Apontamentos Semicondutores de Potência

INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA
Secção de Electrónica Industrial
Departamento de Engenharia Electrotécnica e Automação
Apontamentos sobre
Semicondutores de Potência
para Engenharia Electrotécnica
Luís M. S. Redondo
Março de 2008
Apontamentos sobre Semicondutores de Potência para Engenharia Electrotécnica
Índice
Pág.
1. Introdução 3
2. Díodos de Potência 4
2.1. Característica dinâmica de comutação 5
2.2. Circuitos de ajuda à comutação e protecção 6
2.3. Dissipação de potência 8
3. Transístor Bipolar de Junção (TBJ) 9
3.1. Característica dinâmica de comutação. Potência dissipada 11
3.2. Circuitos de ajuda à comutação 13
3.3. Circuitos de disparo e protecção 14
3.4. Circuito de geração de tempos mortos 16
4. Tiristor (Thyristor, Silicon Controled Rectifier, SCR) 17
4.1. Limitação di/dt e dv/dt e protecções 19
4.2. Circuitos de disparo 21
5. Tiristor de porta controlada (GTO) 22
5.1. Circuito de disparo 24
5.2. Limitação dv/dt 25
6. Transístor Efeito de Campo de Porta Isolada (MOSFET) 26
6.1. Circuitos de protecção 28
6.2. Circuito de disparo 29
7. Semicondutores de potência com tecnologia MOS-Bipolar 30
7.1. Transístor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) 31
7.2. Tiristor de Porta Isolada tipo MOS (MCT) 32
8. Semicondutores de potência com tecnologia de efeito de campo de junção 33
9. Conclusões e evolução futura 34
10. Agradecimentos 36
11. Bibliografia 36
Luis M. S. Redondo – Março de 2008 2

1. Introdução
Nos modernos conversores electrónicos de potência (CEP), base da electrónica de potência (EP), nenhum
componente é tão importante para o seu desempenho, e ao mesmo tempo tão complexo e delicado do que o
semicondutor de potência (SP). Ainda que, o custo dos SP num CEP típico não exceda normalmente os 20%
a 30%, a rentabilidade final de um CEP é bastante influenciada pelo custo e desempenho dos SP. Uma
tendência importante na electrónica de potência (EP) é que o custo dos dispositivos baseados em Silício
(potência e comando) está continuamente a baixar, acompanhando o aumento do seu desempenho. Ao invés,
alguns elementos passivos como, indutâncias, capacidades e transformadores têm mantido um custo
constante, ou mesmo crescente, contribuindo de forma decisiva para o custo e dimensão dos CEP.
Consequentemente, qualquer engenheiro que trabalhe com EP é forçado, cada vez mais, a procurar soluções
baseadas em dispositivos semicondutores para substituir os elementos passivos. Isto implica conhecer o
funcionamento e limitações dos modernos SP, para uma utilização correcta, rentável e fiável.
Nos CEP interessa apenas considerar um SP em funcionamento como interruptor: ligado ou em condução
“ON”; desligado ou ao corte “OFF”. Fora destas zonas de funcionamento a excessiva potência dissipada é
um factor limitativo à sua utilização em CEP. Então, num CEP os SP mudam de estado com uma certa
frequência, designada frequência de comutação.
O desenvolvimento continuado de novos SP para aplicações em EP criou dispositivos que combinam
características únicas de comutação com características mais próximas das do interruptor ideal. Estas
propriedades incluem: tensões de bloqueio elevadas (da ordem dos kV); tensão e resistência de condução
reduzidas (mV e mΩ); tempos de passagem ao corte e à condução pequenos (da ordem da centena de ns);
comutação de potências elevadas (MW) com um mínimo de potência (mW) de comando mesmo a
frequências elevadas (kHz); Rendimento elevado (> 90%).
Porém, apesar dos progressos significativos no desenvolvimento destes dispositivos, é difícil a
optimização de todas estas propriedades num só dispositivo a um custo razoável, existindo compromissos,
por exemplo, entre perdas à condução, tensão de bloqueio e frequência de comutação, o que em termos
práticos quer dizer que nem todos os semicondutores podem ser usados em todas as aplicações. Os SP a usar
para cada aplicação necessitam, então, de ser criteriosamente escolhidos e sobretudo, de ser usados em
topologias que aproveitem as suas características mais optimizadas.
A apresentação e discussão das características mais importantes dos SP em uso hoje em dia, bem como os
circuitos de disparo e de protecção dos mesmos, é feita função da sua tecnologia. Começando pelo díodo,
segue-se o Transístor Bipolar de Junção (BJT, 1950), o Rectificador Controlado de Silício (tiristor, 1956); o
Tiristor de Corte Comandado (GTO, 1960); o Tiristor de Comando de Porta Integrado (IGCT, 1997); o
Transístor de Efeito de Campo de Porta Isolada (Metal Oxido Semicondutor) MOSFET (MOSFET, 1975); o
Transístor Bipolar de Porta Isolada (IGBT, 1983); o Tiristor Controlado por estruturas MOS (MCT, 1984); o
Transístor de Indução Estática (SIT, 1983); o Tiristor de Indução Estática (SITH, 1983).

2. Díodos de Potência
Os díodos de potência actuam, normalmente, como interruptores não comandados directamente com
diferentes funções em diversos conversores de potência, tais como, rectificadores, roda livre, transferência de
energia entre componentes, isolamento, realimentação.
A estrutura de um díodo PIN de potência, Fig. 1 a), consiste numa região do tipo N+ fortemente dopada,
que forma o cátodo, numa região intermédia do tipo N-, fracamente dopada, e numa região do tipo P+
fortemente dopada, que forma o ânodo. O símbolo deste tipo de díodo, Fig. 1 b), é semelhante ao usado para
dispositivos de baixa potência.
As modificações estruturais do díodo de sinal PN para o PIN, necessárias ao seu funcionamento em
tensões e correntes elevadas, são gerais à operação de todos os semicondutores de potência. Desta forma, o
seu estudo mais detalhado no caso do díodo, facilita a compreensão da operação dos demais semicondutores
de potência (SP).
No díodo de potência, a modificação da geometria, relativamente ao díodo de sinal, de lateral para
vertical (seguida por todos os SP), é devida à necessidade de maximizar as áreas do ânodo e do cátodo para
permitir a passagem de correntes elevadas, e de maximizar a taxa de evacuação de calor originado pela
passagem daquelas correntes.
a) b)
Fig.1. a) Estrutura vertical simplificada de um díodo PIN de junção PN de potência com as espessuras típicas. b)
Símbolo de um díodo de potência.
A região fracamente dopada do tipo N- (zona de deriva), apresentada na Fig. 1 b), não encontrada nos
díodos de sinal, tem por objectivo suportar as elevadas tensões inversas aplicadas ao díodo, absorvendo-as na
região de depleção da junção P+N- quando inversamente polarizada (esta técnica é usada de uma forma
sistemática em praticamente todos os SP). A zona de deriva pode ser relativamente extensa, dependendo da
tensão de disrupção que o díodo tem de ser capaz de suportar.
Na Fig. 2 apresenta-se a característica i-v do díodo de potência PIN. Quando directamente polarizado, a
característica é semelhante ao díodo de sinal, sendo a corrente iAK dada por
i AK = I S (eVD ncVT
− 1) , (1)
onde IS é a corrente inversa de saturação quando inversamente polarizado (10-15A a 10-6A); nc é o coeficiente
de emissão; VT é a tensão térmica. Quando inversamente polarizado, se atinge a tensão de disrupção, VBO, a

corrente cresce abruptamente, limitada pelo circuito exterior, podendo provocar a destruição do
semicondutor, devido à excessiva potência dissipada.
Existe uma queda de tensão resistiva Ron, devida à extensa região quase intrínseca N-, que atenua o
carácter exponencial da característica i-v, Fig. 2. Porém, Ron tem um valor substancialmente menor do que se
poderia calcular a partir das suas dimensões físicas. Este facto deve-se ao fenómeno de modulação de
condutividade que existe nesta região durante a condução, devido à injecção de portadores em excesso. No
díodo PIN, Fig. 1, polarizado directamente, a camada P+ injecta lacunas em excesso na região de deriva N-
(onde a grande maioria não se recombina). Esta carga espacial de lacunas origina um campo eléctrico que
força os electrões da zona N+ para N- (fenómeno denominado por dupla injecção), reduzindo fortemente a
resistividade da região de deriva.
Fig.2. Característica i-v do díodo de potência da Fig. 1.
Ainda que, este fenómeno diminua substancialmente a potência dissipada na região quase intrínseca,
existe geralmente uma certa dependência óhmica da queda de tensão com a densidade de corrente que a
atravessa. Um modelo linearizado do díodo em condução pode expressar-se por
v AK = VD + Ron i AK , (2)
com valores da ordem de 1V a 2V.

Para casos particulares, necessitando de grande rapidez de comutação e reduzida tensão de condução,
para baixas tensões (<100V), utilizam-se díodos de efeito de Schottky (junção metal semicondutor).
2.1. Característica dinâmica de comutação
Na Fig. 3 apresenta-se a forma de onda da tensão e corrente, genéricas, num díodo de potência, função do
tempo, durante a passagem à condução e ao corte. As características mais importantes nas formas de onda
representadas na Fig. 3 são, a sobreelevação da tensão aos terminais do díodo na passagem à condução (VOV),
e na passagem ao corte (-Vrr), bem como a corrente inversa no díodo (-Irr) na passagem ao corte e a rapidez
com que esta se anula.
Durante a passagem à condução do díodo, Fig. 3, a taxa de subida da corrente (di/dt), associada à
existência de indutâncias parasitas e ao efeito da modulação de condutividade na região quase intrínseca,
origina uma sobreelevação aos terminais (VOV) que pode atingir as dezenas de volts (denominada por tensão
de recuperação directa). Durante este período de tempo (µs), é necessário, primeiro, descarregar a zona de
carga espacial, e depois injectar os portadores em excesso, processo que é tanto mais lento quando mais
indutivo for o circuito.
Durante o período de tempo de passagem ao corte do díodo, Fig. 3, acontece essencialmente o processo
inverso ao da passagem à condução. Primeiro, é necessário remover o excesso de portadores de carga da
região quase intrínseca (tempo de armazenamento), para que o díodo possa suportar a tensão inversa.
Enquanto existirem excesso de portadores, o díodo está directamente polarizado e a tensão aos seus
terminais, Von, decresce lentamente devido à diminuição de ID.
Fig.3. Característica dinâmica aproximada da tensão e corrente no díodo de potência da Fig. 1, durante a comutação
condução para o corte e vice-versa.
Segundo, a corrente ID continua a diminuir, passando a ser negativa, a zona de depleção expande-se
rapidamente, o díodo fica inversamente polarizado e passa ao corte quando iAK = -Irr (este valor pode ser da
ordem da corrente de condução directa). Neste instante o excesso de portadores de carga já é reduzido e
extingue-se rapidamente. O decaimento abrupto da corrente -Irr, associado com as indutâncias parasitas,
provoca o aparecimento de uma sobreelevação na tensão inversa de valor -Vrr, tendendo a tensão para o valor
–VR, a suportar pelo díodo em regime estático.
O intervalo de tempo trr descrito anteriormente, e apresentado na Fig. 3, é denominado por tempo de
recuperação inversa e é uma das características mais importantes em díodos de potência. Em circuitos de
potência até 1 kHz podem usar-se díodos denominados de rectificação com trr típico de 25 µs. Para
aplicações de alta-frequência existem díodos rápidos e ultra rápidos com trr entre 5µs a 50ns. A grandeza Qrr,
apresentada na Fig. 3, representa a carga inversa armazenada associada ao número de portadores de carga
que flúem na direcção oposta devido à comutação do estado de condução para o corte.
2.2. Circuitos de ajuda à comutação e protecção
Nos SP podem ser necessários circuitos auxiliares que: i) limitam a tensão máxima e a taxa de subida da
tensão máxima (dv/dt) aplicada ao semicondutor durante a passagem ao corte; ii) limitam a corrente máxima
e a taxa de crescimento máxima da corrente (di/dt) no semicondutor durante a passagem à condução; iii)
alisam as formas de onda da corrente e tensão aplicadas ao semicondutor durante os transitórios de
comutação, para diminuir a potência dissipada durante a comutação. Estes circuitos são denominados de
“snubbers”, ou circuitos de ajuda à comutação. Os mais comuns utilizam indutâncias (Ls) em série e malhas
RsCs em paralelo, com ou sem díodo associado (Ds), com os dispositivos semicondutores.
Para além destas protecções dinâmicas, são necessários dispositivos que protejam os semicondutores
contra eventuais sobrecorrentes e sobretensões. Os transitórios de tensão elevada são limitados normalmente
montando em paralelo díodos Zener ou varistores de óxido metálico (MOV), equivalentes a dois díodos
Zener em anti-série. A protecção passiva contra curto-circuitos é geralmente realizada por fusíveis rápidos e
ultra-rápidos (o fusível deve fundir com um valor da característica de choque térmico (I2t) inferior ao
semicondutor).
Mesmo tendo em conta as protecções descritas, os semicondutores devem ser escolhidos com um factor
de segurança que, para a corrente deve ser da ordem de 50% acima da corrente nominal e para tensões deve
ser da ordem de 100% acima da máxima tensão de bloqueio. A potência máxima está, no entanto, limitada
pela capacidade de evacuação do calor do semicondutor.
Para estudar os circuitos de ajuda à comutação do díodo de potência considere-se o circuito da Fig. 4. Na
Fig. 4, a malha RsCs em paralelo com o díodo tem por finalidade protegê-lo contra sobretensões e taxas
elevadas de subida da tensão aos terminais, durante a passagem do díodo ao corte. Normalmente o valor da
indutância parasita em série, Ls, do circuito, é suficiente para proteger o díodo contra taxas elevadas de
subida da corrente, durante a passagem do díodo à condução.
is Ls iCs
Vs iAK
Rs
vAK
Cs vCs
Fig.4. Circuito RsCs de protecção contra sobretensões em díodos de potência.
Considere-se o díodo à condução com uma corrente iAK. Quando for imposta uma tensão inversa Vs ao
díodo, a corrente is carrega o condensador Cs até Vs=vCs=-vAK. Neste período de tempo, admitindo que a
energia armazenada na bobina Ls é transferida para o condensador Cs. Considerando que a passagem ao corte
do díodo se faz com is=Irr, então
1 1
Ls I rr2 = C sVs2 , (3)
2 2
donde resulta
Ls I rr2
Cs = . (4)
Vs2

Quando o díodo passar à condução a energia armazenada em Cs vai ser dissipada na resistência Rs, aqui
colocada para este efeito, e para limitar a corrente no díodo. Assim, a potência dissipada na resistência Rs é
dada por
⎛1 1 ⎞
PRs = ⎜ Ls I rr2 + C sVs2 ⎟ f , (5)
⎝2 2 ⎠
onde f é a frequência de comutação do díodo.
Convém referir que, o díodo só passa à condução se a corrente no sentido ânodo-cátodo (imposta pelo
circuito exterior) for superior à corrente –iCs de descarga do condensador Cs. Durante o período de tempo em
que o díodo está à condução, o condensador Cs tem que se descarregar por completo, na malha RsCsD. Ou
seja,
t on ≥ 3Rs C s , (6)
onde ton é o tempo de condução do díodo. Caso (6) não se verifique, quando o díodo passar novamente ao
corte, o condensador ficará carregado com um valor bastante superior à tensão Vs, podendo originar a
destruição do díodo ou do condensador. A resistência Rs é dimensionada de modo a garantir um factor de
amortecimento ξ≈0,7, no circuito RsLsCs,
Rs Cs
ξ= . (7)
2 Ls
No instante em que o díodo passa ao estado condutor, a sua corrente não deve exceder o valor IFRM.
Dado que, nesse instante vAK = Vs, então ter-se-á Rs > Vs I FRM .
2.3. Dissipação de potência
Normalmente, num díodo apenas é necessário considerar as perdas de condução, na qual a tensão vAK é
dada por (2). Então, a potência média Pd, num período de funcionamento T, vale
Pd = V D I AK DC + Ron I 2 AK RMS . (8)
Esta potência origina um aumento da temperatura do dispositivo que, se exceder a temperatura máxima
de funcionamento, pode levar à destruição do semicondutor. Os fabricantes indicam, normalmente, como
temperatura máxima da junção, para funcionamento em regime nominal, o valor de Tj=125 ºC. Para que esse
valor não seja alcançado é necessário, na maior parte das aplicações de potência, fornecer meios auxiliares
para a boa evacuação do calor de dentro do semicondutor para o exterior, o que é geralmente realizado por
fixação deste a dispositivos dissipadores.
Na Fig. 5 a) apresenta-se o esquema simplificado de uma montagem de um díodo num dissipador. O calor
gerado na região da junção, a uma temperatura Tj, é transmitido até à superfície do dissipador (à temperatura
Ts) em contacto com o ar (à temperatura Ta) por condução térmica, através da pastilha do semicondutor pela
cápsula metálico envolvente (à temperatura Tc) fixada no dissipador, para facilitar a troca de calor. O

dissipador tem uma forma tal que maximiza a sua superfície de contacto com o ar (ou outro meio
refrigerante) de modo a baixar a sua temperatura.
Conforme se observa na Fig. 5 a), em regime quase estacionário, pode dizer-se que o calor flui pelos
diferentes materiais até à superfície, cada um com uma condutividade térmica diferente, podendo definir-se
resistências térmicas na zona de contacto entre os diferentes materiais: Rθjc, junção-cápsula; Rθcs, cápsula-
dissipador; Rθsa, dissipador-ambiente. Considerando que Rθ (ºC/W) é definida por
Rθ = ∆T , (9)
Pd
com ∆T=T2-T1 a diferença de temperatura entre duas regiões. Então, o sistema da Fig. 5 a) pode ser
modelado, em equilíbrio térmico, pelo circuito eléctrico equivalente da Fig. 5 b), onde, a resistência térmica
junção-ambiente é dada por
Rθ ja = Rθjc + Rθcs + Rθsa . (10)
a) b)
Fig.5. a) Esquema simplificado de uma montagem de um díodo num dissipador. b) Modelo eléctrico equivalente, em
equilíbrio térmico, ao sistema apresentado em a).
Considerando (9), a temperatura da junção vale

T j = Pd Rθ ja + Ta . (11)
Esta última equação estabelece, dada uma temperatura ambiente Ta e resistência térmica Rθja, as correntes
máximas no díodo (8), ou seja, a potência dissipada Pd. Deste modo, considerando (10) e (11), pode calcular-
se a resistência térmica Rθsa do dissipador
T j − Ta
Rθ sa = − (Rθjc + Rθcs ), (12)
Pd
Geralmente, Rθsa apresenta um valor reduzido, implicando um dissipador volumoso para poder dissipar a
potência de perdas do dispositivo. O volume do dissipador poderá ser reduzido usando ventilação forçada.
3. Transístor Bipolar de Junção (TBJ)
O TBJ (geralmente do tipo NPN), alicerce dos semicondutores de potência totalmente comandados
usados em conversores electrónicos de potência, permite o comando de passagem à condução e ao corte,
usando uma corrente relativamente reduzida.

Na Fig. 6 a) apresenta-se a estrutura vertical, com quatro camadas N+N-PN+, de um TBJ de potência do
tipo NPN (os TBJ do tipo PNP são menos utilizados em potência devido à menor mobilidade das lacunas), e
o respectivo símbolo na Fig. 6 b). Um TBJ é constituído por uma zona estreita de semicondutor tipo P,
denominada base (com uma espessura que é um compromisso entre um ganho de corrente e uma tensão de
disrupção elevados), e duas zonas de semicondutor do tipo N, a mais fortemente dopada é o emissor sendo a
outra o colector, formando a junção emissora BE e colectora BC.
a) b)
Fig. 6. a) Estrutura vertical simplificada de um BJT de potência com as espessuras típicas. b) Símbolo de um TBJ de
potência.
Em EP o TJB deve funcionar como um interruptor, porque a excessiva potência dissipada na zona activa
é um factor impeditivo da sua utilização em CEP. Deste modo, interessam apenas duas zonas de
funcionamento do TBJ, saturação e corte, não sendo a zona activa utilizada (vBE>0, vCB>0 e vCE>0 com
iC=βFiB, onde βF é o ganho de corrente). Na denominada zona de saturação, as duas junções estão polarizadas
directamente (vBE>0 e vCB<0), pelo que o transístor apresentará uma baixa impedância entre o terminal de
base e os terminais do emissor e colecto, sendo as correntes que o percorrem limitadas pelo circuito exterior.
Nesta situação diz-se que o TBJ está à condução, com iC<βFiB, apresentando uma tensão aos terminais de
vCE≈vCEsat.
Na denominada zona de corte, com iB=0, o transístor apresentará uma alta impedância entre os seus
terminais, sendo percorrido por correntes da ordem de grandeza das correntes inversas de saturação da
junção PN equação (1).
Na Fig. 7 apresenta-se a característica típica de saída dum TBJ de potência iC=f(vCE) do tipo NPN, função
da corrente de base iB.

Fig.7. Característica tensão-corrente de um TBJ de potência, do tipo NPN.

Os aspectos mais importantes da característica iC=f(vCE) do TBJ de potência, Fig. 7, são: Primeiro, a
corrente máxima de colector, ICM. Segundo, o fenómeno de avalanche a partir duma certa tensão vCE (i.e.
crescimento incontrolado da corrente iC), tensão que depende das condições de polarização da base. Para
iB=0, o valor máximo da tensão vCE é VCEO, associada à disrupção da junção colectora. Para iB<0 (vBE<0), o
valor máximo da tensão vCE é VCEX. Esta região, designada de primeira disrupção, deve ser evitada, pois
provoca elevada potência dissipada. Por outro lado, a região da segunda disrupção é a causadora da
destruição do TBJ de potência. Este fenómeno acontece quando a tensão vCE diminui e a corrente ic aumenta
excessivamente, provocando uma dissipação não homogénea da potência no dispositivo e consequente
destruição (os TJB de potência modernos têm vários emissores e bases interligados para reduzir a densidade
de corrente que pode levar ao fenómeno de segunda disrupção). Terceiro, existe uma zona denominada de
quase-saturação, devida à região de deriva fracamente dopada do colector.
Para aplicações com frequências elevadas evita colocar-se o transístor numa região de saturação
profunda, ou seja faz-se iB≈iC/βsat (onde βsat é o ganho de corrente na região de saturação) e vCB>0,6V (i.e. a
junção BC inversamente polarizada como na região activa), dizendo-se então que o transístor funciona na
região de quase-saturação. Esta região dissipa uma maior potência quando em condução (vCE é mais elevado,
normalmente da ordem dos 2V a 4V), mas permite comutações mais rápidas, pois diminui o tempo de
armazenamento na passagem ao corte do TBJ.
3.1. Característica dinâmica de comutação. Potência dissipada
Nos SP os intervalos de tempo durante os quais decorrem as comutações podem assumir grande
importância, principalmente se a frequência de comutação for elevada, uma vez que a corrente e tensão têm
valores elevados nestes intervalos. Este facto é enfatizado devido a eventuais indutâncias e capacidades
intrínsecas dos circuitos.

Na Fig. 8 representa-se o andamento da tensão, corrente e potência dissipada, na entrada em condução e

ao corte do TBJ no funcionamento sobre uma carga resistiva pura (R0), supondo circuitos de ajuda à
comutação, a tratar posteriormente.
O valor médio da potência de comutação Ps pode ser calculada, considerando variação linear de vCE(t) e
iC(t) durante a comutação, Fig. 8 a), por
T
1
Ps = ∫ vCE (t )iC (t )dt , (13)
T 0
assim, durante o processo de comutação corte-condução, supondo o tempo de subida da corrente tr, a
corrente e tensão aos terminais do TBJ valem, Fig. 8 b), respectivamente,
Ic
iC = t, (14)
tr
Vcc
vCE = Vcc − t, (15)
tr
considerando t=0 no início do processo de condução.
iC
R0
Vcc
RB
vCE
vi vBE
a) b)
Fig.8. a) TBJ em regime de comutação. b) Evolução da corrente, tensão e da potência dissipada no TBJ da Fig. 8 a),
com: td, tempo de atraso; tr, tempo de subida da corrente; ts, tempo de armazenamento; tf, tempo de descida da corrente.
Durante o processo de comutação condução-corte, supondo o tempo de descida da corrente tf, a corrente e
tensão aos terminais do TBJ valem, Fig. 8 b), respectivamente,
Ic
iC = I c − t, (16)
tf
Vcc
vCE = t, (17)
tf
considerando t=0 no início do processo de corte.
Substituindo (14) a (17) em (13), resulta

tr + t f
Ps = Vcc I c . (18)
6T
Da relação anterior é possível concluir que, para que a potência de comutação seja desprezável, tr+tf<<T
(i.e. para baixas frequências). Se a carga for indutiva e não existirem circuitos de ajuda à comutação, que
suavizem as formas de onda da tensão e corrente, então a potência dissipada pode subir até 3 vezes o valor
calculado por (18).
Suportando o TBJ uma potência máxima Pt, a potência dissipada em condução é
Pd = vCEsat I c δ , (19)
em que δ=ton/T é o factor de ciclo, ou seja, a razão entre o tempo de condução do transístor ton e o seu
período de funcionamento T. Então, a frequência máxima de comutação fmáx, pode ser obtida, considerando
desprezável a potencia dissipada quando o TBJ está ao corte,
Pt = Ps + Pd , (20)
donde resulta
Ptot
f máx = . (21)
tr + t f
Vcc I c + vCEsat I c t on
6
Considerando (21), as características do semicondutor utilizado e do circuito exterior, pode calcular-se a
frequência máxima de operação do semicondutor para uma determinada potência dissipada, desde que o
dissipador garanta o arrefecimento adequado do TBJ.
3.2. Circuitos de ajuda na comutação
Para estudar os circuitos de ajuda à comutação no TBJ considere-se uma montagem com carga indutiva
(R0L0) em paralelo com díodo em roda livre (D0), de acordo com a Fig. 9 a), onde a indutância Ls limita a
taxa diC/dt e o condensador Cs limita a taxa dvCE/dt. A resistência Rs dissipa a energia armazenada no
condensador quando o TBJ passa à condução. O díodo Ds em paralelo com a resistência Rs impede que esta
aumente significativamente o valor dvCE/dt a suportar pelo TBJ.
Devido ao fenómeno de segunda disrupção, o TBJ é muito sensível a valores elevados de diC/dt. Para os
reduzir, pode alterar-se a posição da resistência Rs no circuito da Fig. 9 a), para a posição apresentada na Fig.
9 b). Analisando o funcionamento do novo circuito, verifica-se que, na passagem do TBJ ao corte, a energia
armazenada em Ls é transferida para Cs e o excesso para Rs. Quando o TBJ passa à condução a indutância Ls
limita também o di/dt relativo à corrente de descarga do condensador Cs.

R0 L0 R0 L0
D0 D0
iC Ls iC Ls Rs
Ds
Vcc Vcc
Ds
RB Rs RB
vCE vCE
Cs Cs
vi vBE vi vBE
a) b)
Fig.9. TBJ com carga indutiva em paralelo com díodo em roda livre e circuito de ajuda à comutação: a) sem limite
di/dt na descarga do condensador Cs; b) com limite di/dt na descarga do condensador Cs.
Considerando o circuito da Fig. 9 b), a estimativa dos valores de Ls e Cs pode ser feita, atendendo à
evolução teórica da corrente e da tensão aos terminais do TBJ, dada na Fig. 8 b). Assim, supondo que, na
passagem ao corte a corrente ic demora tf a anular-se, de acordo com a equação (16), e ao fim deste tempo a
tensão vCE=Vcc, tem-se
tf
1
C s ∫0
vCE = iC dt = Vcc , (22)
donde resulta que

IC
Cs = tf . (23)
2Vcc
Do mesmo modo, supondo agora que na passagem à condução a corrente demora tr a estabelecer-se, e a
tensão vCE varia de acordo com a equação (15), tem-se
t
1 r
Ls ∫0
iC = vCE dt = I C , (24)
donde resulta que

Vcc
Ls = tr . (25)
2I C
No circuita da Fig. 9 b), a resistência Rs dissipa aproximadamente a energia armazenada em Ls, enquanto
o TBJ está no corte (toff), e a energia armazenada em Cs, durante a condução (ton). Então, uma estimativa
possível para Rs é obtida verificando-se a desigualdade Ls/toffmin<Rs <tonmin/Cs. A potência dissipada na
resistência é dada por uma expressão semelhante a (5). Na estimativa do valor de Rs pode ter-se em conta
que, da energia armazenada em Cs (durante a passagem ao corte do TBJ) parte é dissipada em Rs e parte é
transferida para Ls (durante a passagem à condução do TBJ).
3.3. Circuitos de disparo e protecção
Os circuitos de disparo (ou ataque) da porta recebem o sinal, vi, proveniente de um circuito gerador do
sinal de comando (que contém a informação de condução e corte) e processam o sinal, amplificando-o para

um valor de tensão e corrente necessário ao disparo do semicondutor. No caso do TBJ o nível de

complexidade do circuito de disparo depende do valor da corrente iC e do valor do ganho βF.
Para possibilitar elevadas tensões de disrupção, os TBJ de potência têm regiões da base relativamente
espessas, o que implica ganhos de corrente β entre 5 e 10 apenas. Então, existe a necessidade de vários
estágios para amplificação da corrente do sinal de comando, constituídos normalmente por uma ou mais
montagens em cascata, com TBJ de potência inferior, montados como inversor, seguidor, seguidor
complementar, de acordo com a Fig. 10.
Devido ao fenómeno da modulação da condutividade, para se obterem comutações condução-corte
rápidas, não se deve colocar o TBJ em saturação profunda (iB>>iC/βF), pois o grande excesso de portadores
na região de base levaria demasiado tempo a recombinar-se, aumentando o tempo de armazenamento ts,
próprio do dispositivo. Deve fornecer-se apenas a corrente de base necessária para exceder ligeiramente
iC/βF, o que se consegue utilizando o conjunto dos díodos Da1, Da2 e Da3, designados díodos anti-saturação,
conforme se observa na Fig. 10.
Supondo uma tensão vi suficientemente elevada, no circuito da Fig. 10, para que Da1, Da2 e Da3 conduzam,
então tem-se, vCB≈0,7V donde vCE≈1,4V, funcionando o TBJ na região de quase-saturação. Querendo
diminuir vCE pode usar-se apenas Da1 e Da3, funcionando o TBJ mais perto da saturação, pois vCB≈0V e
vCE≈0,7V. Na passagem ao corte, para permitir retirar uma corrente da base, necessária à remoção dos
portadores livres desta região, é necessário a utilizar-se o díodo Dc, caso contrário a comutação é
relativamente mais lenta.
R0 L0
A B C D
iC D0
Da3
+V Vcc
Ri RB Da1 Da2
vCE
vi
-V CB Dc vBE
Fig. 10. Circuito de disparo de um TBJ de potência: A, circuito gerador do sinal de comando; B, andar de amplificação
de corrente; C, circuito de aceleração da comutação; D, circuito anti-saturação.
De modo a acelerar as comutações corte-condução e condução-corte no TBJ é, ainda, usual utilizarem-se

malhas RC no circuito da base do TBJ. Na Fig. 10 apresenta-se um destes circuitos, onde o condensador CB
fornece o pico de corrente elevado necessário a uma comutação corte-condução e condução-corte mais
rápida, e a resistência RB fornece o valor de corrente em regime permanente de condução do TBJ, conforme
se ilustra na Fig. 11. O circuito RBCB é calculado de forma a que a respectiva constante de tempo compense a
constante de tempo introduzida pela resistência e capacidade equivalentes do circuito de base do TBJ, de
modo a formar um filtro passa-tudo, segundo [6].

ton
iB
Vi-VBEsat
RB+Ri
τ
τ t
Fig. 11 Corrente de base, aproximada, do TBJ do circuito da Fig. 10, com circuito de aceleração.
Nas situações em que o valor do ganho de corrente βF do TBJ de potência for demasiadamente pequeno,
devido à necessidade de circuitos de ataque da base de potência elevada, utilizam-se configurações do tipo
Darlington (montagem de dois TBJ, um de pequena potência, com βF1, e outro de elevada potência, com βF2),
como se mostra na Fig. 12, obtendo-se desta forma ganhos elevados βD, superiores ao produto dos ganhos
dos dois TBJ, de acordo com β D = β 1 + β 2 + β 1 β 2 . Para se atingirem ganhos de corrente, ainda, mais
elevados usam-se configurações do tipo Darlington triplo.
Para melhorar o desempenho da montagem Darlington da Fig. 12, é normal usar-se um díodo D1 para
acelerar a passagem ao corte do TBJ Q2, e uma resistência R12 para evitar que a corrente de fugas do Q1 seja
amplificada no Q2 na situação de corte. Esta montagem apresenta ainda a característica do TBJ de potência
Q2 trabalhar na região de quase-saturação, pois na condução a tensão vCE1=vCB2>0.
C
B Q1
Q2
R12
D1
E
Fig.12. Transístor Darlington.
Caso seja necessária separação galvânica entre os circuitos de potência e de comando, esta pode ser
obtida através de transformadores de impulsos, acopladores ópticos, fibras ópticas e mais raramente por
acoplamento capacitivo.
Em relação aos circuitos de protecção normais já discutidos para protecção contra sobretensões e
sobrecorrentes salienta-se que, no caso destas últimas, para o caso de TBJ de potência quase nunca se recorre
ao uso de fusíveis dado que estes são muito mais lentos que o TBJ que se quer proteger, pois o TBJ tem
fracas características de choque térmico. Em vez deles, usam-se circuitos activos que, medindo a corrente de
colector, podem colocar o TBJ no corte se a corrente atingir valores excessivos. O circuito pode incluir um
díodo rápido que mede a tensão vCE. Efectivamente, esta aumenta com uma sobrecorrente sobretudo porque
o TBJ deixa de estar nas mesmas condições de saturação. A tensão vCE é comparada com um valor de

referência e quando se lhe for superior faz actuar um circuito auxiliar que desvia a corrente de base par a
massa, passando o TBJ ao corte.
3.4. Circuito de geração de tempos mortos
Em braços de conversores electrónicos com semicondutores de potência, totalmente comandados, em

paralelo com uma tensão de alimentação, é fundamental que exista um tempo morto (atraso) entre a ordem
de passagem dum dispositivo à condução e a ordem de passagem ao corte do outro dispositivo no mesmo
braço do conversor. No caso dos TBJ de potência, este tempo morto deve ser escolhido de forma a ser
superior ao maior tempo de armazenamento, ts, dos TBJ utilizados, para evitar condução simultânea.
Na Fig. 13 a) apresenta-se um circuito capaz de gerar dois sinais de comando (v1i e v2i) com tempo morto
(tm1 e tm2) para os dois TBJ num mesmo braço dum conversor, partindo do mesmo sinal de comando vi.
O circuito da Fig. 13 a) baseia-se no atraso fornecido por duas malhas RC para fornecer o atraso para a
passagem à condução e corte dos semicondutores, e de dois comparadores diferenciais que comparam o sinal
com uma tensão de referência (v1c e v2c). Na Fig. 13 b) mostra-se a evolução temporal das grandezas mais
significativas do circuito da Fig. 13 a) e que comprovam o funcionamento deste.
vi
v' 1i t
D1i
v' 1i v1c
v1c v1i
v' 2i t
r1i C1i
vi v2c
r2i
C2i t
v2c v1i
v2i
D2i v' 2i
v2i t
t
tm1 tm2
a) b)
Fig. 13. a) Circuito de geração de tempos mortos. b) Formas de onda do circuito da Fig. 13 a).
4. Tiristor (Thyristor, Silicon Controled Rectifier, SCR)
Os tiristores são dos dispositivos de estado sólido mais antigos, porém as suas propriedades de
basculamento conjuntamente com a capacidade de processamento de potências muito elevadas asseguram
ainda ao tiristor aplicações muito importantes no campo da electrónica de potência.

A estrutura simplificada do tiristor, para aplicações em electrónica de potência, é apresentada na Fig. 14

a), e o respectivo símbolo, Fig. 14 c). Onde se observa uma estrutura de quatro camadas PNPN, com três
junções PN, e três terminais: ânodo, cátodo e porta (gate).
Com uma tensão positiva aplicada do cátodo para o ânodo, as duas junções PN exteriores ficam
polarizadas inversamente, fluindo apenas uma corrente (inversa) muito pequena através do tiristor (iR≈0). A
característica tensão-corrente do tiristor na zona inversa é então, bastante semelhante à do díodo em idêntica
situação, conforme se mostra na Fig. 15.
Uma tensão ânodo-cátodo positiva, polariza inversamente a junção intermédia (de bloqueio -comando),
estabelecendo-se aí uma região de carga espacial que suportará a tensão directa aplicada ao dispositivo.
Fluirá uma corrente muito pequena, agora no sentido contrário, que aumenta com a tensão directa. Se esta
tensão ultrapassar o valor limite de disrupção, VBO (break-over), o dispositivo torna-se condutor, Fig. 15,
muito embora não seja este o processo correcto de o colocar na situação de condução.
A técnica mais comum de colocação do tiristor à condução, polarizado directamente, consiste na injecção
de um impulso de corrente na porta, com uma amplitude e duração adequadas, além de que a tensão porta-
cátodo deve superar um valor mínimo. Para descrever o funcionamento do tiristor considere-se o circuito
equivalente, da Fig. 14 b), composto por dois BJT ligados de tal forma que o colector de um alimenta a base
do outro. Deste modo, uma corrente reduzida fornecida à base do transístor NPN (a porta do tiristor) é
amplificada, alimentando a base do transístor PNP, onde é mais amplificada e adicionada à corrente original.
Deste modo, uma corrente inicial reduzida pode rapidamente crescer para uma corrente de ânodo elevada,
que é limitada pelo circuito exterior.
A
PNP
A
G
G K
NPN
a) b) c)
Fig. 14. a) Estrutura de um tiristor de alta tensão. b) Esquema equivalente simplificado do tiristor. c) Símbolo do
tiristor.
Quanto maior for o valor da corrente de comando, menor será a tensão de polarização directa necessária,
Fig. 15. O valor mínimo da corrente principal, necessário ao estabelecimento do processo de condução é
designado por corrente de lançamento (IL≈2%Inominal). Após passagem à condução (vAK≈1V), a corrente de
comando pode ser anulada, sem que haja qualquer alteração no funcionamento do tiristor.
A passagem da condução ao corte verifica-se quando a corrente iAK desce abaixo da corrente, IH, de
manutenção (IH≈1%Inominal), o tempo suficiente, de modo a que a carga armazenada seja retirada (por
recombinação). Outra técnica consiste na inversão da tensão ânodo-cátodo, o que origina uma corrente
inversa elevada ânodo-cátodo até que os portadores de carga sejam retirados. Este processo é semelhante à
corrente de recuperação inversa nos díodos, e resulta num tempo de comutação mais reduzido.
Fig. 15. Característica corrente-tensão de um tiristor.
A aplicação duma corrente de porta ao tiristor noutra situação que não seja a quando da sua colocação à
condução, polarizado directamente, aumenta-lhe as perdas, podendo originar a sua destruição por dissipação
excessiva, tanto mais que a sua tensão aos terminais pode ser elevada.
No tiristor, a passagem da condução ao corte e vice-versa é bastante mais lenta que nos TBJ. A lentidão
da resposta está relacionada com os tempos de armazenamento e de recombinação dos portadores
minoritários nas várias junções que compõem o semicondutor.
A característica dinâmica do tiristor é muito semelhante ao do díodo de potência, verificando-se o
aparecimento duma corrente inversa importante durante um intervalo de tempo de alguns microsegundos,
após o qual a corrente evolui rapidamente para a corrente inversa de fugas.
4.1. Limitação di/dt e dv/dt e protecções
Considere-se o circuito da Fig. 16 a), um rectificador de meia onda, com um tiristor T1, a alimentar uma
carga R0, com uma tensão alternada v s = 2Vef senωt . Suponha-se que o tiristor T1 é disparado com um
ângulo próximo do valor máximo da tensão alternada e não existe a indutância Ls em série.
vs
T1 iG LS
ωt
iG
vAK iT
vs R0
ωt
iT (1 )
(2 )
α π ωt
a) b)
Fig. 16. a) Rectificador de meia onda com tiristor montado com protecção di/dt. b) Formas de onda das grandezas no
circuito, sem (1) e com (2) protecção di/dt.

Da análise da evolução temporal da corrente iT, forma de onda “1”, Fig. 16 b), verifica-se que o
estabelecimento da corrente apresenta um di/dt muito elevado
di 2Vef
= , (26)
dt R0 t r
onde tr é o tempo de subida da corrente no tiristor. Este valor pode ser muito elevado, sem que o dispositivo
esteja já a conduzir em toda a extensão das suas junções. Passará então uma corrente intensa apenas numa
região limitada, provocando, nessa zona, uma forte dissipação de potência, que poderá levar à destruição do
dispositivo. Existe, assim, a necessidade de o proteger impedindo a sua destruição. Para tal é necessário
incluir uma bobina Ls, em série no circuito, para limitar a taxa de crescimento da corrente, conforme se
mostra na Fig. 16 a) e na forma de onda “2”, Fig. 16 b). Considerando a inclusão da indutância no circuito da
Fig. 16 a), obtém-se
di v s − v AK − R0 iT
= . (27)
dt Ls
Cujo valor máximo pode ser obtido, desprezando vAK e sabendo que iT=0 imediatamente antes do disparo e
condução do tiristor, donde resulta
⎛ di ⎞ 2Vef
⎜ ⎟ = , (28)
⎝ dt ⎠ máx Ls
valor que deve ser inferior ao valor (diT/dt)T admissível do tiristor, da ordem da corrente nominal por
microsegundo. Deste modo,
2Vef
Ls ≥ . (29)
⎛ di ⎞
⎜ ⎟
⎝ dt ⎠ T
Na Fig. 17 apresenta-se o circuito constituído por uma malha RsCs em paralelo com o tiritsor,
normalmente usado para limitar o dvAK/dt aos seus terminais.
O dimensionamento do circuito RsCs, apresentado na Fig. 17, é realizado considerando-se que o
transitório de passagem ao corte de um tiristor é semelhante ao de um díodo. Assim, o valor de Cs e Rs limita
a sobretensão que ocorre devido à passagem ao corte do tiristor, que se processa com uma corrente negativa
Irr (a existência desta corrente em Ls provoca uma sobretensão para manter a continuidade da energia
magnética). Assim, um valor típico para Cs é dado por (4), sendo o valor exacto escolhido para minimizar a
sobretensão e a energia dissipada em Rs.
T1 iG LS
vAK iT
RS CS
U
Fig. 17. Circuito para protecção dvAK/dt e diAK/dt do tiristor.
Considerando a tensão aos terminais da malha RsCs, no circuito da Fig. 17, obtém-se
dv AK di 1
= Rs T + IT , (30)
dt dt C s
com um valor máximo dado por, segundo [6], para IT=0 e ξ<0,5,
⎛ dv AK ⎞ ⎛ di ⎞
⎜ ⎟ = Rs ⎜ T ⎟ , (31)
⎝ dt ⎠ máx ⎝ dt ⎠ máx
onde o valor de (diT/dt)máx é dado pela equação (28). Deste modo, o valor da equação anterior deve ser
inferior ao valor (dvAK/dt)T, da ordem da tensão nominal por microsegundo, admissível do tiristor, donde
⎛ dv ⎞
Ls ⎜ AK ⎟
⎝ dt ⎠ T
Rs < . (32)
2Vef
Esta resistência Rs dissipa uma potência dada pela equação (5).

Os valores dos parâmetros RsLsCs devem ser escolhidos de forma a minimizar a sobretensão inversa e a
energia dissipada em Rs [6].
A malha RC da Fig. 17 protege, também, o tiristor contra disparos intempestivos, quando este está ao
corte. Nesta situação o tiristor apresenta uma capacidade equivalente (Ceqoff), correspondente ao
armazenamento de cargas eléctricas na região de carga espacial. Assim, uma rápida variação positiva da
tensão aos seus terminais (dvAK/dt) originará uma corrente directa, iAK=CeqoffdvAK/dt, que poderá ser
suficiente para lançar o dispositivo à condução, desde que directamente polarizado, mesmo sem o impulso de
corrente na porta.
4.2. Circuitos de disparo
Usualmente os circuitos usados para o disparo dos tiristores têm isolamento galvânico. Este facto deve-se
não só à enorme diferença na ordem de grandeza das tensões usadas no circuito de potência, onde o tiristor
está inserido, e as usadas nos circuitos de comando e disparo do tiristor, mas também ao facto de,
geralmente, os terminais de comando do tiristor estarem a potenciais diferentes dos da massa dos circuitos de
potência, bem como à necessidade de protecção de pessoas e equipamentos.
Das técnicas usadas para transmitir sinais com isolamento galvânico, o transformador de impulsos e o
acoplamento óptico (opto-acoplador ou fibra-óptica para tensões mais elevadas), são as mais comuns: i) no
caso do transformador o sinal de comando é transmitido com a potência necessária ao ataque da porta do
semicondutor, porém, é necessário assegurar que o seu circuito magnético não satura, havendo necessidade
de circuitos auxiliares para garantir que o valor médio da tensão aplicada seja nulo; ii) no caso do
acoplamento óptico é necessário amplificar o sinal após a transmissão o que requer fontes de tensão isoladas,
no entanto, é possível a transmitir uma grande variedade de sinais, limitados apenas pela largura de banda do
sistema.
Na Fig. 18 a) apresenta-se um circuito de disparo típico do tiristor com isolamento galvânico por
transformador de impulsos. Conhecendo-se os valores iGK e vGK dados pelo fabricante para o disparo do
tiristor é possível dimensionar os parâmetros do circuito da Fig. 18 a).
Supondo que a tensão vi, no circuito, tem um valor que coloca o TBJ à condução, a tensão aos terminais
do primário do transformador v1 de impulsos vale, Fig. 18 b),
v1 = v c = Vcc − vCEsat − R1i1 , (33)
aproximadamente igual à tensão v2, pois a relação do número de espiras é normalmente 1:1. Assim, o díodo
D2 conduz e a tensão aplicada no comando do tiristor vale, Fig. 18 b),
vGK = ve = v1 − v D 2 . (34)
Uma vez que iGK=i1, então

Vcc − VCEsat − v1
R1 = . (35)
iGK
vi
vCE t
A
Vcc R1 i1 1:1 D2 G va
K vb
D1
v1 v2 vGK
C1 D3 t
Vz
ton
RB
v1 T
vCE vc
vi A
vd B t
vGK
ve
vf
a) b) t
Fig. 18. a) Circuito de disparo do tiristor com isolamento galvânico por transformador de impulsos. b) Formas de onda
mais significativas do circuito de disparo.
Quando a tensão vi se anula, e o TBJ passa ao corte, passando a tensão aos seus terminais para, Fig. 18 b),
vCE = v a = Vcc + VD1 + V z , (36)
neste instante a tensão aplicada ao primário vale, Fig. 18 b),

v1 = v d = −V z − VD1 , (37)
que provoca a desmagnetização do núcleo do transformador, ficando neste valor até a área B ser igual à área
A, Fig. 18 b). Quando isso acontecer o núcleo do transformador está desmagnetizado e a tensão aos terminais
do TBJ desce para vCE=Vcc=vb. Após a aplicação do impulso, a tensão aos terminais de comando do tiristor
tem um valor, dependendo do estado de condução do mesmo (D2 ao corte). Se este estiver ao corte vale zero,
vGK=vf=0, se estiver à condução, a junção PN (porta-cátodo) está directamente polarizada e vGK=vf≈0,7.
Geralmente, pode utilizar-se um único impulso para o colocar à condução. No entanto, se a carga for
predominantemente indutiva, é preferível a aplicação de trem de impulsos suficientemente longo, de modo a
garantir o disparo seguro do tiristor cuja corrente demore alguns instantes a atingir o valor da corrente de
lançamento, sem que isso implique um aumento significativo da potência dissipada na porta.
Na Fig. 19 mostra-se um outro circuito para disparo do tiristor por acoplamento óptico com fototiristor
(LASCR).
vi A
G
K
Fig. 19. Circuito de disparo do tiristor com isolamento galvânico por foto-tiristor.
Para geração do sinal de disparo (vi) de um tiristor, tradicionalmente é usado o método de controlo
individual de fase (CIF). Na Fig. 20 apresenta-se o diagrama de blocos que pode ser utilizado para construir
um circuito que gere os sinais de disparo para dois tiristores montados na mesma fase de um rectificador.
Existem actualmente circuitos integrados que apenas necessitam da amostragem da tensão da rede para
gerarem os sinais de comando, como por exemplo o UAA145 e o TCA785.
Isolamento
Sin ais de disparo
galv ân ico , Detecção d e zero Comparação da Geração d os
para do is
Rede abaixamento e e geração da rampa com sinal sinais para dois
tiristores
limitação d a rampa síncron a de referência tiristores
desfasado s 180 º
tensão
Tensão d e referên cia

Fig. 20. Diagrama de blocos dum circuito para geração do sinal de comando de um tiristor, do tipo CIF.
5. Tiristor de porta controlada (GTO)
O Tiristor GTO possui a característica extremamente conveniente de poder passar ao estado de corte
mediante a aplicação de um impulso de corrente negativa na porta, o que o torna, actualmente, no SP capaz
de processar maiores potências.
Os tiristores de porta controlada (GTO) (símbolo do GTO apresentado na Fig. 21 b)) são projectados de
modo a permitirem a aplicação de uma corrente negativa de porta suficiente para cessar o processo de
condução, forçando o dispositivo a passar ao corte. Isto envolve tipicamente uma estrutura de porta mais fina
interdigitada com o cátodo, conforme se observa na Fig. 21 a), um ganho de corrente mais elevado no
transístor NPN e reduzido o PNP, para permitir a aplicação de correntes inversas na porta com cerca de 10 a
20% da corrente do ânodo para interromper a condução.

A
G
K
a) b)
Fig. 21. a) Estrutura física simplificada de um tiristor GTO. b) Símbolo do GTO.
No GTO favorece-se a zona de porta (múltiplas portas em paralelo), ao contrário do tiristor no qual se
obriga a corrente de porta a passar por uma superfície reduzida. Por esta razão no GTO o diAK/dt deixa de ser
um problema, pois o GTO tem muitas portas e cátodos em paralelo, Fig. 21 a), que devem, no entanto, ser
comandados todas ao mesmo tempo.
A característica tensão corrente de um tiristor GTO é muito semelhante à de um tiristor convencional,
excepto: i) na zona inversa os GTO do tipo assimétrico suportam um valor máximo de tensão (VRRM) muito
menor; ii) a maior queda de tensão de condução directa, cerca de 2V a 3V; iii) o elevado valor da corrente de
lançamento IL≈0,1IGTO, geralmente igual à corrente de manutenção IM.
A estrutura do GTO é responsável por características de comando de porta, totalmente distintas, das
apresentadas pelos tiristores convencionais, Fig. 21. Assim, estando o GTO directamente polarizado, para o
colocar à condução é necessário um sinal de porta com uma tensão mínima porta cátodo, VGT, da ordem de
1V a 2V e uma corrente de porta mínima, IGF, necessária durante toda a condução com cerca de 1A. Porém, o
impulso inicial de corrente de porta na passagem à condução, IGM, necessário enquanto a corrente principal
não atingir o valor da corrente de lançamento (twg≈dezena de µs), tem valores próximos da corrente de
lançamento, IL, e uma taxa mínima de subida da corrente, diG/dt, entre 3 a 10A/µs, de acordo com a Fig. 22.
iG
diG/dt
IGM
IGF
t
twg
diGQ /dt
IGQ
Fig. 22. Forma de onda, aproximada, da corrente de porta de um tirisor GTO.
Uma vez à condução, para colocar o GTO ao corte, desde que exista uma malha alternativa para a
corrente de ânodo, IGTO, é necessário um sinal de porta com uma tensão porta cátodo, VGR, entre -7V a -20V
e uma corrente de porta, IGQ, da ordem de 0,3IGTO, com uma taxa mínima entre 30 a 100A/µs.

Considerando a corrente de porta, Fig. 22, o GTO é o dispositivo semicondutor de potência com mais
exigências construtivas e de potência disponível, a nível de circuito de disparo.
Mais rápido que o GTO, com menor tensão de condução e potência de porta, existe, hoje em dia, o
Tiristor Controlado de Porta Integrada (IGCT). Este membro mais novo da família dos SP foi desenvolvido a
partir da incorporação do GTO (com múltiplas portas), juntamente com os circuitos de ataque individual das
portas, realizado pela associação em paralelo de MOSFETs que fornecem as correntes das portas do IGCT.
A integração da porta permitiu melhorar as características de ataque das portas (i.e. indutância de fugas
<3nH), criando um dispositivo que combina as excelentes características de condução do tiristor e a
característica de comutação do TBJ, não necessitando de circuitos de ajuda à comutação.
5.1. Circuito de disparo
Na Fig. 23 apresenta-se um exemplo dum circuito de disparo de um tiristor GTO. O sinal de comando vi é
enviado para o circuito de disparo com isolamento galvânico através de um opto-acoplador (díodo com foto-
transístor, T1). O TBJ T2 fornece o impulso inicial de corrente de porta e a corrente necessária à manutenção
da condução. Para tal a malha RC é dimensionada de modo a que R1>>R2. A resistência R2 e o condensador
C ajudam a fornecer o elevado valor inicial da corrente, enquanto R1 fornece o valor da corrente necessária à
manutenção da condução. O impulso negativo de corrente, necessário para a passagem ao corte, é aplicado
por intermédio do TBJ T3 que liga directamente a fonte de alimentação à porta do GTO.
vi R2
T1 R1 vR
C Vcc
A
T2 iG
G
T3 vGK K
RB RE
VEE
Fig. 23. Circuito de disparo de um tiristor GTO, com isolamento galvânico por foto-transístor.
A tensão aplicada na porta do GTO quando a tensão de comando vi>0 (T1 e T2 à condução e T3 ao corte)
vale, segundo a Fig. 23,
vGK = Vcc − v R − vCEsatT 2 , (38)
que em princípio coloca o GTO à condução. Donde para dimensionamento das resistências resulta
Vcc − vGK − vCEsatT 2
R1 = , (39)
I GF
e

Vcc − vGK − vCEsatT 2

R2 = . (40)
I GM − I GF
Para dimensionamento de C, considerando a Fig. 23, e desprezando a queda de tensão em T2 e na porta do
GTO, resulta que C ≈ t wg R2 , que se deve descarregar durante o corte do GTO, segundo (6).
A tensão aplicada na porta do GTO quando a tensão de comando vi=0 (T1 e T2 ao corte e T3 à condução)
vale, segundo a Fig. 23,
vGK = −VEE + v ECsatT 3 , (41)
que coloca o GTO ao corte, se a tensão e corrente de porta apresentarem as características adequadas.
5.2. Limitação dv/dt
Tal como no tiristor convencional, o tiristor GTO apresenta um limite máximo para a taxa de crescimento
da tensão aos terminais (dvAK/dt)GT. Assim, nos circuitos onde o GTO comanda uma carga indutiva com
díodo em roda livre, são usadas malhas RsCsDs de acordo com o que é apresentado na Fig. 24. Na comutação
condução-corte, o díodo conduz e o condensador limita o dvAK/dt a
dv AK C
= s , (42)
dt iGTO
que é tanto mais baixo quanto maior for a corrente anódica a cortar, iGTO. Donde o valor mínimo de Cs vale
iGTO
C s mín = . (43)
⎛ dv AK ⎞
⎜ ⎟
⎝ dt ⎠ GT
iGTO
vAK
DS CS
RS
Fig. 24. Circuito de protecção contra dvAK/dt.
Na prática o valor de Cs é um compromisso entre a sobretensão aos terminais do GTO, as perdas na

comutação e a potência dissipada na resistência, dada por
1
PRs = C sVcc2 f , (44)
2
que pode facilmente ultrapassar a potência dissipada no GTO na comutação, para frequência f de alguns kHz.
Daí que, o valor de (dvAK/dt)GT limite na prática a frequência de comutação do GTO a alguns kHz.
Na comutação corte-condução a energia armazenada no condensador é dissipada na resistência, limitando
esta ainda a corrente máxima devido à descarga do condensador. O dimensionamento da resistência é feito
considerando que toda a energia do condensador se dissipa nela durante um tempo inferior ao tempo de
condução ton do GTO, de acordo com (6).
6. Transístor Efeito de Campo de Porta Isolada (MOSFET)
O MOSFET iniciou a época da grande evolução nos semicondutores de potência. Transformando as

estruturas MOS longitudinais, usadas em microelectrónica, em estruturas MOS verticais, e associando
centenas destas células individuais em paralelo foi possível aumentar a corrente e tensão de trabalho.
O transístor de efeito de campo de porta isolada, MOSFET, é um dispositivo unipolar (ou seja a corrente
é devida só a um tipo de portadores maioritários) com três terminais. O eléctrodo de comando ou porta (G) é
electricamente isolado do material semicondutor por uma fina camada de óxido de Silício. Nos outros dois
terminais, dreno (D) e fonte (S), são aplicados os sinais de potência a controlar.
A estrutura N+PN-N+ corresponde a um MOSFET (tipo N de enriquecimento) de potência é apresentada
na Fig. 25 a). A zona do substrato do tipo P forma um curto-circuito com a região da metalização da fonte,
formando um díodo intrínseco entre a fonte e o dreno. O MOSFET de potência é uma associação em paralelo
de vários milhares destas células.
Dreno D
Cgd
G RDSon Cds
Porta Cgs
Fonte
S
a) b) c)
Fig. 25 a) Estrutura física de um MOSFET tipo N, de enriquecimento, com localização do canal e da corrente ID. b)
Símbolo do MOSFET do tipo N. c) Circuito equivalente de um MOSFET à condução, na região de resistência
constante, com as duas capacidades dinâmicas de entrada e saída.
Com o terminal da porta curto-circuitado com a fonte, vGS≤0, para tensões vDS>0, a junção PN está
polarizada inversamente, sendo a corrente com sentido dreno fonte, a corrente de fugas de um díodo
polarizado inversamente. Para vDS<0, a corrente é praticamente igual à de um díodo polarizado directamente.
A aplicação de uma tensão vGS>0, cria um campo eléctrico dirigido da superfície do óxido para o
semicondutor. Este campo origina uma acumulação de cargas negativas logo abaixo do óxido, na região de
separação entre o óxido e o semicondutor do tipo P. À medida que esta tensão aumenta começam a cumular-
se electrões livres nesta região, a partir dum certo valor de tensão, designada tensão de limiar vGSth, forma-se
um canal condutor com propriedades de semicondutor do tipo N entre as regiões dreno e da fonte, que se vDS
for positivo origina a passagem duma corrente iD, conforme se mostra na Fig. 25 a).
Sendo o eléctrodo de porta de um MOSFET isolado por uma camada de óxido, a corrente de comando da
porta, em regime permanente, é então uma corrente de fuga através de um dieléctrico, não atingindo
normalmente a centena de nA. Em regime dinâmico, a necessidade de carregar e descarregar o condensador
equivalente, porta fonte (Cds) e porta dreno (Cdg), implica um pico de corrente até 1A, Fig. 25 c).
Na Fig. 26 apresenta-se a característica iD=f(vDS), função da tensão vGS, do MOSFET de potência do tipo
N de enriquecimento. Considerando o gráfico da Fig. 26, o MOSFET está ao corte quando vGS<vGSth
(tipicamente 4 a 5 volts), suportando tensões positivas aos seus terminais, com um valor máximo de VDSS.
Quando a tensão vGS>vGSth, para tensões dreno fonte vDS reduzidas, o MOSFET encontra-se na região de
resistência constante, desde que vGS − vGSth > v DS > 0 . Esta região é a utilizada para condução em
aplicações de electrónica de potência, pois a potência dissipada está dentro de valores razoáveis.
Fig. 26. Característica tensão-corrente de um MOSFET tipo N de enriquecimento.
Na região de resistência constante, o MOSFET apresenta uma resistência equivalente à condução Rdson
praticamente constante (para uma dada temperatura) e a tensão aos terminais vem dada por
v DS ( on ) = i D Rdson . (45)
Na prática para vGS≈15V garante-se a condição de funcionamento na zona de resistência constante e não
se excede o valor admissível para a tensão de porta, vGSM. Quando a tensão dreno fonte aumenta, e a tensão
vDS iguala a tensão de estrangulamento, vGS − vGSth ≈ v DS , o MOSFET entra na região de corrente constante
(ou activa), onde a corrente iD só depende da tensão vGS. Para funcionamento como interruptor evita-se a
utilização do MOSFET nesta região devido à elevada potência dissipada.
6.1. Circuitos de protecção
Os MOSFETs de potência são semicondutores extremamente rápidos, de tal modo que as suas
características dinâmicas impõem o uso de circuitos de protecção devido à presença de indutâncias parasitas.
Na passagem ao corte, qualquer pequena indutância origina sobretensões vDS que podem exceder VDSS com
facilidade. Para protecção são usados circuitos tampão (díodo Zener ou varistores em paralelo com o dreno e

fonte) e circuitos de ajuda à comutação (do tipo RCD, semelhantes aos usados noutros semicondutores
totalmente comandados, exemplo dos GTOs, Fig. 24).
Também na porta podem existir sobretensões que podem levar à rotura do óxido, uma vez que a tensão
máxima na porta vGSS não ultrapassa normalmente 20V. Torna-se necessário a protecção da porta com um
díodo Zener montado em anti-paralelo entre porta e fonte. Para além desta protecção pode colocar-se uma
resistência em série com a porta, Rg, para amortecer o sinal de disparo, normalmente um degrau de tensão,
que, em virtude do circuito de entrada apresentar indutâncias, Lp, e capacidades, Cp, parasitas, pode oscilar
com uma frequência perto da frequência de ressonância 1/√(LpCp). O cálculo dessa resistência envolve o
conhecimento dos valores dos parâmetros parasitas da entrada considerando um factor de qualidade óptimo
de 0,707, donde
Lp
R g ≈ 1,41 , (46)
Cp
que, normalmente, apresenta valores entre 10Ω a 20Ω.

Em relação à protecção contra sobrecorrentes, no caso do MOSFET de potência, é preferível a utilização
de circuitos activos, como o apresentado na Fig. 27, uma vez que os fusíveis são, por norma, mais lentos que
o MOSFET, tendo este um valor da característica de choque térmico (I2t) reduzida.
Rd Dd
Rg
R3
vDS
iD
R2
Rb
T1
vi
Vref R1
Fig. 27. Circuito activo de protecção do MOSFET contra sobrecorrentes.
O circuito da Fig. 27 aproveita o facto das tensão vDS, de um MOSFET em condução, ser proporcional à
corrente iD através de RDSon. A tensão vDS é medida através de um díodo rápido Dd e comparada com uma
tensão de referência Vref, e quando se lhe torna superior, o comparador comuta, passando o transístor T1 à
condução e desviando a corrente de porta fornecida ao MOSFET para a massa. Tal obriga o MOSFET a
passar ao corte até esta situação permanecer. O circuito de protecção não está activo quando a fonte de sinal
vi contém informação de corte do MOSFET, situação em que vDS é muito elevado. Para o correcto
funcionamento do circuito da Fig. 27 é necessário assegurar, também, que o tempo de passagem à condução
do MOSFET seja inferior ao tempo de processamento do sinal de inibição, caso contrário o MOSFET não
passa à condução.

6.2. Circuito de disparo
O MOSFET é mais rápido que os dispositivos bipolares porque não existem portadores minoritários em
excesso que tenham que ser injectados na passagem à condução ou retirados na passagem ao corte. A única
carga que é necessário fornecer é para carregar e descarregar as capacidades equivalentes Cgs e Cgd, conforme
se mostra no circuito equivalente do MOSFET à condução, Fig. 25 c).
Desta forma, é possível o ataque directo à porta do MOSFET através de circuitos de baixa potência como
é o caso de circuitos lógicos integrados do tipo TTL e CMOS (construídos com TBJ e MOSFET de muito
baixa potência). O principal obstáculo a ultrapassar, consiste na obtenção do pico de corrente relativamente
elevado necessário a uma comutação rápida, o que se consegue com circuitos que amplifiquem a corrente,
por exemplo, utilizando TBJs montados como seguidor complementar.
A Fig. 28 a) apresenta um circuito de disparo do MOSFET, com base num circuito CMOS, porta NOT. É
normal colocarem-se várias portas em paralelo para aumentar a corrente e consequentemente a velocidade de
comutação do MOSFET. Os díodos Zener colocados nos circuitos protegem, respectivamente, a porta do
MOSFET que é muito sensível a picos de tensão, normalmente Vz1≈18V, e limitam a tensão aos seus
terminais, Vz2.
Rf Df
Vcc iD
Vcc iD
Rc
Vz2
Ri Vz2 vi
Vz1
Dzf Cf
Vz1 Re
a) b)
Fig. 28. Circuito de disparo de um MOSFET: a) sem e b) com isolamento galvânico.
No caso de ser necessário isolamento galvânico para ataque da porta do MOSFET, a solução mais comum
é a utilização de acoplamento óptico conforme é apresentada na Fig. 28 b). Este processo requer uma fonte
de tensão auxiliar, isolada da massa, que pode ser construída como se indica na Fig. 28 b), a partir da própria
tensão vDS do circuito de potência, utilizando um díodo Df, uma resistência Rf, um condensador Cf e um
díodo Zener Dzf. Esta solução apresenta contudo problemas de potência dissipada na resistência Rf quando a
tensão vDS é elevada.
7. Semicondutores de potência com tecnologia MOS-Bipolar
A tecnologia MOS-bipolar é uma tentativa de criar num único dispositivo de silício um interruptor com o
melhor das tecnologias bipolar (TBJ) e unipolar (MOSFET), sem apresentar os seus inconvenientes. Para

dispositivos equivalentes: i) Os TBJs têm baixas quedas de tensão à condução, suportam maiores tensões e
correntes que os MOSFETs; ii) Os MOSFETs têm tempos de comutação muito menores, especialmente na
passagem ao corte, e grande facilidade de comando de porta.
O IGBT foi a primeira tentativa de criar um desses dispositivos, com maior sucesso até hoje, o MCT é um
dispositivo mais recente mas com maior potencial de evolução. O desempenho de um IGBT situa-se entre o
de um TBJ e o de um MOSFET. É mais rápido que um TBJ mas mais lento que um MOSFET. A sua tensão
de condução é menor do que a de um MOSFET, mas excede a de um TBJ.
7.1. Transístor Bipolar de Porta Isolada (IGBT)
Na Fig. 29 a) apresenta-se a estrutura vertical do IGBT, muito semelhante à do MOSFET, Fig. 25, onde
foi substituída apenas a camada N+ por uma camada P+, e o símbolo na Fig. 29 c). Esta alteração, contudo,
introduz uma junção PN, cuja camada P, quando em condução, injecta portadores minoritários (lacunas) na
região de deriva. A injecção destes portadores vai aumentar a condutividade da camada de deriva do
MOSFET, tendo como consequência mais interessante, a redução da resistência de condução, sendo possível
construir dispositivos para tensões e correntes mais elevadas do que os MOSFETs. O IGBT é então um
dispositivo misto (o esquema equivalente da Fig. 29 b) é o espelho disso mesmo), no sentido em que a
condução é feita por portadores maioritários (os electrões do canal) e minoritários (os injectados pela junção
PN). Outra alteração acontece quando o IGBT está polarizado inversamente, pois o novo díodo bloqueia a
condução do díodo parasita já existente. Este tipo de IGBT designado de simétrico permite bloquear tensões
inversas com o mesmo valor da tensão directa. Pode obter-se um IGBT assimétrico quase só por adição de
uma camada P+ ao MOSFET, mantendo a N+. O IGBT assimétrico não pode suportar tensões inversas
elevadas (>20V), devido à alta concentração de impurezas em ambos os lados da junção acrescentada, mas
em compensação apresentam menores resistências de condução e tempos de passagem ao corte.
Colector
Colector
Porta Porta
Emissor Emissor
a) b) c)
Fig. 29 a) Estrutura física de um IGBT. b) Circuito equivalente. c) Símbolo do IGBT.
Na Fig. 30 apresenta-se a característica iC=f(vCE), de um IGBT simétrico, função da tensão vGE de porta.
Para vCE>0 a característica do IGBT é qualitativamente semelhante à de um TBJ do tipo NPN de sinal,
excepto no que concerne ao comando que é basicamente igual ao de um MOSFET. Assim, se vGE<VGEth, o
IGBT está ao corte, a tensão máxima directa será VDSS. Se vGE>vGEth e vCE>>vCEsat, o IGBT está na zona
activa. Se vGE>vGEth e vCE≈vCEsat, o IGBT está na zona de saturação, que é a utilizada quando o IGBT está à
condução em electrónica de potência. Para vCE<0 o IGBT suporta uma tensão inversas máxima VRM.
Fig. 30. Característica tensão-corrente de um IGBT.
Os circuitos de ataque da porta dos MOSFETs também podem ser usados para disparar os IGBTs com a
vantagem da transcondutância do IGBT ser maior, pelo que a potência destes circuitos é ainda menor. Da
mesma forma, os circuitos de protecção e de ajuda à comutação dos IGBTs e MOSFETs são semelhantes.
7.2. Tiristor de Porta Isolada tipo MOS (MCT)
O MCT é essencialmente um dispositivo PNPN do tipo tiristor GTO, onde a passagem ao corte e à
condução é feita por actuação num terminal do tipo porta MOS, simplificando significativamente os circuitos
de ataque da porta. Na Fig. 31 apresenta-se a estrutura típica de um MCT do tipo N. Cada dispositivo é
constituído por milhares destas células em paralelo.
A
MOS N (ON)
G G
MOS P (OFF) K
K
a) b) c)
Fig. 31. a) Estrutura física de um MCT do tipo N. b) Circuito equivalente. c) Símbolo do MCT.

De acordo com o que observa do esquema equivalente da Fig. 31 b), a estrutura N-MCT apresentada é
posta em condução aplicando uma tensão positiva entre a porta e o cátodo. O MOSFET de canal N
conduzirá, fornecendo corrente de base ao TBJ PNP, o qual por sua vez, por realimentação positiva, conduz
a corrente de base do TBJ NPN, iniciando-se um processo semelhante ao tiristor. O MCT permanecerá em
condução até que a corrente se anule mesmo que desapareça o sinal de comando.
A passagem do N-MCT ao corte faz-se colocando o MOSFET de canal P em condução com um impulso
negativo de tensão entre porta e o cátodo. A condução deste dispositivo curto-circuita a junção base-emissor
do TBJ NPN, desfazendo a ligação regenerativa entre os dois transístores.
A característica do MCT é análoga à do GTO, tendo o MCT tempos de passagem ao corte e à condução
mais curtos que o GTO. O MCT apresenta ainda queda de tensão à condução inferior ao IGBT e menores
perdas de comutação. Os circuitos de ataque da porta do MCT são semelhantes aos do MOSFET e IGBT.
Existem, hoje em dia, outras estruturas derivadas do IGBT e MCT que são bastante promissoras em
termos de suportarem tensões mais elevadas. O GTO controlado por MOS, MTO, que de uma forma simples
é um GTO de corte assistido por estruturas MOSFET. O tiristor de corte pelo emissor, ESTh, que de uma
forma simples é um tiristor em série com um MOSFET de canal N.
8. Semicondutores de potência com tecnologia de efeito de campo de junção
A utilização dos transístores de efeito de campo de junção (JFET), em dispositivos de potência só muito
recentemente foi introduzida, devido principalmente a problemas tecnológicos. Mas ultrapassadas que estão
essas dificuldades, e devido às vantagens dos JFETs em relação a outras tecnologias (apesar de ser um
interruptor normalmente fechado), nomeadamente, impedância de entrada elevada, capacidade de entrada
reduzida e elevada velocidade de comutação (devido à ausência de portadores minoritários), levaram à
criação de novas estruturas de potência como é o caso do Transístor de Indução Estática, SIT. Prevê-se que o
SIT, ou JFET de potência, terá um futuro promissor em electrónica de potência.
Tal como na tecnologia MOSFET resultaram dispositivos mistos (IGBT e MCT), também da tecnologia
JFET se desenvolveram derivados mistos como é o caso do Tiristor de Indução Estática SITh.
Na Fig. 32 apresenta-se a estrutura de um SIT de canal N, com três terminais, Dreno, D, Fonte, S, e Porta,
G. O SIT diferencia-se, em relação ao JFET, pelo facto da região da porta ser constituídas por diversas ilhas
embebidas dentro da região de deriva, do tipo N-.

Fig. 32. a) Estrutura física de um SIT de canal N. b) Símbolo do SIT.
O SIT é um dispositivo comandado por uma tensão (negativa), aplicada entre porta e fonte, que modula a
condutividade do canal N, ou seja, controla a passagem de corrente entre o dreno e a fonte. O circuito de
ataque de porta necessita apenas de fornecer uma pequena corrente de deslocamento necessária para modular
a largura das camadas de depleção nas junções PN, semelhante à do MOSFET mas onde a capacidade
equivalente é menor.
Na Fig. 33 apresenta-se a característica iD=f(vDS), do SIT de canal N, função da tensão vGS. A região de
corte depende do valor de vGS (entre 0V a -30V), pois os valores de vDS suportados, VDSM, são tanto maiores
quanto mais negativo for vGS, dado que, o campo eléctrico criado pela tensão positiva dreno fonte se opõem
ao criado pela porta fonte, sendo facilmente ultrapassada por electrões que se deslocam do dreno para a
fonte.
A região de condução do SIT verifica-se para valores de vGS próximos de zero, e o dispositivo apresenta
uma resistência interna, RDSon, que depende de vGS, donde a tensão dreno fonte é dada pela mesma expressão
do MOSFET (45). Existe ainda uma região linear onde a corrente ID depende de vGS.
Fig. 33. Característica tensão-corrente de um SIT de canal N.
Em relação às protecções, os circuitos de protecção contra sobretensões e sobrecorrentes bem como os de

ajuda à comutação podem basear-se nos dos MOSFETs.
Se a tensão porta fonte aplicada for positiva, havendo desta forma injecção de portadores minoritários no
canal e consequente modulação da condutividade, o dispositivo designa-se por transístor bipolar de indução
estática, BSIT, ou transístor bipolar de efeito de campo, BMFET.
Existem, hoje em dia, outras estruturas derivadas do SIT que são bastante promissoras em termos de
electrónica de potência. A mais significativa é o Tiristor de Indução Estática (SITh), onde foi substituída
apenas a camada N+, junto ao contacto metálico do dreno, por uma camada P+ (equivalente ao que se fez no
caso do IGBT em relação ao MOSFET).
9. Conclusões e evolução futura

Completando a estudo realizado, anteriormente, do funcionamento e condições de utilização dos SP

actualmente em uso nos conversores electrónicos de potência, apresentam-se de forma sucinta na tabela 1 as
características fundamentais dos SP comandados. Na primeira linha é indicada a tensão de condução para um
SP com uma determinada tensão e corrente, na segunda linha é apresentada a frequência máxima de
funcionamento do SP considerado, e nas duas últimas linhas, aproximadamente, os tempos de comutação. De
igual modo, na Fig. 34 mostra-se um gráfico aproximado com o estado da arte, em termos de tensão e
corrente, dos SP, mais significativos nas aplicações dos CEP, disponíveis comercialmente.
Tabela 1
TBJ Tiristor GTO IGCT MOSFET IGBT MCT SIT SITh
Tensão (V) 700 1000 1200 3300 200 2500 600 1500 1200
Corrente (A) 100 300 300 1200 18 1000 60 180 300
vcondução (V) 1,9 1,5 3 2,1 3,2 4,4 1,1 50 4
fmáx (kHz) 20 0,4 10 20 10000 100 20 10000 20
tOn→Off (µs) 5 10 a 500 5 a 20 10 0,140 1,4 5 0,08 9
tOff→On (µs) 1,9 1,1 4 3 0,09 0,9 2 0,03 2
Comparando o desempenho dos SP, da tabela 1 e Fig. 34, observa-se que para potências na ordem do
MW, o tiristor GTO é, actualmente, o SP de eleição. Nas médias potências e frequências o IGBT
desempenha já actualmente o papel fundamental, competindo com o GTO e IGCT. Nas altas-frequências o
MOSFET e o SIT dividem entre si vários nichos de aplicações. O MCT poderá vir a substituir todos estes
dispositivos excepto, talvez, nas muito altas-frequências e potências elevadas.

Fig. 34. Gama de potência dos SP, mais significativos em aplicações com CEP, disponíveis comercialmente, adaptado
de [12].
Das tecnologias usadas nos SP, é importante realçar a tecnologia mista Bipolar-MOS, que permitiu a
construção do IGBT, e mais tarde do MCT. Estes dispositivos vieram substituir as montagens do tipo
interruptor de emissor (Cascode) ou o super Darlington (BIPMOS) em que se reúne, normalmente, um TBJ e
um MOSFET, associados em série ou em paralelo de forma a juntar o que cada uma das tecnologias (bipolar
e unipolar) tem de melhor para realizar um dispositivo interruptor com melhor desempenho.
Em relação ao material de que são feitos os SP, até recentemente o Silício tem gozado do monopólio.
Porém, novos materiais, tais como o AsGa (Arsenieto de Gálio), SiC (Carboneto de Silício) o diamante (C) e
materiais supercondutores, exibem propriedades que potenciam enormes avanços no futuro, ainda que
actualmente existam dificuldades de processamento. Comparativamente com o Silício, estes materiais têm
uma relativamente larga banda de energia proibida (entre a banda de valência e a de condução), resultando
em pequenas correntes de fugas para altas temperaturas, uma maior mobilidade dos portadores, uma alta
condutividade térmica e resistividade eléctrica. Estas propriedades levantam a hipótese de fabrico
dispositivos relativamente pequenos capazes de comutar potências elevadas a frequências elevadas com
tensões de condução reduzidas e altas temperaturas de junção (600ºC).
Finalmente, e considerando a crescente integração dos circuitos semicondutores, e os avanços na área da
microelectrónica, pode dizer-se, com alguma certeza, que, no futuro, juntar-se-ão num único circuito
integrado a potência e o comando.
10. Agradecimentos
Agradece-se a colaboração e as correcções do Prof. Fernando Silva, Professor Associado do Instituto

Superior Técnico, para a realização deste documento.
11. Bibliografia
Para realização deste documento foram consultadas as seguintes obras:

1. Billings, Keith H.: “Switching Power Supply Handbook”, 1ª edição, McGraw Hill, 1989, p. 503,
ISBN 0-07-005330-8.
2. Mohan, Ned; Underland, Tore M.: “Power Electronics”, 2ª edição, John Wiley & Sons, 1995, p. 802,
ISBN 0-471-58408-8.
3. Rashid, Muhmmad H.: ”Power Electronics, circuits, devices, and applications”, 2ª edição, Prentice
Hall International Editions, 1993, p. 702, ISBN 0-13-334483-5-
4. Santana, João José Esteves; Labrique, Francis: “Electrónica de Potência” 1ª edição, Fundação
Calouste Gulbenkian, 1991, p. 730, ISBN 972-31-0534-9.
5. Silva, J. Fernando: “Semicondutores de potência modernos”, Electricidade No. 328, pp. 305-316,
Dezembro 1995.
6. Silva, J. Fernando: “Electrónica Industrial”, 1ª edição, Fundação Calouste Gulbenkian, 1998, p. 952,
ISBN 972-31-0801-1.
7. Bose, B. K.: “Energy, Environment, and Advances in Power Electronics”, IEEE Transactions on
Power Electronics, vol. 15, no. 4, July 2000, pp. 688-701.
8. Bose, B. K.: “Evaluation of Modern Power Semiconductor Devices and Future Trends of
Converters”, IEEE Trans. Ind. Appl., vol. 28, pp. 403-413, Mar./April 1992.
9. Rajashekara, K., Bhat, A.K.S., Bose, B.K.: “Power Electronics”, The Electrical Engineering
Handbook, Ed. Richard C. Dorf, Boca Raton: CRC Press LLC, 2000.
10. Grant, D.A.: “Power semiconductors - innovation and improvement continue to challenge the
designer”, IEE Colloquium on New Developments in Power Semiconductor Devices, 1991.
11. Carsten, Bruce: “The bipolar transistor is dead, long live the bipolar transistor”, PCIM proceedings,
1993.
12. Bernet, Steffen: “Recent Developments of High Power Converters for Industry and Traction
Applications”, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 15, no. 6, November 2000, pp. 1102-
1117.

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INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA

Secção de Electrónica Industrial

Departamento de Engenharia Electrotécnica e Automação

para Engenharia Electrotécnica

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 2

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 3

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 4

Fig.2. Característica i-v do díodo de potência da Fig. 1.

com valores da ordem de 1V a 2V.

2.1. Característica dinâmica de comutação

2.2. Circuitos de ajuda à comutação e protecção

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 7

2.3. Dissipação de potência

Pd = V D I AK DC + Ron I 2 AK RMS . (8)

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 8

Considerando (9), a temperatura da junção vale

3. Transístor Bipolar de Junção (TBJ)

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 9

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 10

Fig.7. Característica tensão-corrente de um TBJ de potência, do tipo NPN.

3.1. Característica dinâmica de comutação. Potência dissipada

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 11

Na Fig. 8 representa-se o andamento da tensão, corrente e potência dissipada, na entrada em condução e

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 12

3.2. Circuitos de ajuda na comutação

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 13

donde resulta que

donde resulta que

3.3. Circuitos de disparo e protecção

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 14

um valor de tensão e corrente necessário ao disparo do semicondutor. No caso do TBJ o nível de

De modo a acelerar as comutações corte-condução e condução-corte no TBJ é, ainda, usual utilizarem-se

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 15

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 16

3.4. Circuito de geração de tempos mortos

Em braços de conversores electrónicos com semicondutores de potência, totalmente comandados, em

4. Tiristor (Thyristor, Silicon Controled Rectifier, SCR)

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 17

A estrutura simplificada do tiristor, para aplicações em electrónica de potência, é apresentada na Fig. 14

Fig. 15. Característica corrente-tensão de um tiristor.

4.1. Limitação di/dt e dv/dt e protecções

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 19

Esta resistência Rs dissipa uma potência dada pela equação (5).

4.2. Circuitos de disparo

Uma vez que iGK=i1, então

neste instante a tensão aplicada ao primário vale, Fig. 18 b),

Tensão d e referên cia

5. Tiristor de porta controlada (GTO)

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 23

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 24

5.1. Circuito de disparo

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 25

Vcc − vGK − vCEsatT 2

5.2. Limitação dv/dt

Na prática o valor de Cs é um compromisso entre a sobretensão aos terminais do GTO, as perdas na

6. Transístor Efeito de Campo de Porta Isolada (MOSFET)

O MOSFET iniciou a época da grande evolução nos semicondutores de potência. Transformando as

Fig. 26. Característica tensão-corrente de um MOSFET tipo N de enriquecimento.

6.1. Circuitos de protecção

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 28

que, normalmente, apresenta valores entre 10Ω a 20Ω.

Fig. 27. Circuito activo de protecção do MOSFET contra sobrecorrentes.

Luis M. S. Redondo – Março de 2008 29

6.2. Circuito de disparo