Proyecto Final: Amplificador de Audio

Universidad de Sonora, División de Ingeniería, Ingeniería Mecatrónica.

Hurtado Monge, César Francisco. Olivas Carrizoza,Ammir
Clark Díaz, Uriel .Pliego Domínguez, Erick

Electrónica Analógica
Prof. Amed Gallegos Tabanico.

Hermosillo, Sonora a 4 de Diciembre del 2015

Introducción.
Nuestro proyecto final es un amplificador clase A que tiene como objetivo llevar no
sólo a la práctica el funcionamiento básico del transistor, sino encontrar una aplicación de
estos en la vida cotidiana. Para la realización del proyecto se logró la comprensión de:
1) Comportamiento del transistor BJT en DC.
2) Configuraciones de polarización de transistor.
3) Amplificadores de potencia.

Antecedentes.

El BJT, transistor de unión bipolar, es un dispositivo semiconductor compuesto por tres regiones, en el
cuál dos de ellas constan de material tipo p y una de material tipo n (transistor pnp) o dos de material tipo n y
una de material tipo p (transistor npn). El término bipolar se refiere a que trabaja tanto con huecos como
electrones como portadores de corriente.

Ilustración 1: (izq.)Transistor npn. (der.)Transistor pnp.

 Las terminales de un transistor se denominan emisor, base y colector. La unión pn que une la región de
la base con la del emisor se denomina unión base-emisor. La unión pn que une la región de la base con la del
colector se llama base-colector. El dopaje de las regiones de un transistor es variable. La región de la base está
ligeramente dopada y es más delgada en comparación con la región del colector que está dopada
moderadamente y la del emisor que es excesivamente dopada.

Ilustración 2: Simbología del transistor BJT.

Polarización de un transistor en DC
En el caso del transistor pnp la relación entre el emisor y la base es muy semejante a la del diodo en
polarización directa. Al ser polarizado, el ancho de la región de empobrecimiento se reduce lo que da como
resultado un flujo de portadores mayoritarios del material p al n.

En cambio la relación base colector se comporta de manera similar al diodo polarizado inversamente,
debido a que tiene flujo de portadores minoritarios.

Ilustración 3: Flujo de portadores mayoritarios a través del transistor. (Izq.)npn. (der.)pnp

La unión p-n del BJT se polariza en inversa en tanto la otra se polariza en directa.

Curva característica del colector.

Para denominar las curvas característica del comportamiento del colector se requiere de un circuito como
el de la Ilustracion 4.

Ilustración 4

Donde VCC y VBB son variables.

 Suponiendo que VCC es 0 y que VBB entrega un voltaje para producir un valor de IB se produce una
polarización directa tanto en la unión base-emisor como en la base-colector, ya que la base está
aproximadamente a 0.7V y el colector está a 0V. La corriente solamente fluye por el emisor lo que lleva a tener
una corriente de IC=0. En este caso el transistor se encuentra en una región de saturación. La saturación es el
estado donde el BTJ alcanza un valor máximo en la corriente IC de manera independiente a la corriente de la
base.

A medida que VCC aumenta VCE e IC lo hacen de manera proporcional hasta llegar a VCE de 0.7,
hasta entonces base-colector se polariza inversamente y el transistor entra en su regió activa de operación es
aquí donde IC permanece de manera constante dependiendo de IB.

Cuando VCE alcanza un valor lo suficientemete alto (aprox. VCC) la unión base-colector entra en
ruptura e IC aumenta con rapidez y se entra a la región de corte donde ambas uniones están polarizadas
inversamente por lo tanto el transistor entra en un estado de no conducción.

Ilustración 5: Curva Característica de Colector.

Punto de operación.
Para que el transistor BJT trabaje en su regió activa es necesario:

- La unión base-emisor debe polarizarse en directa con voltaje resultante entre 0.6 y 0.7 V
- La unión base-colector debe polarizarse en inversa con un voltaje de polarización en inversa
menor al de los límites del dispositivo.

Beta (β)
La β es el factor de amplificación de corriente en directa en emisor común, es la relación de los niveles
de la corriente de la base (IC) y la corriente del colector (IB) dada por la fórmula:

𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵

En las hojas de especificacones se incluye como hFE.

Conexión Darlington
 La configuración Darlington consiste en la conexión de dos transistores en donde el emisor del primero
alimenta la base del segundo, ésta configuración consigue que la β de ambos transistores se multiplicay su caída
de voltaje se suma teniendo así 1.4 en lugar de 0.7. Ésta conexión hace que se tenga una ganancia de corriente
muy alta en comparación con las configuraciones comunes.

Comportamiento de la conexión tipo Darlinton en DC

El valor de IB se obtiene mediante la fórmula:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝛽𝐷 𝑅𝐸

Por lo que IE se obtiene mediante

Ilustración 6: Conexión Darlington.

𝐼𝐸 = (𝛽𝐷 + 1)𝐼𝐵

Y los voltajes en DC serían

𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸
Materiales y métodos (Diagramas, materiales, etc.)

Se llevó a cabo un circuito de amplificación analógica de una señal de audio compatible con entrada
RCA de 3.5mm que amplifique con una bocina de 0.25W. Se integró una resistencia variable que permite
regular el volumen del amplificador. Se tiene un conector de alimentación compatible con reguladores de5v-
12v. Se utilizó un transistor TIP120G el cual tiene integrado dos transistores de unión bipolar lo
que hace que este opere como un transistor con una gran beta (en este caso el factor de
amplificación es de 1000), a este tipo de transistores se les conoce como Transistor
Darlington Encapsulado.

Materiales:
 Protoboard.
 Potenciómetro 10KΩ.
 2 Resistencias de 10 kΩ.
 Resistencia 47 kΩ.
 Transistor TIP 120G.
 Parlante de 8 ohm.
 Capacitor de 3300 µF.
 Capacitor de 10 µF.
 Cables.
 Jack de 3.3 mm.
 Fuente de poder de 9V ,1700mA.

Ilustración 7: Diagrama del Amplificador. Se representa el Transistor TIP120G como se plasma en su datasheet.
Resultados.
Polarización en DC del circuito con Transistor Darlington.

Datos:
Vcc = 9v RB = 57 kΩ
VBE = 1.4 v Rc = 0.33 kΩ
β = 1000 RE = 10 kΩ

Corriente de la Base:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 9𝑣 − 1.4𝑣
𝐼𝐵 = = = 7.7569𝑥10−7 𝐴
𝑅𝐵 + β ∗ 𝑅𝐸 57𝑥10 Ω + 1000 ∗ 10x103 Ω
3

Corriente del Emisor:

𝐼𝐸 = (β + 1) ∗ 𝐼𝐵 = (1000 + 1) ∗ 7.7569𝑥10−7 𝐴 = 7.5644𝑥10−4 𝐴
Voltaje del Emisor:
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = 7.5644𝑥10−4 𝐴 ∗ 10𝑥103 Ω = 7.5644 V
Voltaje de la Base:
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 7.5644 V + 1.4 v = 8.9644 V
El voltaje del colector es el valor de la fuente de
. 𝑉𝐵 = 9𝑉

Ilustración 8: Señal de Salida del Amplificador. Como podemos observar corresponde con la onda de un
Amplificador clase A, ya que esta no se recorta de ninguna manera, solo amplifica la señal de entrada.
Conclusión.

En esta última práctica de la clase de electrónica, se aplicaron los conocimientos adquiridos en los tópicos
de la materia para lograr fabricar y obtener cierto grado de comprensión de un sistema electrónico controlado
por una señal analógica. Fue complicado el diseño para un circuito de amplificador lineal clase A, parte de los
conocimientos teóricos se tenían, pero no estaba muy claro el camino que había de tomar para lograr aterrizar
una idea u objetivo, con la ayuda de diagramas de internet, videos y libros pudimos armar un circuito funcional,
pues no nos sirvió seguir diagramas de internet pues no teníamos acceso a los componentes requeridos. Podemos
concluir varias cosas:

 El circuito Darlington es una configuración muy útil de la que se puede echar mano en diversas
situaciones.
 Es importante considerar el voltaje de la fuente ya que en caso de tener un voltaje menor al que requiere
el amplificador este no va a funcionar y en caso de exceder el límite de voltaje el circuito corre riesgo
de quemarse.
 También es importante cumplir con el requerimiento mínimo de Amperaje pues de no ser así, la señal
atenuara y no obtendremos una señal uniforme. Por lo general no hay riesgo en caso de excederla.
 Es muy importante tener en cuenta que cuando se trabaja con transistores estos pueden calentarse en
exceso, por lo que a veces necesitaremos de un disipador de calor, nosotros utilizamos una arandela
de un tamaño considerablemente más grande que el transistor, nos sirvió pero aun así no creemos que
sea una solución para un uso prolongado.

Un buen diseño es la base de todo funcionamiento, en esta ocasión se falló un poco pero teniendo en cuenta lo
aprendido, seremos capaces de realizar las mejoras necesarias en un futuro.

Bibliografía.
Robert L. Boylestad, Louis N. (2003). “Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos”. México:
Pearson Education.

Floyd, T. (2008). “Dispositivos electrónicos”. México: Pearson Education.

Boylestad, R. (1998). “Electronic Devices and Circuit Theory”. Ohio, USA: Prentice Hall
Realizamos un amplificador clase A con un transistor TIP120G El amplificador clase A se
caracteriza porque el transistor se encarga de amplificar la señalen todo su período (360°).
Como se verificará en la práctica, este tipo de amplificador tiene una eficiencia máxima del
50%.El elemento activo se polariza en el centro de la recta de carga dinámica, para obtener
una excursión simétrica de la señal de salida. Esto provoca que el amplificador y, por tanto, el
elemento activo disipen potencia aún en ausencia de señal de entrada, y que el rendimiento
sea muy pobre.
Un tipo de amplificador de potencia de clase A que cuenta con una eficiencia de 50%, emplea
un transformador para acoplar la señal de salida con la carga. El punto de operación Q, en la
gráfica de características (del BJT, queda definido por la intersección de dos rectas con la
curva característica. La primer recta es una recta vertical cuyo valor es VCEq=VCC,y
representa la resistencia del devanado del trasformador en el caso ideal, para el cual R=0.La
segunda recta representa la resistencia de carga vista desde las terminales del primario del
transformador, por lo que es una recta cuya pendiente es -
1/R”L
.Un amplificador clase A es aquel q presenta a su salida una señal copia de la entrada, pero
amplificada y sin distorsión. La máxima señal de salida se obtendrá cuando el punto estático
coincida con el centro de la recta de carga, consiguiendo por tanto la máxima potencia de
salida. El amplificador de potencia clase a trabaja en 360° es decir en todo el periodo.
 Utilizamos un transistor TIP120G el cual tiene integrado dos
transistores de unión bipolar lo que hace que este opere como
un transistor con una gran beta (en este caso el factor de
amplificación es de 1000), a este tipo de transistores se les
conoce como Transistor Darlington Encapsulado. La
principal característica del transistor Darlington es que actúa
como una unidad simple con una ganancia de corriente que
es el producto de los transistores individuales.

División de voltaje.

Figura 7. Polarización por divisor de voltaje.

Análisis Exacto
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1 ||𝑅2
𝑉𝑇𝐻 𝑅2
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝑅2 =
𝑅2 + 𝑅1
Malla Base-Emisor:
−𝑉𝑇𝐻 + 𝐼𝐵 𝑅𝑇𝐻 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0

Siendo: 𝐼𝐸 = (𝛽+1)𝐼𝐵
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

Siendo: 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
Malla Colector-Emisor
−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0

Siendo: 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )