UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

FACULTAD DE INGENIERIA

ESCUELA ACADEMICO PROFESIONAL DE INGENIERIA DE MATERIALES

INFORME DE LABORATORIO

“SINTESIS DE NANOPARTICULAS DE SnO2 DOPADO CON Fe +3 VÍA SOL-

GEL”

CURSO: BIOMATERIALES

DOCENTE: Ing. DIAZ DIAZ, Alex Fabián

ALUMNOS:
ALVA VASQUEZ, Julio Alexander
BARRETO ZAVALETA, Glendy Zamar
ZAVALA HARO, Alessandra Sofía

TURNO: Jueves 3- 5 pm

GRUPO: 1

2018

TRUJILLO – PERÚ
 INFORME DE LABORATORIO

“SINTESIS DE NANOPARTICULAS DE SnO2 DOPADO CON Fe +3 VÍA SOL-

GEL”

1. OBJETIVOS

o Obtener películas delgadas que facilitan el estudio de las propiedades

del semiconductor SnO2 a través de la técnica sol-gel.
o Sintetizar nano partículas de SnO2 usando el método sol-gel.
o Realizar un recocido de las películas.

2. FUNDAMENTO TEORICO

Introducción

La preparación de muchos materiales semiconductores y aislantes por técnicas de

depósito químico resultan ser baratas y comercialmente rentables. Es posible preparar
materiales con diversas configuraciones, ya sea en forma de polvo, como material
compacto o como película delgada. Es posible impurificar un compuesto en forma
sencilla, esto es, agregando el reactivo químico con el cual pretendemos impurificar el
compuesto. Es posible escalar la preparación de materiales semiconductores y aislantes
a escalas mayores, ya sea del orden de kilos o de metros cuadrados.

Semiconductores

Toda clase de sólidos, independientemente de su tipo de enlace, se caracterizan porque

sus estados electrónicos se agrupan en bandas de energía. Los metales poseen una
última banda, parcialmente ocupada, con niveles energéticos superiores libres,
desocupados. Los electrones de valencia, débilmente unido a los átomos aislados, al
formarse el cristal se deslocalizan y se mueven por todo el cristal en forma de un gas de
Fermi, constituyendo los electrones de conducción. Su conductividad disminuye: a) Al
aumentar la temperatura: σ (T)·T = const. b) Al crecer las impurezas y los defectos de
la red. Los metales reflejan o absorben muy débilmente las radiaciones, sin que por ello
se altere su conductividad. Los aislantes poseen una banda prohibida de energía, de
anchura Eg, que separa la última banda completamente llena, banda de valencia, sin
estados libres. Los electrones de valencia están ligados formando enlaces más o menos
fuerte entre los átomos de la red. La banda próxima superior, banda de conducción, está
vacía, con la totalidad de sus estados energéticos desocupados. A 0 K la conductividad
es nula, tienen una banda prohibida de anchura no nula, Eg ≠ 0. Los aislantes se
subdividen en dos clases: semiconductores y aislantes propiamente dichos.
Semiconductores: tienen una banda prohibida de anchura Eg < 2Ev.

La conductividad crece con la temperatura:

Mientras que en los metales el número de portadores es constante, del orden de 1028
m-3, independientemente del valor de la temperatura, en los semiconductores al crecer
la temperatura crece la agitación térmica, se rompen enlaces ató- micos, y se crean
pares de electrón-hueco, el número de portadores de carga aumenta.
• Las oscilaciones electromagnéticas de frecuencia ν superior a una ν0 propia de
cada semiconductor: Eg = hν0 = 0 hc λ son más o menos absorbidas. Los fotones
absorbidos rompen algunos enlaces y se crean pares de electrón-hueco de origen
óptico que se adicionan a los de origen térmico.
• La adición de elementos dopantes en la red del semiconductor genera en éste:
electrones en la BC, donadores, de concentración Nd, o huecos en la BV aceptores,
de concentración Na. Utilizando como variables la concentración de los dopantes
se puede controlar las concentraciones de portadores, n, de electrones o, p, de
huecos. Estas dos clases de dopados crean sus correspondientes semiconductores
extrínsecos:
• De tipo-n que conducen casi exclusivamente por electrones, tales como el P y se
que son dopantes donadores para el Si y el AsGa, sustituyendo en la red los átomos
de Si y As respectivamente
• De tipo-p que conducen casi exclusivamente por huecos, tales como el B y Be que
son dopantes aceptores para el Si y el AsGa, sustituyendo en la red los átomos
de Si y Ga respectivamente.

Difusión
Es el proceso natural en el cual la existencia de un gradiente provoca una acción
tendiente a anularlo. Aún en ausencia de un campo eléctrico, los portadores se mueven
hacia regiones de menor concentración. Este movimiento establece una circulación de
corriente adicional al proceso de desplazamiento. Esta corriente existirá hasta tanto no
se logre la uniformidad.
Los coeficientes de difusión dependen del dopaje del semiconductor y temperatura,
pues son función del tiempo de colisión (τ c) y de la trayectoria libre promedio (λ).

• Existe una relación que los une con los coeficientes de movilidad, llamada
Relación de Einstein:
• El coeficiente de difusión puede obtenerse a través de la movilidad.
• La relación kT/q se la conoce por definición como “Tensión térmica
equivalente” (Vth ) y su valor es de 26mV a temperatura ambiente.

Características Dióxido de Estaño (SnO2)

El nombre dado al dióxido de estaño SnO2, proviene del griego kassiteros que significa
casiterita. Es un mineral típico de las pegmatitas, esto significa que se asocia a la fase
tardía de la cristalización granítica. En los granitos neumatolíticos y pegmatitas, la
casiterita normalmente se encuentra acompañada de wolframita, scheelita y
arsenopirita. El SnO2 como material puro, es un semiconductor transparente tipo n y
debido a las vacancias de oxígeno, presenta gran estabilidad térmica, química y
mecánica. La fase más estable del SnO2 es la estructura cristalina tetragonal,
perteneciente al grupo del rutilo. Se caracteriza por tener un número de coordinación
6:3, en donde el empaquetamiento poco compacto, ya que cada átomo de estaño está
ligado a seis átomos de oxígeno en los vértices de un octaedro ligeramente
distorsionado y donde cada átomo de oxígeno está rodeado por tres átomos de estaño
coplanares como vecinos más próximos y situados en los vértices de un triángulo
aproximadamente equilátero. Al igual que el rutilo, la anatasa cristaliza en el sistema
tetragonal. Aunque el grado de simetría sea el mismo para ambas especies, no hay
ninguna relación entre los ángulos interfaciales de los dos minerales, excepto en la zona
del prisma.

Fig. N° 01 estructura tipo rutilo

 Fig. N° 02 estructura tipo anatasa
Al igual que el óxido de zinc ZnO, el SnO2 es un semiconductor con un ancho de brecha
de energía, Egap entre 3.6 eV-3.8 eV, es muy estable y presenta una combinación
adecuada de propiedades mecánicas, químicas, electrónicas y ópticas, que permiten
usarlo en un gran número de aplicaciones como: sensores de gases nocivos (como CO,
hidrocarburos y ácido sulfúrico), electrodos transparentes para celdas solares (foto
sensor), en la preparación de cristales líquidos, ánodos para baterías de litio,
transistores en membranas de nano y ultracentrifugación, recubrimientos anticorrosivos,
catálisis para conversión de etanol a CO/O2, varistores para proteger de sobretensiones
a equipos eléctricos y electrónicos. Por otro lado, cuando el SnO2 se dopa con ciertos
elementos como Sb, F, Nb, incrementa su conductividad eléctrica y puede llegar a ser
reflectivo a la radiación infrarroja. Además, si es dopado con V y Fe, puede mejorar su
actividad catalítica y también al usarse como sensor de gas, dando como resultado un
material más sensible y selectivo a diferentes especies químicas.
Depósito químico sol-gel

La técnica sol-gel es una ruta para la preparación principalmente de óxidos metálicos

(simples o mixtos), ya sea en forma de película delgada, polvo o como un material
denso. El proceso sol-gel parte de la obtención de un “sol” o suspensión de partículas
coloidales o macromoléculas poliméricas de tamaño inferior a los 100 nm en un líquido.
Normalmente el sol es obtenido por la vía polimérica, lo que implica una hidrólisis y
polimerización de precursores metal orgánicos.

Alcoxidos metálicos como precursores órgano-metálicos: M(OR)n.

HIDRÓLISIS

M(OR)n + n H2O ---- M(OH)n + n ROH

POLIMERIZACIÓN

M(OH)n ------ MOn/2 + n/2 H20

La formación de un óxido metálico involucra la conexión de centros metálicos con
puentes oxo (M-O-M) o hydroxo (M-OH-M) para generar polímeros metal-oxo or
metalhydroxo en la solución. El progreso de la reacción de polimerización da finalmente
lugar a la formación de un gel, que consiste una red de enlaces M-O-M interconectados
en tres dimensiones rodeados de solvente. Alcoxidos metálicos como precursores
organometálicos: M(OR)n En el caso de la preparación de soles de sílice, el precursor
más comúnmente empleado es el tetraetiltrietoxisilano (TEOS), cuyas reacciones de
hidrólisis y polimerización son las siguientes: a) Hidrólisis Si(OC2H5)4 + 4 H2O <===>
Si(OH)4 + 4 C2H5OH b) Polimerización SiOH + SiOH <=====> Si-O-Si + H2O

Fig.03 Método sol-gel

3. MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS

o Reactivos:
Etiniglicol
Agua destilada
Ácido cítrico
NH3
FeCl3.6H2O
SnCl4.5H2O
o Herramientas:
Pipeta
Espátula
Pinzas
Vaso de precipitación
 o Equipos:

Balanza analítica

Spin Coater

Horno eléctrico

Agitador magnético

4. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
 Preparación de las laminillas:
Cortamos la lámina en 5 pequeñas partes. Lavamos cada una de éstas
con jabón, quitando toda impureza. Lavamos con agua destilada, con
cuidado de no tocar las superficies de la lámina. Para completar el
lavado, adicionamos alcohol. Observamos que las láminas deben estar
completamente transparentes y sin ninguna impureza.

Fig.04 Cortado de las láminas.

 Preparación de la solución:
En primer lugar, se añadió ácido cítrico a 2.4 ml de H2O hasta que el pH
1,5 a 50 ◦C con agitación magnética. Después, se añadieron 0,438 g de
SnCl4 · 5H2O y se disolvió por un tiempo de 10 minutos a 50 °C. Luego,
0,0675g FeCl3 · 6H2O (el contenido molar Fe en las muestras fue de
10% en moles) y 0.5 ml de etinilglicol. Es se agitó durante 10 min y
añadieron a la solución anterior. Posteriormente 0.75 ml de NH3 · H2O
(15 mol / l) fue añadió gota a gota al sol de arriba bajo agitación magnética
dentro de 30 min. Entonces, el producto de hidrólisis se agitó durante 30
min para formar un gel.
 Fig.05 Preparación de la solución.

 Preparación de los sustratos:

Colocamos una laminilla en el centro del Spin y encendemos el equipo.
Cuando la laminilla esté en rotación, depositamos una gota de solución
en el centro de ésta y esperamos 40 segundos para detener el
movimiento. Colocamos la laminilla sobre el Agitador, el cual, tiene una
temperatura de 60ºC que ha sido regulada. Lo mantenemos allí por 5
min. Después del tiempo indicado y con ayuda de las pinzas, retiramos
la laminilla y realizamos el mismo procedimiento hasta que hayan sido
depositadas 4 capas de solución. Colocamos las laminillas en el horno
para el recocido a 300°C.

Fig.06 Preparación de los sustratos

5. RESULTADOS
Se consiguieron obtener 4 películas de óxido de estaño dopadas con nano
partículas de fierro 3+ depositando 5 capas por cada sustrato, siendo estas
recocidas a 300 °C.
La película delgada de óxido de estaño es transparente, presenta algunas
irregularidades y su superficie no es uniforme por lo que no se podrían estudiar
 bien sus propiedades. La parte más complicada de esta práctica es obtener un
sustrato con una película completamente uniforme

Fig.07 Muestras después de recocido

6. CONCLUSIONES
Se obtuvieron películas delgadas de óxido de estaño por el método Sol-
Gel en sustratos que facilitaran el estudio de las propiedades del
semiconductor SnO2.
Se logró sintetizar películas delgadas de óxido de estaño.
Se logró recocer las películas a 300°C.
7. RECOMENDACIONES
 Se debe tener especial cuidado durante el pesado del acetato.
 Se debe controlar el tiempo de manera adecuada cuando las laminillas
son colocadas en el agitador magnético ya que estas se pueden quemar.
 La pastilla debe ser colocada en el centro del vaso de precipitación para
que la agitación se realice de manera correcta.
 Los goteros y pipetas deben ser lavados y enjuagados de manera
correcta ya que estos pueden contener impurezas en su interior y afectar
en la deposición de la solución en las laminillas.
 Tener cuidado al momento de usar la solución porque esta se puede
contaminar
 Realizar la espectroscopia UV Y DRX para caracterizar las películas.
8. BIBLIOGRAFIA

[1] Síntesis sol-gel, disponible en [www6.uniovi.es], consultada el 5 de diciembre

del 2018.
[2] Caracterización de materiales, disponible en [www.cie.unam.mx], consultada
el 23 de agosto del 2017.
[3] Películas nano estructuradas de SnO2, disponible en
[www.researchgate.net], consultada el 5 de diciembre del 2018.
[4] Síntesis sol-gel, disponible en [ocwus.us.es], consultada el 5 de diciembre del
2018.
[5] Semiconductores, disponible en [lcr.uns.edu.ar], consultada el 5 de diciembre
del 2018.