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- R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de máxima disipación de potencia
para obtener la máxima seguridad en el disparo
R = VFG / IFG
Una subida brusca del potencial de ánodo en el sentido directo de conducción provoca el disparo.
Este caso más que un método, se considera un inconveniente.
Está asociado a la creación de pares electrón-hueco por la absorción de la luz del elemento
semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.
El disparo por temperatura está asociado al aumento de pares electrón - hueco generados en las
uniones del semiconductor. Así, la suma de las corrientes tiende rápidamente al aumentar la
temperatura. La tensión de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura
y disminuye al aumentar ésta.
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El movimiento y los controles cubren un amplio rango de componentes que de alguna forma se
usan para generar y/o controlar movimiento. Áreas dentro de esta categoría incluyen
rodamientos, embragues y frenos, controles y transmisiones, componentes de transmisión,
decodificadores, controles de movimiento integrados, interruptores limitadores, actuadores
lineales, etapas de posicionamiento lineal, deslizadores y guías, sellos, anillas, solenoides y
resortes de transmisión de potencia.
5. Al igual que el tiristor, el circuito de la puerta también debe ser Protegido contra sobretensiones
y sobre corrientes. Los sobrevoltajes en el circuito de la compuerta pueden causar un disparo falso
y una sobre corriente puede causar una alta temperatura de unión.
Medida protectora: Sobre voltajes protección del tiristor Se logra utilizando un diodo Zener y una
resistencia se puede utilizar para proteger el circuito de la compuerta de sobre corriente. El ruido
en el circuito de la compuerta también puede causar una activación falsa que se puede evitar
usando una resistencia y un condensador en paralelo. Un diodo (D) se puede conectar en serie o
en paralelo con la compuerta para protegerlo de una alta tensión inversa.
6.