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Un circuito integrado (CI), también conocido como chip, microchip, es una estructura de
pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros
cuadrados de superficie, sobre la que se
fabrican circuitos electrónicos generalmente
mediante fotolitografía y que está protegida
dentro de un encapsulado de plástico o de
cerámica. El encapsulado posee conductores
metálicos apropiados para hacer conexión
entre el Circuito Integrado y un Circuito
Impreso.
Los circuitos integrados son usados en prácticamente todos los equipos electrónicos hoy en
día, y han revolucionado el mundo de la electrónica. Computadoras, teléfonos móviles, y otros
dispositivos electrónicos que son parte indispensables de las sociedades modernas, son
posibles gracias a los bajos costos de los circuitos integrados.
TIPOS DE CIRCUITOS INTREGADOS
Existen al menos tres tipos de circuitos integrados:
Algunos son diseñados y fabricados para cumplir una función específica dentro de
un sistema mayor y más complejo.
Los voltajes aplicados a cualquier entrada de un CI no deben exceder los 5.5V. Existe también
un máximo para el voltaje negativo que se puede aplicar a una entrada TTL, que es de -0.5V.
Esto se debe al uso de diodos de protección en paralelo en cada entrada de los CI TTL.
Retado de propagación
La compuerta NAND TTL estándar tiene retardos de propagación característicos de tPLH = 11
ns y tPHL = 7 ns, con lo que el retardo promedio es de tPD(prom) = 9 ns.
Dentro de la familia TTL, existen otras series que ofrecen alternativas de características de
velocidad y potencia. Dentro de ellas, están:
- Serie 74L, TTL de bajo consumo de potencia
- Serie 74H, TTL de alta velocidad
- Serie 74S, TTL Schottky
- Serie 74LS (LS-TTL), TTL Schottky de bajo consumo de potencia
- Serie 74AS (AS-TTL), TTL Schottky avanzada
- Serie 74ALS, TTL avanzada Schottky de bajo consumo de potencia
CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
Existen varias series en la familia CMOS de circuitos integrados digitales. La serie 4000 que fue
introducida por RCA y la serie 14000 por Motorola, estas fueron las primeras series CMOS. La
serie 74C que su
característica
principal es que
es compatible
terminal por
terminal y
función por
función con los
dispositivos TTL.
Esto hace
posibles
remplazar
algunos circuitos
TTL por un diseño
equivalente
CMOS. La serie
74HC son los CMOS de alta velocidad, tienen un aumento de 10 veces la velocidad de
conmutación. La serie 74HCT es también de alta velocidad, y también es compatible en lo que
respecta a los voltajes con los dispositivos TTL.
Los voltajes de alimentación en la familia CMOS tiene un rango muy amplio, estos valores van
de 3 a 15 V para los 4000 y los 74C. De 2 a 6 V para los 74HC y 74HCT.
Los requerimientos de voltaje en la entrada para los dos estados lógicos se expresa como un
porcentaje del voltaje de alimentación. Tenemos entonces:
VOL(max) = 0 V
VOH(min) = VDD
VIL(max) = 30%VDD
VIH(min) = 70% VDD
Por lo tanto los margenes de ruido se pueden determinar a partir de la tabla anterior y
tenemos que es de 1.5 V. Esto es mucho mejor que los TTL ya que los CMOS pueden ser
utlizados en medios con mucho más ruido. Los margenes de ruido pueden hacerse todavía
mejores si aumentamos el valor de VDD ya que es un porcentaje de este.
En lo que a la disipación de potencia concierne tenemos un consumo de potencia de sólo 2.5
nW cuando VDD = 5 V y cuando VDD = 10 V la potencia consumida aumenta a sólo 10 nW. Sin
embargo tenemos que la disipación de potencia sera baja mientras estemos trabajando con
corriente directa. La potencia crece en proporción con la frecuencia. Una compuerta CMOS
tiene la misma potencia de disipación en promedio con un 74LS en frecuencia alrededor de 2 a
3 Mhz.
Ya que los CMOS tienen una resistencia de entrada extremadamente grande que casi no
consume corriente. Pero debido a su capacitancia de entrada se limita el número de entradas
CMOS que se pueden manejar con una sola salida CMOS. Así pues, el factor de carga de CMOS
depende del máximo retardo permisible en la propagación. Comunmente este factor de carga
es de 50 para bajas frecuencias, para altas frecuencias el factor de carga disminuye.
Los valores de velocidad de conmutación dependen del voltaje de alimentación que se emplee,
por ejemplo en una 4000 el tiempo de propagación es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para
VDD = 10 V. Como podemos ver mientras VDD sea mayor podemos operar en frecuencias más
elevadas.
Hay otras características muy importantes que tenemos que considerar siempre, las entradas
CMOS nunca deben dejarse desconectadas, todas tienen que estar conectadas a un nivel fijo
de voltaje, esto es por que los CMOS son, al igual que los MOS muy susceptibles a cargas
electrostáticas y ruido que podrían dañar los dispositivos.
Características de la familia CMOS.
La tecnología MOS (Metal Oxido Semiconductor) deriva su nombre de la estructura básica
MOS de un electrodo metálico montado en un aislador de óxido sobre un subestrato
semiconductor. Los transistores de la tecnología MOS son transistores de campo denominados
MOSFET. La mayoría de los CI digitales MOS se construyen exclusivamente con MOSFET.
Características principales.
voltaje de alimentación
Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD que van de 3 a 15V, por lo que la
regulación de voltaje no es un aspecto crítico. Las series 74HC y 74HCT funcionan con voltajes
de 2 a 6 V.
niveles de voltaje
Cuando las salidas CMOS manejan solo entradas CMOS, los niveles de voltaje de la salida
pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD para el estado alto.
VOL (max) 0V
velocidad de operación
Una compuerta NAND N-MOS común tiene un tiempo de retardo de 50 ns. Esto se debe
principalmente a la resistencia de salida relativamente alta
(100k ) y la carga capacitiva representada por las entradas de
los circuitos lógicos manejados.
margen de ruido
Normalmente, los márgenes de ruido N-MOS están alrededor de 1.5V cuando operan desde
VDD = 5 V, y serán proporcionalmente mayores para valores más grandes de VDD.
factor de carga
Para circuitos operando en DC o de baja frecuencia, las capacidades del factor de carga son
virtualmente ilimitadas. Sin embrago, para frecuencias mayores de 100 kHz, se observa un
deterioro del factor de carga - siendo del orden de 50, lo que es un tanto mejor que en las
familias TTL.
consumo de potencia
Los CI MOS consumen pequeñas cantidades de potencia debido a las resistencias
relativamente grandes que utilizan. A manera de ejemplo, se muestra la disipación de potencia
del INVERSOR N-MOS en sus dos estados de operación.
- PD = 5V x 0.05nA = 0.25 Nw
- PD = 5V x 50 A = 0.25mW
complejidad del proceso
La lógica MOS es la familia lógica más simple de fabricar ya que utiliza un solo elemento básico,
el transistor N-MOS (o bien el P-MOS), por lo que no requiere de otros elementos como diodos
o resistencias (como el CI TTL).
Susceptibilidad a la carga estática
Las familias lógicas MOS son especialmente susceptibles a daños por carga electrostática. Esto
es consecuencia directa de la alta impedancia de entrada de estos CI. Una pequeña carga
electrostática que circule por estas altas impedancias puede dar origen a voltajes peligrosos. La
mayoría de los nuevos dispositivos CMOS están protegidos contra daño por carga estática
mediante la inclusión en sus entradas de un diodo zener de protección. Estos diodos están
diseñados para conducir y limitar la magnitud del voltaje de entrada a niveles muy inferiores a
los necesarios para hacer daño.