UNIVERSIDADE FEDERAL DE ALAGOAS

INSTITUTO DE COMPUTAÇÃO
PROFESSOR: JOÃO RAPHAEL
LABORATÓRIO I

Aula Diodo
Disciplina Laboratório de Eletrônica

Alunos:____________________________________________________________________________

I) Objetivo

Levantar a curva característica de um diodo.

II) Teoria

No campo da eletrônica, dentre os formarmos um material tipo P, adicionamos ao

materiais utilizados, encontramos os cristal de silício impurezas trivalentes, como por
semicondutores que possuem características exemplo, o alumínio (AI). Essa estrutura é vista
intermediárias entre os condutores e os na figura 1.2.
isolantes. O material semicondutor mais
utilizado é o silício (Si), que na sua forma pura
(intrínseca) apresenta uma estrutura cristalina,
tendo quatro elétrons na camada de valência,
sendo por isso tetravalente. Sua estrutura é
vista na figura 1.1.

Figura 1.2 - Semicondutor extrínseco tipo P.

Observando a figura, notamos que haverá

Figura 1.1 – Estrutura de um semicondutor
intrínseco.
A -273°C, não há elétrons livres ou
fracamente ligados. O semicondutor intrínseco
comporta-se como isolante perfeito. Elevando a
temperatura, os átomos, recebendo energia,
iniciarão um processo de agitação térmica,
quebrando a estabilidade, rompendo ligações
covalentes, liberando elétrons e originando, na
falta destes, lacunas ou buracos.
A partir do semicondutor intrínseco,
podemos formar os materiais tipo P ou tipo N,
adicionando impurezas, ou seja, outros
materiais, por processo conhecido como
dopagem. Esse semicondutor dopado passa a
ser denominado material extrínseco. Para
três ligações completas de elétrons e uma
quarta incompleta, por região do material,
originando uma lacuna e um íon negativo fixo à
estrutura do cristal, dando ao material
características receptivas, ou seja, de atrair
elétrons para completar a quarta ligação.
Nesse material, as lacunas serão em
maioria e por isso denominadas de portadores
majoritários. Existirão também elétrons como
portadores minoritários que aparecerão pelo
rompimento de ligações covalentes,
provocadas pelo fornecimento da energia ao
material. O material tipo P pode ser
representado como mostra a figura 1.3.
Figura 1.3 – Material extrínseco tipo P.
 Para formar um material tipo N,
adicionamos ao cristal do silício impurezas
permanentes, como, por exemplo, o fósforo (P).
Essa estrutura é vista na figura 1.4
Figura 1.4 - Semicondutor extrínseco tipo N.
Observando a figura, notamos que haverá
quatro ligações completas, um elétron livre por
região do material, e um íon positivo fixo a
estrutura do cristal, dando ao material
características doadoras, ou seja, de doar o
elétron livre de maneira a fica' estável. Nesse
material, os elétrons serão os portadores
majoritários e as lacunas os minoritários. O
material tipo N pode ser representado, como
mostra a figura 1.5.
Figura 1.5 – Material extrínseco tipo P.
Para constituir os dispositivos
semicondutores, é necessário unir os materiais
tipo P e tipo N de maneira a formar a junção PN.
Essa junção é vista na figura 1.6.
Figura 1.6 – Material extrínseco tipo P.
Na junção PN não polarizada, isto é, sem
conexão de fonte externa, haverá um
deslocamento de elétrons da região N para a
região P e simultaneamente um deslocamento
de lacunas da região P para a região N,
originando uma corrente, denominada corrente
de difusão. Durante esse deslocamento de
portadores de cargas, elétrons e lacunas
recombinam-se, anulando suas cargas,
surgindo ao lado da junção uma região neutra,
ou seja, de carga elétrica nula, denominada
barreira de potencial (B.P.) ou camada de
carga espacial (C.C.E.).
A medida que elétrons e lacunas vão se
recombinando, teremos um aumento da
barreira de potencial até atingir um ponto de
equilíbrio, isolando um material do outro. A
figura 1.7 mostra uma junção PN não polarizada
com a barreira de potencia.
Figura 1.7 – Junção PN não polarizada com a
barreira potencial.
Podemos polarizar a junção PN de duas
maneiras: diretamente ou reversamente. A
polarização direta consiste em ligar o polo
positivo de uma fonte no lado P e o negativo no
lado N, conforme mostra a figura 1.8.
Figura 1.7 – Junção PN diretamente polarizada.
Nesse tipo de polarização, o pólo positivo
atrairá os elétrons livres do lado N, fazendo-os
vencer a barreira de potencial, originando assim
uma corrente de elétrons do polo negativo para
o positivo da bateria. Simultaneamente sairá
uma corrente de lacunas do polo positivo para o
negativo da bateria, sendo esta última adotada,
para fins de análise, em circuitos com
dispositivos semicondutores.
O material nesse caso tem características
condutivas, pois circulando uma corrente
apresenta uma resistência Ôhmica de valor
baixo, na ordem de algumas dezenas de ohms
Devido aos íons formados na barreira, entre os
terminais de junção aparecerá uma difere) de
potencial, que para o semicondutor de silício
está compreendida entre 0,5 e 0,8V.
A polarização reversa consiste em ligar o
polo positivo de uma fonte no lado N e o
negativo no lado P, conforme apresenta a figura
1.9
 A curva característica de um diodo I = f(V),
vista na figura 1.12, mostra que em polarização
direta só haverá condução de corrente depois
de vencida a barreira de potencial. A partir daí a
corrente aumenta de valor, enquanto a tensão
Figura 1.9 – Junção PN reversamente polarizada.
permanece praticamente constante (VD).
Em polarização reversa, a corrente é
Nesse tipo de polarização, o pólo positivo
praticamente nula até atingir um determinado
atrairá os elétrons e o pólo negativo, as lacunas,
valor de tensão (VRM). A partir desse valor,
aumentando assim a barreira potencial, não
inicia-se um processo de avalanche, aumento
haverá, portanto, condução de corrente elétrica
do número de portadores minoritários,
devido aos portadores majoritários, existindo
aumentando a corrente reversa até um valor
apenas uma corrente devido aos portadores
limite, permanecendo a tensão praticamente
minoritários, denominada de corrente de fuga,
constante. Essa propriedade é denominada
que para o semicondutor de silício é da ordem
Efeito Zener, sendo que os diodos fabricados
de nanoampéres (nA) tornando-se desprezível.
especialmente para aproveitá-la em
O material nesse caso apresenta características
estabilização de tensão são denominados
isolantes, pois devido ao aumento da barreira
diodos Zener.
potencial, não haverá corrente sendo sua
resistência ôhmica de alto valor.
Com o devido encapsulamento e conexão
de terminais, a junção PN se torna um
componente eletrônico conhecido como diodo
semicondutor, ou simplesmente diodo, cu]a
simbologia é vista na figura 1.10.

Figura 1.10 – Simbologia do diodo.

O lado P da junção PN é conhecido como

anodo (A) do diodo e o lado N como catodo (K).
Em polarização o diodo apresenta as mesmas
características já estudadas, ou seja, quando Figura 1.10 – Simbologia do diodo.
polarizado diretamente, conduz uma corrente Comercialmente, os diodos são especificados
de ânodo para o catodo, e quando polarizado por parâmetros que indicam suas
reversamente, não conduz corrente. A figura1 1 características máximas de trabalho, tais como:
mostra as polarizações direta e inversa de um corrente direta máxima (IDM) e tensão reversa
diodo, em que a corrente é limitada por um máxima (VRM), que são importantes para o
resistor. dimensionamento do componente em projetos.
Além disso, os diodos em seus
encapsulamentos apresentam uma faixa,
indicando o terminal catodo para a devida
ligação em um circuito.
Figura 1.11– Figura 39.1 1 - (a) polarização direta,
(b) polarização reversa.

III) Material Experimental

• Multímetro;
• Fonte CC variável;
• Diodo:1N4007(ou equivalente)
• Resistor: 470/2W ou equivalente.
IV) Simbologia

V) Parte Prática

1. Meça com o Ohmímetro e anote no quatro 1.1 as resistências direta e indireta do diodo .

Quadro 2.1
RDireta
RReverva

2. Monte o circuito da figura 1.13.

Figura 1.13.

Figura 1.13.

3. Ajuste a tensão da fonte de tal forma a ter no diodo os valores de tensão do quadro 1.2 Para cada
caso, meça e anote a corrente no circuito.

Quadro 2.1

VD(V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8

ID(A)

4. Inverta a polaridade do diodo conforme mostra a figura abaixo.

Figura 1.14.
5. Repita o item 3 para os valores do quadro 1.3.

VD(V) 0 5 10 15 20 25 30
ID(A)

VI) Exercícios

1. Com os dados obtidos nos quadros 1.2 e 1.3, construa a curva característica do diodo: I = f(V).

2. Como você pode identificar os terminais de um diodo com o ohmímetro?

3. Ao medir a resistência de um diodo obteve-se um valor baixo tanto para a resistência direta como
para a reversa. O que aconteceu com o diodo?

4. Determine o ponto de trabalho do diodo para o circuito da figura 39.15, utilizando sua característica
mostrada ao lado.

5. Supondo os diodos do circuito da figura 1.16 ideais. Determine a leitura do voltírnetro para as posições
das chaves A e 0, conforme o quadro 1.4

Chave A Chave B Voltímetro

1 1
1 2
2 1
2 2