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PROBLEMAS PROPUESTOS
1. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen conductor y
en qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el arseniuro de
galio.
El cobre tiene 20 electrones en órbita con solo un electrón en la capa más externa.
El hecho de que la capa más externa con su electrón 29 es incompleta y su penúltima
capa puede contener 2 electrones) y distante del núcleo revela que este electrón está
débilmente ligado a su átomo padre. La aplicación de un campo eléctrico externo de la
polaridad correcta puede dibujar fácilmente esto sin apretar electrones unidos desde su
estructura atómica para la conducción.
Tanto el silicio intrínseco como el germanio tienen conchas externas completas debido al
intercambio (covalente unión) de electrones entre átomos. Electrones que son parte de
una estructura de caparazón completa requieren mayores niveles de fuerzas atractivas
aplicadas para ser eliminados de su átomo padre.
3. Consulte su biblioteca de referencia y haga una lista de tres materiales que tengan
un coeficiente de temperatura negativo y de tres que tengan un coeficiente de
temperatura positivo.
TEMPERATURA POSITIVA TEMPERATURA NEGATIVA
NIVELES DE ENERGÍA
4. ¿Cuánta energía en joules se requiere para mover una carga de 6 C a través de una
diferencia de potencial de 3 V?
W = QV = (6 C)(3 V) = 18 J
𝑊 76.8𝑥10−19 𝐽
𝑄= = = 6.40x10−19C es la carga asociada con 4 electrones.
𝑉 12𝑉
que tienen más electrones de valencia de los necesarios para establecer el enlace
covalente. El portador mayoritario es el electrón mientras que el portador
minoritario es el hoyo
Un material semiconductor de tipo p se forma dopando un material intrínseco con
aceptor átomos que tienen una cantidad insuficiente de electrones en la capa de
valencia para completar el covalente unión creando así un agujero en la estructura
covalente. El operador mayoritario es el agujero mientras que el portador
minoritario es el electrón.
Los portadores mayoritarios son los portadores de un material que superan con
abundancia el número de portadores en cualquier otro material.
Los portadores minoritarios son aquellos de un material que son menos en nú-
mero que cualquier otra portadora del material.
10. Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como
se demostró para el silicio en la figura 1.7.
11. Repita el problema 10, pero ahora inserte una impureza de indio.
Tiene la misma apariencia básica como en la figura 1.9 donde el boro también tiene 3
valencias y electrones (trivalentes)
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12. Consulte su biblioteca de referencia y busque otra explicación del flujo de huecos
contra el de electrones. Con ambas descripciones, describa con sus propias palabras el
proceso de conducción de huecos.
Al estar una temperatura por encima del cero absoluto habrán electrones que están
excitados causando la banda y entrando a la banda de conducción donde podrán
producir corriente al cruzar el electrón deja un puesto vacante o hueco en la
estructura cristalina del silicio tanto el electrón como el hueco pueden moverse a
través del material.
DIODO SEMICONDUCTOR
13. Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones de
polarización en directa y en inversa en un diodo de unión p_n y cómo se ve afectada la
corriente resultante.
El terminal positivo conectado al material tipo n y el negativo conectado al tipo
p, ya que el número de iones positivos en la región de empobrecimiento del
material tipo n se incrementara para la gran cantidad de electrones libre atraídos
por el voltaje aplicado.
14. Describa cómo recordará los estados de polarización en directa y en inversa del
diodo de unión p_n. Es decir, ¿cómo recordará cual potencial (positivo o negativo) se
aplica a cual terminal?
En la región tipo p positivo y el región tipo n negativo, para conectar de forma inversa se
invierte la polaridad se puede saber cuál es positivo y negativo basándonos en la banda
de color que tienen los diodos.
15. Con l ecuación (1.1), determine la corriente en el diodo a 20°C para un diodo de
silicio 𝑰𝒔 = 𝟓𝟎𝒏𝑨 y una polarización en directa aplicada de 0.6 V.
𝑘𝑇 (1.38𝑋10−23 𝐽/𝐾)(293𝐾)
𝑉𝑇 = = = 25.271𝑚𝑉
𝑞 1.6𝑋10−19 𝐶
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𝐼𝐷 = 7.16𝑚𝐴 ≅ 7.2𝑚𝐴
16. Repita el problema 15 con t = 100 °C (punto de ebullición del agua) suponga que
𝑰𝑺 se a incrementado a 50 uA.
𝑘𝑇 (1.38𝑋10−23 𝐽/𝐾)(373𝐾)
𝑉𝑇 = = = 32.1712𝑚𝑉
𝑞 1.6𝑋10−19 𝐶
𝐼𝐷 = 0.56𝐴 = 56𝑚𝐴
17. a. Con la ecuación (1.1) determine la corriente a 20°C en un diodo de silicio con 𝑰𝑺
= 0.1 uA con un potencial de polarización en inversa de -10 V.
𝑘𝑇 (1.38𝑋10−23 𝐽/𝐾)(293𝐾)
𝑉𝑇 = = = 25.2712𝑚𝑉
𝑞 1.6𝑋10−19 𝐶
−10𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝐷/𝑛𝑉𝑇 − 1) = 0.1𝑢𝐴 (𝑒 25.2712𝑚𝑉 − 1) = −0.1𝑢𝐴
Con valores negativos de vD el término exponencial se reduce con rapidez por debajo
del nivel de I y la ecuación resultante para 𝐼𝐷 es:
𝐼𝐷 ≅ −𝐼𝑆
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Rango Y = e^x
e^x
0 1
25000
1 2,718281828
2 7,389056096
20000
3 20,08553691
4 54,59815
5 148,413159
15000 6 403,4287931
7 1096,633157
8 2980,957983
10000
9 8103,083915
10 22026,46576
5000
0
0 2 4 6 8 10 12
El valor dado que es elevado a una potencia la cual es cero su valor drásticamente es 1
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 0 − 1) = 𝐼𝑆 (1 − 1) = 0 𝐴
T = 20 °C 𝐼𝑆 = 0.1 𝑢𝐴
T = 30 °C 𝐼𝑆 = 2(0.1) = 0.2 𝑢𝐴
T = 40 °C 𝐼𝑆 = 2(0.2 ) = 0.4 𝑢𝐴
T = 50 °C 𝐼𝑆 = 2(0.4) = 0.8 𝑢𝐴
El diodo de silicio es el que brinda mayores prestaciones ya que soporta niveles altos
de tolerancia mientras que un diodo de germanio está limitada
21. Determine la caída de voltaje en directa a través del diodo cuyas características
aparecen en la figura 1.19 a temperaturas de -75°C, 25°C, 125°C y una corriente de 10
mA. Determine el nivel de corriente de saturación para cada temperatura. Compare los
valores extremos de cada una y comente sobre la relación de las dos.
-75 °C 25 °C 125 °C
1.1 V 0.85 V 0.6 V
0.1 pA 1 pA 1.05 uA
22. Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal como se
aplica a un dispositivo o a un sistema.
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23. Describa con sus propias palabras las características del diodo ideal y cómo
determinan los estados de encendido y apagado del dispositivo. Es decir, describa por
qué los equivalentes de cortocircuito y circuito abierto son correctos.
Un interruptor puede transferir corriente tanto en inversa como en directa, mientras que
un diodo solo conduce en directa, en tanto que en inversa el diodo se comporta como un
corto circuito.
vD = 0.66 V
ID = 0.2 mA
0.65 𝑉
𝑉𝐷 = = 325 Ω
2𝑚𝐴
𝐼𝐷 = 15 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0.82 𝑉
𝟎. 𝟖𝟐 𝑽
𝑹𝑫𝑪 = = 𝟓𝟒. 𝟔𝟕Ω
𝟏𝟓 𝒎𝑨
27. Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible de la
figura 1.15 con un voltaje en inversa de 10 V. ¿Cómo se compara con el valor
determinado con un voltaje en inversa de =30 V?
𝑉𝐷 = −10 𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = 0.1 𝑢𝐴
𝑉𝐷 10 𝑉
𝑅𝐷𝐶 = = = 100𝑀Ω
𝐼𝐷 0.1
𝑉𝐷 = −30 𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = −0.1 𝑢𝐴
𝑉𝑑 30 𝑉
𝑅𝐷𝐶 = = = 300𝑀Ω
𝐼𝐷 0.1
28. a. Determine la resistencia dinámica (ca) del diodo de la figura 1.27 con una
corriente en directa de 10 mA por medio de la ecuación (1.4) b. Determine la resistencia
dinámica (ca) del diodo de la figura 1.27 con una corriente en directa de 10 mA con la
ecuación (1.5) c. Compare las soluciones de las partes (a) y (b).
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29. Calcule las resistencias de cd y ca del diodo de la figura 1.27 con una corriente en
directa de 10 mA y compare sus magnitudes.
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vD = 0.76 V
ID = 10 mA
𝑉𝐷 0.76 𝑉
𝑅𝐷𝐶 = = = 76Ω
𝐼𝐷 10𝑚𝐴
𝑅𝐷𝐶 >> 𝑟𝑑
ID = 1mA
ID = 15mA
𝐼𝐷 = 1mA
∆𝑉𝑑 26𝑚𝐴
𝑟𝑑 = = 2( ) = 2(26) = 52𝑜ℎ𝑚 𝐶𝑂𝑀𝑃𝐴𝑅𝐴𝐷𝑂 𝐶𝑂𝑁 𝐿𝑂𝑆 55𝑜ℎ𝑚
∆𝐼𝑑 𝐼𝐷
𝐼𝐷 = 15mA
∆𝑉𝑑 26𝑚𝐴 26𝑚𝐴
𝑟𝑑 = = = 15𝑚𝐴 = 1,73𝑜ℎ𝑚 𝐶𝑂𝑀𝑃𝐴𝑅𝐴𝐷𝑂 𝐶𝑂𝑁 𝐿𝑂𝑆 55𝑜ℎ𝑚
∆𝐼𝑑 𝐼𝐷
34. Determine el circuito equivalente lineal por segmentos del diodo de la figura 1.15.
Use un segmento de línea recta que intersecte el eje horizontal en 0.7 V y aproxime lo
mejor que se pueda la curva correspondiente a la región mayor que 0.7 V.
∆𝑉𝑑 0,9𝑉−0,7𝑉
𝑟𝑎𝑣 = = 14𝑚𝐴−0𝑚𝐴 = 14,29𝑜ℎ𝑚
∆𝐼𝑑
VR = −10 V: CT ≅ 1.25 pF VR = −1 V: CT ≅ 3 pF
∆𝐶𝑡 1,25𝑝𝐹−3𝑝𝐹 1,75𝑝𝐹
= = = 0,194𝑝𝐹/V
∆𝑉𝑟 10𝑉−1𝑉 9𝑉
( c) ¿Cómo se comparan las relaciones determinadas en las partes (a) y (b)? ¿Qué le
dice esto con respecto a qué campo puede tener más áreas de aplicación práctica?
VD = 0 V, CD = 3.3pF
VD=0.25V,CD = 9F
38. Describa con sus propias palabras cómo difieren las capacitancias de difusión y
transición.
La capacitancia de transición se debe a que la región de empobrecimiento actúa como
un dieléctrico en la región de las nieblas inversas, mientras que la capacitancia de difu-
sión está determinada por la tasa de inyección de carga en la región justo fuera de los lí-
mites de agotamiento de un dispositivo polarizado hacia adelante. Ambas capacitancias
están presentes en las direcciones de polarización inversa y directa, pero la capacitancia
de transición es el efecto dominante para los diodos con polarización inversa y la capa-
citancia de difusión es el efecto dominante para las condiciones de polarización directa.
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39. Determine la reactancia ofrecida por un diodo descrito por las características de
la figura 1.33, con un potencial en directa de 0.2 V y un potencial en inversa de -20 V
si la frecuencia aplicada es de 5 MHz.
VD = 0.2 V, CD = 7.3 pF
1 1
Xc = 2𝜋𝑓𝑐 = 2𝜋(6𝑀ℎ𝑧)(7,3𝑝𝐹) = 3,64𝐾𝑜ℎ𝑚
VD = −20 V, CT = 0.9 pF
1 1
Xc = 2𝜋𝑓𝑐 = 2𝜋(6𝑀ℎ𝑧)(0,9𝑝𝐹) = 29,47𝐾𝑜ℎ𝑚
10 V
If = = 1 mA
10 k Ω
t s + tt = trr = 9 ns
ts + 2 ts = 9 ns
t s = 3 ns
tt = 2 ts = 6 ns
41. Trace
𝑰𝑭 contra 𝑽𝑭 utilizando escalas lineales para el diodo de la figura 1.37. Observe que la
gráfica provista emplea una escala logarítmica para el eje vertical (las escalas
logarítmicas se abordan en las secciones 9.2 y 9.3).
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42. Comente sobre el cambio de nivel de capacitancia con el incremento del potencial
de polarización en inversa para el diodo de la figura 1.37.
Pmax = VfIf
𝑃𝑚á𝑥 500 mW
If = = = 714,29 mA.
𝑉𝑓 0,7 𝑉
𝑃𝑚á𝑥 260 mW
If = = = 371,43 mA.
𝑉𝑓 0,7 𝑉
IF = 500 mA @ T = 25°C.
At IF = 250 mA, T ≅ 104°C
0,75 V
0,072 = 10 V ( T1− 25 ) × 100 %
7,5
0,072 = T1− 25
7,5
T1 − 25° = 0,072 = 104,17°
( 5 𝑉−4,8 𝑉 ) %
Tc = × 100 % = 0,053 °𝐶
5 𝑉(100° − 25° )
51. Con las curvas de la figura 1.48a, ¿qué nivel de coeficiente de temperatura
esperaría para un diodo de 20 V? Repita para un diodo de 5 V. Considere una escala
lineal entre los niveles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0.1 mA.
(20 𝑉 − 6,8 𝑉)
× 100% = 77%.
(24 V − 6,8 V)
El Diodo Zener de 5 V es por lo tanto ≅ 44% de la distancia entre 3,6 V y 6,8 V medida
a partir de la característica de 3,6 V.
(5 𝑉− 3,6 𝑉)
× 100% = 44 %.
(6,8 𝑉− 3,6 𝑉)
%
At IZ = 0,1 mA, TC ≅ −0,025 °𝐶
53. Compare los niveles de impedancia dinámica para el diodo de la figura 1.48 con
niveles de corriente de 0.2, 1 y 10 mA. ¿Cómo se relacionan los resultados con la forma
de las características en esta región?
24 V Zener :
1 mA: ≅ 95 Ω
10 mA: ≅ 13 Ω
54. Recurriendo a la figura 1.53e, ¿qué valor de Vg parecería apropiado para este
dispositivo? ¿Cómo se compara con el valor de Vg para silicio y germanio?
55. Con la información de la figura 1.53, determine el voltaje en directa a través del
diodo si la intensidad luminosa relativa es de 1.5.
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@ 10 mA ≅ 1,02
1,02 − 0,82
× 100% = 24,4 % incrementa
0,82
1,02
Proporción: = 1,24.
0,82
35 mA ≅ 1,42
1,42 − 1,38
× 100% = 2,9 % incrementa
1,38
1,42
Proporción: = 1,03.
1,38
(b)
58. Trace la curva de reducción de la corriente en directa promedio del LED rojo de
alta eficiencia de la figura 1.53 determinada por la temperatura. (Considere las
cantidades nominales máximas absolutas).
0,2 𝑚𝐴 20 𝑚𝐴
=
°C x
20 𝑚𝐴
X = 0,2 mA = 100 °C
°C