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principio de funcionamiento
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Historia del IGBT

El IGBT es un dispositivo semiconductor con cuatro capas alternas (P-N-P-N) controladas por
una estructura de puerta semiconductora de óxido metálico (MOS) sin acción regenerativa.
Este modo de operación fue propuesto por primera vez por el japonés Yamagami en su
patente S47-21739, archivada en 1968. Este modo de funcionamiento fue mencionado en
primer lugar en el dispositivo lateral de cuatro capas (SCR) por B.W. Scharf y J.D. Plummer en
1978.
En 1979, B.J. Balinga definió la estructura del dispositivo como un MOSFET con la zona de
“drain” sustituida por una zona de ánodo tipo p.
Plummer archivó una patente para en modo de operación IGBT en el dispositivo de cuatro
capas (SCR) en 1978. Hans W. Becke y Carl F. Wheatley inventaron un dispositivo similar
para el cual firmaron una patente en 1980, al cual se refirieron como “MOSFET de potencia
con una región de ánodo”. Esta patente ha sido considerada como la semilla para el IGBT. La
patente afirmaba que el dispositivo “no se comporta como un tiristor bajo ninguna condición de
funcionamiento”. Esto significa básicamente que en el dispositivo no se produce cortocircuito
tipo “latchup” en todo su rango de operación.
Dispositivos prácticos capaces de operar en un gran rango de corrientes fueron en primer
lugar reportados por Baliga en 1982. Un documento similar fue publicado por J.P. Russel en la
revista “Electron Device” en 1982. Las aplicaciones para el elemento eran inicialmente
consideradas por la comunidad científica de la electrónica de potencia como muy restringidas
debido a su baja velocidad de conmutación y porque se producían cortocircuitos tipo latch-up.
No obstante, fue demostrado por Baliga y posteriormente por A.M. Goodman en 1983 que la
velocidad de la conmutación podía ser ajustada en un gran rango usando la irradiación de
electrones.
A continuación se produjo una demostración del funcionamiento del dispositivo a altas
temperaturas por Baliga en 1985. Se produjeron esfuerzos con resultados satisfactorios en la
supresión de los latch-ups en el dispositivo y la determinación de los niveles de voltaje
admisibles puerta-emisor permitieron la introducción de dispositivos comerciales de este tipo
en 1983, que podían ser utilizados en un gran ámbito de situaciones.
La definitiva supresión de la acción parasitaria de tiristor anulando los cortocircuitos “latch-up”
y consiguiendo un comportamiento IGBT para el rango de operación completo del dispositivo
fue conseguido en 1984 por A. Nakagawa. El diseño para el IGBT sin latch-up fue patentado.
Para probar la ausencia de latch-up, los prototipos de IGBT de 1200 V fueron conectados sin
ninguna carga a una fuente constante de 600 V y fueron accionados durante 25
microsegundos. Los 600 V cayeron en su totalidad en los IGBTs y fluyó una enorme corriente
de cortocircuito.
Los IGBTs soportaron con éxito estas severas condiciones. Esta fue la primera demostración
de las llamadas pruebas de capacidad de soporte de cortocircuito en IGBTs. La no ocurrencia
de cortocircuitos latch-up estaba asegurada por primera vez para el rango completo de
operación. En este sentido, el IGBT sin latch-ip propuesto por Hans W. Becke y Carl
F.Wheatley fue realizado por Nakagawa en 1984. Toshiba comercializó productos de este tipo
por primera vez en 1985. Al ser probada la ausencia de latchup, fue probado que los IGBTs se
mostraban robustos y tenían una gran área de operación. Fue demostrado que el producto de
la densidad de corriente operática y el voltaje del colector excedían el limite teórico de los
transistores bipolares de 2E5 W/ cm2 y alcanzaron 5E5 W/cm2.
El material aislante está típicamente formado por polímeros solidos que tenían problemas de
degradación. Algunos desarrolladores usan un gel ionizado para mejorar la manufactura y
reducir el voltaje requerido.

Comparaciones específicas frente a otros dispositivos

Definimos el IGBT como un híbrido entre los transistores MOSFET y los BJT, o bipolares, que
aprovecha las ventajas de ambas tecnologías, por lo que será sobre estos dos con los que
realizaremos las comparaciones más específicas, observando sus ventajas y desventajas.
El IGBT tiene la salida de conmutación y de conducción con las características de los
transistores bipolares, pero es controlado por tensión como un MOSFET, tiene una
impedancia de entrada elevada como los MOSFET, alta capacidad de corriente, caída de
tensión directa (voltaje colector-emisor de saturación) muy baja así como la facilidad de
comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la tecnología MOSFET, además de las
bajas pérdidas en conmutación como los BJT, puesto que la energía aplicada en la puerta que
activa el dispositivo es pequeña, con corrientes de orden de nanoamperios y tensiones de
control de unos 15V, haciendo posible su control mediante circuitos integrados, además de no
necesitar la corriente de base para mantenerse en conducción como los bipolares. En
general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente
propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de conducción por tensión
que ofrece un MOSFET.

Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).
• Entre algunas de sus desventajas encontramos que tienen una relativamente baja velocidad
de respuesta (20Khz) en comparación con el MOSFET aunque puede trabajar con altas
frecuencias y grandes intensidades, pero no siempre traen el diodo de protección (Damper)
que incluyen los MOSFET. En sus primeras versiones, los IGBT eran propensos a entrar
abruptamente en conducción, pero en la actualidad, las nuevas tecnologías de fabricación
están eliminando este defecto.
Otro de los posibles problemas con algunos tipos de IGBT es el coeficiente de temperatura
negativo que poseen, que podría conducir al dispositivo a una deriva térmica muy difícil de
controlar. Lo que significa que tiene un comportamiento dependiente de la temperatura. Por
supuesto, estas desventajas quedan eclipsadas cuando reconocemos la capacidad de
un IGBT de poder trabajar con varios miles de Voltios y corrientes tan elevadas que permiten
hablar de cientos de Kilovatios de potencia controlada.

A parte de estas características, un IGBT cuenta con una caída de tensión significativamente
menor en comparación con un MOSFET convencional en dispositivos con clasificación más
alta de tensión de bloqueo, aunque las pérdidas en conmutación son mayores.
A diferencia de un MOSFET, el IGBT no puede conducir en la dirección inversa. Es capaz de
bloquear tensiones Vce negativas, al contrario que el MOSFET, que no puede debido a su
diodo parásito.
A pesar de todo esto el MOSFET es un producto ya maduro y que ha logrado un desarrollo
constructivo muy importante. Los IGBT son una nueva tecnología que superará a los MOSFET
por encima de los 300 Voltios y los 100 Amperios, pero estos últimos continúan teniendo un
crecimiento muy dinámico en el área de la automoción y la electrónica de consumo, lo que
hará que su decadencia no resulte tan sencilla.
•Una vez vistas las diferencias frente a los MOSFET y a los BJT (dispositivos frente a los que
mayor competencia puede tener), procedemos a comparar ligeramente el dispositivo IGBT
con los SCR. Un SCR (Rectificador controlado de Silicio) es un dispositivo electrónico
utilizado en sistemas de control de potencia. Posee 3 terminales: ánodo, cátodo y compuerta.
La compuerta es la que se encarga de habilitar el paso de corriente entre las terminales ánodo
– cátodo. Cuando la puerta está habilitada funciona igual que un diodo: Permite el paso de
corriente únicamente en sentido ánodo-cátodo y no en sentido inverso.
El IGBT es un dispositivo electrónico, más reciente que el SCR el cual se utiliza para sistemas
de potencia igualmente. Fue creado con el fin de obtener en un solo elemento la capacidad de
alto manejo de corriente de un transistor BJT común, con la puerta aislada de un FET. El
resultado fue un dispositivo cuya velocidad de reacción es más alta que un transistor común e
incluso que un SCR, haciéndole atractivo en aplicaciones de media-alta frecuencia a costo de
un menor manejo de potencia.
Un IGBT maneja frecuencias más altas que el SCR haciéndolos versátiles y aplicables en
operaciones de media y alta frecuencia, pero manejan una potencia más baja que estos,
aunque los IGBT son más fiables y eficientes que los SCR puesto que la conmutación de un
IGBT es más rápida comparada con la de un SCR y por lo tanto las perdidas por conducción
son más bajas.
La instalación de un módulo IGBT es más sencilla que la de un SCR puesto que el módulo
IGBT es más compacto en comparación a un SCR, logrando que los convertidores de
potencia sean más pequeños haciéndolos más económicos que los SCR.

Aunque una vez conocidas las ventajas y desventajas de estos dispositivos

deberemos saber diferenciar sus aplicaciones en diferentes campos
conociendo las características de cada dispositivo.

Mediante tablas veremos las características resumidas de los dispositivos más

utilizados y su comparación frente a los IGBT:

 Tabla con las prestaciones de los dispositivos de potencia más utilizados para seleccionar
en que zona se utilizará cada dispositivo en función de las características de cada
dispositivo parametrizadas por la tensión, la corriente y la frecuencia de trabajo.
 En la siguiente tabla se añaden otras características importantes a tener en cuenta en el
diseño de circuitos de electrónica de potencia.
Estructura
Es un dispositivo semiconductor que combina el MOSFET y el BJT. Esta formado por obleas
dopadas de tipo N y de Tipo P formando cuatro capas de unión PN que reduce la resistividad
haciendo menor la caída de tensión en la conducción, pero a diferencia del tiristor este se
puede controlar totalmente en el momento del encendido y el apagado. Su construcción es
similar a la de un MOSFET con la diferencia de que el material de partida es de tipo P y no N.
La P adicional hace que cuando esta en corte no haya inyección de huecos entre la unión PN
en la N (esto se produce cuando esta polarizado directamente) por lo que la capacidad de
soportar tensión solo depende de la capa N.
En la imagen podemos observar la diferencia de estructura entre un MOSFET y un BJT y la
combinación de capas NPN y la combinación adicional PNP.
Al utilizar el principio de los FET en el circuito de excitación y una estructura bipolar en el de
potencia se reduce mucho la superficie de silicio necesaria. Esta unión PN también conforma
un tiristor parasito el cual si es activado puede destruir el IGBT.