‘0282 95423 apie reporter sar aco concours externe de recrutement de professeurs agrégés I es | option : physique probléme de physique Cotculotice lectonique de poche -y comers programmable. ashanumrique ou écran ‘graphique - 3 fenctionnement autonome, non imprmants, auorsée conformément 6 CRCUare n° 99-186.8s 15 never 1999, Tout document of tout auite matériel éiectronique soot itera. Si. cours de'dpreuve, wr candidat repr ce gui lu semble rene erreur onc, ie signal sur scope et powsut sa composition en expliguan Tes raisons des inane qu'il est amend ¢ prendre ‘Tourner la page SVP.Conducteurs quantiques Depa ls année 1980, on a assist au développement considérale dune brancho de la physique des slides, appelée physique méoscopinve, qui sinérese b une échelle Intermédiaie entre échelle ato- Inique et échelle macroseopique Les progrésénormes dans la réalisation de dsposiis Aectroniques |v base de semleondueteurs ou de métaux, de pls en plus petits et de mieux en nieux controls, ont permis observation expérimentale de nouveatx effets réllement.quantiques& Vechelle mésorcopique du systéme étude [Les tois premires parties da probléme #intéessent A divers aspects da phénoadne de conduction ectique dans les sytimes mésaseopiques. La premiée rapplle a description clusique de ce phéno- Inne en termes de diflslon des lecttos, ignorant leur nature ondulatoire. Les devs suvantesétudient respectivement In quantification de la conductance et les phénomines de localization qui sont daw des ‘naifestations expérimentale Is plus frappantesd'lfetsquantiques& échelle mésseopique. Meme sees trois parties sont tre largementindépendants, i et de lin préérable de les trater dans Tore. La lecture attentive du préambule est par ailleurs indispensable pour aborder le problime dans les meilleures conditions. aerate parte, totalement indépendante des autres, aborde certains aspects de etronique ‘un deetron base sur la quantification dela charge lectique. (On utiliser los notations suvantes A cot un nombre complots, A décgne en complexe conjugus ot Ro(A) sa partie rele. ~ 4 désigne le nombre complexe de partie imaginaire postive et tal. que ® = ~1, ~ ¥ césigne Vopérateur gradient. = Iot(z) désigae Ia pati entiée de = et log(z) som lgarthme dina, ~ 6(v) désigne In distribution delta de Dira dela variable v On donne: valeur absolue dela charged 'lectron € constant de Planck h = 66210-%4s constante de Boltzmann ky = 1/38 10-®J.K-1 1a permittivtédiletsique duvide eo = 88510" Fm“? J5010-™C et sa masse my =9,1110-9 kg (On sappetle que Is conductance d'un dpe Glectriquerésistif et verse de lstance (a reppelle que la probabilté pour qu'un fermion oocupe un éat énergie © la température 8 et ‘our un potentiel eimique jest donnée parla distribution de Fermi Dirac fl on apt net ue 2) nd tn =p) en a ‘Lusage do I cleulatrice est antorié ‘Tournez la page SV.Préambule aux parties A,B,C Les progr ass dans la croisance et le dopage des rstanx semiconducteurs permettent de confer des Gectrons dans un plan dint A Tinterface de deux seneonductaus, pat exemple GaAs et GaAlAs, (On rslise ainsi un writable ga bidimensionnel d'lctroas. A aide de grilles maliqus polaris, on peut dine dans oes gaz bidimensonnels des condutears de gométre bien contre. Le transport ‘eetronique dans ce type de conducteurs, qui sra étudié dans eo probleme, est gouverné par les cl- lisions que subset le lectrons du gaz bldimensionnel, Plsiours temps permettnt dele caractéviser ~ Letemps de olson dstiqe 7 est eves moyen séparant deux colison: conservant énergie dun meme Getron (par exemple les collisions sur le impure). La longueurearacéesique associge ir, est le ire paroours moyen élastique le ~ Le temps de collision inélastique rw est Ie temps moyen séparant deux collisions modiiant ‘énergie de lecton (colisionséletron-phonon et électron-letron). La lngucurearactérsi- ‘que asocie A ry et le be parcours moyen Inastique ly ~ Le tempe de colin > et dia pa (On il assoce le ibe parcours moyen ~ Le temps de cohérence de phase de la fonction donde d'un dlectron ry, tout Aft analogue au ‘empe de eorencereneontré on optique, conditlonte Yobearation Wintadirences quantique Dans les ystémes que nous consdéceros, ry ~ Tn ca sels ls ifsionsindastiques modiient Ja phaso dela fonction donde électronique. On asocie br, la longueur de cohérence de phase 1, confondue ave in. Aux trts bases température qulseront tudes dans oe prabléme, le nombre de phonons est petit le mécaniame définisunt le temps de collision est la difson sur les impure, ce sorte que & ‘On pout alors din diférents régimes de transport suivant la tlle caractristique L du conducteu : Oot d'uegle comprise entra «et e+ Ae, noté J? ,- Das un premier temps, ‘on consid le ess ot en < e. Exprimer JI, comme une intégrale sur puis comme une intégeale sur 'éncgie. En déduire que pour é + ie Fihaee HE Price ens cx qu vat J pour + BES pu pour £< ty $+ Ae. Que vat ifr ds curate proba Bator pr a ds etnias de no eer Shonde ha CO ne conpron ene cere + Bist Sra!4) On place maintenant le conducteur dink cle ease entre den réerwine d'lectrons den- — [eégeratf 7 — ebeonva) $Y tiques constitués de deux gaz bidimensionnels |" yo Pélectons de densité dlectronique ny et de x ‘masse effective m* (vole figure 1). Ces deux v eerwirs, Ggalement appelés contacts et notés Tet 2, pasdent les propriéssuvantes ~ Is absorbent tous les lectrons quittant le conducteur sas discrimination de leur énerge fu de leur état quantigue lis émettent en direction du conducteur des letrons suivant tne popuition dl états or- respondant & un équllbre thermodynamique bien défi: distribution de FermiDirac avee tun potential chimique et une température & Quel est analogue de ce type de réservoir pour des photons? Quels types de colsions doivent ester dans los rearvoirs pour quis pulsootatteindre Péqubre thermodyaamiquel 5) Dans la suite de cette parte, le contact 1 est porté& un potentelletrique V> 0 tandis que Yon applique un poteatiel nul au contact 2. On note w le potentel chimique du véservoir 1 et a clu du réseroir 2 Donner expression dela difrence sa ~ a en fonction de V. (On consdire un mode transverse du conducter, indice n, pour level ¢q < ja. Montrer ques en < i le eourant ectrique total transporté par ce mode lorsque les réserois sont maintemis temperate mle et 2 n= Flam) Discuter le signe de Fr “Montrer qu sufisamment faible diffrence de potentiel et & température cule la onductance soci &'un mode et ae oT En utilisant le résultats des questions A. e Bai, moatrer que a condcance du condcteur 2 sufcammen faible tnsion et temperature mle est quanti et waut 22, [2 2a ‘rest Ie longueur d'ande de Fermi du gaz bidimenslonneld'éectons. Qual dit étre Vordre ‘de grandeur de In largewr Wd conducteur pour que eet effet de quantisation pals etre ob- ‘serve? Commenter Pie des données numériqus dela parte AIT ‘A quelle condition sur la température du systime peut on observer ces efits de quantification? 0 e 7) Montrer qu'une disipation énergie que Von évaluera est assocée an processus de conduction ert eens ‘Comment varie la résistance du conducteur avers longue £2 Interpréter cos? résultats et proposer une explication pour ecto dissipatca apparemment pa- radaualepuisque Ten a supposé le conducteur en régime balistque Pourquoi parle-an de résistance de contact? ‘Quelle condition dot satisfaie la diférence de potentiel V pour que Von puis suppover les _iservoirs quire thermique ala température 6? Commenter aide de question précéen- te et des données nurérques de AIT ‘Tournez la page SV.p06 concuerance ny eee ¢ wn at - Figure 2- 8) La figure 2 prisente les résultats expérimentanx obtenss par BJ. Van Woes tsa collaborates cen 1888", Le eonducteur quantgue et lee réservoirs sont déinis dans le méme gaa bdimension- ne dectrons de deasité ny = 386 10!" cm, de mobité 1) = 085 108 meV 1s! et de masse fective m* = 1067 mo, Une tension négative Vo applique sur les ectrodes A et B (giles) permet de controler par un effet lectrestatique non drt iia argeur W du conducteu din ‘entee ees deux dectrodes. Commenter la couse dounant lt conductance mesunée en fonction del tersion grille applique Ao = 06K. Comment varie la largeur dl en fonetion dele tenson geile Vg? Evalue nomériquement la ‘ation dels lrgeur du fil entre deux paliers de condctance. Commenter Sgalernent la variation de Is eondictance nvec ln température. PARTIE C Condueteur quantique et désordre Dans cette parte, on soualte tele compte dels présence de désordre dans le conducteur quantique, ssscié par exemple Ala présence d'impuretés. Oa se propose d'utilsr le formalsme de transmission ‘des ondes etroniques développé dans a parte précdente et on moddlise le désorire dans une tranche ‘de conducteur parla trauenisslon T de cette tranche qui déerit Ia probabilité qu'un Getroninjecté {aan de see bouts soit transmis & autre. Dans un premier temps, on rappelle quelques propidés ‘seule dos coefficients de réflexion et de tarsmission d'une barre de potential, Lee gee ee eee epee om eee ohare ane eos seer nates A eer nen Serie : me “hus TB Van Wes al Ps Rov bate, 88 (088 ot Phys RB 4, 1281 (1851) 514) On case Féqto de Schinger sce & te Nie de poten pour ne farce de tne ms Monter qu atneOrateprtile d eeat Tone E> O aont de gon G es abr ser afer} aan ftom} dana i Antu contac. Que repent et 1.2) Ex utilisant la formule donnée Ia question A.1.2 calewe le courant de probablté associé {sla fonction donde c-dessus dans la gion G ot dans in gion D. Bx dure Pe ur=a ‘T= it? ext appelée tranamlsion de la barre. 1.3) De In mime fagon, la fonction d'onde qui décrit une particule de weteur donde k <0 arivant de Ia gion D vers Ia are sent Aferte 4 Het) dans Afters} danse (nade sas cercer le dots prop eaten iP et =e Queteea e siication piylque de cen relations? TI Conductance versus transm On considéve un conducteur quantique similire & ect écrit dans la parte B inal mals pour lequel un seul mode transverse participe & la conduction. Comme Borie dns la partie B, eo conducteur ext plaaé entre dewe | 9 poten ‘ters Tso gas see ee Onsen] fur riervoir un potential V > 0 et un potential nul aa i zal «Figure = "serie 2. On models eallisions astiques que peuvent. subir les letrons dans le condicteur par une baie de Potente dont les paramétres ret ¢ (cE C1) sont supposds, our simpler, Indépendants de énergie (voir figure 4), 112) En reprenant les grandes lignes du raisonnement dole partie B et en ulisant les résultats de a partie CL, eleuler le courant dans le conducteur droit dea barrier pour une faible ‘fence de potentiel V.Caleuer de méme le courant & gauche dela tarire. Commenter. En désduire qu’ eufisumment faible diférene de poteatiel V, ln encvctance du systame st 22 on%r ob Ta 6eé din au C2. Inerpréer cette relation,112) Montrer que In résistance ds conducts ext eh BIE aa tat Aide des rsulats de ta parte B, derminer le sens physique da premier terme dela ‘some cleus. Ea dédulze que le second terme de cette somme représente la résistance intrinsbque da conducteurconsdéeé 112) Comment fandraitl moder a démarche utilise c-desus pour Tadapter& un conductour pour lquel plusieurs modes transversespaticpent& la conduction? ‘Dans ls deux parties suivantes, on sintéreee Aun conducteurretiligne monomode trans- ‘verse contenadt un grand nombre de difwscar (des impurets par exempl)népartissléatore- ‘ment. Chaqne difseur est modélisé par une barrier de potentiel et on sinérese 2 la trans: Inission da systime ains formé om, ce qui revient au mémed'aprés la partic préedento,& la ‘ltance du conducteur III Condueteur incohérent, Loi d’Ohm Dans toute cette partie, on suppose que Ia longueur de cohérence de phase des ondes lectroniques ext inférieure A la distance entre les diffuseurs. ILA) Dans un premier temps, on sinuéesse A Ia transmission T(2) du systime formé par dew barre de transmission 7) et T, sépars dune distance pls grand: que la longueur de cohérence de phate des ondes électroniques. Montrer que nn =a= Tw Montrer que (1—T)/T est une grandeur additive c'est & dite que 72) 1-70) 72) 2 F Commenter co séultat & aide de la question CL T IL2) On appelle v le densité lngique de difuscurs dans le conducteur. On suppose tous les diffusars identiques, ctacun pouvant re modélisé par une barriée de transmision 7. ‘Montrer que la transmission d'une longueur de conductaurcontenart beatooup dedi eure ert 2 Fon exprimera Lo en fonction de et v ILS) Dans locas, suppasé réalisé par la suite ot T~ 1, monter que: foot -T) 1 [A partir de cette deri relation, donner un sons physique & la longuur Lo. ‘A aide du C112, montree que la résistance d'un eonductenr de longuur Ls ert may = nays dy wréciner lo sens physique de chacun de cos termes. Commenter la dépenance de ey ave Ls CCompater Re(L) a ln résistance que Yon abtiendait& partir de Téquation de Boltzmann par un traitement analogue & cel él a A, sachant qu'une tlle space danse pour Je conductivité d'un systéme & une dimension meres) ot ny est In densité ectronique linsque. On précse autre part qu une dimension, la Jongueur donde de Fenn est donnée par Ay =n Conclae. TV Conducteur cohérent. Localisation On reprend le problme de la partie précidente, en supposant cette fois-c la longueur de cohérence de phase des ondes électroniques plus grande quo la longueur dt cconductenr- Val) Reprende ls premize question de In partie précient et montrer que dans ce eas: Te ae Td — Ta)cosa + (1—T)A— 7%) cia ext fe déphago total ui par une onde atronque arts un lb eto ate es dv barrie 1V.2) On coasidire un morveau de conduteur de transmission 7, dont la risstance ntrnstque vost aps es résultats du C12, (On sajoute Insite de ce morceau un autre morcoan de transmission Ty et de résistance intrinsique bint wa (On suppoee que le déphasage subi par une onde électronique aprés un aller et retour entre Jes deux bariéres de transmissions Tet Testa. Calculer la résstacointrinséque Ra) 144 conducteur ainsi forme. Comparer F(a) et Ry + Ra. Commenter te 1V.8) Montrer que In résistance intrinsbque d'un morceau de conducteur ne contenant qu'un seul dlifuseur (do transmission T= 1) exten moyenne A AL 2A Te AL st inverse de a densité indique de ditfuseurs (On wtitsera Ia relation vf(1~ 7) = 1 able la question CIS. IVA) On consise un conducteur de longueur Lot do résistance itrinsbe R(E). On réaise tun grand nombre de fois la méme expézience: on rajoute au conducteur de longueur L ‘un morcats de conducteur ne contenant qu'un seul difaseur plc léstoirment. Monte ‘quien moyenne, la réistancointrinsique du conducteu ainsi frmé et RL+ AD nay + gs [t+ emo] 3 u ‘Tournez la page SV.P.1V.5) Montees quel sistance intrinsbgue R(L) d'un condacter plus cour: quel longue de ‘ohdrenoe de phe des nds Slectronques vat 4 1V.6) Comment vate R(E) pour £ > Ly? Commenter oe résultatconnu son le nom de lcalist- tion fore rany=Bs[e% 1V.7) On considire maintenant un condctear monomode transverse dont I longuenr, bien que ‘sande devant la distance entre difseur, et ts nfrieure hla longuee de loealisstion Ly 1V-7.8) Montzer que cete hypothiserevient A supposer que la transmissior de chaque difueur sts vase de IV.7) Montrer A Vale des wésuttats dela parte présente que la résistance intrinsdque du conduct et: nt) = nae [i+ Prac] ob Rf)» 6 is on CS 1V.7) En déuite que a correction ln conductance ntinsbque due aux ets 'nterfences quantiques est (Cet eft est appt localisation faible, 2PARTIE D Electronique & un électron Dans cette partie, on sintéress des deposits dont lecom- ‘posant de base et Ia joncton tne Clle-l est compose ‘de doux dectrodes mtalliquesséparées par une couche is0- lante d'épaisoursuffsamment fable pour que ls électrons pmisent Ia traverse par effet cunnel- Cette jonetion peut fre caractérinie par une conductance G dépendant de la trenemission de In barrie de potenti! formée par la ‘couche slant, D’atse pr, les dex ectrodesmialiques forment également un condensateur de eapacitéC. La onc ‘om tunnel et le seme dectrique que on utlisora pou la modeler sont présentés sur la igure 5. + Figure 5. Liectronique un éectron repose sur le earactire dined la charge qu travers la jontion tunnel: chaque événement ttnnel, une charge égale & Ia charge de P'éleetron © passe & travers In jonction (on néglige dans ce problime la événements oi deux éoczons taverseraent smultanémant la barr). I Blocage de Coulomb de Vefet tunnel Dans un premier emps, on considore te alpen, représenté sur la figure 6, appelé "boite & un Gectron", fonstitué une joation tunnel en série avee un condensa tear, Vensemble dant polarisé par un générateur dliveant la tension V. Pour smplifer les ealeuls, on supposera que les cxpacités de In joncton et du eondeninteur sont toutes deux gales &C. Figure 6~ [L.1) Montrer que Is charge lectrique de Iilot meéaliqu, forme par les armatures interne des capaciés et reprsenté en potlé sur In figure 6 ext quntifeet ne peut &tre qu tiple entier » de la charge de ectron ~e nul Explquer pourquoi i nen est pas de we des charges 9 et” présentes sur les armatures dv condensateur ou de la jonetion? 112) Bxprimer la charge g du condensateur en fonetion de n, Vet C. La) Calculer énergie sectrostatique Uc du systime forme par les deux capciésen fonction de lw eapacité C, dela tension Vt cu nome m c'etrons en exobs sur Ilt. Vier qu'elle sri comme la somme de deux termes, 'un dépendant de V, Yeutrede n et donner une interprtation physique de chacun de cet termes 114) On suppose que le systime formé par les deux capecités est mainionu & tempéeature constante 0 par un thermostat ct qu'il est polaris & Leasion constante V par le généeateu. On cherchedcaloulr le nombre he eetrons en exes sur Tot A Péquibre. En sppliquant yy ‘Toumezla page S.V.P.les deux premiers principas de a thermodynamique an systime form des deux eapaciés, smontrer qua 8 = OK, le potentelthermorlynamique qui rg soa évation et: y—e¥ u-9 En dire que Péquine du aystbme A @ = OK est atteint pour In vleur Ade m qu rend minimum I Fonction 1.5) Tracer sur un méme graphe les courbes représentant la fonction ci-dess en fonction de V pour difrentes valeurs dem. En dire le nombre entier en fonetion de V. Traver la cousbe a(V). Commenter ‘Traoer également Ia courbe donnant, & @= OK, la charge de la capacité de I jonction tunnel en fonction de V 1.6) Montrerqu’s 0 = OX, lonaq'on auygmente la tension VA partir de 0, Tefot tunnel est ‘logué (blacage de Conlomb) juqu’s ce que V sat gal & e/2C. ‘rier que cette deriére condition seit également ie vy 220 °F Quelle ext I signification physique de chara des termes de cette Gquation? Proposer une lnterprétation physique simple du blocege de Coulomb, 17) Montrer que cet eat ne peut-atre observé que sla température 6 est suffsamment basse pour ge : On suppose la condition c-dessus wire. Discuter qualtaivement bs Huctuations thet rmiques den pour ls cifrentes valeurs dela tension V. Précseren particulier les valeurs ‘de V pour lesuelles ces futantions sont thermiquement blogs ler Vordee de grandour des eapaciés nécesaires pour pouvoir observer des ofets de bloeage de Covlomb & tempécature amblante. En utilisant par exemple Texpresion de la capacité dune sphire métallique, évaluer un ordre de grandeur de Ia alle caratéitique das aysttmes comespondants. Commenter. On saitfabriquer par nanolithogeaphie des jonetions tunnel dont la epacté ext de Vordre dy femtofarad (10-"F). Quelle températate faut atteinére pour rouvoir observer des ‘fet de Blocae de Coulomb dans de tls systames? Comment peut on obtenit uno tlle température? Quelle est la dférence de potentiel qui permet d'ajower un électzon sur Poe? Commenter. 118) Dans cette question, on sinérese aux uctustions quantiques den, Gn cherce un erie pour que ott fictions, associées Ia délocalistion des fonctions Condes dectroniques de part et autre de In barrie, soient saisamment fables pour que la charge salt ‘omplétement loealiée sur I'lot et que les raisonnements c-lessus tent valables. (On se place en régine de bloeage de Coulomb maximal, par exemple s V = e/C. Monter “u‘que le temp qui spare deux dvénements tunnel est rlé Ala conductance G de la jontion par ee are Bn déduire Iargisement AE des niveaux d'énergle de I'lot. Vrifor que ls ffts de bloeage de Coulomb ne sont observables que s TI Le transistor & un électron Dans cote partie, on consiire le disposi, précots figure 7, contenant dewx jonctions tunnel (notées 1 et 2) et un condensateur. Ce daposti est appelé transistor & un éecton. Poor simplifer le ealeals, ‘on suppasera los deux jonctions tunnel identiques de fapadté C fyale & elle du condensetour. Comme dans In partie précédente, oa cherche le nombre ‘leetons en exes su lot métallique form pat es frmatutes internes des trois capaci 11:1) Exprimer les changes individueles qe qt Uénengie eteostatigue globale des trois eapaciés en fonction de U, V,n et C. 11.2) On caratéise lo systime par le nombre mdlectrons en exes sur Ib, par Je nombre ny «Velotioun out qulté ot en traverrant In jnction 1et par le nombre ma d'lectrons ‘ui y sont arivi en traverant la jonction 2 (le figure 7). Exprimer en fontion de U, V, Am et Anz, le teavll fourni par Pensomble des trois _génrateurs lors d'une transformation di systéme qi le cont de tat (n,m) at (nt Ann; + Ani.na-+ ng) & tensions U' et V constantes, TL) Comme dans la partie prcédenta, montrer qu's température @ null et & tension U et V constantes le potentelthermodynamique qui régit Tévolution du systime est une constants pr apeey (YY) (he also] -™*|z—3]-™|2*3, HLA) 4@= 04, on envisage In situation on dectrons en exes sont préseats sur Pot. Btablr les conditions, portant sur U, V et n, pour que les transitions conduisant & n~ 1 ou n+ 1 ‘hctrons sr Tit soient thermodynamiquement bloguées. Montrer qu la zane de stabilité de la configuration hn Glectrons Sur Tot ext le caeé représenté pour n = 0,1, +2, sur le diagramme (Y ‘Toumez a page SV.P.1.8) A@ =O, on. place A une tension Vinriente A e/SC et on augmenteprogressivement la teusion 2 partie de 0. Montrer qu'un courant detrique I traverse le dixpostf lors sort de la soe de stabilté d'un ot 80 ection? Quo se passe sion augmenteenoore In tension 07 ‘Tracer quaitativement Iallre da courant en fonction de U. ‘Montret que ls pics do conductance sont dautant pls larges que V est proche de e/3C et Gvalver le courant maximutn qu traverse le transistor pour V ~ #/9C en fonction de G et (C. Leéaiuer mumériquement pour les valeurs typiques G = 10-9! «¢ C= 10-"* F, bee 110) On mode Kgement esha de Is sls nue 7 en rajotant un condom dint une dee armature tele 52 Mot manu. Sur auto armature de “a ae ce cmieesiou on impose une charge Constante le 4 (ot ge 9). Figo 9- Monte que le dingramme de sabilité des difreats eonfguratiors de I'ot est ecu pésonté figure 8 & condition de remplacer CU/e par CUje Qle ‘On part une situation ob le transistor ext polaris’ an maximnm d'un pie de conductance De combien faut modifir Q pou atcindve le pe de conductance vosin, ls génératenrs de tension étnnt maintenus & tension constante? En déduire que le tresistor Aun élctron peut-stre utilisé comme un lectrométze extrémement sensible 7) Dans cette question, on sintéresse aux performances dun électromite alleen 1008 me R.J, Schoolkopf et see collaborsteare? & Vaide d'un transistor 4 un Geetron base ‘Solum. Toutes les mvsures prseutées ont éeé fects a tre basse température (45m). Le schéma de principe du teanastor et cau de la figure 2 7.) La Sgure 10 présente le conductance rmesurée du traasistor losqu'une ‘tension triangular (repisentée ex points) de fréquence 10H: est Appliquée au point A. Lors de ectte cexpérience, quell etl variation de 169 as Ia charge Q? ca Figure 10 117.) Expliquer qualitativement comment rfgler le généreteur de tension U pour que ln sex- slits de Palectrométre sit maximale. On étudie maintenant la xiponse en fréquence ‘de 'eectomttee sins polars lorsqa'on applique a point A ine tension sinusoidal de fréquence ay = 1LAMZTs et dont a valeur eflcue est ajustée en wtlsan ls résultats de Texpérience préoslente pour corespondre une charge de 0,01 élctron. Pour cela, ‘on utilise un analyeeur de spectre qu mesure Ia transformée de Fouier S(o) de fonction @autocoréation di signal qu'il reget. Ce signal est ln somme dun sgn insoidal de fquence oy et de valeur elcace a et dun bruit, blane dans ln bande ‘de mesure (c'est die indépendant de la fequence). Le signal sinusoidal et le brut TTR Stair a, Sense 0 58 Tos) 6M16) 7.4) tant pas corrlés,lurs fonctions d'antocoration sajoutent ds sorte que: SW) = a5 — a) +P oi le premier terme correspond i la sinusoide etl second, const, est earactérstique ‘un brit lane ‘Le tampe de mesure fini T de Vanalysour fixe 1a résolution specteale de sorte que ona accbs ln quantité Alo) dale A Viatégrale de S(v) sur une bande de largeur Av = 1/T centsée a- tour de v La figure 11 présente, dune constante pits, B = los(y'A(v)) en fonction de v. Sa- chant que Av = 23 12, monteer que le brut di syste est caratérisé pr la senabilté 4 i bit dectrona/V Hs, Commenter en par “Free teal P'unité dele quantté prétdente et ses cnafquences expérimentale, Figure 11 Sachant qu la capacté du condensateu do charge Q est 04510" F, caleuer Ia sen sibiité en énergie du transistor SE = S2/2C. Montier qu'elle le méme unié que la ‘onstante de Planck h et calele le rapport &E/h. Commenter Lede en fquence révte par illers que la bande passant du transistor est environ 100.41 Hs, Montrer que mime x Von woubaie efetier des mesures rapids en uilsant toute la bande passante du transistor, le bruit de charge reste indérieur& 1 econ. CCalewer la fréquence mayenne de passage des Geetrons pour un eurant de 10p. En ‘éduize que le traitor & un Sectron e-dessus permet de mesure, en une dizaine 4e seconds, des courant de ordre de 10pA avec une prison lative de Vordre de 10 (Quel pout ete Pntérét métologgue d'un tel stim?