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DESARROLLO, CONSTRUCCION,
ENSAYO.
VALVULAS Y SEMICONDUCTORES.
POR
EGON STRAUSS.
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PROLOGO.
Indice.
Prólogo.
Capítulo 1.
Introducción al audio.
4000 Hz 0,085 m
squawker está en los 300 a 600 Hertz, mientras que el cruce entre
squawker y tweeter está en los 2000 a 4 000 Hertz.
Existe un cuarto tipo de parlantes, los subwoofer, cuyo rango de
operación está por debajo de los 150 Hertz, aproximadamente.
Debemos recordar que las nuevas plataformas de música digital, como
el disco DVD y también la televisión digital DTV, pueden funcionar con 6
canales discretos (separados) de audio y en este caso uno de estos seis
canales lleva exclusivamente la información para el subwoofer.
Cuando se usan estos tres o cuatro grupos de parlantes, es necesario
alimentarlos con las frecuencias que corresponden a su rango de
acción. Si un tweeter recibe no sólo las frecuencias altas, sino también
otras mucho más bajas, pueden introducirse distorsiones muy difíciles
de esconder acústicamente. Para lograr entonces una división de
frecuencia adecuada se recurre a los divisores de frecuencia que dan
paso sólo a las frecuencias deseadas para cada grupo de parlantes. Se
puede usar también amplificadores separados para cada grupo, lo que
mejora aún más el efecto beneficioso de la división de frecuencias, si
bien a costo de un precio más alto del equipo. En un equipo del tipo HiFi
o High End, este incremento del costo es casi inevitable. En algunos
casos se usan circuitos de cruce activos y no pasivos para reducir el
aspecto costos y como solución intermedia.
Cuando se usan varios parlantes en forma conjunta, alimentados de un
mismo amplificador o simplemente en forma simultánea, resulta
necesario evitar una interacción nociva entre el patrón de radiación de
cada uno de ellos. En estos casos es necesario tomar en cuenta la
polaridad de la conexión de la bobina móvil de cada uno de ellos, ya
que esta conexión afecta la fase la señal irradiada. Parlantes
conectados con la fase incorrecta influyen en forma muy negativa sobre
la calidad y el volumen sonoro del conjunto. Una de las medidas
aconsejadas en toda instalación de teatro del hogar o de equipos de
HiFi, es observar y controlar cuidadosamente este aspecto.
Para lograr una reproducción acústica de alta calidad es importante
también tomar en cuenta los gabinetes dentro de los cuales están
ubicados los parlantes y asimismo las condiciones acústicas del
ambiente dentro del cual actúan. En cuanto a los gabinetes acústicos
existen diferentes variantes, pero todos ellos tienen una función básica
que consiste en separar en forma eficiente la radiación frontal de la
radiación posterior del cono del parlante. Como ambos tienen fase
opuesta, se corre el riesgo de efectos de distorsión muy serios si se
pretende usar parlantes sin gabinete o baffle. El efecto final depende de
la frecuencia y potencia en juego, pero para una reproducción sonora
correcta es imprescindible un montaje adecuado de los parlantes. Para
evaluar el comportamiento eléctrico, mecánico y acústico de un
altoparlante no es suficiente basarnos en una evaluación puramente
empírica por medio de nuestros oídos, también es necesario determinar
ciertos parámetros funcionales que enumeramos a continuación. Lo
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Otro renglón que merece una atención especial en esta categoría son
los cables de conexión debido a que su construcción y sus dimensiones
pueden influir notablemente en la calidad final de la reproducción
sonora. Esto es especialmente cierto en los cables usados para la
conexión de parlantes que en algunos equipos deben transportar una
corriente de audiofrecuencia de varias decenas de amperes y por lo
tanto deben estar debidamente diseñados para este fin. Este aspecto es
aplicable también a los equipos HiFi en general, pero en los equipos
High End es simplemente ineludible.
la marca Dynaco que resalta una vez más este aspecto. La tendencia en
equipos comerciales de unir un reproductor de CD con un amplificador a
válvulas no es muy difundida, pero no nos consta que en los equipos
fabricados para un cliente en particular, un equipo “custom”, esta
modalidad no tenga una difusión bastante amplia.
En el Capítulo 3 nos ocuparemos muy detenidamente con los
amplificadores de audio, su funcionamiento, su construcción y su
evaluación, pero previamente consideramos oportuno repasar un poco
el modo de funcionar de válvulas y semiconductores y también evocar
un poco la historia técnica que nos condujo a ambos.
Capítulo 2.
más alta cuando no hay corriente y más baja cuando si hay corriente de
placa, debido a la caída de tensión producida en la resistencia de carga,
como vemos en la figura 2.7. Esto significa que la tensión de placa está
invertida en 180 grados (en contrafase) con respecto a la tensión de
grilla. La válvula triodo amplifica e invierte en la placa la señal aplicada
en la grilla. Ambas propiedades son usadas en diferentes aplicaciones
prácticas de las válvulas.
El comportamiento de cada triodo depende de su construcción interna,
la superficie de los electrodos y sobre todo de la distancia entre ellos.
También intervienen los valores de tensión de grilla y placa que
permiten usar y la corriente de placa que toleran. Estos factores pueden
expresarse en forma matemática por medio de tres magnitudes: Factor
de amplificación “µ”, Resistencia interna “Ri” y Pendiente “S” de la
válvula. En algunos manuales de válvulas se usa las letras gm en lugar
de S, pero ambos símbolos significan transconductancia o pendiente.
Estos tres parámetros están relacionados entre sí por medio de la
siguiente expresión que fue introducida por Barkhausen:
µ = Ri . S
Se define el factor de amplificación como la relación de las variaciones
en las tensiones de grilla y de placa para lograr el mismo cambio en la
corriente de placa. Si una variación de 2 volt en la tensión de grilla
produce el mismo cambio en la corriente de placa que un cambio de 40
volt en la tensión de placa, entonces el factor de amplificación µ es 20.
Se suele expresar esta situación de la siguiente manera.
µ = ∆ Up / ∆ Ug, donde ∆ Up es la variación en la tensión de placa y ∆
Ug es la variación en la tensión de grilla que produce la misma variación
en la corriente de placa Ip.
De lo expuesto surge que µ = Ri / S = ∆ Up / ∆ Ug.
Estas relaciones permiten hallar también a Ri y a S de la siguiente
manera.
Con tensión de grilla constante
Ri = ∆ Up / ∆ Ip y la pendiente S, también llamada transconductancia y
expresada en mA/V, es la siguiente S = µ / Ri = ∆ Ip / ∆ Ug. En muchos
casos la transconductancia es expresada en microsiemens (µS) que es
equivalente al mA/V, guardando las dimensiones. Por ejemplo una
transconductancia puede ser de 3 mA/V = 3000 µS = 3000 micromho.
La transconductancia o pendiente expresa en cuantos miliamperes (mA)
va a cambiar la corriente de placa Ip por cada volt de cambio en la
tensión de grilla Ug.
Los valores definidos de µ, S y Ri permiten evaluar el comportamiento
de cada válvula en el puesto de trabajo en el cual deseamos disponerla.
Una válvula puede funcionar como amplificadora de tensión para
incrementar el valor de la amplitud de la señal o puede funcionar como
amplificadora de potencia para lograr el valor de potencia que
necesitamos en un determinado equipo para excitar los parlantes y en
cada caso se necesitan válvulas diferentes, adecuadas para esta
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Placa
Ri es la resistencia interna de la
válvula.
Las magnitudes µ y Ri son las que ya habíamos visto más arriba como
parte de la fórmula de Barkhausen y Rp es un valor que debemos
establecer en el diseño de la etapa. En muchos Manuales de Válvulas se
indican los valores recomendados para diferentes tensiones de placa y
otras consideraciones. Más adelante veremos aplicaciones prácticas de
estos conceptos.
Cuando se usa las válvulas para amplificar frecuencias altas, el valor de
la capacidad interelectródica empieza tener importancia. Si bien este
valor es reducido, tal vez de solo 2 picofarad (micro micro farad), este
valor puede ser importante en una frecuencia de 100 MHz. Como se
sabe, la reactancia capacitiva en ohms se expresa como X c = 1 / 2πf. C.
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2.2.3. El tetrodo.
Para reducir la capacidad interelectródica en válvulas se introdujo una
grilla más entre la grilla de señal y la placa. Este tetrodo de cuatro
electrodos posee un comportamiento mejor en altas frecuencias debido
a que se divide la capacidad entre placa y grilla en dos capacitores en
serie, lo que reduce su valor real. En la figura 2.9 vemos este efecto de
la grilla pantalla en forma esquemática. En la figura 2.10 vemos sin
embargo que en este caso se produce otro fenómeno debido a la
polaridad positiva de la grilla pantalla. La misma atrae de nuevo
algunos electrones que rebotan de la placa y esto es considerado una
emisión secundaria. Las consecuencias indeseadas de este efecto son
tratadas más adelante.
2.2.4. El pentodo.
Para eliminar la emisión secundaria fue necesario introducir una tercera
grilla, la grilla supresora que tiene polarización de cátodo y por lo tanto
rechaza los electrones secundarios que son emitidos por el rebote en la
placa. La grilla supresora impide que la grilla pantalla reciba electrones
secundarios. En la figura 2.11 vemos el aspecto constructivo de una
válvula pentodo y en la figura 2.12 vemos como la grilla supresora
elimina la emisión secundaria. Se observa también la curva
característica de un pentodo en su aspecto de tensión de placa con
respecto a corriente de placa. Se observa que esta curva posee una
parte muy lineal que resulta apta para una amplificación sin
distorsiones.
En la figura 2.13 vemos un circuito básico con pentodo. Se observa que
solo la grilla y la placa tienen presencia de señal. En el cátodo, en la
grilla supresora y en la grilla pantalla las señales que pudiesen
presentarse en estos electrodos son desacoplados a masa mediante
sendos capacitores o conexiones directas a masa. El valor capacitivo de
cada uno de los capacitores de desacople debe ser tal que constituya
una reactancia reducida en la frecuencia de trabajo de la válvula. En
Audiofrecuencias se necesitan valores de capacidad altos, a veces de
varios microfarad, que son suministrados por capacitores electrolíticos,
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Una tercera posibilidad es el uso del circuito grilla de señal – masa como
entrada y cátodo – masa como salida, con el ánodo como electrodo
común a masa. En este caso se introduce una realimentación negativa
por el camino común de cátodo a masa y la salida es menor que la
entrada en cuanto a su amplitud. Sin embargo se transforma la
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técnico de service puede ser suficiente tener solo los datos del Manual
más comprimido.
Para los fines nuestros en este caso conviene analizar los datos
suministrados por ambos fabricantes. Por lo pronto vemos en ambos las
conexiones de la base y el régimen de trabajo de filamento y placa.
Como no hay curvas características en el Manual de Sylvania, debemos
concentrarnos en este aspecto en el Manual de Philips que muestra las
curvas y además da indicaciones ya elaboradas para el uso de esta
válvula. Así vemos los datos de funcionamiento para diferentes
condiciones de trabajo y diferentes valores de circuito. Se indican por
ejemplo los valores del resistor de carga de placa, del resistor de cátodo
y del resistor de grilla de la etapa siguiente. Como son lógico estos
valores son imprescindibles para el diseño de la etapa en la cual
queremos utilizar esta válvula. Se indican también las diferencias en el
funcionamiento que se pueden observar con la variación de algunos de
los valores indicados.
Una forma de obtener datos característicos de algún tipo de válvula en
particular es en la actualidad la alternativa de dirigirse al fabricante de
este tipo de válvula. Muchos envían los datos de sus productos a los
interesados con sólo pedirlos. Una dirección interesante en este aspecto
es la de la empresa Svetlana cuyo domicilio en los Estados Unidos es la
siguiente:
Svetlana Electron Devices
8200 South Memorial Parkway
Huntsville, AL 35802
U.S.A.
de una válvula 12AU7, doble triodo similar al doble triodo que vimos en
las páginas de los Manuales de válvulas de las figuras 2.17 y 2.18.
En la figura 2.22 vemos que el secreto de este acoplamiento directo es
el resistor de cátodo de la segunda unidad de la 12AU7. Este resistor
tienen un valor de 33K contra solo 510 ohms del resistor de cátodo de
la primera unidad. Esta polarización permite conectar la grilla de la
segunda unidad a la placa de la primera sin ningún otro componente
reactivo. Se usa solo un resistor de 4,7K en serie con la grilla. En este
caso particular el divisor de tensión que existe en todas estas etapas
está formado por el resistor de 68K de carga de placa y el de 4,7K de
grilla. Estos valores indican apenas un 7% de pérdida entre ambas
etapas, pero con la ventaja de la transferencia plana de todas las
frecuencias audibles.
Si comparamos este diseño con el convencional con capacitor
tendríamos que usar un capacitor de por lo menos 4 microfarad en serie
con la grilla para tener una reactancia capacitiva similar. Pero en este
caso se produciría un problema con las frecuencias altas debido a que la
capacidad a masa de un capacitor tan abultado puede introducir
pérdidas en las frecuencias altas, sin lograr una compensación perfecta
en las frecuencias bajas. El circuito del amplificador Loftin-White fue el
primero que tomó en cuenta el boom del audio de la actualidad que
recomienda el uso de sub-woofers en las frecuencias muy bajas. En la
época de su mayor vigencia, el amplificador Loftin –White fue
considerado el equivalente del High End de hoy.
Capítulo 3. Amplificadores.
BD11 TO-39 245 180 245 0,2 200 12,5 >22 0,55
5
BD18 TO-3 55 45 55 10 200 1,5 20-70 2
1
BD18 TO-3 70 60 70 15 200 1,5 20-70 5
2
BD18 TO-3 85 80 85 15 200 1,5 20-70 5
3
El significado de las siglas es el siguiente:
VCBO = tensión entre colector y base
VCEO = tensión entre colector y emisor
VCER = tensión de ruptura entre colector y emisor
ICM = corriente de colector (máxima permitida)
Tj max = temperatura de la juntura (máxima permitida)
Rth j-mb = resistencia térmica de la juntura
hFE = ganancia de corriente
ICBO M = corriente de colector a base (máxima permitida)
Debido a que IB < I, aún con la ganancia más baja de BC148, la relación
entre VCE y VBE se transforma en:
*************************************************************************
*************************************************************************
*************************************************************************
********** que se desarrollaron importantes circuitos de aplicación que
permiten producir amplificadores de audio de alta fidelidad con
prestaciones similares a los amplificadores valvulares y a un costo
razonable.
Uno de los circuitos es un modelo desarrollado por los Laboratorios Pass
bajo la dirección técnica del Ing. Nelson Pass, al cual agradecemos
todas las informaciones suministrados respecto a su modelo A75 que
usaremos en la presente sección de esta obra.
Para entrar entonces en la descripción de este modelo, usaremos a
continuación primero algunos conceptos básicos sobre MOS-FET de
potencia y para ello vemos en la figura 3.13 unos circuitos básicos de
aplicación de transistores MOS-FET de canal “N” y de canal “P” y sus
respectivas curvas de respuesta.
En principio podemos considerar un transistor MOS-FET como
dispositivo de tres terminales, denominados surtidor (source) (s),
drenaje (drain) (d) y compuerta (gate) (g), respectivamente. En el
esquema básico de la figura 3.13.a vemos que la corriente de la fuente
de un MOS-FET circula entre surtidor (s) y drenador (d) y es controlada
por la compuerta (g). Al existir en un MOS-FET de canal “N” una tensión
negativa en el surtidor y positiva en el drenaje, su funcionamiento
ofrece muchas similitudes con el de una válvula. También en el MOS-
FET de canal “N” es necesario aplicar tensiones positivas en la
compuerta para aumentar la circulación de corriente entre surtidor y
drenaje. En un caso típico, la tensión de compuerta (gate) para producir
una circulación de corriente de drenaje, es de 4 volt. Una tensión
menor corta la corriente, una tensión mayor a 4 Volt, aumenta la
corriente. Este fenómeno se ilustra en las curvas de la figura 3.13.b. En
los transistores MOS-FET de canal “P” el proceso se realiza en forma
muy similar, pero con la polaridad inversa.
La capacidad de amplificar de un transistor MOS-FET es su
transconductancia que es expresada en mho (OHM invertido) o Siemens
y medida en A/V. La expresión siguiente clarifica este concepto.
S = ∆ISD/∆EG
Esto significa que se expresa la transconductancia S en Siemens como
la relación del cambio de corriente de surtidor y drenaje (ISD) causado
por un cambio de la polarización de compuerta (EG). La
transconductancia es 1 Siemens cuando un cambio de polarización de 1
Volt produce un cambio de corriente de 1 Ampere.
Bajo el punto de vista constructivo se puede considerar que entre
drenaje y surtidor exista un diodo con polarización inversa. Este diodo
es implícito en el transistor MOS-FET y puede significar una ventaja bajo
ciertas circunstancias. Otro aspecto constructivo determina una tensión
de ruptura entre la compuerta y los demás electrodos. Esta tensión de
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Comenzando con la etapa de salida con una rápida visión previa, vemos
que se usan dos bancos de 12 transistores MOS-FET en paralelo. Esta
configuración de drenaje común es muy característica para los
transistores MOS-FET que de esta manera solo aportan ganancia de
corriente y no de tensión. Los dispositivos MOS-FET están arreglados en
forma complementaria con los de canal P en el lado negativo del
circuito y los de canal N del lado positivo. En concordancia con lo
expuesto anteriormente, se encuentran en serie con compuerta y
surtidor sendos resistores que cumplen las funciones ya conocidas. El
resistor de compuerta impide las oscilaciones y el del surtidor asegura
una distribución equitativa de la participación de corriente en cada
dispositivo.
Un problema muy serio en el conexionado en paralelo de transistores,
tanto bipolares como MOS-FET, es el coeficiente de temperatura que
tiene un comportamiento muy particular en cada caso. En los
transistores bipolares existe un coeficiente de temperatura positivo que
produce que la tensión de juntura VBE bajará con la temperatura,
causando un incremento de la corriente base-emisor. Al aumentar la
corriente, baja la tensión aún más, produciéndose un circulo vicioso que
puede terminar en un escape térmico (thermal runaway), capaz de
destruir el transistor en pocos segundos. Este coeficiente de
temperatura es responsable de la segunda tensión de ruptura en los
dispositivos bipolares que limita seriamente la utilización de un
transistor en tensiones altas al producir puntos calientes en la superficie
del transistor que modifican la curva de la corriente del transistor. En un
caso típico vemos por ejemplo que el transistor MJ15024 está calificado
para una disipación de 250 Watt con una tensión de 25 Volt, pero decae
a 100 Watt con una tensión de 100 Volt. Este fenómeno, denominado
en inglés “current hogging”, es la causa por la cual es necesario que en
el funcionamiento en paralelo de transistores bipolares se debe usar
resistores de emisor para obtener una participación pareja de la
corriente de todas las unidades.
En transistores MOS-FET la situación es algo diferente debido a que el
coeficiente de temperatura de los mismos es positivo hasta una
corriente relativamente elevada, pero despues se transforma en
negativo. En el caso del amplificador que estamos describiendo, el
coeficiente es positivo hasta unos 3 Amperes, de manera que bajo
condiciones normales de funcionamiento, la polarización aumentará
ligeramente al aumentar la temperatura.
Sin embargo otro factor muy importante es la tensión entre compuerta
y surtidor, VGS, del MOS-FET que debe ser balanceada cuidadosamente
en para poder usar los diferentes transistores en paralelo. De otra
manera, algunas unidades llevarán toda la carga y otras ninguna o
poca. Diferencias en VGS entre diferentes ejemplares pueden llegar a 0,5
Volt.
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Canal N Canal P
VGS valor mínimo (para ISD = 170 4,00 Volt 3,79 Volt
mA)
VGS valor máximo (para ISD = 4; 57 Volt 4,15 Volt
170 mA)
VGS valor promedio (para ISD = 4,42 Volt 4,01 Volt
170 mA)
parejos como sea posible, con 0,2 Volt como mínimo y 0,1 Volt como
meta preferida. Para poder lograr esta selección tenemos que contar
con un surtido adecuado del cual elegir. Para seleccionar 12 juegos
completos a 0,1 Volt de tolerancia necesitaremos posiblemente unas
150 unidades para seleccionar.
Un dispositivo de potencia genera calor y una parte de esta energía
térmica debe ser disipada por medio de sendos disipadores térmicos.
Veamos en primer término las potencias térmicas que entran en juego
en este proyecto.
Un amplificador de audio de clase A de 75 Watt tiene un consumo real
de unos 170 Watt, lo que surge de la siguiente situación: La tensión de
cresta de una onda sinusoidal pura como la que se obtiene en la salida
de un amplificador de clase A es 1,414 veces el valor de la tensión
media y la potencia de cresta es el doble de la potencia media. Un
amplificador de 75 Watt en 8 Ohms tendrá una potencia pico de 150
Watt, lo que significa una tensión de pico de 34,6 Volt debido a que.
Estimando una pérdida de 2 Volt, se necesitan en la fuente unos 37
Volt. Un transformador con secundario dividido de 28 Volt tendrá una
tensión de cresta de 28 x 1,414 = 40 Volt. Despues del filtrado y a
plena carga, se obtendrá en estas condiciones la tensión necesaria de
37 Volt.
La corriente de pico de los 34,6 Volts aplicada a una carga de 8 Ohm es
34,6/8 = 4,3 Ampere. La corriente de pico en el amplificador de clase A
es igual al doble de la corriente media, lo que nos da el valor de 2,2
Ampere. Con impedancias más bajas, la corriente será más alta.
Ahora una corriente de 2,2 ampere con una tensión de 37 Volt significa
2,2 x 37 = 81 Watt en el banco de transistores del lado positivo. Otros
81 Watt se necesitan en el lado negativo, con un total de 162 Watt de
disipación en reposo. Esto es ligeramente mayor al doble de la potencia
especificada de 75 Watt sobre 8 Ohms. Para 150 Watt en una carga de
4 Ohm, los valores cambian y se necesitará una capacidad mayor, cerca
de 324 Watt debido a la corriente mayor en este caso. En el
amplificador A75 se recomienda el uso de un transformador de 550
Watt, y la provisión de un soplador en el gabinete.
Como norma debemos asumir que un equipo o componente electrónico
no debe superar una temperatura de 45 a 50°C (grados centígrados).
Cualquier elemento con mayor temperatura sería intocable. Si
asumimos entonces una temperatura ambiente de 25°C y una
temperatura de 50°C como máxima permitida, debemos enfriar la
diferencia. Se requiere para ello un disipador térmico con una
resistencia térmica Rth que surge de la siguiente expresión:
Donde δ1 es la temperatura del equipo y δ2 es la temperatura
ambiente (25°C). Ptot es la potencia total a disipar expresada en Watt.
La resistencia térmica Rth es entonces una magnitud cuya dimensión es
de “grados por Watt”.
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ENTRADA GANANCIA
Pick-up a cristal, CD y LD 1,3 dB
Pick-up magnético 38,84 dB
Sintonizador de radio 7,34 dB
Grabador de cinta 1,3 dB
magnética
Micrófono magnético 40 dB
4.4. Ecualizadores.
Frente a la multiplicidad de fuentes de música electrónicas por una
parte y la diversidad de ambientes cerrados o abiertos en los cuales se
desarrollan las reproducciones musicales provenientes de estas
plataformas, no resulta extrañó que a veces haya que efectuar algunas
“correcciones” en las señales a reproducir para adaptarlas a estas
diferentes variantes de origen y de destino.
Uno de los componentes más influyentes para lograr este tipo de
adaptación es el ecualizador que permite efectuar modificaciones en la
señal producida para hacerla más placentero al oído del oyente. El
camino es la acentuación o atenuación de algunas notas o bandas de
notas, como por ejemplo las que integran una octava musical. Cuando
el ecualizador actúa sobre determinadas frecuencias prefijadas, se lo
denominamos ecualizador gráfico, en cambio cuando actúa sobre
ciertas bandas de frecuencia a ambos lados de una frecuencia central,
se lo identifica como ecualizador paramétrico.
En la figura 4.13 vemos el aspecto de un ecualizador gráfico de 7
bandas cuyas características surgen de la Tabla 4.6.
Audiofrecuencias
Capacida 30 Hz 50 Hz 100 Hz 400 Hz 1000 Hz 5000 Hz
d en µF
.00005 - - - - - 637.000
.0001 - - - - 1,590.000 318.000
.00025 - - - 1,590.000 637.000 127.000
.0005 - - 3,180.00 796.000 318.000 63.700
0
.001 - 3,180.00 1,590.00 398.000 159.000 31.800
0 0
.005 1,060.0 637.00 318.00 79.600 31.800 6.370
00 0 0
.01 531.00 318.00 159.00 39.800 15.900 3.180
0 0 0
.02 263.00 159.00 79.60 19.900 7.960 1.590
0 0 0
.05 106.00 63.70 31.80 7.960 3.180 637
0 0 0
.1 53.10 31.80 15.90 3.180 1.590 318
0 0 0
.25 21.20 12.70 6.37 1.590 637 127
0 0 0
.5 10.60 6.37 3.18 796 318 63,7
0 0 0
1 5.31 3.18 1.59 389 159 31,8
0 0 0
2 2.65 1.59 79 199 79, 15,9
0 0 6 6
4 1.31 79 39 99, 39, 7,9
0 6 8 5 8 6
8 66 39 19 49, 19, 3,9
3 8 9 7 9 8
10 53 31 15 38, 15, 3,1
1 8 9 9 9 8
20 26 15 7 19, 7, 1,5
5 9 9,6 9 96 9
50 10 63 3 7, 3, 0,6
6 ,7 1,8 96 18 37
Radiofrecuencias.
105
Capacida 175 kHz 252 kHz 465 kHz 550 kHz 1000 kHz 1500 kHz
d en µF
.00005 18.200 12.600 6.850 5.800 3.180 2.120
.0001 9.100 6.320 3.420 2.900 1.590 1.060
.00025 3.640 2.530 1.370 1.160 637 424
.0005 1.820 1.260 685 579 318 212
.001 910 632 342 290 159 106
.005 182 126 68,5 57,9 31,8 21,2
.01 91 63,2 34,2 28,9 15,9 10,6
.02 45,5 31,6 17,1 14,5 7,96 5,31
.05 18,2 12,6 6,85 4,79 3,18 2,12
.1 9,1 6,3 3,42 2,89 1,59 1,06
0 2
.25 3,6 2,5 1,37 1,16 0,637 0,424
4 3
.5 1,8 1,2 0,68 0,579 0,318 0,212
2 6 5
1 0,9 0,63 0,34 0,289 0,159 0,106
10 2 2
2 0,4 0,31 0,17 0,145 0,079 0,0531
55 6 1 6
4 0,2 0,15 0,08 0,072 0,039 0,0265
27 8 56 3 8
Radiofrecuencias
Capacida 6 MHz 12 MHz 18 MHz 25 MHz 50 MHz 100 MHz
d en µµF
10 2650 1330 888 637 318 159
22 1206 603 402 290 145 72,4
47 565 282 188 135 67,7 33,9
100 265 133 88,8 63,7 31,8 15,9
220 120,6 60,3 40,2 29,0 14,5 7,24
470 56,5 28,2 18,8 13,5 6,77 3,39
1000 26,5 13,3 8,88 6,37 3,18 1,59
2200 12,06 6,03 4,02 2,90 1,45 0,724
4700 5,65 2,82 1,88 1,35 0,677 0,339
10.000 2,65 1,33 0,888 0,637 0,318 0,159
1,0 0 0
1,1 0,414 0,828
1,2 0,792 1,584
1,3 1,139 2,279
1,4 1,461 2,923
1,5 1,761 3,522
1,6 2,041 4,082
1,7 2,304 4,609
1,8 2,553 5,105
1,9 2,788 5,575
2,0 3,010 6,021
2,1 3,222 6,444
2,2 3,424 6,848
2,3 3,617 7,235
2,4 3,802 7,604
2,5 3,979 7,959
2,6 4,150 8,299
2,7 4,314 8,627
2,8 4,472 8,943
2,9 4,624 9,248
3,0 4,771 9,542
3,1 4,914 9,827
3,2 5,051 10,103
3,3 5,185 10,370
3,4 5,315 10,630
3,5 5,441 10,881
3,6 5,563 11,126
3,7 5,682 11,364
3,8 5,798 11,596
3,9 5,911 11,821
4,0 6,021 12,041
4,1 6,128 12,256
4,2 6,232 12,465
4,3 6,335 12,669
4,4 6,435 12,869
4,5 6,532 13,064
4,6 6,628 13,255
4,7 6,721 13,442
4,8 6,812 13,625
4,9 6,902 13,804
5,0 6,990 13,979
5,1 7,076 14,151
107
Para hallar valores de decibeles por arriba de una relación de 10, debe
separar el valor de la relación en dos factores y sumar los decibeles de
cada uno. Por ejemplo: E1/E2 = 400 = 4 x 100. Los valores de decibel de
cada factor son 12,041 + 40 = 52,041.
Recuerde los valores aritméticos de los factores se multiplican, los
valores logarítmicos de los decibeles se suman.
W en DBM V en VOLT
WATT
100 +50 245
80 49 218
61 48 195
109
50 47 173
40 46 155
32 45 138
25 44 123
20 43 109
16 42 97,5
12,5 41 86,9
10 40 77,5
8 39 69,0
6,25 38 61,5
5 37 54,8
4 36 48,9
3,12 35 43,6
2,5 34 38,8
2 33 34,6
1,56 32 30,8
1,25 31 27,5
1 +30 24,5
Zetta Z 10
21
Exa E 10
18
Peta P 10
15
Tera T 10
12
Giga G 10
9
Mega M 10
6
Kilo K 10
3
hecto h 10
2
deca da 10
1
deci d 10
-1
centi c 10
-2
mili m 10
-3
micro µ 10
-6
nano n 10
-9
pico p 10
-12
femto f 10
-15
atto a 10
-18
24
1 Yottabyte = 1000 Zettabyte = 1 x 10 bytes
6
3 x 10 metros 100 Hz
5
3 x 10 metros 1 kHz
4
3 x 10 metros 10 kHz VLF-4
3
3 x 10 metros 100 kHz LF-5
2
3 x 10 metros 1 MHz MF-6
30 metros 10 MHz HF-7
3 metros 2
10 MHz VHF-8
30 cm 10 MHz = 1 UHF-9
3
GHz
3 cm 4
10 MHz SHF-10
0,3 cm 5
10 MHz EHF-11
3 x 10 cm=3 x 10 Å= 300 10 MHz = 1 12, infrarrojo
-2 6 6
µm THz
-3 5
3 x 10 cm=3x10 Å= 30 µm 10 MHz
7 Infrarrojo
-4 4
3 x 10 cm= 3x10 Å= 3 µm 10 MHz
8 Infrarrojo
680 a 380 nm = 0,68 a 0,38 Luz visible
µm
10 MHz = 1 Ultravioleta
-5 3 9
3 x 10 cm =3x10 Å = 0,3
µm PHz
-6 2 -
3 x 10 cm =3x10 Å=3x10 10 MHz
10 Ultravioleta
2
µm
-7
3 x 10 cm =30 Å= 3x10
-3 11
10 MHz Ultravioleta, rayos X
µm blandos
MHz = 1 Ultravioleta, rayos X,
-8 -4 12
3 x 10 cm = 3 Å = 3x10 10
µm EHz
-9 -5
3 x 10 cm = 0,3 Å = 3x10 10 MHz
13 Rayos X,
µm
-10
3 x 10 cm = 3x10 Å
-2 14
10 MHz Rayos X duros, rayos
-6 gamma,
=3x10 µm
THD: <0,1%,
Respuesta de frecuencia: 15 a 15.000 Hz.
A.7. Jitter.
Jitter.
Jitter (temblor) es un efecto que se presenta en equipos digitales que
poseen algún error de temporización durante el paso de la conversión
digital-analógica. Se puede comparar con los conocidos efectos de
“wow” y “flutter” que pueden estar presentes en equipos analógicos.
En ambos casos se introducen distorsiones en la señal original.
114
Epígrafe figuras.
Figura 1.1. El oído humano.
Figura 1.2. El umbral de audición.
Figura 1.3. Corte transversal por un altoparlante.
Figura 1.4. Las frecuencias del rango auditivo.
Figura 1.5. El efecto de la reverberación.
Figura 1.6. Efectos sonoros en equipos HiFi.
Figura 1.7. Especificaciones para tres equipos de audio.
Figura 1.8. Efectos de la acentuación o atenuación de sonidos en el
rango audible.
Figura 1.9. La cadena de amplificación de audio.
Figura 1.10. La ubicación de parlantes de sonido envolvente.
115
Sharp)
Figura 5.24. Aspecto de un Teatro del Hogar con componentes dentro
de un mueble.
Figura A.1. Circuito de amplificador de audio, clase A.
Figura A.2. Circuitos de aplicación para TDA1516Q y TDA1518Q.
Figura A.3. Un preamplificador con doble triodo.
Figura A.4. El amplificador QUAD II. (ver disquette QUAD II)
(Nota del autor: Sírvase no incluir en el texto del libro las notas de los
epígrafes de figuras entre paréntesis referidas a (ver disquette......). Se
usan solo para el suministro de las figuras respectivas durante la
preparación del libro. Otras expresiones entre paréntesis deben
incluirse.)
TABLAS.
TABLA 1.1. Las notas de la escala musical.
TABLA 1.2. Longitud de onda de diferentes tonos.
TABLA 1.3. Especificaciones típicas de un subwoofer.
TABLA 1.4. Especificaciones sobre potencia de salida en equipos de
audio.
TABLA 2.1. Hitos en la historia del desarrollo de válvulas y
semiconductores.
TABLA 2.2. Los valores de resistividad de diferentes substancias.
TABLA 2.3. Sector de la Tabla Periódica de Elementos.
TABLA 2.4. La polarización en la compuerta integrada F = NO(A.B+C).
TABLA 2.5. Los límites actuales de transistores MOS.
TABLA 3.1. Especificaciones del amplificador de la figura 3.3.
TABLA 3.2. Parámetros característicos de algunos transistores de salida.
TABLA 3.3. Valores de condición de cortocircuito en la etapa de salida.
TABLA 3.4. Lista de equivalencias de varios transistores MOS-FET.
TABLA 3.5. Spread en los valores medidos.
TABLA 3.6. Equivalentes en mm de la figura 3.26.
TABLA 3.7. Características del amplificador con C.I. TDA1514A.
TABLA 3.8. Características del amplificador con C.I. TDA1521.
TABLA 4.1. Las características de entrada del preamplificador universal.
TABLA 4.2. La respuesta de frecuencia de acuerdo a las normas RIAA.
119
atenuación:
débil pastoso
apagado
acentuación:
120
potente cálido
brillante
vibrante inflado nasal chillón
vivaz
____________________________________________________________________________________
n n n
izquierda centro
derecha
n
subwoofer
n n n
121
izquierda oyente
derecha
envolvente
envolvente
122
________________________________________________________________
El Autor.