Un semiconductor es un agente que presenta conductividad eléctrica intermedia entre la del

metales y aislamiento, Ejemplos (silicio, germanio, ...) El comportamiento de los semiconductores,

como metales y aislantes se describe por la teoría de bandas A continuación, utilizamos modelos
simplificados para predecir y analizar el comportamiento de los diodos transistores (consulte el
curso de semiconductores tener una explicación física y fenómenos de conducción cuantitativa
Semiconductores intrínsecos (persiguiendo) Semiconductores en la cuarta columna del tabla
periódica de elementos Por ejemplo, los átomos de silicio que tienen 4 electrones en su último
grupo de capas juntas intercambiando sus electrones de valencia (enlace covalente) Cada electrón
es agrupado por dos átomos vecinos de para que el núcleo esté rodeado por una capa de 8
Electrones: esta estructura es muy estable. A la temperatura de 0K, todos los electrones de
valencia se usan en enlaces covalentes – No electrones libres ninguna posibilidad de conducción El
cristal es un aislante Cuando la temperatura aumenta, la agitación térmica le da a algunos
electrones energía extra suficiente para romper el enlace covalente – estos los electrones libres
pueden moverse la acción de un campo eléctrico externo el cristal se convirtió en un conductor
Semiconductores extrínsecos: dopaje El dopaje de un cristal intrínseco consiste en un sustituto
átomos semiconductores del enrejado por Idiomas extranjeros: pueden presentarse dos casos:
semiconductores de tipo P introducción de átomos trivalentes (3 electrones en la última capa de
cd en la banda de valencia) Le falta un electrón al átomo para que pase de uno completar el byte
para que cada impureza creara un agujero de electrones) que no puede ser llenado por un
electrón libre semiconductores de tipo N Introducción de átomos encontrados 5 electrones en la
última capa en la banda de valencia) El átomo de impureza a un electrón demasiado para
constituir un byte. ¿Este exceso de electrones está libre en el cristal agujero electrón exceso
Átomo de impureza? su representación simbólica

¿Átomo de impureza? su representación simbólica

La unión PN

• Ponerse en contacto con un semiconductor tipo P y una

Semiconductor de tipo N

Difusión: los electrones de la zona

Área P

Creación de una zona sin un operador de telefonía móvil (zona de empobrecimiento)

o área de carga espacial) - Entonces hay una diferencia de

potencial y por lo tanto un campo interno? que se opone a la difusión de

electrones de la zona N a la zona P

PN

-
+

????

Recordatorio: los electrones se mueven en la dirección

opuesto al campo eléctrico

Área de carga espacial

Polarización de una unión por un fem externo

• Polarización en la dirección opuesta

+ de la película está conectado a la zona N y a la zona P

El campo eléctrico externo

? aplicado por el generador

en el mismo sentido que el campo interno de la unión

?? no el

fortalecer la acción

? No circula la corriente (en realidad

existe una corriente muy débil del orden del nanoamperio)

????

?? ?

-
+

Polarización de una unión por un fem externo

• Polarización en la dirección de avance

- El generador está conectado a la zona N y el + a la zona P

El campo eléctrico externo

? para oponerse al campeón

interna

??

? sí

?? , una gran corriente puede

cruzar el cruce.

la agencia chilena de eficiencia energética, que en el año 2012 inicio la ejecución de estos sistemas en
diversas entidades de los sectores industrial, minero, educativo, residencial y de transporte [2] basados
en la norma ISO 50001 [3]. La creación de sistemas de gestión energética en los diversos niveles como el
social, industrial, educativo, etc., ha traído como resultado una disminución en el consumo mediante el
proceso de mejora continua. Tan solo en el primer año de su ejecución se logró la certificación de 3
empresas como plan piloto, con la meta de implementarse en 20 empresas en sus siguientes etapas de
ejecución y una masificación del proceso para el año 2014.