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M. en C.
JOSÉ RUBÉN AGUILAR SÁNCHEZ

CEDULA PROFESIONAL 3660462
1. DEFECTOS EN LAS ESTRUCTURAS METALICAS
1-1 INTRODUCCION
Todos los ingenieros tienen que ver con materiales, de manera cotidiana, en
manufacturas y procedimientos y el diseño y construcción de componentes o de
estructuras, deben seleccionar y utilizar materiales y analizar las fallas de los
mismos.
Si las propiedades requeridas se pueden conseguir y mantener durante el

uso; si el material es compatible con otras partes de un ensamble y pueden
fácilmente unirse a ellas; por otro lado considerar que pueda reciclarse fácilmente
y observar el material y observar si el material o su fabricación puede causar
problemas económicos .
1-1-1 TIPOS DE MATERIALES
Los materiales se clasifican en cinco grupos: metales, cerámicos,

polímetros, semiconductores y materiales compuestos
METALES los metales y su aleaciones, incluyendo el acero, aluminio, magnesio,

zinc, hierro fundido, titanio, cobre, níquel generalmente tiene como característica
una buena conductividad eléctrica y térmica, una resistencia relativamente alta,
una alta rigidez ductibilidad o comformabilidad y resistencia la impacto, las
combinaciones de metales conocidas como aleaciones proporcionan mejoría en
alguna propiedad.
CERAMICOS sólidos cristalinos que en general son óxidos carburos o nitrutos

metálicos son materiales no dúctiles por lo que su falla ocurre por fractura, son
débiles en tensión pero su resistencia a la compresión es de una a 15 veces
mayor que su resistencia a la tensión. su proceso de obtención ocurre por
conformación, secado y horneado el primero se utiliza solo en orillas y no en
cerámicos el segundo se le forma el producto y se evapora todo el agua contenida
y el 3ro se hornea de 800°C y 1500° C.
POLIMEROS. Son materiales de alta ductibilidad y maleabilidad que trabaja a

menores temperaturas que los metales, parten del monómero y cuya reacción
forman un plástico llamado polímero, dentro de los polímero existen la
polimerización que es la reacción química en las que sustancias simples
reaccionan para producir moléculas grandes con peso molecular elevado.
Algunos tipos de polímetros :
Homopolímero (un solo polímero), copolimero (unión de 2 o mas polímetros)

Polímero lizo, ramificado, cadena entrecruzada, red o malla polimérica.
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COMPUESTOS. Son materiales clasificados en granulares y fibrosos por lo que
tiene ventajas sobre un material monofásico, ya que son fibras paralelas son
altamente anisotropicos y los valores del modulo de elasticidad de resistencia a la
tensión en dirección normal a la fibra son algunos ejemplos: poliestireno, hule
estireno, nylon.
1-1-2 RELACION ESTRUCTURA-PROPIEDADADES-PROCESAMIENTO
PROPIEDADES. Podemos considerar las propiedades de un material en dos

categorías: mecánicas y físicas. Las propiedades mecánicas, que describen la
forma en que el material no responde a una fuerza aplicada, incluyen resistencia,
rigidez y ductilidad.
Laso propiedades físicas que incluyen el comportamiento eléctrico,

magnético, óptico térmico, elástico y químico dependen de tanto de la estructura
como del procesamiento de un material.
ESTRUCTURA la estructura de un material se puede considerar en diferentes

niveles, la disposición de los electrones que rodean al núcleo de los átomos
individuales afecta el comportamiento eléctrico, magnético, térmico, y óptico.
En el siguiente nivel, se toma consideración la disposición o arreglo de los

átomos, los metales, semiconductores, muchos cerámicos y algunos polímetros
tienen una organización de átomos muy regular, es decir una estructura cristalina.
En la mayor parte de los metales, de los semiconductores y de los

cerámicos se encuentran en una estructura granular
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En la mayor parte de los materiales se presentan mas de una fase, teniendo
cada una de en las su arreglo atómico y propiedades únicas.
PROCESAMIENTO EL procesamiento de los materiales produce la forma

deseada de un componente a partir de un material inicialmente sin forma. Los
metales se pueden procesar vertiendo metal liquido en un molde (fundición),
uniendo piezas individuales de metal (soldadura autógena, soldadura con aporte,
unión adhesiva), conformado el metal solidó en formas útiles mediante alta presión
(forja, trefilado, extrusión, laminado, doblado), compactando pequeñas partículas
de polvo metálico en una masa sólida (metalurgia de polvos). O eliminando
material excedente (maquinado)
1-1-3 ESTRUCTURA CRISTALINA
La celda unitaria es la subdivisión de la red cristalina que sigue

conservando las características generales de toda la red.
Se identifican 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravais agrupadas en

siete sistemas cristalinos.
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1-1-4 PUNTOS, DIRRECIONES Y PLANOS EN LA CELDA UNITARIA
Coordenadas de los puntos es posible localizar ciertos puntos, como las

posiciones de los átomos en la red o en la celda unitaria,
La distancia se mide en función del numero de parámetros de red que

habrá que moverse en cada una de las coordenadas x, y y z para pasar desde el
origen hasta el punto en cuestión.
Direcciones en la celda unitaria. Los índices millar para las direcciones son
la notación abreviada de estas direcciones. El procedimiento que determina los
índices de millar para las direcciones es el siguiente:
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1. Utilizando un sistema de coordenadas dextrógiro,
2. Reste las coordenadas del punto inicial de las coordenadas al las del punto
final
3. Reduzca las fracciones y/o los resultados obtenidos de la resta a los

mínimos enteros.
4. Encierre los números en corchetes
1-1-5 PROBLEMAS DE APLICACION
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1-2 METERIALES CRISTALINOS Y NO CRISTALINOS
1-2-1 MONOCRISTALES
Tras describir los cuatro tipo de sólidos: monocristalinos, policristalinos,

vítreos y amorfos, la cristalografía se Inicio alrededor de1700, con el estudio de la
forma externa o morfológica de los cristales, pero fue en los primeros años del
presente siglo que se estableció el concepto de cristal como un ordenamiento
regular de átomos, mas tarde en 1912, se descubrió el método de difracción de
rayos x para estudiar los cristales.
Para un monocristal de oxido de cromo(Cr2O3). Los puntos de exposición

en la placa fotográfica son las intercesiones haces difractados al chocar con ella.
1-2-2 POLÍMETROS CRISTALINOS
Un cierto número de polímetros cristalinos pueden formar una estructura

cristalina. Las líneas punteadas en la figura 3-30 resalta la celda unitaria para la
red del polietileno. Este se obtiene uniendo moléculas C2H4 para producir largas
cadenas de polímetros que forman una celda unitaria ortorrómbica.
1-2-3 DIFRACCION DE RAYOS X
Cuando un haz monocromático (de una sola longitud de onda) del mismo
orden de magnitud que el espaciamiento atómico del material lo golpea, los rayos
x se dispersan en todas direcciones. La mayor parte de la radiación dispersa por
un átomo anula la dispersada por otros átomos. Sin embargo, los rayos x que
golpean ciertos planos cristalográficos en ángulos específicos se ven reforzados
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en vez de eliminados. Este fenómeno se le conoce difracción. Los rayos x han
sido difractados o el haz ha sido reforzado, cuando las condiciones satisfacen la
ley de Braga
Donde el Angulo 0 es la mitad del ángulos entre el haz difractado y la

dirección original del haz es la longitud de onda de os rayos x y es la distancia
interplanar entre los planos que causan el refuerzo constructivo del haz.
1-2-4 RESOLUCION DE PROBLEMAS PLANTEADOS
1-3 IMPERFECCIONES CRISTALINAS
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red
1-3-1 DISLOCACIÓN
Se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un cristal perfecto,

torciéndolo y desplazándolo un lado del corte sobre el otro la distancia de un
átomo. Si un plano cristalográfico describimos una revolución completa alrededor
del eje sobre el cual el cristal fue torcido, partiendo del punto x y recorriendo
espaciamientos atómicos iguales en cada dirección.
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El vector que se requiere para cerrar la trayectoria y volver a nuestro punto
inicial se conoce como vector de Burgers b. el vector de Burgers es paralelo a la
dislocación de tornillos.
Dislocación de borde. Se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través

de un cristal perfecto, separándolo y rellenándolo parcialmente el corte con un
plano de átomos adicional. El borde de este plano adicional representa la
dislocación de borde, la cual también se ilustra.
Si seguimos la trayectoria en circulo a favor de las manecillas del reloj

alrededor de la dislocación de borde, partiendo del punto x y recorriendo un
número igual de espaciamientos atómicos en cada dirección, terminaríamos
alejados un espaciamiento atómico del punto de partida y. El vector que se
requiere para completar el circuito es, de nuevo, el vector de Burgers. En este
caso, el vector de Burgers es perpendicular a la dislocación.
1-3-2 DESLIZAMIENTO
Podríamos trasladar el vector de Burgers del circuito a la dislocación de

borde, después de ese traslado, encontramos que el vector Burgers y el plano
resultan útiles para explicar como se deforman los materiales.
Si este proceso continua, la dislocación se recorre a través del cristal hasta

que se produce un escalón en el exterior del mismo; el cristal ha sido deformado.
El proceso mediante el cual se mueve una dislocación causando que se

deforme un material se conoce como deslizamiento, la dirección en la cual se
mueve la dislocación, la dirección de deslizamiento, es la dirección del vector de
Burgers para la dislocación de borde.
1-3-3 DEFECTOS PUNTUALES
Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran uno a

quizás varios átomos, pueden ser generados en el material mediante el
movimiento de los átomos al ganar energía por calentamiento;
VACANCIAS. Una vacancia se produce cuando falta un átomo en un sitio normal.

Las vacancias se crean en el cristal durante la solidificación a altas temperaturas o
como consecuencia de daños por radiación.
Diseñe un tratamiento térmico que proporcione 1000 veces mas vacancias

en el cobre de las que están normalmente presentes a temperatura ambiente. Se
requieren aproximadamente 20 000 cal/mol para producir una vacancia en el
cobre.
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OTROS DEFECTOS PUNTUALES
El defecto Frenkel es un par de defectos, intersticio-vacancia formando

cuando un ion salta de un punto normal de la red a un sitio intestircial, dejando
detrás una vacancia. Un defecto Schottky es un par de vacancias en un material
de enlace iónico; deben faltar tanto un anion como un cation de la red si se ha de
preservar la neutralidad eléctrica del cristal. Este defecto es común en materiales
cerámico s de enlace iónico.
IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS PUNTUALES
Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los átomos

circuncidantes, distorsionando la red a lo largo de quizás cientos de
espaciamientos atómicos a partir del defecto. Una desolación que se mueve a
través de las cercanías generales de un defecto puntual encuentra una red en la
cual los átomos no están en sus posiciones de equilibrio.
1-3-4 DEFECTOS LINEALES
Los defectos lineales se extienden en una sola dirección y suelen medir

algunos diámetros atómicos en ángulo recto con respeto a su longitud el único
defecto es la desolación. Los estudios de disolaciones han permitido conciliar la
velocidad de crecimiento del cristal a partir del vapor, según supone la teoría
clásica, con las velocidades de crecimiento significativamente mas rápidas que se
observan en forma experimental.
1-3-5 DEFECTOS DE SUPERFICIE
Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan un

material en regiones de la misma estructura cristalina pero con orientaciones
cristalográficas distintas.
SUPERFICIE DEL MATERIAL. En la las superficies externas del material la red

termina de manera abrupta
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1-4 FACTORES QUE INFLUYEN EN EL CONTROL DE DESLIZAMIENTO
1-4-1 FRONTERAS DE GRANO
La micro estructura de la mayor parte de los materiales esta formada por

muchos granos. Un grano es una porción del material dentro de cual el arreglo
atómico es idéntico. Sin embargo, las orientaciones del arreglo atómico, o de la
estructura cristalina es distinta para cada grano.
La frontera de grano, que es la superficie que separa los granos, es una

zona estrecha en la cual los átomos no están correctamente espaciados. Esto
quiere decir que, en algunos sitios, los átomos están tan cerca uno de otros en la
frontera de grano que crean una región de comprensión y en otras áreas están tan
alejados que creen una región de tensión.
1-4-2 EDURECIMIENTO POR TAMAÑO DE GRANO
Finalmente las imperfecciones de superficie como bordes de grano también

alteran la red, si la dislocación B se mueve a la derecha, encontrara un borde de
grano y quedara bloqueada. Al incrementar el numero de granos al reducir el
tamaño de los mismos, se consigue el endurecimiento por tamaño de grano.
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1-4-3 EL MICROSCOPIO ELECTRONICO DE TRASMICION (MET)
Se utiliza para observar las dislocaciones. El MET, se enfoca un rayo de

electrones sobre una hoja extremadamente delgada del material; el haz de
electrones interactúa con las imperfecciones en el material, causando diferencias
en la fracción de electrones transmitidos. En consecuencia, se observan distintos
contrastes al ver el haz trasmitido sobre una pantalla fluorescente o sobre una
placa fija.
2 DIFUSIÓN
2-1 CONCEPTOS GENERALES
La difusión es el movimiento de los átomos en un material. El movimiento

de los átomos es necesario para mucho de los tratamientos que llevamos a cabo
sobre los materiales. Es necesaria la difusión para el tratamiento térmico de los
metales, la manufactura de los cerámicos, la solidificación de los materiales, la
fabricación de transistores y celdas solares y la conductividad eléctrica de muchos
cerámicos
2-1-1 ESTABILIDAD DE LOS ATOMOS
Los átomos poseen algo de energía térmica y se moverán, por ejemplo, un

átomo puede trasladarse de un punto normal de la red y ocupar una vacancia
cercana. Los átomos pueden moverse de un sitio intersticial a otro y pueden saltar
a través de un borde de grano, haciendo que dicho borde se mueva.
La razón de movimientos esta relacionada con la temperatura o energía

térmica, mediante la ecuación de arrhenius
2-1-2 ECUACION DE ARRHENIUS
Donde Co es una constante, R es la constante de los gases (1.987 cal/mol

K) T es la temperatura absoluta (k) y Q la energía de activación (cal/mol) requerida
para que una imperfección se mueva.
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2-1-3 RESOLUCION DE PROBLEMAS
Suponga que se determina que los átomos intersticiales a 500° C se

mueven de un sitio a otro a razón de 5 x 108 saltos/s y a 8 x 1010 saltos/s a 800°C.
calcule la energía de activación Q del proceso.
Q = 14 000 K-1 en decir Q = 27 880 cal/mol
2-2 MECANISMO DE DIFUSION
Incluso materiales sólidos absolutamente puro, los átomos se mueven de

una posición en la red a otra. Este proceso, que se conoce como autodifusión.
También ocurre la difusión de átomos distintos materiales. Si se suelda una

lámina de níquel a una lámina de cobre, los átomos de níquel gradualmente se
difunden en el cobre y los de cobre emigran hacia el níquel.
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2-2-1 DIFUSION POR VACANCIA
Un átomo abandona su sitio en la red para llenar una vacancia cercana

(creando así una nueva vacancia en su lugar original de la red) conforme continúa
la difusión, se tiene un flujo de vacancias y átomos en sentidos opuestos conocido
como difusión de vacancia.
2-2-2 DIFUSION INTERTICIAL
Cuando en la estructura cristalina esta presente un pequeño átomo

intersticial, este átomo pasara de un sitio intersticial a otro. Para este mecanismo
no es necesario que existan vacancias.
En parte por que el número de sitios intersticiales es mucho mayor que el

de vacancias, por tanto, se espera que la difusión intersticial sea rápida
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2-2-3 ENERGIA DE ACTIVACION PARA LA DIFUSION
Un átomo que se difunde debe oprimir a los átomos circuncidantes para

llegar a su nuevo sitio. Para que ocurra, deberá proporcionársele energía a fin de
que llegue a su nueva posición
La barra de energética es la energía de activación Q. el calor le proporciona

al átomo la energía que requiere para vencer esta barrera.
2-3 VELOCIDAD DE DIFUSION (PRIMERA LEY DE FICK)
La velocidad a la que se difunden los átomos en un material se pueden

medir mediante el flujo J, que se define como el número de átomos que pasa a
través de un plano de superficie unitaria por unidad de tiempo.
Donde J es el flujo (átomos/cm2 . s) D es la difusividad o coeficiencia de

difusión (cm2/s) y es el gradiente de concentración (átomos/cm3 .s).
Durante la difusión varios factores afectan el flujo de los átomos.
2-3-1 GRADIENTE DE CONCENTRACION
Muestra la forma en que la composición del material varia con la distancia

Ac es la diferencia en concentración a lo largo de una distancia.
El gradiente de concentración puede crearse al poner en contacto dos

materiales de composición distinta cuando un gas o un liquido entra en contacto
con material solidó.
Átomo A
Átomo B
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2-3-2 EL COEFICIENTE DE DIFUSION Y LA TEMPERATURA
El coeficiente de difusión D esta relacionado con la temperatura atrvez de

una ecuación Arrhenius.
Donde Q es la energía de activación (cal/mol), R es la constante de los

gases (1.987 cal/mol .K) y T es la temperatura absoluta (k). D0 es una constante
para un sistema de difusión dado. Los valores típicos de D en tanto la
dependencia de D con la temperatura para v arios metales.
Cuando se incrementa la temperatura de un material también se incrementa

el coeficiente de difusión y el flujo de átomos.
A bajas temperaturas, frecuentemente por debajo del de aproximadamente

0.4 veces la temperatura de fusión absoluta del material, la difusión es muy baja y
puede no ser significativa.
2-3-3 FACTORES QUE AFECTAN LA DIFUSION Y LA ENERGIA DE

ACTIVACCION
Una pequeña cantidad de energía de activación Q incrementa el coeficiente

de difusión y el flujo, por que se requiere menos energía térmica para vencer dicha
barrera de energía de activación. Varios factores influyen en la energía de
activación y, por tanto en la velocidad de difusión. La difusión intersticial, con una
energía de activación baja, por lo general ocurre mucho mas aprisa que la difusión
por vacancias o sustitucional.
También encontramos que debido a su menor tamaño, los cationes (con

carga positiva) a menudo tienen coeficientes de difusión mas altos que los
aniones (con carga negativa) en el que cloruro de sodio, por ejemplo, la energía
de activación para la difusión de los iones de cloro es de aproximadamente el
doble que la correspondiente a la difusión de los iones de sodio. En los polímetros
nos encontramos con la difusión de átomos o de pequeñas moléculas entre largas
cadenas poliméricas
2-3-4 TIPOS DE DIFUSION
En la difusión volumétrica, los átomos se mueven a través del cristal de un

sitio de red , o de un sitio intestircial, a otro.
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Los átomos pueden pasar con mayor facilidad a través de un borde de
grano mal organizado, la energía de activación es baja. La difusión en superficies
es aun mas fácil , por que en las superficies existen incluso menos restricciones
para los átomos a difundir.
2-3-5 RESOLUCION DE PROBLEMAS
Considere un par de difusión desconocido entre el tungsteno puro y una

aleación de tungsteno con 1% atómico de torio. Después de varios minutos
expuestos a 2000 ° C se establece una zona de transición con 0.01cm de espesor.
¿Cuál es el flujo atómico de torio en ese momento, si la difusión se debe a
(a)difusión volumétrica. (b) difusión por bordes de grano y (c) difusión en
superficie?
SOLUCIÓN. El parámetro de red del tungsteno CC es aproximadamente 3.165 Ä,

entonces el número atómico del tungsteno/cm3 es:
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2-4 PERFIL DE COMPOSICION
2-4-1 SEUNADA LEY DE FICK
Describe el estado dinámico de la difusión de los átomos, es la ecuación

diferencial dc/dt=D(d2cldx2), cuya solución depende de las condiciones a la
frontera para una situación en particular. Una solución de esta cuestión es:
Donde Cs es la concentración constante de los átomos a difundir en la

superficie del material, Co es la concentración inicial en el material de los átomos a
difundir yc3 es la concentración del átomo de difusión en una posición x por debajo
de la superficie después de un tiempo t.
Nos permite calcular la concentración de una de las especies en difusión

cerca de la superficie del material en función del tiempo y la distancia, siempre y
cuando el coeficiente de difusión D permanezca constante y las concentraciones
del átomo en difusión en la superficie cs y dentro del material co se mantengan sin
modificación.
2-4-2 APLICACIÓN EN INGENIERIA
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2-5 APLICACIONES METALURGICAS DE LA DIFUSIÓN
2-5-1 SOLDADURA POR DIFUSIÓN
La soldadura por difusión, método utilizado para unir materiales, se

efectúan en tres pasos, el primero se realiza mediante presión, deformándolas,
obligando a las dos superficies a unirse, fragmentos impurezas y produciendo una
gran área de contacto átomo-átomo. Mientras las superficies se mantienen en
compresión y a temperaturas elevadas, los átomos se difunden a lo largo de los
bordes de grano hacia las vacancias restantes; los átomos se concentran y se
reduce el tamaño.
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2-5-2 SINTERIZACIÓN
Un cierto número de materiales se manufacturan en forma útiles mediante

un proceso que requiere la consolidación de pequeñas partículas en una masa
sólida. La sinterización es un tratamiento a alta temperatura, que hace que las
partículas se unan y de manera gradual se reduzca el volumen del espacio de los
poros entre las mismas. La sinterización es un paso frecuente en la fabricación de
los componentes cerámicos, así como en la producción de componentes metálicos
mediante la metalurgia de polvos.
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3. SOLIDIFICACIÓN
3.1 PRINCIPIOS FUNDAMENTALES.

3.1.1 NUCLEACION.
La nucleación ocurre cuando se forma una pequeña porción sólida dentro

del líquido.
Un embrión es cuando a un sólido se le vuelve a fundir para reducir su

energía libre, entonces el metal permanecerá en estado líquido.
El subenfriamiento DT es la temperatura de solidificación al equilibrio,

menos la temperatura real del líquido.
NUCLEACIÓN HOMOGÉNEA.- Cuando el líquido se enfría lo suficiente por

debajo de la temperatura de solidificación de equilibrio, se combinan dos factores
para favorecer la nucleación, esta ocurre cuando el subenfriamiento es lo
suficiente como para causar la formación de un núcleo estable.
NUCLEACIÓN HETEROGÉNEA.- Es la nucleación sobre superficies de

impurezas la cual para alcanzar su tamaño crítico se necesita menos
subenfriamiento.
3.1.2 CRECIMIENTO.
El crecimiento ocurre conforme los átomos se integran a la superficie del

sólido. Dependerá de la forma en que se vaya extrayendo el calor del sistema.
Antes de que se complete la solidificación deberá eliminarse de la interfase sólido-
líquido el calor latente de la fusión.
La manera en la cual se libere o retire este calor determinará el mecanismo

de crecimiento de los núcleos y la estructura final.
CRECIMIENTO PLANAR.- Durante la solidificación, el calor latente de fusión es

eliminado por conducción desde la interfase sólido-líquido, a través del sólido y
hacia los alrededores. Cualquier pequeña protuberancia que empiece a crecer en
la interfase estará rodeada de líquido con una temperatura mayor a la de
solidificación y el crecimiento de la protuberancia se detendrá hasta que el resto
de la interfase la alcance. A esto se le conoce como Crecimiento Planear.
CRECIMIENTO DENDRÍTICO.- Cuando la nucleación es débil, el líquido se sub-

enfría antes de que se forme el sólido, bajo estas condiciones una protuberancia
sólida pequeña llamada dendrita se forma y crea en la interfase. El crecimiento
dendrítico continúa hasta que el líquido sub-enfriado alcanza la temperatura de
solidificación.
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Cualquier líquido restante se solidificará entonces mediante el mecanismo

de crecimiento planar
Fracción dendrítica= f=c∆T/∆HF
Donde c es el calor específico del líquido. El numerador representa el calor

que puede absorber el líquido sub-enfriado y el calor latente en el denominador
representa el calor total que debe liberarse durante la solidificación.
3.1.3 FACTORES QUE AFECTAN EL PROCESO.
El tiempo de solidificación afecta el tamaño de las dendritas.
El espaciamiento entre brazos dendríticos secundarios (EBDS), se reduce

cuando la fundición se solidifica con mayor rapidez, las redes dendríticas más
finas y más extensas sirven como un conductor más eficiente del calor latente
hacia el líquido sub-enfriado.
Para producir espaciamientos entre brazos dendríticos secundarios

excepcionalmente finos se utiliza un proceso de solidificación rápida; un método
común es producir gotas de líquido muy finas mediante procesos especiales de
atomización.
Las gotas pequeñas se solidifican a una rapidez de aproximadamente 104

ºC/s.
Esta velocidad de enfriamiento no es suficientemente rápida para formar un

vidrio metálico, pero sí produce una estructura dendrítica fina.
3.1.4 REFINACION DEL GRANO.
Algunas veces se introducen intencionalmente partículas de impureza en el

líquido. A esta práctica se conoce como refinación de grano o inoculación. La
refinación de grano o inoculación produce Fran número de granos, cada uno de
los cuales empieza a crecer a partir de un núcleo.
Los metales, cuanto mayor sea el área superficial de los bordes de grano,
mayor será el endurecimiento por tamaño de grano.
En enfriamientos muy rápidos, pudiera no haber el tiempo suficiente para

que los núcleos se formen y crezcan. Cuando esto ocurre, la estructura líquida se
congela, formándose un sólido amorfo o vítreo. La estructura cristalina compleja
de muchos materiales cerámicos poliméricos, impide la nucleación de una
estructura cristalina durante la solidificación, incluso a bajas velocidades de
enfriamiento.
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Los metales requieren velocidades de enfriamiento de 106 ºC/s.
La producción de vidrios metálicos mediante el enfriamiento rápido así

como de otras estructuras únicas, se conoce como PROCESAMIENTO POR
SOLIDIFICACION RAPIDA.
Se obtiene altas velocidades utilizando pequeñas partículas de polvo

metálico.
RESOLUCION DE PROBLEMAS.
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3.2 CURVAS DE ENFRIAMIENTO.

3.2.1. ELABORACION Y DESCRIPCION DE UNA CUERVA.
Son las curvas o gráficas en las cuales se muestran como cambia la

temperatura de un material con el transcurso del tiempo.
El líquido se vierte en un molde a la temperatura de vaciado.
El líquido se enfría cuando el molde extrae su calor específico, hasta que

llega a la temperatura de solidificación.
La pendiente de la curva de enfriamiento, antes de que se inicie la

solidificación, es la rapidez de enfriamiento ∆T/∆t.
Si en el metal líquido están presentes núcleos heterogéneos efectivos, el

cambio de estado comienza a la temperatura de solidificación.
Debido a la generación del calor latente de fusión se produce una meseta o

estabilización térmica.
El calor latente mantendrá el líquido restante a la temperatura de

solidificación, hasta que todo el líquido se haya solidificado y no se pueda extraer
más calor.
En estas condiciones el crecimiento es planar.
Curva de enfriamiento para la solidificación de un material puro.
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3.2.2. SOBRECALENTAMIENTO.
Es la diferencia entre la temperatura de vaciado y la temperatura de

solidificación.
3.2.3. TEMPERATURA DE VACIADO.
Grado térmico de un metal al momento de ser vaciado en un molde durante

el proceso de fundición.
3.2.4. TIEMPO DE SOLIDIFICACION.
Es el tiempo requerido para eliminar tanto el calor específico del líquido

sobrecalentado como el calor latente de fusión y se mide a partir del momento del
vaciado, hasta que se completa la solidificación; este tiempo se determina por la
regla de Chvorinov.
3.3.1 REGLA DE CHVORINOV.
Tiempo de solidificación de una fundición que es directamente proporcional

al cuadrado de la relación volumen a superficie de la fundición.
Con la regla de Chvorinov podemos calcular el tiempo ts requerido para que

una fundición simple se solidifique completamente.
ts=b(V/A)n,
Donde V es el volumen de la fundición y representa la cantidad de calor que debe

ser eliminada, antes de que ocurra la solidificación.
A es el área de la superficie de la fundición que está en contacto con el

molde y representa la superficie por la cual se va a extraer el calor de la fundición;
n es una constante (generalmente 2) y B es la constante del molde, la cual
depende de las propiedades y temperaturas iniciales tanto del metal como del
molde.
3.3.2 DEFECTOS DE SOLIDIFICACION.
Aunque existen muchos defectos que pudieran generarse durante la

solidificación, existen dos para mencionar:
Contracción.- La mayoría de los materiales son más densos en estado sólido que
en estado líquido. Durante la solidificación el material se contrae, es decir, se
encoge hasta un 7 %.
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Frecuentemente, la mayor parte de la contracción produce cavidades, si la

solidificación se inicia en toda la superficie de la pieza.
Si una de las superficies se solidifica más lentamente que las demás, la

contracción aparece en forma de rechupe.
Una técnica común para controlar cavidades y rechupes por la contracción

volumétrica es colocar un rebosadero, es decir, una reserva de metal conectada
ala fundición.
Contracción Interdendrítica.- Consiste en la formación de poros debido a

contracciones volumétricas entre las dendritas.
También conocido como microcontracción o porosidad por contracción, es

difícil de evitar mediante rebosaderos.
Las altas velocidades de enfriamiento pueden reducir los problemas de la

contracción interdendrítica.
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Porosidad gaseosa.- Muchos metales en estado líquido disuelven gran cantidad

de gas, El hidrógeno excedente forma burbujas que pueden quedar atrapadas en
el metal sólido, produciendo porosidad gaseosa.
La cantidad de gas que se puede disolver en un metal fundido está dada

por la ley de Sievert (“La cantidad de un gas que se disuelve en un metal es
proporcional a la presión parcial del gas en los alrededores”):
Donde Pgas es la presión parcial del gas en contacto con el metal y K es

una constante específica para un sistema metal-gas particular, que aumenta con
el incremento de temperatura.
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3.3.3 COLADA CONTINUA
Se pueden producir perfiles metálicos continuos mediante el proceso de

colado.
El metal líquido es alimentado desde un recipiente hacia un molde de cobre

enfriado por agua, que enfría rápidamente la superficie del acero.
El acero parcialmente solidificado es extraído del molde a la misma

velocidad que otra porción de acero líquido al entrar en dicho molde.
El centro del perfil de acero termina su solidificación fuera del molde.
La tira de material continuo se corta a las longitudes apropiadas mediante

máquinas de corte especiales que viajan a la misma velocidad que la cinta de
acero.
Se utilizan procedimientos similares para obtener perfiles o listones de

aluminio, cobre e incluso vidrios cerámicos.
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3.3.4 SOLIDIFICACION DIRECCIONADA.
Existen algunas aplicaciones donde no es deseable tener una estructura de

granos equiaxiales en la pieza. Se obtienen mejores resistencia a la termofluencia
y a la fractura, utilizando la técnica de solidificación direccionada (SD).
En el proceso SD, se calienta el molde desde un extremo y se enfría desde

otro, produciendo una microestructura columnar que tiene todos los bordes de
grano en la dirección longitudinal de la pieza.
Aun mejores propiedades pueden obtenerse utilizando una técnica de

monocristal.
La solidificación comienza en forma de granos columnares en una

superficie fría, sin embargo, debido a la conexión helicoidal, solamente un grano
columnar puede crecer en el cuerpo principal de la pieza.
La pieza de un solo cristal no tiene absolutamente ningún borde de grano y

tiene sus planos y direcciones cristalográficas en orientación óptima.
28
RESOLUCION DE PROBLEMAS.
3.4 SOLIDIFICACION DE LOS POLIMEROS.
La solidificación de los polímeros es significativamente distinta a la de los

metales y requiere que largas cadenas de moléculas se alineen muy cerca unas
de otras a lo largo de distancias relativamente altas.
Al hacerlo, el polímero crece como cristales en forma de lámina. La región

entre cada una de las láminas contiene cadenas de polímeros distribuidas en
forma aleatoria.
Además, a partir de un núcleo común crecen agrupamientos de láminas,

aunque la orientación de estas difiere de un agrupamiento a otro.
Conforme estos agrupamientos crecen, pueden tener una forma esferoidal

que se conoce como esferulita.
29
La esferulita está compuesta por muchos agrupamientos individuales de

láminas o laminillas con orientación diferente.
3.4.1 SOLIDIFICACION Y UNION DE MATERIALES.
La solidificación también es importante en la unión de los metales mediante

la soldadura por fusión. En los procesos de soldadura por fusión, una porción de
los metales a unir se funde y en muchos casos, se agrega un metal fundido
adicional.
La zona donde se tiene metal líquido se conoce como zona de fusión.
Cuando posteriormente la zona de fusión solidifica, las piezas originales de

metal quedan unidas entre sí.
Durante la solidificación de la zona de fusión, no se requiere nucleación. El

sólido siempre empieza a crecer en forma columnar a partir de granos existentes.
El crecimiento de granos sólidos en la zona de fusión a partir de granos

preexistentes se conoce como Crecimiento Epitaxial.
La estructura y las propiedades de la zona de fusión dependen de muchas

de las mismas variables involucradas en los procesos de fundición de metales.
4 .DIAGRAMAS DE FASE
4.1 DEFICIONES Y CONCEPTOS FUNDAMENTLES
Antes de interpretar y de utilizar los diagramas de fases(o de equilibrio)

conviene establecer un conjunto de definiciones y conceptos fundamentales
relacionados con las aleaciones, las fases y el equilibrio.
4.1.1 LIMITE DE SAOLUBILIDAD
En muchas aleaciones y para alguna temperatura específica existe una

concentración máxime de átomos de soluto que se disuelven en el disolvente para
formar una solución sólida: es el límite de solubilidad. La adición de un exceso de
soluto a este limite de solubilidad forma otra disolución sólida o compuesto con
una composición completamente diferente.
4.1.2 FASES
Una fase se puede definir con una proporción homogénea de un sistema

que contiene características físicas y químicas uniformes. Un material puro, un
30
sólido, un liquido, una disolución gaseosa se consideran fases. Si en un sistema
hay más de una de una fase, cada una de ellas tiene sus propiedades
características y un límite que la separa de otras fases.
En este cambio aparece un cambio discontinuo y abrupto en las

características físicas y/o químicas. Cuando en un sistema hay dos o fases. No es
necesario que haya diferencias en las propiedades físicas y en las propiedades
químicas: es suficiente que la disparidad este en un solo tipo de estas
propiedades. Cuando el agua y el hielo estén en un recipiente existen dos fases
separadas: son físicamente distintas (el hielo es sólido y el agua es liquida) pero
químicamente idénticas.
MICROESTRUCTURA. Las propiedades físicas y, en particular, el

comportamiento mecánico de un material dependen de la microestructura. La
microestructura es susceptible de ser observada microscópicamente utilizando
microscopios ópticos y electrónicos.
La microestructura se caracteriza por el número de fases y por la

proporción y distribución de fases. La microestruictura de una aleación depende
del número de aleantes, de la concentración de cada uno de ellos y del
tratamiento térmico de la aleación.
4.1.3 EQUILBRIO DE FAES
Un sistema esta en equilibrio si la energía limite es mínima en condiciones

especificas de temperatura, presión y composición. Esto significa que las
características del sistema no cambian con el tiempo sino que se mantiene
indefinidamente; es decir, el sistema es estable.
El termino equilibrio de fases se refiere al equilibrio aplicado al sistema de

mas de una fase. El equilibrio de fases se traduce como u8na constante, a lo
largo del tiempo, de las características del sistema.
4.2 DIAGRAMAS DE FASE
Los diagramas de equilibrio de fases representan las relaciones entre

estructura y la composición de cantidades de fases en equilibrio. Existen distintos
diagramas pero la temperatura y la presión son parámetros variables de las
aleaciones variables. Si hay más de dos componentes el diagrama se complica y
su representación es difícil. El fundamento del control microestructural realizado
con, los diagramas de fases se ilustra en las aleaciones binarias, aunque la
mayoría de las aleaciones contiene en realidad más de dos componentes.
31
4.2.1 INTERPRETECION DE LOS DIAGRAMAS DE FASES
Para interpretar estos gráficos es interesante comprender como se

construyen. Cuando una sustancia pura solidifica la temperatura a la que lo hace
es una constante física, definida y neta conocida como un punto de fusión (a
presión atmosférica) constante para esa sustancia mientras coe3sxisten ambas
fases.
Conociendo la composición y temperatura de equilibrio, los diagramas de

equilibrio binarios suministran la siguiente información:
FASES PRESENTES: Se localiza en el diagrama el punto definido por la

temperatura y la composición y se identifican las fases presentes en este campo.
DETERMINACION DE COMPOSICIONES DE FASES: La primera fase en la

determinación de la composición de fases (en términos de la concentración de
componentes) consiste en localizar el punto temperatura-composición en el
diagrama de fases. En el sistema monofásico, el procedimiento es sencillo: la
composición de la fase coincide con la composición total de la aleación.
En toda región bifásica se pueden imaginar líneas horizontales para cada

temperatura conocidas como rectas de reparto o isotérmicas.
Estas líneas se extienden a lo largo de la región bifásica y determinan en

un límite de fase en cada extremo. Las concentraciones de equilibrio de las dos
fases presentes se calculan de la siguiente manera:
32
1. Se traza una línea de reparto a través de la región bifásica a la temperatura

de aleación.
2. Se anotan las intersecciones de la recta de reparto con los dos límites de la
fase de los extremos.
3. A partir de estas intersecciones se trazan perpendiculares hasta cortar el
eje horizontal de las composiciones y estas últimas intersecciones corresponden a
las composiciones de las fases presentes.
4.2.2 DETERMINACION DE LA CANTIDAD DE FASES:
La cantidad relativa, como fracción o como porcentaje, de las fases

presentes en el equilibrio se puede calcular mediante losa diagramas de fase. Las
situaciones monofásicas se deben tratar separadamente.
En el diagrama de fases para el

Mg puro solo hay un
componente, pero según el punto
que se considere el numero de
fases varia también los grados
de libertad(es decir, pueden
variar la temperatura y la presión
sin alterar la fases.
En el punto B, donde coexiste el Mg sólido y líquido, hay dos

fases entonces habrá solo u8n grado de libertad. Esto
significa que al fijar una variable la otra queda determinada,
mientras ambas fases estén presentes. En el punto C el
numero de fases es 3 y el numero de grados de libertad,
cero. Coexisten las tres fases solo a esa presión y
temperatura (punto triple).
En la sección monofásica (por existir una sola fase) solo existe una fase.
Si la coordenada composición-temperatura esta localizada dentro de la región
bifásica, el problema es más complejo. La recta de reparto se debe utilizar
conjuntamente con un procedimiento llamado regla de la palanca.
33
4.2.4 REGLA DE LA PALANCA
1. A la temperatura de aleación se traza un segmento de recta de reparto a

través de la región bifásica.
2. La composición total de la aleación esta localizada en el segmento de
reparto.
3. La fracción de una fase se calcula midiendo la magnitud del segmento de
la recta de reparto desde la composición de la alearon hasta el limite de la otra
fase dividiendo entre la longitud total del segmento de isoterma.
4. la fracción de la otra fase se determina del mismo modo.
5. si interesan los porcentajes de fases, se multiplican por 100 las fracciones
de fase
La longitud del segmento de la recta de reparto utilizado en la regla de la

palanca se puede medir directamente mediante una regla graduada en milímetros
o restando los valores de la composición que figuran en el eje de las abcisas. El
segmento de la regla de reparto se ha trazado para determinar las
composiciones de las fases α y líquido. A composición global de la aleación esta
localizada en el punto Co de este segmento: las fracciones de las masas de las
fases presentes están representadas por WL y Wα. la fracción WL se calcula
mediante la regla de la palanca.
o restando las composiciones
EJEMPLO:
En una aleación el porcentaje de peso de níquel: C0=35% en peso
Ni, C α. =43% en peso Ni y CL =32% en peso Ni, y
de modo parecido para la fase α,
34
4.2.6 DESARROLLO DE MICROESTRUCTURAS EN ALEACONES

ISOMORFICAS
Es instructivo examinar el desarrollo de microestructuras que ocurre en las

aleaciones isomórficas durante la solidificación. En primer lugar se supone un
enfriamiento muy lento que mantiene las fases en equilibrio permanentemente y
en segundo lugar se suponen condiciones de no equilibrio. Al empezar el
enfriamiento no hay cambios ni en las microestructuras ni en la composición
hasta alcanza la línea liquidus (punto b,1270°C) en este punto aparece el primer
sólido α. Al continuar el enfriamiento, las composiciones y las cantidades relativas
de ambas fases cambian.
Las condiciones de solidificación en equilibrio solo se alcanzan mediante las

velocidades de enfriamiento extremadamente lentas. Los cambios de temperatura
deben permitir el reajuste de modo que la composición de dos fases en equilibrio
coincida con la prevista en el diagrama de fases .estos reajustes se alcanzan
mediante procesos de difusión; es decir, difusión mutua de las fases sólida y
liquida, teniendo en cuenta que depende del el tiempo.
Una importante consecuencia de la solidificación fuera del equilibrio para

aleaciones isomorfas es una distribución no uniforme de los dos elementos
dentro de los dos cristales, denominada segregación.
PROPIEDADES MECANICAS DE ALEACIONES ISOMORFICAS.
Estas propiedades dependen de la composición, cuando las otras

variables estructurales permanecen constantes. A temperaturas y composiciones
inferiores al punto de fusión del componente de menor punto de fusión solo existe
una fase sólida.
Por lo tanto cada componente experimentará un endurecimiento sólido en

disolución o incremento de la resistencia y de la dureza por adición de otro
componente.
4.3 DESARROLLO DE MICROESTRUCTURAS EN ALEACIONES EUTÉCTICAS
Al enfriar lentamente una aleación a partir del sistema binario eutéctico se

generan vario tipos diferentes de micro estructuras, dependiendo de la
composición.
El primer caso es para un tramo de composición comprendido entre un

componente puro y la máxima solubilidad sólida para este componente a
temperatura ambiente (20ºC). E n el sistema plomo-estaño se refiere a aleaciones
ricas en plomo que contienen entre 0 y 2% en peso de Sn.
35
Las composiciones de las fases liquidas y sólidas son distintas, ya que

siguen los límites de fases liquidus y solidus, respectivamente. La solidificación
termina cuando la línea ww’ llega a la línea solidus. La aleación resultante es
policristalina con composición uniforme y no experimenta cambios al enfriar hasta
temperatura ambiente.
36
El segundo caso a considerar es el tramo de composición que comprende

el límite de solubilidad de temperatura a temperatura ambiente y la solubilidad
sólida máxima a temperatura del eutéctico. En el sistema plomo-estaño esta
composición se extiende desde un 2% en peso de Sn hasta 19.2% en peso de Sn,
para una aleación rica en plomo, y desde 97.5% en peso de Sn estaño
prácticamente puro, para una aleación rica en estaño.
El tercer caso implica la solidificación de la composición eutéctica, el 61.9%

en peso de Sn. Una aleación liquida de esta composición se enfría desde 250ºC
siguiendo la vertical. Al bajar la temperatura no se aprecian cambios hasta llegar a
la temperatura del eutéctico de 183ºC. Esta transformación se puede representar
por la reacción:
L (61.9% en peso Sn) → α (19.2% en peso Sn)+ β (97.7 % en su peso Sn)

(9.6)
37
La micro estructura resultante consiste en capas alternadas (a veces
llamadas láminas) de las fases α y β, formadas simultáneamente durante la
transformación. Esta microestructura, esquematizada en el punto i, se llama
estructura eutéctica y es característica de una reacción.
El cuarto y ultimo caso microestructural para este sistema incluye todas las
composiciones excepto la eutéctica que, al enfriar, cruzan la isoterma eutéctica.
38
El término microconstituyente, esto es, un elemento de la microestructura

con una estructura característica e identificable.
La estructura eutéctica es un microconstituyente, aunque se trata de una

mezcla de dos fases, por que tiene una estructura laminar distinta, con una
relación fija entre dos fases.
El microconstituyente eutéctico siempre se forma a partir del liquido que

tiene la composición del eutéctico, se puede considerar que este constituyente
posee una composición de 61.9% en peso de Sn.
We = WL = P ⁄ ( P+Q )
Cuando sucede una transformaron eutéctica:
Wα = Q / (P+Q)
4.3.1 DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO CON FASES O COMPUESTOS

INTERMEDIOS
Los diagramas de fase isomorfos y eutécticos discutidos hasta ahora son

relativamente simples, pero muchos sistema de aleaciones binarias son mucho
mas complejos. Los diagramas de fases eutécticos cobre-plata y plomo-estaño
solo tienen dos fases sólidas, α y β, a veces denominadas disoluciones sólidas
terminales.
39
En otros sistemas de aleación se forman disoluciones sólidas intermedias (o

fases intermedias), además de las de los dos extremos de composiciones. En este
diagrama existen seis diferentes disoluciones sólidas: dos terminales (α y η) y
cuatro intermedias (β, γ, δ, ε).
El latón comercial es una aleación cobre-zinc rica en cobre; por ejemplo, el

latón de cartuchería tiene una composición del 70% Cu y 30% Zn y una
microestructura α monofásica.
En los diagramas de fases de algunos sistemas, mas disoluciones sólidas

se forman compuestos intermedios discretos, compuestos que tienen distintas
formulas químicas; en los sistemas metal-metal, se llaman compuestos
intermétalicos. En el sistema magnesio-plomo el compuesto MgPb tiene una
composición del 19% en peso Mg y 81% en peso Pb (33% atómico Pb) y en el
diagrama esta representado por una línea vertical.
En el sistema magnesio-plomo destacan otras características. En el primer

lugar, el compuesto
Mg2Pb funde a 550ºC.
40
4.3.2 REACCIONES EUTECTOIDE Y PERITÉCTICA
Algunos Sistemas de aleaciones, además del eutéctico, tiene otros puntos

invariantes que implican tres fases diferentes, un ejemplo es el sistema cobre-zinc
a 558ºC y 75% Zn-25% Cu (en peso). Al enfriar, la disolución sólida δ se
transforma en dos fases sólida (γ y ε) según la reacción.
δ Enfriamiento γ+ε
Calentamiento
La reacción inversa ocurre calentando. Esta denominada reacción

eutectoide, y el punto invariante y la línea de reparto horizontal a 558ºC se
denominan eutectoide e isoterma eutectoide, respectivamente. El “eutectoide” se
distingue del “eutéctico” por que en el primero una fase sólida se transforma en
dos fases sólidas, mientras que en el segundo es una fase liquida al que se
transforma en dos fases sólidas a una temperatura determinada. En el sistema
hierro-carbono ocurre una reacción eutectoide muy importante para el tratamiento
térmico de los aceros.
La reacción peritéctica es otra reacción invariante que implica tres fases en

equilibrio. En esta reacción, el calentamiento de una fase sólida la transforma en
una fase sólida y en una fase liquida. En el sistema cobre-zinc existe un peritéctico
a 598ºC y 78% Zn-21.4% Cu. La reacción peritéctica es la siguiente:
δ+L Enfriamiento ε
Calentamiento
4.3.3 TRANSFORMACIONES DE FASES CONGRUENTES
Las transformaciones de fases transcurren con o sin cambios de

composición. Las transformaciones de fases que no alteran la composición de
denominan transformaciones congruentes.
En una transformación incongruente se produce un cambio en la

composición. Ejemplos de transformaciones congruentes son las
transformaciones alotrópicas y la fusión de materiales puros.
Las reacciones eutécticas y eutectoide, así como las fusiones de las

aleaciones isomórficas, representan transformaciones incongruentes.
41
4.4.4 CERÁMICA Y DIAGRAMA DE FASE TERNARIOS
Los diagramas de fases no sólo existen en los sistemas metal-metal sino

que se han determinado experimentalmente diagramas de fases muy útiles para
diseñar y fabricar sistemas cerámicos.
4.4.5 LA REGLA DE LAS FASES GIBBS
La construcción de los diagramas de fases y las condiciones del equilibrio

de fases están regidas por las leyes termodinámicas. Una de estas leyes es la
regla de las fases de Gibbs, formulada durante el siglo pasado por el físico J.
Willard Gibbs. Esta regla indica el número de fases que coexisten en equilibrio y
se expresa mediante la ecuación:
P+F=C+N
El parámetro F es el número de grados de libertad o el número de variables

controladas externamente que se debe especificar parea definir completamente el
estado del sistema. En otros términos, F es el número de variables que se pueden
cambiar independientemente sin alterar el número de fases que coexisten en el
equilibrio. El parámetro C representa el número de componentes del sistema.
42
La regla de las fases aplicándola a un diagrama de fases binario

temperatura-composición, en concreto al sistema cobre-plata. Ya que la presión
es constante (1atm), el parámetro N es 1: la única variable no composicional es la
temperatura. La ecuación adquiere forma:
P+F=C+1
En los sistemas binarios con tres fases presentes no hay ningún grado de libertad,
ya que:
F = 3-P
= 3-3= 0
La regla de las fases de Gibbs se utiliza, también, para analizar

condiciones de no equilibrio. Por ejemplo, una aleación binaria que presenta en un
tramo de temperaturas tres fases, estas no están en equilibrio. Las tres fases
estas no están en equilibrio. Las tres fases sólo pueden estar en equilibrio a una
temperatura determinada.
EL SISTEMA HIERRO-CARBONO
El sistema de aleaciones binario más importante es el hierro-carbono. Los

aceros y las fundiciones, esto es, los materiales estructurales primarios en todas
las culturas tecnológicamente avanzadas, son esencialmente aleaciones hierro-
carbono.
43
4.5.-DIAGRAMA DE FASES HIERRO-CARBURO DE HIERRO (Fe-Fe3C)
El hierro puro, al calentarse, experimenta dos cambios de la estructura

cristalina antes de fundir. A temperatura ambiente la forma estable se llama ferrita
o hierro α y tiene la estructura BCC. La ferrita experimenta a 912ºC una
transformación polimórfica a austenita FCC o hierro γ. La austenita persiste hasta
1394ºC, temperatura a la que la austenita vuelve a convertirse en una fase BCC
conocida como ferrita δ, que funde a 1538ºC.
La del compuesto intermedio carburo de hierro o cementita (Fe3C),

representado por una línea vertical en el diagrama de fase. Así, el sistema hierro-
carbono se puede divide en dos partes: una parte rica en hierro, y otra parte de
composición (grafito puro). Prácticamente todos los aceros y fundiciones tiene
porcentajes de carbono inferiores a 6.70% C ; por lo tanto, sólo se considera la
parte rica en hierro del sistema hierro-carburo de hierro.
El diagrama Fe-Fe3C, ya que el Fe3C se considera un componente. La

convención y la conveniencia imponen expresar la concentración en “% C” en
lugar del “%Fe3c”; 6.70% en peso C corresponde al 100% en peso de
Fe3C.Aunque presente en muy baja proporción, el carbono ejerce gran influencia
en las propiedades mecánicas de la ferrita. Esta fase hierro-carbono es
relativamente blanda, magnética por debajo de los 768ºC y tiene una densidad de
7.88 g/cm3.
La austenita, o fase γ del hierro, cuando esta aleado con carbono, no es

estable por debajo de los 727ºC. La máxima solubilidad del carbono en austenita
es 2.11% en peso a 1148ºC. Esta solubilidad es aproximadamente 100 veces
superior que la máxima para la ferrita, la austenita no es magnética.
44
4.6 DESARROLLO DE MICROESTRUCTURAS EN ALEACIONES

HIERRO-CARBONO
En esta sección se trataran algunas de las diferentes microestructuras que

pueden ser producidas en las aleaciones de acero y sus relaciones con el
diagrama de fases hierro-carburo de hierro. Además se muestra que la
microestructura que se desarrolla depende tanto del contenido de carbono como
del tratamiento térmico.
Los cambios de fases que tienen lugar al pasar de la región γ al campo

bifásico α + Fe 3 C (Fig. 9.20) son relativamente complejos y similares descritos
en el sistema eutectico. Por ejemplo, al enfriar una composición eutectica ( .77%
en peso de C) desde los 800°C de la región monofásica γ ( punto a de la Fig. 9.22)
equivale a descender por la vertical ××′. Inicialmente la aleación de composición
0.77% C tiene la microestructura austenitica indicada en la Fig. 9.22. al enfriar no
ocurre ningún cambio hasta llegar ala temperatura eutectoide ( 727°C) . En el
punto b, por debajo de esta temperatura, la austenita se transforma según la
ecuación 9.16.
γ(0.77% C) → α(0.022% C) + Fe 3 C(6.7% C)
La microestructura de acero eutectoide enfriado lentamente a través de la

temperatura eutectoide es análoga a la de a una aleación de composición
eutectica; es decir se forman capas o laminas alternas de las dos fases ( α y Fe 3
C) durante la transformación. En este caso, la relación de los espesores de las dos
capas es de 8:1. La microestructura, esquematizada en el punto b de la Fig. 9.22,
se denomina perlita por que tiene la apariencia de la madreperla al observarse
microscópicamente a pocos aumentos.
La perlita aparece en granos denominados “colonias”, dentro de cada

colonia las capas están orientadas sobre la misma dirección y esta dirección varia
de una colonia a otra. Las capas delgadas son de ferrita y la cementita aparece
como capas delgadas más obscuras. La mayoría de las capas de cementita son
tan delgadas que los límites de fases adyacentes no se distinguen y, a estos
aumentos, las capas aparecen oscuras. Mecánicamente las perlitas tienen las
propiedades intermedias entre la blanda y dúctil ferrita y la dura y quebradiza
cementita.
4.7 ACEROS HIPOEUTECTOIDES
Las microestructuras de las aleaciones hierro-carburo de hierro distinto de

la eutectoide son análogas.
45
Una aleación de composición Co ala izquierda del eutectoide, entre 0.022 y

0.77% C se denomina aleación hipoeutectoide (menos que la eutectoide).
El enfriamiento de una aleación de esta composición esta representado en
el descenso a lo largo de la vertical yy′ de la Fig. 9.24. Hacia los 875° C, punto c,
la microestructura consta enteramente de granos de fase γ, como esta
esquematizado. En el punto d de la región bifásica α+γ, a unos 775° C, estas
fases coexisten, según indica el esquema microestructrural.
Cuando se enfría un acero a través de la región de fase α+γ, la composición

de la ferrita varia según la línea MN, del limite de fase α- (α+γ ) y se enriquece
ligeramente en carbono. Al mismo tiempo, la composición, de la austenita cambia
de modo mucho más drástico, pues la composición frente a la temperatura sigue
la línea MO del limite de fase ( α+γ )- γ.
Enfriando desde el punto d al e, muy próximo al eutectoide pero dentro de

la región α+γ, se aprecia un incremento de la microestructura de la fracción de
faseα.
En este punto las composiciones de las fases α y γ se determinan

dibujando la recta de reparto a la temperatura Te; la fase α contiene 0.022% C,
mientras que la fase γ tiene la composición del eutectoide, 0.77% C.
La fase α existente en el punto e prácticamente no cambia al cruzar la

temperatura eutectoide: permanece como matriz continúa alrededor de las
colonias de perlita. La microestructura del punto f aparece como indica el esquema
de la Fig. 9.24. De este modo la ferrita presente en el acero procede en el
enfriamiento a través de la región α+γ y de la relación eutectoide.
La ferrita de la perlita se denomina ferrita eutectoide y la ferrita formada

antes de Se te denomina ferrita proeutectoide (que significa pre- o antes del
eutectoide), como se indica en la Fig. 9.24.
En la perlita, la distancia entre las capas α y Fe3 C varia de un grano al

otro, a veces la perlita aparece oscura por que la distancia entre capas es
indistinguible a los aumentos de la fotomicrografia. Cabe anotar la existencia de
dos microconstituyentes en este fotomicrografia: ferrita proeutectoide y perlita.
Estos microconstituyentes aparecen en todos los aceros hipoeutectoides enfriados
lentamente desde la temperatura eutectoide.
46
4. 9 ACEROS HIPEREUTECTOIDES
El enfriamiento desde el campo γ de aceros al carbono, de composición

comprendida entre los 0.77 y 2.11% en peso de carbono, origina transformaciones
y microestructuras análogas.
El acero de composición C1 de la Fig. 9.27 se enfría descendiendo por la

vertical zz′ en el punto g solo aparecen granos de fase γ + Fe3 C, hasta el punto
h, por ejemplo, la fase cementita va creciendo en los limites iniciales de los
granos γ, esto es similar al punto d de la Fig. 9.24. Esta cementita se denomina
cementita proeutectoide, por que se forma antes de la reacción eutectoide.
La composición de la austenita permanece constante (6.70% C) al variar la

temperatura. Sin embargo la composición de la austenita se desplaza a lo largo de
la línea PO antes del eutectico. Al descender por debajo de la temperatura
eutectica, toda la austenita remanente de composición eutectoide se transforma
en perlita. De este modo la microestructura resultante consiste en perlita y
cementita proeutectoide como microconstituyentes (Fig. 9.27)
En los aceros hipereutectoides, las cantidades relativas de los

microconstituyentes perlitas y Fe 3 C proeutectoide, se traza la recta de reparto
entre 0.77 y 6.70 % C.
En un acero de composición C1′ (Fig. 9.26) las fracciones de perlita Wp y

de cementita proeutectoide W Fe3C se determinan mediante la expresión de la
regla de la palanca:
X 6.70 – C′1 6.70 - C′1
Wp = v+x = 6.70 +0.77 = 5.93
Y
V C′1 + 0.77 C′1 - 0.77
W fe3C = V + X = 6.70 – 0.77 = 5.93
ENFRIAMIENTO EN NO EQUILIBRIO
En la discusión de la evolución de las microestructuras de las aleaciones

hierro-carbono se supone que a lo largo del enfriamiento se mantienen
continuamente las condiciones del equilibrio meta estable; esto es, se necesita
tiempo suficiente a cada temperatura el ajuste composicional de las fases y el
ajuste en cuanto a las fases relativas previstas por el diagrama de fases Fe-Fe3C.
En la mayoría de las situaciones estas velocidades son tan lentas como
impracticables e innecesarias; en efecto, en muchas ocasiones se prefieren las
condiciones de no equilibrio. La importancia práctica de los efectos del no
equilibrio radica en:
47
1. Ocurren otros cambios de fase o transformaciones que las previstas en los

límites de fases de los diagramas de fases.
2. La existencia a temperatura ambiente de fases en no equilibrio que no
aparecen en el diagrama de fases.
INFLUENCIA DE OTROS ELEMENTOS DE ALEACIÓN
La adición de otros elementos aleantes (Cr, Ni, Ti, etc.) cambia

drásticamente el diagrama de fases binario hierro-carburo de hierro, Fig. 9.20. La
magnitud de las alteraciones de las posiciones de los limites de fases y la forma
de los campos de fases dependen del elemento de aleación y de su
concentración.
Las figuras 9.29 y 9.30 ilustran los efectos de la modificación de la

temperatura y de la composición (en % de C en peso) en función de la
concentración de varios elementos de aleación. Estos elementos de aleación no
solo modifican la temperatura de reacción eutectoide sino también las fracciones
relativas de perlita y fase preeutectoide. Los aceros normalmente se alean para
aumentar su resistencia a la corrosión o para modificar sus propiedades por
tratamiento térmico.
48
49
5.- SELECCIÓN DE MATERIALES

5.1 LEY DE OHM
Consideremos un hilo de cobre cuyos extremos están conectados a una

batería, como se muestra en la Figura. Si se aplica una diferencia de potencial al
cable V fluirá una corriente de intensidad i proporcional a la resistencia R del hilo
metálica. Según la ley de Ohm, el flujo de corriente i es directamente proporcional
al voltaje aplicado Ve inversamente proporcional a la resistencia del hilo metálico.
50
donde
i = intensidad de corriente eléctrica. A (amperios)

V = diferencia de potencial. V (voltios)
R = resistencia del hilo metálico. Ω (ohmios)
La resistencia eléctrica R de un conductor eléctrico tal como la muestra de

hilo metálico de la Figura es directamente proporcional a su Iongitud e
inversamente proporcional al área de la sección transversa A. Estas magnitudes
están relacionadas entre sí a través de una constante del material denominada
resistividad eléctrica
Las unidades de la resistividad eléctrica, que es una constante para un

material. Y una temperatura dados, son
Frecuentemente es más conveniente pensar en términos de paso de

corriente eléctrica en vez de resistencia, y así se define la conductividad eléctrica
como la inversa de la resistividad eléctrica:
La unidad de conductividad eléctrica es el (ohmio-metro)-1 = (Ω x m)-1, La

unidad SI recíproca del ohmio es la unidad siemens (S), pero esta unidad se utiliza
raramente por lo que no se utilizará en este libro.
La Tabla recoge valores de conductividad eléctrica para algunos metales y

no metales seleccionados, se observa que metales como plata, cobre y oro tienen
valores muy elevados de conductividad eléctrica, del orden de 10 (Ω x m)-1.
Mientras que aislante eléctricos como polietileno y poliestireno tienen por el
contrario valores muy bajos de conductividad eléctrica del orden de 10-14 (Ω x m)
del orden de 1023 veces-menores que los valores de los metales de mayor
conductividad. Silicio y germanio tienen valores comprendidos entre unos y otros y
se clasifican por tanto como semiconductores.
51
MODELOS DE BANDAS DE ENERGIA Y CONDUCTIVIDAD ELECTRICA
l modelo de bandas energía aplicado a sólidos metálicos ayuda a

comprender el mecanismo de la conductividad eléctrica en metales. Para aplicar
este modelo vamos a útiIizar el metal sodio porque tiene una estructura
electrónica sencilla.
Los electrones en átomos aislados están ligados a su núcleo y distribuidos
en niveles de energía perfectamente de modo tales como los estados 1s1, 1s2,
2s1, 2s2, ..., siguiendo el principio de Pauling. De lo contrario, sería posible que los
electrones descendieran al estado d energía más bajo, 1s1.
Así, los 11 electrones del átomo neutro de sodio ocupan dos estados, 15
dos estados 25, seis estados 2p y un estado 3s, como se muestra en la Figura.
Los electrones de los niveles de energía más bajos (1s1, 2s2, 2p6) están
fuertemente ligados y constituyen el núcleo de electrones interno del átomo de
sodio (Fig.). El electrón externo 3s1 puede formar enlace con otros átomos y se le
denomina electrón de valencia.
En una porción sólida de metal los átomos están juntos y en contacto unos
con otros. Los electrones de valencia están deslocalizados (Fig.) e interaccionan
entre sí de forma que los primitivos niveles de energía atómicos se ensanchan en
regiones amplias denominadas bandas de energía (Fig.). Los electrones internos
no forman bandas de valencia por estar apantallados por los electrones externos.
Según el principio de exclusión de Pauling, cada electrón de valencia en

una porción sólida de sodio metal tiene que tener un nivel de energía ligeramente
distinto de otros electrones de valencia. Así, si hay N átomos de sodio en un
bloque; sólido de sodio, donde N puede ser muy elevado, tendrá que haber N
distintos, pero sólo ligeramente diferentes, niveles de energía 3s1 en la banda de
energía 35. Cada nivel de energía se denomina estado. En la banda de valencia
los niveles de energía están tan próximos entre sí que forman una banda continua
de energía.
52
La Figura muestra una parte del diagrama de bandas de energía del sodio
metal en función del espaciado atómico. En el sodio metálico sólido las bandas de
energía 3s y 3p se superponen (Fig.) Sin embargo, puesto que hay sólo un
electrón 3s por átomo de sodio, la banda 3s. Están sólo parcialmente ocupada
(Fig.). En consecuencia se necesita muy poca í energía para excitar electrones en
el sodio. El sodio es, por tanto, un buen conductor eléctrico ya que se requiere
muy poca energía para producir un flujo electrónico en su interior. El cobre, la
plata y el oro tienen también bandas externas s semiocupadas.
En el magnesio metal los estados 3s están llenos. Sin embargo, la banda 3s

se superpone con la 3p creándose una banda combinada 3sp parcialmente
ocupada (Fig.). Por tanto, a i pesar que la banda 3s en el magnesio está llena, el
magnesio es un buen conductor. El aluminio es también un buen conductor porque
Ia banda 3p parcialmente ocupada se superpone a la banda 3s llena (Fig.).
(a) Niveles de energía de un átomo de sodio individual.

(b) Distribución de los electrones en un átomo de sodio individual. El electrón de
valencia 3s1 se encuentra débilmente ligado y puede involucrarse en el enlace
metálico
53
(a) Electrones de valencia deslocalizados en un sólido de sodio metal.

(b) Niveles de energía en un sólido de sodio metal obsérvese la expansión nivel 3s
en una banda de energía y que la banda 3s está mas cerca del nivel 2p porque el
enlace ha sufrido una disminución energética respecto a los niveles 3s de los
átomos aislados.
Energía de las bandas de valencia en el sodio metal
54
En los aislantes, los electrones se encuentran fuertemente sujetos a los

átomos mediante enlaces iónicos o covalentes y no están «libres» para conducir
electricidad a menos que se aumente fuertemente la energía, El modelo de banda
de energía aplicado a los aislantes consiste en una banda de valencia de energía
interior llena y una banda de conducción de mayor energía vacía, Ambas bandas
están separadas por un salto energético elevado Eg (Fig.). Para liberar un electrón
para la conducción debemos comunicarle energía suficiente para que salte esta
separación energética que puede alcanzar los valores de 6 a 7 eV, como por
ejemplo en el diamante puro, En el diamante, los electrones estén fuertemente
retenidos por enlaces covalentes tetraédricos sp3 (Fig.).
CONDUCTORES
Un conductor es todo material que permite el paso de la corriente eléctrica a

través de ellos.
La mayoría de las sustancias poseen un cierto número de electrones libres

que pueden pasar de un átomo a otro con relativa facilidad. Esta acción es lo que
constituye el mecanismo de la conducción (fig.).
Ruta de electrones libres
Modelos atomicos simplificados de

Conductores: a) plata b) cobre c) aluminio
Males como la plata, el cobre y el aluminio son excelentes conductores, por

ello se les utiliza para transportar la electricidad de un sitio a otro. La siguiente lista
muestra el orden de conductividad de algunos materiales:
55
1. Plata 8.Níquel
2. Cobre 9. Latón
3. Oro 10. Plomo
4. Aluminio 11. Manganina
5. Tungsteno 12. Constantán
6. Cinc 13. Mercurio
7. Cadmio 14. Nicrón
Observa en la figura los modelos atómicos simplificados de algunos de

estos conductores.
TIPOS DE CONDUCTORES
En la industria electrónica se usan conductores en forma de alambres y

cables. Estos conductores pueden estar desnudos o aislados según sea su
aplicación (fig.).
ALAMBRES. Los alambres están formados por un solo hilo.

CABLES. Los cables tienen varios hilos y generalmente son más flexibles. Son
ejemplos de cables: el cordón de plancha, el cable de antena de televisión, el
cable de línea de radio, consola o tocadiscos, el cable de teléfono, etcétera (fig.).
SEMICONDUCTORES. Los materiales semiconductores más comunes son los

sólidos con enlaces covalentes como el Si, Cl y el GaAs Sin embargo hay muchos
otros sólidos con banda prohibida, para los que Eg ≤ 2.5 eV Como ejemplo, se
tienen las cerámicas como el SiC y el Cu2O y unos cuantos mas metales
orgánicos, como carbón el antraceno y el naftaleno (bolas de naftalina) la tabla
contiene una la de la, banda, prohibida, y de la, movilidades, de portadores de
carga para varios, semiconductores.
Examinemos la estructura electrónica del Si. Que es 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2,
con base en los argumentos anteriores. Cabe esperar que la banda 3p
parcialmente llena origine una gran conducción de electrones en el Si sólido Este
no es el caso la diferencia entre el Si y los metales es que el primero tiene enlace,
covalentes la formación de este tipo de enlaces en el Si implica una interacción
compleja Llamada hibridación, entre los cuatro electrones de los niveles 3s y 3p
Se producen dos, bandas de energía electrónica cada una con cuatro niveles para
cada átomo del sólido A O K. la banda interior, o de Valencia está totalmente llena.
Y la superior o de conducción está completamente vacía.
El resultado es un material con una banda prohibida la mayor parte de los

sólidos, covalente, aunque no todos muestran esta estructura de bandas y en
consecuencia pueden ser, semiconductores o aislantes.
56
Aunque los detalles de la evolución de las bandas de energía son algo
distintos en los sólidos iónicos el resultado es igual la mayor parte de los sólidos
iónicos son materiales con banda prohibida.
Como los iones Individuales tienen capas de valencia llenas, las bandas de
energía correspondientes en sólidos iónicos estarían totalmente llenas, a menos
que se traslapen dos bandas Si esto ocurre el sólido iónico es conductor si no,
puede ser aislante o semiconductor
El impacto tecnológico de los semiconductores ha crecido en forma

exponencial en las últimas decadas. En la sección describiremos los detalles de
los mecanismos de conducción en estos materiales por lo pronto. Baste decir que
su comportamiento es complejo por varias razones que incluyen.
1. Tanto los electrones como los huecos pueden transportar carga

2. Los cambios de temperatura y de densidad de defectos incluyen sobre la
cantidad de Portadores de carga y también sobre su movilidad.
AISLANTES. Como ejemplos de materiales que se suelen considerar como

aislantes está la mayor parte de los óxidos metálicos puros, como el AI2O3, MgO y
SiO2 las cerámicas de silicatos y los polímeros orgánicos comunes, como las
poliolefinas, los polimeros vinílicos las poliamidas el polietetranuoroetileno y los
poliésteres.
De acuerdo con nuestro esquema actual de clasificación la única diferencia

entre un semiconductor y un aislante es el ancho de la banda prohibida Esto
implica que a temperaturas bastante altas un aislante comienza a conducir la
electricidad Aunque la afirmación es correcta en teoría la temperatura necesaria
para la conducción en la mayor parte de los aislantes suele ser tan alta como para
tener poca importancia práctica o bien es mayor que la temperatura a la que se
descompone o degrada el material por ejemplo, al comparar las probabilidades de
ocupación para el diamante y el silicio a 25°C se ve que el diamante tiene una
probabilidad 36 órdenes de magnitud menor que el silicio de tener un electrón en
la banda de conducción. Esto sugiere que el diamante será un aislante a
temperatura ambiente. Sin embargo, a 1200OC el diamante tiene más o menos la
misma probabilidad de promoción de electrones que el Si a 25°C Sin embargo
obsérvese que el diamante es uno de los pocos sólidos que pueden existir a
1200°C la mayor parte de los demás materiales se habrían degradado mucho
antes de alcanzar una temperatura de conducción equivalente.
MECANISMOS DE CONDUCCIÓN IÓNICA
En su mayor parte, nuestra descripción de la conducción eléctrica se ha

centrado en el movimiento de los electrones y los huecos. Sin embargo, es
importante tomar en cuenta que en los sólidos iónicos en los polimeros también
puede haber transpone de carga debido al movimiento de iones.
57
Como la conducción eléctrica por iones se efectúa por uno de los

mecanismos de difusión, cabe esperar que haya una relación directa entre la
movilidad iónica el coeficiente de difusión iónica. De hecho se ha encontrado que
En donde q, k y T tienen sus significados normales Esta ecuación se llama

relación de Einstein ya sabemos que Dion es una función muy marcada tanto de la
temperatura como de la densidad de defectos, y en consecuencia debemos
esperar que los mismos factores incluyan sobre la movilidad iónica por lo tanto,
sobre la conductividad iónica.
La forma de la ecuación de conductividad para un sólido iónico es
En donde Zion es la valencia del ion, y la sumatoria abarca todos los tipos de
iones móviles. La contribución relativa de los portadores que son electrones
huecos e iones depende de varios factores, entre los que están la estructura de
bandas del sólido la temperatura y la densidad de defectos.
Cuando un sólido iónico tiene una banda de valencia parcialmente llena, la

contribución debida a los electrones es importante si el sólido tiene una banda
prohibida angosta (Eg < 2.5 eV), los electrones y los huecos pueden contribuir a la
vez ala conductividad general. Sin embargo, si la banda prohibida es amplia, como
en el caso de los sólidos iónicos, la conductividad estará dominada por el
movimiento de los iones.
Las contribuciones relativas de los diversos portadores de carga se pueden

cuantificar con números de transferencia el número de transferencia. t1 de
cualquier portador de carga es la relación de la conductividad debida a ese
portador de carga entre la conductividad total del sólido. Por ejemplo, el número
de transferencia para los cationes, tcat es
Se pueden definir cantidades parecidas para los aniones, los electrones y

los huecos. Como se ve en la tabla, la conductividad en la mayor parte de los
sólidos iónicos está dominada por un solo tipo de portador de carga Sin embargo,
el portador dominante puede cambiar con la temperatura. Veamos por ejemplo, el
caso del CuCI. A bajas temperaturas la carga es transportada por electrones, pero
a mayores temperaturas dominan los cationes móviles.
58
Cómo incluye la temperatura sobre la magnitud de la conducción iónica

Recordemos, que los iones pequeños se difunden por un mecanismo intersticial,
mientras que los iones más grandes se difunden por un mecanismo de vacancias
Ya que la concentración de vacancias y de intersticios aumenta en forma
exponencial con la temperatura, el valor de Nion también crecerá con la
temperatura Se puede obtener la influencia de la temperatura sobre la movilidad
iónica examinando la ecuación. A medida que se eleva la temperatura, el
incremento exponencial del coeficiente de difusión (numerador) supera a la
función lineal de la temperatura (denominador) Como Nion y µion aumentan
exponencialmente con la temperatura, la conductividad iónica a la temperatura T
se expresa como.
En donde
µo es una constante específica del material.
Q es la energía de activación para la transferencia de cargas y es la constante de
Boltzmann
59
Números de transferencia para algunos sólidos iónicos
Comparación de las energías de activación para conducción iónica y difusión de

los vidrios de silicatos
Es útil comparar las energías de activación para la difusión y para la

conducción eléctrica Veamos por ejemplo, el caso de la conducción iónica en los
vidrios de silicato Tabla En esos y muchos otros sólidos iónico los iones más
móviles suelen ser los cationes monovalentes modificadores de red, como el Na+1
La semejanza con las energías de activación parece indicar que ambos procesos
están controlados por los mismos mecanismos. Una diferencia importante entre la
conducción iónica, y la conducción por electrones es que la primera aumenta al
elevarse la temperatura, mientras que la segunda decrece al subir la temperatura.
INFLUENCIA DE LOS DEFECTOS Y LAS IMPUREZAS
La influencia de los defectos y las impurezas sobre la conductividad se

puede comprender en términos de sus efectos sobre la cantidad de portadores, de
carga y sobre la movilidad Ya que perturban la periodicidad de la red cristalina
tanto impurezas como defectos disminuyen en todas Ias clases D materiales
dominadas por conducción por electrones o huecos. Sin embargo a igual,
concentración de defectos una distribución uniforme de esto, disminuye a más que
una distribución agrupada por lo que la primera representa una distancia menor
entre los centros dispersión de electrones por lo anterior una impureza en
solución sólida disminuye la conductividad de una aleación mas de lo que hace si
se distribuye el mismo porcentaje en peso de impureza en forma de un precipitado
grueso.
La forma de la ecuación para obtener (Pd)¡ depende del tipo de defecto. Por
ejemplo, en soluciones sólidas diluidas, Pd tiene la forma
60
En donde
bAB es una constante positiva que describe el efecto de las adiciones del soluto B
en el solvente A, y x es la fracción atómica del soluto. (Obsérvese que bAB ≠ bBA
por lo que se debe estar seguro al seleccionar la constante correcta al resolver
problemas cuantitativos.) La figura muestra la influencia de la composición de la
aleación sobre la resistividad de aleaciones binarias de Cu-Ni Con frecuencia, la
influencia de los defectos sobre p, o lo que es tomismo, sobre a, se presenta en
forma gráfica y no en forma de ecuación analítica Por ejemplo, la figura muestra el
efecto del trabajo en frió sobre la conductividad de una serie de aleaciones
binarias de Cu-Zn. La disminución de a debido al trabajo en frió se relaciona con el
aumento de densidad de dislocaciones, que se presenta durante el proceso de
deformación plástica.
La disminución elevarse la concentración de la solución también se puede

observar en esta figura, influencia de los defectos y la impurezas sobre la
conductividad de los semiconductores es más complicada En materiales con
banda prohibida angosta, a temperaturas modestas, la densidad de los portadores
móviles de carga es aproximadamente igual ala de las densidades características
de defectos e impurezas así, en contraste con los conductores, se puede alterar
bastante la cantidad de portadores de carga debido a los defectos este punto y
sus consecuencias se describen.
En los aislantes, la conductividad es baja principalmente debido a la baja

densidad de los portadores Inmóviles de carga Como los defectos y las impurezas
pueden aumentar N, pueden "Iterar bastante la conductividad del sólido Si se
seleccionó el material por sus propiedades aisladoras, los defectos pueden hacer
que falle en 'u función.
Por otro lado, si en una aplicación se requiere un incremento pequei1o de

conductividad, se puede dopar un aislante con impurezas para aumentar en forma
intencional Un buen ejemplo es la adición de pequeñas cantidades de
pentafluoruro de arsénico en el polisulfuro de p-fenileno, que eleva la
conductividad del polímero desde 10-16 hasta 101 (Ω-cm)-1.
La influencia de los defectos y las impurezas sobre los sólidos que

presentan conducción eléctrica es compleja Aunque los defectos pueden hacer
que suba N, su mayor influencia suele ser sobre la movilidad de los iones Ya que
cl paso limitante de velocidad en la conducción iónica es normalmente la difusión
iónica, toda impurezas que introduzca más defectos puntuales o volumen abierto
en la red puede aumentar la difusión iónica, la movilidad iónica y, en último
término, la conductividad iónica.
61
En resumen los incrementos en la concentración de defectos puntuales o

impurezas tienden a disminuir la conductividad de los conductores de electrones, y
a elevar la de la mayor parte de los demás materiales
En muchas aplicaciones de ingeniería se necesitan alambres metálicos que

tengan una combinación de gran resistencia mecánica y gran conducvidad
eléctrica Suponga que se puede obtener la resistencia suficiente por trabajo en frió
o por reforzamiento por solución sólida En vista del requisito de la conductividad,
¿cuál mecanismo se recomendaría y por qué?
Solución
Un aumento en la concentración de defectos sea en forma de una solución

sólida o por trabajo en frió, disminuye la movilidad y en consecuencia la
conductividad del metal Sin embargo la magnitud de la reducción conductividad
depende de la distribución espacial de los defectos Los átomos de soluto se
arreglaran uniformemente a través de la aleación.
En consecuencia tendrán una separación pequeña funcionarán como

centros efectivos de dispersión de electrones y reducirán apreciablemente la
conductividad del metal.
En contraste la distribución de defectos más gruesos asociados a las

dislocaciones producida por el trabajo en frió representa una red menos efectiva
de dispersión de electrones y da como consecuencia una menor reducción de por
consiguiente para elevar la resistencia mecánica con la reducción mínima de
conductividad eléctrica se debe preferir el proceso de trabajo en frió.
62
POLIMEROS CONDUCTORES
Los principios básicos de la conducción por electrones son igualo en los

polímeros y en otras clases de materiales debe haber una banda de valencia
parcialmente llena Sin embargo los detalles de los mecanismos son algo distintos
como para ameritar una descripción por separado La mayor parte de los polímeros
tienen bandas de valencia llenas y bandas prohibidas anchas esto es son
aislantes sin embargo hay ejemplos de polímeros conductores
Un polímero conductor es aquel cuya conductividad a temperatura ambiente

es parecida a la de los metales demás materiales con bandas de valencia
parcialmente llenas. Según esta definición no polímeros puros que conduzcan sin
embargo, hay varios polímeros incluyendo el poliacetileno el poliacetileno
polipirrol, la polianilina y el politiofeno que se pueden, volver conductores al
doparlos con cantidades controladas de impurezas especificas Todos esos
polímeros se basan en una estructura de anillo de carbonos conjugados algo
parecida a la que tiene el grafito Se cree que los electrones de conducción se
pueden mover a lo largo de la cadena principal de carbono, en esos polímeros.
La adición del pentafluoruro de arsénico al poliacetileno puede aumentar su

conductividad hasta un 25% de la del cobre. Esta cantidad impresiona todavía
más cuando se determina que en base por unidad de peso la conductividad
especifica del poliacetileno dopado es el doble que la del cobre
Desafortunadamente este polímero es inestable en el aire y frente a la humedad
atmosférica se re quiere investigar más para resolver la plétora de problemas
relacionados con los polímero, conductores sin embargo la motivación para esas
investigaciones es el potencial de diseñar materiales con conductividad especifica
excelente Entre la aplicaciones potenciales están acumuladores livianos cables
eléctricos flexibles y ligeros en aplicaciones aeroespaciales y cubiertas de aviones,
absorbentes de radar.
Un segundo método de incrementar la conductividad eléctrica de los

polímeros es formar un material compuesto agregando una carga al polímero
inherentemente aislador veamos por ejemplo el caso de hule de silicona cuya
conductividad a temperatura ambiente es de 1014 (Ω-cm)-1.
Al agregar 15% de peso de negro de humo al hule se eleva la conductividad

del material compuesto hasta -10-4(Ω-cm)-1. Se puede lograr un aumento adicional
de ocho órdenes de magnitud si se reemplaza el negro de humo con partículas
metálicas plateadas. Esta clase de polímeros conductores tiene varias
aplicaciones entre las que están los cables de acumuladores en los motores de
automóvil y como posibles sustitutos de las soldaduras metálicas que se emplean
en las tarjetas de circuito impreso.
63
SUPERCONDUCTIVIDAD
En la sección definimos a un conductor eléctrico como un material que tiene

una banda de valencia parcialmente llena En algunos materiales conductores, la
resistividad cambia bruscamente y tiende a cero al disminuir la temperatura a
menos de un valor critico, Tc (véase Fig. ). Este fenómeno se llama
superconductividad y fue demostrado por primera vez con el Hg (Tc = 4.12 K) por
H. Kamerlingh Onnes en 1911 En esta sección presentaremos una descripción
cualitativa de los mecanismos, a escala atómica, responsables de la
superconductividad, y describiremos la estructura cristalina de uno de los
materiales de "alta Tc"; también mencionaremos varias aplicaciones para esos
materiales. Describiremos sus interesantes propiedades magnéticas.
Comenzaremos nuestra descripción del mecanismo de superconductividad

con una observación experimental la mayor parte de los metales puros que tienen
superconductividad también tienen una conductividad relativamente mala a
temperatura ambiente Como la conductividad de un metal libre de defectos la
controla la dispersión de electrones debida a la vibración de átomos en la red
cristalina, los metales con malas conductividades a baja temperatura tienen
interacciones electrónicas comparativamente intensas Por ello, la relación
experimental entre la conductividad relativamente mala a temperatura ambiente y
la superconductividad parece indicar que las interacciones entre electrones y red
cristalina pueden ser un clave para comprender la superconductividad
La movilidad de los electrones en un cristal libre de defectos está limitada

por el tiempo entre choques de electrones con núcleos atómicos Si se introdujera
un mecanismo que evitara esos choques, la movilidad, y en consecuencia la
conductividad, podría crecer sin limite Si bien para explicar totalmente este
mecanismo se requiere un método de mecánica cuántica, la esencia de la idea se
puede expresar como sigue a baja temperatura, los electrones con giros opuestos
están apareados, por la aleación mutua hacia un área local de carga positiva
dentro de la red A la temperatura critica, la frecuencia de vibración de los pares de
electrones corresponde a la de los núcleos atómicos El resultado de esta
correlación entre frecuencias de vibración es un movimiento sincronizado de los
pares de electrones a través de la red cristalina en vibración Como el movimiento
está sincronizado, el tiempo frente choques, y en consecuencia la conductividad,
aumenta sin limite El modelo que hemos descrito, llamado teoría BCS de la
superconductividad, fue desarrollado por John Baldeen, Leon H. Cooper y J.
Robert Schrieffer en 1957 Los pares de electrones se conocen como pares de
Cooper.
Hasta mediados de la década de 1980, el máximo valor observado de Tc

era menor que 25 K Sin embargo, en 1987 se descubrió una nueva clase de
óxidos superconductores, con temperaturas de transición cercanas a 100 K.
64
Un ejemplo de esta clase de superconductores, llamados compuestos 1-2-3
por los subíndices de los cationes, es el YBa2Cu307-8. Como se ve en la figura la
celda unitaria ortorrómbica de este material se puede concebir como tres celdas
unitarias adyacentes de perovskita con un conjunto ordenado de vacancias de
catión y de oxigeno (Véase una descripción de la estructura de la perovskita). Se
cree que las propiedades superconductoras de los compuestos 1-2-3 se
relacionan con las interacciones entre pares de electrones y vacancias de oxigeno
Una gran cantidad de desarrollos importantes en tecnología pueden ser el
resultado de esos compuestos con alta Tc Como ejemplos de proyectos que ya
cristalizaron o que están desarrollándose podemos mencionar a las formas
eficientes de transmisión de energía eléctrica a bajos voltajes, la conmutación
eléctrica de alta velocidad con aplicaciones a las computadoras, la generación de
electricidad en gran escala por fusión posibilitada por los potentes electroimanes
superconductores, los automóviles sin contaminación accionados por
acumuladores y los trenes con levitación magnética, es decir, con baja fricción.
SEMICONDUCTORES
Comenzaremos nuestra descripción de las propiedades eléctricas de los

semiconductores reenfocando nuestra atención hacia los mecanismos básicos de
conducción, y hacia la influencia de la temperatura las impurezas, después de
examinar algunos dispositivos semiconductores Investigaremos asuntos
relacionados, con los materiales en la industria de la microelectrónica,
CONDUCCIÓN INTRÍNSECA Y EXTRÍNSECA
La duración intrínseca se define como el comportamiento semiconductor

que resulta de la estructura de banda de un elemento o compuesto puro en
contraste, la conducción extrínseca se facilita con la presencia de las impurezas.
Semiconductores compuestos
El Si y el Ge son los únicos

elementos puros que muestran
comportamiento semiconductor a
temperatura ambiente sin
embargo como se ve en la tabla
hay una gran cantidad de
compuestos con temperatura
ambiente. Sin embargo como se ve en la tabla, hay una gran cantidad de
compuestos con el mismo comportamiento. Las bandas prohibidas en esos
materiales van desde unas décimas de eV hasta varios. Algunos de esos
compuestos tienen estructura semejante a la del Si. Otros como los basados en
polímeros, tienen estructuras muy diferentes.
65
El Si y el Ge tienen la estructura cristalina cúbica del diamante y sus átomos
están en las posiciones CCC. Y en la mitad de las posiciones tetraédricas la
estructura de la blenda de zinc muy parecida, se obtiene colocando una clase de
átomos el las posiciones, CCC y otra de átomos en la mitad de átomos en la mitad
de las posiciones tetraédricas Para que cada átomo de zinc tenga una capa de
valencia llena la cantidad promedio de electrones por átomo debe ser 4. Esto es
valido ambos elementos son del grupo IV como en el Silicio combinando 50% de
átomos de un elemento del grupo IV con 50% de uno del grupo V Como ejemplos
de los llamados semiconductores compuestos III-V están el GaAs el GaP y el InP
De igual manera se pueden combinar fracciones atómicas iguales de elementos
de los grupos II y Vl para formar semiconductores compuestos tipo II-IV como
elCdTe y el ZnTe
Los semiconductores puros tienen un comportamiento intrínseco

independientemente de si son materiales de un elemento materiales compuestos
Cuando se agregan dopantes se puede formar un semiconductor extrínseco
compuesto Aunque los detalles de los mecanismos de conducción en los
semiconductores compuestos son más complicados que en los elementales, las
ecuaciones relevantes de la Conductividad son idénticas. Como ejemplos de
semiconductores extrínsecos compuestos están el GaAs dopado con Si Te (tipo
n) y el GaAs dopado con Zn (tipo p).
Como se mencionó antes no todos los semiconductores compuestos se

basan en la estructura cristalina de la blenda de zinc Algunos de los óxidos,
metálicos, como el NiO (estructura del NaCl y el fe2O3 muestran propiedades
semiconductoras intrínsecas cerca de la temperatura ambiente El BaTio
(estructura de perovskita). la Al2O3 (estructura de corindón) y otro más que se
pueden dopar para que presenten propiedades semiconductoras extrínsecas.
También es posible obtener propiedades parecidas a la, de los

semiconductores en materiales orgánicos incluyendo los polímeros el antraceno
(C14H10) son ejemplos de semiconductores orgánicos. En cristales moleculares de
esos materiales un aumento aproximado de energía de 1 eV suficiente para
liberar a alguno, electrones de sus enlaces covalentes. Por consiguiente esos
materiales se comportan como semiconductores con una banda prohibida de 1eV.
DISPOSITIVOS SIMPLES
Se pueden aprovechar hasta las características más básicas de los

semiconductores para crear dispositivos técnicos útiles. Recordemos que una
gráfica de en función de 1/T para un semiconductor Intrínseco tiene la pendiente --
-EkJ2. En consecuencia si el material está bien caracterizado y se conoce su
pendiente, se puede usar sus cambios de conductividad para medir cambios de
temperatura.
66
Los dispositivos que se basan en este principio se llaman termistores.

Posible detectar cambios de temperatura de –I0-4K usando los materiales
adecuados, e instrumentos sensibles para detectar cambios de conductividad Una
aplicación práctica de un termistor es como disparador de alarma contra
Incendios.
MICROELECTRÓNICA
La microelectrónica es la rama de la ciencia que interviene en el diseño,

producción y aplicación de dispositivos técnicos basados en las propiedades
eléctricas de los semiconductores. Durante las últimas décadas el tamaño de esos
dispositivos ha disminuido hasta el grado que hoy es posible colocar varios
millones de ellos en una superficie menor que 1 cm2. En microelectrónica, el
prefijo micra refleja el hecho de que hoy la dimensión característica de un
dispositivo es del orden de una micra, o menos como ejemplos de dispositivos
microelectrónicos tenemos el diodo de unión pn y el transistor bipolar npn que
describimos en la sección anterior. Estos y otros dispositivos se pueden
interconectar para obtener circuitos microelectrónicos que se conocen como
circuitos integrados y su complejidad va desde un simple amplificador hasta una
computadora digital completa en miniatura llamada micro-procesador.
Muchos de los asuntos clave en la industria de la microelectrónica se

relacionan con los materiales las propiedades y el procesamiento de lo
semiconductores los primeros dispositivos semiconductores se fabricaban de Ge
Sin embargo pronto fue evidente que el si tiene varias ventajas, entre las que
están su menor costo de materia prima su mayor banda prohibida que permite su
funcionamiento a altas temperaturas y las mejores características de su óxido
superficial natural, SiO2 para comprender el significado de la capa de óxido hay
que describir algunas de las operaciones de procesamiento que se usan para
obtener los circuitos integrados. Desde el punto de vista de los materiales un
circuito integrado es una pieza delgada de semiconductor intrínseco que con
frecuencia es Si que tiene regiones superficiales bien definidas procesadas para
introducir cantidades con cocidas de dopantes eléctricamente activos la figura
muestra tres métodos de fabricación de un diodo de unión pn: 1) se puede hacer
difundir una cantidad controlada de un dopante tipo n en un substrato tipo P. 2) se
puede hacer difundir un dopante tipo p en un substrato tipo n. o 3), si el substrato
es intrínseco se requieren dos operaciones sucesivas de difusión Uno de los
pasos clave del proceso es la definición de la región espacial sobre la que se
introduce el dopante. Como se ve en la figura esto se logra quitando en norma
selectiva la capa superficial de SiO2 sobre la región que se va a dopar A
continuación se introduce el dopante en la superficie se difunde térmicamente en
el sustrato Como la rapidez de difusión es bastante menor a través del SiO2 que a
través del si la forma de la ventana en el óxido definió con eficacia la forma de la
región dopada.
67
Además el SiO2 es un aislador eléctrico de alta calidad que puede ser parte
integral de un dispositivo activo. Por ejemplo, examinemos el capacitor de metal-
óxido-semiconductor (MOS) de la figura Como se describirá con detalle en el
próximo capitulo un capacitor se forma colocando una capa delgada de material
aislante, en este caso SiO2, entre dos capas conductoras Esta característica
eléctrica ventajosa del SiO2 y su capacidad de bloquear la difusión de muchas
clases de dopantes son dos factores clave que hacen al si el material que más se
emplea en las aplicaciones microelectrónicas,
Sin embargo, no todos los circuitos integrados se fabrican con si, Por
ejemplo, la velocidad de un dispositivo se limita por la movilidad de sus portadores
de carga Según la tabla, la movilidad de los electrones en el GaAs es más de 4
veces mayor que en el si por ello, el GaAs es uno de los materiales de que se
dispone para aplicaciones de alta velocidad y alta frecuencia (en los GHz) Otro
material semiconductor interesante es el SiC, que tiene varias ventajas sobre el Si,
como son la mayor resistencia al ataque químico y la mayor estabilidad a alta
temperatura. Por ello se suele preferir al SiC para usos en ambientes agresivos.
Se puede dopar con tipo p o n; sin embargo, su desventaja principal es que es
difícil crecer cristales de gran calidad y poco costo.
Los semiconductores a base de polímeros y sustancias orgánicas son

materiales relativamente nuevos, que todavía no se comprenden por completo
Tienen el potencial de una gran importancia, en especial en aplicaciones
biológicas Además, es probable que su baja densidad de masa, su anisotropía y
su buena ductilidad se puedan controlar para crear nuevas clases de dispositivos
semiconductores.
En vista de que esos semiconductores tienen bajas densidades y

movilidades de portadores de carga, sus propiedades son extremadamente
sensibles ala presencia de impurezas.
La respuesta de un material a un campo eléctrico se puede comprender

investigando los factores que afectan a su conductividad, es decir, la cantidad de
portadores de carga, la carga por portador y la movilidad de esos portadores La
movilidad describe fa facilidad de movimiento del portador a través de un sólido La
conductividad total es la suma de las contribuciones de todos los portadores en el
material electrones, huecos e iones.
Cuando los portadores de carga son electrones, los factores que reducen
la periodicidad de la red, como un aumento de temperatura o de concentración de
defectos, disminuyen su movilidad.
En contraste, cuando los iones son los que transportan la carga, los
incrementos en la temperatura o en la densidad de defectos elevan la velocidad de
difusión iónica. y la movilidad de los portadores de carga.
68
La distribución de energía en los electrones de un sólido es distinta a la de
un átomo individual al disminuir la distancia entre los átomos los niveles originales
aislados de energía en los átomos se extienden en bandas de niveles discretos
separadas por pequeñas diferencias de energía las dos bandas de energía más
importantes en un sólido son la de valencia que se define como la banda superior
que está ocupada al menos parcialmente a 0 K. y la primera banda de energía
sobre la de valencia que se llama banda de conducción. El término banda
prohibida o brecha entre bandas se refiere a la magnitud del intervalo prohibido de
energía, entre la bandas de valencia y de conducción.
Desde el punto de vista eléctrico, uno de los esquemas de clasificación

mas útiles es:
I. Un sólido con una banda de valencia parcialmente llena 0 K es un conductor. Si

la banda de valencia está totalmente llena a O K, el sólido puede ser un
semiconductor o un aislante
2. La diferencia entre semiconductores y aislantes, se basa en el tamaño de la

banda prohibida. Si Eg ≤ 2.5 eV el material es un semiconductor si Eg > 2.5 eV, es
un aislante.
Los sólidos con banda prohibida la cantidad de portadores de carga aumentan en
forma exponencial al elevarse la temperatura. En los conductores la cantidad de
portadores de carga es independiente de la temperatura.
Algunos materiales, la resistividad cambia en forma brusca y tiende a cero

cuando la temperatura baja de un valor crítico Tc; .Este fenómeno se llama
superconductividad
La conducción intrínseca se define corno un comportamiento semiconductor

que resulta de la estructura de bandas de un elemento compuesto puros. En
contraste la conducción extrínseca es el resultado de la interacción entre
impurezas y el material anfitrión o matriz. El Si y el Si y el Ge son los únicos
elementos puros que tienen un comportamiento semiconductor a temperatura
ambiente. Sin embargo hay una gran cantidad de compuestos que tienen
comportamiento semiconductor.
Los instrumentos o productos electrónicos modernos se basan en varios

dispositivos que a su vez se basan en materiales conductores, aislantes y
semiconductores.
5.2 POLARIZACION
Los dipolos son átomos o moléculas que tienen un polo positivo y uno
negativo. Esto es, aunque la carga total del átomo o la molécula es cero, los
centros positivos y negativos no coinciden. En presencia de un campo eléctrico
externo, los dipolos se alinean con el campo que causa la polarización P, cuya
magnitud es:
69
P=Zqd
Z es la cantidad de centros de carga desplazados por unidad de volumen

q es la carga del electrón
d es el desplazamiento entre los polos
POLARIZACIÓN ELECTRÓNICA
Cuando se aplica un campo eléctrico E (en volts) a un material, la nube de

electrones de un átomo se desplaza fuera del centro de la carga nuclear positiva.
A continuación el átomo funciona como un dipolo temporal o inducido. Esta clase
de polarización se puede presentar en todos los materiales, independientemente
del tipo de enlace que haya en el sólido. Cuando se quita el campo, la polarización
desaparece.
POLARIZACION IONICA
Otro mecanismo de polarización es el desplazamiento de aniones y

cationes en los cristales, en relación con sus posiciones normales. El campo
aplicado causa separación de cargas: los cationes son atraídos hacia el electrodo
negativo y los aniones se mueven hacia el electrodo positivo. A este tipo de
polarización se le llama iónica o atómica.
POLARIZACION MOLECULAR
Hay un tercer tipo de polarización, la molecular o bipolar, que se relaciona

con el alineamiento de moléculas con dipolo permanente. El campo externo hace
que los dipolos se orienten en dirección paralela a la del campo. La polarización
bipolar es común en las cerámicas iónicas, que incluyen a los silicatos y en los
polímeros polares.
A diferencia de la polarización electrónica, que implica dipolos temporales,

la polarización molecular puede persistir después de quitar el campo externo, por
la naturaleza permanente de los dipolos que intervienen.
POLARIZACION INTERFACIAL
Esta clase de polarización sucede cuando el movimiento de portadores

móviles de carga, acelerados por un campo externo, es impedido por una barrera
física, donde se acumulan dichos portadores. Las barreras mas comunes son los
límites de grano o de fase y las superficies libres.
70
POLARIZACION NETA
La polarización neta de un dieléctrico es la suma de las contribuciones de

estos cuatro mecanismos. El grado de respuesta de cada mecanismo es lo que
diferencia a los materiales.
APLICACIONES
La deformación mecánica, que suele aplicar en forma de compresión

uniaxial, puede hacer disminuir la separación entre catión y anión. El movimiento
de iones produce corriente e induce un campo o voltaje interno. En esto consiste
el efecto piezoeléctrico. Al revés, al aplicar un campo eléctrico a lo largo de la
dirección cristalográfica adecuada causarán cambios en la distancia entre anión y
catión. Este efecto se le llama electroestricción.
La expresión matemática que expresa esta relación es:
Campo producido por el esfuerzo = ξ = gσ

Y
Deformación unitaria producida por el campo = ε = dξ
ξ = campo eléctrico
σ = esfuerzo aplicado
ε = deformación unitaria
g , d = constantes que se relacionan con el módulo de elasticidad E con la
ecuación:
E = 1/ gd
Entre otras aplicaciones de los materiales piezoeléctricos están los

manómetros y los generadores acústicos de alta frecuencia. Los cristales de
cuarzo, que alguna vez fueron los primeros materiales piezoeléctricos de uso
común, se siguen usando para obtener la sincronización precisa de circuitos
eléctricos y relojes, a través del control de la frecuencia de vibración.
5.2.1 CONSTANTE DIELECTRICA Y CAPACITANCIA
CAPACITANCIA
Se puede representar un capacitor básico como dos placas paralelas de

material conductor, separadas por un material aislante, como se muestra en la fig.
. La carga eléctrica Q en coulombs, que almacena cada placa, es directamente
proporcional al voltaje aplicado V en volts.
Q = C×V
71
En donde se define como capacitancia a la constante de proporcionalidad

C, y sus unidades son faradios, F = 1 faradio = 1 coulomb por volt.
PERMISIVIDAD Y CONSTANTE DIELECTRICA
La capacitancia se debe a un factor geométrico y uno material. Este último

es la llamada permisividad ε, y refleja la capacidad del material para ser polarizado
por el campo eléctrico. El factor geométrico es la relación del área A del capacitor
entre la separación, d. Con lo anterior la capacitancia se define como:
C = ε (A/d)
Cuando el dieléctrico es el vacío, entonces:
Co = εo (A/d)
La permisividad del vacío, εo = 8.85×10¯¹² F/m. como en un capacitor

cualquier material dieléctrico se puede polarizar más que el vacío, la permisividad
ε de un material es mayor que εo.
De hecho se puede demostrar que la relación entre ε y la polarización P.
ε= εo +P/ ξ
donde ξ es la intensidad del campo eléctrico.
Se acostumbra describir la permisividad de un material normalizándola

respecto a la del vacío. En consecuencia, la permisividad relativa o constante
dieléctrica, k, se define como:
k = ε/ εo
RESISTENCIA DIELECTRICA
Es el campo eléctrico máximo que se puede aplicar a un material dieléctrico

sin que falle o se descargue:
ξmax = (V/d) max
donde máximo significa el inicio de la falla disruptiva.
72
5.2.2 DISIPACION Y PERDIDA DE UN DIELECTRICO
La cantidad de energía perdida como calor es una función de la frecuencia f

d4el campo aplicado, de su intensidad ξ, de la permisividad ε del material y de una
medida de la fricción molecular en el dieléctrico. Este último valor se llama valor
de disipación, o tangente de perdida y se representa con el símbolo tan δ. La
energía perdida por unidad de tiempo, o potencia W, es:
W = ε π ƒ ξ² tan δ
Donde W se da en (W/m³)
5.2.3 REFRACCION Y REFLEXION
REFRACCION
El índice de refracción n se puede definir de varias maneras. Quizá el más

sencilla es que es la relación de la velocidad de la luz en el vacío entre la
correspondiente en el material:
n = Vvac / Vmat
Donde V es la velocidad de la luz. El índice de refracción es una propiedad

fundamental de un material. Todos los valores del índice de refracción son
mayores que 1.0, lo que quiere decir que la velocidad de la luz es menor en el
material que en el vacío.
El comportamiento de la luz en fronteras o superficies de los medios se

determina en forma principal por los índices de refracción y por el ángulo de
incidencia. No sólo cambian en forma abrupta la velocidad y la longitud de onda
cuando la luz encuentra a un medio de distinto índice de refracción, sino que
también lo hace la dirección del rayo luminoso. A este fenómeno se le llama
refracción. Si el ángulo de incidencia es i y el ángulo de refracción es r, entonces
la relación entre estos ángulos y la velocidad de la luz se puede expresar
mediante el índice de refracción:
n = Vvac / Vmat = λvac / λ mat = sen i / sen r
En esta ecuación se supone que la luz procedía del vacío antes de entrar al
material. Cuando la luz viaja en el material 1 y entra al material 2 la ecuación se
transforma en:
V1 / V2 = n2/ n1 = sen i / sen r
73
REFLEXIÓN ESPECULAR
Cuando un rayo de luz llega a una interfase, no todo se refracta. Una parte
de la luz incidente se refleja en forma típica, de la interfase, a un ángulo igual que
la luz incidente. Esto es la reflexión especular. Para un rayo de incidencia normal (i
= 90º) que se mueve del material 1 al material 2, la fracción R de la luz que se
refleja se determina con:
R = ((n2 – n1) / (n2 + n1))²
5.2.4 ABSORCIÓN, TRANSMISIÓN Y DISPERSIÓN
Al igual que el módulo de elasticidad y la permisividad eléctrica, el índice de

refracción es una simplificación de una variable compleja, el coeficiente de
refracción n*:
n* = n- ik
La parte real de n* no es mas que el índice de refracción. La parte

imaginaria n* tiene que ver con fenómenos de absorción o pérdidas, y se llama
índice de absorción, k. como la absorción es mínima, k es pequeña y se puede
usar el índice de refracción n para describir los fenómenos ópticos. Sin embargo
cuando la absorción es importante, aumenta la magnitud de k, y cobra importancia
la naturaleza compleja del índice de refracción.
COEFICIENTE DE ABSORCIÓN
En general, se expresa un índice de absorción en forma del coeficiente de

absorción β:
β = (4πk)/ λ
siendo k el índice de absorción y λ la longitud de onda de la radiación.
La transmisión es la relación de la intensidad transmitida entre la

intensidad inicial I/Io. La suma de las fracciones de luz absorbida, A, luz
transmitida, T, y luz reflejada, R, para el material, debe ser igual a 1.0. Expresado
en forma matemática:
A+T+R=1
Después de muchos pasos algebraicos, la transmisión con incidencia

normal es:
T = I salida / I entrada = (1-R)² exp. (-βx)
74
DISPERCION Y OPACIDAD
Hemos enviado mucho el asunto de la opacidad de los materiales. Éstos

son transparentes si no absorben mucho si no dispersan la luz. Al revés, los
materiales son opacos si absorben mucho o dispersan mucho la luz. La dispersión
de la luz se mencionó de pasada en la sección sobre guías de onda.
Es probable que la causa de la dispersión se puede describir con mayor

facilidad como heterogeneidades en el índice de refracción, a una escala
comparable a la de la longitud de onda de luz. Cuando mayor sea la diferencia de
índices de refracción del medio y de la heterogeneidad, se produce más
dispersión. Esto suena lógico porque la dispersión se debe principalmente a la
reflexión en superficies internas.
5.2.5 PROCESOS ELECTRONICOS
FLUORESCENCIA DE RAYOS X
Veamos el choque de un electrón con un sólido. Si la energía de la

radiación incidente es suficientemente alta, se puede provocar la salida de un
electrón de las capas interiores. Después de emitido, el átomo está en un estado
inestable, de alta energía. Para reducir la energía del átomo, los electrones de una
capa externa pasan casi de inmediato a las posiciones vacías del interior. La
diferencia de energías entre los dos estados electrónicos se debe manifestar en el
átomo. Si es grande, se puede emitir un rayo X. A esto se le llama fluorescencia
de rayos X.
LUMINISCENCIA
Supongamos, una vez más, que la radiación incidente choca con los
electrones que rodean un átomo. Si el material es dieléctrico, esa radiación puede
excitar un electrón de la banda de valencia a la conducción. Si la magnitud de la
banda prohibida tiene el valor adecuado, entonces se puede producir un fotón con
una longitud de onda en el espectro visible, cuando el electrón regresa de la
banda de conducción a la valencia a este efecto se le llama luminiscencia.
FOSFORESCENCIA
Supongamos esta vez que los electrones cambian de nivel con más
lentitud, porque quedan atrapados en forma temporal por impurezas, justo debajo
de la banda de conducción. En este caso, la emisión de la luz se demora y
transcurre durante cierto tiempo. Esto es fosforescencia.
75
EMISION TERMICA
La emisión térmica es el proceso en el que los electrones se excitan a

niveles de energía más altos, con alta temperatura. Algunos de los electrones
regresan a sus posiciones en el interior del átomo desprendiendo fotones en el
proceso.
FOTOCONDUCTIVIDAD
La conductividad eléctrica fotoinducida, o fotoconductividad, se puede

producir cuando los fotones chocan con la superficie de un semiconductor. Si la
luz incidente tiene la energía suficiente, pueden excitarse (subir) electrones a la
banda de conducción. Esto da como resultado un aumento en la cantidad de
portadores de carga y un incremento concomitante de conductividad del material.
5.3 PROPIEDADES MAGNETICAS
5.3.1 INTRODUCCION
En el capitulo anterior demostramos que las propiedades ópticas y

dieléctricas de los materiales son, el resultado de la interacción entre la radiación
electromagnética y dipolos a escala atómica. Este capitulo amplia el concepto de
la polarización, para describir las propiedades magnéticas de los materiales.
Demostraremos que los dipolos magnéticos a escala atómica son el resultado del
movimiento de los electrones. Los detalles de la interacción entre estos dipolos
magnéticos internos y los campos magnéticos externos determinan las
características de un material.
Primero presentaremos una descripción cualitativa del comportamiento

magnético. A continuación estableceremos las bases cuantitativas del capitulo
repasando la base física del magnetismo. Encontraremos que las ecuaciones
necesarias para describir la respuesta de un material a un campo magnético
externo son parecidas a las que se desarrollaron antes para un campo eléctrico.
Por ejemplo, el análogo magnético de la constante dieléctrica K es la
susceptibilidad magnética X. Con base en la magnitud y el signo de la
susceptibilidad, los materiales se pueden clasificar como diamagnéticos,
paramagnéticos, ferromagnéticos, antiferromagnéticos o ferrimagnéticos. Después
de describir en forma breve cada clase de material magnético, describiremos
algunos de los dispositivos y aplicaciones técnicas que resultan de las
propiedades magnéticas de los materiales. Entre los ejemplos mencionaremos los
imanes permanentes, los núcleos de transformador, dispositivos de las memorias
de cómputo y los imanes superconductores.
76
5.3.2 LOS MATERIALES Y EL MAGNETISMO
MAGNETISMO
La teoría de los fenómenos magnéticos, esto es, la teoría del campo

magnético y del comportamiento de la materia en él; no hay ningún tipo de
magnetismo ajeno a las corrientes o a los campos. El díamagnetísmo, presente
en todas las sustancias, tiene su origen en la precesión de Larmor de los
electrones en el campo magnético; aunque siempre exista, puede quedar
encubierto por un paramagnetismo ó ferromagnetismo más intensos.
Originariamente, la propiedad de determinados cuerpos, los imanes, de atraer al
hierro, o de atraer o repeler a otros imanes.
CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES MAGNÉTICOS
Con base en el grado y la naturaleza de la interacción entre los electrones

del sólido y un campo magnético externo, es posible agrupar a los materiales en
cinco clases. Tres de ellas, los paramagnéticos, diamagnéticos y
antiferromagnéticos, casi no responden a los campos magnéticos externos. En
contraste, los materiales ferromagnéticos y ferrimagnéticos interactúan
fuertemente con los campos magnéticos externos, y se usan en una diversidad de
aplicaciones magnéticas entre las que se encuentran los transformadores
eléctricos, las memorias de información (cintas magnéticas y discos de compu-
tadora), motores, generadores y bocinas o altoparlantes.
La propiedad que describe en forma cuantitativa la respuesta del material a

un campo externo es su susceptibilidad magnética. Si X< 1, el material tiene una
respuesta débil al campo externo; si X > 1, su respuesta es muy marcada.
5.3.3 MAGNETIZACION, PERMEABILIDAD Y EL CAMPO MAGNETICO.
MAGNETIZACIÓN.
Hay campos producidos por imanes permanentes y por corrientes de

partículas cargadas. Encontramos que los procesos son los mismos. En el fondo,
los campos magnéticos son producidos por el movimiento de cargas con relación
al observador, ya sea que esas cargas que se mueven sean corrientes de
conducción en un alambre, o bien, haces de partículas o de corrientes atómicas
en un imán permanente. Aun cuando es una representación demasiada
simplificada, se puede decir que los átomos individuales contienen corrientes
eléctricas debidas:
1. El movimiento de los electrones en torno al núcleo.

2. Al movimiento de rotación de los electrones en sus propios ejes
3. El movimiento de rotación de muchas clases de núcleos.
77
Debido a esas “corrientes”, los átomos individuales actúan como si fueran

pequeñísimos electroimanes. Producen campos magnéticos que afectan a otros
átomos y, a su vez, son afectados por campos magnéticos.
PERMEABILIDAD.
Se define como permeabilidad relativa km del núcleo de hierro, la relación de

la inducción magnética B, cuando el hierro llena el núcleo, a la inducción
magnética Bo, cuando el interior del solenoide es un espacio vació o aire.
Km = B/Bo
La permeabilidad relativa que se mide comparando la densidad de flujo de

un solenoide, antes de ponerlo es similar a la constante dieléctrica para los
aisladores, que es la relación entre la capacitancia de un condensador de placas
paralelas con material dieléctrico, y la capacitancia sin este.
CAMPO MAGNÉTICO.
Un campo de fuerzas creado por imanes, corrientes eléctricas o campos

eléctricos variables con el tiempo.
5.3.4 DIAMAGNETISMO Y PARAMAGNETISMO.
El diamagnetismo y el para magnetismo son formas débiles de interacción

entre los sólidos y los campos magnéticos externos. En los sólidos diamagnéticos,
el campo magnético interno es antiparalelo al campo externo, mientras que en los
sólidos paramagnéticos, los campos interno y externo apuntan en la misma
dirección. El movimiento orbital de un electrón en tomo a su núcleo siempre da
como resultado una contribución a la respuesta diamagnética de un material. Sin
embargo, el espin del electrón puede aportar una contribución paramagnética.
¿Qué factores determinan si un material es diamagnético o paramagnético?

El diamagnetismo se suele observar en los sólidos formados por átomos cuyas
capas electrónicas están totalmente llenas. La razón es que en una capa hay
cantidades iguales de electrones con espines positivos y negativos, por lo que el
momento magnético total originado por el espin es cero. Como ejemplos de
materiales diamagnéticos tenemos a la mayor parte de los materiales iónicos y
covalentes, casi todos los compuestos orgánicos, incluyendo los polímeros, y
algunos metales notablemente el Cu, Ag y Au. La interacción entre un sólido
diamagnético y un campo externo es muy débil. De hecho, la magnitud de x para
la mayor parte de los sólidos diamagnéticos está en el orden de 10-4 a lO-5. En
consecuencia, los materiales diamagnéticos tienen pocas aplicaciones
magnéticas.
78
El paramagnetismo se relaciona con el momento magnético ocasionado por

electrones no apareados en capas electrónicas internas no totalmente llenas (los
electrones no apareados en la capa de valencia no contribuyen al comportamiento
paramagnético). Así, la mayor parte de los metales de transición son
paramagnéticos. La figura muestra la distribución de los espines electrónicos en
las capas 3d de algunos metales de transición. La cantidad de espines no
apareados por átomo se puede determinar mediante la regla de Hund, que
establece que en una capa no llena, la cantidad de espines no apareados será la
máxima posible, compatible con las restricciones del principio de exclusión de
Pauli. Como en el caso de los sólidos diamagnéticos, la intensidad de la
interacción entre un material paramagnético y un campo magnético externo es
escasa (x está en orden de 10-2 a 10-3). En consecuencia, los materiales
paramagnéticos tienen pocas aplicaciones en el magnetismo.
TABLA Susceptibilidades magnéticas X de varios materiales paramagnéticos y

ferromagnéticos
Material X(x10-6) Clase Comentario

Al +16.5 para- Ejemplo de metal paramagnético.
Por lo general, los óxidos tienen
Al2O3 -37.0 dia-
enlaces iónicos y covalentes
Be -9.0 dia- Ejemplo de metal diamagnético
BeO -11.9 dia-
Bi -280.1 dia-
B -6.7 dia-
Ca +40.0 para-
CaO -15.0 dia-
CaF2 -28.0 dia-
C (diamante) -5.9 dia-
Observe la influencia de la
C (grafito) -6.0 dia-
estructura cristalina
Ce +2450 para- El Ce es un metal de transición.
No todos los sólidos son
CeO2 +26.0 para-
diamagnéticos.
Cr +180 para-
Cr2O3 +1965 para-
Cu -5.5 dia-
CuCI -40.0 dia-
Observe la influencia de la valencia
CuCI3 +1080 para-
del Cu.
Ge -76.8 dia-
Au -28.0 dia-
Pb -23.0 dia-
Li +14.2 para-
LiF -10.1 dia-
79
Mg +13.1 para-
MgO -10.2 dia-
Mn (fase ∝) +529 para-
Observe la influencia de la
Mn (fase B) +483 para-
estructura cristalina
Si -3.9 dia-
Ag -19.5 dia-
Na +16.0 para-
NaCl -30.3 dia-
Sn (gris) -37.0 dia-
Influencia de la estructura cristalina
Sn (blanco) +3.1 para-
y el tipo de enlace
Ti +153.0 para-
TiO2 +5.9 para-
H2O(gaseosa) -13.1 dia-
H 2O
-12.9 dia- Obsérvese la influencia de la fase.
(liquida)
H2O (sólida) -12.7 dia-
5.3.5 FERROMAGNETISMO.
Los sólidos ferromagnéticos tienen valores de susceptibilidad magnética

mucho mayores que l. La diferencia principal entre los materiales paramagnéticos
y los ferromagnéticos está en la fuerza de la interacción entre los dipolos
magnéticos atómicos adyacentes. Si bien los dipolos son en esencia inde-
pendientes en los materiales paramagnéticos, interactúan fuertemente en los
ferromagnéticos. A bajas temperaturas, la interacción de intercambio entre los
dipolos magnéticos atómicos adyacentes (asociados con espines no apareados)
en los sólidos ferromagnéticos tiene la fuerza suficiente para superar las
fluctuaciones térmicas que tratan de aleatorizar la orientación de los dipolos
magnéticos. El resultado es que, aun sin campo externo, los dipolos vecinos se
alinean entre si.
¿Por qué algunos materiales con capas electrónicas internas parcialmente

llenas tienen interacciones bipolares débiles (paramagnetismo) mientras que en
otros las interacciones son fuertes (ferromagnetismo)?
Con cálculos detallados se demuestra que los requisitos para el

ferromagnetismo son:
1. Que una capa electrónica interna no esté llena.

2. Que 13 capa parcialmente llena tenga un radio peque no.
3. Que la banda de energía de los electrones asociada con la capa parcialmente
llena sea angosta.
80
Esos criterios se satisfacen en la banda 3d del Fe, Ni y Co y la banda 4f en
varios metales de tierras raras. Además, las estructuras de bandas híbridas en
ciertos compuestos pueden satisfacer a veces los requisitos. La tabla tiene una
lista de algunos materiales ferromagnéticos.
Material Temp. De Curie (K) Comentarios

Fe 1063 El Fe, Co y Ni son los ejemplos clásicos 3d
parcialmente llenas.
Co 1390
Ni 627
Dy 85
Gd 294 El Dy, Gd, Tb y Ho son materiales con capas
4f parcialmente llenas.
Tb 210
Ho 20
5.3.6 ANTIFERROMAGNETISMO.
En la sección anterior demostramos que los di polos atómicos adyacentes

pueden interactuar para formar un conjunto ordenado de dipolos magnéticos en
algunos materiales. Todos los dipolos apuntan en la misma dirección, se dice que
el material es ferromagnético. Sin embargo, son posibles otras relaciones de
orientación entre dipolos vecinos.
Por ejemplo, se pueden alinear en una configuración antiparalela. Si un

material se caracteriza por un arreglo de sus dipolos, en el que los dipolos alternos
tienen igual fuerza, el material es antiferromagnético. Si los dipolos alternos tienen
distintas magnitudes, el material es ferrimagnético.
Los materiales antiferromagnéticos más comunes son compuestos de

fórmula química MXn, siendo M un átomo de metal de transición, X es un átomo
electronegativo (O, S, Te o F) y n es 1 o 2. Los dipolos magnéticos existen dentro
de la capa interna parcialmente llena de los átomos metálicos. En vista de que
sólo los átomos metálicos aportan dipolos magnéticos, todos sus dipolos tienen
igual fuerza.
5.3.7 DISPOSITIVOS Y APLICACIÓN
IMANES PERMANENTES.
Un imán permanente debe conservar su magnetización en ausencia de un

campo aplicado y resistir la desmagnetización cuando hay campos magnéticos
modestos en el ambiente de servicio.
81
Estas dos restricciones determinan el uso de grandes valores de

remanencia Br y altos valores de gran fuerza de campo coercitivo Hc esto es, el
uso de imanes duros. Para maximizar Br y Hc se debe modificar la microestructura
del material en tal forma que se minimice la movilidad de las paredes de Bloch.
Además, para esas aplicaciones son adecuados materiales en los que sea difícil la
rotación de dipolos. Hay muchos tipos distintos de materiales magnéticos
permanentes. En general se clasifican según
El método de procesamiento empleado para disminuir la movilidad de las

paredes de Bloch. La clase mas antigua de imanes permanentes es la de los
aceros trabajados en frió. Para esos materiales, la facilidad de crecimiento de
dominios está limitada por las altas densidades de dislocaciones. La cantidad de
deformación en la red cristalina también puede hacerse mayor templando las
aleaciones de Fe y C para producir una estructura martensitica. No se suelen
especificar esas aleaciones en los últimos diseños, aunque a veces se toman en
cuenta en aplicaciones con menos requisitos y de menor costo, como seria la
parte de los timbres de los teléfonos.
NÚCLEOS DE TRANSFORMADOR.
Los materiales que se usan en los núcleos de los transformadores están

sometidos siempre a campos eléctricos y magnéticos alternos. La selección de un
material para esta aplicación se basa en reducir al mínimo las pérdidas por
histéresis magnética y también por corrientes eddy. Un campo magnético variable
induce un voltaje dentro del núcleo del transformador. Este voltaje causa un flujo
de corriente, que se conoce como corriente eddy. Como las pérdidas de energía
(debidas al calentamiento resistivo) están determinadas por la expresión V2/R, si
se maximiza la resistencia del núcleo del transformador se rebajan al mínimo las
pérdidas por corrientes eddy. Para disminuir al mínimo las pérdidas por histéresis
magnéticas, hay que fabricar los núcleos de transformador con materiales
magnéticos suaves.
MEMORIAS MAGNÉTICAS.
Los dos requisitos principales de un material que se quiere usar en las

memorias magnéticas es que se 1magnetice con facilidad (tenga bajo H.) y que
retenga la mayor parte de su magnetización después de, haber quitado el campo
externo (alto B,). Otra característica deseable en los materiales para esta
aplicación es un ciclo de histéresis que tenga quiebres lo más agudos posibles en
el segundo y el cuarto cuadrante. La ventaja de esa forma es que la memoria se
puede "borrar" con facilidad y totalidad aplicando un campo inverso de magnitud
Hc. Los materiales magnéticos que se usan con más frecuencia en esta aplicación
son las ferritas cúbicas, en las que los iones M2+ son Co2+ o una combinación de
Mn2+ y Mg2+. Esos imanes cerámicas se usan en cosas como discos de
computadora (flexibles y duros) hasta grabadoras de audio y video.
82
5.3.8 IMANES SUPERCONDUCTORES.
Anteriormente explicamos el concepto de superconductor y describimos en

resumen las propiedades eléctricas de esos materiales. Recuérdese que su
resistividad disminuye a cero cuando la temperatura baja de un valor critico Tc. La
resistividad cero es una condición necesaria, pero no suficiente, para que un
material se vuelva superconductor. Además, también deben cambiar las
propiedades magnéticas del material. En forma especifica, la transición
superconductora da como resultado un material que expulsa todos los campos
magnéticos.
Recuerde que la relación entre la inducción magnética total en un material,

y la fuerza del campo externo se describe con la ecuación B = mo (1+X) H. la
expulsión del campo magnético equivale a que la inducción total dentro del
superconductor es cero, esto es:
B = mo (1+x) H = 0
Y esto implica que para un superconductor, X = -l. La única clase de

materiales con susceptibilidades magnéticas menores que cero es la de los
materiales diamagnéticos. Obsérvese que un valor de X = -1 implica que el campo
magnético interno tiene la misma magnitud que el campo externo y es antiparalelo
a él. Por esta razón, los superconductores son materiales diamagnéticos
perfectos.
En la mayor parte de los materiales, el mecanismo del diamagnetismo se
relaciona con el movimiento orbital de los electrones; sin embargo, en los
superconductores ese mecanismo es diferente. El diamagnetismo en los
superconductores Se debe al movimiento circular de los electrones cerca de la
superficie del material. Este movimiento produce un campo eléctrico que
contrarresta exactamente al campo externo. Esta clase de movimiento de
electrones es en una escala mucho mayor que la de los movimientos atómicos,
orbítales y de espin, que se describieron antes. Es posible mantener ese
movimiento macroscópico de electrones sólo cuando hay resistencia al paso de
los electrones, esto es, en un superconductor.
5.4 PROPIEDADES TERMICAS:
En muchas aplicaciones en ingeniería hay que manejar los efectos de la

temperatura y la energía térmica para lograr determinado conjunto de objetivos.
Así las propiedades térmicas de los materiales desempeñan con frecuencia un
papel clave en las aplicaciones prácticas.
En el capitulo 1 vimos que el trasbordador espacial esta sometido a

temperaturas hasta de 1600°C al reingresar a la atmósfera terrestre. Ese
trasbordador debe ser protegido con materiales que tengan buenas propiedades
aislantes. En forma especifica, esos materiales deben tener:
83
Baja conductividad térmica, para que la energía se transmita con lentitud,
Alta capacidad calorífica, para que se necesite gran cantidad de energía

térmica para elevar la temperatura, y alta densidad para que pueda almacenar
mucha energía térmica en un volumen relativamente pequeño.
Se dice que los materiales que tienen estas propiedades son de baja
difusividad térmica. Vimos que las losetas de materiales como sílice, vidrios de
boro silicato y compuestos de carbono con fibras de carbono se usaron para
cumplir este desafió. Los materiales que se usan en aplicaciones como el
trasbordador espacial tampoco se deben dilatar ni contraer mucho cuando cambie
su temperatura.
Si lo hacen en forma importante se pueden desarrollar grandes esfuerzos, y

se puede presentar la ruptura. En términos ingenie riles, deben tener bajo
coeficiente de dilatación térmica.
También es importante tener control sobre las propiedades térmicas en las

aplicaciones domesticas. Por ejemplo, los utensilios de cocina fabricados con
silicato policristalino de litio y aluminio (llamado LAS) tienen un coeficiente de
dilatación térmica extremadamente bajo.
En consecuencia, es posible tomar un recipiente caliente del fuego y

sumergirlo en agua fría sin que se rompa. De manera parecida, las parrillas de las
estufas, que tienen elementos calefactores incorporados, se hacen de LAS y
pueden resistir gradientes extremos de temperatura.
En este capitulo estudiaremos la relación entre las estructuras atómicas, las

micro estructuras, y las propiedades térmicas. Veremos que se pueden adaptar las
propiedades térmicas para lograr los objetivos de las aplicaciones.
En particular describiremos el coeficiente de dilatación térmica, la

capacidad calorífica y la conductividad térmica. Como siempre, subrayamos la
relación entre cada una de esas propiedades y la estructura atómica de los
materiales.
Algunas aplicaciones que se relacionan con las propiedades térmicas de los

materiales son las bandas vi metálicas que se usan como interruptores en los
termostatos, los materiales aislantes del trasbordador espacial y de la ropa, los
utensilios de la cocina resistentes al choque térmico y el vidrio templado.
84
5.4-1 COEFICIENTE DE DILATACION TERMICA:
La mayor parte de los sólidos se dilatan cuando se calientan, y se contraen

cuando se enfrían, siendo la excepción principal los polímetros orientados, que se
descubrieron. La propiedad de un material que describe el grado de dilatación y de
contracción al cambiar la temperatura es el coeficiente lineal de dilatación térmica,
α t su ecuación definitoria es:
Αt = Єt ⁄ ∆T (13.2-1)
En donde Єt es la deformación unitaria térmica ( ∆L ⁄ L0 ) ocasionada

por un cambio de temperatura ∆L. Recuerdese, que cuando los átomos
adquieren energía térmica, aumenta la magnitud de sus oscilaciones. Como la
curva de energía de enlace es asimétrica, se incrementa la separación promedio
entre átomos vecinos al elevarse la temperatura.
Además de los cambios de longitud, también puede examinarse como se

modifica el volumen de un sólido con la temperatura. Si se define un coeficiente de
dilatación térmica volumétrica, o coeficiente volumétrico de dilatación térmica αV
se obtiene una ecuación parecida a la 13.2-1:
∆V ⁄ V0 = αt ∆T (13.2-2)
En donde V0 es el volumen original y ∆V es el cambio de volumen

resultante de una alteración de temperatura ∆T. Para los sólidos isotropitos, la
relación entre los coeficientes volumétricos y lineales de dilatación térmica es:
αt = 3αt (13.3-3)
Sin embargo, hay que reconocer que algunos materiales, pero no todos,
son isotropicos.
Por lo que hemos dicho hasta hora, el lector podrá llegar a la conclusión
errónea que una grafica de Єt en función de la temperatura debe ser una recta,
con una pendiente igual a αt .En la Fig. 13.2-1 se ven algunas desviaciones de
este comportamiento. El inciso a muestra algunos cambios bruscos de Єt al
cambiar la temperatura, que se deben a cambios en las formas cristalinas del
SiO2.
Las temperaturas críticas son aquellas a las que los materiales sufren
transformaciones polimorfitas de fase. Sin embargo, aun para un materia de una
sola fase se suelen observar desviaciones respecto al comportamiento lineal de Єt
- ∆T. Como se ve en la Fig. 13.2-1b, muchas cerámicas tienen valores αt no
85
constantes. También, obsérvese que la sílice fundida tiene un valor de αt cercano
a cero dentro de todo intervalo de temperaturas que muestra la figura.
Hay otros materiales, por ejemplo el grafito, que muestra dilatación cercana
a cero dentro de intervalos estrechos de temperatura.
De esta manera, se debe considerar la ecuación 13.2 como valida solo

dentro de intervalos de temperatura relativamente estrechos, y se debe tener
cuidado al seleccionar los valores de αt en los manuales, que se aplican en los
cálculos.
Con base en las características de los enlazamientos atómicos, es posible

establecer algunas generalizaciones razonables acerca de las magnitudes de αt
para varias clases de materiales.
La tabla 13.2-1 muestra que, por la falta de enlaces primarios entre las
cadenas de polímeros termoplásticos, esos materiales tienen valores
relativamente altos de αt . En contraste, los polímeros tienen valores algo
menores del coeficiente, en el estado no estirado.
De los materiales cristalinos, los metales suelen tener los mayores valores
de coeficiente de dilatación. Sin embargo, esos valores son en general menores
que los de mayor parte de los polímeros.
Muchos de los cristales cerámicas son más abiertos, es decir, tienen

menores factores de empacamiento atómico o iónico, que sus contrapartes
metálicas. Así, algo de vibración atómica puede caber sin que haya dilatación. Por
lo anterior y en general, los cristales cerámicos tienen menores valores de αt que
los metales.
Como se ve en la tabla, los valores de αt para los materiales cerámicos

no cristalinos varían en forma apreciable. El comportamiento de un vidrio en
dilatación es una función complicado de su composición y de su historial térmico.
86
Figura 5.4. La variación porcentual en la dilatación térmica lineal, en función de la

temperatura, para varias formas cristalinas del Si02, varios metales polímeros y
cerámicas.
87
Tabla de coeficiente de dilatación térmica lineal para varios materiales.
Material αt(x10-6 °c¯¹) Material αt(x10-6 °c¯¹)
Metales Cerámicos
Al 25 Al2O3 6.5-8.8
Cr 6 BeO 9
Co 12 MgO 13.5
Cu 17 SiC 4.8
Au 14 Si 2.6
Fe 12 Si3N4 (fase α) 2.9
Pb 29 Si3N4 (fase β) 2.3
Mg 25 Espinela (MgAl2O4) 7.6

Mo 5 Vidrio sosa-cal-silicato 9.2 (usado en focos)
Ni 13 Vidrio de boro silicato 4.6 (usado con Kovar)
Pt 9 Sílice (96% de pureza) 0.8
K 83 Sílice (99.9% de pureza) 0.55
Ag 19 Polímeros (no orientados)
Na 70 Polietileno 100-200
Ta 7 Polipropileno 58-100
Sn 20 Poli estireno 60-80
Ti 9 Politetrafluoroetileno 100
W 5 Polo carbonató 66
Zn 35 Nylon (6/6) 80
12 Acetato de celulosa 80-160
17 Poli metacrilato de metilo 50-90
Aleación de aluminio3003 23.2 Epóxicos 45-90
Aleación de aluminio2017 22.9 Fenol formaldehído 60-80
Aleación de cobre ASTM 17 Siliconas 20-40
B 152
Latón 18
Soldadura Pb-Sn (50-50) 24
Aleación de magnesio 26
AZ31B
Aleación de níquel ASTM 12
B160
Titanio comercial 8.8
Kovar (Fe-Ni-Co) 5
88
5.4-2 CAPACIDAD CALORIFICA:
La capacidad calorífica c de un material es la cantidad de energía térmica

requerida para elevar un grado la temperatura de un mol de material.
Matemáticamente:
C= dQ / dT (13.3-1)
En donde dQ es la cantidad de calor agregado para producir un cambio de

temperatura dT. Para estimar teóricamente la magnitud de la capacidad calorífica
de un material se debe llegar a una ecuación para dQ / dT. Con cálculos, clásicos
en la termodinámica, se demuestra que la energía térmica de un átomo que oscila
en tres dimensiones en un sólido a la temperatura T se expresa con la ecuación
Q(átomo) = 3kT o bien Q (mol) = 3Nα Kt (13.3-2)
Donde k es la constante de Boltzmann y Nα es el número de Avogadro.
Diferenciando con respecto a la temperatura se obtiene
C= 3Nα k = 3R = 24.9 j/ (mol-k) (13.3-3)
Siendo R (=Nα k) la constante de los gases, cuyo valor es 8.314 j/ (mol-k). La

ecuación 13.3-3 se lama ley de dulong y Petit. ²
Por consiguiente, la capacidad calorífica según la ecuación 13.3-3 se

representa con Cν. También se podrán haber agregado la energía térmica al sólido,
a presión constante. La capacidad calorífica corresponde, CP, es mayor que Cv
por la energía adicional que requiere la dilatación del sólido a presión constante.
La diferencia entre Cv y Cp aumenta con la temperatura, y solo adquiere
importancia cerca del punto de fusión de un sólido cristalino, o de la temperatura
de transición vítrea de un sólido amorfo.
La capacidad calorífica por unidad de masa se llama calor específico del

material. Usaremos la C mayúscula para representar al calor especifico {cuyas
unidades son j/ (Kg-K)} y la c minúscula para representar la capacidad calorífica
[cuyas unidades son j/ (mol-K)]. En la tabla 13.3-1 se muestra valores del calor
específico CP a presión constante, para varios materiales. Como en las
capacidades térmicas correspondientes, en general se puede despreciar entre Cv
y Cp
89
Calores específicos de varios materiales.
Material Cp(J/kg-K) Cv/(peso at.) (J/kg-K)
Metales
Al 900 923
Cr 448 479
Co 456 423
Cu 386 392
Au 130 126
Fe 448 446
Pb 159 120
Mg 1017 1024
Mo 251 260
Ni 443 424
Pt 133 128
K 753 637
Ag 235 231
Na 1226 1083
Ta 140 138
Sn 218 210
Ti 523 520
W 142 135
Zn 388 381
Acero 1020 486 -
Acero inoxidable 502 -
Latón 375 -
Kovar 460 -
Cerámicas
Al2O3 775 244
BeO 1050 996
MgO 940 618
Vidrio sosa-cal-silicato 840 -
Sílice 740 -
Polímeros
Polietileno 2100 -
Polipropileno 1880 -
Poli estireno 1360 -
Politetrafluoroetileno 1050 -
Nylon (6/6) 1670 -
Fenol formaldehído 1650 -
Semiconductores
Si 702 886
Ge 322 343
GaAs 350 172
90
En esa tabla se ve la concordancia entre el calor específico medido, Cp , y la

estimación teórica de Cv, que se calcula con la ecuación:
Cv = Cv / Peso atómico (13.3-4)
Obsérvese que tanto la capacidad calorífica como el calor específico son

propiedades intrínsecas. La propiedad extrínseca correspondiente se llama
capacitancia térmica, Ct, y se calcula multiplicando la propiedad intrínseca Cv por
la masa del material, M:
Ct = MCv = pVCv (13.3-5)
En la que p es la densidad del material y V es su volumen. La capacitancia

térmica representa la cantidad de energía necesaria para cambiar en 1°C la
temperatura del material que se considera.
La capacitancia térmica es uno de los parámetros de diseño en

aplicaciones cuando importa la rapidez del cambio de la temperatura con respecto
al tiempo, d T / d t. si la de mas variables se mantienen igual, la rapidez máxima
con la que puede cambiar la temperatura de un sistema tiene una relación inversa
con su capacitancia térmica. Por tanto, se prefieren los materiales con baja Ct
cuando se requieren cambios rápidos de temperatura. Por ejemplo, se prefieren
tabiques refractarios porosos de cerámica a los tabiques densos del mismo
material, para forrar los hornos, porque su menor capacitancia térmica les permite
tener mayores velocidades de calentamiento y enfriamiento. Despues en este
capitulo, veremos que el material poroso también tiene mejores características de
aislamiento térmico.
Uno de los aspectos del diseño de circuitos integrados que se relacionan

con los materiales es el problema de los aumentos de temperatura originados en
el calentamiento resistivo de los componentes eléctricos activos.
Cuando la corriente pasa por un elemento, el calor disipado, Q, se puede

calcular como sigue:
Q = 1²Rt (13,3-6)
Donde las unidades de Q son joules, de la corriente I son amperes, la resistencia

R esta en ohms y t es el tiempo en segundos. El calor generado por este proceso
puede ser importante; si no se saca de la cercanía de los componentes activos,
por conducción térmica a través del substrato, puede originar un aumento en la
temperatura
91
5.4-3 MECANISMOS DE CONDUCCION TERMICA:
Si bien las ollas y cacerolas de cocina pueden fabricarse por completo con
un metal, muchas de ellas tienen asas de madera o de plástico. ¿Por que se ha
implementado este diseño?
El asa metálica se calienta mucho. En contraste, el asa de plástico no

transporta (conduce) el calor desde la llama hasta su mano, por lo que permanece
frió aun cuando la cacerola se caliente.
La dirección de la transferencia de calor es de las zonas de alta

temperatura hacia las de baja temperatura (es decir, hacia abajo del gradiente de
temperatura). La relación entre el gradiente de temperatura d T / d X y la
conductividad térmica K tiene la misma forma que la ecuación de difusión. Si el
problema de flujo de calor es en una dimensión, como el que se ve en la figura
13.4-1, la ecuación que lo describe es:
(dQ / dt) ( 1 / A ) = K ( dT / dx ) (13.4-1)
En donde dQ / dt es el calor transferido por unidad de tiempo a través de un

área plana.
A. Las unidades de K son j/(s-m-K) o, lo que es igual, W / (m-K). De

acuerdo con la ecuación anterior. El calor que pasa por unidad de tiempo y por
unidad de área, es decir, el flujo de calor, es proporcional al gradiente de
temperatura, y la constante de proporcionalidad es la conductividad térmica. En la
tabla 13.4-1 se presentan los valores de conductividades térmicas de varios
materiales.
La energía térmica puede ser conducida a través de un material mediante

dos mecanismos: vibraciones en la red (fonones) o movimiento de electrones
libres. De esa manera, en el modelo mas simple,
K = Kp + Ke (13.4-2)
En la que Kp representa la contribución de los fonones y Ke la de los

electrones. La importancia relativa de esos dos mecanismos depende en primer
lugar de la estructura de electrónica de bandas del material.
La influencia de la temperatura de K es complicada. La magnitud de la

conductividad térmica de un sólido es proporcional a varios factores, entre los que
están:
92
1. La cantidad N de portadores de energía térmica, como fonones, electrones o

cambios.
2. La velocidad promedio v de los portadores.

3. La distancia promedio λ recorrida por un portador despues de haber sido
dispersado por la red.
¿Cómo se establecer la forma de la relación entre K y las variables N, V y

λ? Propongamos una ecuación de K que sea análoga a la de la conductividad
eléctrica, σ = Nqµ. Esto es, la relación quizá tenga forma:
K ∞ NVλ (13.4-3)
Las conductividades térmicas de las cerámicas cristalinas, que están

gobernadas por el mecanismo de fonones, pueden variar bastante dependiendo
de la complejidad de su estructura. Los factores estructurales que reducen al
mínimo la dispersión de fonones y, en consecuencia, favorecen los mayores
valores de conductividad térmica en los cristales iónicos o covalentes son, entre
otros:
1. Estructuras cristalinas abiertas, es decir, con bajos factores de

empaquetamiento.
2. Estructura cristalinas simples, es decir, con una base de solo uno o dos
átomos.
3. Átomos o iones de tamaño y peso parecidos.
Como ejemplo extremo, la estructura ordenada y abierta del diamante tiene

uno de los máximos valores de K de los materiales conocidos. Los cristales de
BeO y SiC, en los que los iones tienen tamaños y pesos atómicos similares, tienen
valores intermedios de K. las estructuras más complicadas, como las de los
espineles, y las que tienen grandes diferencias en tamaño y peso atómico de los
iones, como la del UO2, tienen las conductividades relativas mínimas.
En consecuencia, la conductividad térmica de la mayor parte de los sólidos

cristalinos disminuye a medida que aumenta la densidad de efectos (e impurezas).
Las conductividades térmicas de las cerámicas amorfas tienden a ser

menores que las de sus cristales correspondientes.
93
La conductividad de los polímeros orientados y muy cristalinos, como por

ejemplo el polietileno en forma de filamentos, puede ser muy alta, hasta de dos
órdenes de magnitud mayores que las de los polímeros no orientados.
Conductividades térmicas K de algunos materiales.
Material k(W/m-K) Material K(W/m-K)
Metales Cerámicas (valores

aproximados)
Al 300 Al2O3 34
Cr 158 BeO 216
Cu 483 MgO 37
Au 345 SiC 93
Fe 132 SiO2 1.4
Pb 40 Espinela (MgAl2O4) 12
Mg 169 Vidrio sosa-cal-silicato 1.7
Mo 179 Vidrio de sílice 2
Ni 158 Polímeros (no orientados)
Pt 79 Polietileno 0.38
Ag 450 Polipropileno 0.12
Ta 59 Poli estireno 0.13
Sn 85 Politetrafluoroetileno 0.25
Ti 31 Poliisopreno 0.14
W 235 Nailon 0.24
Zn 132 Fenol formaldehído 0.15
Acero 1020 52 Semiconductores
Acero inoxidable 16 Si 148
Latón 120 Ge 60
GaAs 46
94
Variación de la conductividad térmica K, de varios materiales, en función de

la temperatura.
5.4-4 ESPANCION TERMICA:
¿Ha sacado alguna vez el lector un vaso caliente de un lavavajillas, y lo ha

roto al llenarlo con una debida fría?, ¿Ha guardado los restos de comida en el
refrigerador, en un plato de vidrio y se ha roto el vidrio al tratar de calentarlas en la
llama directa de la estufa?
Se trata de fallas de materiales ocasionadas por esfuerzos inducidos por la

temperatura. En esta sección describiremos el mecanismo por el cual se
desarrollan los esfuerzos térmicos, y explicáremos las formas de selección de
materiales con objeto de reducir al mínimo la posibilidad de fallas inducidas por
esfuerzos térmicos.
95
Para un material con αt destino de cero, un cambio de temperatura da como
resultado un cambio de dimensiones, llamado deformación (unitaria) térmica, εt.
Bajo ciertas condiciones, una deformación térmica puede, a su vez, generar

un esfuerzo térmico de magnitud suficiente para causar la falla del material.
Veamos el caso de la figura 13.5-1. En el inciso b de la figura, una barra idéntica
tiene movimiento restringido de tal manera que no se puede dilatar cuando la
temperatura aumenta una cantidad ∆Τ. Para que la deformación total Єt de la barra
sea cero, la deformación térmica debe equilibrarse con una deformación mecánica
inducida, Єm, que tenga igual magnitud, pero signo contrario. La expresión
matemática de lo anterior es:
εt = εt + Єm = 0 o sea Єm = –Єt (13.5-1)
En este caso especial,
Єm = –αt ∆Τ (13.5-2)
Y las deformaciones son lo bastante pequeñas como para ser elásticas, se

ve que
εt = Єm E ∆Т (13.5-3)
Esto es, se ha desarrollado un esfuerzo de compresión de magnitud σt E ∆Т

en la barra restringida, como resultado del aumento de temperatura. También se
puede considerar que el origen del esfuerzo de compresión sea el que se ve en la
figura 13.5-1c. En este caso, se imagina que la barra se dilata como sino estuviera
restringida, y que después se le aplica un esfuerzo de compresión para que
regrese a su longitud original.
Los esfuerzos resultantes de esa falta de coincidencia pueden causar

torcimiento de la tarjeta de circuitos, o pérdida de adhesión entre las capas.
Pueden presentarse efectos parecidos en otras estructuras de materiales
compuestos. Obsérvese que no se desarrolla esfuerzo alguno cuando los
coeficientes de dilatación son iguales. Se pueden desarropar micro esfuerzos aun
entre los granos de sólidos policristalinos de una fase, por la anisotropía de los
cristales. Este problema es especialmente grave en las cerámicas.
96
Dilatación térmica de una varilla en los casos de a) dilatación no

restringida, b) dilatación totalmente restringida, y c) un modelo para calcular el
esfuerzo resultante. Permitiendo primero la dilatación no restringida y después
aplicando un esfuerzo de compresión tal que regrese a la varilla a su longitud
original.
Generación de esfuerzo térmico a distintas velocidades de enfriamiento,

que dan como resultado un gradiente de temperaturas a través e una placa de
material.
5.4-5 CHOQUE TERMICO:
La falla ocasionada por el choque térmico se presenta como resultado de

diferencias de dilatación causadas por un gradiente térmico a través de un
material. Como se dijo, los materiales con buena resistencia al choque térmico
tienen un valor alto de la relación Kσt /Eσt. Una forma de lograr un valor alto es
diseñar un material que tenga un valor σt, cercano a cero. Hay ciertos materiales
anisotropitos que tienen valores positivos de σt a lo largo de unas direcciones
cristalográficas, pero valores negativos en otras.
Un ejemplo de materiales de este tipo es el aluminosilicato de litio,

LiAlSi²O‘, la formula de la conocida marca Cornig Ware. Al formar una estructura
policristalina en la que los granos tengan la orientación adecuada entre si, es
posible crear un material con un coeficiente microscópico de dilatación térmica
cercano a cero. Como σt = 0, el choque térmico deja de ser problema y este
material se puede sacar directamente del congelador y ponerse en un horno
precalentado.
97
Una aplicación afín es el desarrollo de parrillas cerámicas de estufas, que

contienen elementos calefactores eléctricos embebidos en su interior. La
resistencia al choque térmico permite colocar una bandeja congelada directamente
sobre una parrilla. Además la conductividad térmica anisotropica (alta K en la
dirección del espesor, y baja K en el plano de la parrilla) permite a uno colocar la
mano junto al elemento calefactor sin temor a sufrir quemaduras.
Vidrio templado los materiales amorfos son sólidos frágiles cuando la

temperatura de servicio es menor que su temperatura de transición vítrea, los
vidrios de oxido son sensibles en extremo a imperfecciones superficiales, tienen
bajos valores de tenacidad a la fractura y, en consecuencia, pueden fallar aun con
modestos esfuerzos de tensión. Un método con el que se aumenta el esfuerzo de
fractura a la tensión de un vidrio es tratar térmicamente al material para que en su
superficie haya una compresión residual.
El vidrio templado se usa en las ventanillas laterales y traseras de los

automóviles. Aunque en el proceso de templado se eleva el esfuerzo de fractura a
la tensión del vidrio, también genera una cantidad apreciable de energía
almacenada dentro del material. Cuando una grieta que se propaga pasa por la
capa superficial a la compresión y entra a la región interior a la tensión, descarga
su energía almacenada.
Estructura de soporte de los telescopios en orbita:
Los telescopios son instrumentos formados por espejos, lentes y

dispositivos electro ópticos para reunir radiación electromagnética de objetos
distantes en el espacio. La resolución de esos instrumentos depende del
alineamiento óptico de los componentes. La estructura de soporte de los
elementos activos debe ser girada y estable. Algunas de las aplicaciones mas
delicadas desde un punto de vista de los materiales se encuentran en las
estaciones espaciales en orbita o en los satélites. En este ambiente el material de
la estructura de soporte debe tener ciertas características.
1# Un bajo coeficiente de dilatación térmica (< 1 X 10¯‘°C¯¹) para reducir al

mínimo la deformaciones térmicas dentro del intervalo de temperaturas de
funcionamiento (normalmente de -150 a 100°C).
2# Un modulo de elasticidad especifico grande, para reducir al mínimo las

deformaciones elásticas, y también la masa de material que se debe de colocar en
orbita.
3# Una resistencia al impacto razonable para reducir al mínimo la posibilidad de

un a falla catastrófica por choques con meteoritos pequeños.
98
4# La capacidad de resistir daños térmicos y por radiación.
Además de las temperaturas que caracterizan a los cambios de estructura

atómica en gran escala, como por ejemplo la temperatura de fusión o la de
transición vítrea, las tres propiedades térmicas más importantes de un material
son el coeficiente de dilatación, la capacidad calorífica y la conductividad térmica.
La capacidad calorífica de un material representa la cantidad necesaria de
energía para elevar un grado la temperatura de un mol de material. El calor
específico es la cantidad análoga, con base en un kilogramo en vez de un mol del
material.
La conducción de la energía a través de un sólido, como consecuencia de

un gradiente de temperatura, es análoga a la difusión de una especie atómica
ocasionada por un gradiente de concentración. En el flujo de calor en estado
estacionario, la propiedad relevante del material en su conductividad térmica. Si el
flujo de calor depende del tiempo, la propiedad importante en su difisividad
térmica.
Los cambios de temperatura ocasionan modificaciones de dimensiones,

conocidos como deformaciones térmicas. Si el objeto no esta restringido o
limitado, y la temperatura es uniforme a través de un material, se puede presentar
la deformación térmica sin generar esfuerzos térmicos. Sin embargo, si el objeto
esta restringido y no se pueden acomodar las deformaciones térmicas, se
desarrollan un esfuerzo térmico. A su vez, el esfuerzo térmico puede causar fallas
inducidas por temperatura, debido a uno de varios mecanismos como son el
choque térmico en las cerámicas o la deslaminación o el torcimiento en los
materiales compuestos.
99
5.4-6 APLICACIONES:
Los principios científicos que se explicaron en este capitulo se pueden

aplicar en la fabricación de muchos articulo. Entre ellos están las bandas
bimetalicas, el aislamiento térmico, los artículos de cocina resistentes al choque
térmico, el vidrio templado, las estructuras de soporte para telescopios en orbita,
las uniones de cerámica con metal y los materiales criogénicos.
Bandas bimetalicas. La base del funcionamiento de las bandas bimetalicas

que se usan en los interruptores de los termostatos caseros es la deformación
diferencial que se produce cuando dos materiales están unidos rígidamente y se
someten a un cambio de temperatura.
Aislamiento térmico: las aplicaciones de los materiales de aislamiento

térmico van desde reducir el consumo de energía residencial hasta proteger al
trasbordador espacial durante su ingreso a la atmósfera terrestre.
Uniones de cerámica con meta: en muchos artículos se requieren fijar una

cerámica o un vidrio de oxido a un metal, por ejemplo: un bulbo de vidrio de las
lámparas o focos eléctricos que se pegan a su base metálica.
Materiales criogénicos: la ingeniería criogénica se enfoca hacia el

almacenamiento y uso de los materiales a temperatura muy bajas.
100
BIBLIOGRAFIA
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MATERIALES PARA INGENIERÍA

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Editorial CECSA 1981.
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Flinn. Richard, et.. al.
Editorial Mc Graw Hill.1989.
CIENCIA DE LOS MATERIALES

Anderson. J. C. Leaver, K. D. Alexander, J. M. Rawhngs, R. D.
Editorial Limusa. 1998.
CIENCIA DE LOS MATERIALES, SELECCION Y DISEÑO

Pat l Mangonon.
Editorial Prentice may, 2201
FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES

William F. Smith
Ed. Mc Graw Hill.
HANDBOOK OF MATERIALS SELECTION FOR ENGINEERING

APPLICATIONS
G. T. Murria.
Editorial Marcel Derker, Inc.
AND INTROCUCTION TO MATERIALS SCIENCE AND ENGENEERING

Ralls/Courtney y Wulff
Editorial Wiley
101

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M. en C.

JOSÉ RUBÉN AGUILAR SÁNCHEZ

1. DEFECTOS EN LAS ESTRUCTURAS METALICAS

Si las propiedades requeridas se pueden conseguir y mantener durante el

1-1-1 TIPOS DE MATERIALES

Los materiales se clasifican en cinco grupos: metales, cerámicos,

METALES los metales y su aleaciones, incluyendo el acero, aluminio, magnesio,

CERAMICOS sólidos cristalinos que en general son óxidos carburos o nitrutos

POLIMEROS. Son materiales de alta ductibilidad y maleabilidad que trabaja a

Algunos tipos de polímetros :

Homopolímero (un solo polímero), copolimero (unión de 2 o mas polímetros)

1-1-2 RELACION ESTRUCTURA-PROPIEDADADES-PROCESAMIENTO

PROPIEDADES. Podemos considerar las propiedades de un material en dos

Laso propiedades físicas que incluyen el comportamiento eléctrico,

ESTRUCTURA la estructura de un material se puede considerar en diferentes

En el siguiente nivel, se toma consideración la disposición o arreglo de los

En la mayor parte de los metales, de los semiconductores y de los

PROCESAMIENTO EL procesamiento de los materiales produce la forma

1-1-3 ESTRUCTURA CRISTALINA

La celda unitaria es la subdivisión de la red cristalina que sigue

Se identifican 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravais agrupadas en

1-1-4 PUNTOS, DIRRECIONES Y PLANOS EN LA CELDA UNITARIA

Coordenadas de los puntos es posible localizar ciertos puntos, como las

La distancia se mide en función del numero de parámetros de red que

3. Reduzca las fracciones y/o los resultados obtenidos de la resta a los

4. Encierre los números en corchetes

1-1-5 PROBLEMAS DE APLICACION

Tras describir los cuatro tipo de sólidos: monocristalinos, policristalinos,

Para un monocristal de oxido de cromo(Cr2O3). Los puntos de exposición

1-2-2 POLÍMETROS CRISTALINOS

Un cierto número de polímetros cristalinos pueden formar una estructura

1-2-3 DIFRACCION DE RAYOS X

Donde el Angulo 0 es la mitad del ángulos entre el haz difractado y la

1-2-4 RESOLUCION DE PROBLEMAS PLANTEADOS

1-3 IMPERFECCIONES CRISTALINAS

Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red

Se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un cristal perfecto,

Dislocación de borde. Se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través

Si seguimos la trayectoria en circulo a favor de las manecillas del reloj

Podríamos trasladar el vector de Burgers del circuito a la dislocación de

Si este proceso continua, la dislocación se recorre a través del cristal hasta

El proceso mediante el cual se mueve una dislocación causando que se

1-3-3 DEFECTOS PUNTUALES

Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran uno a

VACANCIAS. Una vacancia se produce cuando falta un átomo en un sitio normal.

Diseñe un tratamiento térmico que proporcione 1000 veces mas vacancias

OTROS DEFECTOS PUNTUALES

El defecto Frenkel es un par de defectos, intersticio-vacancia formando

IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS PUNTUALES

Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los átomos

1-3-4 DEFECTOS LINEALES

Los defectos lineales se extienden en una sola dirección y suelen medir

1-3-5 DEFECTOS DE SUPERFICIE

Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan un

SUPERFICIE DEL MATERIAL. En la las superficies externas del material la red

1-4 FACTORES QUE INFLUYEN EN EL CONTROL DE DESLIZAMIENTO

1-4-1 FRONTERAS DE GRANO

La micro estructura de la mayor parte de los materiales esta formada por

La frontera de grano, que es la superficie que separa los granos, es una

1-4-2 EDURECIMIENTO POR TAMAÑO DE GRANO

Finalmente las imperfecciones de superficie como bordes de grano también

1-4-3 EL MICROSCOPIO ELECTRONICO DE TRASMICION (MET)

Se utiliza para observar las dislocaciones. El MET, se enfoca un rayo de