Materiais Nanoestruturados

Aula - “Nanoestruturas 1D”

1
 Materiais 1D

• Nanoestruturas 1D são excelentes sistemas para investigar a

dependência das propriedades físicas como transporte
elétrico e térmico ou mecânicas, em razão da
dimensionalidade e redução de tamanho (confinamento
quântico e aumento da área superficial).

• Também podem exercer um papel importante como

conexões ou unidades funcionais na fabricação de
dispositivos em nanoescala eletrônicos, optoeletrônicos,
eletroquímicos e eletromecânicos.

2
 Materiais 1D

• O sistema de maior destaque é o baseado em nanotubos de

carbono.
• E atualmente, grande atenção tem sido dedicada ao
desenvolvimento de nanofios e nanofitas monocristalinas
baseadas em óxidos como ZnO, In2O3, CdO, Ga2O3, PbO2 e
SnO2, SiO2 ou misturas destes, entre outros.
• Particularmente, estas nanoestruturas podem apresentar
características semicondutoras ou metálicas por construção,
tendo a dopagem como um parâmetro controlável durante o
processo de crescimento.
• De forma geral, estas estruturas são puras, estruturalmente
uniformes, livres de defeitos em uma grande escala de
comprimentos e ainda apresentam superfícies “limpas”, não
necessitando de proteção contra oxidação.

3
 Materiais 1D
• Número de artigos publicados sobre nanofios por ano até
2005.[extraído de ref. 3] 51.869 vezes até 2019!

• Figure 1. Plot illustrating the number of published papers relating to nanowires each
year since the early 1990s. In the background is a scanning electron microscopy image
of fine silicon nanowires (average diameter, 20 nm).
4
 Materiais 1D

• Podem ser produzidas com controle estrutural tornando-os

atrativos para aplicações em nanotecnologia
• Vários trabalhos da literatura mostram diversas aplicações dos
nanofios/nanofitas para uso como sensores
• fabricação de heteroestruturas nanométricas, onde é possível
controlar durante o seu crescimento a dopagem, permitindo
criar dispositivos mais específicos como homojunções para
fabricação de transistores por efeito de campo ou emissores de
luz (LED) e heterojunções (ou nanofios segmentados) para
aplicações termoelétricas (bloqueio de fônons, mas com
transporte de elétrons).

5
 Materiais 1D

• Além da aplicação também como transistores (FET), essas

nanofitas estão se tornando promissoras também para a
criação de dispositivos baseados no crescimento verticalmente
alinhado de nanofitas, criando os chamados nanoarrays sobre
um substrato específico (processo epitaxial) permitindo criar,
por exemplo, dispositivos para emissão de elétrons por efeito
de campo.

• Estruturas especiais de nanofios de ZnO, com crescimento

dendrítico, apresentam emissão de laser ultravioleta e em
nanoarrays em aplicações como “energy harvesting”

6
 Materiais 1D

• As atuais dificuldades para o uso dessa classe de material

(quando comparado com quantum dots e poços quânticos)
estão relacionadas com a síntese e fabricação (reprodutíveis)
desses materiais com dimensões bem controladas, morfologia,
pureza de fase e composição química.

Diferentes tipos e nomes: whiskers, fibras,

nanofios, nanocintas, nanocordas,
nanotubos, etc....
Nanofio: nanoestrutura unidimensional
com elevada razão entre seção transversal
e comprimento
Diversas técnicas surgiram para a síntese
dessa classe de materiais.
7
 Materiais 1D

• Essas técnicas podem ser geralmente agrupadas em 4

categorias:
• (1) Crescimento espontâneo:
• (a) Condensação por evaporação (ou dissolução)
• (b) Crescimento Vapor (ou solução)-líquido-sólido (VLS or SLS)
• (c) Recristalização induzida por Stress
• (d) hidrotermal (tipo de condensação)
• (2) Sínteses baseadas em Moldes:
• (a) Deposição Eletroquímica ou por Eletroforese
• (b)Preenchimento por dispersão coloidal, fundido ou solução
• (c)Reação química com conversão
• (3) Electrospinning
• (4) Litografia

8
 Materiais 1D

Evolução da estrutura e variação da composição de nanofios através do

controle da síntese (a) material homogêneo (b) heteroestruturas axiais e
radiais (c) heteroestruturas ramificadas. As regiões coloridas indicam
composições químicas e/ou dopagem distintas.

9
Charles Lieber et al., MRS BULLETIN • VOLUME 32 • FEBRUARY 2007
 Materiais 1D

• Crescimento espontâneo, síntese baseada em moldes e

electrospinning são considerados processos de baixo para cima,
enquanto que litografia é uma técnica de cima para baixo.

• Crescimento espontâneo: nanofios monocristalinos ou

nanocordas

• Sínteses baseados em moldes geralmente produzem materiais

policristalinos e até mesmo amorfos.

10
 Crescimento espontâneo

• É o crescimento movido pela redução da energia livre de Gibbs

ou potencial químico.
• Essa redução de energia é geralmente realizada por
transformação de fase ou reação química e até mesmo por
alívio de tensão mecânica.
• E para a obtenção de nanofios, o crescimento anisotrópico é
necessário, ou seja, que o cristal cresça ao longo de certa
orientação mais rapidamente do que as outras.
• Importância de um crescimento homogêneo e o papel de
defeitos e impurezas nas condições de crescimento, que
determina a morfologia do produto final.

11
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Evaporação-condensação: também conhecido como processo

vapor-sólido (VS)
• Diminuição da energia livre de Gibbs vem da recristalização ou
diminuição da supersaturação
• 3 efeitos favorecem o crescimento anisotrópico:
- Diferentes faces de um cristal têm diferentes taxas de
crescimento
- Presença de imperfeições em direções específicas, tais
como linhas de discordâncias.
- acúmulo preferencial ou envenenamento por impurezas
em faces específicas

12
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Necessidade de entender os fundamentos de crescimento

cristalino, que é considerado uma reação heterogênea que pode
ser esboçada como:
• Difusão de espécies de crescimento a partir de uma fonte(bulk - tal como fase vapor
ou líquida) para a superfície de crescimento (processo rápido, não limitante da taxa
do processo)
• Adsorção e absorção de espécies na ou da superfície de crescimento (limitado pela
baixa supersaturação ou concentração de espécies para crescimento)
• Difusão superficial de espécies adsorvidas (entram ou saem da superfície de
crescimento).
• Crescimento superficial por incorporação irreversível das espécies adsorvidas na
estrutura cristalina.
• Um subproduto químico da reação gerado na superfície durante o crescimento pode
ser expulso desta superfície, permitindo que as espécies possam continuar a
participar do processo de crescimento
• Subprodutos químicos se difundem para fora da superfície criando vacâncias para
continuar o crescimento

13
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• ETAPAS PARA CRESCIMENTO (retirado do CAO, ref. [1]):

14
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Para a maior parte dos processos, a etapa que limita a taxa de

crescimento é a adsorção-desorção das espécies na superfície
de crescimento (etapa 2) ou a própria superfície de crescimento
(etapa 4).
• Se a etapa 2 é a limitante, a taxa de crescimento é determinada
pela taxa de condensação, J (átomos/cm2sec) e temos a
dependência com o número de espécies adsorvidas na
superfície de crescimento e que é diretamente proporcional à
pressão de vapor ou concentração, P, das espécies presentes no
vapor:

•  é o coeficiente de acomodação,  = (P-Po)/Po é a supersaturação das espécies de

crescimento no vapor, P0 é a pressão de vapor de equilíbrio do cristal na temperatura
T, m é a massa atômica da espécie e k é a constante de Boltzmann.

15
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Quando a superfície de crescimento torna-se o fator limitante, a

taxa de crescimento se torna independente da concentração das
espécies (imagem retirada do CAO, ref. 1).

16
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• A colisão das espécies na superfície de crescimento pode ser

descrita em termos do tempo de residência ou distância de
difusão antes de escapar de volta para a fase vapor. Esse tempo
de residência S é descrito como:

• Onde  é a freqüência vibracional do adátomo (espécie de

crescimento adsorvida) na superfície e EDES é a energia de
dessorção necessária para as espécies retornarem para a fase
vapor.

17
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Uma vez estacionada na superfície de crescimento, essas

espécies irão se difundir ao longo da superfície com um
coeficiente de difusão, DS, dado por:

• Onde ES é a energia de ativação para a difusão na superfície e aO

é o tamanho das espécies.
• Dessa forma, a distância média de difusão, X, para as espécies
de crescimento a partir do sítio de incidência é:

18
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Relembrando que diferentes faces de um cristal possuem

diferentes energias superficiais = essas faces possuem
diferentes densidades atômicas e átomos em diferentes faces
possuem um número diferentes de ligações não satisfeitas. Isso
leva a diferentes mecanismos e taxas variadas de crescimento.

• Isso leva a diversas teorias, tais como a Periodic Bond Chain,

onde o tipo de quebra de ligação que ocorre em uma dada face
do cristal determina o seu grupo: superfície plana, superfície em
escada e dobra de superfície.

19
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Para uma superfície plana a teoria clássica de step-growth é a

KSV (Kossel, Stranski and Volmer,)em que as descontinuidades
superficiais são responsáveis pelo crescimento cristalino (onde
terminando essas descontinuidades o crescimento para).

• Imagem retirado do livro do CAO, ref.´[1].

20
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Para evitar esse problema de regeneração que poderia parar o

processo de crescimento, Burton, Cabrera e Frank propuseram a
teoria de que as linhas de discordância servem de fonte de sítios para
o crescimento em escada e em espiral (teoria BCF):

• Imagem retirado do livro do CAO,ref. [1].

21
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• A teoria PBC (Periodic Bond Chain )pode ser melhor visualizada na figura
abaixo:

• Imagem retirado do livro do CAO, ref [1].

22
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Exemplos de Crescimento por evaporação-condensação

ZnO nanobelts (nanocinta ou nanorod)

retirado do livro do CAO [1]

Imagens por MEV e TEM de nanocintas de

ZnOs [Z.W. Pan, Z.R. Dai, and Z.L. Wang,
Science 291, 1947 (2001).]

23
Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

ZnO nanobelts
Imagem por MEV de nanoestruturas
helicoidais monocristalinas de ZnO.
A largura típica dessas nanocintas é
da ordem de 30nm
As helices giram todas no mesmo
sentido – mão esquerda. [X.Y. Kong
and Z.L. Wang, Nano Lett. 3, 1625
(2003).]

24
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Utilizando atmosfera ambiente a partir de um sólido:

Micrografias por (A) MEV e (B) MET de nanofios de CuO nanowires sintetizados pelo aquecimento
de um fio de cobre (0.1 mm de diÂmetro) ao ar na temperature de 500°C por 4 hr. Cada nanofio de
CuO é um bicristal, como mostrado através de um padrão de difração de elétrons e por MET de alta
resolução(C). [X. Jiang, T. Herricks, andY. Xia, Nano Lett. 2, 1333 (2002).] 25
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• Alguns experimentos fizeram uso de agente redutor e oxidante

para auxiliar no processo de crescimento.
• Por exemplo, hidrogênio e água foram usados no crescimento
de óxidos binários, tais como A12O3, ZnO and SnO2 através de
um processo em duas etapas (redução e oxidação)
• Nanofios podem ser sintetizados pela evaporação térmica de
monóxido de silício sob uma atmosfera redutora. Pós de SiO são
simplesmente aquecidos a uma temperatura de 1300°C e o
vapor de monóxido de silício é transportado através de uma
mistura de argônio e 5% de hidrogênio. Um substrato de silício
(100) é mantido a 930°C para o crescimento.
• Carbono, por exemplo, é usado na síntese de nanofios de MgO

26
 Crescimento espontâneo
Condensação por evaporação (ou dissolução)

• O processo de Crescimento por dissolução-condensação difere da

evaporação em relação ao meio de crescimento utilizado. No
processo de dissolução-condensação as espécies são inicialmente
dissolvidas em um solvente (ou solução) por onde difundem-se e
depositam na superfície de um substrato resultando no crescimento
de nanocordas ou nanofios.

Imagens MEV de nanofios de prata

crescidos em solução usando
nanopartículas de Pt como sementes. [Y.
Sun, B. Gates, B. Mayers, and Y. Xia, Nano
Lett. 2, 165 (2002).]

27
 Crescimento espontâneo Vapor-Líquido-Sólido
VLS
• No crescimento VLS uma segunda fase de material, geralmente uma
impureza ou catalisador, é introduzido propositalmente para
direcionar e confinar o crescimento do cristal em uma orientação
específica e em uma área confinada.
• O catalisador forma inicialmente uma gota líquida sozinha e
posteriormente uma liga com o material de crescimento, agindo
como armadilha para as espécies de crescimento que estão na fase
vapor.
• As espécies de crescimento, uma vez em excesso nessa gota catalítica,
posteriormente precipitam na superfície de crescimento resultando
no crescimento unidirecional do nanofio.
• Existem outros mecanismos como o VS (Vapor-Sólido) e o VSS(Vapor-
Sólido-Sólido)

28
 Crescimento espontâneo
VLS

Exemplo do Mecanismo Vapor-Líquido-Sólido para o

crescimento de um nanofio de Si [4]

[4] D.C. Bell et al.,Microsc. Res. And Techin. , v.64, 2004. 29

 Crescimento espontâneo
VLS

• Crescimento de nanofio de
germânio durante observação
usando microscópio TEM
OUTRO ESQUEMÁTICO PARA VLS 30
 Crescimento espontâneo
VLS

◼ Esquema do Forno para crescer nanofitas de In2O3:Sn

(ITO), auto-catalíticas por redução carbotérmica

Montagem das barquinhas contendo os reagentes antes do

tratamento térmico

Situação do forno após o término do tratamento térmico. 31 31

 Crescimento espontâneo
VLS

Os nanofios extraídos do Imagem via MEV-FEG dos nanofios Imagem de uma nanofita
forno (barra de escala 2um)

Imagem MET-Varredura de Outra imagem via MET Imagem MET-Varredura de 32

um 32
uma junção na nanofita nanofio e a gota catalítica
 Crescimento espontâneo
VLS
• Controle dos tamanhos dos nanofios

Figure . Length and diameter control in

nanowires grown from colloidal
catalysts. M. S. Gudiksen et al., J. Phys.
Chem. B 105, 4062 (2001). © 2001,
American Chemical Society.

33
Crescimento espontâneo
SLS

34
 Crescimento Baseado em Moldes
• Usando evaporação de material (sputtering ou outros)

Shadow sputtering

35
 Crescimento Baseado em Moldes
• Usando eletrodeposição em substratos

Q. Li et. Al., NanoLetters 4 (2004)

277

36
 Crescimento Baseado em Moldes
• Preenchendo moldes nanoporosos diretamente com uma solução [5]

37
 Crescimento Baseado em Moldes
• Usando eletrodeposição em moldes nanoporosos

38
 Crescimento Baseado em Moldes
• Usando eletrodeposição em moldes nanoporosos

39
 Crescimento Baseado em Moldes
• Usando deposição eletroquímica em moldes nanoporosos

Bentley et al., J. Chem. Educ. 82,

765 (2005)
40
 Crescimento Baseado em Moldes
• Usando deposição eletroquímica em moldes nanoporosos

41
 Crescimento Baseado em Moldes
• Usando eletrodeposição moldes nanoporosos

42
Nanoporous anodic alumina oxide Lee et al., Nature Materials 5, 741 (2006)
 Crescimento Baseado em Moldes
• Usando eletroforese onde uma solução coloidal é depositada através
da aplicação de um potencial elétrico que interfere nos mecanismos
de estabilização eletrostática ou eletroestérica.

43
 Crescimento Baseado em Moldes
• Usando eletroforese

SEM images of the nanorods of (A) SiOz, (B) Ti02, (C) Sr2Nb207 and (D) BaTi03 grown by template-
based sol-gel electrophoretic deposition. [S.J. Limmer, S. Seraji, M.J. Forbess, Y. Wu, T.P. Chou, C.44
Nguyen, and G.Z. Cao, Adv. Func. Muter: 12, 59 (2002).]
 Crescimento Baseado em
Electrospinning
• Também conhecido como processamento eletroestático de fibras.
• Essa técnica foi desenvolvida originalmente para produzir fibras
poliméricas ultrafinas.
• Electrospinning usa a força elétrica através de um campo aplicado
para produzir fibras poliméricas com diâmetros na escala de
nanômetros. Esse efeito ocorre quando a força elétrica na superfície
da solução polimérica ou fundido supera a tensão superficial e causa
uma ejeção de uma carga carregada .
• Quando esse jato seca ou solidifica, uma fibra eletricamente
carregada é formada.
• Essa fibra carregada pode ser direcionada ou acelerada por forças
elétricas e coletadas em folhas ou outras formas geométricas
desejadas, geralmente metálicas.

45
Crescimento Baseado em
Electrospinning

• (A) TEM image of TiO2/PVP composite

nanofibers fabricated by electrospinning
an ethanol solution that contained 0.03
g/mL PVP and 0.1 g/mL Ti(OP:),. (B) TEM
image of the same sample after it had
been calcined in air at 500°C for 3 hr. (C,
D) TEM images of nanofibers made of
anatase that were prepared under the
same conditions except that the precursor
solution contained (C) 0.025 g/mL and (D)
0.15 g/mL Ti(OP:)4, respectively.
• (E, F) High-magnification SEM images
taken from the samples shown in C and D,
respectively. No gold coatings were
applied to the samples for all SEM studies.
[D. Li and Y. Xia, Nuno Lett. 3, 555 (2003).]

46
Crescimento Baseado em
Electrospinning

47
Crescimento Baseado em Litografia
• Esquerda: An outline of the
procedure used for the
near-field lithographic
preparation of single crystal
silicon nanowires.
• Direita: SEM images of
silicon nanostructures
fabricated using nearfield
optical lithography and
PDMS (poly
(dimethylsiloxane)).
*RIE - reactive ion etch
* PDMS - Polydimethylsiloxane

48
 Crescimento Baseado em Litografia

• Superconformal deposition in
trenches using catalyst-
derivatized electrodes

superfilling

Moffat et al., IBM J. Res. & Dev., 49, 19 (2005).

49
 Crescimento Baseado em
Litografia/eletrodeposição

0.2 M CuSO4, 1 M H2SO4, 5.82 mM HCl

Suppressor: polyethylene glycol (PEG)

Accelerator: organosulfur compound Na2[S(CH3)2SO3]2 (SPS)

50
 Nanofios em Circuitos Integrados

IBM - integrated circuit

https://www.nextnano.de/applications/electronics.php 51
 Nanofios em Circuitos Integrados

MARK LAPEDUS, “Uncertainty Grows For 5nm, 3nm”, link: emiengineering.com/uncertainty-grows-for-5nm-3nm/

Michele De Marchi, , Davide Sacchetto, , Jian Zhang, Stefano Frache, Pierre-Emmanuel Gaillardon, Yusuf
Leblebici,and Giovanni De Micheli, “Top–Down Fabrication of Gate-All-Around Vertically Stacked Silicon
Nanowire FETs With Controllable Polarity”, IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, VOL. 13, NO. 6,
NOVEMBER 2014 – doi: 10.1109/TNANO.2014.2363386
52
Crescimento Baseado em
Litografia/eletrodeposição

C. A. Ross, J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 17, 1999

53
Crescimento de Heteroestruturas

54
 Aplicações

55
Mildred
Aplicações Nanofotônica

56
 Aplicações Nanofotônica

Nanowire photonics. (a) Nano-LED based on the

crossed nanowire approach.The upper image
corresponds to an electroluminescence image
recorded from the device shown in the lower AFM
image. The peak emission occurs at the cross-point of
the two nanowires. (b) Nanoscale electronic injection
laser using n-type CdS nanowires. The upper
optical image shows the position of the nanowire end
on right side and upper rectangular electrode, while
the lower electroluminescence image shows light
emission only from the nanowire end of the laser. (c)
Current/voltage plot of a crossed Si-CdS nanowire p–n
diode as a nanoscale photon detector. The black
curve shows the background signal, while the red
curve shows the signal in the presence of light. The
inset shows an optical image of a two-element
crossed nanowire detector array consisting of an n-
CdS nanowire (horizontal) crossing two p-Si
nanowires (vertical); the larger rectangular features
correspond to metal contacts. (d) The nanoscale
photon detector arrays can be addressed
independently without electrical crosstalk ( Iph is
photocurrent).

57
Charles Lieber et al., MRS BULLETIN • VOLUME 32 • FEBRUARY 2007
 Aplicações
laser

Dendritic Nanowire Ultraviolet Laser Array, Haoquan Yan et al., J. AM. CHEM. SOC. 2003, 125, 4728-4729 58
Aplicações

59
 Aplicações
Nanoletrônica - NanoFET

Nanowire Array (Charles Lieber)

Comportamento I vs V para uma rede de multi-junção

formado entre 4 nanofios de silício tipo p e um tipo n. 60
 Aplicações
Nanoletrônica
Medida de condutância no DNA (Cees Dekker)

61
Aplicações
Nanogerador
Piezoelectric Nanogenerators Based on
Zinc Oxide Nanowire Arrays
Zhong Lin Wang and Jinhui Song,
Science 14 APRIL 2006 VOL 312

62
Aplicações
Nanosensor
NW nanosensor for pH detection. (A) Schematic
illustrating the conversion of a NWFET into NW
nanosensors for pH sensing. The NW is contacted with
two electrodes, a source (S) and drain (D), for
measuring conductance. Zoom of the APTES-modified
SiNW surface illustrating changes in the surface charge
state with pH. (B) Real-time detection of the
conductance for an APTES-modified SiNW for pHs from
2 to 9; the pH values are indicated on the conductance
plot. (inset, top) Plot of the time-dependent
conductance of a SiNW FET as a function of the back-
gate voltage. (inset, bottom) Field-emission scanning
electron microscopy image of a typical SiNW device.
(C)Plot of the conductance versus pH; the red points
(error bars equal 6 1 SD) are experimental data, and the
dashed green line is linear Þt through this data. (D) The
conductance of unmodiÞed SiNW (red) versus pH. The
dashed green curve is a plot of the surface charge
density for silica as a
function of pH.
C. Lieber, 2001 VOL 293 SCIENCE

63
Aplicações
Nanosensor/proteína
Real-time detection of protein binding. (A)
Schematic illustrating a biotin-modified SiNW
(left) and subsequent binding of streptavidin to
the SiNW surface (right). The SiNW and
streptavidin are drawn approximately to scale.
(B) Plot of conductance versus time for a biotin-
modiÞed SiNW, where region 1 corresponds to
buffer solution, region 2 corresponds to the
addition of 250 nM streptavidin, and region 3
corresponds to pure buffer solution.
(C)Conductance versus time for an unmodified
SiNW; regions 1 and 2 are the same as in (B). (D)
Conductance versus time for a biotin-modiÞed
SiNW, where region 1 corresponds to buffer
solution and region 2 to the addition of a 250nM
streptavidin solution that was preincubated with
4 equivalents d-biotin. (E) Conductance versus
time for a biotin- modiÞed SiNW, where region 1
corresponds to buffer solution, region 2
corresponds to the addition of 25 pM
streptavidin, and region 3 corresponds to pure
buffer solution. Arrows mark the points when
solutions were changed.

64
 Aplicações
• Célula Solar aplicando nanofitas/nano-redes de SnO2 utilizando o
Método de Gratzel

Montagem do dispositivo para nanocélula Montagem do dispositivo para célula solar com nanoarray [1]
solar com um buraco sobre a região da
nanofita de SnO2.

Ref [1] MATT LAW et al, “Nanowire dye-sensitized solar cells” Nature 65
Materials, VOL 4, Junho 2005
 Referências

[1] CAO, G.; Nanostructures and nanomaterials: synthesis, properties and applications. London:
Imperial College Press, 2004.

[2] Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, vários volumes, Edited by H. S. Nalwa,

2004

[3] Charles Lieber et al., MRS BULLETIN • VOLUME 32 • FEBRUARY 2007

[4] D.C. Bell et al.,Microsc. Res. And Techin. , v.64, 2004.

[5] Mildred S. DresselhauS, Properties and Applications Of Nanotubes and Nanowires, IAP
2003 Tutorial One-Dimensional Materials