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Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 1
Sophia
COURS
COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
Philippe Lorenzini
Polytech Nice Sophia
Références:
• H.Mathieu Physique des SC et Composants électroniques, Dunod, 2002
• F. Schubert, Light emitting diodes, « www.lightemittingdiodes.org »
• J. Singh, optoelectronics devices, McGrawHill, 1996
• D.A. Neamen, « semiconductors physics and devices », McGrawHill, 3° Ed, 2003
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composants optoélectroniques 2
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Composants optoélectroniques
• Interaction Rayonnement – SC
• Photons, électrons
• Interaction électron – Photons
• Absorption
• Émission
• Photo-détecteurs
• LEDs
• Lasers
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Rayonnement électromagnétique
Equations de Maxwell:
H
ro tE µ0
t
E E e j ( t k . r )
E 0
ro t H
t
divE 0 2 pulsation
divH 0 k vecteur d’onde
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Rayonnement électromagnétique
• Dans un cristal
p k p2
E V (r )
2m
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• 3 processus: 1.24 2
E (eV ) ;k
• Absorption ( µm)
• Émission spontanée
• Émission stimulée (dans les lasers)
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Règles de sélection
Ee-
• Conservation de l’énergie
et de la qté de
mouvement:
• Absorption
E f Ei E photon
p f pi p photon kélectron
• Émission
Ei E f E photon
pi p f p photon 1
1
a
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Règles de sélection
Eph 1 1
2
k photon
Ee- 1000
• Conservation de l’énergie
et de la qté de
mouvement:
k f ki k photon kphoton
Conservation de l’énergie:
Si absorption, Eph > Eg
Conservation de p:
Ordre de grandeur de k 1
1 kélectron
a
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RECOMBINAISON
RADIATIVES ET NON
RADIATIVES
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« envoi » des électrons et des trous
dans les bandes « n’importe comment »!
--------
---- ----
-- --
Recomb
EF e-h
+ + +
++++
Retour à l’équilibre
EFn --------
---- ----
-- --
EF
+ +
+++ ++++
EFp +++++
On coupe
l’excitation
Hors équilibre équilibre
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nb ph émis nb photon D( E )
de manière spontanée N ( E ) E / kT
dans le matériau e 1
par s et cm3
r ( E ) rsp ( E ) N ( E )rst ( E )
rst(E)>0 émission de photon (ampli de lum)
rst(E)<0 absorbe un rayonnement de photon
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E = Ei - Ej
nb d’e- ds l’état i
Proba. pour que cette
Ej , gj recombinaison soit radiative
rst ( E ) i Aij .g i .g j f i (1 f j ) f j (1 f i )
j
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E'
rsp (E) B(E' ,E)Nc (E')fc (E')Nv (E'E)(1 fv (E'E))dE'
E'
rst (E) B(E' ,E)Nc (E')Nv (E'E)[fc (E') fv (E'E)]dE'
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Taux net d’émission de photon -5
Rq: on peut montrer que dans les matériaux dopés,
B est constant au voisinage des extrema de bandes
kT
E F
F E E E f v Eg h Eg
fc
N ( E ) 1 e ( E F ) / kT
r ( E ) rsp ( E )1 (1 ) E / kT
N0 (E ) e 1
n n0 n et p p0 p
n concentration en électrons libres
n0 concentration d’équilibre en électrons libres
n, p concentration en excès d’e- et h+
dn dp
R Bn p Rst
dt dt
R taux de recombinaisons par cm3 par s
B coefficient ambipolaire de recombinaison
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p n rp
1
et rn
1
R avec
rp rn Bn0 Bp0
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n0 p0 rn rp d' où r rp
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Recombinaison des porteurs en excès – durée de
vie non radiative
• « chemin non radiatif »:
• Centres de recombinaison
• Émission phonon ou effet Auger
nr
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1 1 1
r nr
• On définit le rendement radiatif par:
1
r nr
1 1 r nr
nr r
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Évolution temporelle de la densité de porteurs
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Photo - excitation
• Les caractéristiques du rayonnement sont:
• Longueur d’onde ou son énergie E=h
• L’intensité I
• La puissance P en watts
nb de photons qui
arrive /s et/cm3
T
P(W)=0(E). h
r Puissance
Énergie des
photons
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Photo - excitation
• Soit R(E) le coefficient de réflexion ou pouvoir réflecteur:
1 d(E, x)
(E, x) dx
(E, x) T (E,0)e (E)x
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Photo - excitation
(E, x)
g(E, x)
x
• On écrit alors:
• Pour le calculer:
E
g(x) g(E, x)dE
2
1n
• R(E) ? Au voisinage du gap R cte 30%
1n
• 0(E) ?
• (E) ? On peut l’approximer par 1 échelon
• = 0 si E < Eg
• cm-1 si E > Eg
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Coefficient d’absorption
• Dans le cas de transitions
verticales, la relation liant
k
l’énergie du photon (>Eg) Ec
et le vecteur d’onde est: Ee
EFn
EFp Eg
2k2 1 1 2k2 Eh
Eg ( * * ) Eg
2 mc mv 2m*r Ev
k=0
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Coefficient d’absorption
• Pour une lumière non polarisée dans un SC, le
coefficient s’écrit:
2
2p2 2pcv
2
e cv Ncv () 2 1 20eV
m m0
• La 2nrc 0m0d’états
densité 3
m0 jointes:
(23eV pour GaAs)
2 (m*r )3 / 2 ( Eg )1 / 2 1 3
Ncv () 2 3
J m
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2
1 e²nr 2 e ²nr 2p cv 1
Wem () pcv ( ) s
0 30m0c
• De façon stimulée: 2 3 2 3
60m0c m02
e²nr 2 1
Wst () p n
2 3 2 cv ph
( ω) s
30m0c
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Gain du matériau
• C’est la différence entre le coefficient d’émission et le
coefficient d’absorption:
2p2
2
e cv Ncv () 2 e e h h e e h h
g() f (E )f (E ) (1 f (E ))(1 f (E ))
2nrc 0m0 m0 3
k
Ec
2p2 Ee
2
e cv Ncv () 2 e e h h
g() f (E ) (1 f (E )) EFn
2nr c 0m0 m0 3
Eg
EFp
2p2
Eh
2
e cv Ncv () 2 e e h h
g() f (E ) f (E ) 1
2nr c 0m0 m0 3
Ev
k=0
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Gain du matériau
• Si fe(Ee) = 0 et fh(Eh) =0
2 2p2
e cv Ncv () 2
g()
2nrc 0m0 m0 3 0 0 1 ()
• Pour que le gain soit >0 (inversion de population)
f e (Ee ) f h (Eh ) 1
• Et alors
I(x) I0 exp(g x) I0
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Photo - excitation
x g(x)
g(x) [1 R]0 (E)e dE
Eg cm-1
Injection électrique
Polarisation d’une jonction pn en direct. Le système est hors
équilibre. Le retour à l’équilibre s’accompagne de recombinaisons,
qui si elles sont radiatives, émission de photons.
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HOMO-JONCTION À
SEMI-CONDUCTEUR
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Homo-jonction à semi-conducteur
Dp n2 n2i eV / kT
I eA i Dn (e 1)
P ND N NA
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Dp D e(V V ) / kT
I eA NA n ND e D
p
n
0 0 Vth VD Eg / e
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Les photo-détecteurs
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Les photo-détecteurs
• Rôle : convertir un signal lumineux en signal
électrique
• Propriétés attendues:
• Grande sensibilité
• Linéarité (surtout si signal analogique)
• Large bande passante électrique
• Fiabilité
• Faible coût
• Facilité de mise en œuvre
• Encombrement
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Les photo-détecteurs
• Solution dans le visible et proche IR:
• Jonction pn montée dans un boîtier comportant une fenêtre
transparente au rayonnement.
• Deux montages possibles:
• Jonction non polarisée montage photovoltaïque. Il est utilisé
pour la conversion de l’énergie solaire en électricité.
• Jonction polarisée en inverse montage photoconducteur. Il
est utilisé pour la détection de la lumière : photodiode PIN,
ADP, phototransistors
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Les photo-détecteurs
I
Vph V
J ph
V
A (b)
(a)
Les photo-détecteurs
dn( x, t ) 1 dJ n dp ( x, t ) 1 dJ p
rn g n rp g p
dt e dx dt e dx
Dans le cas des électrons:
n
J n neµn E eDn
x
g n g p g (1 R)0e x e x
n n0
rn
n flux qui pénètre le matériau
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Cellule photoconductrice
Vs
d
L
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Cellule photoconductrice
• Conductance à l’obscurité:
0 e( µn n0 µ p p0 )
µp
enµn (1 ) avec p n GL p
µn
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Cellule photoconductrice
• Si on applique une tension courant:
J ( J d J L ) ( 0 ) E
• Le photo-courant:
µp
I L AJ L Aepµn (1 )E
µn
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Cellule photoconductrice
µp p µp
I L epµn (1 ) AE eGL ( )(1 ) AL
µn ttr µn
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Cellule photoconductrice
IL p µp
G (1 )
IL ttr
P
µn
C’est la rapport entre le taux de collecte des charges par les contacts au taux de
génération de ces charges
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Cellule photoconductrice
• C’est quoi le gain ?
• Si >1, les électrons peuvent parcourir plusieurs fois le
circuit avant de se recombiner avec un trou.
• Ex: L=100µm, V=10V, p=1µs
• Inconvénient:
• Fort courant d’obscurité bruit
E
F
(a)
recombination
+ +
p ++
+ + (b)
+
0 W
SiO (c)
p+ 2
n+
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1 et 3 : photo-courant de
diffusion
2 : photo-courant de
génération
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pn GL po
pn (x)
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Calcul du courant
2 (n p ) n p (n p )
Dn GL
x ² n0 t
x
x
en x 0, n p (0) n p 0
n p ( x ) Ae Ln
Be Ln
SP en x , n p () SP GL n 0
x
n p ( x) GL n 0 (GL n 0 n p 0 )e Ln
Courant de
d (n p )
saturation, existe
eDn n p 0 même à
J n1 ( x 0) eDn eGL Ln l’obscurité!
dx x 0
Ln
Photocourant dans les
régions de diffusion
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Calcul du photo-courant
d (n p )
Région p : J n1 eDn
ph
eGL Ln
dx
d (pn )
Région n : ph
J p1 eD p eGL L p
dx
Photodiode p-n
eV
I I ph I 0 (e kT
1) en inverse I ( I 0 I ph )
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Photodiode p-n
• Constante de temps:
• Courant de diffusion : lent 10-8 à 10-9 s
• Courant de génération : rapide ttr =W/vs (10-10 à 10-11
s)
• Donc il « faut »:
• Absorption uniquement dans la ZCE
• Zone frontale très mince
• W large mais pas trop sinon ttr trop grand (W=1/)
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Photodiode p-n
N e (paires collectées)
40 à 80 %
N p (photons incidents)
• Fonction du coefficient d’absorption
• Fonction de la longueur d’onde ( fh
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Photodiode p-n
• Sensibilité (responsivity):
I ph N e .e e
S ( )
Poptique N p .h hc
sensibilité
Photodiode PIN
• But : améliorer la sensibilité pour les grandes g et la
vitesse .
• Comment ? Augmenter la zone de collecte des
photons (g grand ray. pénétrant)
• On intercale une région intrinsèque entre p et n+. Si
polarisation suffisante, ZCE envahit la région
intrinsèque vitesse augmente
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Photodiode PIN
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Photodiode PIN
• Choix du matériau dépend de l’application:
• Communication (émetteur GaAs/AlGaAs)
• Détecteur Si (vitesse non critique)
• Détecteur Ge (g > 10µm)
• 1.55µm + vitesse détecteurs InGaAs
• Vision nocturne:
• HgCdTe
• InAs, InSb
• « solar blind » + UV:
• GaN, AlGaN
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Photodiode PIN
• « design » de la structure:
• Réflexion sur surface (perte :2 – 3%)
• Maximiser l’absorption dans ZCE (*)
• Attention à la vitesse
• Miroir métallique
• Minimiser les recombinaisons
• Matériau de haute pureté
• Minimiser le temps de transit
• ZCE la plus petite possible (voir *)
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GL ( x) J ph (0)(1 R ) exp(x)
• Jph(0(0) Flux de photons (nombre par cm2 et par
seconde)
• Photocourant
W
I L eA GL ( x)dx eAJ ph (0)(1 R )(1 exp(W ))
0
• rendement
IL
det
eAJph (0)
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Photodiode pin
• Linéarité de la réponse : meilleure que 1% sur
7 ordres de grandeur
• Capacité de la jonction: limite la vitesse
• C diminue si tension inverse augmente
• C augmente si surface sensible augmente
• Courant d’obscurité:limite la détection
• Élevé pour détection IR
• Fonction de la température (*2 si T=10°C pour Si)
• Tension de claquage
• Tension max supportable par le composant
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Cellule solaire
• Application importante
des pn : convertir
l’énergie solaire en
énergie électrique
• 2 modes:
• Mode photoconductif
• Mode photovoltaïque
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composants optoélectroniques 81
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Cellule solaire
Courant débitée par la diode (courant inverse compté positif)
eV
I I ph I s (e mkT
1)
Deux paramètres :
• la tension de circuit ouvert
mkT I ph
Vco ln(1 )
e Is
•Le courant de court circuit
I cc I ph
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Cellule solaire
Puissance débitée: Droite de charge 1/Rc
eV
P VI VI ph I s (e 1)V kT
eVm eVm / kT I ph
1 e 1
kT Is
eVm eVm / kT
Im Is e
kT R
Vm
1
c
Im
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composants optoélectroniques 83
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Cellule solaire
Influence de la résistance série
eV j
I I ph I s (e mkT 1)
V V j rs I
e (V rs I )
I I ph I s (e mkT
1)
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Cellule solaire
Rendement de conversion
Vm I m 6.2 eV 0.5 eV
conv
Psolaire
Fill factor:
I mVm
Ff
I ccVco
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Coefficient
d’absorption
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Cellule solaire
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composants optoélectroniques 89
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+50%
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DIODES
ÉLECTROLUMINESCENTE
LED ou DEL
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composants optoélectroniques 92
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Choix du matériau : dépend de l’application
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composants optoélectroniques 93
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LED
• Rapport taux
d’injection:
n n
p p
Utilisation d’hétéro-jonction
• Améliore le confinement
dans la région active
• Inconvénient:
résistance plus grande
• On fait des hétéro-
structures graduelles
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composants optoélectroniques 97
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Utilisation d’hétéro-jonction
• Couches de confinement (« blocking layers »)
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composants optoélectroniques 101
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V = h / e ≈ Eg / e
• Existence d’une résistance série
Eg EC E0 EV E0
V I Rs
e e e
I Rs resistive loss
EC – E0 electron energy loss upon injection into quantum well
EV – E0 hole energy loss upon injection into quantum well
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composants optoélectroniques 104
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Leds et rendements
# of photons emitted from active region per second Pint / (h )
int
# of electrons injected into LED per second I/e
rendement optique
P « rendement à la prise »
power
IV « wallplug efficiency »
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composants optoélectroniques 105
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E / (k T)
I(E) E Eg e
E Eg 12 k T
E 1.8 k T
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composants optoélectroniques 107
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LEDS : EXTRACTION
DE LA LUMIÈRE
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composants optoélectroniques 110
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• Loi de Descartes:
2 2
n 1 3.5 1
R 30%
n 1 3.5 1
Pescape 1 c 2 1
1 1 c2
Psource 2 2 4
Pescape 1 nair 2
Psource 4 ns 2
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composants optoélectroniques 113
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Psource nair 2
Iair 2 2 cos
4 r ns
n2
n1
n2
n0
pertes
angle maximum
1 2 2 1/ 2 1
A sin (n1 n2 ) sin 1 ( An )
1
n0 n0
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composants optoélectroniques 116
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A
I ph ( ) sin d
fibre 0
/2 sin 2 A 10%
0
I ph ( ) sin d
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composants optoélectroniques 117
Sophia
1 r1
nr 2
R 2N
1 nr1
n
r2
2Bragg n
stop _
neff
1
1 1
neff 2
n1 n2
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composants optoélectroniques 123
Sophia
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composants optoélectroniques 124
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LE LASER À SEMI-
CONDUCTEUR
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composants optoélectroniques 125
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Laser à SC
• 1° MASER en 1954
• 1° LASER en 1962
Laser à SC
• Fonctionnement: 0
• Inversion de population
• Laser à 4 niveaux N1
h
N2
• Pompage
• N1 augmente et N2 diminue 3
• Tant que N2>N1 le photon incident induit des transitions de N2 vers
N1
• Si N1>N2, le photon incident induit des transitions de N1 vers N2
par émission stimulée
• N1>N2 inversion de population ( Temp<0) ie l’état d’énergie
supérieur plus peuplé
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composants optoélectroniques 127
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Laser à SC
EFn --------
N1 ----
--
h
h
N2
+
+++
EFp +++++
Effet LASER :
E F > Eg et effet Auger (2) < Absorption normale (1)
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composants optoélectroniques 129
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Laser à SC
• Jonction PN
doublement dégénérée
!
• La zone active plus côté
p que côté n (voir LED)
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composants optoélectroniques 130
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Laser à SC
1
g(E) rst (E)
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composants optoélectroniques 132
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g (E) P (E)
Soit A(E) le gain net :
Si A(E) >0, condition
A( E ) g ( E ) P ( E ) nécessaire et suffisante
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composants optoélectroniques 133
Sophia
Led
2
1
n superradiante
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composants optoélectroniques 135
Sophia
Laser à SC
• en 1: 1 ( E )
n
• en 2: 2 ( E ) 1e A( E ) L
1 2
• en 3: 3 ( E ) 1e A( E ) L
R1 4
3
• en 4: 4 ( E ) 1e 2 A( E ) L
R1
• en 5: 5 ( E ) 1e 2 A( E ) L
R1 R2 p
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composants optoélectroniques 138
Sophia
R1 R2 5
1 1
A ln
2 L R1 R2
1 1 p
A ln Si R1=R2
L R
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composants optoélectroniques 139
Sophia
Laser
• Condition d’amplification : A(E) > 0
1 1
• Condition d’oscillation : A( E ) ln
L R
• Dans ce cas, le gain est supérieur aux pertes de la cavité
• Résumé:
• g(E) > 0 cond. nécessaire => LED
• g(E) >p(E) cond. suffisante (ampli) => LED
superradiante
Laser
2 nL k
• n: indice, L: longueur de la cavité, k: ordre
d’interférence
2
dn 1 dn
avec 1µm 1 pour GaAs
(n )
2L d d
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composants optoélectroniques 143
Sophia
• horizontal
1
h
6
• vertical l 10
1
v 60
e 1
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composants optoélectroniques 144
Sophia
oscillations
• Si pas inversion
LED, le flux est
proportionnel au
1000
courant
• Quand Ef atteint la
bande (BC et BV) et 100
E. spontanée
I0 I
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composants optoélectroniques 145
Sophia
1/ 1 c 1 1
N v p ln
v N n 2 L R1 R2
ed 1 1 ed c 1 1 1
J th p log g th
A n N A n nindice 2L R1 R2
Gain au seuil
Facteur de gain, constante de la cavité
propre au composant
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composants optoélectroniques 148
Sophia
• Au-delà du seuil:
• Oscillation sur le mode sélectionné par la cavité
• Durée de vie des électrons excédentaires diminue (proba
émission stimulée augmente)
• Densité n=n0
N
N (J J0 )
ed
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composants optoélectroniques 149
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Laser: courant de seuil
en0 d
J th
n
• Courant de seuil est
proportionnel à l’épaisseur
de la cavité si la couche
active est suffisamment
large !
• Si d plus petite que la
longueur d’onde d’émission,
le confinement optique
commence à décroître et le
courant de seuil augmente
• Si d de l’ordre de qq 100
Angstrom, effets quantiques
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Laser: Confinement optique:
Zone active Onde optique
confinée
cavité
F ( z ) dz
Constante diélectrique
région p
région n
2
F ( z) dz
1 1
=> Condition d’oscillation: g i (1 ) e log
2L R1 R2
Gain modal:
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Laser: Confinement optique:
D 2
2 2
avec D ( n n 2 1/ 2
e) d
2 D 2
i
d=250 ang
2 2
sp (ni2 n 2 ) d 2
2 e
N pd p
mp N p sp
N p d p Nb db
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Ec Ec
1 1
g P log
2L R1 R2
• Comme R=0.3, on doit avoir L de l’ordre de 100 µm pour
avoir Jth raisonnable.
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1 r1
nr 2
R 2N
1 nr1
n
r2
Avec:
• nr1<nr2
• d1=d2
• L de l’ordre de 10
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• Avantages:
• Taille réduite du composant
• Lumière sort perpendiculairement (télécom)
• L petite, donc courant de seuil faible (< 100µA)
• Difficultés:
• Injection du courant (DBR dopés)
• Faible puissance de sortie (volume actif petit)!)
• Échauffement du dispositif (résistance importante
• Dégradation de performances
• Courant de seuil
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Influence de la température
• Température et courant de seuil:
• Courant de seuil augmente
• « aplatissement » des fonctions de Fermi augmentation
de l’injection pour atteindre les conditions d’inversion
• Augmentation du courant de fuite
• Les porteurs peuvent franchir les couches de confinement
(« cladding layers ») et une part du courant ne sert pas à
l’effet Laser
• Augmentation de l’effet Auger
• Processus non radiatif !
On essaye d’avoir
J th (T ) J exp(T / T0 )
0
th T0 le plus grand possible.
Pour GaAs , 120 K
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Influence de la température
q 0
qq 2 L ; q
nr
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NP
i
Ne
Puissance optique interne: c’est la puissance créée par
émission stimulée. On néglige la puissance émise par
émission spontanée
Pint i h ( I I th ) / e
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d ( Popt )
'
d
en mW/mA
dI
Attention : ici Popt est la puissance émise par les 2 faces!!
Dans les docs, c’est par une face!!
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• Rendement global
Popt / Pelec