1.

El diodo Schottky (portador caliente) tiene un voltaje de umbral más bajo

(aproximadamente de 0.2 V), una corriente de saturación en inversa mayor y un voltaje
inverso pico (PIV) menor que la variedad de unión p-n. También se puede utilizar a altas
frecuencias por el reducido tiempo de recuperación en inversa.

2. El diodo varactor (varicap) tiene una capacitancia de transición sensible al potencial de

polarización en inversa aplicado que alcanza su valor máximo a 0 V y que se reduce
exponencialmente a medida que se incrementan los potenciales de polarización en inversa.

3. La capacidad de corriente de los diodos de potencia se incrementa si se colocan dos o más

en paralelo y se puede aumentar el valor nominal del PIV si se conectan los diodos en serie.

4. El chasis mismo puede funcionar como disipador de calor para los diodos de potencia.

5. Los diodos túnel se diferencian en que tienen una región de resistencia negativa a niveles de
voltaje menores que el voltaje de umbral de unión p-n típica. Esta característica es
particularmente útil en osciladores para establecer una forma de onda oscilante con una
fuente de alimentación de cd conmutada. Debido a su región de empobrecimiento reducida,
también se le considera como un dispositivo de alta frecuencia en aplicaciones donde se
requieren tiempos de conmutación de nanosegundos o picosegundos.

6. La región de operación para los fotodiodos ocurre en la región de polarización en inversa. La

corriente resultante en el diodo se incrementa casi linealmente con un aumento de la luz
incidente. La longitud de onda de la luz incidente determina qué material tendrá la mejor
respuesta; el selenio tiene una buena semejanza con el ojo humano y el silicio es mejor para la
luz incidente de longitudes de onda mayores.

7. Una celda fotoconductora es aquella cuya resistencia terminal se reduce exponencialmente

con un incremento de la luz incidente. 8. Un diodo emisor infrarrojo emite un haz de flujo
radiante cuando se polariza en directa. La intensidad del flujo emitido está casi linealmente
relacionada con la corriente en directa de cd que fluye a través del dispositivo.

9. Las LCD tienen un nivel de absorción de potencia más bajo que los LED, pero su duración es
mucho más corta y requieren una fuente luminosa interna o externa.

10. La celda solar es capaz de convertir energía luminosa en forma de fotones en energía
eléctrica en la forma de una diferencia de potencial o voltaje. El voltaje terminal inicialmente
se incrementará de inmediato con la aplicación de luz, pero luego el aumento ocurrirá a un
ritmo cada vez más lento. En otras palabras, el voltaje terminal alcanzará un nivel de
saturación en algún punto donde cualquier incremento adicional de la luz incidente tendrá un
efecto mínimo en la magnitud del voltaje terminal.
OTROS DISPOSITIVOS

DE DOS TERMINALES

828 11. Un termistor puede tener regiones con coeficientes de temperatura positivos o
negativos determinados por el material de que esté hecho o por la temperatura del material.
El cambio de temperatura puede deberse a efectos internos como los provocados por la
corriente que fluye a través del termistor o por efectos externos de calentamiento o
enfriamiento.

Conclusiones y conceptos importantes

1. Un dispositivo controlado por corriente es aquel en el que una corriente define las
condiciones de operación del dispositivo, mientras que un dispositivo controlado por
voltaje es aquel en el que un voltaje particular define las condiciones de operación.

2. La corriente máxima de cualquier FET se denota por IDSS y ocurre cuando VGS = 0 V.

3. La corriente mínima de un JFET ocurre en el estrechamiento definido por VGS = VP.

5. La relación entre la corriente de drenaje y el voltaje compuerta-fuente de un JFET es una

relación no lineal definida por la ecuación de Shockley. A medida que el nivel de corriente se
aproxima a IDSS, la sensibilidad de ID ante cambios en VGS se incrementa de forma
significativa.

6. Las características de transferencia (ID en función de VGS) son características propias del
dispositivo y no son sensibles a la red en la cual se utilice el JFET.

7. Cuando VGS = VP/2, ID = IDSS/4; y en el punto donde ID = IDSS/2, VGS ≅ 0.3 V.

8. Las condiciones de operación máximas están determinadas por el producto del voltaje
drenaje-fuente con la corriente del drenaje.

9. Los MOSFETs se encuentran disponibles en dos tipos: decremental e incremental.

10. El MOSFET de tipo decremental posee las mismas características de transferencia que el
JFET para corrientes del drenaje de un nivel hasta de IDSS. En este punto, las características de
un MOSFET de tipo decremental continúan hasta niveles por arriba de IDSS, mientras que las
del FET terminan ahí. 11. La flecha del símbolo de los JFETs o de los MOSFETs de canal-n,
siempre apuntará hacia el centro del símbolo, mientras que la flecha de un dispositivo de
canal-p siempre apuntará hacia fuera del centro del símbolo.

12. Las características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental no se encuentran

definidas por la ecuación de Shockley sino más bien, por una ecuación no lineal controlada
por el voltaje compuerta-fuente, el voltaje de umbral y por una constante k definida para el
dispositivo que se emplea. La gráfica resultante de ID en función de VGS es aquella que crece
exponencialmente ante valores crecientes de VGS.
13. Siempre es necesario tener cuidado adicional al manejar MOSFETs debido a la electricidad
estática que puede existir en los lugares menos pensados. No elimine ningún mecanismo de
circuito cerrado entre las terminales del dispositivo hasta que éste se instale.
14. Un CMOS (MOSFET complementario) es aquel que utiliza una combinación única de un
MOSFET de canal-p con uno de canal-n mediante un solo conjunto de terminales externas.
Posee la ventaja de una muy alta impedancia de entrada, velocidades de conmutación rápidas
y bajos niveles de potencia de operación, todo lo cual, hace que sea muy útil para los circuitos
lógicos.

DIODOS ZENER
En la sección 1.6 analizamos con cierto detalle la región Zener de la figura 1.52. En la que se
aprecia la caída en una forma casi vertical de la característica bajo un potencial de polarización
inversa denotado como VZ. El hecho de que la curva caiga alejada del eje horizontal en lugar
de que se eleve alejada de la región positiva VD indica que la corriente en la región Zener
mantiene una dirección opuesta a aquélla de un diodo en polarización directa.
Esta región de características únicas se utiliza en el diseño de los diodos Zener, los cuales
tienen el símbolo gráfico que aparece en la figura 1.53a. Tanto el diodo semiconductor como el
diodo Zener se presentan juntos en la figura 1.53 para asegurar que se entienda claramente la
dirección de la corriente en cada uno, junto con la polaridad requerida para el voltaje aplicado.
Para el diodo semiconductor, el estado de “encendido” resistirá una corriente en dirección de
la fecha del símbolo. Para el diodo Zener, la dirección de conducción es opuesta a la flecha de
su símbolo como indicamos en la parte introductoria de esta sección. Observe también que la
polaridad de VD y de VZ son las mismas que las que se hubieran obtenido si ambos fueran
elementos resistivos.

DIODOS EMISORES DE LUZ

La utilización creciente de pantallas digitales en calculadoras, relojes y en toda forma de

instrumentación ha contribuido al amplio interés actual en estructuras que puedan emitir luz
cuando se polarizan de forma apropiada. Las dos formas que comúnmente se utilizan en la
actualidad para realizar dicha función son los diodos emisores de luz (LED del inglés:
Light Emitting Diode) y la pantalla de cristal líquido (LCD del inglés: Liquid Cristal
Display). Debido a que el LED está dentro de la familia de dispositivos de unión p-n y que
aparecerá en algunas de las redes de los siguientes capítulos, se presentará en este capítulo.
La pantalla tipo LCD se describe en el capítulo 19.

Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que es capaz de emitir luz
visible cuando se energiza. En cualquier unión p-n con polarización directa existe, dentro de la
estructura y principalmente cerca de la unión, una recombinación de huecos y electrones. Esta
recombinación requiere que la energía poseída por el electrón libre sin enlace sea transferida
hacia otro estado. En todas las uniones de semiconductores p-n cierta cantidad de esta
energía se desprenderá en forma de calor y otra en forma de fotones.
En el caso del silicio y del germanio, el porcentaje mayor de energía que se desprende es en
forma de calor y en una medida insignificante, se desprende luz emitida. En otros materiales,
como el fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP) o el fosfuro de galio (GaP), el número de fotones
de energía luminosa emitida es suficiente como para crear una fuente de luz altamente visible.
DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY

(PORTADORES CALIENTES)
En años recientes, se ha presentado un interés creciente en un dispositivo de dos terminales
conocido como diodo de barrera Schottky, de barrera de superficie o de portadores calientes.
Sus áreas de aplicación se limitaron originalmente al rango de frecuencias muy altas debido a
su tiempo de respuesta veloz (especialmente importante en altas frecuencias) y a un bajo
factor de ruido (una cantidad de real importancia en aplicaciones de alta frecuencia). Sin
embargo, en años recientes, este dispositivo se presenta de manera cada vez más frecuente en
fuentes de alimentación de alto y bajo voltajes así como en convertidores ac-dc. Otras áreas de
aplicación del dispositivo incluyen a los sistemas de radar, lógica TTL Schottky para
computadoras, mezcladores y detectores para equipo de comunicaciones, instrumentación y
convertidores analógico digitales.
Su construcción es muy distinta de la unión p-n convencional, en cuanto a que se crea una
unión metal-semiconductor como la mostrada en la figura 19.1. El semiconductor empleado es
por lo general, silicio de tipo n (aunque en ocasiones se utiliza silicio de tipo p).

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

Los diodos varactores [también llamados varicap, VVC (capacitancia variable con el voltaje) o
de sintonía] son capacitores de semiconductor variables y dependientes del voltaje. Su modo
de
operación depende de la capacitancia que existe en la unión p-n cuando el elemento se
polariza
de forma inversa. Bajo condiciones de polarización inversa, se estableció que existe una región
de carga no cubierta sobre ambos lados de la unión, que junto con las regiones forman la
región de agotamiento y define el ancho del agotamiento Wd.

DIODOS TÚNEL
El diodo túnel fue presentado por primera vez por Leo Esaki en 1958; sus características, que
se muestran en la figura 19.13, son diferentes a las de cualquier otro diodo analizado hasta
ahora
en el sentido de que cuenta con una región de resistencia negativa, en la cual, el incremento
en el voltaje terminal ocasiona una reducción en la corriente del diodo.
El diodo túnel se fabrica mediante el dopaje de los materiales semiconductores que darán
forma a la unión p-n a un nivel de cientos o varios miles de veces el nivel de dopaje de un
diodo
semiconductor típico. Esto ocasiona una región de agotamiento muy reducida, del orden de
magnitud de 10–6 cm, típicamente cercana a del ancho de esta región para un diodo
semiconductor
típico. En esta delgada región de agotamiento, los portadores pueden atravesarla como
un “túnel” en lugar de intentar superarla, a bajos potenciales de polarización directa que son
responsables del pico en la curva de la figura 19.13. Para propósitos de comparación, se
sobrepuso
una característica típica de un diodo semiconductor sobre la característica del diodo túnel
de la figura 19.13.
Esta reducida región de agotamiento da por resultado portadores que “atraviesan perforando”
a velocidades que exceden por mucho la de los diodos convencionales. El diodo túnel puede,
por tanto, utilizarse en aplicaciones de alta velocidad como en computadoras, donde se
buscan
tiempos de conmutación en el orden de los nanosegundos o picosegundos.

Los materiales semiconductores que se utilizan con mayor frecuencia en la fabricación de los
diodos túnel son el germanio y el arseniuro de galio. La relación IP/IV es muy importante para
aplicaciones de cómputo.

FOTODIODOS
El interés en dispositivos sensibles a la luz se ha incrementado de manera casi exponencial en
años recientes. El campo resultante de la optoelectrónica recibirá un gran interés por parte de
investigadores a medida que se realicen esfuerzos para mejorar los niveles de eficiencia.

El fotodiodo es un dispositivo semiconductor de unión p-n cuya región de operación se limita

a la región de polarización inversa. El arreglo básico de polarización, la construcción y el
símbolo de este dispositivo se muestran en la figura 19.21.
Recuerde del capítulo 1 que la corriente de saturación inversa se encuentra normalmente
limitada
a unos cuantos microamperes. Esto se debe únicamente a los portadores minoritarios
térmicamente generados en los materiales de tipo n y de tipo p. La aplicación de luz a la unión
ocasionará una transferencia de energía de las ondas de luz incidentes (en forma de fotones)
hacia
la estructura atómica, lo que ocasionará un incremento en el número de portadores
minoritarios
y un nivel mayor de corriente inversa. Esto se muestra de forma clara en la figura 19.22
para distintos niveles de intensidad. La corriente de oscuridad es la corriente que se presentará
sin iluminación aplicada. Observe que la corriente solamente regresará a cero con una
polarización
aplicada positiva igual a VT. Además, la figura 19.21 demuestra el uso de un lente para
concentrar la luz sobre la región de unión. En la figura 19.23 se presentan fotodiodos
comercialmente
disponibles.

CELDAS SOLARES
En años recientes, ha aumentado el interés en la celda solar como una fuente alternativa de
energía.
Cuando se considera que la densidad de potencia recibida del sol al nivel del mar es de
aproximadamente
100 mW/cm2 (1 kW/m2), ciertamente es una fuente de energía que requiere mayor
investigación y desarrollo para maximizar la eficiencia de conversión de energía solar a
energía eléctrica.

El selenio y el silicio son los materiales que se utilizan más ampliamente para las celdas
solares, aunque también se utilizan el arseniuro de galio, el arseniuro de indio y el sulfuro de
cadmio entre otros. La longitud de onda de la luz incidente afectará la respuesta de la unión
p-n a los fotones incidentes.

CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS
DE LOS JFETs
Como se indicó anteriormente, el JFET es un dispositivo de tres terminales, con una terminal
capaz de controlar la corriente entre las otras dos. En el análisis del transistor BJT, se utilizó
el transistor npn para la mayoría de las secciones de análisis y diseño, y luego se dedicó sólo
una sección al impacto del uso del transistor pnp. Para el caso del transistor JFET, el dispositivo
de canal-n aparecerá como el dispositivo principal y se dedicarán párrafos y secciones al
impacto del uso de un JFET de canal-p.
La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5.2. Observe que la
mayor parte de la estructura es el material de tipo n que forma el canal entre las capas
integradas
de material de tipo p. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por
medio de un contacto óhmico a una terminal referida como drenaje (D), mientras que el
extremo
inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto óhmico a una terminal
referida como fuente (S). Los dos materiales de tipo p se encuentran conectados entre sí y
también
con la terminal de compuerta (G). Por tanto, el drenaje y la fuente se encuentran conectados
a los extremos del canal de tipo n y la compuerta a las dos capas de material tipo p. En
ausencia
de potencial alguno aplicado, el JFET cuenta con dos uniones p-n bajo condiciones sin
polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión como se muestra en la
figura 5.2, la cual se asemeja a la misma región de un diodo bajo condiciones sin polarización.
Recuerde también que una región de agotamiento es aquella región que no presenta
portadores
libres y es, por tanto, incapaz de soportar la conducción a través de ella.

La construcción básica del MOSFET de tipo decremental de canal-n se proporciona en la figura

5.25. Un bloque de material tipo p está formado a partir de una base de silicio a la que
se le conoce como sustrato, y es la base sobre la que se construye el dispositivo. En algunos
casos el sustrato se encuentra conectado internamente con la terminal de la fuente. Sin
embargo,
muchos dispositivos discretos ofrecen una terminal adicional etiquetada como SS, lo que
da por resultado un dispositivo de cuatro terminales, como el que aparece en la figura 5.25.
Las terminales de fuente y compuerta están conectadas por medio de contactos metálicos a
las
regiones dopadas-n unidas por un canal-n como se muestra en la figura. La compuerta se
encuentra
también conectada a una superficie de contacto metálico, pero permanece aislada del
canal-n por medio de una capa muy delgada de dióxido de silicio (SiO2). El SiO2 es un tipo
particular de aislante conocido como dieléctrico que genera campos eléctricos opuestos (como
se indica por el prefijo di) dentro del dieléctrico cuando éste se expone a un campo aplicado
externamente. El hecho de que la capa SiO2 sea una capa aislante revela el siguiente
hecho:
No existe conexión eléctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de
un MOSFET.

Adicionalmente:
Es debido a la capa aislante del SiO2 en la construcción del MOSFET que se explica
la muy deseable alta impedancia de entrada del dispositivo

La construcción básica del MOSFET de tipo incremental de canal-n se proporciona en la figura

5.33. Un bloque de material tipo p se forma a partir de una base de silicio a la que una
vez más se le denomina sustrato. De la misma forma que con el MOSFET de tipo decremental,
el sustrato algunas veces se conecta de forma interna a la terminal de la fuente, mientras
que en otros casos hay disponible una cuarta terminal para el control externo de su nivel de
potencial. Las terminales de la fuente y de drenaje se conectan una vez más por medio de
contactos
metálicos a regiones dopadas-n, pero observe en la figura 5.33 la ausencia de un canal
entre las dos regiones dopadas-n. Ésta es la principal diferencia entre la construcción de los
MOSFETs de tipo decremental y los de tipo incremental: la ausencia de un canal como un
componente construido del dispositivo. La capa de SiO2 aún está presente para aislar la
plataforma
metálica de la compuerta de la región entre el drenaje y la fuente, pero ahora está separada
simplemente de una sección de material de tipo p. En resumen y por tanto, la construcción
de un MOSFET de tipo incremental es muy similar a la de un MOSFET de tipo
decremental, excepto por la ausencia de un canal entre las terminales del drenaje y la fuente.