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Funcionamento de sensores ópticos

CLEYDSON MATOS LIMA1

DANIEL DANTAS DO AMARAL RAMOS 1
HERBERT BRUNO DE OLIVEIRA CASTRO 1
JOÃO VICTOR PAVÃO DE SOUZA 1

1
UFPA – Universidade Federal do Pará
FEE – Faculdade de Engenharia Elétrica
Cx. Postal 8619- CEP 66.075-900 Belém (PA) - Brasil
cleydsonmatos12@hotmail.com; danidantas10.3@gmail.com; hbruno8407@gmail.com; joaovpavao@hotmail.com.

Resumo: Esse artigo apresenta a base teórica para o funcionamento de sensores ópticos e alguns usos do
LDR e do fotodiodo. Os sensores ópticos são componentes que convertem luz ou mudança de
intensidade de luz em um sinal elétrico. Por conta de sua ampla aplicação, esses sensores estão presentes
em diversos tipos de dispositivos eletrônicos e tecnologias. Sistemas de automação que se baseiam na
luminosidade ambiente e o LiDAR são exemplos do uso de sensores ópticos a partir de sensores como o
LDR (Resistor Dependente de Luz) e o fotodiodo. Entretanto, para compreender seu funcionamento é
necessário entender a o efeito fotoelétrico, bandas de energia e semicondutores.

Palavras Chaves: semicondutores; sensores ópticos; LDR; fotodiodo; LiDAR.

Abstract: This paper show the theorical basis to operation of optic sensors e some application of LDR
and photodiode. These sensors are components that convert light or light intensity change to a eletric
signal. Due to their wide application, these sensor are in several kind of eletronic devices and technology
Automation system based in ambient light and LiDAR technology are examples of use of optical sensors
from sensor like LDR (Light Dependent Resistor) and photodiode. However, to understand how it works
is necessery know the photoeletric effect, eletronic band structure and semiconductors

Keywords: semiconductors; optic sensors; LDR; photodiode; LiDAR.

𝐸 = ℎ𝑓 (1)
Introdução
No ano de 1905, Albert Einstein propôs que a Onde ℎ é a constante de Planck (6,62 ×
radiação eletromagnética era quantizada; a quantidade
10−34 𝑗𝑜𝑢𝑙𝑒 − 𝑠𝑒𝑔𝑢𝑛𝑑𝑜).
elementar da luz é chamada de fóton (HALLIDAY &
Sempre que uma onda eletromagnética de
RESNICK, 2012). Segundo Einstein uma onda
frequência 𝑓 é absorvida por um corpo, a energia ℎ𝑓 do
eletromagnética de frequência 𝑓 tem energia dada por:
fóton é transmitida para um átomo, esse evento de
absorção envolve a aniquilação de um elétron. Quando

uma onda eletromagnética de frequência 𝑓 é emitida por
um átomo, a energia ℎ𝑓 é transmitida de um átomo para
a luz, esse evento de emissão envolve a criação de um
fóton. Assim os átomos de um corpo podem emitir ou
absorver fótons (HALLIDAY & RESNICK, 2012).
A partir disso, iniciaram-se estudos mais
profundos da relação entre luz e átomos, como por
exemplo, o efeito fotoelétrico e as bandas de energia,
que levou compreensão do funcionamento de
semicondutores que possibilitou a criação de sensores
ópticos que está presente em praticamente qualquer
dispositivo eletrônico.
Métodos
O método utilizado para elaboração desse artigo foi a
revisão bibliográfica de livros e artigos já publicados
1 Efeito Fotoelétrico
O efeito fotoelétrico consiste na emissão de elétrons
quando a luz incide sobre uma superfície. Os elétrons
absorvem a energia da radiação incidente e, portanto,
podem ir para um estado de maior energia sendo
liberados da superfície de acordo com a equação abaixo
(YOUNG & FRERDMAN, 2009).
ℎ𝑓 = 𝑘𝑚á𝑥 + 𝛷 (2)
Onde 𝑘𝑚á𝑥 é a energia cinética máxima dos
elétrons emitidos e 𝛷 e a função trabalho do material de
que é feito o alvo, ou seja, a energia mínima que o
elétron deve adquirir para escapar do material. Quando
ℎ𝑓 < 𝛷, o efeito fotoelétrico não é observado
(HALLIDAY & RESNICK, 2012).
2 Estrutura Cristalina
Nos sólidos cristalinos há uma ordenação periódica
dos átomos que formam o sólido. Essa ordenação
corresponde a um arranjo onde os átomos são dispostos
de modo a produzir uma rede tridimensional de pontos,
em torno dos quais os átomos estão localizados
(YOUNG & FRERDMAN, 2009). Devido à forma
periódica desses arranjos, essa estrutura dos cristais
recebe a denominação de rede cristalina. A forma
geométrica desses arranjos é determinada pelas ligações
químicas, através dos orbitais dos elétrons de valência,
da interação eletrostática e do spin dos elétrons. A
estrutura molecular do sólido sempre irá ser aquela que
2
minimiza a energia de interação dos átomos. Como
existe um conjunto finito de orbitais normalmente
preenchidos, há também um número finito de
configurações que essas estruturas podem assumir
(EISBERG & RESNICK, 1979).
O elemento básico de uma rede cristalina é chamado
de célula unitária, a célula unitária é a menor porção da
estrutura que, por repetição periódica ao longo dos eixos
de coordenada, permite construir completamente a
distribuição dos átomos no cristal (EISBERG &
RESNICK, 1979).
3 Bandas de Energia
Para átomos idênticos muito próximos uns dos
outros, a interação entre eles e o princípio de exclusão
faz com que as funções de onda comessem a se
modificar e se sobrepor, como consequência os níveis de
energia atômicos, inicialmente idênticos, dão origem a
um conjunto de níveis deslocados um do outro. Onde
para um número muito grande de átomos, como em um
sólido cristalino, esses níveis estão compactados e
distribuídos em uma faixa contínua, como mostra a
figura 1 (YOUNG & FRERDMAN, 2009). A essa faixa
é dado o nome de banda de energia.
Figura 1: Representa dos níveis de energia de vários
átomos próximos.
Fonte: Muniz, 2015.
Em um composto sólido o conjunto de bandas
de energia corresponde aos possíveis estados quânticos
dos elétrons. Assim como em um átomo isolado, há
intervalos de energia que são proibidos para o elétron, a
esses intervalos é dado o nome de gaps de energia
(YOUNG & FRERDMAN, 2009). Através do estudo
das estruturas de banda do material podem ser
explicadas suas propriedades elétricas, que dependem
principalmente dos elétrons de valência, da distribuição
da banda de valência e da distribuição da banda de
condução, assim é possível determinar se um material é
um isolante, em semicondutor ou condutor
(HALLIDAY & RESNICK, 2012).

Da mesma maneira que ocorre num átomo com
vários elétrons, os elétrons são distribuídos nos orbitais
disponíveis partindo do orbital de menor energia
seguindo o princípio de exclusão de Pauli (EISBERG &
RESNICK, 1979). Em seu estado de menor energia a
última banda preenchida pelos elétrons no sólido é
chamada de banda de valência, e a primeira banda
desocupada dos estados de maior energia é chamada de
banda de condução (YOUNG & FRERDMAN, 2009).
Observe a figura 2 com a representação das bandas de
condução e valência para um isolante, um semicondutor
e um condutor.
Figura 2: estrutura de bandas para isolante,
semicondutor e condutor.
Fonte: YOUNG & FRERDMAN, 2009.
4 Isolantes e condutores
De maneira prática um material isolante não
produz uma corrente elétrica quando submetido a uma
diferença de potencial. Para que exista uma corrente
elétrica é necessário que a energia cinética média dos
elétrons aumente. Para isso alguns elétrons devem
passar para um nível mais alto de energia (HALLIDAY
& RESNICK, 2012). Nos isolantes, no zero absoluto, a
banda de valência está totalmente ocupada e a banda de
condução está totalmente desocupada. Assim os elétrons
da banda de valência não têm para onde ir (YOUNG &
FRERDMAN, 2009).
Para que um elétron seja transferido para a
banda de condução onde existem níveis desocupados de
maneira que ele possa se movimentar é preciso que esse
elétron adquira energia suficiente para superar a banda
proibida. Em um isolante a banda pode atingir até 5 eV
ou mais, Assim pouca ou nenhuma corrente elétrica fluí
em reação a uma diferença de potencial aplicada ao
material, e a condutividade elétrica é baixa (YOUNG &
FRERDMAN, 2009).
3
Em um material condutor, como um metal, a
banda de condução está parcialmente preenchida até
mesmo no zero absoluto (YOUNG & FRERDMAN,
2009). Quando aplicamos uma diferença de potencial
em material condutor, produzimos uma corrente elétrica,
já que existem estados com uma energia ligeiramente
maior para quais os elétrons podem ser transferidos
(HALLIDAY & RESNICK, 2012).
5 Semicondutores
O comportamento dos semicondutores é à base de
vários dispositivos eletrônicos práticos, sua importância
decorre do fato de suas propriedades elétricas serem
sensíveis a variação de impurezas. A estrutura de bandas
de um semicondutor é parecida com a de um material
isolante, possui sua banda de valência totalmente
preenchida e sua banda de condução totalmente vazia,
no zero absoluto. A única diferença é que o tamanho da
banda proibida é menor, menor que 2 eV (EISBERG &
RESNICK, 1979). Isso faz com que seja mais fácil
excitar um elétron para a banda de condução. Como
resultado disso, há uma probabilidade bem maior de
encontrar elétrons na banda de condução num
semicondutor do que num isolante, sendo assim, a
resistividade elétrica de um semicondutor é menor que a
de um isolante e maior que a de um condutor.
5.1 Buracos
Quando um elétron é removido de uma ligação
covalente deixa uma vacância em seu lugar, denominada
de buraco. Em um semicondutor puro, chamado
intrínseco, o número de elétrons na banda de condução é
igual ao número de buracos na banda de valência. Desse
modo, quando se aplica uma diferença de potencial no
sólido, esses portadores de carga se movem sentidos
contrários. Esse tipo de condutividade é denominado
condutividade intrínseca (YOUNG & FRERDMAN,
2009).
5.2 Dopagem de semicondutores
Adicionado uma pequena quantidade de impurezas
com determinadas propriedades adequadas ao cristal
intrínseco de um semicondutor, pode-se modificar o
comportamento elétrico de maneira desejada. Esse
processo é denominado de dopagem. Pode-se fazer
dopagem por doadores e receptores, que produzem
respectivamente os semicondutores do tipo n e tipo p.

5.2.1Semicondutores Tipo-n
Ao adicionar um átomo pentavalente a um cristal de
semicondutor intrínseco, que possui quatro elétrons na
camada de valência, o átomo pentavalente irá formar
quatro ligações covalentes e terá um elétron
praticamente livre. Ele não poderá ir para banda de
valência e ficará fracamente ligado numa órbita de raio
muito grande. Esse quinto elétron, tendo uma energia de
ligação com átomo adicionado tão pequeno que poderá
ser facilmente ionizável e ir para a banda de condução a
temperaturas muito mais baixas do que as necessárias
para os elétrons da banda de valência (EISBERG &
RESNICK, 1979).
Esses elétrons suplementares ocuparão alguns
dos níveis discretos de energia, situados logo abaixo da
banda de condução, como mostra a figura 3, a
temperaturas baixas, e poderão ser facilmente excitados
termicamente para esta banda. A temperatura ambiente,
todos esses elétrons em excesso estarão na banda de
condução, a condutividade elétrica poderá ser controlada
pela quantidade de átomos pentavalente usados como
impureza (EISBERG & RESNICK, 1979). Uma
impureza que fornece elétrons é denominada impureza
doadora e o semicondutor resultante é chamado de tipo-
n, negativo, por ter um excesso de elétrons livres.
Figura 3: Estrutura de banda de um semicondutor tipo-n
Fonte: YOUNG & FRERDMAN, 2009.
5.2.2Semicondutores Tipo-p
Ao adicionar um átomo trivalente a um cristal
de semicondutor intrínseco, o átomo trivalente irá
formar três ligações, tendo dessa maneira um déficit de
um elétron por átomo na formação das ligações
covalentes. O resultado é a formação de um buraco que
pode se deslocar na através do cristal, comportando-se
como uma carga positiva (YOUNG & FRERDMAN,
4
2009). Do ponto de vista da energia, essa impureza
introduz níveis discretos vazios ligeiramente acima do
topo da banda de valência, como mostra a figura 4.
Elétrons de valência são então facilmente excitados para
esses níveis de impureza que podem aceitá-los, deixando
buracos na banda de valência. Uma impureza deficiente
em elétrons é chamada de impureza receptora e o
semicondutor resultante é denominado de tipo-p,
positivo.
Figura 4: Estrutura de banda de semicondutor
tipo-p
Fonte: YOUNG & FRERDMAN, 2009.
6 Dispositivos semicondutores
Em um cristal semicondutor que foi dopado em
uma região com impureza doadora e em outra região
vizinha com uma impureza receptora, o limite entre
essas duas regiões é denominado de junção p-n
(HALLIDAY & RESNICK, 2012). Os elétrons que
estão do lado n que estão próximos da junção tendem a
se difundir para o lado p, ao mesmo tempo os buracos
do lado p que estão próximos a junção tende a atravessa-
la. O movimento combinado dos elétrons e dos buracos
constitui uma corrente de difusão Idif, a corrente de
difusão produz uma carga líquida positiva na região n,
perto do plano de junção; e uma carga líquida negativa
na região p, perto do plano da junção. Formando uma
diferença de potencial V0 entre as extremidades da zona
de depleção (YOUNG & FRERDMAN, 2009). Se um
elétron se movimentar através do campo elétrico
produzido na junção, sua energia aumentará quando ele
passar do lado n para o lado p. Isto pode ser observado
na maneira pela qual os níveis de energia do topo da
banda de valência e da base da banda de condução se
deslocam para cima quando se atravessa a junção
(EISBERG & RESNICK, 1979). Observe a figura 5.
 5

Quando se polariza reversamente um diodo

retificador, lado negativo da fonte de tensão externa na
região p e lado positivo na região n. Haverá um aumenta
na energia dos elétrons da região p, e diminuirá a
energia dos elétrons na região n. Aumentando assim a
altura da barreira de potencial entre as duas regiões
(EISBERG & RESNICK, 1979). Isso faz com que a
corrente de difusão diminua e a corrente de deriva
permaneça praticamente inalterada (HALLIDAY &
RESNICK, 2012).
Quando se polariza diretamente um diodo
retificador, lado positivo da fonte externa na regia p e
Figura 5: Estrutura de banda da junção p-n
lado negativo na região n. Isso diminui a altura da
Fonte: EISBERG & RESNICK, 1979
barreira de potencial elétrico entre as duas regiões
(EISBERG & RESNICK, 1979). Aumentando
Embora em os portadores em maioria em um
consideravelmente a corrente de difusão (HALLIDAY
semicondutor tipo n sejam elétrons, existem também
& RESNICK, 2012).
alguns buracos. Da mesma forma, em um semicondutor
tipo p, embora a maioria dos portadores sejam buracos, 7 Efeito fotocondutivo
existem também alguns elétrons. Esses poucos elétrons e
Quando a radiação é absorvida por um material, a
buracos são chamados portadores em minoria
energia dos elétrons no material é aumentada pela
(HALLIDAY & RESNICK, 2012).
energia do fóton. No entanto, os elétrons no material
A diferença de potencial V0 funciona com uma
podem ter somente certos níveis de energia, portanto a
barreira para os portadores em maioria, mas facilita o
radiação é absorvida somente quando a energia do fóton
movimento dos portadores em minoria. Cargas positivas
pode elevar o elétron de um nível de energia permissível
tendem a procurar regiões de baixo potencial e cargas
para outro. Para que um fóton gere um portador na
negativas tendem a procura regiões de alto potencial.
banda de condução é necessário que sua energia seja
Assim quando pares elétron-buraco são formados por
maior que a energia da banda proibida. Fótons de
agitação térmica na zona de depleção, os dois tipos de
energia menor que a energia da faixa proibida não serão
portadores são transportados para o outro lado da junção
absorvidos pelo material (TURNER, 1982).
pela diferença de potencial de contato e o movimento
Em diversos materiais semicondutores, a energia dos
combinado dos elétrons e buracos constituem uma
fótons com faixas de frequência nas regiões visíveis e
corrente de deriva Ider (HALLIDAY & RESNICK,
infravermelha é suficiente para superar a energia da
2012).
banda proibida. Portanto, para tais materiais a incidência
Assim, em uma junção p-n em equilíbrio, existe uma
de luz visível ou infravermelha diminui
diferença de potencial V0 entre o lado p e o lado n. Essa
consideravelmente a resistência do material comparada à
diferença de potencial tem um valor tal que a corrente de
resistência sem a incidência de iluminação (TURNER,
difusão Idif produzida pelos gradientes de concentração é
1982). Este é o principio de funcionamento dos
exatamente equilibrada por uma corrente de deriva Ider
fotoresistores.
no sentido contrário (EISBERG & RESNICK, 1979).
Nos comprimentos menores que 𝜆𝑐 ,
6.1Diodo Retificador comprimento de onda máximo para que o elétron pule a
banda proibida, cada fóton produz um par elétron
Ao se aplicar uma fonte de tensão externa em um
buraco. Como a energia total incidente é constante, o
dispositivo semicondutor de junção p-n, dependendo da
número de fótons presente aumenta com o comprimento
polarização da fonte o comportamento do semicondutor
de onda. Para comprimentos de onda mais curtos que
se modifica, um dispositivo que faz uso dessa
𝜆𝑚 , comprimento de onda mínimo para que o elétron
propriedade é o diodo retificador.
não exceder a função trabalho fazendo com que ele
escape da superfície do material, à medida que o

comprimento de onda diminui não há mais a ejeção de
elétrons que possam ser usados como portadores dentro
do material (TURNER, 1982). Dessa maneira a curva de
resposta espectral de um determinado material pode ser
representada como a mostra à figura 6.
Figura 6: Resposta espectral teórica
Fonte: TURNER, 1982.
Fazendo a dopagem de um semicondutor é possível
modificar até certo ponto o pico da curva de resposta. Se
for um material semicondutor poli cristalino o pico da
curva de resposta prático é achatado, no entanto haverá
muitas armadilhas para os portadores de carga, dessa
maneira um dispositivo semicondutor poli cristalino terá
um tempo de resposta longo do que de um material
monocromático (TURNER, 1982).
É possível observar que escolhendo um material
semicondutor particular, e escolhendo a dopagem
adequada é possível determinar a faixa de comprimento
de onda para qual o dispositivo irá responder.
8 Sensores ópticos
8.1 LDR (Resistor dependente de luz)
O LDR é um dispositivo eletrônico cujo
funcionamento é muito bem descrito pelas teorias de
banda e do efeito fotoelétrico. Este componente passivo
é um resistor variável, ou fotorresistor, em que as
mudanças no valor de sua resistência estão associadas à
intensidade de luz que incidente sobre ele.
Para que as variações ocorram, um semicondutor –
neste caso o sulfeto de Cádmio – é colocado entre dois
condutores, como mostra a Figura 7. Ao submeter este
material a uma diferença de potencial através dos
6
condutores, uma corrente surge, e dependendo da
intensidade de luz sobre o semicondutor, o valor da
corrente varia de forma proporcional e linear (YOUNG
& FRERDMAN, 2009).
Figura 7: Disposição dos componentes de um LDR
A explicação para essa variação de corrente está no
número de portadores de cargas existentes no
semicondutor. Ao incidir luz sobre ele, elétrons que
estão na região de valência - ou banda de valência –
ganham energia e passam para a banda de condução.
Quanto maior a intensidade de luz sob o semicondutor,
mais portadores de cargas surgem, resultando em um
aumento na condutividade do material (YOUNG &
FRERDMAN, 2009).
O fotorresistor é atraente em muitos projetos de
circuitos eletrônicos devido seu baixo custo, estrutura
simples e características robustas. Embora possa não ter
algumas das características do fotodiodo e foto-
transistor, é ideal para muitas aplicações. Como
resultado, o LDR é amplamente utilizado em circuitos
como medidores fotográficos, detectores de chamas ou
fumaça, alarmes antirroubo, leitores de cartões e o mais
comum como controle de iluminação pública. Neste
ultimo, um LDR associado a um simples circuito
eletrônico formam o sistema responsável pelo controle
do acionamento das lâmpadas de vias e espaços
públicos, além de algumas residências. O circuito em
questão pode ser observado na figura 8 abaixo.
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incidente, e 𝑖𝑙 a corrente a corrente devido a radiação

incidente.
A partir efeito fotoelétrico, quando um fóton de
ampla energia bate em um diodo, ele excita um elétron e
o faz saltar de camada, criando-se um par dos chamados
"buracos". Tendo cada portador (elétron e buraco)
acelerado em um sentido diferente, como mostra a figura
10 a seguir. É por causa deste fluxo de elétrons e
buracos que um campo elétrico é criado na superfície
onde se encontram (conhecida como o "junção") (Alvez,
Figura 8: Esquema de funcionamento do sistema de Gustavo. “Análise Comparativa de Sensores Ópticos de
iluminação público Posição Integrados”. 2008).
Fonte: GHELLERE (2009)

8.2 Fotodiodo
O fotodiodo é um dispositivo do tipo fotodetector,
sendo um semicondutor detentor de uma junção pn, ou
seja, construído com semicondutores do tipo p e n.
Fotodiodos possuem uma "janela" ou uma conexão de
fibra ótica , responsável por deixar a luz passar e incidir
Figura 10: Corrente devido à incidência de Fótons
na parte sensível do dispositivo de modo a possibilitar a
utilização da luz como fator determinante no controle da
Como fica evidente na imagem acima, a corrente
corrente elétrica, pois esta é gerada na medida que o
liberada pelo fotodiodo é proporcional à quantidade de
dispositivo absorve fótons de luz (Eletrônica, Volume 1
luz que chega no fotodiodo, ou seja, à quantidade de
- Albert Paul Malvino). Um símbolo de referência para
elétrons que foram excitados com os fótons.
fotodiodo pode ser visto na figura 9 abaixo:
Com sua versatilidade, o fotodiodo pode ser aplicado
no controle de iluminação de celulares e na rede de
iluminação pública. Nesses sistemas é importante saber
em que altura é que está suficientemente escuro, para
ativar as luzes. (Eletrônica, Volume 1 - Albert Paul
Malvino). Abaixo pode-se ver a foto de um fotodiodo.

Figura 9: Representação de um fotodiodo

8.2.1 Funcionamento do fotodiodo

O dispositivo gera uma corrente dependendo da
quantidade de luz que chega em seu terminal sensível,
sendo a corrente total dada pela equação 1 a seguir:
𝑖 = 𝑖𝑠 + 𝑖𝑙(1)
Sendo 𝑖𝑠 a corrente no escuro, ou seja, a corrente que
o fotodiodo libera quando não há ou há pouca luz Figura 11: Fotodiodo

9 Sensor de Luz Ambiente
O sensor de luz ambiente é a combinação de dois
principais componentes, um fotodiodo e um elemento de
controle. A quantidade elétrons excitados pela luz é
proporcional a corrente elétrica gerada pelo fotodiodo,
ou seja, a corrente gerada varia de acordo com a
luminosidade ambiente. Essa corrente passa por um
conversor analógico-digital para ser processado pelo
elemento de controle. Esse elemento de controle pode
ser um microcontrolador. Esse microcontrolador vai
regular o brilho da tela do dispositivo eletrônico de
acordo com a luminosidade que o fotodiodo receber.
Esse controle automático de brilho é interessante para
poupar bateria desses aparelhos. (ALVEZ MENDES,
2013)
Na figura 12 a seguir é mostrado o esquemático do
modelo AMIS-749803 da empresa Amis
Semiconductors.
Figura 12: Esquemático do modelo AMIS AMIS-
749803
Fonte: AMIS SEMICODUCTORS (1979)
10 LiDAR
LiDAR, sigla utilizada para Light Detection and
Ranging, é uma tecnologia óptica baseada nos mesmos
princípios utilizados no sistema de RADAR, a principal
diferença entre as duas técnicas está no fato que o
RADAR usa ondas de rádio como base de seu sistema
enquanto o LiDAR usa pulsos de laser. Essa técnica é
utilizada em mapeamento para varredura de uma área.
Além de medir a distância do alvo, dado seu modo de
efetuar esta operação, o LiDAR possibilita a prospecção
de outras características do terreno. Uma aplicação
notável se dá na varredura florestal que pode estimar
variáveis como: biomassa, carbono e quantidade de
material combustível [Lidar: princípios e aplicações
florestais].
Esse sistema opera com luz ultravioleta, visível ou
próximo do infravermelho para medir a distância dos
8
alvos e pode ser utilizado em variados tipos de alvos
como, por exemplo, rochas, compostos químicos,
aerossol e objetos não-metais (ADITYA KUMAR,
2017).
Além da vantagem de ter uma ampla aplicação, o
LiDAR realiza um mapeamento em alta resolução e
levantamento de dados para elaboração de Modelos
Digitais de Elevação (MDE) em áreas de difícil acesso
(MARCOS GIONGO, 2010).
10.1 Principio de Funcionamento
O princípio de funcionamento do LiDAR consiste na
emissão de pulsos laser a partir de uma plataforma com
uma alta frequência. O tempo de retorno dos pulsos laser
entre a plataforma e os alvos é medido pelo sensor,
permitindo a estimativa das distâncias (Baltsavias, 1999:
Wagner et al,. 2004). Uma das características positivas
do LiDAR em relação aos sensores passivos (fotografias
aéreas e imagem de satélite) é que os sensores não
depende da luz solar como fonte de iluminação, uma vez
que o sistema apresenta a própria fonte de energia, que
neste caso, é o laser. Desta forma, os dados coletados
não sofre perturbações a partir de sombras (Baltsavias,
1999: Wagner et al,. 2004).
O LiDAR possui quatro principais componentes: o
scanner a laser, o sistema de posicionamento global
(GPS), a Sistema de Navegação Inercial INS) e um
computador para armazenar e tratar os dados. O
resultado desse conjunto é o processamento e
armazenamento de pontos com muita precisão (x, y e z),
que corresponde a cada pulso nas superfícies e objetos
presentes no terreno (MEGGY KELLY, 2015).
10.1.1 Scanner a laser
O scanner a laser consiste em um laser díodo, um
fotodiodo e um espelho de varredura. Os pulsos são
gerados no laser. Em seguida, os pulsos são dirigidos
para o espelho de varredura. Esse espelho de varredura
se refere ao conjunto óptico de lentes e espelhos que
orienta os pulsos laser gerado, lançando-os para os alvos
no terreno e, em seguida, recebendo os sinais refletidos
pelos alvos e encaminhando-os para o fotodiodo
(MARCOS GIONGO, 2010).
Cada pulso que chega no fotodiodo são fótons que
excitam os elétrons gerando corrente elétrica, essa
corrente que é gerada são os sinais elétricos que são
usados para realizar o calculo da distância do alvo.

O tempo de retorno dos pulsos entre sua emissão do
laser díodo e o fotodiodo é registrado e é feito o
calculado a distância dos alvos já que a velocidade dos
pulsos é a velocidade da luz. Em seguida o sinal do
fotodiodo é convertido para sinal digital (binário) por
um conversor analógico-digital (ADITYA KUMAR,
2017).
Figura 13: Esquemático de um LiDAR
Fonte: (ADITYA KUMAR, 2017)
10.1.2 Sistema de posicionamento global e de
navegação inercial
O LiDAR requer de localização precisa em tempo
real para realizar o mapeamento do terreno. Diante
disso, o GPS fornece as coordenadas XYZ da plataforma
com elevada precisão. Para isso, utiliza-se um receptor
de GPS de dupla frequência (L1 e L2) e na terra se
estabelece uma cadeia de estações GPS para realizar
observações simultâneas (MARCOS GIONGO, 2010)
Além disso, os dados coletados pelo GPS são
refinados pelos métodos de correções diferenciais de
posicionamento (Ramos et al., 2007).
O sistema de navegação inercial (INS) utiliza uma
Unidade de Medição Inercial (IMU) que contêm
diversos arranjos de sensores inerciais. Esses sensores
detectam força específica, angulação e, algumas vezes, o
campo magnético em volta do sensores. Esses sensores
usam uma combinação de acelerômetros, giroscópios e
magnetômetro. Os giroscópios mantêm os acelerômetros
horizontalmente em relação ao terreno, fornecendo a
orientação azimutal, enquanto os acelerômetros
proporcionam a aceleração da plataforma. (MARCOS
GIONGO, 2010)
A localização, angulação e orientação do scanner a
laser se dá com a posição do GPS mais a posição do INS
(ADITYA KUMAR, 2017).
9
10.2 Aplicações do LiDAR
Cada pulso laser fornece a distância de um alvo, o
resultado disso é um mapeamento de uma área a partir
de pontos em que cada ponto é pulso laser (MEGGY
KELLY, 2015).
Figura 14: Imagem de pontos feita por um LiDAR
Fonte: MEGGY KELLY (2015)
A partir disso, é possível processar de diversas
maneiras. Uma dessas maneiras é que é possível detectar
vegetação a partir das imagens feitas por pontos do
LiDAR. Essa detecção é feita a partir de técnicas de
identificação de árvores individuais, que consiste em
considerar os pontos mais altos da imagem como sendo
parte da vegetação, a partir disso é possível obter outras
variáveis do terreno, como altura das árvores, diâmetro e
massa. Essa técnica também possibilita fazer um
mapeamento preciso do relevo, uma vez que é possível
identificar a vegetação(MARCOS GIONGO, 2010).
A tecnologia do LiDAR está sendo aplicada em
setores como a agricultura, que otimiza a produção por
mapeamento preciso indicando melhores áreas para
aplicar os fertilizantes e indicando a inclinação do
terreno. Além disso, áreas como hidrologia e geologia se
beneficia das imagens precisas feitas pelo LiDAR.
(ADITYA KUMAR, 2017)
Conclusão
Ao compreender o comportamento de um material
podemos explorar ao máximo suas características e
aplica-las nas tecnologias para diversos fins, e o estudo
da teoria de bandas e do efeito fotoelétrico nos permite
alcançar um grau mais refinado de conhecimento sobre
os elementos e matérias que nos cercam. Desta forma, é
importante termos uma intimidade com as teorias físicas
que tentam explicar e se adequar ao máximo aos
fenômenos que observamos na natureza. Assim, como
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queríamos demonstrar neste trabalho, é só através da

física quântica que podemos compreender, de forma
Giongo, M., Koehler, H. S., Machado, S. A., Kichner, F.
mais coesa, o funcionamento de sensores ópticos, pois
F., Marchetti, M., LiDAR: principios e aplicações
as características dos dispositivos que estudamos aqui
florestais, Universidade Federal do Paraná, 2010.
estão intimamente ligadas às características quânticas
dos materiais que os constituem. Entendendo os
fenômenos que ocorrem em cada átomo existente em um Mendes, J. J., Stevan, S. L., LDR E SENSOR DE LUZ
material, podemos incrementa-lo ou modifica-lo, AMBIENTE: FUNCIONAMENTO E APLICAÇÔES,
originando novos dispositivos. Universidade Tecnológica Federal do Paraná, 2013.
A teoria de bandas e o efeito fotoelétrico associado a
outras teorias físicas e químicas foram a base para
criação de diversos dispositivos que encontramos no Bhatt, A. K., Sharma, D., LIDAR TECHNOLOGY
mercado tecnológico atual, pois dão uma visão mais AND APPLICATION, EPRA International Journal of
coerente dos fenômenos naturais, possibilitando a Research and Development, Volume 2, 2017.
manipulação dos matérias, nesse caso, semicondutores.

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