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DATOS:
∆ V =4 → Vop=4 [ V ] ; Vinp=1 V
Para el diseño de este circuito utilizaremos como RL la impedancia de Zin del amplificador
de colector comun.
Rl=3.3 k
fmin=1 kHz
fmax=10 kHz
Partimos de la condición:
Ic( Rc/¿ Rl)≥Vop+ ¿
Vop+ ¿
( Rc /¿ Rl )
Ic ≥ ¿
Vop+ ¿
( Rc /¿ Rl )
V Rc
≥¿
Rc
Vop+¿
¿
Rc ¿
V Rc ≥ ¿
En nuestro análisis debemos aplicar los siguientes casos:
1) Rc ≫ Rl Rc=33k
33∨|3.3 ) k
¿
¿
33 k∗4
V Rc ≥
¿
V Rc ≥ 44 V
V Rc =1.1 ( 44 V ) → 10
V Rc =1.2 ( 44 V ) → 20
V Rc =1.05 ( 44 V ) → 5
V Rc =52.8 V
V 52.8 V
Ic= Rc = =1.6 [mA ]
Rc 33 k
Entonces tenemos:
V Rc =52.8 [V ]
Ic=1.6 [ A]
Rc=33[k ]
2) Rc=Rl=3.3 k
3.3∗4
V Rc ≥ =8[V ]
(3.3∨¿ 3.3)
V Rc ≥ 8 [V ]
V Rc =1.1 ( 8 V ) → 10
V Rc =1.2 ( 8 V ) → 20
V Rc =1.05 ( 8 V ) →5
V Rc =9.6 V
V 9.6
Ic= Rc = =2.9mA
Rc 3.3 k
Entonces tenemos:
V Rc =9.6 V
Ic=2.9 mA
Rc=33 k
3) Rc ≪ Rl Rc=330
330∗4
V Rc ≥
(330∨¿ 3.3 k )
V Rc ≥ 4.4 V
V Rc =1.1 ( 4.4 V ) → 10
V Rc =1.2 ( 4.4 V ) → 20
V Rc =1.05 ( 4.4 V ) → 5
V Rc =5.28 V
V 5.28 V
Ic= Rc = =16 mA
Rc 330
Estabilidad térmica Ve ≥ 1V
I E∗RE 1 ≥ Vinp
VE
∗R E 1 ≥Vinp
RE
Vinp∗ℜ
VE≥
RE1
V E ≥ 1 [V ]
Escogemos un valor de voltaje mayor al voltaje de entrada pico
V E =3[V ]
3V
R E= =187.5
16 mA
R ∨¿ R L
∆V= C
ℜ+ R E 1
R C ∨¿ R L
R E 1= −ℜ
∆V
330 Ω∨¿ 3.3 kΩ 26 mA
R E 1= − =73.375
4 16 mA
Aquí escogemos la mayor que sería una resistencia de ℜ1=¿ 82
R E 2=R E−R R 1
R E 2=187.5−82=105.5
Aquí escogemos la mayor que sería una resistencia de ℜ2=¿ 120
CALCULO DE CORRIENTES:
I1≈I 2
I 2 ≫ IBmax
Ic 16 mA
IBmax= = =0.16 mA
βmin 100
I 2 ≫0.16 mA
I 1 ≈ I 2=1.6 mA
V 3+0,7
RB2= B = =2312.5
I 2 1.6 mA
De igual forma aproximamos el valor de la resistencia a uno menor y que sea comercial
RB2=2.2 k
VB=3.7 V
Vcc=V Rc +Vce+Ve
Vce ≥ 6
Vce ≥Vin+Vop +Vsat
Vce ≥1+ 4+2
Vce ≥ 6
Vce=1.2 ( 6 )=8.4 V
Vcc−VB 16.68−3,7
RB1= = 7369.32
I 2+ IBmax 1.6 mA + 0.16 mA
De igual forma aproximamos el valor de la resistencia a uno menor y que sea comercial
RB1=6.8 k
1
Xc=
2 πfc
1
≪ Zin
2 πfCb
1
Cb≫
2 πfminZin
Capacitores
Capacitor de la Base
1
Cb≫
2 π (1 kHz)(1388.89)
Cb≫ 0.114 uF
1
≪ Rl
2 πfminCc
1
Cc ≫
2 πfminRl
Cc ≫0.048 uF
Caso 1:
Xce ≪ ℜ 2
Xce ≪ 120
1
Ce ≫
2 πfmin (120)
Ce ≫1.33 uF
Escogeremos un capacitor de Ce=uF
CIRCUITO DISEÑADO
Para lograr encontrar una mayor estabilidad y que la señal de salida sea la mejor, en cuanto
a las resistencias calculadas, la única que tuvimos que variar para tener el voltaje pico de
salida correcto fue la Resistencia RE1, La Re1 calculada fue de 73.3[Ω], se tuvo que bajar
la resistencia, de esta forma la RE1 será la suma de dos resistencias comerciales RE1=
68[Ω]+2.2[Ω].
En cuanto a los capacitores, para que no exista alguno tipo de desfasaje, mediante el
simulador se fue probando, y se llegó a los siguientes valores:
CB=4.7[uf]
CC=5.6[uf]
CE=10[uf]
Como se puede apreciar todos los valores tanto de
resistencias como de capacitores son comerciales.
β=100.
RTH =R B 1∨¿ R B 2
(6800∗2200 ) RB2
RTH = =1662.22 [Ω] V TH = ∗VCC
( 6800+2200 ) R B 2+ R B 1
2.2 k
V TH = ∗16.7=4.0822[V ]
6.8 k +2.2 k
Se conoce que el punto de operación del transistor es IB, IC, IE, VB, VE, VC, VCE:
Q:
- V th + R th I B +V BE + R E I E =0
I E =(1+ β )I B
- V th + R th I B +V BE + R E ( 1+ β ) I B =0
V th −V BE
I B=
Rth + ( 1+ β ) R E
40822−0.7
I B= =162.041[uA ]
1662.22 k Ω+ ( 1+ 100 )∗190.2 Ω
SIMULADO
Obtención IC
I C =( β )I B
I C =(100)(162.041[uA])
I C =16.20[mA ]
SIMULADO.
Obtención IE
I E =(1+ β )I B
I E =( 1+ 100 ) (162.041[uA ])
I E =16.366[mA ]
SIMULADO.
Voltajes
Obtención V E
E∗¿ R E
V E=I ¿
V E =16.366[mA ]∗190.2 Ω
V E =3.112 [V ]
SIMULADO.
V E =3.065[V ]
Obtención V B
V B =0.7+V E
V B =0.7+3.112 [V ]
V B =3.8112[V ]
SIMULADO.
V B =3.806[V ]
Obtención V C
V C =Vcc−I C ¿ RC
V C =16.7−( 16.20 mA∗330Ω )
V C =11.354 [V ]
SIMULADO.
V C =11.438 [V ]
Obtención V CE
V CE =V c −V E
V CE =11.354−3.112
V CE =8.24 [V ]
SIMULADO.
V CE =8.373[V ]
AQUÍ VA EL hibrido
Diagrama de voltajes:
Condiciones
1.
−¿
V E ≥ V inp¿ :
2.
V CE ≥ 6 [ V ] :
3.
−¿ +V SAT :
+¿+V op¿
V CE ≥V inp ¿
4.
+¿ ≤ I C∗(RC /¿ R L ):
V op¿
Determine el valor máximo del voltaje de entrada que se puede aplicar sin producir distorsión
en la señal de salida.
Vamos a simular con un Vin=1sen(wt) [V] ya que es menor al valor máximo calculado
Voltaje Base
Simulado:
VDCBD=3.82[V]
Voltaje Colector
Simulado:
VDCCD=11.5[V]
Voltaje Emisor
Simulado:
VDCED=3.06[V]
Punto de operación Q
Calculado Simulado
I B=162.041 [ uA ] I B=166.533 [ uA ]
I C =16.20 [ mA ] I C =15.948 [ mA ]
I E =16.366 [ mA ] I E =16.112 [ mA ]
V E =3.112 [ V ] V E =3.065 [ V ]
V B =3.8112 [ V ] V B =3.806 [ V ]
V C =11.354 [ V ] V C =11.438 [ V ]
V CE =8.24 [ V ] V CE =8.373 [ V ]
β
Av Ai Zin Zo
Calculado
Simulado
HOJA DE DATOS
Nombres: Joel Lema – Alejandro Hidalgo
Tema: Diseño de amplificador Emisor comun
Circuito:
Punto de operación Q
I B=162.041 [ uA ] I B=166.533 [ uA ]
I C =16.20 [ mA ] I C =15.948 [ mA ]
I E =16.366 [ mA ] I E =16.112 [ mA ]
V E =3.112 [ V ] V E =3.065 [ V ]
V B =3.8112 [ V ] V B =3.806 [ V ]
V C =11.354 [ V ] V C =11.438 [ V ]
V CE =8.24 [ V ] V CE =8.373 [ V ]
β
Av Ai Zin Zo
Calculado
Simulado
Medido