Memorias de sólo

lectura (ROM)
ING. EDGAR ANDRE MANZANO RAMOS
La familia de las memorias ROM
ROM de máscara
Simplemente denominada ROM. Programada durante el proceso de fabricación. Una vez
programada, ésta no puede cambiarse.
Organización interna de ROM
Tiempo de acceso de la ROM
Memorias PROM
1. Una vez que las PROM (ROM programables) están programadas son prácticamente iguales
a las ROM de máscara.
2. La diferencia se encuentra en que las PROM salen de fábrica sin estar programadas.
3. El usuario las programa de acuerdo a sus necesidades.
4. Las PROM utilizan un mecanismo de fundición para programarse, este proceso es
irreversible.
5. Los tres tipos básicos de tecnologías de fusibles utilizados son las conexiones de metal, las
conexiones de silicio y las uniones 𝑝𝑛.
Memorias EPROM
1. Se trata de una PROM borrables, por lo tanto puede ser reprogramada.
2. Utiliza una matriz NMOSFET con una estructura de puerta aislada. Ésta no tiene ninguna
conexión eléctrica pudiendo almacenar una carga eléctrica en un periodo indefinido.
3. El borrado de un bit es un proceso que elimina la carga mencionada.
4. Existen dos tipos fundamentales de memorias EPROM: UV EPROM y EEPROM.
UV EPROM
1. Reconocible por la ventana de cuarzo transparente en su encapsulado.
2. El borrado se realiza mediante la exposición del chip de la matriz de memoria a una
radiación ultravioleta de alta intensidad (mediante la ventana de cuarzo).
EEPROM
1. PROM borradas eléctricamente.
2. Se programan y borran mediante impulsos eléctricos.
3. Los dos tipos de EEPROM son las MOS de puerta flotante y la de silicio óxido nitroso metal
(MNOS, Metal Nitride-Oxide Silicon).
4. Aplicar una tensión en la puerta de control de la estructura de puerta flotante permite el
almacenamiento y eliminación de la carga en la puerta flotante.
Memorias FLASH
1. Memorias de lectura / escritura de gran capacidad de almacenamiento de bits.
2. Son no volátiles.
3. Utilizadas frecuentemente en lugar de disquetes o unidades de disco duro de baja
capacidad.
4. Presenta una velocidad de operación comparativamente rápida.
Célula de memoria flash
Programación de una memoria flash
Lectura de una memoria flash
Borrado de una memoria flash
Flash vs ROM, PROM, EPROM y EEPROM
1. La ROM y PROM es un dispositivo de alta densidad. Sin embargo, su contenido no puede
alterarse. Su programación inicial es un proceso costoso y demanda mucho tiempo.
2. La EPROM también presenta alta densidad. Sin embargo sólo se puede borrar utilizando luz
ultravioleta. La reprogramación necesita un equipo especial.
3. La EEPROM no presenta una densidad tan alta, debido a que tiene una estructura más
compleja que las anteriores. Por tanto el coste por bit es mayor que las ROM y EPROM.
4. La memoria flash se reprograma fácilmente, su densidad es comparable a una ROM o una
EPROM. Al igual que las anteriores, es no volátil.
Flash vs SRAM y DRAM
1. La SRAM es una memoria volátil. Dispositivo de lectura/escritura. Sus celdas de memoria se
basan en latchs, por tal motivo su densidad es relativamente baja.
2. La DRAM también es un dispositivo de lectura / escritura aunque de alta densidad. Sin
embargo, además de ser volátil, los datos almacenados requieren del proceso de
refrescamiento.
3. La memoria flash también es un dispositivo de lectura/escritura. No es volátil. Tiene una
densidad mucho más alta (incluso más alta que la DRAM). Típicamente consume menos
potencia que una DRAM equivalente.