DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS. 3.

- Calcular el valor de tensión a la salida Vo, y el consumo de potencia, para cada una de las puertas
INGENIERO TÉCNICO EN INFORMÁTICA DE GESTIÓN. lógicas de la Figura 3, cuando sus entradas Va y Vb toman los valores que en ella se muestran. Justificar
la respuesta en cada caso, verificando que se cumplen las condiciones para la zona de trabajo que se
1º Curso Grupos A y C. supone para los transistores. (3 puntos)
Examen ordinario. Curso 04/05. Málaga 21-9-2005. VDD=10V VDD=5Volts

Mt
Mt
1.- Del inversor RTL que modela el circuito de la Figura1(a), y cuya característica de transferencia (curva Vo
vo(va)), se esboza en la Figura 1(b), se sabe que sus márgenes de ruido para el cero (NML) y para el uno + Va=5V Vb =5V
(NMH) cumplen la siguiente relación (NMH = 4NML); además se conocen los valores de los siguientes M A MB
+ + Vo MA MB
parámetros: Va=0 Vb =0
- Ancho de la transición TW= 0.29V − − −
- Excursión lógica LS = 2.9V
Determinar: VTMa = VTM2 = VTMt = 2V VTMA = VTMB = 2V VTMt = -2V
a) Sus niveles lógicos (VIH, VIL, VOH y VOL) y su margen de ruido NM.
βMa=βMb=βMt = 0.05mA/V2 βMa=βMb=βMt = 0.05mA/V2
b) Los valores de los parámetros VBEon, VCEsat y β del modelo del transistor bipolar Q (modelo que
(a) (b)
recoge el formulario). Figura 3
c) El valor de RC para el cual el consumo potencia estática del inversor es 3mW.
4.-Responde brevemente a las siguientes cuestiones:
Justificar adecuadamente la respuesta.
a) ¿Qué es y para qué sirve la característica de transferencia de una puerta lógica?
(3 puntos)
b) ¿Cuáles son las variables de tensión y de corriente que se emplean para caracterizar a un transistor
bipolar npn como elemento de circuito en configuración de emisor común. Caracteriza en función de
VCC
vo ellas sus diferentes zonas de operación y su comportamiento en cada una de ellas. (1 punto)
DATOS Rc
VBEact = VBEon= VBEsat
VOH 5.- Explicar brevemente y forma cualitativa el funcionamiento del inversor básico de la familia lógica
NMOS, indicando las principales características en cuanto a funcionamiento y zona de trabajo de los
VCC = 3 V RBB + transistores que lo forman, así como en cuanto a su consumo, para cada una de las combinaciones de
RBB / RC = 5 Q entrada vin = 0 y vin =VDD.
+
va vo (1punto)
_ _ VOL Nota: Las calificaciones, así como el día, lugar y hora de la revisión del examen, serán
VIH va publicados el próximo 27 de Septiembre en los tablones oficiales del centro.
Figura 1(a) Figura 1(b) VIL FORMULARIO:
Vd
+ - +
Vd - Vγ Id si Id ≥ 0
2.- En el circuito de la Figura 2: Vd -
a) Demostrar que ambos diodos no pueden conducir simultáneamente.
Id Vγ Id
ideal
+ Vγ si
Vd ≤ 0
b) Determinar la tensión de salida vo, y el consumo de potencia. D
C D
Considerar el modelo ideal para los diodos. Justificar adecuadamente la respuesta (2 puntos) C G VT > 0
B
B si V BE ≤ V BEon G si V GS ≤ V T
S
E S D
E
D2
R1 R3
C
D
β 2
G VT < 0
+
D1 y D2 ideales si IB ≥ 0 I D = --- ( V GS – V T )
2 S
R1 = 3KΩ IB βIB si V GS ≥ V T
D1
V I R2 = R3 = 1KΩ y V CE ≥ V CEsat G
DS ≥ V GS – V T
R4 vo B y V
S
VBEON E
R2 R4 = 2KΩ
− I = 1mA C D VDS
2
si IB ≥ 0 I D = β ( V GS – VT )VDS – ---------
2
V = 6 volt. VCEsat
IB
Figura 2 B y βI B ≥ I C G si V GS ≥ V T
DS ≤ V GS – V T
VBEONE S y V

1 2