UNIVERSIDAD DE SUCRE.

PROGRAMA DE TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Polarización del MOSFET E

Álvarez Jorge – Arias Félix – González Manuel

Resumen. En el siguiente informe se observan DESARROLLO METODOLÓGICO

y analizan dos tipos de polarización para un Con el fin de alcanzar el objetivo de la práctica,
MOSFET E (retroalimentación y divisor de (experimentar circuitos de polarización del
tensión) pero para lograrlo, primero hubo que MOSFET E) se diseñó y ensambló en la
calcular las resistencias para cada tipo de protoboard un circuito de polarización mediante
polarización y de esta manera obtener los retroalimentación, pero anterior a esto, se calculó
resultados esperados. el valor de las resistencias que irían en el circuito;
Palabras clave: divisor – retroalimentación – esto se hizo mediante los procedimientos
polarización. aprendidos en clase, obteniendo una RD = 3,3KΩ
como RG siempre va en el orden de los mega
INTRODUCCIÓN ohmios para mantener una alta impedancia y la
Debido a que los E – MOSFET deben tener un corriente de compuerta en cero, se tomó RG =
VGS mayor que el valor de umbral, 2,2MΩ. En la tabla 1 se muestran los valores
(VGS(umbral)) no se puede usar la polarización calculados y los medidos.
en cero. Un E – MOSFET se puede polarizar TABLA1. VALORES CALCULADOS Y
mediante divisor de tensión y mediante MEDIDOS.
retroalimentación, la idea es hacer el voltaje de la Valor calculado Valor medido
compuerta más positivo que el de la fuente en una VGS = 0,76V VGS=1,43V
cantidad que exceda VGS(umbrtal). Lñas
VDS= 0,84 V VDS=1,43V
ecuaciones para el análisis de la polarización
mediante divisor de voltaje se muestra a ID=2,6mA ID=2,65mA
continuación.
𝑅2 Para el segundo punto, se ensambló en la
𝑉𝐺𝑆 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 protoboard un circuito de configuración de
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 polarización mediante divisor de tensión, los
valores obtenidos para las resistencias fueron los
Donde 𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑠 − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙))2
siguientes.
En el circuito de polarización mediante
R1=20KΩ
realimentación de drenaje, hay corriente
despreciable en la compuerta y, por consiguiente R2=100KΩ
ninguna caída de voltaje a través de RG, esto RD=10KΩ
hace VGS = VDD. En la figura 1 se muestran RS=2KΩ
ambas configuraciones de polarización. [1] Con estos valores de resistencias se hicieron los
cálculos y mediciones correspondientes,
obteniendo así los valores que se describen en la
tabla 2.
TABLA 2. VALORES CALCULADOS Y
MEDIDOS DIVISOR DE VOLTAJE
Valor Valor
medido calculado
VDS 0,01V
VGS 10,16V 1,7V
ID 1,27mA 2,2mA
VS 2,51V 1,96V
Figura 1. Polarización E – MOSFET
ANÁLISIS DE RESULTADOS
El objetivo de comparar los valores obtenidos a
través de los cálculos y el obtenido mediante las
mediciones, es analizar y buscar posibles errores
en las mediciones o cálculos, en la tabla 1, se
observa que los valores medidos y los valores
calculados son muy similares; existe una
pequeña diferencia entre ellos, pero es normal ya
que los valores obtenidos teóricamente nunca son
exactamente iguales que en la práctica. Cuando
se tiene IDQ Y VGSQ junto con los datos que se
obtienen del datasheet, el proceso a seguir es
inverso para así poder hallar el valor de las
resistencias, hay que ser cuidadoso al momento
de hacerlo para obtener los resultados esperados.
En la tabla 2 se observan los valores obtenidos
mediante la medición y mediante los cálculos, se
observa que la diferencia entre un valor y el otro
varían más que en la tabla 1, esto podría ser
porque el valor de las resistencias es aproximado
al valor obtenido en el cálculo, puesto que
algunos de los valores obtenidos no son
comerciales.
CONCLUSIÓN
De lo anterior se concluye que cuando se polariza
un MOSFET, se busca que este trabaje en su
punto Q, en este punto es donde el mosfet
trabajará de forma óptima, aunque hay otras
aplicaciones en las cuales no se necesita que el
dispositivo electrónico en cuestión trabaje en el
punto Q sino en otro punto, tal como la región
óhmica. Generalmente cuando se trabaja en
amplificación, se busca siempre trabajra en el
punto Q.
BIBLIOGRAFÍA
[1] Robert L Boylestad (1992) Electrónica: teoría
de circuitos y dispositivos electrónicos, sexta
edición, paginas 114-215.

hispavila.com/total/3ds/atmega/mosfets.html