,987
6,4 8,062 16,124
6,5 8,129 16,258
6,6 8,195 16,391
6,7 8,261 16,521
6,8 8,325 16,650
6,9 8,388 16,777
7,0 8,451 16,902
7,1 8,513 17,025
7,2 8,573 17,147
7,3 8,633 17,266
7,4 8,692 17,385
7,5 8,751 17,501
7,6 8,808 17,616
7,7 8,865 17,730
7,8 8,921 17,842
7,9 8,976 17,953
8,0 9,031 18,062
8,1 9,085 18,170
8,2 9,138 18,276
8,3 9,191 18,382
8,4 9,243 18,486
8,5 9,294 18,588
8,6 9,345 18,690
8,7 9,395 18,790
8,8 9,445 18,890
8,9 9,494 18,988
9,0 9,542 19,085
9,1 9,590 19,181
9,2 9,638 19,276
9,3 9,685 19,370
9,4 9,731 19,463
9,5 9,777 19,554
9,6 9,823 19,645
9,7 9,868 19,735
108

9,8 9,912 19,825


9,9 9,956 19,913
10,0 10,000 20,000
100 20 40
1000 30 60
10000 40 80

Para hallar valores de decibeles por arriba de una relación de 10, debe
separar el valor de la relación en dos factores y sumar los decibeles de
cada uno. Por ejemplo: E1/E2 = 400 = 4 x 100. Los valores de decibel de
cada factor son 12,041 + 40 = 52,041.
Recuerde los valores aritméticos de los factores se multiplican, los
valores logarítmicos de los decibeles se suman.

En muchos casos se usa para la indicación de potencias o niveles de


volumen la indicación VU o DBM. Ambos son equivalentes y se refieren
al nivel de un miliwatt como nivel de referencia cero. 0 DBM = 0 VU =
1 miliwatt. Al aplicar una potencia de 1 miliwatt sobre una resistencia
de carga de 600 ohm, se obtiene tensión de 0,77459 Volt RMS. Se suele
usar el valor redondeado de 0,775 Volt RMS. En los instrumentos que
miden unidades VU (VU-metros), se introduce un retardo de 0,3
milisegundos para simular el tiempo de respuesta natural del oído
humano. Este retardo se suele presentar en forma espontánea al usar
siempre un instrumento de aguja en los VU-metros. Esto, sin embargo
introduce valores erróneos en algunas mediciones. La lectura de la
potencia de pico del programa que se efectúa en el PPM = Peak Power
Meter, es, en este aspecto más exacto. Sin embargo se usan ambos
métodos en la actualidad.
En la siguiente Tabla se efectúa el cálculo de los valores equivalentes
de potencia en watts y de las tensiones equivalentes sobre una
impedancia de carga de 600 ohms.
Si las tensiones se miden sobre valores de impedancia diferentes, es
necesario usar la siguiente expresión:
La tensión sobre la impedancia Z es EZ y V es el valor indicado en la
Tabla siguiente.

Se observará en la siguiente Tabla que los valores de W se duplican


cada 3 DBM y los valores de V cada 6 DBM, como es lógico esperar.

W en DBM V en VOLT
WATT
100 +50 245
80 49 218
61 48 195
109

50 47 173
40 46 155
32 45 138
25 44 123
20 43 109
16 42 97,5
12,5 41 86,9
10 40 77,5
8 39 69,0
6,25 38 61,5
5 37 54,8
4 36 48,9
3,12 35 43,6
2,5 34 38,8
2 33 34,6
1,56 32 30,8
1,25 31 27,5
1 +30 24,5

A.3. Nivel de energía en semiconductores.


Se usa la siguiente expresión para indicar el nivel de energía de
fotones o cuantos de luz.

donde E es el cuantum de energía


-27
h es la constante de Planck ( 6,5347 x 10 erg segundos)
v es la frecuencia de la luz incidente
En uno de sus libros el eminente científico Stephen Hawking
(1942- ) nos da una definición muy acertada de la constante de
Planck (premio Nobel Max Planck, 1858-1947), al relacionarla con
el “Principio de incertidumbre” de Werner Karl Heisenberg (1901-
1976), otro Premio Nobel alemán, quién manifestó, que “la
incertidumbre en la posición de una partícula, multiplicada por la
incertidumbre en su velocidad, nunca puede ser más pequeña que
una constante que se conoce como constante de Planck”.

La velocidad de la luz es: c = (299790,0 ±0,7) km/seg


Longitudes de ondas de la luz: 1 nm (nanometro) = 1 mµ (milimicron) =
-9
10 Å (unidades Angstrom) = 10 m.

Ultravioleta violeta azul verde amarillo naranja rojo


infrarrojo
110

400 450 500 570 590 610 650 700


780 nm
________________________________________________________________

A.4. Prefijos normalizados por el sistema SI.

PREFIJO SIMBOLO SI VALOR


Yotta Y 10
24

Zetta Z 10
21

Exa E 10
18

Peta P 10
15

Tera T 10
12

Giga G 10
9

Mega M 10
6

Kilo K 10
3

hecto h 10
2

deca da 10
1

deci d 10
-1

centi c 10
-2

mili m 10
-3

micro µ 10
-6

nano n 10
-9

pico p 10
-12

femto f 10
-15

atto a 10
-18

24
1 Yottabyte = 1000 Zettabyte = 1 x 10 bytes

A.5.) ESPECTRO DE FRECUENCIAS DE LAS ONDAS


ELECTROMAGNETICAS.

LONGITUD DE ONDA FRECUENCIA DESTINO


7
3 x 10 metros 10 Hz
111

6
3 x 10 metros 100 Hz
5
3 x 10 metros 1 kHz
4
3 x 10 metros 10 kHz VLF-4
3
3 x 10 metros 100 kHz LF-5
2
3 x 10 metros 1 MHz MF-6
30 metros 10 MHz HF-7
3 metros 2
10 MHz VHF-8
30 cm 10 MHz = 1 UHF-9
3

GHz
3 cm 4
10 MHz SHF-10
0,3 cm 5
10 MHz EHF-11
3 x 10 cm=3 x 10 Å= 300 10 MHz = 1 12, infrarrojo
-2 6 6

µm THz
-3 5
3 x 10 cm=3x10 Å= 30 µm 10 MHz
7 Infrarrojo
-4 4
3 x 10 cm= 3x10 Å= 3 µm 10 MHz
8 Infrarrojo
680 a 380 nm = 0,68 a 0,38 Luz visible
µm
10 MHz = 1 Ultravioleta
-5 3 9
3 x 10 cm =3x10 Å = 0,3
µm PHz
-6 2 -
3 x 10 cm =3x10 Å=3x10 10 MHz
10 Ultravioleta
2
µm
-7
3 x 10 cm =30 Å= 3x10
-3 11
10 MHz Ultravioleta, rayos X
µm blandos
MHz = 1 Ultravioleta, rayos X,
-8 -4 12
3 x 10 cm = 3 Å = 3x10 10
µm EHz
-9 -5
3 x 10 cm = 0,3 Å = 3x10 10 MHz
13 Rayos X,
µm
-10
3 x 10 cm = 3x10 Å
-2 14
10 MHz Rayos X duros, rayos
-6 gamma,
=3x10 µm

A.6. Circuitos varios para equipos de audio.

(a) Un amplificador de potencia clase A.


En la figura A.1. vemos el circuito de un sencillo amplificador de audio
alta fidelidad que funciona con una válvula 300B o sus substitutos
directos, en una configuración de clase A. Se necesita para completar
este sistema una fuente de alimentación que puede ser convencional
con una válvula 5U4 y un preamplificador.
Las características de este amplificador son las siguientes:
Potencia de salida: 11 Watt,
112

THD: <0,1%,
Respuesta de frecuencia: 15 a 15.000 Hz.

(b)Un amplificador de audio con circuito integrado para uso mono o


stereo.
Los circuitos integrados TDA1516Q y TDA1518Q son sumamente
versátiles y permiten una serie de aplicaciones diferentes interesantes.
Se trata en principio de amplificadores duales integrados en
configuración de clase B con una ganancia fijada en forma interna, lo
que permite un balance de los canales dentro de 1 dB. Se trata de dos
integrados con encapsulado plástico y 13 patas en formato SIL, pero
formados para obtener un formato DIL. Las características principales
de ambas unidades surgen de la Tabla siguiente.
Características de los integrados TDA1516Q y TDA1518Q.
CARACTERÍSTICAS TDA1516Q TDA1518Q
Potencia de salida, 24 Watt con ZCARGA = 4 24 Watt con ZCARGA = 4
con circuito Ohm Ohm
bootstrap en BTL
Potencia de salida, 22 Watt con ZCARGA = 4 22 Watt con ZCARGA = 4
sin circuito bootstrap Ohm Ohm
en BTL
Potencia de salida 2 x 7 Watt con ZCARGA = 2 x 7 Watt con ZCARGA =
stereo con circuito 4 Ohm 4 Ohm
bootstrap
Potencia de salida 2 x 12 Watt con ZCARGA 2 x 12 Watt con ZCARGA
stereo con circuito = 2 Ohm = 2 Ohm
bootstrap
Potencia de salida 2 x 6 Watt con ZCARGA = 2 x 6 Watt con ZCARGA =
stereo sin circuito 4 Ohm 4 Ohm
bootstrap
Potencia de salida 2 x 11 Watt con ZCARGA 2 x 11 Watt con ZCARGA
stereo sin circuito = 2 Ohm = 2 Ohm
bootstrap
Tensión de offset en 100 mV 100 mV
la salida
Ganancia de tensión 26 dB con BTL 46 dB con BTL
de lazo cerrado 20 dB en stereo 40 dB en stereo
Rechazo de ripple 48 dB para ZCARGA= 0 48 dB para ZCARGA = 0
Ohm, entre 100 y Ohm, entre 100 y
10.000 Hz. 10.000 Hz.
Protección térmica Incorporado Incorporado
Entrada idéntica Si Si
para conexión
inversora y no-
inversora
113

BTL = Bridged Transformerless = circuito puente sin transformador de


salida. Este circuito es monaural.
Una característica especial en ambos integrados es la conexión de una
llave de stand-by (en espera) en la pata 11, como podemos observar en
los circuitos de la figura A.2. En caso de usar esta prestación se conecta
una tensión de encendido de 0 a 2 Volt en la pata 11 con una corriente
de solo 12 µA. La corriente de la fuente de stand-by es <100 µA. La
tensión de la pata 11 para el funcionamiento normal es >8,1 Volt.
De los circuitos que se ilustran en la figura A.2 corresponde uno a una
versión monaural de BTL y el otro a un amplificador stereo. Ambos usan
muy pocos componentes externos.

(c) Un preamplificador con doble triodo.


El preamplificador cuyo circuito observamos en la figura A.3 funciona
con un doble triodo tipo 12AX7. Se caracteriza por tener una entrada
para guitarra eléctrica u otro instrumento musical electrónico y para
este fin incorpora también un circuito de control de tono de tres etapas
que forma parte de un ecualizador ubicado entre la primera y la
segunda etapa amplificadora. Los tres controles están colocados en
serie, teniendo el control de agudos un potenciómetro de 250K, el
control de graves uno de 1 Megohm y el control de tonos medios un
potenciómetro de 25K. En el circuito de ecualización intervienen
también dos capacitores de 22 nanofarad, uno de 270 picofarad y un
resistor de 100K. El volumen del preamplificador se regula con un
potenciómetro de 1 Megohm. La disposición de los tres controles de
tono es interesante y puede ser usada también en otros tipos de
circuitos.

(d)El amplificador QUAD II.


El amplificador del epígrafe posee un diseño en el cual el peso de la
corrección de fase y de la realimentación se encuentra en el
transformador de salida de audio. El conexionado de sus múltiples
devanados contribuye en forma decisiva en la pureza de la
reproducción sonora del equipo. No es un circuito muy usado, pero con
los componentes correctos permite una excelente reproducción de
audio. En la figura A.4 vemos este circuito. Como se observa, se usan
las siguientes válvulas: 2 x EF86 y 2 x KT66.

A.7. Jitter.
Jitter.
Jitter (temblor) es un efecto que se presenta en equipos digitales que
poseen algún error de temporización durante el paso de la conversión
digital-analógica. Se puede comparar con los conocidos efectos de
“wow” y “flutter” que pueden estar presentes en equipos analógicos.
En ambos casos se introducen distorsiones en la señal original.
114

La eliminación del Jitter puede presentar dificultades insospechadas


debido a que en un CD con un sobremuestreo de 8 veces (8x), por
ejemplo, cada muestra tiene una duración de sólo 1/352.800 segundos.
Esto exige una exactitud de procesamiento en el orden de los
picosegundos (pS).
Este grado de exactitud es por otra parte también influenciado por el
método de medición. En un caso típico se puede obtener una exactitud
de ±2 pS si se toma en cuenta sólo el efecto de una muestra con
respecto a la siguiente, o de ±35 pS si se toma en cuenta los errores
acumulativos a través del tiempo. Por otra parte sistemas de transporte
menos sofisticados pueden presentar cifras de ±25 pS y ±1200 pS para
el mismo disco.
Otra fuente de error puede provenir del instrumental usado para la
medición. Esto implica que más allá de ciertaos límites, los resultados
deben considerarse sólo como indicaciones cualitativos y no
cuantitativos.
Por este motivo algunas mediciones no sólo pueden ser erróneos, sino
incluso pueden conducir a errores gruesos que pueden desvirtuar otras
mediciones de diferentes parámetros de mayor confiabilidad.
Tomados en forma aislada, las cifras del Jitter no son válidos como
elemento de juicio, sólo el conjunto de todos los parámetros permite
evaluar debidamente un equipo, sobre todo cuando se toma en cuenta
su comportamiento musical en conjunto, que es el parámetro más
importante en un instrumento musical electrónico de alta fidelidad.

Epígrafe figuras.
Figura 1.1. El oído humano.
Figura 1.2. El umbral de audición.
Figura 1.3. Corte transversal por un altoparlante.
Figura 1.4. Las frecuencias del rango auditivo.
Figura 1.5. El efecto de la reverberación.
Figura 1.6. Efectos sonoros en equipos HiFi.
Figura 1.7. Especificaciones para tres equipos de audio.
Figura 1.8. Efectos de la acentuación o atenuación de sonidos en el
rango audible.
Figura 1.9. La cadena de amplificación de audio.
Figura 1.10. La ubicación de parlantes de sonido envolvente.
115

Figura 1.11. Un reproductor de CD con amplificador a válvulas, de


Dynaco.
Figura 2.1. Un receptor de radio a galena (1925).
Figura 2.2. Un receptor de radio a válvulas (1931).
Figura 2.3. Un tocadisco para discos de 78 RPM de shellac (1910).
Figura 2.4. Símbolos para varios tipos de válvulas.
Figura 2.5. Un circuito rectificador de onda completa.
Figura 2.6. La construcción de la válvula triodo.
Figura 2.7. El efecto de amplificación e inversión de fase del triodo.
Figura 2.8. La curva característica de una válvula.
Figura 2.9. La válvula tetrodo.
Figura 2.10. La emisión secundaria del tetrodo.
Figura 2.11. El pentodo.
Figura 2.12. El efecto de la grilla supresora.
Figura 2.13. Un circuito básico con pentodo.
Figura 2.14. Circuito de cátodo común.
Figura 2.15. Circuito de grilla común.
Figura 2.16. Circuito de placa común.
Figura 2.17. El amplificador diferencial.
Figura 2.18. El Manual de válvulas de Sylvania (1968).
Figura 2.19. El Manual de válvulas de Philips (1967).
Figura 2.20. El acoplamiento con transformador.
Figura 2.21. El acoplamiento capacitivo.
Figura 2.22. El acoplamiento directo (amplificador Loftin-White).
Figura 2.23. Corriente contínua y alterna en la etapa de salida de audio.
Figura 2.24. Shockley, Bardeen y Brattain en 1947. (usar
la fotografía
publicada en la pág. 18
del N° 127 de S.E.)
Figura 2.25. Comparación de tamaño entre válvulas y transistores.
(usar la fotografía
publicada en la pág. 19
del N° 127 de S.E.)
Figura 2.26. Los niveles de energía en diferentes tipos de materiales.
Figura 2.27. Una familia de curvas para diodos Zener.
Figura 2.28. Un transistor de juntura.
Figura 2.29. Símbolos para transistores BJT del tipo P y del tipo N.
Figura 2.30. Un transistor FET (efecto de campo).
Figura 2.31. Otro tipo de construcción para FET´s en circuitos
integrados.
Figura 2.32. Circuito esquemático de una compuerta lógica integrada.
Figura 3.1. Circuito de un amplificador de 10 watt con triodo 2A3 y
fuente de alimentación.
Figura 3.2. Circuito de un amplificador HiFi con transistores bipolares de
25 watt.
Figura 3.3. Esquema en bloques del amplificador de la figura 3.2.
116

Figura 3.4. La etapa de compensación con TR7.


Figura 3.5. Circuito de una fuente de alimentación regulada.
Figura 3.6. Circuitos de protección contra cortocircuitos.
Figura 3.7. Formas de onda del ajuste de los circuitos de protección.
Figura 3.8. La plaqueta de armado para el amplificador de 25 Watt.
Figura 3.9. La distribución de componentes sobre el circuito impreso.
Figura 3.10. La respuesta de frecuencia del amplificador de la figura
3.2.
Figura 3.11. La distorsión armónica total.
Figura 3.12. El ancho de banda de potencia.
Figura 3.13. Circuitos y curvas básicas para MOS-FET. (ver disquette
a75f2.jpg)
Figura 3.14. Configuraciones circuitales de MOS-FET. (ver disquette
a75f3.jpg)
Figura 3.15. Un amplificador diferencial con MOS-FET. (ver disquette
a75f4.jpg)
Figura 3.16. Un amplificador operacional. (ver disquette 75f5.jpg)
Figura 3.17. Variantes en el circuito de entrada. (ver disquette
75f6.jpg)
Figura 3.18. Entrada con dos pares diferenciales. (ver disquette
75f7.jpg)
Figura 3.19. Circuito mejorado. (ver disquette 75f8.jpg)
Figura 3.20. La etapa de excitación del amplificador con MOS-FET (un
solo canal). (ver
disquette
75f9a.jpg)
Figura 3.21. La etapa de salida del amplificador con MOS-FET (un solo
canal).
(ver
disquette 75f9b.jpg)
Figura 3.22. Respuesta del amplificador A75 sin realimentación. (ver
disquette 75f21.jpg)
Figura 3.23. Circuito equivalente del modo balanceado. (ver disquette
75f10.jpg)
Figura 3.24. El circuito de la fuente de alimentación. (ver disquette
75f11.jpg)
Figura 3.25. Un dispositivo para la prueba para transistores MOS-FET.
(ver
disquette 25f12.jpg)
Figura 3.26. Aspecto y dimensiones del disipador térmico sugerido.
(ver
disquette 25f13.jpg)
Figura 3.27. Curva de respuesta de distorsión versus frecuencia. (ver
disquette 25f19.jpg)
Figura 3.28. Circuito de un amplificador con el integrado TDA1514A de
Philips.
117

Figura 3.29. Aspecto del amplificador con TDA1514A, armado.


Figura 3.30. Circuito de un amplificador estereofónico con C.I. TDA1521
de Philips.
Figura 3.31. Aspecto del amplificador con TDA1521, armado.
Figura 3.32. El amplificador Williamson. (ver disquette
WILLIAMSON).
Figura 4.0. Las curvas de Fletcher-Munson.
Figura 4.1. El esquema en bloques del preamplificador.
Figura 4.2. Circuito de un canal del preamplificador universal.
Figura 4.3. Respuesta de ecualización para el pick-up magnético.
Figura 4.4. Curva de respuesta para los controles de tono de graves y
agudos.
Figura 4.5. Circuito para la etapa de estabilización de la fuente.
Figura 4.6. La plaqueta del preamplificador del canal de izquierda.
Figura 4.7. Distribución de componentes del canal de izquierda.
Figura 4.8. La plaqueta del preamplificador del canal de derecha.
Figura 4.9. Distribución de componentes del canal de derecha.
Figura 4.10. Las conexiones a la plaqueta del canal de izquierda.
Figura 4.11. Los puntos de puesta a tierra.
Figura 4.12. Un preamplificador a válvulas.
Figura 4.13. Un ecualizador gráfico de 7 bandas.
Figura 4.14. Las frecuencias de notas musicales.
Figura 4.15. Un ecualizador paramétrico.
Figura 4.16. El esquema del sistema BBE.
Figura 4.17. Un pasadiscos, último modelo.
Figura 5.1.A. Un “combinado” de 1939.
Figura 5.1.B. Un Teatro del Hogar primitivo de 1951.
Figura 5.2. Un Teatro del Hogar moderno y compacto.
Figura 5.3. Un Teatro del Hogar moderno más elaborado.
Figura 5.4. Un Teatro del Hogar con “pantalla gigante”.
Figura 5.5. Los componentes básicos de un Teatro del Hogar moderno.
Figura 5.6. La distribución de parlantes en el DOLBY DIGITAL 5.1.
Figura 5.7. Un equipo con retroproyector incorporado.
Figura 5.8. Un proyector de video externo.
Figura 5.9. Detrás de la pantalla de proyección.
Figura 5.10. Un proyector portátil.
Figura 5.11. Una pantalla portátil enrollable.
Figura 5.12. Tamaños de pantalla y distancias para el proyector portátil.
Figura 5.13. Propuesta de DOLBY SURROUND DIGITAL N° 1.
Figura 5.14. Propuesta de DOLBY SURROUND DIGITAL N° 2.
Figura 5.15. Propuesta de DOLBY SURROUND DIGITAL N° 3.
Figura 5.16. Propuesta de DOLBY SURROUND DIGITAL N° 4.
Figura 5.17. Propuesta de DOLBY SURROUND DIGITAL N° 5.
Figura 5.18. Propuesta de DOLBY SURROUND DIGITAL N° 6.
Figura 5.19. Propuesta de DOLBY SURROUND DIGITAL N° 7.
Figura 5.20. Los logos del sistema DOLBY DIGITAL y de los discos DVD.
118

Figura 5.21. El Stand de Microsoft en la Exposición de Electrónica del


Consumidor.
Figura 5.22.A. Altoparlantes para embutir en la pared.
Figura 5.22.B. Un conjunto de parlantes para embutir con amplificador.

Figura 5.23. Aspecto de un Teatro del Hogar con componentes a la


vista. (Cortesía de

Sharp)
Figura 5.24. Aspecto de un Teatro del Hogar con componentes dentro
de un mueble.
Figura A.1. Circuito de amplificador de audio, clase A.
Figura A.2. Circuitos de aplicación para TDA1516Q y TDA1518Q.
Figura A.3. Un preamplificador con doble triodo.
Figura A.4. El amplificador QUAD II. (ver disquette QUAD II)

(Nota del autor: Sírvase no incluir en el texto del libro las notas de los
epígrafes de figuras entre paréntesis referidas a (ver disquette......). Se
usan solo para el suministro de las figuras respectivas durante la
preparación del libro. Otras expresiones entre paréntesis deben
incluirse.)

TABLAS.
TABLA 1.1. Las notas de la escala musical.
TABLA 1.2. Longitud de onda de diferentes tonos.
TABLA 1.3. Especificaciones típicas de un subwoofer.
TABLA 1.4. Especificaciones sobre potencia de salida en equipos de
audio.
TABLA 2.1. Hitos en la historia del desarrollo de válvulas y
semiconductores.
TABLA 2.2. Los valores de resistividad de diferentes substancias.
TABLA 2.3. Sector de la Tabla Periódica de Elementos.
TABLA 2.4. La polarización en la compuerta integrada F = NO(A.B+C).
TABLA 2.5. Los límites actuales de transistores MOS.
TABLA 3.1. Especificaciones del amplificador de la figura 3.3.
TABLA 3.2. Parámetros característicos de algunos transistores de salida.
TABLA 3.3. Valores de condición de cortocircuito en la etapa de salida.
TABLA 3.4. Lista de equivalencias de varios transistores MOS-FET.
TABLA 3.5. Spread en los valores medidos.
TABLA 3.6. Equivalentes en mm de la figura 3.26.
TABLA 3.7. Características del amplificador con C.I. TDA1514A.
TABLA 3.8. Características del amplificador con C.I. TDA1521.
TABLA 4.1. Las características de entrada del preamplificador universal.
TABLA 4.2. La respuesta de frecuencia de acuerdo a las normas RIAA.
119

TABLA 4.3. Notas para el circuito de la figura 4.2.


TABLA 4.4. La ganancia para cada entrada.
TABLA 4.5. Características de un ecualizador gráfico de 7 bandas.
TABLA 5.1. Distancias de proyección para proyectores con tubos de 8
pulgadas (20 cm).
TABLA 5.2. Características de un proyector de Sanyo.
TABLA 5.3. Características digitales de diferentes plataformas de audio.

Figura 1.8. Efectos de la acentuación o atenuación de sonidos dentro


del rango audible.

Hertz 20 100 500 1000 5000


10.000 20.000

graves graves medios rango medio rango medio


agudos
profundos superior

atenuación:
débil pastoso
apagado

acentuación:
120

potente cálido
brillante
vibrante inflado nasal chillón
vivaz

____________________________________________________________________________________

Figura 1.10. Distribución de parlantes en un sistema de audio


multicanal con sonido
envolvente

n n n

izquierda centro
derecha

n
subwoofer

n n n
121

izquierda oyente
derecha
envolvente
envolvente
122

Dual Triode Preamplifier


123

Figura A.3. Un preamplificador con doble triodo.

Figura 1.9. La cadena de amplificación de audio.

________________________________________________________________

(1)Dispositivos de entrada: (2) Preamplificador: (3) Amplificador:


(4) Parlantes:
Discos LP, CD, DVD, Control de volumen,
semiconductores woofer,
124

Cassettes CC, DCC, DAT, Controles de tono, o válvulas,


squawker,
Cinta magnética, Ecualizador gráfico,
tweeter,
Micrófono, Ecualizador paramétrico,
crossover, Sintonizador,
(Las señales de entrada son de audiofrecuencias).

AMPLIFICADORES DE AUDIO 1999.


POR EGON STRAUSS
NOTAS PARA LA TAPA DEL LIBRO Y PUBLICIDAD.

La obra AMPLIFICADORES DE AUDIO por Egon Strauss (Editorial


QUARK) está dirigido al amante de la buena música, del HiFi y del High
End con aspiraciones técnicas. Se analiza en forma técnica con énfasis
en la parte musical, todo lo relacionado con los Amplificadores de Audio
en sus diferentes aspectos. Esta obra será de suma utilidad para el
Audiófilo
Técnico
Diseñador
Comerciante
Aficionado
Profesional

Se incluyen los siguientes temas.


*El oído humano y la acústica
125

*La escala musical


*La alta fidelidad HiFi y High End
*Desarrollo histórico del Audio
*Las válvulas
*Los semiconductores bipolares
*Los transistores MOS-FET
*Los circuitos integrados
*Amplificadores de audio con válvulas, transistores bipolares,
transistores MOS-FET y
circui
tos integrados.
*Características de amplificadores “famosos”, como Loftin-White,
Williamson y otros.
*Preamplificadores
*Ecualizadores gráficos y paramétricos
*El Teatro del Hogar
*Control del Teatro del Hogar por computadora
*Datos útiles para el constructor e instalador de equipos de audio

El texto ofrece explicaciones y desarrollos en lenguaje sencillo y


fácilmente entendible por todos los aficionados y profesionales de la
buena música en su aspecto técnico y está ilustrado por más de 100
figuras y Tablas.
Una obra que no puede faltar en la biblioteca del Conoisseur, del
Melómano y del Técnico.

El Autor.

EGON STRAUSS, el autor de la presente obra, tiene publicado más de


50 títulos de libros técnicos en la Argentina y en otros países
sudamericanos. Es además autor de más de 5000 artículos técnicos,
publicados en diversas revistas técnicas de Argentina, México, Estados
Unidos y otros.
126

Egon Strauss cursó sus estudios en la Technische Hochschule de Viena,


Austria, su país natal. Radicado en el nuestro, encauzó sus
conocimientos hacia la indústria radioeléctrica. Ha realizado
interesantes trabajos de Electromedicina, de cuyos sistemas tiene
algunos patentados.
Como socio del Centro Argentino de Televisión, entidad que ha
presidido en distintas oportunidades, tuvo destacada actuación
en los promeros experimentos de transmisión y recepción
televisiva realizados en el país. En dicha Institución pronunció
también conferencias, dictó clases teórico-prácticas sobre la
materia y preparó en unas y otras muchos de los actuales
técnicos de nuestro medio.
Sus periódicos viajes a los centros industriales electrónicos de los
Estados Unidos de Norte América, Japón y Europa (Gran Bretaña,
Alemania, España entre otros) le proporcionaron la ampliación de sus
conocimientos sobre la materia y la confianza de destacadas firmas
nacionales y extranjeras de la industria electrónica, que le
encomendaron la responsable tarea de dirigir la instalación de sus
plantas en nuestro país, y en el exterior (Brasil, México, Perú,
Venezuela, Chile, Uruguay, España, Israel y Sudáfrica).
El autor concurre habitualmente desde hace muchos años a eventos
técnico-comerciales internacionales, como la IFA de Berlín y la CES de
los Estados Unidos.

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