Universidad Nacional

Autónoma de México

Facultad de Ingeniería

Laboratorio de Amplificadores 
Electrónicos. 

Práctica 4. Amplificador tipo darlington 

Prof. Domingo Teodoro Mendoza Rosales

Integrantes:
Sánchez Villegas Yocelin Zanitzia
Moreno Jardines Zacbeh

Grupo: 4
Fecha: 6/Marzo/2019
1.​ Objetivos
​

● Analizar y diseñar un amplificador tipo Darlington

2.​ ​Introducción
En esta práctica se emplea el uso de un transistor Darlington el cual son dos transistores unidos
en el colector y en el emisor del primero respecto a la base del segundo transistor. La utilización
de estos transistores es para obtener una corriente de salida mayor que la de entrada, esto
conlleva a una ganancia de corriente mayor.
Marco teórico:
Darlington Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos
transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto
de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en
corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas
frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La
tensión base​-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base​-emisor, y para
transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlington se halla
multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla
multiplicando la intensidad de la base por la beta total.
β DARLIN GT ON = B 1 B 2 + B 1 + B 2

Figura 1. Esquema amplificador Darlington

3.​ ​Material
·​ ​Transistor

·​ ​Cables (banana-banana, banana-caimán, jumpers)

·​ ​Protoboard

·​ ​Resistencias (diferentes valores).

Instrumentos de medición
·​ ​Multímetro

·​ ​Osciloscopio
4.​ ​Desarrollo
Para el desarrollo de la práctica se alambraron los siguientes circuitos para los cuales se analizará
su diseño para poder polarizar y obtener el punto de operación deseado

Fig.2 Circuito utilizado

C1=C2= 1 μF
R1=3M Ω , R2=2M Ω , RE=100 Ω

Experimento 1. ​Se desea obtener los valores del circuito sin carga y con carga de 50 ohms
Para este primer experimento se realizaron los cálculos correspondientes:
V CC −V BE
IB = RB +β T RE = 3.37mA; V E = 3.0
VE
β T RE = I B ; RE = 100Ω
V CC −V BE
RB = V E /β T *RE − β T RE = 1.2M Ω
RB
R2 = V = 2M Ω
1− V B
CC
V CC
R1 = V BB RB = 3M Ω
RE
β T RB R β R
AV = ( R +β R )( R B+ RT ER ) ; AV =1
B T E E 1 B

5. Resultados
Utilizando nuestros transistores con un parámetro de beta de:
β 1 , β 2 = 9000
Y polarizando con 20V de entrada se obtuvieron los siguientes puntos de operación
Q1 (7.85[V ], 3.4[mA])
Q2 (8.55[V ], 17.3[μA])
Sin carga y a una frecuencia de 19.88KHz
V i = 1V pp
V O = 1V pp
AV = 1v/v

Fig.3 señal sin carga

Con una carga de 50 Ω

V i = 1V pp
V o = .9V pp
AV = .9v/v
I i = 7.3mA
I o = 1.5 μA
Ai = 4866.66A/A

Fig.4 Imagen de señal con carga

6. Conclusiones :
Se cumplió el objetivo de la práctica porque diseñamos un Darlington con una corriente
de salida mucho mayor que la entrada y observamos que el diseño es un colector común
por lo que su ganancia de voltaje es de 1 a 1 y aplicando una carga de 50 Ω la relación se
mantiene casi igual

7. Referencias:
http://dea.unsj.edu.ar/sredes/Biblioauxi/208732869-Antonio-Pertence-Junior-Amplificadores-Operacionale
s-y-Filtros-Activos.pdf
http://www.cartagena99.com/recursos/electronica/apuntes/Electronica%20Basica%20Para%20Ingenieros.p
df