R ADIOARMADOR

Parámetros Híbridos
Modelo del Transistor Bipolar

EN EDICIONES ANTERIORES EXPLICAMOS LA POLARIZACION DE LOS

TRANSISTORES PARA PODER ENCARAR EL ESTUDIO DE LOS PARAMETROS
HIBRIDOS, QUE SON CIRCUITOS EQUIVALENTES QUE PERMITEN
ANALIZAR CIRCUITOS COMPLEJOS COMO SI FUESEN SIMPLES. EN ESTE
ARTICULO, NOS DEDICAREMOS AL ANALISIS DE ESTOS PARAMETROS
PARA UN TRANSISTOR BIPOLAR EN CONFIGURACION BASE COMUN

Por Arnoldo Galetto

Introducción de salida V2. En la figura 1 vemos Donde V1 e I2 son las variables

Los parámetros híbridos son un las convenciones de signos para las dependientes. Recordemos el con-
método de análisis en electrónica: el tensiones y corrientes. Se conside- cepto de función: significa que para
de los circuitos equivalentes, su uti- ran las tensiones positivas cuando cada valor de la variable indepen-
lidad consiste en permitir analizar coinciden con las polaridades de la diente existe un correspondiente va-
circuitos complejos como si fueran figura y las corrientes, cuando en- lor de la variable dependiente.
más simples, realmente se conside- tran a la caja negra. Diferenciando se obtiene:
ran como una caja negra con dos Estos circuitos equivalentes lo ∂V ∂V
terminales de entrada y dos de sali- son, con respecto a las señales alter- ∂V1 = 1 dI1 + 1 dV2
∂I1 ∂V2
da (figura1). El transistor es un dis- nas, débiles; es decir:
positivo de tres terminales. Uno de ∂I 2 ∂I
∂I 2 = dI1 + 2 dV2
ellos se utiliza como común, esto v1 = ∆V1; ∂ I1 ∂V2
nos da tres configuraciones distin- v2 = ∆V2;
Teniendo en cuenta que estamos
tas. Emisor común, base y colector i1 = ∆I1;
considerando solamente señales al-
común. Existen varios circuitos i1 = ∆I2
ternas débiles podemos simplificar
equivalentes para el transistor, cada
estas ecuaciones y obtenemos:
uno con sus ventajas y sus desventa-
jas. Un circuito equivalente muy Modelo para Configuración v1 = h11i1 + h12 v2 [26]
utilizado por los fabricantes de tran- Base Común
sistores es el que permite determi- i2 = h21i1 + h22v 2 [27]
nar los valores de los parámetros hí- Las funciones a utilizar son las
bridos. siguientes: En donde los parámetros están
Estos parámetros toman como V1 = f ( I1 ,V2 ) definidos por las siguientes relacio-
variables independientes a la co- nes:
rriente de entrada I1 y a la tensión I2 = f ( I1 ,V2 ) h11 = v1/i1 con v2 = 0, impe-

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dancia de entrada con salida Nuevamente, por ley de Ohm:

en cortocircuito, se mide en
ohm, también se representa ic = (-vcb) / RL
como hib o h11b, la b indica
que se han medido en la cone- Sustituyendo este valor en [29],
xión de base común. tenemos:
1 − v cb
h12 = v1/v2 con i1 = 0, re- = hfbie + hob vcb
RL
lación de transferencia inversa de cuito equivalente de una resistencia
tensión con entrada en circuito en serie con un generador de ten- o
abierto, también hrb o h12b. sión y la [29] al circuito equivalente − v cb
de un generador de corriente en pa- = hfbie + hob vcb
RL [31]
h21 = i2/i1 con v2 = 0, relación ralelo con una conductancia. Si
de transferencia directa de corriente combinamos las dos, obtenemos el Si eliminamos ie de la [31], re-
con salida en cortocircuito, hfo o circuito equivalente para el amplifi- solviendo 27 para ie y luego sustitu-
h21b. cador de base común. figura 2. yendo, podemos hallar Aeb.
Usando este circuito equivalente
v eb − hrb vcb
h22 = i2/v2 con i1 = 0, admitan- podemos derivar las ecuaciones para ie =
cia de salida con entrada en circuito determinar Aib, Aeb, G, Ri y Ro. hib
abierto, hob o h22b. En la figura 11, por ley de Ohm
veb − hrbv cb v
se tiene: 0 = h fb ( ) + hob vcb cb
La nomenclatura numérica de hib RL
los parámetros híbridos se refiere a v2 = vcb = -ic . Rl
la teoría general de los cuadripolos, h fbveb hfbhrbv cb v
0= − + hob vcb + cb
en los circuitos equivalentes de los Si sustituimos vcb en la [29], te- hib hib RL
transistores es costumbre modificar- nemos:
Trabajando matemáticamente:
la para que tengan un significado ic = h fbie − hobicR L
más lógico y práctico, en ella el pri- 1 h fbhrb h v
o vcb (hob + − ) = − fb cb
mer subíndice indica si el parámetro RL hib hib
es de entrada (i), de salida (o), de 0 = h fbie − (1 + hobR L )ic [30]
hfb veb
transferencia directa (f) o de trans- vcb = −
h h
1
ferencia inversa (r); el segundo su- Trabajando un poco a la [30] ob- hib ( hob + − fb rb )
RL hib
bíndice indica si la conexión es de tenemos:
Dividiendo por veb, obtenemos
base común (b), de emisor común − hfbie = (1 + hobR L )ic la ganancia de tensión:
(e) o de colector común (c).
Tenemos ahora cuatro paráme- Dividiendo ambos lados por (1 + vcb hfb
hob . Rl), tenemos: Aeb = =
tros h para la configuración en base veb 1 hfbhrb
hib (hob + − )
común: hib, hrb, hfb y hob (en este RL hib
artículo también se identifican co- − hfbie
mo: hib, hrb, hfb y hob). ic = Si multiplicamos el numerador y el
1 + hob RL
Las [26] y [27] quedan así: denominador del lado derecho de la
Dividiendo ambos lados por (iel): ecuación por RL, la ecuación queda:
v1 = hibie + hrb v2 [28] hfbRL
− hfb Aeb = −
i2 = hfbie + hob v2 [29] i
Aib = c = = Ganancia de RL∆ + hib
ie 1 + hob RL
La ecuación [28] sugiere el cir- corriente. Donde:

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∆ = (hibhob − hrb hfb )

Ya que la ganancia es el produc-

to de Aeb . Aib, tenemos:
hfb hfbRL
G= ( )( )
1 + hob RL RL∆ + hib

( hfb )2 RL
G= −
(1 + hobR L )(R L∆ + hib ) 2
La resistencia de entrada Rib es trada Ri depende de la resistencia Con un poco de álgebra obtenemos:
igual a la relación (veb / ib). Si to- de carga RL. ic ( Rg + hib ) = v cb (− h fbhrb + hobRg + hobhib )
mamos nuevamente la [27] y hace- Para determinar la resistencia de
mos otra vez (vcb = -ic . RL) tendre- salida de la etapa de base común, se La relación (vcb/ic) es la resisten-
mos: modifica el circuito de la figura 2 y se cia de salida:
veb = hibib − hrb icRL obtiene la configuración de la figura R + hib
vcb
3. La fuente de señal eg se traslada Rob = = g [33]
Dividiendo por ie: desde el circuito de entrada al de sali- ic ∆ + hobRg
veb h iR da donde se considera que su resis-
La ecuación [33] no demuestra
= hib − rb c L tencia interna es igual a cero. Su re-
ie ie que Ro depende del valor de Rg. Re-
sistencia, no obstante, permanece en
cordemos que Ri, la resistencia de
La que puede reescribirse como: el circuito de entrada. El generador
entrada, depende a su vez de RL.
de corriente y la conductancia parale-
veb i De estas relaciones se sigue que el
= hib − hrb RL ( c ) lo se reemplazan por un generador de
apareamiento exacto de la salida se
ie ie tensión equivalente y una conductan-
obtiene solamente cuando la impe-
Ya que la relación (ic / ie) expresa cia serie. La tensión de salida del ge-
dancia del generador de señal per-
a la ganancia de corriente, la ecua- nerador de tensión es igual a:
manece constante, y se consigue so-
ción anterior se hace: hfbie lo para un valor de RL.
veb hfb hob
= hib − hrb RL ( )
ie 1 + hob RL Como eg no está ya presente en el
Modelo para Configuración
circuito de entrada, veb = 0 . Te-
Multiplicando ambos lados por: Emisor Común
niendo en cuenta estas condiciones,
(1 + hobR L ) podemos escribir:
En el circuito de emisor común,
se tiene: 0 = hrb vcb + (hib + Rg )ie vce e ib son las variables independi-
veb entes y las ecuaciones generales son:
(1+ hobRL ) = hib + hibhobRL − hrbhfbRL ó
ic vbe = f (v ce , ib )
h v
Operando obtenemos: ie = − rb cb
Rg + hib ic = f (v ce , ib )
veb RL ∆ + hib Siguiendo razonamientos simi-
Rib = = Si sustituimos este valor de ie en
ie 1 + hob RL [32] la [28] obtenemos: lares se obtienen los siguientes
parámetros h.
hrb vcb
Podemos destacar de la [32] el ic = h fb ( ) + hob vcb vbe = hieib + hre vce
hecho de que la resistencia de en- Rg + hib [34]

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h22b
h22 c =
∆ − h12 b + h21b + 1

Si introducimos valores numéri-

cos típicos, veremos que:
(1 + h21b ) >> (∆ − h12 b )

Por lo que el conjunto de las

cuatro ecuaciones anteriores,
pueden simplificarse, sin que haya
3
demasiado error.
h11b
h11c =
1 + h21b

h21b + 1
h12c = =1
h21b + 1

1
h21c = −
1 + h21b

4 h22b
ic = hfeib + hoevce [35]
El segundo suscrito e indica que
estamos tratando con una configu-
ración en emisor común.
Modelo para Configuración
Colector Común
Las ecuaciones [34] y [35] sugie-
ren un circuito equivalente como
el de la figura 4. Es de la misma
forma que el del amplificador en
base común pero con valores dife-
rentes.
La tercera disposición, la de
colector común, también conocida
como salida por emisor, puede verse
en la figura 4, tiene la misma forma
que las otras configuraciones, pero
con parámetros de distinto valor.
Es por eso que las ecuaciones que
expresan la ganancia y las impedan-
cias derivadas para el amplificador
de base común se aplican igual-
mente bien al circuito de colector
común, si se utilizan los parámetros
h adecuados.
Como las hojas de datos de los
fabricantes están dadas en términos
de los parámetros h de base común
debemos relacionar los dos median-
te las siguientes ecuaciones:
vbc h11b
h11c = = Demás está decir que lo dado
ib ∆ − h12b + h21b + 1
h21b + 1
h12c =
∆ − h12b + h21b + 1
1 − h12 b
h21c = −
∆ − h12b + 1 + h21b
h22 c =
1 + h21b
Si los datos se encuentran en
términos de los parámetros h de
emisor común, y deseamos calcular
los mismos como colector común,
podemos utilizar las siguientes
expresiones simplificadas:
h11c = h11e
h12c = 1
h21c = -(1+h21e)
h22c = h22e
hasta aquí es una síntesis acerca de
la aplicación de los parámetros
híbridos sobre los transistores bipo-
lares, con el objeto de que se pueda
encarar el estudio de etapas comple-
jas. Sin embargo, este conocimiento
es suficiente para encarar dichos
análisis. ✪

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