Exercice n°1 : (08 pts)

1) Calcul des valeurs de l’intensité du courant i(t) traversant Rp et de la tension Vs(t).

Cas N°1 : e(t )   E  0  T

t  0, 
 2

Lorsque la tension e(t) est positive, D2 étant polarisée en sens inverse ne conduit pas; D1 et D3 sont en parallèle
et de même sens donc aptes à conduire mais comme : VS 01  VS 02 , tout le courant passe par D1 qui conduit.

D1 est à base de germanium implique que sa tension seuil notée Vs01=0,3V

D3 est à base de silicium implique que sa tension seuil notée Vs03=0,7V

J’applique la loi des mailles : i(t)=Id Rp

e(t )  VS 01  Rd .i (t )  R.i (t )  RP (t ).i (t ) 

E  VS 01 10  0,3 9,7
i (t )  I d     31,29mA D1 Vs01 D2 D3
Rd  R  RP 310 310 +E Vs(t)=V1
+
1 pt 
R 2R 3R

Vs (t )  V1  R.i(t )  VS 01  Rd 1.i(t )  R  Rd 1 .I d  VS 01  110  0,03129  0.3  3,74V  1 pt 

Cas N°2 : e(t )   E  0 T 

t   ,T 
2 

Quand la tension e(t) est négative, les diodes normales D1 et D3 sont bloquées ( polarisées en inverse) et la
diode D2 conduit car polarisée en en sens direct. Rp

J’applique la loi des mailles : D2 Vs02 D2 D3

e(t)=-E + Vs(t)=V2
e(t )  VS 02  2.R. I R  Rd 2 . I R  RP (t ). I R  0 
 (  E )  Vs 02  10  0,7 9,3 2R
IR     22,14mA 1 pt 
2.R  Rd 2  RP 420 420
i (t )   I R IR

Vs (t )  V2  (2.R.I R  VS 02  Rd 2 .I R )  5,57V  1 pt 
2) Calcul de la valeur moyenne du courant i(t). (1pt)
T T
0,03129  0,02214
T T
2 2
1 T
 0,0046A
1 1 1 1 T
I moy 
T  i(t ).dt 
0
T T
i (t ).dt 
T  0,03129.dt  T   0,02214.dt  T  0,03129  2  0,02214  2  
0 T 2
2 2

3) Calcul de la valeur de la tensionVr(t) aux bornes de Rp et tracer son graphe.

  T
 RP . I d  200  0,03129  6,26V  t  0,  1 pt  6 ,26V
 2
VRP (t )   *
 T 
  ( RP . I R )  200  0,02214  4,49V  t   , T  1 pt 
 2  0 T/2 T t (1pt)
-4,49V
X
[1]
Exercice n°2 : (08 pts)
RC
1) Calcul de : I E , I C , VC , et VCE .
RB IB C
IE Vcc
En appliquant la loi des mailles au circuit de
E
Vc
polarisation d’entrée , on obtient : VBB
RE VE

VBB  VRE  VBE  VRB  RE . I E  RB . I B   VBE  VBB  RE . I E  RB .

IE
 VBE 
1 
VBB  VBE 50  0,7
I E   3,17A 1 pt 
1 1
RE  RB . 15  100 
 1 1  150

IC   .I B   
IE
 150 
3,17
A  3,15A 0,5 pt 
  1 151
VC  VCC  VRC  200  I C .RC  200  3,15  25  121,25V  0,5 pt 
VCE  VC  VE  VC  RE . I E  121,25  15  3,17  73,70V  0,5 pt 

2) Coordonnées du point de repos noté P0 ( I B ,VBE ,VCE , I C )  P0 (0,021A; 0,7V ; 73,70V ; 3,15A). 1 pt 
3) Puissance dissipeé par le transistor :

Calculons la puissance notée P dissipée par le transistor.

V   0,7 
P  VBE . I B  VCE . I C  I C . BE  VCE   3,15    73,70   232,17W   VCE . I C  232,16W  1 pt 
    150 

4) Equation de la droite d’attaque statique et celle de la droite de charge.

a) Equation de, la droite d ' attaque VBE  f I B .

On applique la loi des mailles au circuit de polarisation d’entrée :

RC
VBB  VRB  VBE  VRE  RE . I E  RB . I B   VBE 
VBB  RB . I B  RE .1   . I B  VBE 
RB IB
VBE  RB  RE .1   . I B  VBB  2365. I B  50 01 Vcc
IE
1 pt 
RMQ : I E  1   . I B VBB
RE
b) Equation de, la droite de ch arg e I C  f VCE .

On applique la loi des mailles au circuit de polarisation de sortie :

 1
VCC  VRC  VCE  VRE  RC . I C  RE . I E   VCE  VCC  RC . I C  RE .1  . I C  VCE 
 
 1
IC  
1
 VCE 
VCC
 0,025.VCE  5 02 RMQ : I E  I B  I C 
IC
 I C  1  . I C
 1  1    
RC  1  .RE RC  1  .RE
   
1 pt 

[2]
 5) Calcul du courant de base minimal pour saturer le transistor
 1
VCC  VRC  VCE  VRE  RC . I C  RE . I E   VCE  VCC  RC . I C SAT  RE .1  . I C SAT  VCE SAT  0,5 pt 
  
 0,025  0  5  5A  I Bmin  C SAT  0,0333A 1 pt 
1 VCC I
I C SAT   VCE SAT 
 1  1 
RC  1  .RE RC  1  .RE
   

Vcc
C2
Exercice n°3 : (12 pts) R1 RC
C1
En étude statique, le montage devient comme suit : Rg C
Rmq : Les condensateurs se comportent comme des E
RU U2(t)
circuits ouverts en polarisation. U1(t) R2 RE

1)) Transformons le circuit de polarisation vu de la base du transistor en son équivalent de Thevenin.

RC
R1 RC
Rth
Vcc Vcc Vcc

R2 Eth RE
RE
(0.5pt)

a) Calcul de Rth :
R1 RC
R  R2 25  2,5
Rth  R1 // R2  1  k  2,27k (0,75 pt )
R1  R2 25  2,5
R2 RE
b) Calcul de Eth :

I1  I B  I 2 comme I B est tres faible  I1  I 2 I B negligeabl e  

R1 RC
R1 et R2 traversées par le mème courant  R1 et R2 sont en serie 
On peut appliquer le diviseur de tension. I1 IB
Vcc
Eth  VCC 
R2
 15 
2,5
V   1,36V  0,75 pt  I2
R1  R 2 27,5
R2 Eth
RE
2) Calculons les coordonnées du point de repos suivants : I B , VBE , IC , et VCE .

On applique la loi des mailles au circuit de polarisation d’entrée :

RC

Rth IB C
IE Vcc
E
Vc
Eth
RE VE

[3]
Eth  VRE  VBE  VRth  RE . I E  Rth . I B   VBE  RE .I B  I C   Rth . I B  VBE  I B .RE  Rth   .RE   VBE 
Eth  VBE 1,36  0,7
IB    6,4A 0,75 pt 
RE .1     Rth 500  201  2,27  103

I C   .I B  200  6,4A  1,28mA 0,25 pt 

VC  VCC  VRC  15  I C .RC  15  1,28  10 3  104  15  12,8  2,2V 
VCE  VC  VE  VC  RE .I E  VC  RE .I B  I C   15  500  1,2864  10 3   15  0,643  14,357V  0,75 pt 
VBE  VJ  0,7V  0,25 pt 

3) Calcul des paramètres dynamiques « petits signaux » du montage et déduction du modèle « petits
signaux » équivalent du transistor.

26mV 
 4,06k. 0,5 pt 
VT
a ) Re sis tan ce d ' entrée rbe   .  200 
IC 1,28mV 
VT  26mV  à 300 K


b) transconduc tan ce gm 
rbe

IC

200
VT 4,06k
 49,6 k 1 .   0,5 pt 

100V 
 78,125k. 0,5 pt 
VA
c ) Re sis tan ce de sortie rce  
I C 1,28mV 

ib =gm.vbe ic
ic
ib B C
vce vbe rbe rce vce
E
vbe

Transistor Modèle « petits signaux » équivalent du transistor.

(0,5pt)

4) Schéma complet du montage en régime dynamique « petits signaux ».

Rmq : Les condensateurs se comportent comme des circuits ouverts en polarisation.

Rg C
B
E
RC RU U2(t)
Eg(t) U1(t) R1 R2 RE
(01pt)

=gm.vbe
Rg
B ib ic
rbe
rce C
vbe vce
Eg(t) U1(t) R1 R2 E RC RU U2(t)
RE
(01pt)

[4]
 5) Calcul des paramètres d’amplification de ce montage ainsi que le schéma équivalent de cet
amplificateur.

U t 1 vbe  RE .ie rbe .ib  RE .ib  ic  ib .rbe  RE  RE . 

Re     
a ) Re sis tan ce d ' entrée ib ib ib ib
R e  rbe  RE .1     104,56k 01 pt 

 RC .ic  RC .
b) Amplification en tension à vide AV 0 
U 2 (t )
   19,13 0,5 pt 
U1 (t ) ib rbe  RE  RE .  rbe  RE .1   

=gm.vbe
Rg
B ib ic
rbe
rce C
vbe vce
Eg(t) U1(t) R1 R2 E RC U2(t)
RE

U 2 t 
c ) Re sis tan ce de sortie RS   Req ( vue de la ch arg e)  RC  10k 0,5 pt 
ic
D' aprés les et les calculs rce    circuit ouvert.
Rg
B
rbe
C

U1(t) R1 R2 E RC RU U2(t)
RE

Schéma équivalent de cet amplificateur.

Rg RS

Eg(t) U1(t) Re Av0.U1(t) U2(t) RU

(01pt)

Déduction de la valeur de la tension de sortie U2(t) en fonction de celle d’entrée U1(t)

On applique deux fois le diviseur de tension :

U 2 (t )  AV 0 .U 1 (t ).
RU
 19,13  U 1 (t ).
8
 18,50.U1 (t ) 01
RU  RS 8  10

U 1 (t )  E g (t ).
Re
 E. sin( t ) 
104,56
 0,0495. sin t 02 
Re  Rg 104,56  1
02  dans (01)  U 2 (t )  0.916V . sin t 01 pt 

[5]