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Facultad de ingenieria
Ingenieria Electromecanica
11 de marzo de 2017
Características
y Circuitos con
Diodos
Laboratorio de Electrónica I
LETN503
Contenido
1. Objetivos ........................................................................................................................................... 2
1.1. Objetivo general ...................................................................................................................... 2
1.2. Objetivos específicos .............................................................................................................. 2
2. Lista de Materiales .......................................................................................................................... 2
3. Lista de Instrumentos....................................................................................................................... 2
4. Realización del Pre informe o Resolución de Circuitos ............................................................. 3
4.1. Características de polarización directa. .............................................................................. 3
4.1.1. Diodo en Polarización Directa (Circuito 1). .................................................................. 3
4.1.2. Diodo Zener en Polarización Inversa (Circuito 2) ......................................................... 5
4.2. Características de polarización inversa. .............................................................................. 8
4.2.1. Diodo en Polarización Inversa (Circuito 3) .................................................................... 9
4.2.2. Diodo Zener en Polarización Directa (Circuito 4) ...................................................... 10
4.3. Característica tensión-corriente (v-i) .................................................................................. 12
4.4. Recortador de onda ............................................................................................................. 13
4.5. Multiplicadores de tensión. .................................................................................................. 16
4.5.1. Doblador de Tensión. ..................................................................................................... 16
4.5.2. Cuadriplicador de Tensión. ........................................................................................... 17
5. Simulación ...................................................................................................................................... 18
5.1. Diodo polarización Directa. ................................................................................................. 18
5.2. Diodo Zener polarización Inversa. ....................................................................................... 19
5.3. Diodo polarización Inversa. .................................................................................................. 20
5.4. Diodo Zener polarización Directa. ...................................................................................... 21
5.5. Recortador de Onda. ........................................................................................................... 22
5.6. Doblador de Tensión. ............................................................................................................ 23
5.7. Cuadriplicador de Tensión. .................................................................................................. 23
pág. 1
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503
2. Lista de Materiales
Diodo de Germanio (1N34) o similar.
Diodo de Silicio rectificador (1N4007) o similar.
Diodo Zener de 5.1 [V]/500 [mW] (1N751) o similar.
Diodo Zener de 9.1 [V] (1N757) o similar, potencia del diodo de acuerdo al diseño.
Lote de resistencias de todo valor: 330[ ]; 470[ ]; 1[K ]; 2.2 [K ]; 4.7 [K ]; 10 [K ] todos
de ½ [W]; 220 [ ] de 2 [W] y 470 [ ] de 1 [W].
Potenciómetro de 1 [K ].
Capacitores electrolíticos de 10 [ F]; 100 [ F]; 470 [ F]; 1000 [ F] todos para 35 [V] o
más.
3. Lista de Instrumentos
Fuente de alimentación variable DC.
Multímetro.
Osciloscopio.
Generador de Funciones.
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Ilustración 1
Ilustración 2
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Donde:
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 = 𝑅𝑝 (1)
𝑅𝑎 = 𝑘1 ∙ 𝑅𝑝 (2)
𝑅𝑏 = 𝑘2 ∙ 𝑅𝑝 (3)
𝑘1 + 𝑘2 = 1 (4)
Aplicando la primera ley de Kirchhoff, de corriente en mallas, se tiene:
𝑉 = 𝑅𝑎 ∙ 𝐼1 + 𝑅𝑏 ∙ (𝐼1 − 𝐼𝐷 ) (5) Malla 𝐼1
0 = 𝑣𝐷 + 𝑅1 ∙ 𝐼𝐷 + 𝑅𝑏 ∙ (𝐼𝐷 − 𝐼1 ) (6) Malla 𝐼𝐷
De (5)
𝑉 + 𝑅𝑏 ∙ 𝐼𝐷 𝑉 + 𝑅𝑏 ∙ 𝐼𝐷
𝐼1 = = (5’)
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 𝑅𝑝
Remplazando la ecuación (5’) en (6):
𝑉 + 𝑅𝑏 ∙ 𝐼𝐷
0 = 𝑣𝐷 + 𝑅1 ∙ 𝐼𝐷 + 𝑅𝑏 ∙ (𝐼𝐷 − ) Operando y Despejando 𝐼𝐷
𝑅𝑝
𝑅𝑏
𝑅𝑝 ∙ 𝑉 − 𝑣𝐷
𝐼𝐷 =
𝑅 Remplazando (3) en la ecuación, se tiene
𝑅1 + 𝑏 ∙ (𝑅𝑝 − 𝑅𝑏 )
𝑅𝑝
𝑘2 ∙ 𝑉 − 𝑣𝐷 Como 𝑉 = 15[𝑉], 𝑅1 = 𝑅𝑝 = 1[𝐾𝑜ℎ𝑚]
𝐼𝐷 =
𝑅1 + 𝑅𝑝 ∙ (1 − 𝑘2 ) ∙ 𝑘2 𝑘1 = 1 − 𝑘2
15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝐷
𝐼𝐷 = (7)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
Pero también se tiene:
𝑣𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 ∙ 𝑒 𝑉𝑇 (8)
Donde para un diodo 1N4007, se tiene las siguientes características:
𝐼𝑠 ≈ 10[𝜇𝐴] y 𝑉𝑇 = 25 [𝑚𝑉] (9)
Remplazando la ecuación (8) y (9), en (7), se tiene:
𝑣𝐷 15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝐷
0 = 10 ∙ 10−6 ∙ 𝑒 25∙10−3 − (10)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
pág. 4
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Graficando 𝐼𝐷 vs 𝑣𝐷 :
18.00
16.00
14.00
12.00
I_D [mA]
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2
V_D [V]
Ilustración 4: Grafica 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷
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tensión en 𝑟𝑖 aumenta. El incremento resultante de 𝐼𝑖 circula a través del diodo, mientras que
la corriente a través de la carga se mantiene constante.
Para el circuito 2:
El análisis de este circuito, es el mismo del anterior punto, entonces de la ecuación (7), se tiene:
15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝐷
𝐼𝐷 = (7)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
Pero Ahora se trata de un diodo Zener, entonces:
𝑣𝐷 = 𝑉𝑍 = 5.1 [𝑉]
𝐼𝐷 = 𝐼𝑍
15 ∙ 𝑘2 − 𝑉𝑍
𝐼𝑍 = (11)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
Variando los parámetros de la ecuación (11), podemos construir la siguiente tabla:
𝑽𝒁 = 𝟓. 𝟏 [𝑽]
𝒌𝟏 𝑘2 𝐼𝑧 [𝑚𝐴]
1 0 -5,100
0,9 0,1 -3,303
0,8 0,2 -1,810
0,7 0,3 -0,496
0,6 0,4 0,726
0,5 0,5 1,920
0,4 0,6 3,145
0,3 0,7 4,463
pág. 6
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De la tabla los valores negativos, serán descartados, porque nuestro diodo Zener esta
polarizado inversamente, entonces para graficar 𝑉𝑧 vs 𝐼𝑍 tomaremos los valores positivos, pero
cambiados de signo debido a que se trabajara en el tercer cuadrante de nuestra gráfica.
Para completar esta grafica utilizaremos ahora la corriente inversa del diodo Zener de Valor
𝐼𝑠 = 𝐼𝑍 = 1[𝜇𝐴] para el Diodo 1N751, de la ecuación (11) despejamos 𝑉𝑧 :
15 ∙ 𝑘2 − 𝑉𝑍
𝐼𝑍 = (11)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
𝑉𝑍 = 15 ∙ 𝑘2 − 𝐼𝑍 ∙ 1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 ) (12)
Variando 𝑘1 y 𝑘2 , construimos la siguiente tabla:
𝑰𝒁 = 𝟏[𝝁𝑨]
𝒌𝟏 𝒌𝟐 𝑽𝒁 [𝑽]
1 0 0,00
0,9 0,1 1,50
0,8 0,2 3,00
0,7 0,3 4,50
0,6 0,4 6,00
0,5 0,5 7,50
0,4 0,6 9,00
0,3 0,7 10,50
0,2 0,8 12,00
0,1 0,9 13,50
0 1 15,00
Tabla 3: Calculo Teórico de 𝑉𝑍
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Graficamos 𝐼𝑧 = 𝑓(𝑉𝑧 )
0.000
-6.00 -5.00 -4.00 -3.00 -2.00 -1.00 0.00 1.00
-2.000
-4.000
I_Z[mA]
-6.000
-8.000
-10.000
-12.000
V_Z[V]
Ilustración 7: Grafica 𝐼𝑍 vs 𝑉𝑍
pág. 8
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Ilustración 8: (a) Unión p-n polarizada en sentido inverso, (b) Símbolo de rectificador empleado para un diodo p-n
Para el circuito 3:
El análisis de este circuito es el mismo que del primer punto, pero en este caso tenemos
conocida 𝐼𝑠 , entonces tememos de la ecuación (7):
15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝐷 Pero para el Diodo 1n4007 𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 = 10[𝜇𝐴]
𝐼𝐷 =
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 ) En el tercer cuadrante de 𝑣𝑖
𝑣𝐷 = 15 ∙ 𝑘2 − 10 ∙ 10−6 ∙ 1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 ) (13)
Variamos los parámetros 𝑘1 y 𝑘2 , y construimos la siguiente tabla:
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = 𝟏𝟎[𝝁𝑨]
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𝒌𝟏 𝒌𝟐 𝑽𝑫 [𝑽]
1 0 -0,0
0,9 0,1 -1,5
0,8 0,2 -3,0
0,7 0,3 -4,5
0,6 0,4 -6,0
0,5 0,5 -7,5
0,4 0,6 -9,0
0,3 0,7 -10,5
0,2 0,8 -12,0
0,1 0,9 -13,5
0 1 -15,0
Tabla 5: Calculo Teórico para un Diodo en Inversa
-2
-4
I_D [uA]
-6
-8
-10
-12
V_D [V]
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Graficando 𝑣𝑧 vs 𝐼𝑧 :
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16.00
14.00
12.00
10.00
I_Z [mA]
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
-0.05 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
V_Z [V]
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𝑻𝑨 𝑻𝑨
𝑽𝒁 𝑰𝒁𝑻 𝒁𝒁𝑹 𝑰𝒁𝑴
%/°𝑪 = 𝟐𝟓°𝑪 = 𝟏𝟐𝟓°𝑪
𝑽 𝒎𝑨 𝒐𝒉𝒎 𝒖𝑨 𝒖𝑨 𝒎𝑨
1N751 5,1 20 17 -0,008 1 20 70
1N757 9,1 20 10 0,056 0,1 20 40
2
t0 t2
Voltaje [V]
t3
0
0 t1 5 10 15 20 25
-2
-4
-6
Tiempo [ms]
Para el semiciclo positivo, analizamos el punto para 𝑣𝑖 (𝑡0 ) = 0[𝑉], nuestro circuito será:
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Del circuito de la Ilustración 16, se ve que el borne 𝑣0 y el borne 𝑉2+ son iguales, entonces se
tiene:
𝑣0 = 3[𝑉]
𝑣0 (𝑡1 ) = 3[𝑉]
En 𝑣𝑖 2 = 0, tendremos el mismo caso de cuando 𝑣𝑖 (𝑡0 ) = 0[𝑉], entonces:
(𝑡 )
𝑉𝑧 + 𝑉𝛾 = 𝑣0 Pero 𝑉𝑧 = 2[𝑉] y 𝑉𝛾 = 0.7 [𝑉]
𝑣0 = 2 + 0.7 = 2.7[𝑉]
𝑣0 (𝑡2 ) = 2.7 [𝑉]
Para el semiciclo negativo, analizamos el punto para 𝑣𝑖 (𝑡3 ) = −5[𝑉], nuestro circuito será:
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Ahora con todos nuestros puntos hallados podemos, construir la grafica 𝑣0 = 𝑓(𝑡):
6
2
Voltaje [V]
0
t3 Entrada vi
0 2 t1 4 t2 6 8 10 12 Salida v0
-2
t0
-4
-6
Tiempo [ms]
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Ilustración 21: Medio Ciclo positivo Ilustración 22: Medio ciclo negativo
−𝑉𝐶2 + 𝑉𝐶1 + 𝑣𝑚 = 0
−𝑉𝐶2 + 𝑣𝑚 + 𝑣𝑚 = 0
En el siguiente medio ciclo positivo, el diodo 𝐷2 no está conduciendo y el capacitor 𝐶2 se
descargara a través de la carga. Si ninguna carga está conectada a través del capacitor 𝐶2 ,
ambos capacitores permanecen cargador 𝐶1 a 𝑣𝑚 y 𝐶2 a 2𝑣𝑚 durante el medio ciclo
negativo. La forma de onda de la salida a través del capacitor 𝐶2 es la de una señal de media
onda filtrada por un filtro capacitor. El voltaje pico inverso a través de cada diodo es de 2𝑣𝑚 .
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La Ilustración 23 muestra una extensión del doblador de voltaje de media onda, el que
desarrolla tres y cuatro veces el voltaje pico de entrada. Resultará obvio para el patrón de la
conexión del circuito la forma en que los diodos y capacitores adicionales se pueden
conectar de tal forma que el voltaje de salida puede ser de cinco, seis, siete, y así
sucesivamente, veces el voltaje pico básico 𝑣𝑚 .
Durante la operación el capacitor 𝐶1 se carga a través del diodo 𝐷1 aun voltaje pico 𝑣𝑚 ,
durante el medio ciclo positivo del voltaje pico 2𝑣𝑚 desarrollado por la suma de los voltajes a
través del capacitor 𝐶1 y el transformador, durante el medio ciclo negativo del voltaje del
secundario del transformador.
Durante el medio ciclo positivo, el diodo 𝐷3 conduce y el voltaje a través del capacitor 𝐶2
carga al capacitor 𝐶3 al mismo voltaje pico de 2𝑣𝑚 . En el medio ciclo negativo, los diodos 𝐷2
y 𝐷4 conducen con el capacitor 𝐶3 , cargando 𝐶4 a 2𝑣𝑚 .
El voltaje a través del capacitor 𝐶2 es 2𝑣𝑚 , a través de 𝐶1 y 𝐶3 es de 3𝑣𝑚 , y a través de 𝐶2 y 𝐶4
es de 4𝑣𝑚 . Si se utiliza secciones adicionales de diodo y capacitor, cada capacitor será
cargado con 2𝑉𝑚 . La medición desde la parte superior del devanado del transformador
(Ilustración 23) ofrecerá múltiplos nones de 𝑣𝑚 en la salida, mientras que si la medición es
desde la parte inferior del transformador el voltaje de salida ofrecerá múltiplos pares del
voltaje pico 𝑉𝑚 .
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5. Simulación
5.1. Diodo polarización Directa.
𝑰𝑫 [𝒎𝑨] 𝑽𝑫 [𝑽]
14,3 0,70
11,7 0,69
9,75 0,69
8,12 0,68
6,72 0,67
5,47 0,66
4,32 0,65
3,19 0,64
2,06 0,62
0,85 0,58
0 0,00
16
14
12
10
I_D [mA]
0
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80
VD[V]
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𝑰𝒛 [𝒎𝑨] 𝑽𝒛 [𝑽]
-9,87 -5,13
-7,69 -5,11
-5,95 -5,10
-4,48 -5,08
-3,17 -5,07
-1,96 -5,05
-0,79 -5,02
-0,00005 -4,50
-0,00004 -3,00
-0,00002 -1,50
0 0,00
0
-6.00 -5.00 -4.00 -3.00 -2.00 -1.00 0.00
-2
-4
Iz[mA]
-6
-8
-10
-12
Vz [V]
pág. 19
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𝑰𝑫 [𝝁𝑨] 𝑽𝑫 [𝑽]
0,15 -15,00
0,14 -13,50
0,12 -12,00
0,11 -10,50
0,09 -9,00
0,07 -7,50
0,06 -6,00
0,04 -4,50
0,03 -3,00
0,01 -1,50
0.00
-16.00 -14.00 -12.00 -10.00 -8.00 -6.00 -4.00 -2.00 0.00
-0.02
-0.04
-0.06
I_D[uA]
-0.08
-0.10
-0.12
-0.14
-0.16
V_D[V]
pág. 20
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𝑰𝒛 [𝒎𝑨] 𝑽𝒛 [𝑽]
14,6 0,44
12,0 0,42
10,0 0,41
8,4 0,39
7,0 0,38
5,7 0,37
4,6 0,36
3,4 0,35
2,3 0,33
1,1 0,31
16.0
14.0
12.0
10.0
I_z [mA]
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
V_z[V]
pág. 21
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pág. 22
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503
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