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BJT EN FUNCION DE CONMUTACION

BJT working as a switch

RESUMEN ALEJANDRO DUQUE

La octava práctica de laboratorio de electrónica I consistió en analizar la función Estudiante de Ingeniería Eléctrica.
de conmutación del transistor de unión bipolar (Comportamiento como Universidad Tecnológica de Pereira
interruptor al mover su punto de operación entre las zonas de corte y saturación) Aduque55@hotmail.com
a través de la construcción de dos circuitos: Uno que permitió determinar los
parámetros de switcheo del transistor y otro para aprovechar esta función JOSE AIMER IDARRAGA
acompañando de una foto-resistencia. Estudiante de Ingeniería Eléctrica.
Universidad Tecnológica de Pereira
PALABRAS CLAVES: BJT, conmutación, corte, foto-resistencia, parámetros, Aimer.idarraga@yahoo.es
saturación, transistor.
SAMUEL MARÍN
ABSTRACT Estudiante de Ingeniería Eléctrica.
The eighth electronic I laboratory experience consisted in analyzing the Universidad Tecnológica de Pereira
commutation function of the bipolar junction transistor (Interrupter behavior Timesabing@hotmail.com
due to the movement of the operation point between the cut-off and the
saturation zones) by building two circuits: One of them was used to determine
the switching parameters of the transistor, the other circuit was built to take
advantage of that function with a photo-resistance.

KEYWORDS: BJT, commutation, cut, parameters, photo resistance, saturation,

transistor.

1. INTRODUCCIÓN 2. CONTENIDO

Durante el curso de Electrónica I se analizaron las

diferentes de zonas de operación de la característica del 2.1. MATERIALES
transistor de unión bipolar. Un par de estas zonas
despiertan gran interés por sus características y estas son - Transistores 2N3904.
la zona de saturación y la zona de corte. Cuando el - Transistor TIP31
tiempo en que el punto de operación del transistor tarda - Fuente de alimentación DC (FA-851).
en pasar de la zona de saturación a la zona de corte es - Resistencias 330 Ω, 1 kΩ y 4,7 kΩ.
muy corto, se dice que el transistor está actuando en - Potenciometro de 20 kΩ.
función de conmutación. - Rele.
- Bombillo incandescente de 100 W.
Se puede establecer que la función de conmutación del - Multimetro Fluke.
transistor se asemeja a la operación de un interruptor, - Osciloscopio Digital (OD-581).
trayendo importantes aplicaciones como en circuitos - 2 Protoboard.
lógicos y en la activación de relés. - Generador de Funciones.

Durante la práctica a la que hace referencia este informe, 2.2. PROCEDIMIENTO

se realizo un análisis inicial de la operación del transistor
en conmutación construyendo primero un circuito para
determinar sus parámetros de switcheo y luego uno que
junto con una foto resistencia permitiera el cierre o la
apetura de un rele para encender o apagar un bombillo
según condiciones determinadas por la conexión del
circuito.
Se dio inicio a la práctica realizando la conexión
necesaria para permitir la operación del transistor en
función de conmutación. La conexión fue realizada tanto
para el transitor 2N3904 como para el TIP31. El análisis
de este circuito consistió en determinar los parámetros de
switcheo de cada interruptor (Corriente de corte y de
saturación en la base).
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Figura 1, correspondiente al circuito construido para la

determinación de los parámetros de switcheo de los Figura 2, segundo circuito que integra la foto celda y los
transistores 2N3904 y TIP31. transistores 2N3904 y el TIP31 en función de
conmutación.
Con el fin de obtener los parámetros mencionados, se
monitorearon a través del osciloscopio digital la señal
El análisis correspondiente al circuito consistió en
proveniente del generador de funciones y la señal de encontrar la posición del potenciómetro que permitiera
voltaje entre el colector y a partir del análisis en conjunto una sensibilidad a la luz acorde a las condiciones del
de ambas señales, determinar el voltaje de corte y el de laboratorio.
saturación.
2.3. RESULTADOS
Anotación: Los transistores usados en la práctica
presentaron una sensibilidad alta, la cual provoco cierta
confusión en un principio pero luego se vio explicada por
el alto uso y desgaste de los transistores en el laboratorio.

Obtenidos los parámetros, se paso a analizar de forma

separada la foto resistencia que sería usada en el
siguiente paso. Su análisis consistió en determinar
valores de resistencia para tres intensidades de luz (Alta,
media y baja luminosidad). Esto se realizo con el fin de
determinar la resistencia de referencia que haría parte del
siguiente circuito.

Finalmente, se construyo el último circuito de la

práctica, el cual consistía en integrar la foto resistencia, el Imagen 1, correspondiente al circuito con el transistor
transistor en función de conmutación, y un relé que se 2N3904 en función de conmutación.
usaría para activar o desactivar el circuito de una
bombilla de 100 W conectada a una toma corriente de la
fuente de trabajo.

Anotación: Debido a problemas que se presentaron

durante la construcción del último circuito, los cuales
intentaron ser corregidos mediante la conexión
Darlington de los transistores 2N3904 y TIP31, la
comprobación del correcto funcionamiento del relé e
inclusive la reconstrucción del circuito sin resultados
fructíferos, se opto por parte del profesor trabajar con los
datos obtenidos por uno de los grupos de trabajo. Los
datos correspondientes a esta parte de la práctica, serán
los obtenidos de la observación del circuito realizado por
el otro subgrupo. Imagen 2, correspondiente a las señales de entrada y
salida del circuito con 2N3904 en función de
conmutación.
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VBB ' Sat = 2.24V

VBB ' Sat - Vg
I BSat = = 0.3277mA
4.7 k W
VBB 'Corte = 0.64V
VBB ' corte - Vg
I BCorte = = 0.0128mA
4.7 k W

Imagen 5, correspondiente al circuito que integra los

transistores en función de conmutación y la foto
resistencia construido por el otro subgrupo de trabajo
(Para el momento en que se tomo la imagen, el
potenciómetro de 50 kΩ ya había sido desconectado).

- Con el transistor 2N3904:

VCC *360W
VBB = = 1.18V
Imagen 3, correspondiente al circuito con el transistor 3.3k W + 360W
TIP31 en función de conmutación. 1.18V - 0.7V
RX = = 489.796W
0.98mA
- Con el transistor TIP31:

VCC *360W
VBB = = 1.18V
3.3k W + 360W
1.18V - 0.7V
RX = = 648.648W
0.74mA

3. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Imagen 4, correspondiente a las señales de entrada y - Se logro apreciar el funcionamiento de los transistores
salida del circuito con TIP31 en función de conmutación. en función de conmutación, alternando su punto de
operación entre las zonas de corte y saturación.
VBB ' Sat = 2V
- Se observo que en el pequeño lapso de tiempo en que el
VBB ' Sat - Vg punto de operación del transistor se traslada de la zona de
I BSat = = 0.2766mA
4.7 k W saturación a la zona de corte, este cumple con su función
de amplificador en la zona de operación normal.
VBB 'Corte = 0.64V
VBB ' corte - Vg - Los transistores usados en la práctica presentaron una
I BCorte = = 0.0128mA alta sensibilidad a las variaciones de voltaje. El voltaje de
4.7 k W corte era menor que el voltaje umbral de conducción
esperado por ser transistores de Silicio.
- Datos de la foto resistencia:
- Se recomienda tener especial cuidado a la hora de
RLuz - Normal = 1k W trabajar con el segundo circuito, se intentaron diferentes
soluciones (Conexión en Darlington de los transistores,
RSin - Luz = 18k W comprobación de correcto funcionamiento del rele entre
RLuz - Alta = 75W otras) sin resultados fructíferos.
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- La conexión en Darlington de los dos transistores

(2N3904 y TIP31) garantiza el poder trabajar con grandes
cantidades de corriente.

- Los resultados obtenidos del segundo circuito

construido por el otro subgrupo resultaron ser de gran
utilidad para cumplir a cabalidad con los objetivos de la
práctica.

- Se logro establecer que al variar el potenciómetro

conectado a la base del transistor, se puede variar la
sensibilidad del circuito a la luz. Permitiendo entender
más un circuito de aplicación de uso muy común como lo
es el de una lámpara de alumbrado público.

4. BIBLIOGRAFÍA

[1] http://www.google.com
Fecha: sábado 30 de Abril de 2011, hora: 2:00 p.m.

[2]_http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-
electronicos/material-de-clase-1/tema-3.-transistores-
de-union-bipolar-bjt.pdf
Fecha: sábado 30 de Abril de 2011, hora: 2:01 p.m.

[3]_http://www.unicrom.com/tut_transistor_como_switch
.asp
Fecha: sábado 30 de Abril de 2011, hora: 2:20 p.m.

[4] Apuntes del curso de Electrónica I.