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MOSFETs de baja señal (VDMOS y LDMOS)

Susana Aragadvay 921 susana.aragadvay@espoch.edu.ec
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo

Abstract— The paper presents the comprehensive review on

the two Power MOSFET structures that have been mstly used
during the past decade. LDMOS and VDMOS are studied, it
include structure, phtsical and electrical characteristics such
as issues related to their performance are analyzed on the
basis of following parameters: on-state resistance and
breakdown voltage mainly. The on-resistance should be low at
high breakdown voltage for enhancing the performance of
MOSFET device.
Index Terms: Ldmos, power mosfet, semiconductor, vdmos

Fig.1. Estructura del LDMOS

I. INTRODUCCIÓN
The Power MOSFETs were evolved to develop the transistors
that can be controlled using lower gate drive power levels. It is
a three terminal device that are source, gate and drain as
shown in Fig 1. It is also a voltage controlled device which is
unipolar and requires very small gate current to turn on the
device. Electrical conductance is due to flow of single carrier,
hence no issue of storage of minority carrier, therefore speed
is high.
La unión p-n es un dispositivo de dos terminales que,
dependiendo de sus condiciones de polarización, de dopado,
así como de su geometría física, puede ejercer diferentes
funciones dentro de un circuito electrónico. Podemos
encontrar uniones p-n haciendo funciones de rectificación, de
regulación de tensión, de varistor (resistencia variable).
(Univesidad de Valencia)

There are majorly two types of structures of Power MOSFETs

viz. VDMOS (vertically diffused MOSFET) and LDMOS
(Laterally diffused MOSFET) (also known as Planar
MOSFET) on the basis of type of diffusion. VDMOS and Fig.1 Esquema del diodo pn
LDMOS are derived from DDMOS (Double-diffused
MOSFET) technology. Further improvements are made in
these structures that are discussed below. B. Características eléctricas
Este tipo de diodo es un material semiconductor compuesto
II. LDMOS por dos regiones, una tipo p y otra tipo n, formando así una
unión p-n. La característica más importante de las uniones p-n
A. Características físicas es que son rectificadoras, es decir, permiten el paso de
corriente en un único sentido.
Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor. In this
La figura 2 muestra la característica corriente-tensión típica
structure, the current and breakdown voltage is the function of
de una unión p-n. Cuando se aplica sobre ella una polarización
the width and length of channel respectively. La figura shows
directa, la corriente se incrementa rápidamente con el
the basic structure of LDMOS. The main disadvantage of
incremento de la tensión. Sin embargo, cuando se le aplica una
LDMOS is its high resistance channel; hence this structure is
polarización inversa, inicialmente la corriente no circula. Si la
not used widely. The breakdown voltage of LDMOS ranges
tensión inversa aumenta, la corriente permanece con un valor
from 20V to 80V. These devices are not suitable for power
casi nulo hasta que se alcanza un valor de tensión crítico,
applications due to punch through breakdown. In planar MOS,
momento en el cual la corriente se incrementa repentinamente.
on-resistance can be decreased by 23% by changing half cell
Este aumento repentino es conocido como ruptura de la unión.
pitch from 10 to 6 micro-metre using gate width optimization
La tensión aplicada en polarización directa es normalmente
method. Other methods include additionally doping the JFET
menor de 1 V, pero la tensión inversa de ruptura puede variar
region which decreases the on-resistance by 8.3% and by
entre unos cuantos voltios y cientos dependiendo de la
using SiC at place of Si to reduce on-resistance by 31%.
concentración de dopados y de otros parámetros del
(Kaur, 2017)
dispositivo. (ETIS)

Fig.2 Característica I-V de la unión p-n típica
Resultando de la representación gráfica la relación I = f(V),
teóricamente aproximada por la ecuación de Shockley:
En donde:
Io= Corriente inversa de saturación.
q = 1,6x10-19 culombios (carga del electrón).
T = Temperatura absoluta en ºK.
K = Constante de Boltzman.
η = 1 para Ge y 2 para Si, en corrientes moderadas.
VT= KT/q = T/11.600, para T = 300 K ⇒ VT= 26 mV.
La unión p-n juega un papel muy importante tanto en las
aplicaciones de la electrónica moderna como en el
entendimiento de otros dispositivos semiconductores. Su
mayor utilización se produce en procesos como la
rectificación, la conmutación y otras operaciones dentro de
circuitos electrónicos. También constituye el bloque básico
para otros dispositivos electrónicos como pueden ser los
transistores bipolares, tiristores, JFETs, MOSFETs. Para
condiciones de polarizaciones idóneas o expuestas a la luz, la
unión p-n también se utiliza para funciones en campos como
las microondas o la óptica.
1) Unión p-n, polarizada directamente
La unión p-n está polarizada directamente, cuando a la región
p se le aplica un potencial superior al de la región n.
Fig.3 Diodo polarizado directamente
Los huecos de la región p y los electrones de la región n, son
empujados hacia la unión, por el campo eléctrico a que da
lugar la polarización, reduciendo la anchura de la zona de
transición. El campo eléctrico de la polarización se opone al
de la unión reduciendo este, y también la barrera de potencial
que sin polarización era Vo y con polarización directa Vo-V.
La reducción del campo eléctrico de la unión reduce el efecto
de arrastre. Al ser la zona de transición más estrecha, aumenta
el gradiente de las concentraciones en ella y
consecuentemente, aumenta el efecto de difusión. No se
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alcanza el equilibrio, produciéndose una circulación neta de
carga por el circuito, de forma que la corriente en la unión es
por difusión y fuera de ella por arrastre. (ETIS)
1) Unión p-n, polarizada inversamente
Una unión p-n está polarizada inversamente, cuando a la
región p se le aplica un potencial inferior al de la región n. Los
portadores mayoritarios (huecos de p y electrones de n) de
ambas regiones tienden a separase de la unión, empujados por
el campo eléctrico a que da lugar la polarización, aumentando
la anchura de la zona de transición. El campo eléctrico en la
unión aumenta reforzado por la el de la polarización del
mismo sentido, y la barrera de potencial pasa a ser Vo+V.
Fig.4 Diodo polarizado inversamente
Solo los portadores minoritarios generados térmicamente en
ambas regiones son empujados hacia la unión, así solo los
pocos electrones de p, al pasar al lado n formarán con los
mayoritarios de esta región una corriente de arrastre, y de
similar manera los pocos huecos de n al pasar a p formarán
otra débil corriente de arrastre que se sumará a la anterior.
Esta pequeña corriente es la corriente inversa de saturación del
diodo y su valor se distingue por Io, presentando una fuerte
dependencia de la temperatura.
III. VDMOS
A. Características físicas
Vertically Diffused Metal Oxide Semiconductor. In
VDMOS the voltage rating depends upon epitaxial layer
thickness and doping, while current rating depends on the
width of the channel. Hence the MOSFET sustains with both
high blocking voltage and high current. The vertical cross
section of a VDMOS device is as shown in Fig 5(b). In this
the source is over the drain, so current flows mainly in vertical
direction when it is on [7]. Mostly devices are now fabricated
with vertical structure because in these current carrying
terminals are placed on opposite surface due to which uniform
current is maintained [12]. In VDMOS there is drain to source
leakage current which is due to dislocation of transistor cell in
source area. This leakage can be eliminated during
manufacturing of the device by reducing Plasma etching time
[13]. In this structure JFET resistance is present which
increases the overall onresistance of the device [5]. This
resistance can be reduced by varying the structure of VDMOS.
(Kaur, 2017)

Fig.2. Estructura del VDMOS
El diodo p-i-n presenta una región p y una región n
altamente dopadas, y separadas por una región intrínseca con
resistividad más elevada que las regiones p y n. Estos
dispositivos son ampliamente usados en aplicaciones tales
como desplazadores de fase y conmutadores de señales
microondas. Los dispositivos diseñados con diodos p-i-n se
destacan por bajas pérdidas de inserción y elevado desempeño
en altas frecuencias. A estas frecuencias, el diodo tiene una
impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado
(circuito abierto) y una impedancia muy baja cuando está
polarizado en sentido directo (corto circuito). Además, las
tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100
a 1000 V. (Cortez)
Un material altamente dopado significa que tiene un mayor
número de impurezas, generalmente de tipo p o de tipo n. Por
lo mismo, existirá una menor resistencia al paso de la
corriente. Para un material no dopado, es decir intrínseco,
presentará una resistencia mucho mayor al paso de la
corriente, dependiendo del material semiconductor que se esté
utilizando. En la práctica un diodo p-i-n tiene una alta
resistividad en la parte media de la zona p o n. Mientras que
existe una baja resistividad en los límites en las zonas p y n.
La nomenclatura p+ y n+ indica un alto dopaje de los
materiales p y n, respectivamente. Se utilizan las letras griegas
“π” y “ν” para los materiales altamente resistivos y
ligeramente dopados p y n respectivamente. El material usado
en la región I puede ser tipo “π” o “v”. En la práctica,
generalmente se utiliza el silicio como el material
semiconductor, el cual no es perfectamente intrínseco.
Utilizando cualquiera de estas dos estructuras no se presentan
cambios en el desempeño de un dispositivo.
B. Características eléctricas
Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyección
de alto nivel. En otras palabras, la región intrínseca "i" se
inunda con los portadores de carga de las regiones de "n", "p".
Su función se puede comparar a llenar un cubo de agua con un
agujero en el lado. Una vez que el agua alcanza el nivel del
agujero en el que comenzará a derramar. Del mismo modo, el
diodo conducir la corriente una vez que los electrones y los
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huecos inundados llegan a un punto de equilibrio, donde el
número de electrones es igual al número de agujeros en la
región intrínseca. Cuando el diodo está polarizado hacia
adelante, la concentración de portadores inyectada es
típicamente varios órdenes de magnitud más alta que la
concentración de portadores nivel intrínseco.
Las variaciones de diferentes parámetros del diodo pin dentro
de sus secciones:
Fig.6 a) Variación de la carga espacial (Px), b) variación del campo eléctrico
(Ex) c) variación del potencial (Vx). Diodo p-i-n en equilibrio, es decir, sin
tensión aplicada.
1) Uso del diodo PIN
Este diodo se puede utilizar como interruptor o como
modulador de amplitud de frecuencias de microondas ya que
para todos los propósitos se puede presentar como un corto
circuito en sentido directo y como un circuito abierto en
sentido inverso. La principal ventaja del diodo p-i-n frente a
un diodo convencional es la mejora en la respuesta de
conmutación de señales microondas. También se lo utiliza
para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy
grandes. Destaca en su utilización como fotodiodo el cual es
uno de los fotodetectores más comúnmente utilizados hoy en
día en campos que van desde las comunicaciones en fibra
óptica hasta la electrónica de consumo. Esto se debe
principalmente a su elevado índice de eficiencia respecto a
otros dispositivos similares debido a la zona intrínseca,
entendiendo por eficiencia la proporción entre la luz que le
llega y la que es capaz de absorber y convertir en corriente
eléctrica. (Pavón)
2) Funcionamiento del diodo PIN
A frecuencias más altas el diodo se parece a una resistencia
casi perfecta es decir que hay una gran cantidad de carga
almacenada en la región intrínseca. A bajas frecuencias, la
carga se quita y el diodo se apaga. Si el diodo esta polarizado
en sentido directo los huecos del material P se difunden en la
región P-I creando una capa P de baja resistividad, como ya
sabemos la corriente es debido al flujo de los electrones y de
los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente
iguales en la región I, la condición de polarización directa la
caída de tensión en la región I es muy pequeña debido a que la
zona de agotamiento es muy estrecha e igual que el diodo PN,
si se aumenta la corriente también disminuye la resistencia.
Como la región intrínseca es altamente resistiva, la zona de
agotamiento se extiende hasta las regiones de alta conducción,
incluso aun cuando no se ha polarizado al diodo. Se dice que
la capacitancia equivalente del diodo no se ve alterada por el
voltaje suministrado.
La siguiente figura muestra el circuito equivalente del diodo.

Fig. 7 Esquema del circuito equivalente del diodo
Cuando se manejan frecuencias bajas en un diodo p-i-n los
efectos reactivos que se presentan en las uniones se consideran
despreciables. Estos efectos son asociados con la difusión de
portadores a través de la unión. En estado de baja impedancia,
situación de polarización directa, el diodo tiene una excelente
linealidad y baja distorsión. En estado de alta impedancia,
situación de polarización inversa, la región intrínseca produce
valores muy altos de voltaje de ruptura e impedancia. Así
proporciona una buena aproximación a un circuito abierto. La
presencia de la región intrínseca permite obtener
características operacionales muy deseables para aplicaciones
de conmutación. A medida que el ancho de la región intrínseca
(I) aumenta, la capacitancia formada en las uniones del diodo
disminuye. Esta característica es benéfica en la conmutación
de señales de microondas, puesto que una capacitancia baja y
una alta impedancia del diodo p-i-n en situación de
polarización inversa, hacen posible que el diodo se comporte
como un circuito abierto
La velocidad a la cual el diodo p-i-n puede ser conmutado
desde una baja impedancia (polarización directa) a una alta
impedancia (polarización inversa) es determinada por la
velocidad a la cual la carga libre puede ser extraída del diodo.
Los diodos con región intrínseca larga y gran área de sección
transversal, almacenarán más carga y por lo tanto percibirán
tiempos más largos para conmutar. El tiempo de conmutación
actual tiene dos componentes:
El tiempo requerido para remover mayor parte de la carga de
la región intrínseca, llamado tiempo de retardo.
El tiempo durante el cual el diodo está cambiando del estado
de baja impedancia al de alta, llamado tiempo de transición.
3) Modelado de los diodos p-i-n
Se pueden diseñar diferentes tipos de diodos p-i-n con las
mismas características de Rs y CT con solo variar el ancho
“W” y área “A” de la región I. Con una región I más gruesa se
puede lograr mejores propiedades para la distorsión, si por el
contrario, el dispositivo es más delgado la velocidad de
conmutación será mucho más rápida.
Fig.8 Diodo pin
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Para poder determinar la distorsión producida y la frecuencia
más baja a la que puede operar el diodo p-i-n está el parámetro
tiempo de vida de portadores, “τ”. El valor de τ de un diodo p-
i-n está determinado por el ancho W de la región I, el cual es
otro parámetro de gran importancia.
a) Modelo de baja frecuencia
Se muestra la característica típica de V-I de un diodo p-i-n.
Los diodos son evaluados frecuentemente por voltaje directo,
VF, en una polarización de corriente continua DC fija. El
fabricante garantiza que al aplicar un voltaje inverso VR al
diodo, la corriente inversa que fluye no sobrepasa los 10 μA.
La cantidad de voltaje de ruptura VB de aproximadamente 10
V/μm y es determinado por el ancho de la región I.
Fig.9 Característica V-I típica de un diodo p-i-n
La frecuencia de operación para el diodo p-i-n es aquella que
está por debajo de la frecuencia definida por el tiempo de vida
de portadores = CLT (1/ τ) de la región I.
b) Modelo de alta frecuencia
Cuando se aplica una polarización directa al diodo p-i-n, la
carga Q debe ser más grande que el incremento de la carga
almacenada agregada o anulada por la corriente de
polarización directa, RF, o inversa, IRF.
c) Modelo de Polarización Directa
Bajo polarización directa, la conductividad de la región
intrínseca es controlada o modulada por la inyección de carga
de las regiones p y n de los extremos, y el diodo conducirá
corriente. La resistencia en estado de baja impedancia del
diodo es controlada por la polarización directa. El diodo tiene
una excelente linealidad y baja distorsión. En este estado de
baja impedancia, el diodo es controlado por las características
de inyección de carga de la unión p-n y el diodo puede ser
representado como una resistencia con una magnitud
determinada por la corriente que fluye en el diodo. En este
estado de baja impedancia, el diodo p-i-n se comporta como
una inductancia L en serie con una resistencia Rs, y su modelo
de circuito equivalente se muestra en la siguiente figura.
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es proporcional al voltaje e inversamente proporcional a la

frecuencia.

En la mayoría de las aplicaciones en RF este valor es más alto

Fig.10 Circuito equivalente del diodo p-i-n en polarización directa
Asumiendo que la señal de RF no afecta la carga almacenada,
la impedancia de polarización directa Rs se obtiene con la
siguiente ecuación:
donde:
µn = Movilidad de los electrones
µp = Movilidad de los huecos
La carga Q producto de la recombinación de portadores en la
región intrínseca está dada por:
; por lo tanto son dispositivos con gran aplicabilidad dentro
La resistencia del diodo en polarización directa es
inversamente proporcional a la corriente de polarización del
diodo, y la resistencia más baja se obtiene para altas
corrientes. La impedancia del diodo puede ser sintonizada para
el acoplamiento de circuitos RF ajustando la corriente de
polarización.
d) Modelo de Polarización Inversa
En situación de polarización inversa, el diodo p-i-n se
comporta como el circuito conformado por una inductancia en
serie con el paralelo de una capacitancia y una resistencia. Tal
como se muestra en la siguiente figura.
que la reactancia del capacitor CT. El voltaje de ruptura
masiva o avalancha, VB, siempre será más grande que el
voltaje inverso, VR. Así mismo, VB es proporcional al ancho
de la región I. Una excursión instantánea de la señal de RF en
situación de polarización directa por lo regular no causa que el
diodo entre en conducción debido a la lentitud de la velocidad
de conmutación de la polarización inversa a directa. La
magnitud de la señal RF y el ancho de la región I están
relacionados con la polarización inversa de DC necesaria para
mantener al diodo p-i-n en baja conductancia.
IV. CONCLUSIONES
Los diodos pin tienen un campo aplicativo muy amplio
debido a su ventaja sobre los diodos pn en cuanto al
tiempo de conmutación y los altos voltajes que maneja;
de la electrónica de potencia.
V. REFERENCIAS
Cortez, M. (s.f.). Scribd. Recuperado el 2019, de
https://es.scribd.com/document/400407115/diodo-
PIN
ETIS. (s.f.). Recuperado el Marzo de 2019, de
http://quegrande.org/apuntes/ETIS/1/TE/teoria/09-
10/diodo_de_union_p-n.pdf
Pavón, E. (s.f.). ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE
INGENIERÍA . Recuperado el 2019, de
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema4.pdf
Univesidad de Valencia. (s.f.). Recuperado el 2019, de
https://www.uv.es/candid/docencia/Tema3(01-
02).pdf

Fig.11 Circuito equivalente para el diodo p-i-n en situación de polarización

inversa

El capacitor se puede obtener de

;
donde:
ε= constante dieléctrica del silicio
A = Área de la unión del diodo
ρ = resistividad de la región I
frl =frecuencia de relajación dieléctrica

Para frecuencias más bajas el diodo p-i-n se comporta como

un varactor, el cual es un diodo que dependiendo de la tensión
que se le aplique el valor de la capacitancia varía. Es decir, si
la tensión aplicada al diodo varactor aumenta la capacitancia
disminuye, si por el contrario, la tensión disminuye la
capacitancia aumenta. El valor de la resistencia en paralelo RP