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Teoria
Cap.3 – Transístor Bipolar de Junções
Pag.
3.1 Introdução ................................................................................................................... 3.1
3.2 Equações de Ebers-Moll ............................................................................................ 3.3
3.2.1 Dedução das equações de Ebers-Moll ........................................................... 3.5
3.2.2 Definição da estrutura do TBJ que optimiza o seu funcionamento
na zona activa directa .................................................................................... 3.9
3.2.3 Equações derivadas ...................................................................................... 3.11
3.2.4 Modelo SPICE do TBJ ................................................................................. 3.15
3.3 Análise das características do TBJ ......................................................................... 3.18
3.3.1 Montagens básicas ........................................................................................ 3.18
3.3.2 Características de montagem emissor comum .......................................... 3.19
3.3.2.1 Característica de saída: IC(UCE)IB=Cte ........................................... 3.19
3.3.2.2 Característica de entrada: IB(U1)UCE=Cte ...................................... 3.21
3.3.3 A disrupção no TBJ ...................................................................................... 3.22
3.3.4 Efeito de Early .............................................................................................. 3.23
3.3.5 Variação de αF, βF com a corrente .............................................................. 3.24
3.3.6 Efeitos da temperatura ................................................................................ 3.25
3.3.7 Região de funcionamento seguro dum TBJ ............................................... 3.26
3.4 Regime dinâmico ...................................................................................................... 3.30
3.4.1 Modelo incremental geral do TBJ .............................................................. 3.30
3.4.2 Modelo π-híbrido .......................................................................................... 3.33
3.4.3 Modelo T ....................................................................................................... 3.38
3.5 Circuito com transístores bipolares de junção ...................................................... 3.39
3.5.1 Circuitos de polarização .............................................................................. 3.40
3.5.2 Montagem emissor comum .......................................................................... 3.44
3.5.3 Montagem colector comum ou seguidor de emissor ................................. 3.46
3.5.4 Montagem base comum ............................................................................... 3.48
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
3.1. Introdução
polarizada, u E > 0 , e a junção colectora inversamente polarizada, uC < 0 , zona activa directa;
p n p
E C
E B C
B
Na, Nd
NaE
NdB
NaC
x
iE iC iE iC
E C E C
uE uC uE uC
iB iB
B B
p-n-p n-p-n
Fig. 3.2 – Símbolos para o p-n-p e n-p-n e sentidos convencionados como positivos para as correntes e
tensões.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.3
(
I E = I ES eU E uT
)
− 1 − α R I CS eU C( uT
)
−1
(3.1)
(
I C = −α F I ES eU E uT
) (
− 1 + I CS eU C uT
−1 )
No caso de se pretenderem utilizar outros sentidos de referência para as tensões ou correntes,
as equações (3.1) devem ser corrigidas trocando, nas equações, o sinal da grandeza respectiva.
junções. As equações de Ebers-Moll são válidas nas condições em que se deduziu a relação
I (U ) para o díodo de junção p-n, isto é, junções abruptas, modelo unidimensional, injecção
fraca, regiões emissora e colectora com comprimentos muito maiores que o comprimento de
difusão das minorias respectivas e desprezo da geração e recombinação nas regiões de
transições. Também são desprezadas as resistências associadas aos contactos e às regiões
neutras. De acordo com (3.1) o TBJ é caracterizado por quatro parâmetros: I ES , I CS , α R e
α R I CS = α F I ES (3.2)
Este resultado deriva do facto do dispositivo ser recíproco, isto é, as correntes de curto-
circuito na saída são iguais às de curto-circuito na entrada para tensões iguais na entrada e na
saída respectivamente.
As correntes I ES e I CS representam as correntes inversas de saturação na junção
realçar que na zona activa inversa ter-se-á I E −α R I C , isto é, I E < I C pelo que o efeito
E B C
p n p
LnC
nC0
nE pB0
nC
nE0 pB
LnE xnC
xnE
x pE x
O b’ x pC
b
Junção Emissora Junção Colectora
Fig. 3.3 – Andamento espacial das densidades de minoritários quando u E > 0 e uC < 0 : nE 0 , pB 0 e
nC 0 são os valores de equilíbrio termodinâmico dos portadores minoritários; b’ é a largura da região
neutra da base.
Na Fig. 3.4 mostra-se, para um TBJ p-n-p na zona activa directa, o movimento dos
portadores de carga responsáveis pelas correntes aos seus terminais. A corrente no emissor,
junto ao contacto metálico, é determinada pela corrente de buracos. Na região do emissor,
próxima da junção, a corrente de emissor possui duas componentes: a corrente de buracos
injectados na base a partir do emissor, que é dominante, e a corrente de electrões injectados da
base para o emissor. Ambas estas correntes estão associadas aos excessos de portadores
minoritários que se estabelecem nas fronteiras da região de transição da junção emissora que
está polarizada directamente. Com uma região da base suficientemente estreita só uma
pequena fracção dos buracos injectados do emissor é que desaparece na base por
recombinação. Os buracos que atingem a junção colectora serão transportados por acção do
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.5
campo eléctrico para a região do colector onde são maioritários. Na junção colectora esta
corrente de buracos é a parcela dominante para a corrente de colector que no entanto possui
outra componente devida aos electrões que são extraídos do colector para a base. Deste modo
a corrente de colector é, em módulo, só ligeiramente inferior à de emissor. A diferença entre
as duas correntes é a corrente de base que, de acordo com a análise anterior, pode ser
visualizada como sendo o resultado de três contribuições: fluxo e electrões que garante a
recombinação na base, fluxo de electrões injectados da base para o emissor e fluxo de
electrões extraídos do colector.
Buracos Buracos
IE atravessando IC
injectados
na base a base
IB Electrões que se
recombinam na base
Fig. 3.4 – Movimento dos portadores no TBJ com polarização directa.
x pE − x
−
⎣ ( )
nE ( x) = nE 0 + ⎡ n x pE − nE 0 ⎤ e
⎦
LnE
( x ≤ x pE )
x − x pC
−
( )
nC ( x) = nC 0 + ⎡ n x pC − nC 0 ⎤ e
⎣ ⎦
LnC
( x ≥ x pC )
(3.3)
1 ⎧⎪ ⎛ x −x⎞
pB ( x ) = p B 0 + ⎨ ⎣⎡ p ( xnE ) − pB 0 ⎦⎤ sh ⎜⎜ ⎟+
nC
⎛ b' ⎞ ⎪ L ⎟
sh ⎜ ⎟⎩ ⎝ pB ⎠
⎜ L pB ⎟
⎝ ⎠
⎛ x−x ⎞ ⎫⎪
+ ⎡⎣ p ( xnC ) − pB 0 ⎤⎦ sh ⎜ nE ⎟⎬ xnE ≤ x ≤ xnC
⎜ L pB ⎟
⎝ ⎠ ⎪⎭
dn
J ndif = q Dn
dx
(3.4)
dp
J pdif = − q D p
dx
( )
⎡ n x pE − nE 0 ⎤ − x pE − x
J nEdif ( x) = q DnE
d nE ( x)
dx
= q DnE ⎣
LnE
⎦ e LnE
( x ≤ x pE )
( )
⎡ n x pC − nC 0 ⎤ − x − x pC
J nCdif ( x) = q DnC
d nC ( x)
dx
= − q DnC ⎣
LnC
⎦ e LnC
( x ≥ x pC )
(3.5)
{
d pB ( x) 1
J pBdif ( x) = − q D pB = − q D pB ⎡ p ( xnE ) − pB 0 ⎤⎦ ×
dx ⎞ ⎣ ⎛ b'
⎟⎟ sh ⎜
⎜ L pB
⎠ ⎝
⎛ x − x ⎞⎛ 1 ⎞ ⎛ x − xnE ⎞ 1 ⎫⎪
× ch ⎜ nC ⎟ ⎜ − ⎟ + ⎡⎣ p ( xnC ) − pB 0 ⎤⎦ ch ⎜ ( xnE ≤ x ≤ xnC )
⎜ L pB ⎟ ⎜ L pB ⎟ ⎜ L pB ⎟⎟ L pB ⎬
⎝ ⎠⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎪⎭
J nEdif ( x pE ) =
qDnE ⎡
LnE ⎣
( )
n x pE − nE 0 ⎤
⎦
J nCdif ( x pC ) = −
q DnC ⎡
LnC
(
= ⎣ n x pC − nC 0 ⎤⎦)
Atendendo a que
( )
n x pE = nE 0 eU E uT
p ( xnE ) = pB 0 eU E uT
(3.7)
p ( xnC ) = PB 0 e U C uT
( )
n x pC = nC 0 eUC uT
Vem:
( )
J nEdif x pE =
q DnE nE 0 U E
LnE
e ( uT
−1 )
⎡ U ⎛ b' ⎞ ⎤
( ) ( )
q D pB pB 0
J pBdif ( xnE ) = ⎢ e E uT
− 1 ch ⎜ ⎟⎟ − e C
U uT
−1 ⎥
(
L pB sh b ' L pB )⎢⎣ ⎜ L pB
⎝ ⎠ ⎥⎦
(3.8)
⎡ U ⎛ b' ⎞⎤
( ) ( )
q D pB pB 0
J pBdif ( xnC ) = ⎢ e E uT
− 1 − eUC uT
− 1 ch ⎜ ⎟⎟ ⎥
(
L pB sh b ' L pB )⎣⎢
⎜ L pB
⎝ ⎠ ⎦⎥
( )
J nCdif x pC = −
q DnC nC 0 UC
LnC
e ( uT
−1 )
Com:
3.8 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
( )
J nE x pE J nEdif x pE ( )
J pB ( xnC ) J pBdif ( xnC )
(3.9)
J pB ( xnE ) J pBdif ( xnE )
( )
J nC x p 0 J nCdif x p 0 ( )
e desprezando a geração e recombinação na região de transição tem-se:
( )
J E = J nE x pE + J pB ( xnE ) e IE = A JE
(3.10)
J C = J pB ( xnC ) + J nC x pC ( ) e IC = − A J C
D pB pB 0
α R I CS = α F I ES = Aq
(
L pB sh b ' L pB )
A corrente de base obtém-se através da relação
I B = − I E − IC (3.13)
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.9
e é dada por:
(
I B = − (1 − α F ) I ES eU E uT
) (
− 1 − (1 − α R ) I CS eUC uT
−1 ) (3.14)
3.2.2. Definição da estrutura do TBJ que optimiza o seu funcionamento na zona activa
directa
1 1
αF =
(
ch b ' L pB ) αR =
(
ch b ' L pB ) (3.15)
D L pB nE 0 ⎛ b ' ⎞ D L pB nC 0 ⎛ b ' ⎞
1 + nE sh ⎜ ⎟⎟ 1 + nC sh ⎜ ⎟⎟
D pB LnE pB 0 ⎜⎝ L pB ⎠ D pB LnC pB 0 ⎜⎝ L pB ⎠
interacção entre as junções seja elevada deverá ter-se b ' << L pB . No entanto b ' não pode
reduzir-se a zero pois, neste caso, haveria sobreposição das regiões de transição da junção
emissora e colectora, situação esta que se costuma designar por atravessamento da base. Nesta
situação o transporte dos portadores minoritários na base é por condução, devido ao campo
eléctrico intenso que aí se estabelece, a corrente de colector sobe rapidamente e,
consequentemente, o dispositivo deixa de funcionar como transístor. O TBJ pode então ser
destruído a não ser que haja um circuito exterior que limite a corrente no dispositivo para
valores aceitáveis. O dimensionamento de largura da região da base é por isso feito de modo a
que não haja atravessamento da base para as tensões máximas admissíveis para o dispositivo.
Para se conseguirem valores de αF elevados deve verificar-se
pb 0 >> nE 0 ⇒ N aE >> N dB , isto é, o emissor deve estar mais fortemente dopado que a base.
De igual modo para que α R seja elevado deverá ter-se N aC >> N dB . No entanto, tendo em
vista a optimização do funcionamento de TBJ na zona activa directa, não é conveniente ter
essa relação de impurezas entre a base e o colector. Com efeito funcionando geralmente o
TBJ com a junção colectora polarizada inversamente, é conveniente que a tensão de disrupção
do colector seja o maior possível. Uma diminuição da densidade de impurezas de ambos os
3.10 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
lados da junção colectora conduz a um aumento da tensão de disrupção pelo que, para um
dado N dB se deveria ter N aC << N dB . Além disso os parâmetros do transístor dependem de
b ' , que varia com U E e U C . Sendo geralmente U C < 0 há uma variação significativa da
largura da região de transição da junção colectora com esta tensão e que se vai reflectir no
valor de b ' . Atendendo a que a largura da região de transição numa junção assimétrica está
praticamente toda do lado menos dopado, uma relação de impurezas em que N dB >> N aC
As expressões (3.12) podem escrever-se de forma mais simplificada se b ' << L pB . Neste
caso:
⎛D n D pB pB 0 ⎞
I ES Aq ⎜ nE E 0 + ⎟ (3.16)
⎝ LnE b' ⎠
D pB pB 0
I ES Aq (3.17)
b'
⎛D n D pB pB 0 ⎞
I CS Aq ⎜ nC C 0 + ⎟ (3.18)
⎝ LnC b' ⎠
1 D n b'
e também αF 1 − nE E 0 (3.19)
D n b' D pB pB 0 LnE
1 + nE E 0
D pB pB 0 LnE
1
e αR (3.20)
D n b'
1 + nC C 0
D pB pB 0 LnC
J pE
γ= (3.21)
JE U C =0
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.11
e o factor de transporte θ:
J pC JC
θ=− =− (3.22)
J pE J pE
U C =0 U C =0
então
αF = γ .θ (3.24)
A análise do ponto de funcionamento em repouso dum TBJ num dado circuito exige a
determinação das correntes e tensões no dispositivo. A utilização das equações de Ebers-Moll,
na forma expressa por (3.1), pode não ser a mais adequada para o circuito em questão. A
utilização de outras equações, derivadas das de Ebers-Moll e portanto com a mesma
generalidade, poderá ser mais conveniente. A escolha das equações mais adequadas para
resolver um dado problema prende-se com o tipo de montagem e valores fornecidos.
(
I C = −α F I E + I CB 0 eUC uT
−1 ) (3.25)
em que
I CB 0 = (1 − α F α R ) I CS (3.26)
Analogamente obter-se-à
3.12 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
I E = −α R I C + I EB 0 eU E( uT
−1 ) (3.27)
em que
I EB 0 = (1 − α F α R ) I ES (3.28)
(
I C = β F I B + I CE 0 eU C uT
)
−1 (3.29)
em que:
αF
βF = e I CE 0 = (1 + β F ) I CB 0 (3.30)
1− αF
(
I E = β R I B + I EC 0 eU E uT
)
−1 (3.31)
em que
αR
βR = e I EC 0 = (1 + β R ) I EB 0 (3.32)
1− αR
I C −α F I E − I CB 0 (3.33)
I C β F I B − I CE 0 (3.34)
IC β F I B (3.35)
Esta relação indica que é conveniente ter um TBJ com β F elevado pois este parâmetro
está intimamente ligado com as características amplificadoras do transístor. Com efeito na
zona activa directa, e em regime quase-estacionário, a uma variação ΔI B na corrente de base
ΔI C β F ΔI B (3.36)
Os valores típicos de β F >> β R são da ordem dos 200-400 a que correspondem valores
de α F da ordem de 0,995-0,9975.
Para a zona activa inversa as equações mais simples para o TBJ derivam de (3.27) e
(3.31) e podem ser escritas como
I E −α R I C − I EB 0 (3.37)
I E β R I B − I EC 0 (3.38)
Quando o transístor está na saturação não é possível eliminar, das expressões das
correntes no dispositivo, os termos exponenciais em virtude das tensões de polarização serem
ambas positivas. A dificuldade na determinação destas correntes é contudo aparente porque,
como foi visto para o díodo, as tensões de polarização directa das junções são relativamente
baixas e, no caso ideal, podem ser consideradas nulas. Na saturação o TBJ pode, em primeira
aproximação, ser substituido por um curto-circuito e as correntes que o percorrem poderão ser
calculadas com base no circuito exterior de polarização. No sentido de obter resultados mais
precisos podem-se modelizar as junções polarizadas directamente por fontes de tensão
constante que, para um dispositivo de Silício, é usual tomarem o valor de 0,7 V.
Na zona de corte as correntes no emissor e no colector, e portanto na base, são da ordem
das correntes inversas de saturação das junções e, em primeira aproximação, o TBJ pode ser
substituido por um circuito aberto.
resultados errados e, na maior parte das vezes, sem significado físico. Se se pretender utilizar
sentidos de referência, para as correntes e tensões, diferentes dos indicados na Fig. 3.2
dever-se-ão corrigir as equações de Ebers-Moll e as equações derivadas, trocando, nessas
equações, o sinal das grandezas que tiveram o sentido alterado. Por exemplo no caso do TBJ
n-p-n, com os sentidos indicados na figura abaixo, as equações devem ser escritas como
iE iC (
I E = I ES eU E uT
) (
− 1 − α R I CS eU C uT
−1 )
E C
(
I C = α F I ES eU E uT
− 1) − I ( e
CS
U C uT
− 1)
uE
iB
uC I C = α F I E − I CB 0 ( e − 1)
U C uT
B
I C = β F I B − I CE 0 ( e − 1)
U C uT
n-p-n I E = α R I C + I EB 0 ( e − 1)
U E uT
(
I E = −β R I B + I EC 0 eU E uT
)
− 1 e IC + I B − I E = 0 .
convencionado para a tensão uC fosse o oposto do indicado, o TBJ estaria na zona activa
directa só se u E > 0 e uC > 0 . Para que se possa dizer se a junção colectora está ou não
como positivo.
O cálculo da potência posta em jogo no TBJ pode também ser afectado pelas
convenções adoptadas para os sentidos das tensões e correntes. Para os sentidos usados na
Fig. 3.2 a potência na junção colectora é simplesmente PC = U C I C . No entanto para o caso em
que a corrente de colector troca de sentido convencional a potência na junção colectora deve
escrever-se PC = −U C I C . Com esta convenção uma potência positiva indica dissipação de
energia e negativa indica fornecimento de energia.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.15
O circuito eléctrico equivalente do TBJ, obtido a partir das equações (3.1), está
representado na Fig. 3.5. Neste circuito a interacção entre as duas junções está incluida nas
fontes de corrente dependentes.
(
I E1 = I ES eU E uT
−1 ) (
I E 2 = I CS eUC uT
)
−1
IE IC
E C
αR IE2 α F I E1
IB
UE UC
Introduzindo a corrente
I S = α F I ES = α R I CS (3.39)
IE =
IS
αF
(e U E uT
) (
− 1 − I S eU C uT − 1
)
I EC
(3.40)
( I
I C = − I S eU E uT − 1 + S eU C
αR
) ( uT
)
−1
I CE
O circuito eléctrico equivalente do TBJ baseado em (3.40) está representado na Fig.3.6 e não
difere muito do circuito da Fig. 3.5.
1 1 1 1
= 1+ e = 1+ (3.41)
αF βF αR βR
I CE / α F I EC / α R
IE IC
E C
I EC I CE
IB
UE UC
⎛ 1 ⎞ UE
I E = I S ⎜1 +
⎝ β
⎟ e
F ⎠
( uT
)
(
− 1 − I S eU C uT − 1
)
I EC
(3.42)
⎛ 1 ⎞ UC
(
)
I C = − I S eU E uT − 1 + I S ⎜1 +
⎝ βR ⎠
⎟ e ( uT
)
−1
I CE
I CE I EC I CE I EC
I E = I CE + − I EC ; I C = − I CE + + I EC ; I B = − − (3.43)
βF βR βF βR
I CE − I EC
IE IC
E C
I CE / β F I EC / β R
IB
UE UC
No caso do TBJ estar na zona activa directa, as equações gerais (3.42) podem
simplificar-se
UE
IC − I S e uT
⎛ 1 ⎞ U E uT I
I E ⎜1 + ⎟ IS e =− C (3.44)
⎝ βF ⎠ αF
UE
IS IC
IB = − e uT
βF βF
Os sentidos reais das correntes para os transístores pnp e npn, na zona activa directa, estão
representados na Fig. 3.8.
iE iC iE iC
E C E C
uE uC uE uC
iB iB
B B
p-n-p n-p-n
Fig. 3.8 –Sentidos reais das correntes para os transístores pnp e npn, na zona activa directa.
Para estes sentidos para as correntes as expressões (3.44) podem ser escritas como
3.18 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
UE
uT IC I
IC I S e ; IE ; IB C (3.45)
αF βF
O TBJ, embora seja um dispositivo de três terminais, pode ser tratado como um
quadripolo, em que um dos terminais é comum à entrada e à saída. Deste modo é possível
distinguir três tipos de montagens: emissor comum, colector comum e base comum, Fig. 3.9.
iB iB
B uCE B uEC
u1 u1
uE uC
iE
E E C C
(a) (b)
Base comum
iE iC
E C
uE uC
B B
(c)
Esta montagem está representada na Fig. 3.9 (a). Neste caso a tensão de saída é U CE ,
que não coincide com as tensões que aparecem nas equações de Ebers-Moll. O
comportamento do TBJ vai ser descrito por duas famílias de curvas,
Características de entrada: I B (U1 ) U te
CE =C
Características de saída: I C (U CE ) I B =C te
(
− I B = (1 − α F ) I ES eU E uT
)
− 1 + (1 − α R ) I CS eUC( uT
)
−1
(
I C = β F I B + I CE 0 eU C uT
−1 ) (3.46)
(
I E = β R I B + I EC 0 eU E uT
−1 )
e ainda U CE = U C − U E , I E = − I B − I C e U1 = −U E .
Sob o ponto de vista das aplicações a montagem emissor comum é uma das mais
importante e as características de saída associadas à zona activa directa de funcionamento são
das mais utilizadas no projecto de circuitos electrónicos.
negativos para os sentidos de referência indicados. O valor positivo máximo de I B é dado por
I B = (1 − α F ) I ES + (1 − α R ) I CS . (3.47)
I C β F I B − I CE 0 . (3.48)
I E β R I B − I EC 0 . (3.49)
Como I E = − I B − I C , tira-se
I C − ( β R + 1) I B + I EC 0 . (3.50)
Na Fig. 3.10 mostram-se as curvas correspondentes a (3.48) e (3.50), assim como a sua
evolução quando −uT < U CE < uT Na figura estão também identificadas as várias zonas de
funcionamento do TBJ e a disrupção.
IC
Zona activa
inversa
Disrupção da
junção emissora
Saturação
ICE0 Corte
(1 + βR ) ΔI B
UCE0
UCE
UEC0
IB = 0 IEC0
β F I B1 Corte
I B1 < 0
Disrupção da β F ΔI B Saturação
junção colectora
I B 2 < I B1 < 0
Zona Activa
Directa
diferentes para as duas zonas de funcionamento já que na zona activa directa é a junção
colectora que determina a disrupção e na zona activa inversa é a junção emissora. Devido ao
perfil de impurezas a tensão de disrupção da junção emissora é muito menor que a da junção
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.21
βF ( − I B )
1+
I CE 0
U CE ( I C = 0 ) = uT ln (3.51)
β ( −IB )
1+ F
α R I CE 0
U CE ( I C = 0 ) uT ln α R (3.52)
Estas características são apresentadas na Fig. 3.11 e são obtidas a partir de (3.14). É de
realçar a semelhança destas características com a característica do díodo. No gráfico a tensão
U ED é a tensão de disrupção de junção emissora e I B 0 = (1 − α F ) I ES + (1 − α R ) I CS
−I B
U CE > 0 U CE = 0 U CE −uT
U ED I B0
U E ( −U1 )
Exemplo 3.1 – Para um TBJ n-p-n, com a convenção para os sentidos das correntes e
relativas à zona activa directa. É importante recordar que o sentido positivo da tensão
U CE é sempre do colector C para o emissor E.
Solução:
As correntes IC e IB estão dirigidas no sentido oposto àquele para que foram eduzidas as
equações de Ebers-Moll. Quanto à tensão U CE é de realçar que (U CE ) p − n − p = U C − U E e
Fig. 3.10, isso equivale a trocar o sentido dos eixos relativos a IC e UCE e o sinal
IC IC
n-p-n p-n-p
I B3 > I B 2 I B3 > I B 2
I B 2 > I B1 I B 2 > I B1
I B1 > 0 I B1 > 0
U CE U EC
junção emissora é bastante inferior à da junção colectora o que não é em geral um problema
porque a junção emissora está, em princípio, polarizada directamente. Os valores típicos para
a tensão de disrupção do colector são da ordem de 50 – 100 V enquanto que a disrupção do
emissor se dá para valores de tensão cerca de dez vezes menores. A tensão de disrupção do
colector é na maior parte dos dispositivos, o factor determinante na definição da tensão
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.23
A relação (3.29) e a Fig. 3.10 mostram que, na zona activa directa, para I B constante
αF
com o aumento de U CE . Com efeito, atendendo a que β F = e tendo em linha de conta
1− αF
(3.19), obtém-se:
D pB LnE pB 0
βF (3.53)
DnE b ' nE 0
região neutra da base, b ' , e portanto aumentar β F . Este efeito é designado por efeito de Early
e é caracterizado pelo parâmetro VA que se designa por tensão de Early com valores típicos da
ordem dos 100 V.
3.24 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
I B1
−VA −U CE
βF
1000
100
Para valores de corrente elevados está-se nas condições de injecção forte e β F desce
com o aumento da corrente. Nestas condições o factor de transporte e a eficiência de emissão
baixam em virtude do aumento recombinação na região da base e dos efeitos associados à
resistência de base, que deixa de ser desprezável. Um dos efeitos associados à resistência da
base é a diminuição da tensão de polarização da junção emissora à medida que nos afastamos
dos extremos da junção pelo que só existe a corrente de emissor na periferia da junção
(“emitter crowding”), Fig. 3.14.
E Região de transição
B Emissor-Base
Emissor
Base Base
Colector
Linhas de fluxo de
Região de transição
portadores maioritários
Base-Colector
Fig. 3.14 – Secção transversal de um TBJ em que os efeitos associados à resistência de base podem ser
importantes.
αF =
(
ch b ' L pB ) (3.54)
2
D L pB niE N dB b'
1 + nE 2
th
D pB LnE niB N aE L pB
No que se refere à tensão de disrupção, o seu valor em módulo sobe com o aumento da
temperatura quando o mecanismo dominante é a avalanche.
Um TBJ está limitado por um valor de temperatura máxima, acima do qual há o perigo
de ser destruído. O valor desta temperatura pode ser atingido para várias combinações de
valores de ( IC , U CE ) , obtidas para diversos regimes de funcionamento do transístor. A
temperatura do dispositivo é determinada pela potência posta em jogo nas junções emissora e
colectora
P = U E I E + U C IC (3.55)
P U C IC , (3.56)
isto é, a dissipação tem lugar sobretudo na junção colectora. É por esta razão que o
encapsulamento e o dissipador devem ser colocados junto à junção colectora para que a
transferência de energia do dispositivo para o meio ambiente seja mais eficaz.
A temperatura T da junção, na situação estacionária, é obtida a partir da relação
f (T − Ta ) = P (3.57)
f (T − Ta ) a (T − Ta ) (3.58)
A potência máxima admissível para o transístor pode então ser expressa por:
− IC
− I CMX
Pmax
2ª disrupção
uCED
−uCE
Disrupção
Fig. 3.15 – Região de funcionamento seguro do TBJ.
O valor de I CMX está associado ao aquecimento demasiado elevado dos fios metálicos
que ligam os contactos metálicos do dispositivo ao encapsulamento e que pode conduzir à sua
fusão.
O limite imposto pela segunda disrupção resulta da não uniformidade do fluxo de
corrente na junção emissora-base. Este efeito traduz-se no aquecimento local da junção que
pode conduzir a um aumento da corrente, criando-se então as condições para o embalamento
térmico o qual, tratando-se de um fenómeno pontual e bem localizado no semicondutor, não
depende da temperatura ambiente. A disrupção em si não conduz à destruição do TBJ desde
que exista um circuito exterior que permita limitar a corrente no dispositivo. No entanto,
como este efeito pode ser acompanhado por aquecimentos locais, é de evitar que TBJ entre
em disrupção.
3.28 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
RB=1,3 MΩ.
Solução:
A determinação da zona de funcionamento e do PFR do TBJ deve ser feita em três
passos: 1) Observar atentamente o circuito com o transístor nomeadamente no que se
refere à polarização mais provável das junções emissora e colectora atendendo à
polaridade das baterias; 2) Avançar com uma hipótese relativamente à zona de
funcionamento. Definida a zona de funcionamento, devem-se escolher as equações do
transístor mais adequadas para resolver o problema com o mínimo de esforço e de
tempo; 3) Confirmação ou não da hipótese. A partir dos resultados obtidos é obrigatório
verificar se a hipótese é ou não confirmada. No caso de não ser confirmada a hipótese os
resultados obtidos não são correctos pelo que o PFR deve ser de novo calculado para
outra zona de funcionamento. Os resultados têm que ser sempre consistentes com a zona
de funcionamento correspondente. Iremos seguir os passos anteriores para resolver o
problema proposto.
A bateria EB está ligada de modo a polarizar directamente a junção emissora. No que se
refere a EC não se pode concluir nada sobre o seu efeito na junção colectora porque o
valor de UC não está directamente dependente de EC. Há portanto duas zonas prováveis
de funcionamento: zona activa directa (UE>0, UC<0) ou zona de saturação (UE>0, UC>0).
Em geral deve escolher-se como primeira hipótese a zona activa directa porque permite
utilizar expressões mais simples para o TBJ.
Considera-se então a hipótese de que o transístor está na zona activa directa. Circulando
na malha de entrada obtém-se I B = −( EB − U E ) / RB − EB / RB = −15, 4 μA pois,
admitindo UE>0, pode-se desprezar UE face a EB. Esta simplificação é aceitável pois não
é indicado o material semicondutor utilizado no fabrico do TBJ e portanto não se
conhecem os valores típicos para as tensões de polarização directa das junções que, no
entanto sabemos, são da ordem de décimos de Volt. Para o Si é usual utilizar U E 0,7 V
quando se pretende obter um valor mais correcto para IB. A corrente IC, dada por
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.29
IE>0 e com valores relativamente elevados então UE>0. Confirmou-se então que o TBJ
está na zona activa directa, com os valores das correntes e tensões obtidos
anteriormente. Os resultados permitem também verificar se o TBJ está ou não a trabalhar
numa zona de funcionamento seguro. A potência posta em jogo no TBJ, na zona activa
directa, é aproximadamente a potência posta em jogo na junção colectora e dada por
P PC = U C I C = 28,3 mW e que é muito menor que a potência máxima.
activa directa. Para a malha de saída tem-se então U CE = EC + RC I C pelo que, para EC=
contudo ser inferior a 3 kΩ, porque abaixo deste valor é ultrapassada a potência máxima
do TBJ. Para RC = 10 k Ω o TBJ está na disrupção se EC ≥ 60,8 V . Pode comprovar no
entanto que se deve verificar EC ≤ 63,3 V para que não seja ultrapassada a potência
máxima do TBJ.
− IC − IC RC fixo
n-p-n EC aumenta n-p-n
Aumenta RC
EC / RC EC fixo EC / RC
3,08 mA I B = −15, 4 μA I B = −15, 4 μA
3,08 mA
9,2 V 30 V EC U CE 9,2 V 30 V EC U CE
Atendendo a que o TBJ pode ser olhado como um quadripolo, podem estabelecer-se
diversos tipos de relações entre as correntes e tensões presentes na entrada e na saída, cada
uma delas dando origem a um circuito eléctrico equivalente para o transístor. No caso das
tensões serem as variáveis independentes ter-se-á
⎡ ii ⎤ = ⎡ yii yio ⎤ ⎡ ui ⎤
⎢i ⎥ ⎢ y yoo ⎥⎦ ⎢⎣uo ⎥⎦
(3.60)
⎣ o ⎦ ⎣ oi
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.31
⎡y yio ⎤
Em que a matriz Y = ⎢ ii
yoo ⎥⎦
é designada por matriz das admitâncias com
⎣ yoi
ii ii
yii = yio =
ui uo =0
uo ui =0
(3.61)
i i
yoi = o yoo = o
ui uo =0
uo ui =0
ii io
yoi ui
ui 1 yii u0
yiou0 1 yoo
Fig. 3.16 – Circuito incremental do TBJ obtido a partir da matriz das admitâncias.
⎡ ui ⎤ ⎡ zii zio ⎤ ⎡ ii ⎤
⎢u ⎥ = ⎢ z zoo ⎥⎦ ⎢⎣io ⎥⎦
(3.62)
⎣ o ⎦ ⎣ oi
Quando as variáveis independentes são a corrente de entrada e a tensão de saída ter-se-
ão os parâmetros híbridos h. Se a tensão de entrada e corrente de saída forem as variáveis
independentes ter-se-ão os parâmetros híbridos g.
Os parâmetros híbridos h são os mais utilizados e são também aqueles que são
normalmente fornecidos pelo fabricante. As vantagens destes parâmetros prendem-se com o
facto de poderem ser facilmente determinados experimentalmente e porque permitem uma
análise mais simples dos circuitos. A matriz h é geralmente escrita, na montagem emissor
comum, como:
3.32 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
ui ui
hie = [Ω] hre =
ii uo = o
uo ii =0
(3.64)
i i
h fe = o hoe = o [S ]
ii uo = o
uo ii =o
ii io
hi h f ii
ui 1 ho u0
+
−
hr vo
Fig. 3.17 – Circuito eléctrico equivalente do TBJ com base nos parâmetros h.
É importante realçar que, dado um determinado tipo de parâmetros para uma dada
montagem, se podem obter os restantes parâmetros para essa ou qualquer das outras
montagens embora, nalguns casos, isso comporte alguma dificuldade.
Quando é necessário incluir os efeitos capacitivos as relações referidas nos parágrafos
anteriores devem ser escritas de forma mais conveniente em termos das amplitudes complexas
das tensões e correntes sendo os elementos das matrizes, em geral, números complexos que
poderão representar impedâncias, admitâncias ou grandezas adimensionais.
Atendendo que os parâmetros incrementais dependem do PFR, os valores de catálogo
são normalmente especificados para uma dada corrente de colector (típ. 1mA), tensão
colector-base (típ. 5V), temperatura ambiente (25 ºC) e frequência (1 KHz).
Na tabela 3.1 indicam-se os valores típicos dos parâmetros híbridos h para alguns
transístores.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.33
⎛ uE ⎞
iC −α F I ES e − 1⎟ − I cs
⎜ uT
(3.65)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
uE
termo do segundo membro de (3.65) seja muito maior que I CS , podendo escrever-se então
3.34 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
uE
iC −α F I ES e uT
(3.66) .
Deste modo é fácil de ver que a variação ΔU C não afecta a corrente iC . A equação
(3.66) pode ainda escrever-se como
UE ΔU E
iC −α F I ES e uT
e uT
(3.67)
ΔU E
ΔU E
Se ΔU E uT então e uT
1+ e portanto
uT
⎛ UE UE
ΔU E ⎞
⎜
iC −α F I ES e + e uT
uT ⎟ (3.68)
⎜ uT ⎟
⎝ ⎠
ou seja
UE UE
ΔU E
iC = −α F I ES e −α F I ES e
uT uT
(3.69)
uT
IC
ΔI C
ΔI c = − g m ΔU E (3.70)
UE
α F I ES e uT
Ic
gm = = (3.71)
uT uT
A corrente de base irá também variar devido às variações de uE . Na zona activa directa
(3.14) pode-se escrever como
uE
iB − (1 − α F ) I ES e uT
(3.72)
UE
ΔU E
ΔiB = − (1 − α F ) I ES e uT
(3.73)
uT
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.35
ΔI B = − gπ ΔU E (3.74)
em que
UE
gπ =
(1 − α F ) I ES e UT
=
IB
(3.75)
uT uT
1 u
rπ = = T (3.76)
gπ IB
g m rπ = β F (3.77)
As equações de Ebers-Moll não dão conta do efeito de Early pelo que, na zona activa directa,
a corrente do colector é constante e independente da tensão colector-emissor para uma dada
tensão na junção emissora, (3.65), ou uma dada corrente de base, (3.34). Na prática contudo a
corrente no colector sobe com o módulo da tensão entre o colector e o emissor devido ao
efeito Early, Fig.3.11. Sob o ponto de vista de sinal este efeito é contabilizado em termos
duma resistência incremental de saída ro , definida como
ΔI c Ic
( ro )−1 = = (3.78)
ΔU CE I B =C te VA + U CE
PFR
VA
ro (3.79)
IC
ΔI B ΔI C
B C
g m ΔU E
ΔU E rπ ro
ΔU CE
Fig. 3.18 – Modelo incremental do TBJ para baixas frequências, onde se inclui o efeito de Early
através de ro .
CE = CdE + CtE
(3.80)
Cc = Ctc
Atendendo às considerações feitas para o díodo não é de estranhar que se verifique a relação
Cc CE .
Para frequências intermédias, o modelo incremental do TBJ pode então ser representado
pelo circuito π-híbrido da Fig. 3.19.
ΔI B CC ΔI C
B C
g m ΔU E
ΔU E rπ CE ro
ΔU CE
na base do TBJ que é efectivamente uma estrutura bidimensional. Nas aplicações em alta
frequência rx é responsável pela dinâmica de carga dos condensadores Cμ e Cπ e não pode
ser desprezado. Os valores de rx podem ir até à ordem dos 100 Ω. A resistência incremental
rμ , sendo normalmente muito elevada, pode desprezar-se. Os fios de ligação às várias regiões
rμ
ib rx Cμ ic
B C
gm V
rπ Cπ ro
V
Fig. 3.20 – Modelo π -híbrido do TBJ para altas frequências com inclusão da resistência de base e da
resistência colector-emissor.
g m ΔU E = − g m rπ ΔI B = − β F ΔI B (3.81)
Efectuada esta transformação verifica-se que o circuito da Fig. 3.18 é equivalente ao circuito
equivalente do TBJ com base nos parâmetros h, Fig.3.17, em que
1
hie = rπ ; hre = 0; h fe = β F ; hoe = (3.82)
ro
3.38 TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES
3.4.3. Modelo T
Este modelo incremental do TBJ reflecte as variações nas correntes do emissor e colector em
termos das variações das tensões do emissor e do colector, Fig. 3.21.
C ic C ic
αi g m vπ
ib ib
ro ro
B B
re vπ re
ie ie
E E
Seguindo um raciocínio idêntico ao que foi utilizado para o modelo π-híbrido define-se uma
resistência incremental re dada por
uT
re = (3.83)
IE
que estabelece a relação entre a variação da tensão na junção emissora com a variação da
corrente de emissor. Por sua vez as variações de corrente de colector e emissor estão ligadas
através de αF, que verifica a relação g m re = α F .
Exemplo 3.4 – Para o circuito de emissor comum analisado no Exemplo 3.2 considere que a
tensão EB sofre uma variação ΔEB << EB . Em regime quase-estacionário calcular
ΔU CE / ΔEB no PFR. Deduzir a expressão para mesma relação mas utilizando o modelo π-
híbrido para o transístor. Indicar as condições que garantem resultados idênticos para ambos
os casos.
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.39
Solução:
Em regime quase-estacionário são válidas as equações utilizadas para a determinação do
PFR. Vão-se aplicar variações nas grandezas afectadas e, por manipulação algébrica,
determinam-se as relações pretendidas. Como se está na zona activa directa a relação para as
correntes no TBJ é dada por I C β F I B − I CE 0 e a corrente de base por I B − EB / RB . Por sua
PFR está na zona activa directa. Sob o ponto de vista de sinal o circuito a analisar está
representado na figura junta.
ii RB ic
B C
g m vπ
vi rπ vπ r0 RC v0
E E
Em qualquer circuito amplificador o TBJ deve estar a trabalhar na zona activa directa. A
escolha das fontes de alimentação e das resistências do circuito está pois condicionada pela
necessidade de garantir o PFR do TBJ nessa zona de funcionamento. Sob o ponto de vista de
sinal o TBJ é substituído pelo seu modelo incremental, cujos parâmetros dependem do PFR.
Sendo assim, a estabilidade do PFR é fundamental para garantir a estabilidade do sinal de
saída e das diferentes grandezas que caracterizam o amplificador, nomeadamente o ganho de
corrente e/ou tensão, a impedância de entrada, a impedância de saída e a resposta em
frequência.
RC RC
IC
IC + IB +
RB IB VCC VCC
− −
+ + UE IE
VB UE VB
IE
− − RE
(a) (b)
Fig. 3.22 – Circuitos de polarização do TBJ envolvendo duas fontes de alimentação sem (a) e com
resistência de emissor (b).
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.41
Com efeito para o circuito da Fig.3.22(a), admitindo que o TBJ está na zona activa
directa,
⎛ V −UE ⎞
IC βF I B = βF ⎜ B ⎟ (3.84)
⎝ RB ⎠
valor porque β F varia de transistor para transistor, mesmo dentro da mesma família, varia
VB − U E
IC I E = (3.85)
RE
Um circuito de polarização que, para além de estabilizar I C , utiliza uma única fonte de
alimentação, está representado na Fig. 3.23(a). É de realçar que esta topologia corresponde a
uma situação intermédia relativamente à dos circuitos da Fig.3.22, como se pode ver pela
Fig.3.23(b), que utiliza o circuito equivalente de Thévenin.
R1 RC RC
IC IC
+ RB = R1 // R2 +
IB
VCC VCC
− IB −
IE + IE
UE
R2 R2
RE − VB = VCC RE
R1 + R2
(a) (b)
Fig. 3.23 – Circuitos de polarização do TBJ envolvendo uma fonte de alimentação. (a) Circuito de
polarização; (b) Circuito obtido utilizando o esquema equivalente de Thévenin para a entrada.
R2
VB = VCC ; RB = R1 // R2 (3.86)
R1 + R2
VB − U E
IC I E = (3.87)
R
RE + B
1 + βF
RB
Para que I C seja pouco dependente de β F deve ter-se RE >> . Contudo não
1 + βF
como também conduz a um maior consumo. Para que I C dependa pouco da temperatura
deverá ter-se VB >> U E o que conduz a RE I E elevado. Por sua vez interessa RC I C elevado,
para se ter um ganho de tensão elevado, e um U CE elevado para garantir uma margem
dinâmica elevada. Deste modo é usual dimensionar as resistências por forma a que se
verifique RE I E = RC I C = U CE = VCC / 3 . A resistência RE permite uma melhor estabilização
VEE − U E
IE = (3.88)
R
RE + B
1 + βF
que é idêntica a (3.87) excepto no termo VB que é substituído por VEE. As considerações feitas
anteriormente aplicam-se nesta situação. A resistência RB só é necessária se o sinal for
aplicado na base do TBJ. Em todas as outras situações pode ligar-se directamente a base do
transístor à massa o que faz com que a corrente IE seja independente de βF.
A polarização estabilizada pode também ser conseguida ligando uma resistência entre o
colector e a base , como se mostra na Fig. 3.24(b).
TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES 3.43
RC RC
IC
IB +
+ IC VCC
VCC RB
IE − −
UE
RB RE IB IE
− UE
+ VEE
(a) (b)
Fig. 3.24 – Circuitos de polarização do TBJ: (a) com duas fontes de alimentação; (b) uma fonte de
alimentação e uma resistência ligada entre a base e o colector.
VCC − U E
IC I E = (3.89)
R
RC + B
1 + βF
RB
Interessa ter << RC mas convém que RB não seja muito baixo para que a amplitude de
1 + βF
RC
+
VCC
−
RB I
−
+ VEE
R1 RC
C2
C1
v0
vi R2
RE CE
ii
B C
i0
g m vπ
vi R1 // R2 rπ vπ r0 RC v0
E E
Fig. 3.27 – Circuito incremental para frequências intermédias do amplificador emissor comum da
Fig.3.26.
vo
Av = = − g m ( ro // RC ) (3.90)
vi
I C RC
Av − g m RC = − (3.91)
uT
io ro
Ai = = − gm ( rπ // R1 // R2 ) (3.92)
ii ro + RC
Ai − g m ( rπ // R1 // R2 ) (3.93)
Ri rπ // R1 // R2 (3.94)
Ro = ro // RC (3.95)
A Fig.3.28 mostra um circuito amplificador tipo colector comum (sob o ponto de vista
do sinal) utilizando um circuito de polarização do tipo indicado na Fig.3.25.
RS
R0 +
C1 VCC
−
∼
Ri
vS
v0 RL
VEE −
+
O circuito para pequenos sinais está representado na Fig.3.28 onde, por conveniência, se
utilizou o modelo T para o circuito incremental do TBJ.
A resistência e entrada Ri é dada por
Ri = ( β + 1) ⎡⎣ re + ( ro // RL ) ⎤⎦ (3.96)
αi
RS r0
B
ib i
re
vS ∼ E
RL
i0 v0
⎡ Rs ⎤
Ro = ro // ⎢ re + ⎥ (3.97)
⎢⎣ (β + 1) ⎥⎦
re iX
RS VX
r0
αi
Fig. 3.30 – Circuito utilizado na determinação da resistência de saída da montagem colector comum.
Av =
vo
=
(β + 1) ( ro // RL ) (3.98)
vs Rs + ( β + 1) ⎡⎣ re + ( ro // RL ) ⎤⎦
o que indica que Av é menor que um embora tome valores próximo da unidade.
O ganho de corrente Ai toma a forma
io ro
Ai = = ( β + 1) (3.99)
ib ro + RL
Rs
Ri ( β + 1) RL Ro re +
(β + 1)
(3.100)
Av
(β + 1) RL Ai ( β + 1)
Rs + ( β + 1) RL
+VCC
RC
R1
C2
v0 RL
C1
C3 RS
R2 RE
∼ vS
Ri = RE // re (3.101)
Ro = RC // RL (3.102)
Ri E ie R0
C
RS αie
vi RE re RC RL v0
vS ∼
B
B
Fig. 3.32 – Circuito incremental do amplificador tipo base comum.
α ( RC // RL )
Av = (3.103)
( re // RE )
Atendendo a que normalmente RE >> re , ter-se-á
Av g m ( RC // RL ) (3.104)
Ai α 1 (3.105)