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ELECTRONICA POTENCIAL
LABORATORIO SECCION 1
TUTOR:
Grupo: 203055_13
PROCEDIMIENTO:
PARAMETROS:
PROTEUS: CIRCUITO SIMULADO.
https://www.youtube.com/watch?v=0XKNsaqIVTo&t=72s
ELEMENTOS UTILIZADOS
CALCULOS
PRACTICA 2
ELECTRONICA POTENCIAL
LABORATORIO SECCION 2
TUTOR:
Grupo: 203055_13
Teoría:
MOSFET
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain),
puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET
de tres terminales.
La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con
una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta en la dirección P
hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en un sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia
adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si el sustrato está conectado internamente a la fuente
(como generalmente ocurre en dispositivos discretos) se conecta con una línea en el dibujo entre
el sustrato y la fuente.
FUNCIONAMIENTO
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los primeros son
los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el drenador y
la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae portadores minoritarios
hacia el canal, de manera que se forma una región de inversión, es decir, una región con dopado
opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la
concentración de electrones (en un NMOSFET o NMOS), o huecos (en un PMOSFET o PMOS). De
este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
SATURACIÓN O ACTIVA: Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )
EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN.
Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET,
pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden, como, por ejemplo:
APLICACIONES.
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de
MOSFET discretos más comunes son:
Las dimensiones más importantes en un transistor MOSFET son la longitud del canal (L) y el ancho
de la puerta (W). En un proceso de fabricación se pueden ajustar estos dos parámetros para
modificar el comportamiento eléctrico del dispositivo. La longitud del canal (L) se utiliza además
para referirse a la tecnología con la cual fue fabricado el componente electrónico.
El MOSFET ha sido escalado continuamente para reducir su tamaño por varias razones. El motivo
principal es que se pueden poner más transistores en una misma área superficial, aumentando la
densidad de integración y la potencia de cálculo de los microprocesadores.
Algunos de los factores que limitan el escalamiento del MOSFET son las siguientes:
Características de transferencia
2. Ajuste VDS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente mayor a ¼ del valor total.
3. V2 debe estar en cero voltios ahora cambie el valor de VGS variando el valor de V2. (mantenga
R2 en el valor mínimo) y observe como cae el valor de VDS cada 0.5V de variación del voltaje VGS,
llevando VGS a 5V.
V1 = VDS1 = 10V
VGS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0 mA
3v
4v 0 mA
5v
6v 1.23 mA
7v
8v 1.23 mA
V1 = VDS2 = 15 V ó 12V
VGS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0 mA
3v
4v 0 mA
4.6v 0.04 mA
6v 1.97 mA
7v
8v 1.97 mA
CARACTERÍSTICAS DE DRENAJE:
Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de elevadas potencias?
ELECTRONICA POTENCIAL
LABORATORIO SECCION 3
TUTOR:
Grupo: 203055_13
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated
Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las
características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor
en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras
que las características de conducción son como las del BJT.
• Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta
entonces, en particular en los variadores de frecuencia, así como en las
aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y
Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.
• El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz
y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
• Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada,
control de la tracción en motores y cocina de inducción.
• Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión.
• La tensión de control de puerta es de unos 15 V.
• Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal
eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
• Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido.
• Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la
corriente de base para mantenerse en conducción.
• Sin embargo, las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser
igualmente altas.
• En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores y los
MOSFET.
• Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso
respecto a los primeros.1
https://www.youtube.com/watch?v=3jfzggtD17I
1
Tomado de https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
IGBT – IRG4BC10U:
PRACTICA 3:
SIMULACION EN PROTEUS:
TOMA DE DATOS: VGE – VCE – IC
PRACTICA IGBT
% VGE (V2) VCE (V1) Ic
3% 0,45 10,2 0,21 uA
6% 0,9 10,2 0,21 uA
9% 1,35 10,2 0,21 uA
12% 1,8 10,2 0,21 uA
15% 2,25 10,2 0,21 uA
18% 2,7 10,2 0,21 uA
21% 3,15 10,2 0,21 uA
24% 3,6 10,2 0,21 uA
27% 4,05 10,2 0,21 uA
30% 4,5 10,2 0,21 uA
33% 4,95 10,2 0,21 uA
5,1 5,29 2,21 mA
5,25 0,84 v 4,22 mA
36% 5,4 0,83 v 4,23 mA
39% 5,85 0,81 v 4,23 mA
42% 6,3 0,81 v 4,24 mA
45% 6,75 0,81 v 4,24 mA
48% 7,2 0,81 v 4,24 mA
51% 7,65 0,81 v 4,24 mA
54% 8,1 0,81 v 4,24 mA
57% 8,55 0,81 v 4,24 mA
60% 9 0,81 v 4,24 mA
63% 9,45 0,81 v 4,24 mA
66% 9,9 0,81 v 4,24 mA
69% 10,35 0,81 v 4,24 mA
72% 10,8 0,81 v 4,24 mA
75% 11,25 0,81 v 4,24 mA
78% 11,7 0,81 v 4,24 mA
81% 12,15 0,81 v 4,24 mA
84% 12,6 0,81 v 4,24 mA
87% 13,05 0,81 v 4,24 mA
90% 13,5 0,80 v 4,24 mA
93% 13,95 0,80 v 4,24 mA
96% 14,4 0,80 v 4,24 mA
99% 14,85 0,80 v 4,24 mA
PRACTICA IGBT Ic
0,0049995
0,0044995
0,0039995
0,0034995
IC - AMPERIOS
0,0029995
0,0024995
0,0019995 PRACTICA IGBT Ic
0,0014995
0,0009995
0,0004995
-5E-07
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VGE(V2) VOLTIOS
https://www.youtube.com/watch?v=p-GPMwxqY18
Idss = Corriente de Drenaje a la fuente con una conexión de cortocircuito Cuando
el Vds aumenta desde cero hasta unos cuantos voltios la corriente Id aumenta.
Mientras más horizontal es la curva, mayor es la resistencia y si Vds aumenta hasta
donde parece que las dos regiones de agotamiento se tocan resulta la condicion de
ESTRECHAMIENTO.
Aumento de la resistencia debido al estrechamiento del canal Idss 0 Vp Vds Nivel
de saturación Vgs=0V Resistencia canal N Id
Mientras Vds se incrementa mas alla de Vp, la región del encuentro cercano entre
las dos regiones de agotamiento se incrementa pero el nivel de Id permanece
constante. Por lo tanto una vez que Vds > Vp, el J’FET tiene las características de
una fuente de corriente.
Idss es la corriente máxima de drenaje para un J’FET y esta definida mediante las
condiciones de Vgs= 0 V y Vds > I Vp I
Esta condición se lo conoce como Voltaje de Estrechamiento o Vp (PINCH OFF)2
2
Tomado de https://es.slideshare.net/armandorob/electronica-transitores-efecto-de-cambio
Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE sea 5V o mayor o igual al VTH y
V1 hasta que VCE = 10V.
V2=6v
Voltios voltios mA
V1 VCE IC
10 0,82 4,490E-03
12,3 0,84 5,500E-03
14,3 0,86 6,500E-03
16,4 0,88 7,490E-03
18 0,89 8,240E-03
20 0,9 9,230E-03
22,1 0,91 1,020E-02
24,2 0,92 1,120E-02
26,3 0,93 1,220E-02
28,5 0,94 1,330E-02
30,1 0,95 1,410E-02
32,4 0,96 1,510E-02
34,1 0,97 1,600E-02
36,4 0,98 1,710E-02
38,2 0,98 1,790E-02
40,1 0,99 1,880E-02
42 1 1,980E-02
44 1 2,070E-02
46 1,01 2,170E-02
48,1 1,02 2,270E-02
50,3 1,03 2,370E-02
52,6 1,03 2,480E-02
54,1 1,04 2,560E-02
56,6 1,04 2,680E-02
58,3 1,05 2,760E-02
60 1,05 2,840E-02
https://www.youtube.com/watch?v=hdcRK6_jK9A
https://www.youtube.com/watch?v=Ln9KuOA0h-4