Seccién 10.5 Ingenieria de las reacciones en la fabricacién de. 701 10.5.3 Formacién de depésitos de vapores quimicos Los mecanismos por los cuales ocurre el depésito de vapores quimicos (pvQ) son muy similares a los de la catélisis heterogénea discutida en este capitulo. El o los reactivos se adsorben sobre la superficie y reaccionan sobre ella para formar una nueva superficie. Este proceso puede ir seguido por un paso de desorciGn, dependiendo de la reaccién especifica. El desarrollo de una pelicula epitaxial de germanio como intercapa entre una capa de arseniuro de galio y una capa de silieén, y como capa de contacto, ha sido objeto de ElGeseempleaen _atencién en la industria microelectrénica El germanio epitaxial también es un material celdas solares. importante en la fabricaciGn de celdas solares en tandem, El crecimiento de peliculas de germanio puede realizarse por depésito de vapores quimicos. El mecanismo propuesto es: Disociacién en fase gaseosa: GeCl,(g) Z—_ GeCh,(g) + Ch(g) Adsorci6n’ GeCh(g) +8 > Gech,s Adsoreién: H, +28 2 Hs Reaccién superficial: GeCl,-$ +2H-§ —*-5 Ge(s) + 2HCIg) + 28 De primera instancia podria parecer que se ha perdido un sitio al comparar el lado dere- cho con el izquierdo del paso de reaccién superficial. Sin embargo, el dtomo de germa- nio recién formado del lado derecho es el sitio para la adsorcién futura de H,(g) 0 GeCl,(g), y hay tres sitios del lado derecho y del lado izquierdo del paso de reaccién superficial, Estos sitios se muestran de forma diagramética en la figura 10-21, Figura 10-21, Se cree que la reacci6n superficial entre el hidrdgeno molecular y el dicloruro de germanio adsorbidos limita la velocidad. Ley de velocidad para el paso hep = Jimitante de la velocidad. donde _r,,. = velocidades de deposicién, nm/s i, = velocidad de reacciGn superficial especifica, nm/s s face Si (10-82) 20H. Ishii y Y. Takahashi, J. Electrochem. Soc., 135, p. 1539.Balance de érea La adsoreién de GeCl, no es limitante de ta velocidad La adsorci6n de H, no es limitante de la velocided 702 Catalisis y reactores cataliticos Capitulo 10 Foxci, 7 ftacci6n de superficie ocupada por dicloruro de germanio “fq, = fraccién de superficie cubierta por hidrégeno molecular La velocidad de formacién de depésito (velocidad de crecimiento de la pelicula) suele expresarse en nanémetros por segundo y se transforma con facilidad en velocidad molar (mol/m?-s) multiplicando por la densidad molar del germanio s6lido. La diferencia entre desarrollar leyes de velocidad de depésito de vapores quimicos y leyes de velocidad para catdlisis es que la concentracién en el sitio (es decir, C,) se reemplaza por la cobertura fraccional de drea superficial (es decir, la fraccién de super- ficie vacia, f,). Al sumarse la fracci6n total de superficie disponible para adsorcién, por supuesto, debe dar un valor de 1.0. Balance de area fraccional: | f,+fo201,+/i (10-83) Primero concentraremos nuestra atencién en la adsoreién de GeCl,. La velocidad de unién con la superficie es proporcional a la presién parcial de GeCl,, Pg.cs asf como ala fraccién de superficie vacfa, f,. La tasa neta de adsorcién de GeCl, es: es Papa hy [cPo.0, “Se (10-84) a Como la reaccién superficial es la limitante de la velocidad, de manera anéloga a lo que cocurre en las reacciones de catilisis, tenemos para la adsorciGn de GeCl,: Tap TAD 0) ky Despejando la cobertura fraccional de superficie GeCl, de la ecuacién (10-84), se tiene Seect, =f KxPoeci, (10-85) Para ld adsorci6n disociativa de hidrégeno sobre la superficie de Ge, la ecuacién andlo- gaa (10-84) es 2 aoe (rs ffi) (10-86) a Entonces (10-87)“Tasa de formacién de depésito de Ge Equilibrio en fase gaseos, Seccién 10.5 Ingenieria de las reacciones en la fabricacién de... 703 Recordando la tasa de deposicién de germanio, sustituimos focey ¥ fy en la ecuacién (10-82) para obtener ep fe ksKxPooci KnP ny (10-88) Despejamos f, de manera idéntica a C, en catélisis heterogénea. Sustituyendo las ecua- ciones (10-85) y (10-87) en la ecuacién (10-83) se tiene fit |RuPagth KyPowc,= Reordenando, 1 14K Pec, *, KyPu, ee Por Ultimo, sustituyendo f, en la ecuacién (10-88), encontramos que ___bsKuKyPovciPas (+ K Pose, JRaPa) Dep y agrupando K,, Ky y k en una tasa de reaccin especifica, k°,se obtiene ¥ KPoccnPay ered C+KPoscr,+ /KvPa, Si asumimos que la reaccién en fase gaseosa x (10-90) GeCl,(g) ——_ GeC,(g) + Cl(e) se encuentra en equilibrio, tenemos y si el hidrégeno se adsorbe débilmente, (,/Kj;P, <1), obtenemos la siguiente tasa de for- macién de depésito _ RPoeciPuPar, ae (10-91), Per” (Pa, +KPoeci,)® Es conveniente observar que es posible que se forme GeC, por reaccién de GeCl, con un lomo de Ge en la superficie, en cuyo caso se obtendrfa una ley de velocidad distinta,