ABX : Addition de l’accumulateur B à X ADCA : Addition du contenue mémoire à l’accumulateur A avec la retenue ADCB : Addition du contenue mémoire à l’accumulateur B avec la retenue ADDA : Addition du contenu mémoire à l’accumulateur A ADDB : Addition du contenu mémoire à l’accumulateur B ADDD : Addition du contenu mémoire au registre D ANDA : ET logique entre A et le contenu mémoire ANDB : ET logique entre B et le contenu mémoire ANDCC : ET logique entre CC et le contenu mémoire ASLA : Décalage arithmétique à gauche de A ASLB : Décalage arithmétique à gauche de B ASL : Décalage arithmétique à gauche du contenu mémoire ASRA : Décalage arithmétique à droite de A ASRB : Décalage arithmétique à droite de B ASR : Décalage arithmétique à droite du contenu mémoire BCC : branchement si pas de retenue / branchement si supérieur ou égal (non signé) BCS : branchement si retenue / branchement si inférieur (non signé) BEQ : branchement si égal à zéro BGE : branchement si supérieur ou égal BGT : branchement si supérieur (signé) BHI : branchement si supérieur (non signé) BHS : branchement si supérieur ou égal (non signé) BITA : test de bit mémoire avec A BITB : test de bit mémoire avec B BLE : branchement si inférieur ou égal (signé) BLO : branchement si inférieur (non signé) BLS : branchement si inférieur ou égal (non signé) BLT : branchement si inférieur (signé) BMI : branchement si négative BNE : branchement si différent de zéro BPL : branchement si positif BRA : branchement inconditionnel BRN : non branchement BSR : branchement au sous programme BVC : branchement si pas de débordement BVS : branchement si débordement CLRA : mise à zéro de A CLRB : mise à zéro de B CLR : mise à zéro d’une case mémoire CMPA : comparer A avec le contenu mémoire CMPB : comparer B avec le contenu mémoire CMPD : comparer D avec le contenu mémoire CMPS : comparer S avec le contenu mémoire CMPU : comparer U avec le contenu mémoire CMPX : comparer X avec le contenu mémoire CMPY : comparer Y avec le contenu mémoire COMA : complément à un de A COMB : complément à un de B COM : complément à un du contenu mémoire CWAI : ET logique avec le registre CC puis attente d’interruption DAA : ajustement décimal de A DECA : décrémentation de A DECB : décrémentation de B DEC : décrémentation du contenu mémoire EORA : OU exclusif de A avec le contenu mémoire EORB : OU exclusif de B avec le contenu mémoire EXG : échange de registres INCA : incrémentation de A INCB : incrémentation de B INC : incrémentation du contenu mémoire JMP : saut inconditionnel JSR : saut au sous programme LDA : chargement de A avec le contenu mémoire LDB : chargement de B avec le contenu mémoire LDD : chargement de D avec le contenu mémoire LDS : chargement de S avec le contenu mémoire LDU : chargement de U avec le contenu mémoire LDX : chargement de X avec le contenu mémoire LDY : chargement de Y avec le contenu mémoire LEAS : chargement de l’adresse effective dans S LEAU : chargement de l’adresse effective dans U LEAX : chargement de l’adresse effective dans X LEAY : chargement de l’adresse effective dans Y LSLA : Décalage logique à gauche de A LSLB : Décalage logique à gauche de B LSL : Décalage logique à gauche du contenu mémoire LSRA : Décalage logique à droite de A LSRB : Décalage logique à droite de B LSR : Décalage logique à droite du contenu mémoire MUL : multiplication non signée NEGA : complément à deux de A NEGB : complément à deux de B NEG : complément à deux du contenu mémoire NOP : aucune opération ORA : OU logique entre A et le contenu mémoire ORB : OU logique entre B et le contenu mémoire ORCC : OU logique entre CC et le contenu mémoire PSHS : Empilement de registres sur S PSHU : Empilement de registres sur U PULS : dépilement de registres de S PULU : dépilement de registres de U ROLA : Décalage circulaire à gauche de A ROLB : Décalage circulaire à gauche de B ROL : Décalage circulaire à gauche du contenu mémoire RORA : Décalage circulaire à droite de A RORB : Décalage circulaire à droite de B ROR : Décalage circulaire à droite du contenu mémoire RTI : retour d’interruption RTS : retour de sous programme SBCA : soustraction du contenu mémoire de A avec retenue SBCB : soustraction du contenu mémoire de B avec retenue SEX : Extension de signe de l’accumulateur B à A STA : stockage de A dans la cellule mémoire STB : stockage de B dans la cellule mémoire STD : stockage de D dans la cellule mémoire STS : stockage de S dans la cellule mémoire STU : stockage de U dans la cellule mémoire STX : stockage de X dans la cellule mémoire STY : stockage de Y dans la cellule mémoire SUBA : soustraction du contenu mémoire de l’accumulateur A SUBB : soustraction du contenu mémoire de l’accumulateur B SUBD : soustraction du contenu mémoire de l’accumulateur D SWI : interruption logicielle TFR : transfert de registres TSTA : test de l’accumulateur A TSTB : test de l’accumulateur B TST : test de la case mémoire
Pseudo-Instructions : DB : Affectation de données à une case mémoire EQU : Equivalence END : Fin du programme ORG : définition de l’origine d’un segment de programme