UNIVERSIDAD DE CUENCA

FACULTAD DE INGENIERÍA

ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA
PRÁCTICA 1:
EL DIODO SEMICONDUCTOR. PRICIPIO DE FUCNIONAMIENTO
AUTORES:
CARLOS SANANGO
ANGELO PEREIRA

Introducción

El presente trabajo está orientado al comportamiento de un diodo semiconductor y en

especial al principio de funcionamiento del mismo comprobando sus valores posteriormente
mediante su curva característica.

Objetivo General

 Determinar el principio de funcionamiento de un diodo semiconductor, mediante la

graficación de su curva característica, a partir de valores obtenidos de mediciones.

Objetivos Específicos

 Emplear el catálogo u hojas características para un diodo semiconductor.

 Conectar adecuadamente los instrumentos de medición de tensión e intensidad.
 Comprobar el principio de funcionamiento de un diodo semiconductor, empleando
un software de simulación (NI Multisim 10).

Materiales

 Fuente variable de CC.

 Protoboard
 Voltímetro CC.
 Miliamperímetro CC.
 Diodo 1N4148
 Resistencia 220 𝛺
 Cables de conexión.

Sustento teórico

Al unir un material tipo p con uno tipo n se forma una unión en la que se crea una región
denominada de agotamiento. Esta región se forma debido a que huecos y electrones se
combinan dando como resultado una falta de portadores mayoritarios en la región cercana a
la unión. El elemento así formado se denomina Diodo Semiconductor.
 Diodo 1N4148 de Germanio

Ya que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicación de un voltaje a través de

sus terminales ofrece tres posibilidades:

a) Sin Polarización ( )

En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga en cualquier

dirección para un diodo semiconductor es cero.

b) Polarización Directa ( )

Un diodo semiconductor se encuentra en polarización directa cuando se establece una

asociación tipo p con positivo y tipo n con negativo.

En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose

prácticamente como un corto circuito.
 c) Polarización Inversa ( )

Significa que la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha
del diodo), o sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se
comporta prácticamente como un circuito abierto.

La corriente que se forma bajo una situación de polarización inversa se denomina corriente
de saturación inversa y se representa por .

Procedimiento

a) Completamos el valor de la Tabla I de acuerdo a las especificaciones de la hoja de

característica del diodo semiconductor 1N4148

Tabla I
Diodo 1N4148
0.7 v
10 mA
100 µA
100 v

b) Armamos el siguiente circuito: Polarización Directa de un Diodo Semiconductor.

c) Variamos el voltaje de la fuente de acuerdo a los valores sugeridos de la Tabla II.

Posteriormente completamos la misma mediante la lectura que nos dio el voltímetro
y amperímetro en la escala adecuada.

Tabla II

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 1 2 3 4 5

[v]

0.06 0.18 0.32 0.43 0.45 0.53 0.58 0.59 0.63 0.71 0.74 0.76 0.78
[v]

0.01 0.01 0.01 0.02 0.05 0.36 0.69 0.95 1.73 5.65 9.33 14.3 18.3
[mA]
 d) Procedimos a armar el siguiente circuito: Polarización Inversa de un Diodo
Semiconductor.

Realizamos las mediciones correspondientes y completamos la tabla III para aquellos valores
sugeridos de Vs

1 2 3 4 5
[v]

1.011 1.99 3.02 4 5

[v]

0 0 0 0 0
[µA]

0.01 0.01 0.01 0.01 0.01

[mA]

e) Procedimos a graficar la Curva Característica del Diodo de acuerdo a los valores

obtenidos en las mediciones en los puntos c) y d).

Vs(V) VD(V) ID(mA) Is(uA)

0,1 0,06 0,01
0,2 0,18 0,01
0,3 0,32 0,01
0,4 0,43 0,02
0,5 0,45 0,05
0,6 0,53 0,32
0,7 0,58 0,69
0,8 0,59 0,95
1 0,63 1,73 0
2 0,71 5,65 0
3 0,74 9,33 0
4 0,79 14,3 0
5 0,78 18,3 0

Representación gráfica de la tabla II

 Representación gráfica de la Tabla III

f) Completamos la Tabla IV, empleando la ecuación característica de un diodo

semiconductor de Germanio , y considerando la temperatura de ambiente de 25°

Para obtener el valor de calculamos la media aritmética de los valores obtenidos en d),
Polarización Inversa de un Diodo Semiconductor.

0 0 0 0 0
[mA]

Por lo tanto el promedio es 0. Es decir:

Como:

Donde

Por lo tanto:

; Donde

Como en nuestro caso usamos el Diodo de Germanio, nuestra será igual a 1.

Por lo tanto:
Analizaremos para cada uno de los valores obtenidos:

Si

( )

De forma análoga:

Si Si

Si Si

mA

Si Si

Si Si

Si Si

Si Si

Con estos valores calculados de completamos la siguiente tabla.

Tabla IV

−5 −4 −3 −2 −1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

[v]

[v] 5 4 3.02 1.99 1.011 0 0.06 0.18 0.32 0.43 0.45 0.53 0.58
de c) y d)

[A] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
calculado

g) Procedimos a comprobar y analizar los resultados obtenidos en los literales c), d) y f),
llegando a la coincidencia de resultados para la corriente de saturación e , todos
ellos tendiendo a valores tan pequeños o a cero.
 h) Armamos el circuito del literal d) nuevamente, Polarización Inversa de un Diodo
Semiconductor.

Ajustamos el voltaje de la fuente al valor del voltaje Zener del diodo 1N4148 e hicimos un
incremento de 5v por cada medida, dando como resultados los siguientes valores de la
tabla:

102.6 103
105 105.2
110.1 110.1
114.8 115
120.2 120.4

Conclusiones

 Observamos que el diodo se comporta de manera abierta (“apagado”) cuando hay

una polarizacion inversa.

 Para el Diodo 1N4148 se dedujo una mayor tension umbral, lo cual implica que
requiere de un mayor voltaje en polarizacion directa para entrar en la zona de
conduccion, lo cual era de esperarse ya que el valor de la corriente de saturacion
inversa es pequeña.

 Basandonos en la Tabla II podemos concluir que las variaciones relativamente mas

significativas de corriente respecto a voltaje ocurren a partir de los 0.71 v, asi que se
puede considerar a este como el voltaje umbral teòrico del Diodo 1N4148.