U.N.M.S.

M
Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica y
Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Matricula

Arica Vidal, Sebastián 17190285
Boulangger Ñañez, Joan Manuel 17190247
Minaya Rivera Iberth Alexander 17190084
Sinchi Rumuaca Diego Adrian 17190280
Yen Landa Fuy Hong 17190092

Curso Tema
Dispositivos CARACTERISTICAS BASICAS DEL DIODO
Electronicos SEMICONDUCTOR
Informe Fechas Nota
Final Realización Entrega
Numero
09-05-18 16-05-18
3
Grupo Profesor

“L3”: Miercoles 2p.m.-4p.m. (2018-I) Ing. Luis Paretto Q.

 ÍNDICE GENERAL

CARÁTULA
OBJETIVOS
INTRODUCCION TEORICA
MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO
PROCEDIMIENTO
DATOS OBTENIDOS-INTERPRETACION
CUESTIONARIO FINAL. DESARROLLO
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
BIBLIOGRAFÍA
 CARACTERISTICAS BASICAS DEL DIODO
SEMICONDUCTOR
OBJETIVOS:
 Buscar en los manuales y detallar las características de los diodos a utilizar(6ª6, P600B,
ECG109, ECG110A y 72477T)
 Explicar los conceptos de resistencia dinámica, corriente de polarización directa,
corriente de polarización inversa y tensión de pico inversa.

INTRODUCCIÓN TEÓRICA:
DIODO:

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y
por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequeña resistencia eléctrica.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.

POLARIZACIÓN DIRECTA:
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la
batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar
que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a
decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia
la unión p-n.

 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia.
Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de
átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor
y llega hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.

POLARIZACIÓN INVERSA:
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n,
lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza
el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal
n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida
que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros,
al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8
electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han
formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones
libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga
eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo
potencial eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión
produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de
saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya
que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar
los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de
la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia
con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la
corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fugas es despreciable.

OTROS TIPOS DE DIODOS SEMICONDUCTORES:

 Diodo avalancha
 Fotodiodo
 Diodo Gunn
 Diodo láser
 Diodo LED
 Diodo p-i-n
 Diodo Schottky
 Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)
 Diodo túnel
 Diodo Varactor
 Diodo Zener
MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO
 Una fuente de corriente continua variable.
 Un multímetro digital.
 Un miliamperímetro y micro amperímetro (DC).
 Un diodo semiconductor de Si y uno de Ge.
 Un voltímetro de CC. (analógico)
 Resistencia de 100Ω
 Cables y conectores (cocodrilo/banano)

Diodo de silicio. Diodo de germanio

PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar los
datos en la tabla 1
2. Armar el circuito de la figura 1.
a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y voltaje
directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2. (usar el miliamperímetro)
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,
proceder como en (a), registrando los datos en la tabla 3. (uso del micro
amperímetro)

3. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa en inversa del diodo de germanio.
Registrar los datos en la tabla 4.
4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio, de manera similar al paso 2;
proceder a llenar las tablas 5 y 6.
DATOS OBTENIDOS-INTERPRETACION

DATOS DEL SILICIO

TABLA 1:

R directa(Ω) R inversa(Ω)

745  ≥ 40M 

TABLA 2:

Vcc(V.) 0.48 0.52 0.58 0.64 0.76 0.88 1.18 1.5 1.72 1.94 2.28 2.82

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.452 0.482 0.514 0.548 0.582 0.604 0.637 0.659 0.670 0.677 0.687 0.7

TABLA 3:

Vcc(V.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(V.) 0 1.977 3.973 5.87 7.9 9.83 11.89 14.8 19.81

Id(  A.) 0 0 0 0 0 0 0 0 0
 DATOS DEL GERMANIO

(El diodo utilizado para este caso no era de germanio, sino otro dispositivo de arsénico que tenía las mismas
características del germanio; la intención era trabajar con el diodo de germanio pero debido a las
circunstancias obtuvimos los siguientes datos similares a los del germanio solo al inicio)

TABLA 4:

R directa (Ω) R inversa(MΩ)

314.2 Ω 57k Ω

TABLA 5:

Vcc(V.) 0.18 0.2 0.26 0.36 0.52 0.7 1.13 1.68 1.94 2.22 2.6 3.35

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.147 0.177 0.214 0.268 0.341 0.408 0.545 0.675 0.752 0.820 0.918 1.066

TABLA 6:

Vcc(V.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0

Vd(V.) 0 0.997 1.971 3.96 5.9 7.89 9.91 11.75 14.8 17.7 19.61

Id(  A.) 0 1.9 2.4 4 5.6 8.2 11.1 14.6 21.1 28.2 98.9

El germanio presenta cierta conductividad.

CUESTIONARIO FINAL - DESARROLLO
1. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. (Si.)
Calcular la resistencia dinámica del diodo.

𝑽𝒅𝒏 − 𝑽𝒅(𝒏−𝟏)
𝒓𝒅𝒏 =
𝑰𝒅𝒏 − 𝑰𝒅(𝒏−𝟏)

Calculando la resistencia dinámica:

TABLA 2:

Vcc(V.) 0.48 0.52 0.58 0.64 0.76 0.88 1.18 1.5 1.72 1.94 2.28 2.82

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.452 0.482 0.514 0.548 0.582 0.604 0.637 0.659 0.670 0.677 0.687 0.7

 Caso a:

𝟎. 𝟕 − 𝟎. 𝟔𝟖𝟕
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟐. 𝟔𝛀
𝟐𝟎 − 𝟏𝟓
 Caso b:

𝟎. 𝟔𝟖𝟕 − 𝟎. 𝟔𝟕𝟕
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟑. 𝟑𝛀
𝟏𝟓 − 𝟏𝟐
 Caso c:

𝟎. 𝟔𝟕𝟕 − 𝟎. 𝟔𝟕𝟎
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟑. 𝟓𝛀
𝟏𝟐 − 𝟏𝟎
 Caso d:

𝟎. 𝟔𝟕𝟎 − 𝟎. 𝟔𝟓𝟗
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟓. 𝟓𝛀
𝟏𝟎 − 𝟖
 Caso e:
 𝟎. 𝟔𝟓𝟗 − 𝟎. 𝟔𝟑𝟕
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟕. 𝟑𝛀
𝟖−𝟓
 Caso f:

𝟎. 𝟔𝟑𝟕 − 𝟎. 𝟔𝟎𝟒
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟏𝟑. 𝟐𝛀
𝟓 − 𝟐. 𝟓
 Caso g:

𝟎. 𝟔𝟎𝟒 − 𝟎. 𝟓𝟖𝟐
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟐𝟒. 𝟒𝛀
𝟐. 𝟓 − 𝟏. 𝟔
 Caso h:

𝟎. 𝟓𝟖𝟐 − 𝟎. 𝟓𝟒𝟖
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟒𝟐. 𝟓𝛀
𝟏. 𝟔 − 𝟎. 𝟖
 Caso i:

𝟎. 𝟓𝟒𝟖 − 𝟎. 𝟓𝟏𝟒
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟖𝟓𝛀
𝟎. 𝟖 − 𝟎. 𝟒
 Caso j:

𝟎. 𝟓𝟏𝟒 − 𝟎. 𝟒𝟖𝟐
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟏𝟔𝟎𝛀
𝟎. 𝟒 − 𝟎. 𝟐
 Caso k:

𝟎. 𝟒𝟖𝟐 − 𝟎. 𝟒𝟓𝟐
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟑𝟎𝟎𝛀
𝟎. 𝟐 − 𝟎. 𝟏
 Id(µA) vs Vd(v)
25
20
20
15
Id(µA)

15 12
10
10 8
5
5 1.62.5
0.1 0.2 0.4 0.8
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Vd(v)

TABLA 3:

Vcc(V.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(V.) 0 1.977 3.973 5.87 7.9 9.83 11.89 14.8 19.81

Id(  A.) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

Id(µA) vs Vd(v)

0.8
Id(µA)

0.6

0.4

0.2
0, 0 1.977, 0 3.973, 0 5.87, 0 7.9, 0 9.83, 0 11.89, 0 14.8, 0 19.81, 0
0
0 5 10 15 20 25

Vd(v)

Para todos los casos la resistencia es muy grande, por lo que se le considera como infinito (∞).

rdn  ∞
 2. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las tablas 5 y 6. (Ge.)
Calcular la resistencia dinámica del diodo
𝑽𝒅𝒏 − 𝑽𝒅(𝒏−𝟏)
𝒓𝒅𝒏 =
𝑰𝒅𝒏 − 𝑰𝒅(𝒏−𝟏)

Calculando la resistencia dinámica:

TABLA 5:

0.18 0.2 0.26 0.36 0.52 0.7 1.13 1.68 1.94 2.22 2.6 3.35

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.147 0.177 0.214 0.268 0.341 0.408 0.545 0.675 0.752 0.820 0.918 1.066

 Caso a:

𝟏. 𝟎𝟔𝟔 − 𝟎. 𝟗𝟏𝟖
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟎𝟐𝟗𝛀
𝟐𝟎 − 𝟏𝟓
 Caso b:

𝟎. 𝟗𝟏𝟖 − 𝟎. 𝟖𝟐
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟎𝟑𝟐𝟔𝛀
𝟏𝟓 − 𝟏𝟐
 Caso c:

𝟎. 𝟖𝟐 − 𝟎. 𝟕𝟓𝟐
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟎𝟑𝟒𝛀
𝟏𝟐 − 𝟏𝟎
 Caso d:

𝟎. 𝟕𝟓𝟐 − 𝟎. 𝟔𝟕𝟓
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟎𝟑𝟖𝟓𝛀
𝟏𝟎 − 𝟖
 Caso e:

𝟎. 𝟔𝟕𝟓 − 𝟎. 𝟓𝟒𝟓
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟎𝟒𝟑𝟑𝛀
𝟖−𝟓
 Caso f:

𝟎. 𝟓𝟒𝟓 − 𝟎. 𝟒𝟎𝟖
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟎𝟓𝟒𝟖𝛀
𝟓 − 𝟐. 𝟓
 Caso g:

𝟎. 𝟒𝟎𝟖 − 𝟎. 𝟑𝟒𝟏
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟎𝟕𝟒𝟕𝛀
𝟐. 𝟓 − 𝟏. 𝟔
 Caso h:

𝟎. 𝟑𝟒𝟏 − 𝟎. 𝟐𝟔𝟖
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟎𝟗𝟏𝟑𝛀
𝟏. 𝟔 − 𝟎. 𝟖
 Caso i:

𝟎. 𝟐𝟔𝟖 − 𝟎. 𝟐𝟏𝟒
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟏𝟑𝟓𝛀
𝟎. 𝟖 − 𝟎. 𝟒
 Caso j:

𝟎. 𝟐𝟏𝟒 − 𝟎. 𝟏𝟕𝟕
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟏𝟖𝟓𝛀
𝟎. 𝟒 − 𝟎. 𝟐
 Caso k:

𝟎. 𝟏𝟕𝟕 − 𝟎. 𝟏𝟒𝟕
𝒓𝒅𝒏 = = 𝟎. 𝟑𝛀
𝟎. 𝟐 − 𝟎. 𝟏
 Id (mA) vs Vd (V.)
25

20 1.066, 20
Id (mA)

15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

Vd (V.)

TABLA 6:

Vcc(V.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0

Vd(V.) 0 0.997 1.971 3.96 5.9 7.89 9.91 11.75 14.8 17.7 19.61

Id(  A.) 0 1.9 2.4 4 5.6 8.2 11.1 14.6 21.1 28.2 98.9

Id (uA) vs Vd (V.)
120

100

80
Id (mA)

60

40

20

0
0 5 10 15 20 25

Vd (V.)

En la gráfica podemos ver, que al principio, el diodo arsénico se comportaba de manera similar que
el diodo de germanio; sin embargo, esto fue temporal porque por la gráfica, este se desvía de
manera muy diferente a lo que se esperaba de un diodo de germanio.
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

En la tabla 1 podremos verificar que la resistencia directa del diodo de silicio nos da un
valor referencial de 745 Ω y que la resistencia inversa del diodo tiene un valor referencial
mayor a 40 m Ω

En la tabla 2 se ha colocado la polarización directa en el diodo de silicio y ello ha mostrado

como resultado que a medida que se le incremente la intensidad de corriente, aumentará el
voltaje, por ende, la consecuencia inmediata es que la resistencia del diodo disminuirá
llegando a que la resistencia sea cero, o sea, que haya corto circuito.

En la tabla 3 se ha colocado la polarización inversa en el diodo de silicio y ello ha mostrado

como resultado que ha medida que aumente el voltaje, la intensidad de corriente se
mantiene constante con un valor prácticamente nulo o cero, dando como consecuencia
inmediata que la resistencia del diodo será muy alta, tiende al infinito.

En la tabla 4 podremos verificar que la resistencia directa del diodo de arsénico ( en un

inicio se pensó que era Germanio, pues las primeras mediciones que se hizo tenían un valor
similar a la de Germanio, pero ha medida que se iban tomando más mediciones, más iba
difiriendo de los valores del Germanio ) nos da un valor referencial de 314.2 Ω y que la
resistencia inversa del diodo tiene un valor referencial mayor a 57k Ω.

En la tabla 5 se ha colocado la polarización directa en el diodo de arsénico y ello ha

mostrado como resultado que a medida que se le incremente la intensidad de corriente,
aumentará el voltaje, por ende, la consecuencia inmediata es que la resistencia del diodo
disminuirá llegando a que la resistencia sea cero, o sea, que haya corto circuito.
Una observación que se da en el caso del arsénico es que el voltaje del diodo es mayor
inclusive que el de silicio, tiene un comportamiento inicial muy parecido al del Germanio,
pero ha medida que se va tomando más datos, se va notando la diferencia.

En la tabla 6 se ha colocado la polarización inversa en el diodo de arsénico y ello ha

mostrado como resultado que ha medida que aumente el voltaje, la intensidad de corriente
va aumentando, por ende, la consecuencia inmediata es que la resistencia del diodo va
aumentando.
4. Explicar los controles de operación de la fuente DC utilizada.

Controles de la fuente dc:

1. Controles para Voltaje:

- Control grueso: Sirve para aumentar o disminuir la cantidad de voltaje de salida

de la fuente de poder en una mayor escala que la del control fino. Tiene un rango
de variación de 0 a 30 V
- Control fino: Sirve para aumentar o disminuir la cantidad de voltaje de salida de
la fuente de poder en una escala pequeña, que permite ajustar valores más
exactos de voltaje que no se pueden obtener con el control grueso.

2. Controles para Corriente:

- Control grueso: Sirve para aumentar o disminuir la cantidad de corriente

eléctrica de salida de la fuente de poder a una escala de Amperios. Este control
no ha sido empelado por ahora en los experimentos anteriores del laboratorio.
  CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
 Un diodo permitirá la conducción de corriente cuando se encuentra
polarizado directamente. Se comportara como un circuito cerrado.
 Un diodo impedirá la conducción de corriente cuando se encuentra
polarizado inversamente. Se comportara como un circuito abierto.
 El diodo es un semiconductor que permite el paso de corriente eléctrica en
una única dirección
 Los diodos son no lineales porque no cumplen con la ley de ohm.
 Los diodos de silicio son excelentes diodos de propósito general. Son más
duraderos.

BIBLIOGRAFÍA:
 http://www.areatecnologia.com/electricidad/amperimetro.html
 https://es.scribd.com/document/340056553/Volt-Metro
 https://es.wikihow.com/calcular-el-porcentaje-de-error
 https://es.wikipedia.org/wiki/Resistencia_el%C3%A9ctrica