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1.- Para una red cúbica centrada en las caras , f.c.c. , cuya celda convencional tiene lado
“a” , determine (a) volumen de la celda convencional. (b) Número de puntos de la red por
celda convencional. (c)Volumen de la celda primitiva. (d) Número de puntos por unidad de
volumen. (e) Número de puntos vecinos más próximos. (f) Distancia a los vecinos más
próximos. R: (a) a3 (b) 4 (c) ¼ a3 (d) 4 / a3 (e) 12 (f) 0,70 a .
2.- Calcular la fracción de empaquetamiento o máxima fracción que puede llenarse con
esferas rígidas iguales, para una red cúbica (a) b.c.c. (b) f.c.c.
R : (a) 0,68 (b) 0,74
3.- Estructura diamante.(a) ¿Cuántos átomos hay en la celda primitiva del diamante?.
(b) Cuál es la longitud en angstron de un vector primitivo de traslación?. (c) Calcular el
ángulo entre los enlaces tetraédricos en el diamante.(d) ¿Cuántos átomos hay en la celda
cúbica unidad convencional. R : (c) 109º 28”
4.- Las intersecciones con los ejes cristalográficos de los planos que se indican son :
A( 6,2,1) ; B (3,4,6) ; C (-2,1,-3) y D ( 2, ,3) . Determine los índices de Miller de cada
plano. R: A ( 1,3,6)
6.- El sodio tiene peso molecular 23 Kg / Kmol , densidad 970 Kg / m3 y un electrón libre
por átomo. (a ) Determine el número de Loschmidt o número de electrones por unidad de
volumen.(b) Calcule la energía de Fermi. (c) Determine la velocidad máxima de los
electrones.
7- El cobre tiene peso atómico 63,54 Kg/Kmol , densidad 8,96*103 Kg/m3 y estructura
f.c.c. , suponiendo que cada átomo sólo libera un electrón
(a) ¿ Cuál es la velocidad de los electrones más rápidos, si el sistema se encuentra en su
estado fundamental?.
(b) Calcular la arista de la celda convencional y la distancia entre los átomos más
próximos?.
8.- Un cuadrado metálico de lado L, tiene en su interior N electrones libres, cuyas energías
π 2 2 2
están dadas por E =
2mL 2
( n x + n 2y ) , donde nx y ny son números cuánticos. A la
temperatura de 0 °K :
(a) Calcular la energía de Fermi .
dn
(b) Determine la densidad de estados g(E) = de estos fermiones.
dE
(c) Demuestre que la energía total de los electrones es U = ½ NEF.
9.- Un sistema está compuesto por 4.000 partículas que pueden estar en uno de los tres
niveles de energía , igualmente espaciados ,cuyos respectivos valores son 0 , ε y 2ε
,que tienen la misma probabilidad intrínseca g . (a) Comparar la probabilidad relativa de la
partición en que hay 2.000 partículas en el nivel inferior , 1.700 en el intermedio y 300 en
el nivel superior , con la partición resultante de la transferencia de dos partículas del nivel
intermedio ,una al inferior y otra al superior , proceso que es compatible con la
conservación de la energía . (b) Determine la partición más probable del sistema .(c) Si el
sistema se encuentra en la partición de equilibrio , y se efectúa la misma transferencia
realizada en (a) , compare la probabilidad relativa entre estas últimas particiones. ¿qué
puede concluir?.(d) Calcular el cambio que se produce en la probabilidad de distribución si
se transfiere dos partículas al nivel intermedio , una del nivel superior y la otra del inferior.
(e) Determinar la temperatura del sistema cuando está en equilibrio estadístico , suponiendo
que ε = 0,02 eV.
Rp : (a) P 2 / P 1 = 4,8 (b) n 1 = 2.277 ; n 2 = 1.146 ; n 3 = 577 (c) P’/ Pe’ = 0,9966
(d) 0,206 (e) 338 ºK
10.- Las partículas clásicas de un sistema aislado pueden encontrarse en tres niveles de
energía, que tiene igual probabilidad intrínseca g = 1. En el cuadro se muestran tres
posibles particiones de tal sistema :
(a) Determinar las dos particiones que corresponden a un mismo sistema aislado.
(b) Encuentre la partición más probable del sistema aislado anterior.
(c) Si el sistema tiene una temperatura de 300 ºK cuando se encuentra en equilibrio
estadístico, calcular el valor de la energía ε , en eV.
11- Las partículas clásicas e indistinguibles de un sistema aislado pueden estar en tres
diferentes niveles de energía: 0 ; 0,05 eV y 0,10 eV , con igual probabilidad intrínseca, g =
1.En cierto instante hay 500 partículas en el nivel inferior, 3000 partículas en el intermedio
y 100 partículas en el nivel superior.
(a) Escriba otra partición cualquiera de este sistema.
(b) Calcule la función de partición.
(c) Determine la temperatura del sistema, cuando este se encuentra en equilibrio
estadístico.
12.- Dadas las temperaturas 100 ºK , 300 ºK y 1.000 ºK determinar para cada una el
cociente de los números de ocupación n j / n i , de los niveles correspondientes a ∆ E Igual
a: (a) 10 –4 e V ,que es del orden del espaciamiento de los niveles rotacionales de
muchas moléculas (b) 5 10 –2 e V , que corresponde a los niveles vibracionales moleculares
(c) 3 eV que es del orden de las excitaciones electrónicas en átomos y moléculas. Suponer
g = 1 . Rp : (a) 0,9885 ; 0,9962 ; 0,9988 (b) 3 10 –3 ; 0,145 ; 0,56
(c ) 3 10 –164 ; 8 10 –49 ; 8 10 –16
13.- Las energías posibles de una partícula en un sistema de partícula son 0 , ε , 2 ε , ....,
n ε , ...... (a) Demostrar que la función de partición del sistema es , considerando g i = 1
ε
Z = ( 1 – e - / k T )-1 (b) Calcular la energía media de las partículas (c) Hallar el valor
límite de la energía cuando ε << kT .
14.- Hallar el cociente entre los números de moléculas de un gas por unidad de intervalo de
energía alrededor de las energías 0,2 eV y 0,02 e V para las siguientes temperaturas (a)
100 º K (b) 600 º K Rp : ( E 1/ E 2 ) ½ e ( E1 – E2 ) / k T (a) 6,3 10 – 9 (b) 2,54
15.- Obtener la energía y la velocidad más probables de las moléculas de un gas a una
2kT
temperatura determinada . Rp E mp = ½ kT ; v mp =
m
19.- El silicio tiene densidad 2,33 g / cm 3 y masa atómica de 28,09 uma . Además , de
cada 10 14 átomos de silicio puro , 28 proporcionan un electrón de conducción . Calcular
(a) la densidad de átomos (b) la densidad de electrones de conducción .
Rp : (a) 5,0 10 28 átomos / m 3 (b) 1,4 10 16 m –3 .
21.- Un silicio extrínseco contiene 0,1 ppm (partes por millón) de aluminio en peso, siendo
la masa atómica del Al 26,98 uma . ¿Cuál es el porcentaje de Al atómico?.
Rp : 10,4 10 –6 %
23.- ¿A qué temperatura se llenará al 25 por 100 el nivel de energía de 5,60 eV de los
electrones de plata , Ag?. El nivel de Fermi en la plata es 5,48 eV. Rp : 994 °C .
25.- El Germanio de alta pureza a 300°K tiene Eg = 0,66 eV, µ e 0 0,364 m2/Vs , µ h =
0,19 m2/Vs y n = 2,3 1019 m-3 .
(a) Calcule la conductividad σ 0 .
(b) Si el Ge se dopa con Aluminio de valencia 3, de modo que la densidad de átomos
dopantes sea 2 1012 m-3, siendo Ea = 0,01 eV, determine la máxima longitud de onda
que debe tener un fotón incidente en este semiconductor para producir corriente.
26.- Para el Silicio de alta pureza a 300 °K se tiene que Eg = 1,107 eV, µ e = 0,140 m2 / Vs ,
µ h = 0,038 m2/ Vs y n = 1,4 1016 m-3 .
(a) Calcular la conductividad σ 0 .
(b) Determinar la probabilidad de que un electrón ascienda térmicamente a la banda de
conducción.
(c)Si el Si se dopa con As, valencia 5, de modo que la densidad de átomos dopantes sea 1,5
1012 m-3 ¿Cuál es el valor máximo de la conductividad extrínseca?. ¿Qué tipo de
semiconductor extrínseco se formó?.