INFORME DE ELECTRONICA 1

PRACTICA No. 1
CURVA CARACTERÍSTICA DE DIODOS

Oscar Mauricio Angarita Santofimio 20161007037

e-mail: oscarmauricio.futbol@gmail.com

Diego Sebastián Bustos García 20161007025

e-mail: diego.sebas07@hotmail.com

Nicolas Velasquez Ospina 20161007024

e-mail: nicovel30@hotmail.com

I. RESUMEN  Observar el comportamiento de la

En este laboratorio se realizó el análisis de la corriente en un circuito de lazo simple
curva característica del diodo a través de la cuando hay un diodo presente
práctica indicada, se tomaron datos para tres  Observar la incidencia del diodo en el
diodos de diferente tipo, en el circuito se hizo comportamiento de la tensión de la
la medición de corriente del circuito y tensión resistencia puesta.
en los diferentes elementos usados variando  Identificar cual es el valor del voltaje en
la tensión de la fuente en un intervalo de -2 el que el diodo permite el paso de la
voltios a 2 voltios. En cada una de las corriente.
configuraciones se usó una resistencia de 50
omhs y de medio vatio conectado en lazo III. ESQUEMA EXPERIMENTAL Y
simple con la fuente y el respectivo diodo PROCEDIMIENTO
variando el voltaje de la fuente hasta tomar la
medida de 10 datos con valor negativo y 10 Para la realización de este laboratorio fue
datos positivos, para su realización se necesario utilizar una fuente generadora de
necesitaron los siguientes elementos: voltaje y un multímetro para la medición del
multímetro, caimanes, fuente, tres diodos, voltaje, además de una resistencia de 50 omhs y
protoboard y resistencia de 50 omhs. Con tres diodos diferentes, El laboratorio se
estas configuraciones se identificó el encuentra dividido:
comportamiento del diodo en forma
experimental. 1. Medición del voltaje en cada elemento
del circuito
II. OBJETIVOS Para realizar esta medición seguimos el
siguiente procedimiento:
 Conocer el funcionamiento del diodo
semiconductor típico, así como su  Para cada una de las configuraciones se
comprobación, identificación de conectan los diferentes diodos en serie
terminales y su polarización. 1
con la resistencia de 50Ω ( w¿ , y a
2
 su vez con la fuente de voltaje, la cual (-1.02) V 0 0 (-1.02) V
se ajusta variando la tensión en un (-0.98) V 0 0 (-0.98) V
intervalo de -2 a 2 voltios tomando así (-0.74) V 0 0 (-0,74) V
20 datos correspondientes al voltaje (-0.52) V 0 0 (-0.52) V
de cada diodo y de la resistencia. (-0.33) V 0 0 (-0.33) V
 Se procede a apuntar cada uno de los
datos tomados experimentalmente de
Tabla 1: Mediciones de voltaje en la resistencia
los diodos 1N4007, 1N44742A,
y en el diodo y medición de corriente en el
1N4004, en ese respectivo orden en
circuito con el diodo 1N4007.
las correspondientes tablas.
 Respecto a los valores de corriente en
cada circuito, los valores fueron
obtenidos con los cálculos realizados 2. Mediciones con el diodo 1N44742GP
dividendo el voltaje de la resistencia Diodo 1N44742A
sobre su valor en Ω. V. Fuente Corriente V. Resist V. Diodo
(Ver tabla 1, y 3) 250 mV 0 0 250 mV
0.43 V 0 0 0.43 V
0.6 V 0 0 0.60 V
0.82 V 1.53 mA 77 mV 0.74 V
1.02 V 4.78 mA 240 mV 0.77 V
1.22 V 8.36 mA 0.42 V 0.79 V
1.46 V 0.012 A 0.64 V 0.80 V
IV. RESULTADOS
1.62 V 0.015 A 0.80 V 0.81 V
EXPERIMENTALES
1.87 V 0.020 A 1.04 V 0.82 V
2.01 V 0.023 A 1.16 V 0.82 V
(-2.02) V 0 0 (-2.02) V
1. Mediciones con el diodo 1N4007 (-1.63) V 0 0 (-1.65) V
Diodo 1N4007 (-1.45) V 0 0 (-1.45) V
V. Fuente Corriente V. Resist V. Diodo (-1.26) V 0 0 (-1.26) V
0.2 V 0 0 205.34 mV (-1.17) V 0 0 (-1.17) V
0.43 V 31 nA 1.56 mV 0.43V (-1.05) V 0 0 (-1.05) V
0.66 V 131 nA 65.81 mV 0.59V (-0.97) V 0 0 (-0.97) V
0.81 V 3.4 mA 174 mV 0.64V (-0.76) V 0 0 (-0.76) V
1.039V 7.75 mA 359.24 mV 0.67V (-0.55) V 0 0 (-0.55) V
1.22 V 0.010 A 0.531 V 0.69V (-0.33) V 0 0 (-0.33) V
1.44 V 0.014 A 0.73 V 0.70V
1.67 V 0.018 A 0.94 V 0.71V Tabla 2: Mediciones de voltaje en la resistencia,
1.76 V 0.020 A 1.04 V 0.72V en el diodo y corriente en el circuito con diodo
2.06 V 0.026 A 1.32 V 0.73V 1N44742A.
(-2.06) V 0 0 (-2.06) V
(-1.7) V 0 0 (-1.7) V 3. Mediciones con el diodo 1N4004
(-1.42) V 0 0 (-1.42) V
Diodo 1N4004
(-1.26) V 0 0 (-1.26) V
V. Fuente Corriente V. Resist V. Diodo
(-1.15) V 0 0 (-1.15) V
203 mV 0 0 233 mV

2
 0.47 V 0 0 0.47 V (Ver Anexos: Tablas de porcentaje de
0.6 V 0.71 mA 36 m V 0.56 V error)
0.82 V 3.56 mA 179 mV 0.64 V 2. Análisis de graficas
1.05 V 7.41 mA 372 mV 0.67 V
1.29 V 0.011 A 0.57 V 0.69 V  En las gráficas se puede observar que
1.46 V 0.014 A 0.75 V 0.70 V hay un voltaje critico en el diodo, a partir
1.68 V 0.018 A 0.95 V 0.71 V del cual la corriente aumenta de forma
1.86 V 0.023 A 1.2 V 0.72 V notoria.
2.06 V 0.026 A 1.31 V 0.73 V  También se observa en las gráficas que el
(-2.05) V 0 0 (-2.05) V diodo consume hasta cierto punto de
(-1.84) V 0 0 (-1.84) V voltaje, es decir que se abre casi que en
(-1.65) V 0 0 (-1.65) V su totalidad y tiende a convertirse en un
(-1.44) V 0 0 (-1.44) V conductor. Se evidencia que cuando el
(-1.22) V 0 0 (-1.22) V diodo se acerca a ese punto, la corriente
(-1.04) V 0 0 (-1.04) V tiende a aumentar cada vez más con
(-0.84) V 0 0 (-0.84) V respecto al voltaje que se aplica al
(-0.61) V 0 0 (-0.61) V circuito.
(-0.45) V 0 0 (-0.45) V
(-230) mV 0 0 (-230) mV (Ver Anexos: Graficas)

Tabla 3: Mediciones de voltaje en la VI. CONCLUSIONES

resistencia, en el diodo y corriente en el
circuito con diodo 1N4004.
V. ANALISIS DE RESULTADOS
1. Análisis de error
 Se atribuyen gran parte de los
márgenes de error a los instrumentos
de medición, es decir, al multímetro.
 También se cree que parte de los
errores de las primeras cuarenta (40)
mediciones sean resultado de la
inexactitud de voltaje suministrado
por parte de la fuente de poder
análoga.
 La diferencia entre los diodos que se
usaron en los simuladores y los
diodos usados en el laboratorio es
bastante grande.
1. Los resultados experimentales confirman
que el diodo es un elemento que se puede
usar para limitar la corriente que circula
por el circuito en función del voltaje.
2. Para próximos laboratorios es necesario
coordinar bien los elementos que se
usaran en la simulación y en el
laboratorio.
3. El respectivo voltaje interno de cada uno
de los diodos determinara la diferencia
de potencial que se encontrara en la
resistencia
4. Al manejar el voltaje en valores
negativos podemos apreciar que el paso
de corriente por el circuito es mínima o
casi nula.

3
 VII. ANEXOS

1. Resultados de simulaciones

Imagen 1: Circuito con diodo 1N4007 y resistencia en serie de 50Ω.

DIODO 1N4007
VOLTAJE
PRUEBA FUENTE RESISTENCIA CORRIENTE RESISTENCIA VOLTAJE DIODO
1 (-0.33v) 50 Ohm (-34,048 nA) (-1.702 uV) (-2.06 V)
2 (-0,52v) 50 Ohm (-32,506 nA) (-1,625 uV) (-519,998 mV)
3 (-0,74v) 50 Ohm (-32,727 nA) (-1.636 uV) (-739,998 mV)
4 (-0,98v) 50 Ohm (-32,967 nA) (-1.648 uV) (-979,998 mV)
5 (-1,02)v 50 Ohm (-33,007 nA) (-1.65 uV) (-1,02 V)
6 (-1,15)v 50 Ohm (-33.137) nA (-1,657 uV) (-1,15 V)
7 (-1,26)v 50 Ohm (-33,200 nA) (-1.66 uV) (-1,26 V)
8 (-1,42)v 50 Ohm (-33.245) nA (-1,667 uV) (-1,42 V)
9 (-1,7)v 50 Ohm (-33,267 nA) (-1.672 uV) (-1,7 V)
10 (-2,06)v 50 Ohm (-33.287) nA (-1,684 uV) (-2,06 V)
11 2,06v 50 Ohm 27,057 mA 1,35 V 707,156 mV
12 1,76v 50 Ohm 21,309 mA 1,065V 695,556 mV
13 1,67v 50 Ohm 19,597 mA 979,85 mV 690,15 mV
14 1,44v 50 Ohm 15,26 mA 762,976 mV 677,024 mV
15 1,22v 50 Ohm 11,184 mA 559,222 mV 660,778 mV
16 1,039v 50 Ohm 7,924 mA 369,19 mV 642,81 mV
17 0,81v 50 Ohm 4,043 mA 202,161 mV 607,839 mV
18 0,66v 50 Ohm 1,853 mA 92,62 mV 567,373 mV
19 0,43v 50 Ohm 116,431 nA 5,822 mV 424,178 mV

4
 20 0,2v 50 Ohm 1,494 mA 74,696 mV 199,925 mV
Tabla 4: Resultados de la simulación del circuito con diodo 1N4007 y resistencia de 50Ω.

Imagen 2: Circuito de un diodo 1N4742A y una resistencia de 50Ω.

DIODO 1N4742A
VOLTAJE VOLTAJE
PRUEBA FUENTE RESISTENCIA CORRIENTE RESISTENCIA DIODO
1 (-0.33v) 50 Ohm (-335,36 pA) (-16.768 nV) (-330 mV)
2 (-0,55v) 50 Ohm (-555,55 pA) (-27,779 nV) (-550 mV)
3 (-0,76v) 50 Ohm (-765,79 pA) (-38.29 nV) (-760 mV)
4 (-0,98v) 50 Ohm (-844,89 pA) (-45.648 nV) (-980 mV)
5 (-1,02)v 50 Ohm (-33,007 nA) (-1.65 uV) (-1,02 V)
6 (-1,15)v 50 Ohm (-33.137) nA (-1,657 uV) (-1,15 V)
7 (-1,26)v 50 Ohm (-33,200 nA) (-1.66 uV) (-1,26 V)
8 (-1,42)v 50 Ohm (-33.245) nA (-1,667 uV) (-1,42 V)
9 (-1,63)v 50 Ohm (-1,63 nA) (-81,83 nV) (-1,63 V)
10 (-2,06)v 50 Ohm (-33.287) nA (-1,684 uV) (-2,06 V)
11 2,01v 50 Ohm 28,58 mA 1,42 V 580,913 mV
12 1,87v 50 Ohm 25,83 mA 1,29 V 578,296 mV
13 1,62v 50 Ohm 20,94 mA 1,04 V 572,15 mV
14 1,46v 50 Ohm 17,82 mA 891,976 mV 568,024 mV
15 1,22v 50 Ohm 13,182 mA 659,211 mV 560,778 mV
16 1,02v 50 Ohm 9,36 mA 467,98 mV 552,81 mV
17 0,82v 50 Ohm 5,62 mA 281,161 mV 538,839 mV
18 0,60v 50 Ohm 1,81 mA 90,48 mV 509,512 mV
19 0,43v 50 Ohm 72,695 nA 3,635 mV 426,178 mV
20 0,25v 50 Ohm 79,68 nA 3,94 uV 249,996 mV
Tabla 5: Resultados de la simulación del circuito con diodo 1N4742A y resistencia de 50 Ω.

5
 Imagen 3: Circuito con diodo 1N4004 y resistencia en serie de 50Ω.

DIODO 1N4007
VOLTAJE
PRUEBA FUENTE RESISTENCIA CORRIENTE RESISTENCIA VOLTAJE DIODO
1 (-0.23v) 50 Ohm (-31,841 nA) (-1.592 uV) (-229.98 mV)
2 (-0,45v) 50 Ohm (-32,431 nA) (-1,622 uV) (-449,998 mV)
3 (-0,61v) 50 Ohm (-32,727 nA) (-1.636 uV) (-609,998 mV)
4 (-0,82v) 50 Ohm (-32,967 nA) (-1.648 uV) (-819,998 mV)
5 (-1,04)v 50 Ohm (-33,027 nA) (-1.65 uV) (-1,04 V)
6 (-1,22)v 50 Ohm (-33.137) nA (-1,657 uV) (-1,22 V)
7 (-1,44)v 50 Ohm (-33,200 nA) (-1.66 uV) (-1,44 V)
8 (-1,65)v 50 Ohm (-33.245) nA (-1,667 uV) (-1,65 V)
9 (-1,84)v 50 Ohm (-33,267 nA) (-1.672 uV) (-1,84 V)
10 (-2,05)v 50 Ohm (-33.287) nA (-1,684 uV) (-2,05 V)
11 2,06v 50 Ohm 27,057 mA 1,35 V 707,156 mV
12 1,86v 50 Ohm 21,309 mA 1,065V 695,556 mV
13 1,68v 50 Ohm 19,597 mA 979,85 mV 690,15 mV
14 1,46v 50 Ohm 15,26 mA 762,976 mV 677,024 mV
15 1,27v 50 Ohm 11,184 mA 559,222 mV 660,778 mV
16 1,05v 50 Ohm 7,924 mA 369,19 mV 642,81 mV
17 0,82v 50 Ohm 4,043 mA 202,161 mV 607,839 mV
18 0,60v 50 Ohm 1,853 mA 92,62 mV 567,373 mV
19 0,47v 50 Ohm 116,431 nA 5,822 mV 424,178 mV
20 0,23v 50 Ohm 1,494 mA 74,696 mV 199,925 mV
Tabla 6: Resultados de la simulación del circuito con diodo 1N4742A y resistencia de 50 Ω.

6
 2. Tablas de porcentaje de error Tabla 14: Porcentaje de error en circuito de
diodo 1N4742A y resistencia de 50Ω.
1N4007 y resistencia de 50Ω
V Fuente V Diodo (%) Corriente (%)
0,2 V 15,46 100,4
14,946
0,4 V 73,37
10,683
0,6 V 29,303
0,8 V 71,37 6.25
1V 4.48 35.09
1,2 V 19,64 10,586
-7,828
1,4 V 8,2568
-36,20
1,6 V 8,1497
-49,123
1,8 V 6,1429
-86,669
2V 3,9065
Tabla 13: : : Porcentaje de error en circuito de
diodo 1N4007 y resistencia de 50Ω. 1N4004 y resistencia de 50Ω.
V Fuente V Diodo (%) Corriente (%)
1N4742A y resistencia de 50Ω 0,2 V 10.81 71,37
V Fuente V Diodo (%) Corriente (%) 0,4 V 6.11 4.48
0,2 V -6.66 73,37 0,6 V 13.52 19,64
0,4 V 0.87 29,303 0,8 V 11.12 2.16
0,6 V 7.08 6.25 1V 10.09 4.08
0,8 V 8.34 -21.32 1,2 V 10.51 2.08
1V 7.14 -7.05 1,4 V 71,37 1.34
1,2 V 9.27 -10.14 1,6 V 4.48 73,37
1,4 V 8.51 -9.90 1,8 V 19,64 29,303
1,6 V 10.00 -6.08 2V 8.20 6.25
1,8 V 8.33 -4.80 Tabla 15: Porcentaje de error en circuito de
2V 6.93 -3.97 diodo 1N4004 y resistencia de 50Ω.

7
3. Graficas

Las siguientes graficas corresponden a los resultados experimentales.

Diodo 1N4007
0.03

0.03

0.02
Corriente (A)

0.02

0.01

0.01

0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Voltaje (V)

Grafica 1: Diodo 1N4007 y resistencia de 50 Ω.

Diodo 1N4742A
0.03

0.03

0.02
Corriente (A)

0.02

0.01

0.01

0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Voltaje (V)

Grafica 2: Diodo 1N4742A y resistencia de 50 Ω.

 Diodo 1N4004
0.03

0.03

Corriente (A) 0.02

0.02

0.01

0.01

0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Voltaje (V)

Grafica 3: Diodo 1N4004 y resistencia de 50 Ω.