ÍNDICE

1 Definiciones ................................................................................................................ 2
2 Introduccion ................................................................................................................ 4
3 Fenómenos de ionización en SF6 ............................................................................... 4
4 Mecanismos de ruptura en campos de baja divergencia ........................................... 8
4.1 Ruptura de streamer.......................................................................................... 8
4.2 Campos cuasi-uniformes (cilindros coaxiales) ................................................. 10
4.3 Efecto de la rugosidad de la superficie ............................................................ 12
5 Distribución de SF6 en campo no uniforme ............................................................. 14
5.1 Corona stabilised breakdown .......................................................................... 15
5.2 Leader breakdown ........................................................................................... 15
6 Ruptura en GIS ........................................................................................................... 16
6.1 Disparo controlado por Streamer ........................................................................... 16
6.1 Ruptura iniciada por particulas........................................................................ 17
7 Posibles mejoras en el aislamiento SF6 .................................................................... 18
7.1 Mejora de la formulación espaciadora y la construcción ................................ 18
7.2 Control de partículas ........................................................................................ 18
8 Técnicas de diagnóstico de descargas parciales para GIS ......................................... 19
8.1 Introduccion..................................................................................................... 19
8.2 La gama de técnicas de diagnóstico para la detección de PD.......................... 21
8.2.1 Procesos fundamentales ............................................................................. 21
8.2.2 Salida de luz ................................................................................................. 21
8.2.3 Subproductos químicos ............................................................................... 21
8.2.4 Emisión acústica .......................................................................................... 22
8.2.5 Métodos eléctricos ...................................................................................... 22
8.3 Comparación de las técnicas ........................................................................... 23
9 La generación y transmisión de señales de UHF en SIG ........................................... 25
9.1 Introducción a la teoría de UHF ....................................................................... 25
9.2 Excitation ......................................................................................................... 26
9.3 Propagación ..................................................................................................... 26

1
 Sistemas de aislamiento SF6 y su monitoreo

1 Definiciones
Rigidez dieléctrica: Es el valor límite de la intensidad del campo eléctrico en el cual un
material pierde su propiedad aislante y pasa a ser conductor

Electronegatividad: La electronegatividad es una medida de la capacidad de un átomo para

atraer a los electrones, cuando forma un enlace químico en una molécula

Ruptura eléctrica: es el proceso de transformación de un material no conductor en conductor,

mediante la aplicación de un campo eléctrico lo suficientemente intenso

Ionización: La ionización es el fenómeno químico o físico mediante el cual producen iones,

estos son átomos o moléculas cargadas eléctricamente debido al exceso o falta de electrones
respecto a un átomo o molécula neutra.

Subestaciones aisladas por Gas (GIS): Las

subestaciones aisladas por gas (GIS) son
muy compactas y por tanto representan una
alternativa que ahorra espacio a las clásicas
instalaciones aisladas por aire. Se garantizan
unas cortas distancias de aislamiento gracias
a la alta resistencia dieléctrica del gas de
hexafluoruro de azufre (SF6).

Divergencia: La divergencia de un campo vectorial mide la diferencia entre el flujo saliente y

el flujo entrante de un campo vectorial sobre la superficie que rodea a un volumen de control,
por tanto, si el campo tiene "fuentes" la divergencia será positiva, y si tiene "sumideros", la
divergencia será negativa. La divergencia mide la rapidez neta con la que se conduce la materia
al exterior de cada punto, y en el caso de ser la divergencia idénticamente igual a cero, describe
al flujo incompresible del fluido. Llamado también campo solenoidal.

2
Electrodo: Un electrodo es un conductor eléctrico utilizado para hacer contacto con una parte
no metálica de un circuito, por ejemplo un semiconductor, un electrolito, el vacío (en una
válvula termoiónica), un gas (en una lámpara de neón), etc. El ánodo es definido como el
electrodo en el cual los electrones salen de la celda y ocurre la oxidación, y el cátodo es definido
como el electrodo en el cual los electrones entran a la celda y ocurre la reducción

Protrusión: Es el proceso y el resultado de protruir. Este verbo se refiere a la acción que realiza
un órgano cuando sobresale de su ubicación normal o se mueve más allá de sus límites, ya sea
por una causa propia de la naturaleza

Descarga parcial: es un fenómeno de rotura eléctrica que está confinado y localizado en la

región de un medio aislante, entre dos conductores que se encuentran a diferente potencial.

BIL: Basic Isulation Level, en español, nivel básico de aislamiento, y cuando se quieres aislar
algún elemento eléctrico, este aislameinto dependerá del voltaje, es por eso que viene dado en
voltios, ahora lo que el fabricante hace es someter al aislador a voltaje de impulso tipo rayo,
esto de acuerdo a normas IEEE

3
2 Introduccion

El hexafluoruro de azufre se usa como aislante en una amplia gama de aplicaciones de

sistemas de energía, incluyendo aparatos de conmutación, componentes de subestación
aislada de gas (GIS), transformadores y cables con aislamiento de gas. SF6 es
químicamente estable, no tóxico y no inflamable y tiene una presión de vapor alta (∼21 bar
a temperatura ambiente). Presiones típicas de aplicaciones GIS (∼5 bar) puede ser utilizado
hasta −35◦C sin licuefacción ocurre. Su amplio uso en equipo de energía es promovida por
el hecho de que, además de alta rigidez dieléctrica, SF6 tiene características de transferencia
de calor y propiedades de amortiguamiento de arco excelentes.
Aunque su resistencia dieléctrica es tres veces la del aire y a una presión de 6 bar es
aproximadamente igual a la del aceite del transformador, SF6 es un medio 'frágil', en que
la ionización se acumula muy rápidamente si se excede la fuerza de un campo crítico. En
aplicaciones prácticas, esto puede suceder en las cercanías de cualquier pequeños defectos
como protuberancias superficiales del electrodo o partículas conductoras gratis. Según la
naturaleza del defecto, las descargas parciales (PD) que ocurren en estas regiones de realce
de campo pueden resultar en colapso del sistema de aislamiento. Existe, por lo tanto, un
creciente interés en el uso de técnicas para el seguimiento de la actividad de PD en equipo
aislado en SF6 con objeto de identificar defectos críticos antes de que conducen al fracaso.
Este capítulo examina los procesos de ionización básica que ocurren en SF6, el mecanismo
de streamer que desglose los controles bajo condiciones de campo relativamente uniforme
y la influencia de la rugosidad de la superficie electrodo descomposición a alta presión. Las
características de las descargas parciales (corona descargas) que ocurren bajo condiciones
de campo no uniforme asociadas con ciertos tipos de defecto son entonces discutido. Tras
una discusión de las distintas técnicas diagnóstico de PD que se han propuesto para su uso
en SIG, se da cuenta de los principios de la técnica de UHF para la detección de PD en el
equipo de metal-clad. Por último, el diseño y la calibración de se discuten los sensores
utilizados en la supervisión de UHF y una explicación de la interpretación de los patrones
de la PD registrada en UHF práctica sistemas de vigilancia.

3 Fenómenos de ionización en SF6

La alta rigidez dieléctrica del SF6 es debido a su propiedad de enlace de electrones. En

este proceso, un electrón libre en el campo aplicado, que choca con una molécula neutra, se
puede unir para formar un ion negativo:

4
 SF6 + e −→ ( SF6) −

Este proceso compite con el de ionización de impacto, por el cual un electrón con energía
suficiente puede quitar un electrón de una molécula neutral para crear un electrón libre adicional:

SF6 + e −→ ( SF6) + + 2e

Ionización es un proceso acumulativo y, siempre que el campo es lo suficientemente alto,

colisiones sucesivas pueden producir cada vez mayor número de electrones libres que pueden
resultar en ruptura eléctrica del gas. Por otra parte, los iones negativos pesados, poco a poco
movimiento que se forman por el accesorio son incapaces de acumular la energía necesaria para
producir ionización y el proceso de union por lo tanto eficazmente quita electrones e inhibe
la formación de 'avalanchas' de electrones que podrían conducir a la ruptura.
Algunos gases, como hidrógeno, nitrógeno y argón, no forman iones negativos; otros, como
el oxígeno y el CO2, son débilmente acoplados . SF6, en común con un número de otros gases
que contienen flúor o cloro, es muy 'electronegative' (es decir, exhibe apego fuerte del electrón).
Algunos gases tienen una rigidez dieléctrica significativamente mayor que la de SF6 (tabla 2.1).
Sin embargo, la mayoría presentan problemas de un tipo u otro, incluyendo toxicidad, había
limitado funcionamiento gama de presión o producción de carbón sólido durante la formación
de arcos. SF6 es por lo tanto el único dieléctrico que es aceptado como adecuado para
aplicaciones GIS, aunque se han considerado algunos gases de alta resistencia para uso en
mezclas con SF6.
En secciones posteriores del capítulo, se revisan los mecanismos que regulan la formación
de descargas parciales y avería en el aislamiento SF6 comprimido. Por lo tanto es útil en esta
etapa a considerar cómo la tasa de (red) de la producción electrónica en SF6 depende de la
presión del gas y el campo aplicado.
La energía promedio alcanzada por las partículas cargadas en movimiento de un gas varía
linealmente con el aplicado campo E y el promedio significan vía libre λ entre colisiones. Puesto
que λ es proporcional a la inversa de la densidad del número N, la energía varía directamente
con E/N o, si la temperatura es constante, E/p, donde p es la presión del gas.
La frecuencia de colisión de una partícula cargada de una energía determinada
aumenta con el número de densidad (o presión). Así, para un electrón moviéndose en un gas,
por ejemplo, la probabilidad de ionización para una colisión simple es una función del
parámetro de energía E/p, y la tasa de ionización dependerá tanto en presión como en E/p.

5
 Tabla 2.1 Rigidez dieléctrica de ciertos gases relativos a SF6

Teniendo en cuenta un enjambre de electrones en un gas en un campo constante, el

crecimiento de la tasa de ionización se define en términos del número de colisiones
ionizantes por electrones por cm de recorrido en el gas paralelo al campo aplicado. Este
parámetro se conoce como el coeficiente de la ionización, α, donde α = pf1 (E/p), que es:

Del mismo modo, la eliminación de electrones de la nube está determinada por un

coeficiente de fijación, η, definido como el número de archivos adjuntos por electrón
por recorrido de cm. Por lo tanto:

La ionización neta depende entonces del equilibrio entre ionización y fijación. Si η > α, la
fijacion domina sobre la ionización y no hay crecimiento de descarga posible; Si α > η,
puede ocurrir ionización acumulativa.

La figura 2.1 muestra el coeficiente de ionización (presión reducida) (α − η) /p como

una función de e/p para aire y SF6. Se puede observar que la intensidad de campo
crítica reducida en el cual (α − η) = 0 es aproximadamente 89 kV/cm en SF6, en
comparación con sólo ∼27 kV/cm bar en el aire. Esto explica la alta rigidez dieléctrica
de SF6 con relación al aire ya que no puede producirse acumulación de ionización
hasta que el campo reducido excede el valor crítico (E / p ) crit.

6
 Cabe destacar la fuerte pendiente de la curva de (α − η) /p versus E/p en SF6. Esto significa
que el SF6 es un gas relativamente frágil en que, una vez que se superara el crit (E/p), el
crecimiento de la ionización es muy fuerte. Esto es significativo en situaciones en las que
los defectos estresantes están presentes en los equipos con aislamiento de gas, ya que la
actividad de ionización intensa ocurrirá en las regiones donde E/p > crit (E/p) y esto pueden
iniciar la descomposición completa del aislamiento.

Figure 2.1 Coeficientes de ionización efectiva en aire y SF6

También destaca el hecho de que el coeficiente de ionización neto en SF6 puede representarse
por la relación lineal:

donde A = 27,7 kV−1 y B = 2460 bar−1 centímetros−1. La intensidad de campo crítica

reducida es, por lo tanto:

Esta simple relación es útil para estimar las tensiones de inicio en el aislamiento SF6

7
4 Mecanismos de ruptura en campos de baja divergencia
Como hemos comentado anteriormente, el aumento de la ionización en SF6 es posible
solamente bajo condiciones con donde el campo (presión reducida) excede un valor crítico
(E/p) crit de barra de ∼89 kV/cm.

Para campos altamente divergentes (como, por ejemplo, para el caso de una protuberancia
aguda en un conductor de alta tensión), la ionización se limitará a un volumen estresado
críticamente alrededor de la punta de la protrusión. En esta situación la PD localizada, o corona,
será el primer fenómeno observado a medida que se incrementa el voltaje aplicado. El desglose
bajo estas condiciones es un proceso complejo, debido a los efectos de la carga de espacio
inyectada por la corona pre-desprendimiento.

Como cualquier defecto de elevación de esfuerzo en el equipo con aislamiento de gas

¯
resultará en actividad de PD, es importante entender mecanismos de descarga de campo
no uniformes. Sin embargo, los SIG están diseñados para una divergencia de campo
relativamente baja y será útil considerar primero el caso simple de descomposición en SF6
en condiciones de campo uniformes antes de revisar los fenómenos asociados con la
contaminación por partículas u otros defectos.

4.1 Ruptura de streamer

Para un campo perfectamente uniforme (geometría de electrodo plano-plano), no

puede ocurrir actividad de ionización para campos reducidos inferiores al valor crítico.
Por encima de este nivel, la ionización se acumula muy rápidamente y conduce a la
ruptura completa del aislamiento (formación de un canal de arco).

La primera etapa de la ruptura implica el desarrollo de una avalancha de electrones.

El crecimiento de esta avalancha desde un solo arrancador en el cátodo se puede
encontrar fácilmente calculando la multiplicación neta de electrones. Considerando
un enjambre que ha crecido hasta contener n (x) electrones en la posición x en una
brecha de anchura d; Entonces, al viajar una descarga incremental adicional dx, éstas
generarán una nueva carga neta:

dn(x) = (α − η)n(x) dx = αn(x) dx

Como resultado de ionizar y unir colisiones con moléculas neutras, donde α es el

coeficiente de ionización neta.
La integración en el intervalo 0 a x da el número de electrones en la punta de avalancha en
8
 esa etapa de su crecimiento:

Al cruzar toda la brecha, se crea una avalancha de electrones exp (¯αd).

En sí mismo, la aparición de avalanchas no constituye una rutura. Por ejemplo, si las

condiciones eran tales que ¯α = 5 entonces, en una brecha de 1 cm a 1 bar, la ganancia de
corriente sería e5 ~ 150. La densidad de corriente de conducción de fondo baja normal (debido
a la recolección de cargas libres presentes en la separación) Se incrementaría como resultado
de la ionización de ~ 10-13 A / cm2 a ~ 10-11 A / cm2, pero la separación seguiría siendo un
muy buen aislante. Sin embargo, como se ilustra en la Figura 2.1, ¯α aumenta muy rápidamente
cuando el campo reducido excede (E / p) crit y la multiplicación puede alcanzar rápidamente
valores de 10 6 o más, con la mayor parte de la carga confinada a una región muy pequeña en
la cabeza De la avalancha (aproximadamente una esfera de un radio típicamente de ~ 10 μm).
La carga de espacio bipolar generada por el proceso de ionización da como resultado una
distorsión local del campo aplicado de tal manera que la actividad de ionización por delante y
por detrás de la punta de avalancha se incrementa considerablemente. A un tamaño de
avalancha crítico (exp (¯αx) = Nc), el campo de carga espacial es lo suficientemente alto para
generar frentes de ionización que se mueven rápidamente (serpentinas) que se propagan a ~108
cm / s hacia los electrodos. Cuando éstos puentean la abertura, un canal altamente conductor
se forma dentro de algunos nanosegundos.
Para las presiones utilizadas en aplicaciones técnicas (p> 1 bar), el proceso de flujo continuo
es el mecanismo de ruptura aceptado en SF6 bajo condiciones de campo relativamente
uniformes.
Se comprueba que el tamaño de avalancha crítico para la formación de serpentinas es aquel
para el cual la constante de la serpentina k = nNc es aproximadamente 12. La tensión de ruptura
se calcula entonces fácilmente usando la relación lineal entre ¯α / p y E / p:

where A = 27.7 kV− 1 and B = 2460 bar− 1 cm− 1.

El nivel mínimo de inicio o de ruptura de la serpentina ocurrirá cuando se alcance el tamaño
crítico de la avalancha en el ánodo. Así:

αd = AEd − Bpd = k

9
La tensión de ruptura Vs (= Ed) es entonces:

donde pd es en cm.

Tenga en cuenta que el voltaje de ruptura es una función solamente del producto (presión x
espacio). Este es un ejemplo de la relación de similitud (Ley de Paschen) que permite que el
equipo con aislamiento de gas se haga más compacto aumentando la presión por encima de la
atmosférica.
Como se ha indicado anteriormente, una vez que el hueco está puenteado, la formación
de arco en SF6 es extremadamente rápida. El tiempo de colapso del voltaje depende de la
presión (p), espaciamiento (d) y geometría, y es típicamente ~ 10 d / p nanoseconds.
En ciertas situaciones, esto puede presentar problemas graves en el equipo SIG. El
chispazo durante el cierre de un interruptor de seccionador, por ejemplo, puede generar
ondas de desplazamiento en el bus SIG que tienen tiempos de subida muy rápidos (hasta
100 MV / μs). La duplicación en circuitos abiertos en otras partes del sistema puede dar
lugar a que el aislamiento se acentúe con pulsos de alta amplitud (> 2 p.u.) con tiempos
de subida muy cortos (<10 ns). También hay problemas con la conexión a tierra y blindaje,
ya que los campos (500 kV / m) pueden aparecer a través de partes del recinto conectado
a tierra durante el tránsito de pulso.

4.2 Campos cuasi-uniformes (cilindros coaxiales)

Si el campo varía con la posición a través del hueco, la formación inicial de avalanchas
ocurrirá dentro de un volumen crítico para el cual (α - η)> 0 (es decir E / p> 88,8 kV / cm
bar).Bajo estas condiciones, el criterio de inicio del streamer es

Donde x es la distancia desde el electrodo interior a lo largo de una línea de campo y xc es

la posición del límite de la región de ionización.
Para la geometría del electrodo coaxial (radio interior r0, r1 externa) la distribución
de campo es:

r1
ln
r

10
Ta m b i é n , e n e l i n i c i o , α = 0 e n l a p o s i c i ó n d e r c , p o r l o q u e :

Usando estas relaciones, junto con el criterio de streamer, se puede fácilmente

demostrar que el campo de superficie en el inicio es:

Y eso :

Con los valores anteriores de la A y B, esto da:

Para los electrodos de curvatura grande y las altas presiones utilizadas en SIG, el campo
en el conductor interno al inicio está por lo tanto muy cerca del campo crítico reducido de
~89 kV / cm bar.
Observe que la serpentina se forma cuando la avalancha primaria ha desarrollado una
distancia relativamente corta. Para r0 = 8 cm, p = 4 bar, por ejemplo, xc será ~ 1 mm.
La serpentina se propagará entonces hasta que la combinación del campo de carga
espacial y el campo geométrico no pueda sostener una ionización adicional. Para que se
produzca la descomposición, entonces será necesario aumentar el campo superficial por
encima del nivel de inicio.
En el campo de divergencia relativamente baja en un sistema GIS (limpio) sólo un
pequeño aumento por encima de la tensión de inicio es necesario para iniciar la ruptura.

11
4.3 Efecto de la rugosidad de la superficie

Aunque las mediciones de laboratorio con electrodos coaxiales pulidos están de

acuerdo con el criterio teórico de que el campo de superficie interior de ruptura debe estar
cerca del campo crítico de ~89 kV / cm bar, este valor no puede sostenerse en equipos de
gran escala con un acabado superficial práctico (mecanizado).

Una razón para esto es el hecho de que el aumento de la ionización se produce en la

proximidad de los salientes superficiales microscópicos (rugosidad superficial). Esto da
como resultado una reducción de la intensidad de campo de ruptura por un factor ζ. La
figura 2.2 muestra los valores calculados del factor ζ en función del producto ph (presión x
altura de protrusión) para un rango de protrusiones esferoidales [2].
Se puede observar (a) que el voltaje de ruptura puede reducirse a un nivel bajo y (b)
que existe un tamaño de protrusión crítico para el inicio de efectos de rugosidad.

12
 Figure 2.2 Factor de rugosidad para la ruptura del campo uniforme en SF6

roughnessfactor,

Figure 2.3 Protrusión hemisférica en un electrodo de campo uniforme

La existencia de un valor umbral de ph puede ser fácilmente demostrado [2] para la

protuberancia hemisférica que se muestra en la figura 2.3.

Con k = 12 y B = 0.246 bar−1 μm−1:

Para que xc sea real, pr debe ser> 50 bar μm. A una presión de trabajo de 5 bar, la
rugosidad superficial comenzaría por tanto a afectar el nivel de inicio para alturas de
protrusión mayores de ~ 10 \ mu m.
Debido a los efectos de rugosidad de la superficie (y otros fenómenos de electrodo
tales como microdescargas en capas de óxido cargadas, etc.), el equipo práctico de
aislamiento SF6 está diseñado de tal manera que el campo máximo está en todas partes
inferior al 40% del valor crítico. En un SIG típico, por ejemplo, el nivel de aislamiento
básico (BIL) corresponderá a un campo de pico reducido de sólo ~35 kV / cm bar.
Con un buen acabado superficial técnico, las serpentinas no deben formar en un sistema
de electrodo coaxial limpio en estas condiciones. Además, si un defecto local provoca la
formación de streamer, la bóveda no debe ser capaz de propagarse en la región de campo
bajo de la brecha. El hecho de que la avería pueda ocurrir, incluso en el campo reducido
inferior asociado con la tensión de trabajo de CA (~ 15 kV / cm bar) indica que un
mecanismo adicional está operativo. Esto se discute en la siguiente sección sobre el
desglose de campo no uniforme en SF6.

13
5 Distribución de SF6 en campo no uniforme
Pueden existir campos altamente divergentes en el SIG bajo ciertas condiciones como, por
ejemplo, cuando una partícula metálica libre similar a una aguja es atraída hacia el conductor
interno o se deposita sobre la superficie de un aislante. Tales defectos pueden dar lugar a niveles
de ruptura muy bajos y, con defectos grandes (por ejemplo, partículas de varios mm de longitud),
puede producirse un fallo incluso en el esfuerzo de trabajo del equipo. Por esta razón, ha habido
muchos estudios de laboratorio de las características de descomposición de las brechas de campo
altamente no uniformes en SF6. Estos estudios han demostrado que hay dos tipos distintos de
descomposición, dependiendo de la velocidad a la que se aplica el voltaje a la separación.
Cuando la tensión se aplica con relativa lentitud, al igual que con los picos de conmutación de
voltaje alterno o de tiempo de subida, la carga de espacio corona desempeña un papel importante
en el control de la distribución de campo mediante

Estos estudios han demostrado que existen dos tipos de avería, ing dependen de la tasa en la
cual el voltaje se aplica a la brecha. Cuando el estrés se aplica relativamente lentamente, como
con alterna tensión o tiempo de subida larga cambio de subidas de tensión, carga de espacio
corona desempeña un papel importante en el control de la distribución de campo por el llamado
proceso de estabilización corona. Con picos de tiempo de subida más cortos (impulso de
relámpago o transitorios rápidos), la descomposición ocurre directamente por un mecanismo
escalonado [5]. Para ambos casos, el voltaje de ruptura es menor cuando el electrodo de campo
alto es positivo y, por lo tanto, se ha prestado más atención a la rotura en condiciones de punto
positivo.

Figure 2.4 Características de inicio y de ruptura de corona AC para una separación de plano de varilla
de 40 mm en SF6

14
5.1 Corona stabilised breakdown

Figura 2.4 muestra las características de tensión – presión de AC para lagunas de punto
plano en SF6 [4]. La forma de estas curvas es típica de todos los huecos no uniforme campo
con lentamente variando el voltaje aplicado, en que hay una región de presión amplia sobre la
cual la tensión de ruptura es mucho mayor que el voltaje de inicio (corona de streamer) y (b)
una presión crítica en el que desglose se produce directamente en el inicio (es decir, el primer
streamer lleva directamente a la ruptura).
El pico en la gama mediados de-presión es debido a los efectos de carga de espacio
inyectado por la actividad de streamer alrededor del punto.
Un punto positivo, por ejemplo, los electrones generados por la corona son rápidamente
eliminados en el punto mientras que los iones positivos se difunden relativamente lentamente
en la región del bajo campo. Este espacio tiende a proteger el punto y estabiliza el campo allí a
un nivel cercano al valor de inicio.

5.2 Leader breakdown

Con oleadas de frente rápido, donde la tensión pasa rápidamente por el nivel de inicio de
teóricos streamer, la marca inicial puede ser muy intensa y puede conducir a la formación de
un canal líder altamente ionizado antes de que hay tiempo para la estabilización de la carga
espacial del campo en la punta de la saliente [5].
Además la tasa de aumento del voltaje de las estadísticas de aparición de electrones
iniciáticos puede desempeñar un papel importante. Para las condiciones del punto
negativo, se producen electrones por emisión de campo; con el punto positivo, sin
embargo, los electrones del gatillo el resultado de la separación de los iones negativos en
las proximidades del punto [6].

Figura 2.5 diagrama esquemático del desarrollo del líder

15
6 Ruptura en GIS

6.1 Disparo controlado por Streamer

Las tensiones de diseño utilizadas en GIS son lo suficientemente bajas (< 50 por ciento
Ecrit) no ocurrirá el inicio de streamer incluso en el nivel nominal completo. Sin embargo,
arañazos u otros pequeños defectos en la superficie del electrodo interno pueden resultar
en la formación de streamer.

Figure 2.6 Idealised V–p characteristics for minimum impulse (direct leader) break- down and corona-
stabilised (AC or DC) breakdown in a point-plane gap in SF6 [7]

Un pequeño rasguño o saliente (h ≈ 100 μm), la perturbación del campo es muy

localizada y el campo geométrico debe ser bastante alto para lograr el inicio de la
flámula. Tales defectos probablemente se detectarían sólo bajo condiciones de prueba de
tensión de impulso en niveles próximos al BIL.

16
A tales tensiones altas, las condiciones de ruptura (ya sea por el proceso líder o por un
mecanismo de canal de streamer directo) se satisfacen automáticamente al inicio. El voltaje de
avería del SIG puede por tanto predecirse basándose en el criterio de streamer:

Siempre que se conozca E (x), la distribución espacial del campo perturbado.

Como se discutió anteriormente, las estadísticas de iniciación de descarga pueden

desempeñar un papel importante en la determinación de la probabilidad de descomposición
en campos cuasi homogéneos perturbados y esto tiene implicaciones significativas para la
coordinación de aislamiento en equipos aislados con SF6. Se han desarrollado varios
modelos para calcular la probabilidad de ruptura de los haces sobre la base de la
distribución de la densidad de iones negativos y la evolución del volumen estresado
críticamente con el tiempo durante el aumento

6.1 Ruptura iniciada por particulas

Realización libre de las partículas (FCPs) son la causa más común de fracaso en GIS, y
partículas delgadas, son más peligrosas debido a la mejora de campo fuerte asociada con tales
defectos.
Si FCPs están presentes en un sistema coaxial se cargan por el campo aplicado y, a una
tensión relativamente baja, se producirá el despegue. Si la partícula es en forma de barra,
pondrán de pie en el conductor externo y se producirá el inicio de la corona. Para tensión de
DC, parti-cles cruza la brecha en el voltaje de inicio. Para las condiciones de AC que las
partículas inicialmente hacen pequeñas saltos excursiones en el electrodo exterior. El estrés se
incrementa, las excursiones se hacen más largas y, debido a efectos inerciales y la acción que
despide en el electrodo, el intervalo de rebote llega a ser más largo. En cada contacto con el
elec-trode, ocurre una PD y el intervalo entre los contactos es un parámetro importante en la
evaluación de la severidad de la actividad inducida por partículas de PD en GIS.

17
7 Posibles mejoras en el aislamiento SF6

El rendimiento dieléctrico de los actuales diseños de GIS es probablemente lo más cercano

a lo mejor que se puede lograr con un cuidadoso diseño de componentes y un buen control
de calidad, utilizando materiales y métodos de construcción existentes. Las técnicas que
pueden ofrecer mejoras adicionales en aislamiento del GIS incluyen.
2.6.1 Uso de aditivos o mezclas de gases
Las propiedades dieléctricas del SF6 pueden mejorarse significativamente [15] utilizando
aditivos de control de supresion tales como el Freón 113, aunque el uso de tales aditivos
en el SIG requeriría la confirmación de que no tienen efecto sobre el aislamiento sólido
en el sistema. Las mezclas de gases que contienen gases amortiguadores como el N2 en
concentraciones de hasta el 80 por ciento tienen resistencias dieléctricas que no son muy
inferiores a las del SF6 en condiciones de limpieza y pueden ser menos susceptibles a la
contaminación por partículas. Las mezclas de SF6 / N2 son particularmente atractivas para
uso en líneas de transmisión aisladas de gas debido a su menor coste y reducido impacto
ambiental.

7.1 Mejora de la formulación espaciadora y la construcción

Hay progreso continuo en el desarrollo de resinas y cargas con propiedades mejoradas en

términos de resistencia mecánica, resistencia al seguimiento y compatibilidad con
productos de descarga SF6. El uso de revestimientos superficiales semiconductores para
evitar la acumulación de carga superficial también puede ser beneficioso, y la presencia
de nervios en la superficie de los espaciadores puede ofrecer ventajas significativas,
particularmente en presencia de contaminación por partículas [16]

7.2 Control de partículas

Although every effort is made to ensure that FCPs are removed during preassembly
cleaning of GIS, particles can be produced during operation, for example as a result
of abrasion of sliding contacts. Simple slotted trays in the outer conductor make
very effective particle traps and their use in the vicinity of solid spacers can offer
useful protection. Other proposals for particle control have included techniques for
covering FCPs with a sticky insulating coating by post-assembly polymerisation of
an appropriate additive to the SF6.

18
8 Técnicas de diagnóstico de descargas parciales para GIS
8.1 Introduccion

Aunque la confiabilidad de los SIG es alta [17], cualquier avería interna que se produce
invariablemente causa daño extenso y una interrupción de duración varios días de es necesario
para efectuar la reparación. Durante este tiempo el circuito asociado puede estar fuera de
operación y las consecuentes pérdidas pueden ser altas, sobre todo si lo GIS está funcionando
a 420 kV o superior. Si además el SIG es conectar la salida de una central nuclear a la red de
transmisión y la descomposición conduce a una parada del reactor, las sanciones financieras
podrían ser más graves.
Diseños modernos de los SIG, como se muestra en la figura 2.7, se han beneficiado de la
experiencia adquirida con las versiones anteriores, y tienen un alto nivel de fiabilidad. En
el futuro parece probable que aún más mejorados diseños de GIS se complementarán con
monitoreo diagnóstico bastante extenso, que contará con dos grandes ventajas; permitirá
al usuario a adoptar en el mantenimiento y reducir el gasto de ingresos-diture y conducirá
a la situación ideal de ser capaces de detectar una falla en desarrollo en el tiempo para
evitar una interrupción no planificada.

En los últimos años se han hecho muchos progresos en las técnicas de diagnóstico de los
SIG y se utilizan cada vez más en las pruebas de fábrica, en la puesta en marcha del
emplazamiento y durante la vida útil del equipo [18-22]. En el Reino Unido, los
acopladores de diagnóstico se especifican para los sistemas de aislamiento SF6 y su
supervisión de todos los nuevos SIG, y en algunos casos se han instalado retroactivamente
a las subestaciones existentes.

Figura 2.7 A moderno 400 kV GIS

19
El aislamiento puede entonces ser monitoreado para detectar signos de cualquier
debilidad incipiente, y se tomarán medidas para evitar que se convierta en un fallo
completo. Con una técnica, esto se está haciendo de forma continua y remota, en línea
con la tendencia entre las empresas de servicios públicos para operar SIG sin
supervisión
Hasta ahora han sido los principales objetivos del diagnóstico de GIS detectar si hay algún
defecto en el SIG, para identificarla como una partícula, flotante escudo y así
sucesivamente y para localizar por lo que puede ser reparado. Distintas técnicas de
diagnóstico se han demostrado en el laboratorio, y con algunos de ellos de experiencia
varios años en el sitio, durante las pruebas de puesta en marcha y con el GIS en el servicio,
se ha ganado. Los resultados del trabajo in situ han sido muy prometedores y han
demostrado la necesidad de estos nuevos desarrollos:
(i) Se pueden encontrar descargas complejas ya menudo intermitentes en los SIG, y se
necesita una mejor comprensión de los procesos físicos que conducen a la descomposición
para permitir la interpretación de los datos de diagnóstico y evaluar su importancia.
(ii) Seguimiento continuo de uno o más GIS puede producir cantidades muy
grandes de datos, y es importante no sobrecargar al ingeniero con su interpretación.
Los datos de la descarga deben ser analizada por un sistema experto y el ingeniero
informó sólo cuando una condición que necesita atención.
(iii) Un monitor instalado en un SIG para detectar defectos en el aislamiento pueden
utilizarse además para registrar la condición de disyuntores, transformadores y otras
plantas y así que proporcionan un sistema diagnóstico completo que puede ser
mantenimiento predictivo del SIG basado en es estos aspectos que son cada vez más
importante, y donde los principales avances se pueden esperar.

20
8.2 La gama de técnicas de diagnóstico para la detección de PD

8.2.1 Procesos fundamentales

Las estadísticas de fiabilidad GIS muestran que la causa más común de fallo eléctrico es una
partícula metálica libre, que puede ser atraído por el conductor de alta tensión y producir una
microdescarga que desencadena la ruptura. Otras causas de fallo son las descargas de cualquier
protrusión de elevación de esfuerzos, chispas capacitivas de un electrodo que no está
adecuadamente unido al conductor de alta tensión o tierra, y así sucesivamente; Y la
característica común de todos estos defectos es que generan actividad PD antes de la ruptura
completa. Con la excepción sólo del ruido mecánico de una partícula rebotante, la detección
de PD es la base de todos los diagnósticos dieléctricos en SIG.
Una PD es la descomposición localizada del gas a una distancia normalmente inferior a un
milímetro. Para defectos de superficie tales como pequeñas protuberancias, la descarga toma
la forma de serpentinas corona que dan lugar a impulsos de corriente con tiempos de subida
muy cortos (<1 ns). Las descargas en los huecos y microparques asociados con contactos
deficientes o con el transporte de partículas conductoras se caracterizan también por altas tasas
de cambio de corriente. En todos los casos, el tiempo de subida muy corto del impulso de DP
hace que la energía electromagnética se radie en la cámara de SIG, y la energía disipada en la
descarga es reemplazada por un impulso de corriente en el circuito de suministro de EHV. En
microsparks y coronas intensas, la descarga es seguida por la rápida expansión del canal de gas
ionizado, y se genera una onda de presión acústica. La PD se acompaña también de la emisión
de luz de las moléculas excitadas y de la creación de sustancias químicas
productos de descomposición. Por lo tanto, la PD tiene muchos efectos físicos, químicos y
eléctricos, y en principio cualquiera de ellos podría utilizarse para revelar la presencia de la
descarga.

8.2.2 Salida de luz

Detectar la salida de luz de una descarga es probablemente el más sensible de todas las
técnicas de diagnóstico, porque un Foto multiplicador puede detectar la emisión de
incluso un solo fotón. La radiación se encuentra principalmente en la banda UV, y dado
que ésta es absorbida fuertemente tanto por el vidrio como por el SF6, es necesario usar
lentes de cuarzo y una longitud de trayectoria razonablemente corta. Aunque esta es una
herramienta de gran alcance laboratorio para encontrar el inicio de la actividad desde un
punto de la corona conocido, hay muchas dificultades en el uso para detectar una descarga
que puede ser en cualquier lugar en un SIG.

8.2.3 Subproductos químicos

Este enfoque parece inicialmente atractivo porque la descomposición química es inmune

a la interferencia eléctrica que está inevitablemente presente en el SIG y con cualquier
descarga constante la concentración del gas de diagnóstico debería aumentar en el tiempo
hasta un nivel en el que pueda detectarse Por supuesto, que no se utilice un reactivo
absorbente en las cámaras).
El principal producto de descomposición del hexafluoruro de azufre es el tetrafluoruro de
azufre (SF4), pero este es un gas altamente reactivo. Reacciona más, típicamente con
rastros de agua de vapor, para formar los compuestos más estables fluoruro de tionilo
21
 (SOF2) y fluoruro de sulfurilo (SO2F2). Estos son los dos gases de diagnóstico más
comunes y, mediante el uso de un cromatógrafo de gases y un espectrómetro de masas,
pueden detectarse con sensibilidad hasta 1 p.p.m. Como una alternativa más sencilla pero
menos sensible, pueden usarse tubos de detección química.
En las pruebas de laboratorio de pequeño volumen, se puede detectar una descarga de 10-
15 pC razonablemente pequeña, típicamente después de algunas decenas de horas. Sin
embargo, en un SIG los gases de diagnóstico se diluirían mucho por el gran volumen de
SF6 en el que se producen, y necesitarían tiempos muchos más largos. Por lo tanto, parece
que el enfoque químico es demasiado insensible para ser considerado para la
monitorización de DP.

8.2.4 Emisión acústica

Las señales acústicas se presentan tanto desde las ondas de presión causadas por descargas
parciales partículas libres rebotando en el piso de la cámara. Este último es el único caso
de una señal de diagnóstico no viene de un PD (aunque por supuesto la partícula gen-porta
un PD así). Las señales en GIS tienen un amplio ancho de banda, y el viaje de la fuente al
detector por múltiples caminos [21, 25]. Los que se originan en la pared de la cámara se
propagan como ondas de flexión, a velocidades que aumentan con el cuadrado de la
frecuencia de señal hasta un máximo de aproximadamente 3000 m / s. La propagación a
través del gas está a la velocidad mucho más baja de 150 m / s, y las frecuencias más altas
en la señal son absorbidas bastante fuertemente. Las barreras epoxídicas llenas de alúmina
o de sílice que se utilizan para soportar el conductor interno también atenúan la señal
marcadamente.
Las velocidades diferentes de propagación de la onda que pasa a través de diversos
materiales como las reflexiones que se producen en los límites entre ellos, dan lugar a una
compleja forma de onda acústica. Esta señal puede ser recogida por acelerómetros o
sensores de estación tic emisión adosados al exterior de la cámara. La señal acústica de una
partícula rebotando en el piso de la cámara se caracteriza por una señal no correlacionada
con el ciclo de la frecuencia de alimentación. También tiene otras características, tales como
el factor de cresta (cociente del valor de peak/r.m.s.), el impacto y la relación de los voltajes
de lift off/caída, de la cual se pueden deducir la forma de la partícula y su patrón de
movimiento. Otras fuentes de descarga pueden ser identificados de una manera similar de
sus características [26].
Una ventaja de mediciones acústicas es que están hechos no intrusiva, utilizando sensores
externos que pueden ser movidos de un lugar a otro en el GIS. Debido a la elevada atenuación
de las señales, los sensores deben estar preferentemente en la cámara que contiene la fuente.
Esto en sí mismo da la localización aproximada del defecto, pero puede encontrarse una
posición más exacta a dentro de unos pocos cm utilizando un sensor de segundo y un tiempo
de método de vuelo.
La técnica acústica no es la adecuada para un monitor de instalación permanente, ya que se
necesitarían demasiados sensores.

8.2.5 Métodos eléctricos

Hay dos métodos para detectar la carga eléctrica de una descarga parcial; en el circuito externo
por un sistema convencional de medición de PD e internamente mediante la detección de las
resonancias en las cámaras de GIS.

22
 (i) Método convencional .
El circuito de prueba es el dado en la Publicación IEC 270 y la carga que fluye a
través de un condensador de acoplamiento montado en paralelo con el SIG se mide usando
un cuadrupolo y un detector. El impulso de corriente PD en el defecto tiene una duración
de menos de 1 ns, y se propaga como una onda de desplazamiento en cada dirección a lo
largo de las cámaras. Los pulsos se atenúan y sufren múltiples reflexiones, pero no
aparecen inmediatamente en el circuito externo. Después de aproximadamente un
microsegundo o así, los pulsos mueren y el SIG aparece al circuito externo como un
condensador agrupado con una carga agotada. A partir de entonces, una carga de
reemplazo fluye hacia el SIG, y es medida por el detector.
Para obtener la máxima sensibilidad de medición, un arreglo de prueba
completamente blindado es necesario [27], que es posible un montaje de prueba pero
puede ser un inconveniente cuando se prueba a un SIG completo. También, la capacidad
total de un SIG es alta y debe ser dividida en secciones para la prueba. Además, no hay
medios de localización de la descarga, y ya que un condensador de acoplamiento no se
proporciona normalmente en un SIG la técnica no puede utilizarse para mediciones en
servicio.
(ii) UHF metodo
La corriente en el sitio PD se eleva en menos de un nanosegundo y puede emitir ondas
EM con espectros de energía que se extienden a frecuencias de 2000 MHz
o más. Esto excita las cámaras GIS en varios modos de resonancia eléctrica, que
debido a las bajas pérdidas en las cámaras pueden persistir hasta un microsegundo. Las
resonancias son indicativas de la actividad de PD, y si son capturadas por acopladores instalados
en el SIG pueden ser mostradas en un analizador de espectro.
La técnica de resonancia fue desarrollada en el Reino Unido [22], donde en los
últimos 15 años, o ha ganado tanta experiencia utilizando UHF para la detección de la PD
en las frecuencias de 300 a 1500 MHz [28].
La técnica de UHF más adelante se describirá en detalle, cuando se verá que sus
ventajas son su alta sensibilidad; la capacidad para localizar descargas exactamente por el
tiempo de las mediciones de vuelo; y que fácilmente puede ser utilizado en un continuo y
remotamente funcionado sistema de monitoreo.

8.3 Comparación de las técnicas

Es difícil comparar las diferentes técnicas diagnósticas con los resultados obtenidos en
diferentes condiciones experimentales, por lo que un Grupo de Trabajo CIGRE (15-03)
organizó que se utilizasen simultáneamente para detectar una serie de defectos artificiales [29].
Los ensayos se realizaron en una sección de 6 m de longitud de cámaras GIS de 420 kV en la
que se colocó uno de los siguientes defectos
• una partícula metálica libre
• una partícula atada a la superficie de una barrera

23
Figure 2.8 Relación señal / ruido de PD desde una aguja en la barra colectora
(tomada de [29])
a IEC 270 (pC/pC)
b UHF (dB)
c acoustic (mV/mV)

• un punto de la corona en el conductor de alto Voltaje

• un punto similar en la pared de la cámara
El recipiente fue energizado por un transformador de prueba de metal de 0-510 kV,
aumentándose el voltaje lentamente hasta que se produjo un fallo. Durante este tiempo,
se realizaron mediciones diagnósticas utilizando las siguientes técnicas:

a detección eléctrica convencionales según IEC publicación 270 con un detector

estándar a 1 MHz, o el sistema de evaluación de descargas parciales resueltos de fase
(RESUELVA) a 200 kHz [30]
b UHF, utilizando un acoplador interno a frecuencias de hasta 1500 MHz
c acústica, utilizando un sensor externo de emisión acústica a 34 kHz
d químicos, usando los tubos del detector; Esta técnica resultó demasiado insensible
para dar un resultado en el período de prueba limitado.

Para ilustrar los resultados reportados en la Referencia 29, los de una aguja unida a la
barra se reproducen como la Figura 2.8, en la que los datos de las diversas técnicas se
han expresado como relaciones señal / ruido, de modo que los resultados pueden
compararse.

24
 Las conclusiones generales de esta investigación fueron las siguientes:

 Las técnicas acústicas, IEC 270 y UHF muestran una buena sensibilidad
 Mediciones acústicas son no intrusiva y se pueden hacer en cualquier GIS, pero la
atenuación de la señal a través de barreras y a lo largo de las cámaras es bastante
alta
 Las mediciones de PD convencionales necesitan un condensador de acoplamiento
externo, y no pueden utilizarse en SIG en servicio
 La técnica de UHF es conveniente para la supervisión en el servicio.

Figure 2.9 Funciones de transferencia involucradas en la detección UHF de PD en SIG

9 La generación y transmisión de señales de UHF en SIG

9.1 Introducción a la teoría de UHF

La detección de la PD por el método de frecuencia ultraelevada implica las etapas de

transferencia de energía que se muestran en la figura 2.9.
Para aprovechar al máximo la técnica de UHF, una comprensión de los procesos
básicos involucrados es importante. En las siguientes notas, una representa que el
radio del conductor interno de los SIG y b representa el radio del conductor externo.
Un sistema de coordenadas cilíndricas (r, φ, z) se utilizará para describir los
componentes del campo electromagnético.

25
9.2 Excitation

La forma del impulso i (t) de la corriente del búfer en la fuente PD es más importante
para determinar las características de la señal UHF. La energía irradiada en el rango UHF
depende en gran medida de la tasa de cambio de la corriente PD. Sin embargo, para una
forma de impulso dada, la amplitud de la señal UHF se escala linealmente con la corriente
que fluye en el defecto

Figure 2.10 Típica señal UHF excitado por PD en 400 kV GIS, medido en la salida de un acoplador de UHF

9.3 Propagación

Las ondas electromagnéticas irradiadas de la región de defecto comienzan a propagar

en la cámara de GIS. Componentes de diferente frecuencia del pulso PD se propagan a
velocidades diferentes, provocando la dispersión del pulso. El efecto general de dispersión
es causar la señal aparecer como un largo y oscila de forma de onda con un aspecto algo
al azar (Figura 2.10).

Las señales de UHF obtenidas de un acoplador de GIS normalmente tienen una

duración de 100-1000 ns. De la señal se atenúa rápidamente porque está por debajo de la
frecuencia de corte del modo en que está propagando. Los componentes de frecuencia más
alta viajan a lo largo de las líneas coaxiales con una velocidad acercándose a c. propagación
a través de las barreras se lleva a cabo a una velocidad más baja, c / εr, donde εr es la
permitividad relativa del material aislante (normalmente 5-6). Los tiempos de llegada
relativo de los frentes de onda en los acopladores en ambos lados de la fuente PD pueden
utilizarse a menudo para localizar el defecto.

26