UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERIA MECÁNICA
DEPARTAMENTO ACADEMICO DE CIENCIAS DE INGENIERIA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

(ML839)
INFORME PREVIO DEL LABORATORIO 2
DOCENTE
Ing. ROBINSON AREVALO MACEDO
INTEGRANTES (GRUPO 9)
MUÑOZ VASQUEZ, GIANMARCO 20111316K
ZAVALETA VARA, LUIS ALBERTO 20111142B
DIAZ MENESES, JOSEPH FRANCO 20111109E

2016
OBJETIVOS DE LA EXPERIENCIA

 Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados

UJT y PUT.
 Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que activa una
carga.
FUNDAMENTO TEÓRICO

TRANSISTOR UJT

El UJT es un dispositivo de tres terminales, las cuales se denominan como

emisor, base 1 y base 2. El símbolo esquemático y las ubicaciones de las
terminales se muestran en la figura:

Curva característica
En la figura, se muestra el aspecto de la curva características de un UJT. 𝑉𝑃 nos
indica la tensión pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de
encendido del UJT. Una vez superada esta tensión, la corriente del emisor
aumenta (se hace mayor que 𝐼𝑃 ), provocándose el descebado del UJT cuando la
corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento 𝐼𝑉 .

Circuito de Disparo

Consideraciones de diseño:

𝑡𝑔 = 𝑅1 𝐶𝐸

104
𝑅2 =
𝑛𝑉𝑆

𝑉𝑆 − 𝑉𝑉 𝑉𝑆 − 𝑉𝑃
< 𝑅𝐸 <
𝐼𝑉 𝐼𝑃

𝑅𝐵1
𝑛=
𝑅𝐵𝐵

𝑉𝑃 = 𝑛𝑉𝐵𝐵 + 0.5𝑉
TRANSISTOR PUT

El PUT es un dispositivo de tres terminales, las cuales se denominan como

ánodo, cátodo y gate. El símbolo esquemático y las ubicaciones de las
terminales se muestran en la figura:

Curva característica

Mientras la tensión 𝑉𝐴𝐾 no alcance el valor 𝑉𝑃 , el PUT estará abierto, por lo cual
los niveles de corriente serán muy bajos. Una vez se alcance el nivel 𝑉𝑃 , el
dispositivo entrará en conducción presentando una baja impedancia y por lo
tanto un elevado flujo de corriente.
El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevará al dispositivo a su estado
de bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje 𝑉𝐴𝐾 caiga lo suficiente para
reducir la corriente por debajo de un valor de mantenimiento 𝐼𝐻 .

Circuito de Disparo

Consideraciones de diseño:

𝑅𝐺
𝑅1 =
𝑛
𝑅𝐺
𝑅2 =
1−𝑛
𝑉𝑆
𝐼𝐺 = (1 − 𝑛)
𝑅𝐺

𝑉𝑃 𝑅2
𝑛= =
𝑉𝑆 𝑅1 + 𝑅2

𝑉𝑆
𝑇 = 𝑅𝐶𝑙𝑛( )
𝑉𝑆 − 𝑉𝑃
PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

Primera Parte: UJT

1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura para VZ=24V

SW1 CARGA

30V
o

2.2K

2
RB2

220V Rp
1
60Hz

2N4870

C T

RB1

2. Considerar que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar

potencias de 2W o más.
3. Para C=0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego cierre
el interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe y anote.
4. Cambiar el valor de C por los demás y repita el paso 3.
5. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del
condensador y grafique la forma de onda.
Segunda Parte: PUT 2N6027
1. Diseñar e implementar el circuito de la figura para VZ=30V.

SW1 CARGA

30V
o
2.2K

2
Rp R1
220V
1
60Hz

R2
C
T

Rs

-o

2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.

DATOS CALCULADOS

Circuito de disparo con UJT con sus respectivos parámetros hallados

C varia
Circuito de disparo con PUT con sus respectivos parámetros hallados
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

 http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/applicatio
n_note/CD00183570.pdf
 http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/232916/STMICROELECTRONICS/TYN616.html
 Electrónica de potencia – Mohammed H.Rashid
 Electrónica de potencia – Ned Mohan