Electrónica

Tecnologia dos Equipamentos de Saúde

Apontamentos sobre
Transístores Bipolares
 Electrónica

TRANSÍSTORES BIPOLARES

1 – Constituição física e modo de funcionamento

2 - Zonas de funcionamento e características de saída
3 - O transístor como comutador
4 - O transístor como controlador de corrente
5 - Circuitos de polarização
6 - Recta de Carga Estática
7 - Modelo equivalente para sinais de baixa frequência
8 - Amplificadores com transístores: ganho de tensão,
impedâncias de entrada e saída
 Introdução
• Os transístores bipolares são assim designados porque no seu
funcionamento interferem dois tipos de portadores – os maioritários
e os minoritários.

• São o principal dispositivo semicondutor para

– Comutação
– Amplificação

• É um dispositivo com 3 terminais

• Princípio básico:
Uma tensão entre dois terminais controla a corrente de um terceiro terminal

• Existem dois tipos de transístores:

– O transístor Bipolar de Junção (BJT)
3
– O transístor de Efeito de Campo
 1- Constituição Física
• Um transístor bipolar de junção é constituído por duas junções de
semicondutor.

• Utilizam-se três camadas de material semicondutor:

• PNP
• NPN
que fisicamente são diferentes

P N P N P N
E C C E
B
B
• Esquemáticos e símbolos:
Designação dos terminais:
• Emissor
E C C E
• Base
B B • Colector
4
 Funcionamento
• Níveis de Dopagem:
– Emissor muito dopado
– Base muito estreita e pouco dopada
– Colector tem um nível de dopagem intermédio

Antes da difusão Depois da difusão

•Os electrões livres da camada N difundem-se através da junção e recombinam-

se com as lacunas da região P o que origina duas regiões de depleção.
5
•Cada uma destas restas regiões tem uma barreira de potencial de 0.7V (Si)
 Funcionamento

• Díodo Base-Emissor directamente polarizado

• Díodo Base-Colector inversamente polarizado
• O emissor (muito dopado) injecta os seus electrões livres na base

6
 Funcionamento
• Os electrões na base podem ir para:
– O terminal + da fonte
– O colector
• Vão maioritariamente para o colector porque:
• Base estreita e fracamente dopada (poucas recombinações)
• Potencial de UCC maior que UBB

• Os electrões no colector são atraídos pelo terminal + da fonte UCC e seguem

esse caminho
• Por convenção, o sentido de IC será o oposto ao do fluxo de electrões. Então a
corrente IC entrará pelo colector. 7
 Fluxo de correntes
P N P
IE IC

E C

B IB

IE = IC + IB β é denominado ganho de corrente

em corrente contínua e varia de
transístor para transístor
IC ≅ β I B
20 < β < 400
NOTA: Estas equações apenas são
válidas quando o transístor está na
zona activa, i.e., quando o díodo
Base-Emissor está directamente
polarizado e o díodo Base-Colector 8
está inversamente polarizado.
 Dependência da temperatura
β varia com
– Temperatura
– IE
– VCB

VBE também é dependente da temperatura.

- Diminui na ordem de 2.5mV pelo aumento
de cada °C

9
 Tensões e Correntes do Transístor em
Corrente Contínua

NPN PNP
Colector Colector
VCB IC VBC IC

Base Base
VCE VEC
IB IB
VBE IE IE
VEB Emissor
Emissor

A seta na ponta do emissor especifica o sentido da corrente

quando a junção Base-Emissor se encontra polarizada
directamente
I E = IC + I B

VCE = VCB + VBE

10
 2 - Zonas de Funcionamento
O funcionamento do transístor depende do modo como está polarizado, ou seja,
das tensões aplicadas entre os seus terminais.
Cada uma das junções pode estar polarizada Directamente ou Inversamente
Portanto, o transístor pode operar em quatro regiões

Estado das junções

Zona
E-B C-B
Inversamente Inversamente
Corte Polarizada Polarizada
Directamente Directamente
Saturação Polarizada Polarizada
Directamente Inversamente
Activa Polarizada Polarizada
Activa Inversamente Directamente
Inversa Polarizada Polarizada 11
 Zonas de Funcionamento
As tensões aplicadas entre os terminais do transístor dependem da
aplicação requerida.

•As aplicações dominantes operam:

– Região activa
– Comutação entre Corte e Saturação

•Tensões Típicas Silício (Si) Germânio

(Transístor NPN a 25ºC) (Ge)
VCEsat 0,2V 0,1V
VBEsat 0,8V 0,3V
VBEactiva 0,7V 0,2V 12
 Zonas de Funcionamento

ZONA ACTIVA I C ≅ β I B

• Junção base-emissor directamente polarizada e junção base-

colector inversamente polarizada.

• O transístor comporta-se como elemento linear

Colector Colector
VCB IC VBC IC
Base Base
VCE VEC
IB IB
VBE IE IE
VEB Emissor
Emissor

A corrente que entra pelo colector é A corrente que sai pelo colector é
proporcional à que entra pela base. proporcional à que sai pela base.
13
 Zonas de Funcionamento

ZONA ACTIVA
IC = β I B

I = β IB I = β IB
 ⇔
C C
⇔ β IB = IE − IB
I E
= IC + IB I C
= IE − IB

⇔ β IB + IB = IE ⇔ I E = ( β + 1) I B
I B

I IC
I = β IB  B
= IC
 ⇔
C
β ⇔ = IE − IC
I E
= IC + IB  I β
B
= IE − IC

⇔ IC + βI = β IE ⇔ β +1
C IE = IC
IC
β
14
 Zonas de Funcionamento

ZONA DE CORTE

Ambas as junções inversamente polarizadas

Não basta aplicar, na junção Emissor - Base, uma tensão
inferior a 0.7V. A tensão na junção deverá ser:
– aproximadamente 0.0V no Silício
– inferior a 0.0V no Germânio

VCC VCC

15
 Zonas de Funcionamento

ZONA DE SATURAÇÃO
V CC
I C < β I B → I C ≅
R L

• Junções base-emissor e base-colector directamente polarizadas.

• Na zona de saturação a corrente IC não depende de IB (não há
proporcionalidade como acontece na região activa)

VCC VCC

⇔
Se VCEsat=0V

16
 Zonas de Funcionamento

Zona Activa
VCE>0,2V
VBE=0,7V
IC = β × IB

Zona de Corte
IC=0 , IB≅0
VCE=VCC
VBE<0,7V

Zona de Saturação
VCE≤0,2V
VBE=0,8V
iI C < β × I B 17
 Característica de saída

Característica de saída

Família de curvas que

representam IC em função
de VCE para diferentes
valores de IB

18
 Como saber em que zona opera o transístor?

•O transístor da figura seguinte opera em que zona?

3K
β =100
I VCEsat = 0.2 V
50K
I
C
VBE = 0.7 V
B I 10V
5V 2K
E

•Não sabemos em que zona opera o transístor. O procedimento é supor que está na
zona activa e averiguar se a tensão VCE é possível, i.e. se está de acordo com o slide
anterior. Se estiver realmente na zona activa esta tensão terá de ser superior a VCEsat.
•Se o transístor está na zona activa
I C = β × I B e VBE =0,7 V

•Sabemos também que I E = I B + I C e que a soma das tensões num percurso

fechado é nula. Então podemos aplicar as leis de Kirtchhoff às malhas do circuito.
19
 Como saber em que zona opera o transístor?
3K

I
C 2
50K
I
I 10V
B
5V 2K
1 E

Malha 1 I E = I B + IC e IC = β * I B
-5 + 50kI B + VBE + 2kI E = 0 ⇒ IE = IB + β * IB
⇔ −5 + 50kI B + VBE + 2k ( β + 1) I B = 0 ⇔ I E = ( β + 1) * I B
5 − 0.7
⇔ IB = = 17 µ A
50k + 202k
⇒ I C = β I B = 1, 7 mA (se na zona activa!)

I E = I B + IC e IC = β * IB
Malha 2 IC
3kI C + VCE + 2kI E − 10 = 0 ⇒ IE = + IC
β
⇔ 3kI C + VCE + 2k
( β + 1) * I − 10 = 0 ( β + 1) * I
C ⇔ IE =
β β
C

 2k × 101 
⇔ VCE = 10 −  + 3k  I C
 100 
⇔ VCE = 1, 5V
•Como VCE é superior a VCEsat o transístor não está saturado.
•Como existe corrente IC o transístor não está ao corte.
•Conclusão: está na zona activa!!! 20
 3 - O Transístor como Comutador
VCC

•Saturação/Corte
RC
VB1

RB

VB2

•VB1 é uma tensão que coloca o transístor na saturação. Assim, quando o comutador
estiver para VB1 haverá corrente de colector e o LED estará aceso.

•VB2 coloca a junção base-emissor inversamente polarizada, pelo que quando o

comutador estiver para VB2 o transístor estará ao corte. Não haverá corrente de
colector e o LED estará apagado.

•Calcule a corrente que atravessa o LED se VB1=5V, VCC=15V, RB=10kΩ, RC=1k Ω,

VLED=2V, VBE=0,7V e VCESAT=0,2V. 21
(Sol: 12,8mA)
 4 - O Transístor como controlador de corrente

•Regulador de brilho de um LED Rc

D1

LED

Q1
Rb Vcc

Vi

• O transístor opera na zona activa IC = β × IB

Vi − V BE
IB =
Rb

• Se Rb aumenta a corrente IB diminui, consequentemente IC diminui. A

corrente que atravessa o LED é IC. Então esta corrente também diminuirá e o
brilho do LED irá diminuir.
22
 Amplificação - Motivações
• Os sinais eléctricos oriundos por exemplo de sensores são muito
pequenos e, portanto insuficientes para serem aplicados directamente
aos elementos de saída de um sistema electrónico.

• Exemplo:


 Se considerarmos o sinal gerado pela cabeça magnética de uma
aparelhagem de som (transdutor) verificamos que o valor de tensão
que se gera na leitura da fita é da ordem dos 200mV.

 Este pequeno sinal aplicado a um altifalante não produz

qualquer efeito sonoro.

Conclui-se então que é necessário intercalar entre o transdutor e

o elemento de saída uma etapa que amplifique o sinal (sem o
deformar). Esta etapa é denominada de 23
etapa amplificadora ou amplificador.
 Amplificação - Características
• Amplificar é multiplicar um sinal de entrada por um número
maior que a unidade.

• Além de aumentar o sinal amplificado, o amplificador também

tem por missão realizar esta operação com a menor distorção ou
deformação possível.

• Quando o sinal que se obtém na saída é inferior ao sinal de

entrada , produz-se uma atenuação e o circuito é denominado
Atenuador.

• Por vezes pretende-se ampliar exclusivamente a tensão aplicada

na entrada, outras vezes a corrente, mas na maioria dos casos o
que se pretende é amplificar ambos, ou seja, a potência. 24
 Amplificação - Características

Ganho de um Amplificador
…Relação entre o valor da grandeza obtida na saída e o valor da
entrada.
v2
Av =
–Ganho de Tensão: v1
i2
Ai =
–Ganho de Corrente: i1
v2
–Ganho em Decibeis Av DB = 20 × log
v1

O Decibel é uma unidade empregue para medir níveis sonoros, mas

também é utilizada para expressar o valor do ganho de um
amplificador 25
 5 - Amplificadores - Circuitos Polarização

• Quando se constrói um amplificador, é necessário em primeiro

lugar polarizar o transístor adequadamente.

• A polarização serve para colocar o transístor no ponto de

funcionamento desejado. Este ponto é denominado PFR (Ponto
de funcionamento em repouso) e é definido pelas correntes IB, IC
e pela tensão VCE.

• Uma vez definido o PFR o circuito está preparado para que lhe
seja aplicado um sinal alternado na entrada.

• O sinal de saída só será uma réplica amplificada do sinal de

entrada se o transístor operar na zona activa para todo o ciclo do
sinal de entrada.  A zona de operação é definida pelo PFR.
26
 5 - Amplificadores - Circuitos Polarização

• Polarizar um transístor para amplificar, significa então escolher

uma tensão entre o colector e o emissor (VCE ) e uma corrente de
colector (IC) que coloquem o transístor na zona activa para todos
os valores do sinal de entrada.

• O ganho do circuito e a tensão de saída são independentes das

correntes e tensões de polarização.

• Circuitos de polarização

Polarização Fixa
Auto-Polarização
27
 Polarização Fixa do Transístor
+Vcc

RB
RC

C2

C1

RL
Vo
Vin

• O condensador C1 permite a passagem de corrente alternada (ca)

proveniente de Vin, mas impede que a corrente contínua (cc) que atravessa
RB circule por Vin

• Na saída pretende-se obter exclusivamente o sinal Vin amplificado. A

operação de separar cc de ca é feita por C2.

• Os condensadores comportam-se então como um circuito aberto para

cc e como um curto circuito para ca. 28
 Polarização Fixa do Transístor
•Polarizar um transístor de forma a que este amplifique significa escolher
uma tensão VCE e uma corrente IC que coloquem o transístor na zona
activa. Então na determinação do PFR estão envolvidas somente
correntes contínuas
+Vcc
•Como os condensadores comportam-se
como um circuito aberto para cc, RB
RC
o circuito de polarização é então: IB

VCE
• RB fixa a corrente IB
V cc = R B × I B + V BE
•

• RC serve de carga ao colector

definindo a tensão VCE 29
 6 - Recta de Carga Estática
•O PFR (ponto Q) é escolhido sobre uma recta – a recta de carga estática
(RCE). A equação desta recta é a equação que relaciona a corrente IC com
a tensão VCE. Pela figura conclui-se que esta equação é a que se obtém
circulando na da malha de saída.
Vcc = Rc × Ic + VCE
Pontos extremos:
Ic = 0 ⇒ VCE = Vcc
Vcc
RCE
VCE = 0 ⇒ Ic =
Rc
VCC
O declive da recta é PFR
Vcc
−0
Rc Vcc 1
= =−
0 − Vcc − Rc *Vcc Rc

•Determinada a RCE o PFR pode ser escolhido em qualquer ponto desta

recta que pertença à zona activa.
30
•Variando IB o PFR desloca-se ao longo da recta.
 Exemplo
Dado o circuito e as características do transístor, determinar a recta de
carga estática.

RCE

31
 Exemplo
• Suponhamos que escolhemos o P.F.R definido por ICQ=2.5mA e
VCEQ=22.5V. Qual o valor de Rb?

∴ Tira-se que I B = 20 µ A
e pela malha do lado esquerdo
Rb I B = VCC − VBE
VCC − VBE 30 − 0.7
Rb = ⇔ Rb = = 1.465 M Ω
IB 20 × 10−6

• Por outro lado sabemos que:

I C = β I B + ( β + 1) I CBO ⇔ I C ≅ β I B ,desprezando I CBO
∴
I CQ 2.5 × 10−3
β≅ = = 125
IB 20 × 10−6

Neste exemplo foi também possível determinar o valor do β do transístor

para o P.F.R escolhido. 32
 Factores que causam Instabilidade

•VBE varia com a temperatura, o que gera instabilidade no PFR.

Diminui na ordem de 2.5mV pela subida de cada °C

•β
β varia de transístor para transístor provocando uma alteração do
PFR. Também aumenta com o aumento da temperatura.

Resumindo: O aumento da temperatura provoca uma

diminuição de VBE o que provoca um aumento de Ic e
consequentemente uma diminuição de VCE.

33
 Conclusões

No caso da montagem considerada a corrente IB é mantida constante já que

é fixada por RB e VCC (considerando VBE≈constante)

Se o transístor for substituído por outro que não tenha o mesmo β o PFR
vai-se deslocar podendo atingir zonas indesejáveis (saturação ou corte).

Esta montagem pelo facto de manter a corrente IB constante não é muito

boa pois as variações no β de diferentes transístores reflectem-se na posição
do PFR.
É, então, preferível deixar variar IB de modo a poder manter o PFR estável.

•O circuito de polarização capaz de compensar as variações descritas

anteriormente é denominado por circuito de AUTO-POLARIZAÇÃO e é
descrito de seguida.
34
 Auto-Polarização

• É constituído por um divisor de tensão formado por R1 e R2, ligado

à base do transístor, e por uma resistência de emissor.
+Vcc

R1 RC

R2 RE

•A tensão no ponto B tem de ter um valor suficiente para polarizar

directamente a junção base emissor.

• As resistências R1 e R2 polarizam a base do transístor e mantêm

uma tensão fixa na base. 35
 Equivalente de Thévenin
Este circuito pode ser substituído pelo seu equivalente de Thévenin.

+Vcc

R1 RC

Vcc RBB

R2
VBB RE

Vcc * R 2
VBB =
R1 + R 2
R1* R 2
RBB = R1 // R 2 =
R1 + R 2

36
 Recta de Carga Estática

Vcc = Rc * I C + Re ( I C + I B ) + VCE
 I 
Vcc = Rc × I C + Re  I C + C  + VCE
 β 
Re× I C
Vcc = Rc × I C + Re× I C + + VCE
β
 Re 
Vcc − VCE = I C  Rc + Re+
 β 

•Se Re for pequena e β elevado pode-se desprezar Re/β face a Rc+Re e a

equação da recta de carga fica:

Vcc − VCE
IC =
(Rc + Re )
•Ic é independente de β ⇒ a substituição de um transístor
por outro com um β diferente não altera o PFR 37
 Circuito de Entrada
V BB = I B × R BB + V BE + R E × I E
V BB = I B × R BB + V BE + R E × ( I B + I C )
V BB = I B ( R BB + R E ) + V BE + R E × I C

I 
V BB =  C  ( R BB + R E ) + V BE + R E × I C
 β 
β VBB = ( RBB + RE ) I C + β VBE + β RE I C
β VBB = I C ( RBB + RE + β RE ) + β V BE
β (VBB − VBE )
IC =
R BB + ( β + 1) R E

38
 Instabilidade

• Pretende-se agora verificar qual a influência de β ou VBE na

estabilidade do PFR.
β (VBB − VBE )
IC =
RBB + ( β + 1) RE

•Se R BB << ( β + 1) R E então Condição de

Estabilidade
β (V BB − V BE ) ≈ (V BB − V BE )
IC =
( β + 1) R E RE

IC =
(VBB − VBE )
RE

•Daqui concluímos que caso se verifique a condição de

estabilidade IC é independente de β 39
 Estabilidade

• Se Ic tende a aumentar (como consequência da variação de β ou

VBE com o aumento da temperatura), a corrente IE e a queda de
tensão em RE tendem também a aumentar. A corrente de base,
devido ao aumento da queda de tensão em RE diminui. Sendo IB
mais baixo, IC tenderá também a ser menor e é feita deste modo
a compensação face a variações da temperatura!

• O resultado é que a subida da corrente de colector é

compensada, em grande parte, pela diminuição da corrente de
base.

40
 Regime Dinâmico
•Um amplificador deve aumentar (amplificar) o sinal de entrada mas
não o deve deformar – o sinal de saída deve ser uma réplica fiel do
sinal de entrada.

•Depois de polarizar correctamente o transístor (escolha do PFR) é

necessário verificar as capacidades do amplificador em causa, i. e.
verificar qual é a amplitude máxima do sinal que o amplificador
permite ter na sua saída de forma a não distorcer o sinal de entrada.

•Este dado é obtido analisando o comportamento do amplificador

quando lhe é aplicado à entrada o sinal que se pretende amplificar.
Quando falamos desta situação dizemos que estamos em
regime de sinal ou regime dinâmico. 41
 Regime Dinâmico
•Em regime dinâmico o PFR mantém-se. No entanto à medida que o sinal
de entrada varia, o valor da corrente ic e da tensão vce também variam,
provocando variações em torno de uma outra recta denominada recta de
carga dinâmica.
•Para que o amplificador não provoque distorção é necessário garantir que
nem o ic nem o vce atinjam zonas fora da zona activa! Na verdade temos de
descobrir qual a variação máxima possível para estes parâmetros.

Vcc/R

IC
(PFR)

VCEsat
42
VCE Vcc
(PFR)
 Recta de Carga Dinâmica
VCC

Procedimento para obter a RCD RB RC

-Substituir fonte DC por curto-circuito

C2
-Substituir condensadores por curto-circuito C1
io
Vo

Vi RL

∆IC

RB RC
∆VCE
Vo
Vo
RB RC RL
RL

Analisando a malha de saída obtemos a recta da carga dinâmica do circuito

∆ V C E = − ( R C // R L ) × ∆ Ic

43
 Recta de Carga Dinâmica
∆VCE = −( RC // RL ) × ∆Ic
1
∆Ic = − ∆VCE ( R = RC // RL )
R
∆IC1

Vcc/R

IC
(PFR)

∆IC2

VCEsat VCE(PFR) Vcc

•∆VCE1 - limite imposto pela

zona de saturação
∆VCE1 ∆VCE2 •∆VCE2 - limite imposto pela
zona de corte
44
 Projecto- Cuidados!
•Pela figura concluímos que:
∆VCE1 = VCE ( PFR ) − VCEsat
∆I C 2 = I C ( PFR )

•Pela recta de carga dinâmica podemos obter ∆VCE 2

∆VCE 2 = −( RC // RL ) × ∆Ic2

•Então a máxima variação possível para VCE ou máxima excursão

simétrica é então dada por:
m i n i m o {∆ V C E 1 , ∆ V C E 2 }

•Olhando para o circuito verificamos que a máxima excursão

simétrica do sinal de saída coincide com a de VCE. 45
 Projecto- Cuidados!

•Q: Quando é que a excursão simétrica é máxima?

•R: - Quando a RCD coincidir com a RCE e
- o PFR estiver a meio da RCE

O limite imposto pelo corte é igual ao limite imposto pela saturação

•A RCD depende da resistência de carga do circuito (RL) daí que

deva haver cuidado numa fase de projecto.
•Com o aumento da RL aumenta a inclinação da RCD o que pode
levar a saída a ter uma distorção de amplitude por corte.
46
 Regime de Sinal - Introdução

• Já estudámos o modo de polarizar um transístor de forma a poder

utilizá-lo como elemento amplificador.

• Em regime de sinal, para sinais de pequena amplitude (i.e

pequenas variações em torno do PFR) e baixa frequência (BF) e
admitindo que o transístor se encontra polarizado na sua zona
activa, o comportamento do transístor é linear. Perante este facto
derivam-se modelos matemáticos também lineares que
representam o transístor quando este se encontra na zona activa.

47
 Parâmetros Híbridos do Transístor
- modelo simplificado

O modelo equivalente em regime de sinal para o transístor será:

ib

B hie C
C
B hfeib
⇔
E
E E

Modelo de Ebbers-Moll  simula o

comportamento do transístor quando excitado
por um sinal alternado

48
 Circuitos Amplificadores- Configurações
CONFIGURAÇÕES EM:

– EMISSOR COMUM

- COLECTOR COMUM

– BASE COMUM

49
 Análise de um amplificador- EC

•Impedância de Entrada Ri unidades → Ω

•Impedância de Saída Ro unidades → Ω
•Ganho de Tensão Av = v o VCC
vi
RB RC

ii
C2

C1 vo

vi

•Técnica de Análise: Ri Ro

–Substituir fonte DC por curto-circuito

– Substituir condensadores por curto-circuito
–Substituir transístor por modelo

50
 Análise de um amplificador- EC

RB RC ii
ii
vo
vo
vi RB RC
vi

Ri Ro
Ri Ro

ii
B hie C

hfeib
ib

E vo

vi RB RC

Ri Ro

51
 Análise de um amplificador- EC
vo
•Ganho em tensão: Av =
vi Inversão de fase
v o = − R c × h fe × ib
vi = h ie × ib
vo − R c × h fe × ib − R c × h fe
Av = = =
vi h ie × ib h ie

•Impedância de Entrada: Ri
vi
É a impedância vista da fonte de sinal Ri =
ii
= RB // hie

•Impedância de Saída: Ro
Vo
•É a impedância vista da fonte de sinal Ro = = Rc
Io
•Substitui-se Vi pela sua resistência interna
•Substitui-se a resistência da carga por ∞ (ex:a resistência de um altifalante não entra
nos cálculos de Ro)
52
•Aplica-se na saída uma tensão Vo e uma corrente Io
 Amplificador EC com resistência Rs

VCC

RB RC

Rs C2

C1 vo

vi

Ri Ro

v o = − Rc × hfe × ib
Rb // hie + Rs
vi = hie × ib ×
Rb // hie
v − Rc × hfe × ib − Rc × hfe × ( Rb // hie )
Av = o = =
vi Rb // hie + Rs hie × ( Rb // hie + Rs )
hie × ib ×
Rb // hie

53
 Análise de um amplificador- CC

VCC

RB1

ii

C1

C2 vo
vi RB2 RE

Ri Ro

RB1

ii

vo
vi RB2 RE

Ri Ro

54
 Análise de um amplificador- CC
ii

vo
vi RB1 RB2 RE

Ri Ro

ii

vo

vi RB1 RB2 RE

Ri Ro

ii
B hie E

ib hfeib

C vo

vi RB1 RB2 RE

Ri Ro
55
 Análise de um amplificador- CC
vo Não há Inversão de fase
•Ganho em tensão: Av =
vi
v o = R E × ( h fe + 1) × ib
v i = h ie × ib + R E × ( h fe + 1) × ib
vo R E × ( h fe + 1) × ib R E × ( h fe + 1)
Av = = =
vi h ie × ib + R E × ( h fe + 1) × ib h ie + R E × ( h fe + 1)

•Impedância de Entrada: Ri
vi
Ri = = RB //(hie + (hfe + 1) RE )
ii
RB × (hie + (hfe + 1) RE )
muito mais elevada que em EC
=
RB + (hie + (hfe + 1) RE )

•Impedância de Saída: Ro (se a resistência interna da fonte Vi for nula)

Vo RE × hie
Ro = =
Io hie + RE (hfe + 1)

56
 Comparação entre montagens

Características Valores Típicos

EC CC BC
Ganho em Tensão Alto: Baixo: Alto:
Av 500 1 1000
Imp. Entrada Baixa: Mto Alta: Mto Baixa:
Ri 1kΩ 500k Ω 1 a 150Ω
Imp. Saída Alta: Mto Baixa : Mto Alta:
Ro 50k Ω 100Ω 1MΩ

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 Comparação entre montagens

R1//R2=50kΩ hie=1k Ω
RC=1.5k Ω hfe=120
RE=100 Ω RG=0 Ω
Para os mesmos valores os resultados são diferentes consoante a montagem!

Montagem: Av Ri Ro
EC (c/ CE) -180 1k Ω 1.5k Ω

EC (s/ CE) -14 13k Ω 1.5k Ω

CC 0.92 10k Ω 12 Ω
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