Freud Sigmund Obras Completas Imago Vol 04 1900

Eletrônica Analógica
Prof. Décio Rennó de Mendonça Faria
julho de 2018
Universidade Federal de Itajubá
Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
Sumário 2
1) A história da Eletrônica .............................................................................................................................. 4
2) Conceitos básicos de eletricidade .............................................................................................................. 6
2.1) Tensão e corrente ................................................................................................................................... 6
2.2) Resistividade dos Materiais .................................................................................................................... 7
2.3) Lei de Ohm .............................................................................................................................................. 9
2.4) Potência ................................................................................................................................................ 10
3) Materiais semicondutores ....................................................................................................................... 11
3.1) Estrutura cristalina ........................................................................................................................... 11
3.2) O cristal de germânio e o cristal de silício ........................................................................................ 11
3.3) O cristal de silício utilizado na eletrônica ......................................................................................... 12
3.4) O cristal com impurezas ................................................................................................................... 13
4) O diodo ..................................................................................................................................................... 15
4.1) Formação da Junção PN ........................................................................................................................ 15
4.2) A junção PN diretamente polarizada .................................................................................................... 16
4.3) A junção PN polarizada reversamente .................................................................................................. 16
4.4) O diodo ideal ......................................................................................................................................... 17
4.5) A curva de reposta aproximada de um diodo ...................................................................................... 19
4.6) Curva de tensão do diodo real .............................................................................................................. 19
4.7) Os portadores minoritários ................................................................................................................... 21
4.8) Cargas positivas, negativas e a corrente no diodo................................................................................ 23
4.9) Tensão de pico reversa (TPR) ................................................................................................................ 24
4.10) O tempo de recuperação reverso ....................................................................................................... 27
4.11) A construção de um diodo real ........................................................................................................... 28
4.12) A resistência apresentada pelo diodo ................................................................................................. 30
4.12.1) Resistência DC .............................................................................................................................. 30
4.12.2) Resistência Dinâmica ................................................................................................................... 30
4.12.3) Resistência Dinâmica Média ........................................................................................................ 32
4.12.4) Resistência total de um diodo...................................................................................................... 33
5) Circuitos com diodos ................................................................................................................................ 33
5.1) Circuito série com entrada DC ........................................................................................................... 33
5.2) Circuito paralelo com entrada DC (análise teórica) ......................................................................... 36
5.3) Circuito paralelo com entrada DC (situação prática) ............................................................................ 37
5.4) Resolução de problemas pela reta de carga ......................................................................................... 38

3
5.5) Entrada senoidal, retificador de meia onda ...................................................................................... 40
5.6) Retificador de onda completa com center tap ..................................................................................... 44
5.7) Retificador de onda completa em ponte ........................................................................................... 48
6) Fontes de alimentação ............................................................................................................................. 50
6.1) Fonte com retificador e filtro capacitivo............................................................................................... 50
6.1.1) Fator de ripple ................................................................................................................................ 53
6.1.2) O cálculo exato da tensão de ripple ............................................................................................... 53
6.1.3) O cálculo aproximado da tensão de ripple .................................................................................... 54
6.2) A corrente de surto ............................................................................................................................... 56
6.3) Fontes com filtro LC .............................................................................................................................. 59
7) Diodo Zener .............................................................................................................................................. 60
7.1) Ponto de operação de um diodo zener................................................................................................. 60
7.2) O circuito com Diodo Zener e carga fixa ............................................................................................... 61
7.3) O circuito com Diodo Zener e carga variável ........................................................................................ 64
7.4) O circuito com Diodo Zener e fonte variável ........................................................................................ 65
7.5) Calculando o valor de RS ....................................................................................................................... 66
7.6) O Diodo Zener real ................................................................................................................................ 67
8) Circuitos dobradores e multiplicadores de tensão .................................................................................. 68
8.1) Circuito dobrador de tensão ................................................................................................................. 68
8.2) Circuito multiplicador de tensão ........................................................................................................... 69
9) Diodos especiais ....................................................................................................................................... 71
9.1) Varicap .................................................................................................................................................. 71
9.2) Diodo Emissor de Luz ( LED ) ................................................................................................................. 73
9.3) Fotodiodo .............................................................................................................................................. 76
9.4) Diodo Shocttky ...................................................................................................................................... 77
10) Análise de superposição de efeitos ...................................................................................................... 78
11) As folhas de dados (datasheet) ............................................................................................................ 81
1) A história da Eletrônica 4
A necessidade da amplificação de sinais elétricos surgiu no final do século 19 com o uso de

linhas de telefone e receptores de rádio. Naquela época os receptores de rádio dependiam
basicamente da energia fraquíssima que chegava à antena e o telefone só funcionava a curtas
distâncias.
Com o objetivo de melhorar esses sistemas, em 1907 o americano Le de Forest desenvolveu

um dispositivo que permitia amplificar tanto os sinais de rádio como os sinais de voz. Le de Forest
utilizou um fenômeno observado por Thomaz Edson quando tentava melhorar a lâmpada e que foi
utilizado por John Ambrose Fleming no invento da chamada “Válvula Eletrônica”.
Basicamente a válvula eletrônica é um dispositivo que provoca a emissão de elétrons pelo
aquecimento de um metal (catodo) e a coleta de elétrons por outro metal não aquecido (placa).
Fig. 1.1 – Válvula diodo

A grande inovação de Le de Forest foi a colocação de uma grade metálica que permitia
controlar o fluxo de elétrons da válvula. Esta nova configuração passou a se chamar válvula tríodo. 5
Fig. 1.2 – Válvula triodo
Como demonstrado por Le de Forest este dispositivo amplificava os sinais que chegavam à
grade de controle.
Porém, a eletrônica que temos hoje nada se parece com a eletrônica das válvulas. A válvula
eletrônica apresentava uma série de inconvenientes: Com o tempo perdia a capacidade de emissão,
ocupava muito espaço, consumia energia para aquecimento, seu filamento queimava e outros. Em
1947 algo extremamente novo foi criado, uma nova tecnologia foi desenvolvida pelos físicos
Bardeen, Brattain e Shockley: A tecnologia dos semicondutores. Este novo dispositivo não
funcionava com aquecimento, não se desgastava com o uso e era pequeno a ponto de caber no bolso
de sua roupa.
Fig. 1.3 – Os físicos Bardeen, Brattain e Shockley e transistores.
Atualmente a tecnologia dos semicondutores utiliza o silício como seu principal elemento e
esta nova tecnologia substituiu totalmente a tecnologia da válvula havendo poucas exceções. Pode-
se dizer que estamos vivendo na era do silício. Ele está presente em todos dispositivos eletrônicos:
computadores, rádios, televisores, celulares e etc, sendo este a base de nosso curso.
2) Conceitos básicos de eletricidade 6
2.1) Tensão e corrente
Todos nós sabemos que as partículas eletricamente carregadas sofrem um efeito de atração e
repulsão. Este fenômeno é descrito pela Lei de Coulomb que basicamente afirma o seguinte:
a) A força de atração ou repulsão é diretamente proporcional ao valor das cargas.

b) A força diminui ao quadrado da distância entre as cargas.
c) Será força de atração se as cargas forem de sinais opostos e repulsão se forem cargas iguais.
Matematicamente podemos escrever:
Onde:
K = constante de Coulomb. No vácuo K = 9.109

Q1 = Valor da carga em Coulombs
Q2 = Valor da carga em Coulombs
d = distância entre as cargas, em metros.
Esta é a força responsável pela corrente elétrica (movimento dos elétrons) e todos os
fenômenos associados à eletricidade.
Vamos considerar agora um material que possua elétrons (cargas negativas) que possam ser
facilmente deslocados. Se aplicarmos um potencial positivo em um dos lados e fornecermos
elétrons do outro, teremos uma circulação destes elétrons pelo material.
Fig. 2.1 – Corrente elétrica em um material concutor.
Essa movimentação é chamada de corrente elétrica e é medida em amperes (A). A força com
que a fonte provoca a circulação da corrente é chamada de diferença de potencial, ou tensão elétrica
e é medida em volts (V).
2.2) Resistividade dos Materiais

Como visto, a corrente elétrica é o movimento dos elétrons. Chamamos de elétrons livres de
um material aqueles elétrons que são facilmente movimentados. Os materiais que possuem uma
grande quantidade de elétrons livres são chamados “condutores”, aqueles que possuem poucos
elétrons livres são chamados “isolantes”.
Os fios e cabos elétricos são feitos de materiais condutores no interior e materiais isolantes no
revestimento.
Fig. 2.2 – Materiais condutores e isolantes utilizados nos cabos elétricos.
Todos os condutores, na temperatura ambiente (25ºC), até o momento, não são condutores
perfeitos e oferecem uma certa dificuldade à passagem da corrente elétrica. Esta dificuldade, ou
resistência à passagem da corrente é a resistividade do material. O germânio e o silício não são bons
condutores e também não são isolantes, eles são classificados como “Semicondutores”. Abaixo,
temos uma tabela com os principais condutores, semicondutores e isolantes. 8
Elemento Resistividade (Ohm.cm)
Prata 1,6.10-6
Cobre 1,7.10-6
Ouro 2,3.10-6
Alumínio 2,8.10-6
Germânio (puro) 47
Silício (puro) 21,4.104
Vidro 1012 à 1013
Âmbar 5.1016
Mica 9.1016
Quartzo (fundido) 75.1018
Para sabermos a resistência total de um condutor, representada pela letra R, devemos saber
a área e o comprimento deste condutor.
A fórmula utilizada é:
Onde:
R = Resistência em Ohms
ρ = Resistividade do material
L = Comprimento do condutor
A = Área em cm2
2.3) Lei de Ohm 9

Como vimos, a tensão elétrica da fonte impõe uma força de atração nas cargas provocando a
circulação da corrente elétrica. Vimos também que, os materiais condutores, por melhor que sejam
oferecem uma resistência à passagem dessa corrente.
A lei de Ohm estabelece uma relação entre tensão, corrente e resistência, sendo muito
simples, porém uma das leis mais importantes da eletricidade e da eletrônica. Segue abaixo sua
equação:
V=R.I
Analisando no aspecto matemático, se, por exemplo, a tensão V dobra de valor a corrente
também dobra, podemos ver também que, se a resistência R dobra de valor a corrente cai pela
metade. Ou seja, estes valores estão relacionados de forma linear.
Exemplo prático:
Encontrar a corrente no circuito abaixo:
Primeiramente cabe destacar alguns pontos importantes:
1) A unidade de resistência padrão é Ohm representada pela letra grega ômega ( Ω ), porém é
comum encontrar esquemas com valores 30R, que equivale à 30Ω.
2) O lado maior da fonte de alimentação é o lado positivo.
3) O sentido da corrente real é o sentido dos elétrons, ou seja, do negativo para o positivo da
fonte. Porém, o sentido utilizado na prática é sempre do positivo para o negativo.
Com o esquema e as informações acima, podemos agora calcular a corrente no circuito:
Resolvendo:
2.4) Potência 10
A resistência à passagem da corrente elétrica em um material provoca uma dissipação de
energia que na maioria das vezes ocorre na forma de calor (efeito Joule). No caso de lâmpadas,
essas dissipam boa parte da potência em forma de luz através da resistência do filamento.
Fig. 2.3 – Resistência utilizada como fonte de luz.
No caso de motores, esta potência é transformada em força mecânica. A potência é medida

em Watts (W) e pode ser calculada através das seguintes fórmulas:
Potência dissipada ou produzida
𝑃=V.I
𝑉
𝑃
𝑅
𝑃 𝑅 𝐼
Perceba que a potência aumenta ao quadrado do valor da tensão e ao quadrado da corrente.

Isso significa que, se dobrarmos a tensão em uma resistência, a potência dissipada por ela será
multiplicada por quatro.
Exemplo: Qual a potência de um chuveiro elétrico com resistência de 2,9Ω alimentado em 127V?
Resposta:
Podemos usar a equação que relaciona Potência, Resistência e Tensão:
Assim:
3) Materiais semicondutores 11
3.1) Estrutura cristalina

Os cristais são materiais encontrados na natureza formados por átomos, moléculas ou íons
agrupados em uma estrutura chamada rede cristalina.
Fig. 3.1 – Cristal de silício.
3.2) O cristal de germânio e o cristal de silício

Os circuitos eletrônicos atuais utilizam basicamente cristais de germânio ou cristais de silício,
sendo este último o mais utilizado.
Fig. 3.2 – Distribuição dos elétrons nos átomos de germânio e silício.
Como pode ser visualizado na ilustração acima, os átomos de germânio e os átomos de silício
possuem 4 elétrons na sua última camada (camada de valência).
A teoria dos octetos expõe que os átomos dos elementos ligam-se uns aos outros na tentativa
de completar a sua última camada com 8 elétrons. Assim, o átomo é considerado estável quando
possuir oito elétrons na última camada da eletrosfera. No cristal de silício, que possui 4 elétrons na
última camada, uma rede cristalina é formada através de ligações covalentes, onde cada átomo
compartilha seus elétrons com os átomos da vizinhança.
12
Fig. 3.3 – Ligações covalentes em um cristal de silício.
Esta estrutura não permite com facilidade a passagem da corrente elétrica, ao mesmo tempo,
está longe de ser um isolante. Por essa característica, recebe o nome de semicondutor.
3.3) O cristal de silício utilizado na eletrônica

O silício é muito abundante na natureza, estima-se que entre 20% e 30% da crosta terrestre é
formada por silicatos, entretanto, os cristais encontrados na natureza não são puros, outros
elementos se ligam e ficam presos dentro da estrutura cristalina. Por essa razão, esses cristais não
servem para construção de componentes eletrônicos. Os cristais de germânio, raramente são
utilizados atualmente. Os cristais utilizados na eletrônica moderna são fabricados à partir de uma
técnica ou processo chamado de Czochralski.
Fig. 3.4 – Ilustração da técnica de Czochralski.

O processo de Czochralski segue os seguintes passos:

13
1 - O silício puro é derretido ficando no estado líquido.
2 - Um pequeno pedaço de silício na forma cristalina é colocado no recipiente.
3 - Os átomos de silício derretidos começam a se ligar no cristal inserido.
4 - Lentamente o cristal começa a ser retirado do recipiente.
5 - Um bloco único de cristal puro está formado.
O resultado final desse processo é um bloco de silício puro, chamado de tarugo, que após
esfriamento é fatiado formando as lâminas de silício. O grau de pureza atingido é de 99,9999% ou
seja, existe um átomo de impureza à cada 10 bilhões de átomos de silício na estrutura.
Fig. 3.5 – Tarugo de silício puro.
3.4) O cristal com impurezas

Um cristal semicondutor puro tem pouca aplicação em circuitos eletrônicos. Para que se torne
útil, impurezas (outros elementos) são adicionadas à estrutura cristalina alterando suas
propriedades. Ao adicionar elementos que possuam 5 elétrons na última camada (impurezas penta
valentes), como fósforo ou antimônio, teremos uma estrutura cristalina com mais elétrons que o
necessário para o compartilhamento. 14
Fig. 3.6 – Cristal de silício com impureza pentavalente.
Podemos imaginar que se trata de um elétron livre, porém isso não é verdade. O átomo de
fósforo possui 5 elétrons na última camada, e este elétron está na estrutura cristalina por esse
motivo. Porém, como pela teoria dos octetos são necessários 8 elétrons para ligação entre os
elementos, este elétron excede o número de elétrons compartilhados na ligação.
Um cristal com impurezas pentavalentes é chamado de cristal N, pois, como sabemos o
elétron possui carga negativa.
O processo de inserção de elétrons na estrutura cristalina é chamado de “dopagem”. A grande
maioria dos componentes semicondutores são dopados.
Seguindo o mesmo raciocínio, um cristal puro pode ser dopado com impurezas que possuem
somente 3 elétrons na última camada, como por exemplo, boro, alumínio e gálio. Neste caso faltará
um elétron para ser compartilhado e chamaremos de cristal P.
Fig. 3.7 – Cristal de silício com impureza trivalente.
Por estarem com elétrons faltando ou sobrando os cristais dopados são melhores condutores
se comparados ao cristal sem impurezas.
Os cristais puros são chamados cristais intrínsecos e os cristais com impurezas cristais
extrínsecos. O grau de impureza típica é de 1 átomo de impureza para cada 1 milhão de átomos de
silício, um valor bem maior comparado à 1 bilhão de impurezas do silício puro.
4) O diodo 15
4.1) Formação da Junção PN

Unindo um cristal N com um cristal P, os elétrons do cristal N tenderão à preencher as
lacunas (falta de elétron, representada como carga positiva) do cristal P. Esta corrente é chamada de
corrente de difusão e é provocada pelo gradiente de concentração ou em outras palavras pela
diferença entre o número de cargas em excesso de um lado e a falta de cargas no outro lado.
Fig. 4.1 – Corrente de difusão em uma junção PN.
Este deslocamento de cargas produz uma região chamada região de depleção, onde os elétrons
que sobram na ligação do cristal N preenchem os espaços vazios do cristal P.
Fig. 4.2 – Formação da região de depleção.
Neste momento uma pergunta pode ser feita: Por quê este deslocamento de cargas só ocorre
próximo da junção?
A resposta é que no centro o átomo se desiquilibrou, o número de prótons não é mais igual
ao número de elétrons, assim estas cargas formam uma barreira (campo elétrico) que impede o
deslocamento de mais cargas e a estrutura se equilibra.
4.2) A junção PN diretamente polarizada 16

A junção PN é a base de toda a eletrônica moderna. O componente mais simples formado por
essa estrutura é o diodo. Para entender seu funcionamento vamos aplicar uma diferença de potencial
(tensão elétrica) em uma junção PN e analisar o resultado.
Aplicando uma tensão positiva no cristal P e negativa no cristal N estaremos injetando mais
elétrons que poderão passar pela região de depleção em direção ao cristal P, chegando ao cristal P
estes elétrons serão atraídos pelo potencial positivo. Com isso, a junção PN funciona como um
condutor de corrente elétrica.
Fig. 4.3 – Junção PN polarizada diretamente.
4.3) A junção PN polarizada reversamente

Invertendo o sentido da fonte, estaremos aumentando o número de lacunas do cristal N, pois
os elétrons do cristal N serão atraídos pelo potencial positivo e aumentando o número de elétrons do
cristal P. Como consequência, haverá um aumento da região de depleção e nenhuma corrente
passará pelo componente pois haverá um equilíbrio de forças entre o campo elétrico interno e o
campo elétrico provocado pelo potencial V.
Fig. 4.4 – Junção PN polarizada reversamente.
A corrente existente na polarização reversa é normalmente referenciada como Corrente de

Saturação Reversa (IS), porém seu valor é tão pequeno que na prática podemos desconsiderá-la.
17
4.4) O diodo ideal
Na eletrônica dos semicondutores, o diodo é um componente formado de uma única junção
PN tendo como principal característica a condução da corrente elétrica em um único sentido.
Fisicamente, no caso mais comum, possui dois terminais. O lado do cristal P é denominado
anodo e o lado do cristal N chamado de catodo, nos esquemas este componente é representado pelo
símbolo:
Fig. 4.5 - Símbolo do diodo (A – anodo, K – catodo).
Fig. 4.6 - Alguns encapsulamentos utilizados para os diodos.
Uma faixa contínua no componente indica o lado do catodo.

No sentido convencional da corrente, esta circula do anodo para catodo. Neste modo
dizemos que o diodo está diretamente polarizado. 18
Fig. 4.7 - Circuito com diodo polarizado diretamente.
Perceba que a tensão positiva está no anodo. Uma vez que a tensão no anodo é maior que a
do catodo o diodo está polarizado diretamente e conduz como se fosse uma chave fechada.
Fig. 4.8 - Circuito fechado representando o diodo polarizado diretamente.
Invertendo o sentido da fonte, a tensão mais positiva será aplicada no catodo. Nesta
condição o diodo estará polarizado reversamente e não haverá circulação de corrente.
Fig. 4.9 - Circuito com diodo polarizado reversamente.
Fig. 4.10 - Circuito aberto representando o diodo polarizado reversamente.

4.5) A curva de reposta aproximada de um diodo 19

O diodo, como todos os componentes, não funciona de maneira ideal. Para que ocorra
circulação de corrente na polarização direta, a fonte deve ser maior que um determinado valor. Este
valor é chamado por alguns autores de tensão de disparo, tensão de offset ou tensão limiar (em
inglês threshold) representada como tensão VT. Esta tensão é necessária para produzir um campo
elétrico que supera a intensidade do campo elétrico formado na região de depleção. De uma maneira
geral temos:
VT = 0,7V (Sílicio)
VT = 0,3V (Germânio)
Com esta informação, podemos representar o comportamento de um diodo em uma curva:
Fig. 4.11 - Curva de resposta aproximada do diodo de silício.
4.6) Curva de tensão do diodo real

A curva da fig. 4.11 é aproximada. Esta curva nos mostra que a partir de 0,7V o diodo
conduz como uma chave fechada levando a corrente para valores muito altos, porém com uma
queda de aproximadamente 0,7V. Nos diodos reais, a corrente aumenta aos poucos obedecendo a
seguinte equação:
( )
Onde:
IS = Corrente de saturação reversa

K = 11.600/ɳ com ɳ =1 para o germânio e ɳ =2 para o silício no início da curva.
TK = Temperatura em Kelvin (TK = Temperatura em Celsius + 273º) 20

e = Base do logaritmo natural ≃ 2,72
VD = Tensão aplicada no diodo
ID = Corrente no diodo
Obs.: Para correntes mais altas (longe do início da curva) o valor de ɳ é 1 para o germânio e para o
silício.
Abaixo podemos ver a curva real do diodo de silício 1N4148 fabricado pela NXP.
Fig. 4.12 - Curva de tensão x corrente direta do diodo 1N4148 da NXP.
Observe que, as curvas 1 e 2 mostram os valores típicos porém com temperaturas diferentes.
É importante salientar que IS também varia, dobrando seu valor à cada aumento de 10ºC.
4.7) Os portadores minoritários 21
A estrutura cristalina com suas ligações covalentes e seus átomos com um número de elétrons
igual ao número de prótons só existe à temperaturas muito baixas.
Fig. 4.13 – Estrutura cristalina perfeita.
Um átomo de silício é composto de 14 elétrons. Pelo modelo atômico idealizado por Niels
Bohr, os elétrons com carga negativa giram em torno de um núcleo com carga positiva. De acordo
com Ervin Schröndinger existem níveis energéticos que definem a posição das orbitas possíveis.
Para o silício temos a seguinte configuração:
Fig. 4.14 – Distribuição dos elétrons nas camadas e níveis energéticos.
Dois elétrons giram em torno do núcleo com uma energia de 0,3eV, 8 elétrons giram em uma
camada mais externa com 0,6eV e na camada de valência 4 elétrons orbitam com uma energia de
1eV. Mas o que ocorre à temperatura ambiente?
Fig. 4.15 – Mudança de camada com o aumento da energia de um elétron.

Na temperatura ambiente alguns elétrons da banda de valência recebem energia

(principalmente em forma de calor) e “saltam” para uma camada mais elevada chamada de banda 22
de condução. Nesta banda o elétron pode ser facilmente atraído por um campo elétrico e por esse
motivo o chamamos de elétrons livre. A ausência de elétron no átomo é chamada de lacuna e
podemos considera-la como uma carga positiva, uma vez que tende à atrair elétrons com cargas
negativas.
Esse processo recebe o nome de
Geração de Pares Elétron-Lacuna

Quando um elétron preenche a lacuna falamos que ocorreu uma recombinação. A energia
necessária para geração de Pares Elétron-Lacuna e a energia liberada em uma recombinação no
silício é de 1,1eV.
Em um diodo, temos cargas positivas e negativas geradas principalmente pela temperatura.
No cristal N as cargas positivas são chamadas de portadores minoritários e no cristal P os elétrons
são os portadores minoritários. Os portadores minoritários afetam de forma significativa o
funcionamento do diodo.
Fig. 4.16 – Portadores minoritários no cristal dopado.
Nos metais, não é necessário uma energia extra para deixar o elétron livre, as bandas de
condução e de valência se misturam e um campo elétrico fraco já é suficiente para retirar o elétron
do átomo. O efeito da geração de Pares Elétron-Lacuna nos metais produz uma desordem (agitação
térmica) que dificulta a movimentação dos elétrons. Por esse motivo a resistividade do metal
aumenta com a temperatura.
No semicondutor, estes elétrons livres facilitam a condução de corrente. Quanto maior a
temperatura melhor condutor ele fica. Por esse motivo o semicondutor possui um coeficiente de
temperatura negativo. Na temperatura de zero absoluto (-273,150C) o semicondutor se comporta
como um isolante pois não existe a geração de pares Elétron-Lacuna.
4.8) Cargas positivas, negativas e a corrente no diodo 23

Quando pensamos em corrente elétrica pensamos em deslocamento de elétrons. Porém o que
ocorre quando temos lacunas? Como sabemos uma lacuna é a falta de um elétron e possui um
potencial positivo. Vamos imaginar que uma lacuna será preenchida por um elétron da vizinhança.
No instante seguinte o átomo que perdeu o elétron ficará com uma lacuna.
Tudo ocorre como se a lacuna tivesse se deslocado. Esse movimento de lacunas ou “cargas
positivas” também é corrente elétrica. Em um semicondutor temos dois tipos de corrente elétrica: a
corrente elétrica do movimento dos elétrons e a corrente elétrica do movimento das lacunas.
A corrente total em um cristal semicondutor é a soma da corrente de elétron “IN” com a

corrente de lacunas “IP”.
Por este comportamento os semicondutores são chamados de bipolares. Como é de se

imaginar, é mais fácil mover elétrons livres que mover lacunas. Em termos práticos a mobilidade
dos elétrons é de 2 à 3 vezes maior que a mobilidade de lacunas.
4.9) Tensão de pico reversa (TPR) 24
O campo elétrico estudado em física pode ser entendido como um campo de força de atração
ou repulsão que atua sobre as cargas elétricas negativas ou positivas.
Fig. 4.17 – Efeitos de um campo elétrico.
Em duas placas condutoras planas separadas por um dielétrico o campo elétrico pode ser
calculado considerando a tensão aplicada e a distância entre as placas:
Fig. 4.18 – Campo elétrico entre duas placas com um potencial V entre elas.
Como visto, um diodo polarizado reversamente possui uma região condutora formada pelos
cristais N e P e uma região sem portadores de cargas (isolante) que é a região de depleção.
Fig. 4.19 – A região de depleção vista como um isolante entre dois condutores.
Com uma tensão aplicada entre os terminais o campo elétrico dentro da região de depleção é
muito grande mesmo para pequenas tensões, pois a largura da região de depleção é da ordem de
micrometros. Como exemplo, uma tensão de 1V provoca um campo de 100.000V/m em duas placas
separadas por uma isolante de 10 m de espessura. Quando este campo atinge uma intensidade
capaz de atrair um elétron com força maior que o átomo pode segurar, o elétron é arrancado do
átomo. Este efeito é chamado de Efeito Zener. 25
Fig. 4.20 – Ilustração do efeito zener.
Além do efeito zener, um outro efeito pode “arrancar” o elétron do átomo de silício. Um
elétron livre acelerado em alta velocidade pelo campo elétrico dentro do cristal pode colidir com o
átomo arrancando um elétron.
Fig. 4.21 – Ilustração da colisão de um elétron acelerado colidindo com um átomo.
Depois da colisão existirão dois elétrons livres sendo acelerados pelo campo elétrico. Estes
dois elétrons podem colidir com mais dois átomos liberando mais elétrons. Este efeito é similar ao
que ocorre em montanhas e é chamado de efeito avalanche.
Fig. 4.22 – Ilustração do efeito avalanche.

Abaixo temos a curva de corrente em função da tensão do diodo, em destaque a região zener
que se inicia próxima a tensão Vz. 26
Fig. 4.23 – Curva ilustrando a condução reversa quando o limite VZ é ultrapassado.
A tensão Vz é a tensão reversa que produz um campo intenso suficiente para iniciar o efeito
zener ou efeito avalanche. Na prática é dificil separar o efeito zener do efeito avalanche pois quando
o efeito zener ocorre um efeito avalanche é desencadeado. A região da curva onde o feito zener
ocorre é chamada de região zener ou região de breakdown.
ATENÇÂO
Devemos tomar muito cuidado para não ultrapassar esse limite de tensão reversa,
principalmente quando substituímos componentes danificados. Os fabricantes denominam este
valor limite como TPI (tensão de pico inversa), TPR (tensão de pico reversa) entre outros.
Uma exceção à essa regra é a utilização de um diodo especial chamado diodo zener que será
estudado mais adiante.
4.10) O tempo de recuperação reverso 27
Vimos que na polarização direta elétrons “passam” pela região de depleção formando a
corrente direta. Vamos supor que um diodo está polarizado diretamente e por ele está passando
muitos elétrons como sugere a figura abaixo:
Fig. 4.24 – Ilustração dos elétrons passando pela região de depleção.
Vamos imaginar agora que ocorra uma inversão rápida de polarização. Os elétrons na região
de depleção serão atraídos pela fonte (que agora está invertida) até que a região de depleção se
reconstitua.
Fig. 4.25 – Retorno dos elétrons quando ocorre uma inversão de polarização.
A corrente no instante da inversão é uma corrente reversa e o tempo que o diodo leva para se
estabilizar reversamente após uma inversão é chamado de “tempo de recuperação reverso”.
Fig. 4.26 – Tempo de recuperação reversa.

Os diodos utilizados em circuitos de fontes convencionais trabalham na frequência de 60Hz,

os diodos de baixa potência chamados de diodos de sinais trabalham em frequências bem mais 28
elevadas.
Para permitir uma análise de circuitos com diodos em tensões e correntes variáveis esses
efeitos podem ser modelados como capacitores em paralelo com o diodo.
Fig. 4.27 – Modelo utilizado para análise de circuitos com tensões variáveis.
Em frequências altas os efeitos capacitivos são tão intensos que o diodo se comporta como um
curto circuito para os sinais.
4.11) A construção de um diodo real

O efeito da “migração” de cargas de um cristal N em contato com um cristal P na formação da
região de depleção, ou seja, a corrente de difusão, também ocorre quando se monta uma estrutura de
cristal N ou cristal P com um metal. Este tipo de contato é chamado de “contato Schottky”.
Fig. 4.28 – Formação de uma região de depleção por contato Schottky.
Este efeito é utilizada na fabricação dos chamados “diodos Schottky” que serão estudados
posteriormente. Para evitar a formação de uma região de depleção entre um metal e um cristal
dopado, o número de impurezas do tipo N ou do tipo P deve ser aumentado deixando o cristal mais
condutivo. Um cristal fortemente dopado se aproxima muito de um condutor. Vamos representar
este cristal fortemente dopado como cristal N+ e cristal P+.
Quando este cristal fortemente dopado se une à um metal a região de depleção não é criada e 29
a corrente pode fluir em ambos os sentidos. Este tipo de contato é chamado de “contato ôhmico”.
Fig. 4.29 – Contato Ôhmico entre um metal e um cristal fortemente dopado.
A região de contato ôhmico recebe esse nome pois se comporta como uma resistência de
baixo valor, e obedece a lei de ohm.
Baseado nesses conceitos podemos agora representar de forma mais completa a estrutura
interna básica de um diodo real.
Fig. 4.30 – Configuração interna de um diodo real.

4.12) A resistência apresentada pelo diodo 30
4.12.1) Resistência DC
Sabemos que a resistência é uma dificuldade à passagem da corrente elétrica e que, pela lei de
Ohm a resistência pode ser calculada por uma relação entre a tensão e a corrente.
Fig. 4.31 – Resistência DC calculada em um ponto específico da curva do diodo.
No exemplo acima a resistência de um diodo foi calculada em um determinado ponto de

operação usando a lei de Ohm. Este valor é chamado de Resistência DC ou Resistência Estática.
4.12.2) Resistência Dinâmica
Para sinais que variam no tempo, a corrente possui um valor máximo e um valor mínimo. O
mesmo ocorre para a tensão sobre o diodo. Neste caso a resistência pode ser calculada da seguinte
forma:
Fig. 4.32 – Ilustração do cálculo da resistência dinâmica.
Essa resistência é chamada de resistência AC ou resistência dinâmica.

Porém não é necessário a utilização da curva do diodo para calcular a resistência AC. Como
estudado no item 4.6, para todo diodo temos a seguinte equação: 31
( )
Derivando esta equação em função de VD temos:
( )
( )
K = 11.600/
= 1 considerando Ge ou Si fora da região do joelho da curva.
TK = Temperatura em Kelvin (300K na temperatura ambiente).
Resolvendo: K/TK = 38,667
Assim temos:
( )
Porém:
Substituindo:
Como a resistência é definida pela lei de Ohm como uma tensão dividida pela corrente
podemos inverter esta equação para obter a resistência: 32
Onde finalmente chegamos à equação:
Que é a resistência dinâmica apresentada por todos os diodos à temperatura de 300K. O valor
de ID a ser utilizado é o valor médio da corrente (ID médio como indicado na fig. 4.32).
OBS: Para o silício devemos multiplicar por 2 o valor encontrado se a corrente estiver no
joelho da curva (início da curva) pois o valor = 1 utilizado é válido para correntes mais elevadas.
4.12.3) Resistência Dinâmica Média
Quando a variação da corrente é muito grande podemos calcular a resistência baseada nos
valores máximos e míninos como ilustra a figura abaixo:
Fig. 4.33 – Ilustração do cálculo da resistência dinâmica média.
O valor obtido é chamado de Resistência Dinâmica Média.

4.12.4) Resistência total de um diodo

33
A resistência total de um diodo não se limita à região de depleção, os contatos ôhmicos
formados entre os cristais fortemente dopados e os metais apresentam resistividade (Rcontato), os
cristais dopados também apresentam resistividade (RP e RN), desta forma, além da resistividade
variável apresentada pela região de depleção essas outras resistências somadas formam uma
resistência chamada de resistência de corpo. A figura abaixo ilustra essa situação:
Fig. 4.34 – Resistências internas de um diodo.
Desta forma a resistência total de um diodo é dada por:
5) Circuitos com diodos
5.1) Circuito série com entrada DC

O circuito abaixo ilustra uma aplicação de um circuito série com diodo retificador de silício
1N4007 polarizado diretamente:
Neste circuito, claramente o diodo está polarizado diretamente, pois o lado positivo da fonte
está ligado no anodo, assim o “anodo está mais positivo que o catodo”, condição essa que
caracteriza a polarização direta.
A princípio podemos pensar que, como o diodo está conduzindo, a tensão em cima da
resistência é de 3V, porém isso não é verdade. Como o diodo de silício conduz somente à partir de 34
0,7V, sempre existirá uma queda de tensão de 0,7V sobre ele. Assim, teremos:
VD = 0,7V
VR = 3 – 0,7 = 2,3V
Ou seja, apesar da fonte fornecer 3V, devido à queda de tensão de 0,7V no diodo, teremos
uma tensão de somente 2,3V sobre a resistência.
Obs: Se o diodo utilizado fosse de germânio teríamos:
VD = 0,3V
VR = 3 - 0,3V = 2,7V
Considere agora o mesmo circuito com diodo invertido. Qual é a tensão VD sobre o diodo e
qual é a tensão VR sobre a resistência?
Resposta:
Como o diodo está polarizado reversamente (a tensão no anodo é menor que a tensão no
catodo) não existe corrente, assim não existe tensão sobre a resistência e a tensão está totalmente
sobre o diodo que não conduz.
VD = 3V
VR = 0V
Seguem abaixo mais alguns exemplos:

35
Exemplo 1:
Exemplo 2:
Exemplo 3:
Exemplo 4:
5.2) Circuito paralelo com entrada DC (análise teórica) 36

Vimos que o diodo com polarização direta em um circuito com corrente contínua sempre
apresenta uma queda de 0,7V para o silício e 0,3V para o diodo de germânio. Vamos agora analisar
qual é o valor da tensão VAB no circuito abaixo.
Se fosse utilizado somente um diodo, com certeza diríamos que a tensão é 0,7V. Como
existem dois caminhos iguais a corrente se divide entre os dois diodos. Porém, ao contrário do
circuito com resistências, a queda de tensão não é alterada. No circuito com resistências, o que
provoca a queda de tensão é a dificuldade que essa oferece à passagem da corrente elétrica,
colocando duas resistências em paralelo você diminui essa dificuldade. No circuito com diodos, a
queda de tensão se deve às propriedades já estudadas da junção PN. Assim, os dois diodos só
começam a conduzir quando a tensão atinge 0,7V. Neste circuito, VAB = 0,7V.
Vamos agora analisar um circuito com diodos diferentes:
No circuito acima temos um diodo de germânio, que começa a conduzir em 0,3V e um diodo
de silício que começa a conduzir em 0,7V.
Sabemos que, teoricamente, após iniciar a condução, o diodo permanece com uma tensão fixa
(0,3V para o germânio e 0,7V para o silício) sobre ele. Como o diodo de germânio inicia a
condução antes, esta tensão permanece em 0,3V e nunca atinge a tensão necessária para que o diodo
de silício conduza.
Assim, a corrente circula somente pelo diodo de germânio e a tensão VAB permanece em
0,3V.
5.3) Circuito paralelo com entrada DC (situação prática) 37

Vimos que, o valor de 0,7V é um valor adotado como fixo para todos os diodos de silício.
Vimos também que, na realidade existe uma curva, e este valor varia com a corrente e a temperatura
do circuito (fig. 4.12). No circuito com diodo de germânio e silício do item 5.2, se retirado o diodo
de germânio temos a seguinte curva para diferentes valores de tensão:
Fig. 5.1 – Tensão sobre o diodo de silício para diferentes valores de tensão.
Retirando agora o diodo de silício e ligando o diodo de germânio temos:
Fig. 5.2 – Tensão sobre o diodo de germânio para diferentes valores de tensão.
Como pode ser visto, o diodo de germânio real não consegue manter os 0,3V teóricos. Isso é
verdade para os diodos encontrados no mercado, pois os mesmos são diodos de sinal e não
suportam valores de corrente elevados.
Com o aumento da tensão o diodo de silício começa a conduzir. Abaixo, podemos ver a curva
dos dois diodos e a queda de tensão sobre eles quando estão em paralelo. 38
Fig. 5.3 – Queda de tensão sobre diodos de germânio em paralelo com diodos de silício na prática.
5.4) Resolução de problemas pela reta de carga
Uma alternativa para encontrar o ponto de operação em um circuito sem cálculos extensivos e
trabalhosos é a utilização da reta de carga. Para entender como funciona considere o seguinte
circuito:
Pela lei de Kirchhoff para tensões a soma das tensões em todos os componentes deste circuito
deve ser igual a tensão da fonte:
Isolando ID temos:
39
Que é uma equação de reta:
Mas como aproveitar desta característica?
Sabemos que para traçar uma reta precisamos de somente dois pontos. Fazendo VD = 0 na
equação de ID teremos:
ID = VTH/RTH
Fazendo agora ID = 0 teremos:
VD = VTH
Quando essa reta é traçada no mesmo gráfico da curva do diodo, o ponto de cruzamento entre
elas determina o ponto de operação do circuito ou seja, o valor de ID e VD no circuito. Essa reta é
chamada de reta de carga e o ponto de cruzamento entre a reta de carga e o gráfico é chamado de
ponto quiescente.
Fig. 5.4 – Utilização da reta de carga para determinação do ponto de operação do circuito.
5.5) Entrada senoidal, retificador de meia onda 40

A tensão alternada senoidal é uma tensão que varia e inverte sua polaridade com o tempo.
Fig. 5.5 – Forma de onda da tensão alternada senoidal.
Perceba que, neste exemplo, o valor máximo da tensão é de 10V positivo e o valor mínimo é
de 10V negativo. Para diferenciá-la da fonte de tensão contínua, neste curso vamos usar a seguinte
representação:
Fig. 5.6 - Símbolo da fonte de tensão alternada senoidal.
Antes de prosseguirmos vamos definir um novo valor de tensão chamado tensão eficaz que é
mais utilizado que a tensão de pico. Considere o seguinte circuito:
Onde: ( )
Se desejarmos calcular a potência dissipada no resistor de 1K, como devemos fazer?

Como a tensão senoidal é uma tensão variável, para feito de cálculo não podemos utilizar o
valor máximo, 10V, como se fosse constante. Utilizar a tensão média, que neste caso é zero volt 41
também não faz sentido. A solução é encontrar um valor de tensão contínua que provoque o mesmo
efeito desta tensão alternada sobre a resistência.
Fig. 5.7 – Experimento para determinação do valor eficaz de uma tensão.
O esquema da fig. 5.7 acima ilustra essa situação. A resistência R é utilizada para aquecer a
água. Devemos encontrar um valor para a fonte de corrente contínua que provoque o mesmo
aquecimento que a fonte de corrente alternada. Ou seja, o aquecimento será o mesmo se ligarmos a
chave CH1 ou a chave CH2.
O valor que devemos encontrar é chamado de “Valor Eficaz” ou valor RMS e é calculado da
seguinte forma:
( )
√∫
Resolvendo para a tensão alternada senoidal temos:
𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜
𝑉𝑒𝑓
Para diferenciar um valor de pico de um valor eficaz, vamos convencionar que: Um valor de
tensão alternada quando não indicado com o índice „p‟ representa seu valor eficaz (RMS). 42
O circuito abaixo apresenta uma configuração que é chamada de circuito retificador de meia
onda:
Fig. 5.8 – Circuito retificador de meia onda.
Inicialmente observe que a fonte é alternada senoidal, desta forma, metade do tempo a tensão
está positiva e metade do tempo está negativa. Durante o ciclo positivo (parte positiva da onda) o
diodo está polarizado diretamente e conduz fornecendo tensão ao resistor e à saída Vo.
Fig. 5.9 - Sinal de saída do retificador de meia onda.
Durante o ciclo negativo o diodo fica polarizado reversamente, e nenhuma tensão aparece na
saída. Este tipo de circuito é muito utilizado em fontes de alimentação, pois é o primeiro passo que
permite a transformação da tensão alternada em tensão contínua.
Para o retificador de meia onda, podemos calcular a tensão média de saída (soma das áreas
acima e abaixo do eixo em um período ) da seguinte forma: 43
∫ ( )
Resolvendo para nosso sinal de meia onda temos:
Ou
Que pode ser aproximado para 30% do valor de pico.
Exemplo:
Uma tensão alternada de 22V de pico é retificada em meia onda. Calcular a tensão média na
saída do retificador desprezando a queda no diodo.
Resposta:
Um valor importante a ser observado é a tensão de pico reversa (TPR) máxima que o diodo
pode suportar. No retificador de meia onda o valor de pico máximo (Vp) ocorre no ciclo negativo
da onda.
Quando conduzindo, ou seja polarizado diretamente, temos sobre o diodo uma tensão próxima
de 0,7V. Neste caso o importante é verificar se a corrente não ultrapassa os limites definidos pelo
fabricante do diodo.
Na imagem abaixo podemos ver uma parte do datasheet do diodo 1N4007 da Fairchild onde
o fabricante especifica como 1000V de tensão máxima de pico reversa. Observe também no mesmo
datasheet os valores de corrente máxima de pico e máximo valor de corrente média.
44
Devemos sempre deixar uma margem de segurança de 20% ou mais.
5.6) Retificador de onda completa com center tap

Para entender como funciona o retificador de onda completa com center tap, precisamos
conhecer os conceitos básicos de outro componente: O transformador.
Fig. 5.10 – Transformadores.
O transformador é um componente que trabalho com tensões e correntes alternadas

transformando seus valores.
Fig. 5.11 – Símbolo do transformador.
No exemplo acima a tensão senoidal alternada de 127V existente entre os dois terminais da
entrada é transformada em uma tensão senoidal alternada de 10V entre os dois terminais da saída.
Se o transformador possuir um terminal ligado ao centro do enrolamento de saída (center tap),
teremos metade da tensão de saída entre o centro e qualquer uma das pontas.
45
Fig. 5.12 – Transformador com center tap ligado ao terra.
Como mencionado, o retificador de meia onda é um circuito que pode ser utilizado como
parte de um circuito para transformar a tensão alternada em tensão contínua. Porém, ele tem uma
grande desvantagem: durante o ciclo negativo da tensão alternada, nenhuma tensão é fornecida à
saída. Em circuitos de baixo consumo e circuitos que não necessitam de uma tensão contínua sem
variações, os retificadores de meia onda podem ser utilizados. Porém, a grande maioria dos
circuitos utiliza o retificador de onda completa em sua fonte de alimentação.
Fig. 5.13 – Circuito retificador em onda completa com center tap.
Como pode ser visto na fig. 5.13, quando a tensão em D1 está positiva em D2 a tensão está
negativa.
Fig. 5.14 – Tensão no anodo dos diodos em relação ao terra.
Assim, quando D1 está polarizado diretamente D2 está polarizado reversamente. Supondo

uma tensão máxima (tensão de pico) da onda de 5 volts, no momento de pico (valor máximo),
desprezando a queda nos diodos temos:
46
Fig. 5.15 – Diodo ideal D1 polarizado diretamente fornecendo 5V de pico à saída.
Durante o ciclo negativo no anodo de D1, temos o ciclo positivo no anodo de D2:
Fig. 5.16 – Diodo ideal D2 polarizado diretamente fornecendo 5V de pico à saída.
A tensão média neste circuito é o dobro da tensão média fornecida pelo circuito de meia
onda:
Ou seja, a tensão média é aproximadamente 0,636 do valor máximo.
Um problema da retificação em onda completa com center tap é a tensão reversa de pico
(TRP), que como pode ser observada na figura 5.17 corresponde ao dobro da tensão de pico
fornecida à resistência de carga.
47
Fig. 5.17 – Tensão sobre o diodo nos picos de tensão da onda.
Observando o destaque na fig. 5.17 podemos ver que no momento de pico, a tensão reversa
em D1 é o dobro da tensão de pico da onda senoidal, ou seja, 10V ( -5V no anodo e 5V no catodo ).
Assim, para o retificador em onda completa com center tap:
( )
Com relação à corrente nos diodos, estes terão somente a metade da corrente média da carga
uma vez que estão polarizados diretamente e conduzem somente durante meio ciclo cada.
Fig. 5.18 – Corrente nos diodos D1 e D2 de um circuito com center tap.

48
5.7) Retificador de onda completa em ponte
Uma das desvantagens do retificador em onda completa com center tap é a necessidade de se
utilizar um transformador com uma saída de dois enrolamentos. Na prática utiliza-se o dobro de fio
e um transformador fisicamente maior para o center tap e as tensões desejadas.
Podemos utilizar um transformador mais simples, sem o center tap e obter os mesmos
benefícios do retificador com center tap utilizando um circuito chamado de retificador em ponte.
Fig. 5.19 – Circuito retificador em onda completa com ponte.
Inicialmente vamos considerar o ciclo positivo com uma tensão positiva no anodo de D1:
Fig. 5.20 – Sentido da corrente no semiciclo positivo da tensão.
A corrente circula somente pelos diodos polarizados diretamente, assim a corrente passa por
D1, em seguida passa pela resistência R no sentido de cima para baixo e finalmente passa por D3
fechando o circuito.
Analisando agora o ciclo negativo. Com uma tensão negativa no anodo de D1:
49
Fig. 5.21 – Sentido da corrente no semiciclo negativo da tensão.
Agora, a corrente passa por D2, em seguida passa pela resistência R no sentido de cima para
baixo e finalmente passa por D4 fechando o circuito.
Perceba que, da mesma forma que no retificador com center tap, a corrente passa no mesmo
sentido sobre a resistência. O valor da tensão média é obviamente o mesmo que do center tap, qual
seja:
Ou
Com relação ao valor da TPR nos diodos, o retificador em onda completa em ponte mais
uma vez leva vantagem com relação ao retificador com center tap.
A TPR mínima exigida dos diodos é de:
Uma desvantagem do retificador em ponte é que, em circuitos práticos os diodos de silício

apresentam queda de tensão de 0,7V. Assim, se o transformador fornece 5V de pico, nos
retificadores de meia onda com center tap a tensão que chega a carga é de:
Sendo Vp=5V teremos 4,3V na saída.
Para o retificador em ponte, temos dois diodos conduzindo em série. Assim temos uma
queda de:
Para Vp = 5V teremos 3,6V na saída do retificador em ponte.

6) Fontes de alimentação 50
Os circuitos eletrônicos, para funcionarem corretamente, necessitam de uma tensão que,
normalmente não é a tensão alternada fornecida pelas companhias de energia. Nesses casos
utilizamos as chamadas fontes de alimentação.
De uma forma geral, uma fonte de alimentação é um circuito que converte a tensão alternada
da rede elétrica em uma tensão contínua com capacidade de corrente suficiente para “alimentar” os
circuitos eletrônicos.
Fig. 6.1 – Fontes de alimentação.
6.1) Fonte com retificador e filtro capacitivo

Estudamos nos itens 5.5, 5.6 e 5.7 os retificadores em onda completa. Estes circuitos são
utilizados em fontes de alimentação, pois fazem a importante tarefa de fornecer um sinal positivo ou
negativo sem inversão.
Fig. 6.2 – Tensão fornecida à uma carga após a retificação em onda completa.
Como visto, a tensão média desta onda é calculada por: 51
A tensão da fig. 6.2 pode ser obtida pelo seguinte circuito:
Fig. 6.3 – Circuito retificador em ponte.
A relação 10:1 indica que, o transformador diminui a tensão na proporção de 10 para 1. Se

observarmos a forma de onda, vamos perceber que a tensão de pico não atinge os 12V. Como
explicado anteriormente, existe uma queda de tensão de 0,7 nos diodos de silício. No retificador em
ponte a corrente sempre passa por dois diodos, assim ocorre uma queda de 1,4V. Não se usa diodo
de germânio em retificadores.
A tensão retificada não inverte de polaridade, porém, está muito longe de ser um sinal
contínuo (fixo em um único valor). Para transformar esses pulsos de tensão em uma tensão
contínua usamos um componente chamado capacitor.
Fig. 6.4 – Capacitor eletrolítico usado como filtro e seu símbolo.
O capacitor é capaz de armazenar uma tensão e fornece-la como se fosse uma bateria
carregada.
Utilizando o capacitor como filtro em nosso circuito retificador temos:

52
Fig. 6.5 – Circuito retificador em ponte com filtro.
Vejamos agora como fica a tensão na carga com o uso do capacitor:
Fig. 6.6 – Efeito do capacitor no sinal de saída.
Neste circuito, o capacitor carrega com a tensão fornecida pelo retificador. Quando a tensão
cai, o capacitor continua carregado e começa a descarregar fornecendo corrente à carga
(representada pelo resistor R). Com capacitor, temos um sinal quase contínuo próximo de 10V.
6.1.1) Fator de ripple 53

A tensão de saída fornecida pelo retificador em onda completa com filtro capacitivo é uma
tensão contínua com uma variação que podemos considerar como tensão alternada. Esta tensão
alternada que ocorre sobre a tensão contínua é chamada de tensão de ripple.
Fig. 6.7 – Tensão de ripple.
O fator de ripple é uma relação que permite avaliar a qualidade de uma fonte de alimentação
DC (tensão contínua) com relação a tensão de ripple (VR).
( )
Assim, para determinação do fator de ripple devemos medir o valor da tensão alterna (tensão
de ripple) em rms e dividir pela tensão contínua.
6.1.2) O cálculo exato da tensão de ripple

Existem várias fórmulas na literatura que permitem estimar a tensão de ripple, porém todas
elas falham na maioria dos testes práticos, pois são definidas através de aproximação.
Até a década de 80 era comum a utilização de curvas que permitiam com uma boa
aproximação a resolução de problemas como este. No caso específico do cálculo do ripple, era
possível utilizar as Curvas de Shade.
Fig. 6.8 – Antiga curva de Shade.

54
Atualmente, os modelos matemáticos dos componentes (modelos spice) permitem calcular
com exatidão o comportamento e a resposta de um circuito antes da montagem física. Estes
modelos são utilizados por programas como Proteus, Cadence, Tanner, HSpice entre outros.
Fig. 6.9 – Circuito de teste montado no programa Proteus.
A simulação com modelos SPICE oferece resultados muito precisos e é amplamente utilizada
em projetos amadores e profissionais em todo o mundo.
É importante salientar ainda que, a maioria dos fabricantes fornece o modelo Spice do
componente fabricado. Desta forma, é altamente recomendável utilizar o modelo fornecido pelo
fabricante quando se deseja uma maior precisão nas respostas do simulador.
6.1.3) O cálculo aproximado da tensão de ripple

Para que possamos ter uma referência teórica, vamos utilizar a seguinte fórmula:
Onde:
r = fator de ripple.
Vrpp = tensão de ripple pico à pico.
VL = tensão DC médio em RL.
55
Fig. 6.10 – Saída de uma fonte de tensão DC com alto valor de ripple.
Como pode ser visto na figura acima, o valor de pico da tensão na carga é VRPP/2 acima do
valor médio.
( )
Se a tensão de ripple for considerada como uma aproximação de uma onda triangular,
podemos utilizar a seguinte equação:
Onde:
f = frequência da tensão de ripple.

C = valor do capacitor de filtro.
RL = resistência de carga do circuito.
É importante observar que, para o retificador de onda completa a frequência do ripple é o

dobro da frequência da tensão senoidal de entrada. Para a rede elétrica com 60Hz, o ripple
possui uma frequência de 120Hz em onda completa e 60Hz em meia onda.
6.2) A corrente de surto 56

Quando uma fonte de alimentação é ligada os capacitores de filtro consomem um alto valor de
corrente, pois estão inicialmente descarregados. Os diodos devem ser capazes de suportar esta
corrente transitória de pico. Esta corrente de surto é especificada pelos fabricantes de diodos como
IFSM e deve ser respeitada esta condição, ou seja, não devemos ultrapassa-la.
Fig. 6.11 – Corrente de surto provocada pelo carregamento do capacitor.
Na figura acima podemos ver a corrente em um capacitor utilizado como filtro. Sem
filtragem a corrente nos diodos acompanharia a tensão, porém com o uso de capacitores temos picos
mais elevados quando a fonte é ligada. Os valores positivos de corrente indicam que o capacitor
está sendo carregado, os valores negativos de corrente indicam a descarga do capacitor. Perceba que
no momento inicial o capacitor consome uma corrente muito maior por estar descarregado.
O valor médio da corrente é zero pois a carga que ele recebe é a mesma que ele fornece. É
importante salientar que todas as resistências do circuito, principalmente do enrolamento do
transformador, do diodo e da fiação, bem como a indutância do enrolamento tendem à minimizar os
efeitos do surto de corrente provocada pela carga dos capacitores.
Como referência de projeto podemos utilizar a seguinte equação que determina a corrente de
surto do circuito:
57
Exemplo de projeto
Projetar uma fonte com retificador em ponte e de 10V capaz de fornecer 1,5A com 5% de
ripple.
Solução:
Primeiramente vamos calcular o valor da resistência de carga que produz uma corrente de 1,5A.
Continuando, temos que:
Calculando o valor de pico na carga:
( )
( )
( )
Calculando o capacitor de filtro:

No circuito em ponte o valor de pico na carga é 1,4V abaixo da tensão de pico do

transformador, assim teremos no secundário do transformador: 58
( ) ( )
( )
( )
Para um valor de pico de 12,27 devemos usar um transformador com uma tensão eficaz de
secundário de:
( )
A potência total do circuito é a soma da potência da carga com a potência dissipada nos diodos:
( )
( )
( )
Como cada diodo conduz somente na metade do ciclo, o valor de corrente considerado foi
dividido por 2. Abaixo podemos ver uma simulação com esses resultados no simulador Orcad.
Fig. 6.12 – Simulação do circuito projetado no programa de simulação Orcad.

6.3) Fontes com filtro LC 59

O indutor é um componente que oferece uma grande dificuldade à passagem da corrente
alternada e praticamente não oferece dificuldade à passagem da corrente contínua.
Fig. 6.13 – Indutores utilizados como filtros.
Com essas características podemos utilizar este componente para minimizar ou praticamente
eliminar o ruído de ripple como mostrado no circuito abaixo:
O indutor apresentará uma dificuldade a passagem da corrente alternada (reatância indutiva)

produzindo somente uma pequena queda de tensão em corrente contínua. Este tipo de filtro é
chamado de filtro LC. Quanto maior a frequência do ruído maior será a eficiência do filtro.
7) Diodo Zener 60
7.1) Ponto de operação de um diodo zener

O diodo zenner é um diodo especialmente construído para trabalhar na região zener, região
esta estudada na seção 4.9.
Fig. 7.1 – Curva característica de um diodo zener.
Como pode ser visualizado, existe um valor de tensão reversa limite, onde, a partir deste valor
o diodo conduz reversamente. Podemos ver que, antes de atingir o valor negativo de tensão Vz, a
corrente permanece praticamente em zero, como se o diodo fosse uma chave aberta. Após este
valor, o diodo conduz como se fosse um curto circuito, ou chave fechada.
A tensão onde a transição ocorre é chamada de “tensão zener”. Como este valor depende
somente das características do diodo, ele pode ser usado como referência de tensão em circuitos
estabilizadores. Como é utilizado de forma especial (reverso) possui uma simbologia para
diferenciar dos diodos comuns.
Fig. 7.2 - Símbolo do diodo zener.

7.2) O circuito com Diodo Zener e carga fixa 61

Abaixo, temos o circuito com diodo zener e carga RL:
Fig. 7.3 – Circuito com diodo zener e carga RL fixa.
Considerando um valor de Vi bem maior que Vz, devemos observar que, como a fonte de
tensão é contínua, o diodo estará polarizado reversamente.
Existem duas situações a serem analisadas:
- Quando o valor da resistência RL for muito baixo, a corrente em Rs será alta provocando uma
queda de tensão, assim, a tensão que chega ao catodo do diodo não será suficiente para faze-lo
conduzir reversamente.
- Quando o valor da resistência RL for alto, não teremos queda em Rs provocada por R L e
consequentemente a tensão da fonte chegará alta no catodo do diodo fazendo conduzi-lo
reversamente.
Para encontrar o ponto de operação do circuito devemos seguir os seguintes passos:
1º) Remover o diodo zener e calcular a tensão em RL.
Sem o diodo, a tensão em RL é calculada como um simples divisor de tensão:
𝑅𝐿 𝑉𝑖
𝑉𝐿
𝑅𝑠 𝑅𝐿
2º) Recolocar o diodo zener no circuito.
Se VL calculada > Vz do diodo → diodo conduzirá e a tensão em RL será Vz.
Se VL calculada ≤ VZ do diodo → a tensão em RL será VL calculada.

Quando o diodo zener estiver conduzindo, a corrente sobre ele pode ser calculada da
seguinte forma. 62
Calcule a corrente em Rs fazendo:
Calcule a corrente em RL fazendo:
Analisando o circuito podemos ver que, a corrente que passa pelo zener é:
A potência dissipada pelo diodo é muito importante e deve ser observada e calculada. Para calcular
usamos a seguinte fórmula:
𝑃𝑧 𝑉𝑧 𝐼𝑧
Exemplo 1:
Calcular a potência dissipada no diodo zener do circuito abaixo:
Retirando o diodo e calculando a tensão no resistor de 1,2K temos:
Como a tensão está abaixo da tensão zener a tensão em R1,2K é 8,72V e a corrente no diodo é zero.
Exemplo 2:
63
Recalcular o circuito acima trocando a resistência de carga de 1,2K para 3K.
Como VL > VZ a tensão sobre a resistência de 3K será 10V que é a tensão do zener.
Calculando a corrente no resistor de 1K temos:
Calculando a corrente no resistor de 3K temos:
Assim a corrente e a potência sobre o diodo são:

7.3) O circuito com Diodo Zener e carga variável 64

Vamos considerar agora um caso mais comum onde a carga RL varia.
Como o valor de RL varia, existe um valor mínimo deste para que a tensão fique
estabilizada, este valor mínimo de RL é aquele onde o divisor de tensão formado por Rs e RL produz
uma tensão em RL igual à tensão Vz. Ou seja:
Isolando RL para encontrar seu valor mínimo temos:
𝑹 𝒔 𝑽𝒛
𝑹𝑳𝒎𝒊𝒏
𝑽𝒊 𝑽𝒛
Nesta condição (RLmin) temos a maior corrente possível em RL com a tensão fixa Vz.
Perceba que a queda de tensão sobre Rs é constante quando o diodo zener estiver conduzindo.
O valor máximo de corrente e potência no zener ocorre quando a carga tem resistência infinita
(circuito aberto) e valem:
7.4) O circuito com Diodo Zener e fonte variável 65

Para se ter uma tensão estabilizada (fixa no valor de Vz) na carga, a fonte Vi deve ter um
valor suficiente para que o diodo atinja a tensão Vz.
Temos:
Invertendo:
𝑽𝒁 (𝑹𝒔 𝑹𝑳 )
𝑽𝒊𝒎𝒊𝒏
𝑹𝑳
O valor máximo de Vi é limitado pela corrente máxima suportada pelo zener.
Vimos que a corrente que passa pela resistência Rs é a soma das correntes do diodo e da carga:
Neste caso IZ é o IZmax,
e IL é fixo e dado por:
Sabendo que, Vi = VRS + VZ, finalmente calculamos:
𝑽𝒊𝒎𝒂𝒙 (𝑰𝒁𝒎𝒂𝒙 𝑰𝑹𝑳 )𝑹𝒔 𝑽𝒛

7.5) Calculando o valor de RS 66

Até agora analisamos os circuitos com os seus valores já definidos. Vamos agora considerar
um projeto prático com as seguintes condições:
A fonte varia de 15V À 20V

A corrente na carga varia de 5 à 20mA
A tensão de estabilização deve ser de 6,8V com corrente máxima no zener de 40mA
Ou seja:
VMIN = 15V
VMAX = 20V
ILmin = 5mA.
ILmax = 20mA
Vz = 6,8V
IZmax = 40mA
Com todos essas informações qual é o valor de Rs que coloca o circuito em operação? Na
verdade não existe um único valor. Vamos calcular o valor mínimo e o valor máximo:
𝑽𝑴𝑰𝑵 𝑽𝒁
𝑹𝒔𝒎𝒂𝒙
𝑰𝑳𝒎𝒂𝒙 𝑰𝒁𝒎𝒊𝒏
Para garantir que o diodo sempre esteja conduzindo, vamos definir uma corrente mínima
IZmin = 4mA (10 vezes menor que o valor máximo). Assim:
Para o cálculo do valor mínimo de RS fazemos:

67
𝑽𝑴𝑨𝑿 𝑽𝒁
𝑹𝒔𝒎𝒊𝒏
𝑰𝑳𝒎𝒊𝒏 𝑰𝒁𝒎𝒂𝒙
Assim, a resistência Rs deve ter valor entre 293Ω e 342Ω. Como 330Ω é um valor de resistor
comum na indústria este é o valor ideal para o circuito.
7.6) O Diodo Zener real

Até agora consideramos a tensão Vz como sendo fixa. Isto é o ideal, pois podemos fixar uma
fonte de tensão baseado neste valor e teremos uma fonte muito estável. Infelizmente, a tensão zener
não é tão estável. Abaixo podemos ver as curvas de alguns diodos da série BZX84J da NXP.
Fig. 7.3 – Curva de tensão x corrente em diodos zener.
Podemos facilmente perceber que, quando a corrente aumenta, a tensão Vz muda de valor.
Por exemplo, para o diodo zener de 2,7V, a tensão ultrapassa 3V quando a corrente chega à 10mA.
Na verdade, os 2,7V só ocorre quando a corrente está em 5mA. Além disso, o processo de
fabricação não garante curvas tão exatas: 68
Fig. 7.4 – Valores normais de tensão de um diodo zener de 2,7V.
Portanto, pense sempre no valor da tensão zener como um valor de referência e nunca como
um valor absoluto no circuito.
8) Circuitos dobradores e multiplicadores de tensão
8.1) Circuito dobrador de tensão

Em circuitos de corrente alternada podemos utilizar um capacitor e dois diodos para dobrar a
tensão de pico e fornece-la à carga. O circuito abaixo é um exemplo desta utilização:
Fig. 8.1 – Circuito dobrador de tensão.
No primeiro ciclo, o capacitor está descarregado, assim a tensão na saída é a própria tensão do
sinal de entrada. Durante o ciclo negativo o capacitor é carregado pelo diodo D1.
Fig. 8.2 – Ciclo negativo e a carregamento do capacitor.

No próximo ciclo o sinal senoidal da entrada é somado à tensão do capacitor. Perceba que a
tensão na saída é quase o dobro da tensão da entrada. A pequena queda de tensão de 1,4V 69
corresponde à queda de tensão nos dois diodos.
Fig. 8.3 – Sinal de saída de um dobrador de tensão.
8.2) Circuito multiplicador de tensão

Seguindo o mesmo princípio de funcionamento do dobrador podemos elaborar circuitos
multiplicadores de vários estágios. O circuito abaixo fornece uma tensão multiplicada por 3 e
multiplicada por 4.
Fig. 8.4 – Circuito multiplicador de tensão.
A tensão 3VP fica disponível entre os capacitores C1 e C3.

A tensão 4VP entre os capacitores C2 e C4.
70
Vamos analisar como este circuito funciona:
1) No primeiro ciclo positivo o capacitor C1 é carregado com o valor de VP.
2) No segundo ciclo o capacitor C1 já está carregado com a tensão VP, desta forma o capacitor
C2 é carregado com 2 vezes o valor de VP.
3) Poderíamos pensar que o próximo capacitor é carregado com uma tensão de 3VP, porém isso
não ocorre, pois o capacitor C1 que está em série possui uma tensão de VP invertida no
caminho e o capacitor C3 carrega com uma tensão de 2VP.
4) Os próximos capacitores também não recebem tensão maior que 2VP como pode ser visto no
esquema abaixo: 71
9) Diodos especiais
9.1) Varicap
Vimos que um diodo polarizado reversamente se comporta como um capacitor.
Fig. 9.1 – Efeito capacitivo de uma junção PN.
Em um capacitor a capacitância varia com a distância entre as placas. O varicap é um diodo

fabricado para trabalhar de forma reversa funcionando como capacitor. Aumentando a tensão
reversa, ocorre um aumento da região de depleção e consequentemente uma diminuição da
capacitância, diminuindo a tensão o efeito é o inverso. Para equacionamento da capacitância deste
diodo utilizamos a seguinte equação:
( )
Onde:
Cjo = Capacitância quando a tensão aplicada é zero.

VR = Tensão reversa aplicada.
VT = Tensão da região de depleção (aproximadamente 0,7V).
m = Valor associado ao perfil da dopagem. ( de 1/3 à ½ ).
72
Fig. 9.2 - Capacitância em função da tensão reversa do diodo BB109.
Na gráfico acima podemos ver a variação da capacitância em função da tensão reversa.
Fig. 9.3 - Símbolo de um diodo varicap.
O símbolo do varicap é o de um diodo com um capacitor. Ele pode ser utilizado como
capacitor de sintonia em circuitos de rádio através da seguinte configuração:
9.2) Diodo Emissor de Luz ( LED ) 73

Vimos que, quando um elétron ganha energia ele sai da banda de valência e passa para a
banda de condução. Quando um elétrons recombina, ou seja, sai da banda de condução e cai na
banda de valência a energia excedente é liberada.
Fig. 9.4 – Emissão de energia durante a recombinação.
Dependendo do material utilizado uma luz é emitida e a frequência da energia luminosa ou

em outras palavras a cor é determinada por esse material. Abaixo temos algumas combinações de
elementos que formam uma região de depleção e emitem luz quando polarizadas diretamente.
Fig. 9.5 – Comprimento de onda e material utilizado em alguns LEDs.

Como o próprio nome diz, o LED é um diodo que emite luz. Em junções PN de silício e de
germânio a maior parte da energia é dissipada na forma de calor. Porém nas regiões de depleção dos 74
LEDs a quantidade de luz emitida na junção é bem elevada.
Fig. 9.6 - Diodo emissor de LUZ (LED) e seu símbolo.
O consumo de corrente ideal depende do tamanho, da cor e outros parâmetros. Quando não
se tem a informação do fabricante é comum adotar valores entre 15 e 20mA para os leds de 5mm
e entre 20mA e 25mA para os leds de 10mm, com queda de tensão entre 2,2 e 3V.
Atualmente existem leds de potência e leds Laser, com aplicação em redes de fibra ótica,
impressoras, leitores de disco DVD, CD e Blu- Ray.
Fig. 9.7 - Cabo de fibra ótica por onde caminha a luz emitida por um LED laser.
Atenção
Um LED sempre deve estar ligado em série com uma
resistência para limitar sua corrente.
LED NÃO É LÂMPADA

Exemplo de cálculo de um circuito com LED: 75
Calcular o valor da resistência no circuito abaixo sabendo que o LED utilizado trabalha com
20mA e 2,5V.
Solução:
Sabendo que a fonte fornece 12V e a queda de tensão no LED é de 2,5V, temos sobre a
resistência
VR = 12V - 2,5V
VR = 9,5V
Como a corrente que passa pela resistência é igual à corrente do LED temos IR = 20mA, pela
lei de Ohms podemos calcular o valor da resistência.
R = 475Ω
O valor mais próximo utilizado na indústria é de 470Ω, sendo este o valor recomendado.
Existem também conjunto de LEDs montado em blocos, painéis, fitas e outros arranjos. A teoria e
calculo utilizado nestes dispositivos é o mesmo utilizado para o LED simples.
Fig. 9.8 - Arranjos com LEDs.

9.3) Fotodiodo 76
O fotodiodo é um componente com junção PN fabricado para funcionar com polarização
reversa. Ao contrário do diodo comum, ele conduz na polarização reversa quando luz incide sobre
ele.
Fig. 9.9 - Fotodiodo.
Podemos perceber pela imagem acima que, o fotodiodo é fisicamente muito parecido com o
diodo emissor de luz (LED). É muito utilizado em receptores de sinais de controle remoto, sensores
de presença, sensores de barreira ótica, detectores de intensidade luminosa entre outros. O circuito
básico de ligação é:
Perceba que o diodo está polarizado reversamente. A corrente que passa reversamente pelo
diodo é baixa e varia com a luz incidente.
Fig. 9.10 – Informações técnicas de um fotodiodo.

Na curva da fig. 9.10 podemos ver que a luz provoca uma variação de 1uA à 80uA
aproximadamente. Se utilizada uma resistência de 100KΩ, teremos na saída: 77
Sem luz (1uA):
VR = 100K.1u
VR = 0,1V
Com luz (80uA):
VR = 100K.80u
VR = 8,0V
Estes são os valores previstos para o circuito com luz e sem a incidência de luz. Também é
possível visualizar o ângulo de resposta do componente. A luz incidente quando chega com mais de
30º não provoca variações significativas no circuito. Isso pode ser melhorado com lentes.
9.4) Diodo Shocttky

O diodo shocttky é um diodo formado por um cristal de silício, normalmente cristal N
dopado fracamente e um metal como ilustra a figura abaixo.
Fig. 9.11 – Diodo Schottky e seu símbolo.
A região fortemente dopada N+ evita que uma segunda região de depleção seja criada no
terminal. Como os níveis energéticos do metal e do semicondutor são diferentes ocorre difusão de
elétrons do metal para o semicondutor da mesma forma que na junção PN.
A grande vantagem destes diodos é o tempo de recuperação reversa muita baixa, ou seja,
podem ser utilizados em circuitos com frequências elevadas e com correntes elevadas. Além disso
produz uma queda de aproximadamente 0,2V e não 0,7V como nos diodos convencionais.
Diodo Shottky 78
Alta Frequência + Corrente Alta + queda de 0,2V
Estes diodos estão presentes em todas as fontes chaveadas modernas que trabalham em
frequências da ordem de 20KHz à 50KHz. Apesar de parecerem vantajosos a ponto de deixarem
obsoletos os diodos de silício tradicionais, estes diodos não substituem os diodos de silício
convencionais, pois trabalham somente com baixas tensões e possuem uma corrente de saturação
reversa alta se comparado com os diodos convencionais.
10) Análise de superposição de efeitos

Considere o seguinte circuito:
Fig. 10.1 – Circuito com duas fontes de tensão, uma contínua e uma alternada.
O sinal de entrada é uma superposição das fontes como mostra o gráfico abaixo:
Fig. 10.2 – Tensão contínua e alternada combinadas.

Neste circuito, considerando uma queda de tensão de 0,7V no diodo temos a seguinte corrente
média no circuito: 79
Da curva do diodo podemos calcular a resistência dinâmica e a resistência estática:
Fig. 10.3 – Curva e ponto de operação do diodo 1N4148.
Para analisar os efeitos da fonte de tensão contínua utilizamos a resistência estática R D em

substituição ao diodo.
Calculando temos os seguintes valores para tensão contínua: 80
(como esperado)
Para a fonte de sinal alternado devemos utilizar a resistência dinâmica rd.
Calculando temos os valores de tensão e corrente alternada:
Finalmente sobrepondo os valores de tensão alternada e tensão contínua temos sobre o diodo
os seguinte resultado:
Fig. 10.4 – Corrente e tensão sobre a resistência.

11) As folhas de dados (datasheet) 81
É muito importante verificar os limites máximos e o comportamento dos componentes

utilizados em um projeto. Essas informações são disponibilizadas pelos fabricantes de componentes
através dos chamados Datasheets.
No exemplo abaixo podemos ver as especificações dos diodos 1N4001 à 1N4007 da
Fairchild:
Fig. 11.1 – Datasheet dos diodos 1N4001 à 1N4007 da Fairchild.
Perceba que nesta página a Failchild fornece além das tensões máximas reversas a corrente
máxima suportada pelos componentes.
Porém, nem toda informação é direta. Por exemplo, neste mesmo datasheet temos os
seguintes gráficos: 82
Fig. 11.2 – Curvas do datasheet dos diodos 1N4001 à 1N4007 da Fairchild.
Assim como editar um datasheet, interpretar um datasheet é uma arte.

Freud Sigmund Obras Completas Imago Vol 04 1900

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Eletrônica Analógica

Prof. Décio Rennó de Mendonça Faria

5.4) Resolução de problemas pela reta de carga ......................................................................................... 38

A necessidade da amplificação de sinais elétricos surgiu no final do século 19 com o uso de

Com o objetivo de melhorar esses sistemas, em 1907 o americano Le de Forest desenvolveu

Fig. 1.1 – Válvula diodo

Fig. 1.2 – Válvula triodo

Fig. 1.3 – Os físicos Bardeen, Brattain e Shockley e transistores.

2) Conceitos básicos de eletricidade 6

2.1) Tensão e corrente

a) A força de atração ou repulsão é diretamente proporcional ao valor das cargas.

Matematicamente podemos escrever:

K = constante de Coulomb. No vácuo K = 9.109

Fig. 2.1 – Corrente elétrica em um material concutor.

2.2) Resistividade dos Materiais

Fig. 2.2 – Materiais condutores e isolantes utilizados nos cabos elétricos.

Elemento Resistividade (Ohm.cm)

2.3) Lei de Ohm 9

Encontrar a corrente no circuito abaixo:

Primeiramente cabe destacar alguns pontos importantes:

Com o esquema e as informações acima, podemos agora calcular a corrente no circuito:

Fig. 2.3 – Resistência utilizada como fonte de luz.

No caso de motores, esta potência é transformada em força mecânica. A potência é medida

Potência dissipada ou produzida

Perceba que a potência aumenta ao quadrado do valor da tensão e ao quadrado da corrente.

Podemos usar a equação que relaciona Potência, Resistência e Tensão:

3.1) Estrutura cristalina

Fig. 3.1 – Cristal de silício.

3.2) O cristal de germânio e o cristal de silício

Fig. 3.2 – Distribuição dos elétrons nos átomos de germânio e silício.

Fig. 3.3 – Ligações covalentes em um cristal de silício.

3.3) O cristal de silício utilizado na eletrônica

Fig. 3.4 – Ilustração da técnica de Czochralski.

O processo de Czochralski segue os seguintes passos:

Fig. 3.5 – Tarugo de silício puro.

3.4) O cristal com impurezas

Fig. 3.6 – Cristal de silício com impureza pentavalente.

Fig. 3.7 – Cristal de silício com impureza trivalente.

4.1) Formação da Junção PN

Fig. 4.1 – Corrente de difusão em uma junção PN.

Fig. 4.2 – Formação da região de depleção.

4.2) A junção PN diretamente polarizada 16

Fig. 4.3 – Junção PN polarizada diretamente.

4.3) A junção PN polarizada reversamente

Fig. 4.4 – Junção PN polarizada reversamente.

A corrente existente na polarização reversa é normalmente referenciada como Corrente de

Fig. 4.5 - Símbolo do diodo (A – anodo, K – catodo).

Fig. 4.6 - Alguns encapsulamentos utilizados para os diodos.

Uma faixa contínua no componente indica o lado do catodo.

Fig. 4.7 - Circuito com diodo polarizado diretamente.

Fig. 4.8 - Circuito fechado representando o diodo polarizado diretamente.

Fig. 4.9 - Circuito com diodo polarizado reversamente.

Fig. 4.10 - Circuito aberto representando o diodo polarizado reversamente.

4.5) A curva de reposta aproximada de um diodo 19

Com esta informação, podemos representar o comportamento de um diodo em uma curva:

Fig. 4.11 - Curva de resposta aproximada do diodo de silício.

4.6) Curva de tensão do diodo real

IS = Corrente de saturação reversa

TK = Temperatura em Kelvin (TK = Temperatura em Celsius + 273º) 20

Fig. 4.12 - Curva de tensão x corrente direta do diodo 1N4148 da NXP.

4.7) Os portadores minoritários 21

Fig. 4.13 – Estrutura cristalina perfeita.

Fig. 4.14 – Distribuição dos elétrons nas camadas e níveis energéticos.

Fig. 4.15 – Mudança de camada com o aumento da energia de um elétron.